JP4275522B2 - ダイシング・ダイボンドフィルム - Google Patents

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Description

本発明は、半導体チップと電極部材とを固着するための接着剤を、ダイシング前に半導体ウエハに付設した状態で、半導体ウェハのダイシングに供するダイシング・ダイボンドフィルムに関する。又、本発明は、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体チップの固定方法に関する。
回路パターンを形成した半導体ウェハは、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、チップにダイシングされる（ダイシング工程）。かかる工程では、切断層の除去のため半導体ウェハを適度な液圧（通常、２ｋｇ／ｃｍ２程度）で洗浄するのが一般的である。次いで、前記半導体チップを接着剤にてリードフレームなどの被着体に固着（マウント工程）した後、ボンディング工程に移される。前記マウント工程に於いては、接着剤をリードフレームや半導体チップに塗布していた。しかし、この方法では接着剤層の均一化が困難であり、また接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシングフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
前記特許文献１によれば、ダイシングフィルムは、支持基材上に導電性の接着剤層を剥離可能に設けてなるものである。すなわち、接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して半導体チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させるようにしたものである。
この種のダイシング・ダイボンドフィルムに於いては、接着剤層は半導体ウェハにのみ接着され、その他の部分はダイシングフレームに貼り合わされる。しかし、半導体ウェハに貼り合わされる部分とダイシングフレームに貼り合わされる部分とが同一接着剤層である場合、ダイシングフレームに貼り合わされた接着剤を剥離できないという問題点があった。
特開昭６０−５７６４２号公報
本発明は、半導体ウェハとダイシング・ダイボンドフィルムとの貼り合わせの際に、ダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイ接着用接着剤層の位置の識別が可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。加えて、半導体ウェハをダイシングする際の保持力と、ダイシングにより得られる半導体チップをそのダイ接着用接着剤層と一体に剥離する際の剥離性とのバランス特性に優れたダイシング・ダイボンドフィルムを提供することを目的とする。
又、本発明は、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体チップの固定方法を提供することを目的とする。
本発明者等は、ダイシング・ダイボンドフィルムに予めマーキングを施すことにより、位置ズレを起こさずに半導体ウェハとの貼り合わせが可能となることを見出し、更に詳細な検討を加えた結果、本発明を完成させるに至った。
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、上記の課題を解決する為に、支持基材（１）上に、粘着剤層（２）及びダイ接着用接着剤層（３）が順次積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記粘着剤層（２）は放射線硬化型粘着剤層であり、放射線照射により着色する化合物を０．０１〜１０重量％含有しており、前記粘着剤層（２）は、ダイ接着用接着剤層（３）上の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）が放射線照射され、かつ、半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）の粘着力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であり、それ以外の部分（２ｂ）の粘着力が０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍであり、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、を満足し、前記ダイ接着用接着剤層（３）の位置を識別する為のマーキングが、粘着剤層（２）に於ける半導体ウェハ及びマウントフレームが貼り付けられない位置に対する放射線照射により着色された複数の領域であることを特徴とする。
更に、前記粘着剤層（２）のダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力が、ダイ接着用接着剤層（３）上の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）とそれ以外の部分（３ｂ）の一部又は全部に対応する部分（２ｂ）で異なり、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、を満足し、 前記粘着剤層（２ａ）の粘着力は０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であり、粘着剤層（２ｂ）の粘着力は０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍであることが好ましい。
又、前記ダイ接着用接着剤層（３）の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）における、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が、半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、を満足し、前記半導体ウェハに対する粘着力は１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ以下であり、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力は０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましい。
更に、前記半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）の一部が、マウントフレーム貼り付け部分（３ｂ′）であることが好ましい。
前記ダイ接着用接着剤層（３）は、粘着剤層（２）の一部に半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）として設けられていることが好ましい。
前記半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）の、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が、半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力を満足することが好ましい。
前記粘着剤層（２）が放射線硬化型粘着剤により形成されており、半導体ウェハ貼り付け部（３ａ）に対応する粘着剤層（２ａ）が放射線照射されていることが好ましい。
又、本発明の半導体チップの固定方法は、前記のダイシング・ダイボンドフィルムのダイ接着用接着剤層（３）上に半導体ウェハを圧着する工程であって、前記マーキングを識別してダイ接着用接着剤層（３）の位置情報を検出し、当該位置情報に基づいてダイ接着用接着剤層（３）と半導体ウェハとの間に位置ズレが存在する場合は、位置ズレの補正を行って、前記ダイ接着用接着剤層（３）と半導体ウェハとを圧着する工程と、前記半導体ウェハをチップ状にダイシングする工程と、半導体チップをダイ接着用接着剤層（３）とともに粘着剤層（２）から剥離する工程と、前記ダイ接着用接着剤層（３）を介して、半導体チップを半導体素子に接着固定する工程と、を有することを特徴とする。
本発明の構成によれば、ダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイ接着用接着剤層の位置を識別する為のマーキングが設けられているので、支持基材やダイ接着用接着剤層が透明部材であっても、ダイ接着用接着剤層の位置を容易に識別することができる。これにより、ダイ接着用接着剤層を半導体ウェハに貼り合わせる際に、位置ズレを防止することができ製品の歩留まりを向上させることができる。
更に、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上には、剥離可能に設けられたダイ接着用接着剤層（３）を有する構成とすることができる。
ここで、粘着剤層（２）は、ダイ接着用接着剤層（３）上の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）とそれ以外の部分（３ｂ）に対応する部分（２ａ、２ｂ）とで、ダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力が、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるように設計可能である。すなわち、粘着剤層（２ｂ）は、接着剤層（３）とダイシング時やエキスパンド時に適度に接着し、粘着剤層（２）と接着剤層（３）とが剥離しないようにする。一方、粘着剤層（２ａ）は軽剥離が可能なようにしている。そのため、１０ｍｍ×１０ｍｍを超えるような大型チップに対しても、ダイシング不良をきたすことなく、ダイシング後には得られた半導体チップを容易に剥離、ピックアップすることが可能なダイシング・ダイボンドフィルムが得られる。このように本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、ダイシング時等の保持力とピックアップ時の剥離性とをうまくバランスさせている。
更に、ダイ接着用接着剤層（３）の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）における、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が、半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、の関係を満たす構成とすることにより、半導体ウェハをダイシングした後に、半導体チップにダイ接着用接着剤層（３）を付設した状態で、粘着剤層（２ａ）から容易に剥離することができる。
更に、ダイシング・ダイボンドフィルムは、半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）の一部を、マウントフレーム貼り付け部分（３ｂ′）とすることができる。ここで、ダイ接着用接着剤層（３）のマウントフレーム貼り付け部分（３ｂ′）における、マウントフレームに対する粘着力と、粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力が、マウントフレームに対する粘着力＜粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力、の関係を満たす構成とすることにより、ダイシング時等の保持力とピックアップ時の剥離性がよりバランスよくなる。
又、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上の一部にダイ接着用接着剤層（３）が半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）として剥離可能に設けられた構成とすることができる。ここで、粘着剤層（２）は、半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）とそれ以外の部分（２ｂ）はその粘着力が、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるように設計可能である。すなわち、粘着剤層（２ａ）は軽剥離が可能なようにしている。一方、粘着剤層（２ｂ）には、ウェハリングを接着可能であり、ダイシング時やエキスパンド時にこれらが剥離しないように固定できる。そのため、例えば１０ｍｍ×１０ｍｍを超えるような大型チップに対しても、ダイシング不良をきたすことなく、ダイシング後には得られた半導体チップを容易に剥離し、ピックアップすることが可能なダイシング・ダイボンドフィルムが得られる。このように本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（２）は、ダイシング時等の保持力とピックアップ時の剥離性とをうまくバランスさせている。
更に、半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）の、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力とが、半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、の関係を満たすことにより、半導体ウェハをダイシングした後に、半導体チップにダイ接着用接着剤層（３ａ）を付設した状態で、粘着剤層（２ａ）から容易に剥離することができる。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１について、図１に基づいて説明すれば以下の通りである。但し、説明に不要な部分は省略し、又、説明を容易にする為に拡大或いは縮小等して図示した部分がある。以上のことは以下の図面に対しても同様である。図１（ａ）は、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０の概略構成を示す平面図であり、図１（ｂ）はＡ−Ａ線矢視断面図である。
本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０は、支持基材１と、前記支持基材１上に設けられた粘着剤層２と、前記粘着剤層２上に設けられたダイ接着用接着剤層３と、前記ダイ接着用接着剤層３を半導体ウェハ４に貼り合わせる為の位置識別用のマーキング５…とを有する構成である。
前記支持基材１は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０の強度母体となるものである。支持基材１の材料としては、例えば低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などが挙げられる。又、前記樹脂の架橋体などのポリマーも挙げられる。
又、支持基材１としては、無延伸のものを用いてもよい。更に、適宜必要に応じて一軸又は二軸延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートからなる支持基材１であると、ダイシング後にその支持基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイ接着用接着剤層３との接着面積を低下させて、チップ回収の容易化が図れる。
支持基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高めるため、慣用の表面処理を行ってもよい。その方法としては、例えばクロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理等が挙げられる。
前記支持基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができる。又、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。更に、支持基材１には、帯電防止能を付与するため、上記の支持基材１上に金属、合金又はこれらの酸化物などからなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることもできる。又、支持基材１は、単層又は前記樹脂のフィルム等を２層以上に複層化した積層フィルムであってもよい。尚、粘着剤層２が放射線硬化型の場合にはＸ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いる。
支持基材１の厚さは、例えば５〜２００μｍ程度であり、前記熱収縮によってダイ接着用接着剤層３による張力に耐えられる厚さで有れば、特に制限されるものではない。
前記粘着剤層２は、前記支持基材１上に設けられている。前記粘着剤層２の形成に用いる粘着剤は特に制限されるものではない。例えば、例えばゴム系、アクリル系、シリコーン系．ポリビニルエーテル系等の各種の一般的な感圧性粘着剤や放射線硬化型粘着剤等を採用できる。
前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどがあげられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
又、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
前記放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができ、具体的には、例えば前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤等を採用できる。
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。又放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
又、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に限定されず、様々な方法を採用できる。炭素−炭素二重結合は、ポリマー側鎖に導入する方が、分子設計上容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応し得る官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。又、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。又、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。
前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。
また、粘着剤層２中には、放射線照射により着色する化合物が含有されている。所定のパターン形状を有するフォトマスク１３を介して、粘着剤層２に放射線照射することにより、粘着剤層２の所定領域にだけ照射する。これにより、照射された領域だけを着色し、当該フォトマスク１３のパターン形状に対応して自己整合的にマーキング５ａを形成することができる（図５参照）。ダイ接着剤層３の位置の識別は、前記マーキング５ａを光センサー等により認識・検出して行う。
放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としては、ロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノー６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４′，４′′−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４′，４′′−トリスジメチルアミノトリフェニルメタンなどが挙げられる。
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土などの電子受容体があげられ、更に、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。
このような放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒などに溶解された後に接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層２中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまうため、粘着剤層２の硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。
粘着剤層２の厚さは特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性などの点より、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。
前記ダイ接着用接着剤層３は、粘着剤層２上の、円形状の半導体ウェハ４に貼り合わされる領域に設けられている。当該ダイ接着用接着剤層３は、半導体ウェハ４をチップ状にダイシングする際にチップ（切断片）が飛散するのを防止するため、半導体ウェハ４を貼着して固定するものである。ダイ接着用接着剤層３は、これに圧着される半導体ウェハ４をチップ状にダイシングする際に、チップ（切断片）をダイ接着用接着剤層３に密着させて飛散するのを防止する機能を有する。更に、チップをマウントする際には、チップを半導体素子（基板、チップ等）に固定する接着剤層としての機能を有する。特に、ダイ接着用接着剤層３としては、半導体ウェハのダイシングの際に切断片を飛散させない接着性を有していることが重要である。ダイシング・ダイボンドフィルム１０では、ダイ接着用接着剤層３は、予め形成された半導体ウェハ４の貼り付け部分として設けられる。
ダイ接着用接着剤層３は、通常のダイ接着剤により形成することができる。ダイ接着剤としては、シート状にできるものが好ましい。具体的なダイ接着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂からなるダイ接着剤を好適に用いることができる。ダイ接着剤は単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。又、ダイ接着用接着剤層３は、７０℃以下で半導体ウェハ４に粘着可能なものが好ましく、更には常温で粘着可能なものがより好ましい。
ダイ接着剤として用いられる熱可塑性樹脂（熱可塑性ダイ接着剤）としては、例えば、飽和ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリウレタン系樹脂、アミド系樹脂（ナイロン系樹脂）、イミド系樹脂などが挙げられる。又、熱硬化性樹脂（熱硬化性ダイ接着剤）としては、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、脱溶媒化し、シート化、Ｂステージ化（一時硬化）した熱硬化性樹脂が好適である。なお、これらの熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物もＢステージ化された状態で使用できる。また本発明では、ガラス転移温度が高いシリコーン系、ゴム系、ウレタン系、イミド系、アクリル系などの樹脂をダイ接着剤として使用することもできる。
ダイ接着用接着剤層３は、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造を有してもよい。なお、半導体ウェハ４のダイシング工程では切削水を使用することから、ダイ接着用接着剤層３が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。このような高含水率のまま、基板などに接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイ接着用接着剤層３としては、透湿性の高いフィルムをダイ接着剤で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気をフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。従って、ダイ接着用接着剤層３は、接着剤層、フィルム、接着剤層の順で積層された多層構造からなってもよい。
ダイ接着用接着剤層３の厚さは特に限定されないが、例えば５〜１００μｍ程度であることが好ましく、１０〜５０μｍ程度であることがより好ましい。
尚、ダイ接着用接着剤層３は、セパレータにより保護されていてもよい（図示せず）。即ち、セパレータは任意に設けることができる。セパレータは、実用に供するまでダイ接着用接着剤層３を保護する保護材としての機能を有している。なお、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイ接着用接着剤層３を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイ接着用接着剤層３上に半導体ウェハを貼着する際に剥がされる。当該セパレータとしては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などがあげられる。
前記マーキング５…は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０上に半導体ウェハ４を貼着させる際に、その貼着位置を決定する為の位置識別用のものである。本実施の形態に於いては、マーキング５…は、粘着剤層２の所定領域だけを着色したものである。マーキング５…の形成位置は、粘着剤層２及びダイ接着用接着剤層３を除く支持基材１上に設けられる。これにより、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に半導体ウェハ４を貼着する際に、その位置ズレの発生を防止し、歩留まりの向上が図れる。本実施の形態に於いては、マーキング５…は、マーキング５ａ…（例えば、５ｍｍ×１０ｍｍ）と、マーキング５ｂ（例えば、５ｍｍ×２０ｍｍ）とからなる。マーキング５ａは、平面形状が円形のダイ接着用接着剤層３（直径２１０ｍｍ）の中心点を通るＡ−Ａ線上に設けられている。マーキング５ｂは、同図（ａ）に示すダイ接着用接着剤層３の下方側に設けられている。マーキング５ａ又はマーキング５ｂと、ダイ接着用接着剤層３との最短の離間距離は、それぞれ３５ｍｍと１０ｍｍである。ここで、マーキング５…は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０がマウントフレーム（図示しない）に貼り付けられない位置に設けられているのが好ましい。マウントフレームは一般に不透明なので、当該マウントフレームの貼着位置にマーキング５…が設けられると、その位置の検出が困難となるからである。又、マウント工程に於いて使用するマウントフレームの作製後にもダイシング・ダイボンドフィルム１０が残存している位置に設けられているのが好ましい。尚、マーキング５…の平面形状は特に限定されるものではない。又、その大きさも位置識別が可能な範囲内であれば特に限定されるものではなく、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で適宜設計変更が可能な要素を含むものである。
マーキング５…の位置識別は、従来公知の方法によりマーキング５…を検出して行う。具体的には、透過型、反射型、色判別型又は厚さ検出型の各種センサーにより、当該マーキング５…を認知・検出する方法や、ＣＣＤカメラ等による画像認識手段を用いることができる。これらの方法によりマーキング５…の位置を認識し、その位置情報と予め定めておいた基準座標とを比較した結果、位置ズレが検出された場合には、その位置ズレを補正すべく、ダイシング・ダイボンドフィルム１０の位置制御を行う。位置制御は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０の送り出しと巻き戻しが自在に可能な適宜の手段により、微調整して行う。
尚、前記マウントフレームは、例えば金属製又はプラスチック製の成形体からなる。前記マウントフレームの開口部は、ダイシングする半導体ウェハ４よりも大きく、その形状は特に限定されるものではない。
次に、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法について説明する。
先ず、ダイ接着用接着剤の組成物を調製した後、混合溶液を作製する。この混合溶液を、例えば、ポリエステルフィルム等のセパレータ上に塗布する。次いで、上記混合溶液を塗布したセパレータを所定の温度で乾燥させ、上記セパレータ上にダイ接着用接着剤層３を形成する。
一方、支持基材１上には粘着剤溶液を直接塗布した後、乾燥させて粘着剤層２を形成する。次いで、粘着剤層２にダイ接着用接着剤層３を転写し、半導体ウェハ４を貼着する領域にのみダイ接着用接着剤層３を形成する。
次に、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０を用いた半導体チップの固定方法について説明する。
本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイ接着用接着剤層３上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、以下のように使用される。すなわち、ダイシング・ダイボンドフィルム１０のダイ接着用接着剤層３上に、半導体ウェハとしての半導体ウェハ４を圧着し、ダイ接着用接着剤層３上に、半導体ウェハ４を接着保持させて固定する。圧着は常法により行われる。次いで、半導体ウェハ４をチップ状にダイシングする。ダイシングは回転丸刃などによる適宜の手段で行い、ダイ接着用接着剤層３も含めて半導体ウェハ４を半導体チップにする。
次いで半導体チップをダイ接着用接着剤層３とともに粘着剤層２から剥離する。ピックアップした半導体チップはダイ接着用接着剤層３を介して、被着体である半導体素子に接着固定する。半導体素子としては、リードドフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製したチップ状ワークなどがあげられる。被着体は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウエハなど）であってもよい。被着体は、半導体ウェハが好適である。ダイ接着用接着剤層３が熱硬化型の場合には、加熱硬化により、半導体ウェハを被着体に接着固定し、耐熱強度を向上させる。尚、ダイ接着用接着剤層３を介して半導体チップが基板などに接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。
尚、本実施の形態に於いては、前記粘着剤層２として、ダイ接着用接着剤層３との剥離性が、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する界面（Ａ）とそれ以外の部分３ｂに対応する界面（Ｂ）で、界面（Ａ）の剥離力＞界面（Ｂ）の剥離力、の関係となるように、それぞれの部分２ａ、２ｂが設計された構成とすることも可能である（図２参照）。粘着剤層２ａはダイ接着用接着剤層３上の半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応し、粘着剤層２ｂはそれ以外の部分３ｂに対応する。
又、マウントフレーム貼り付け部分３ｂ’と、これに対応して形成された粘着剤層２ｂ’の界面（Ｂ′）の剥離力が、界面（Ａ）の剥離力＞界面（Ｂ’）の剥離力、の関係となるように設計された構成としてもよい（図３参照）。図２に示す粘着剤層２に於いては、粘着剤層２ａ以外の全部が粘着剤層２ｂとなっているが、図３に示す場合に於いては、粘着剤層２ａ以外の一部を粘着剤層２ｂとすることもできる。
更に、前記粘着剤層２は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分２ａとそれ以外の部分２ｂでの粘着力が、粘着剤層２ａの粘着力＜粘着剤層２ｂの粘着力、の関係となるように、それぞれの部分２ａ、２ｂが設計された構成としてもよい（図４参照）。
前記図２〜図４に示す粘着剤層２の形成に用いる粘着剤は特に制限されないが、粘着剤層２ａ、２ｂに粘着力の差を設けやすい放射線硬化型粘着剤が好適である。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。したがって、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに合わせて、放射線硬化型粘着剤層を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した粘着剤層２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した粘着剤層２ａに接着剤層３又は３ａが貼り付けられるため、粘着剤層２ａと接着剤層３ａとの界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、粘着剤層２ｂを形成する。
図２及び図３に示すダイシング・ダイボンドフィルム６・７では、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている粘着剤層２ｂは接着剤層３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。このように放射線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板やチップ状ワークなどの被着体（半導体素子という）に固着するためのダイ接着用接着剤層３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図４に示すダイシング・ダイボンドフィルム８では、粘着剤層２ｂはウェハリング等を固定することができる。
粘着剤層２は、粘着剤層２ａの粘着力＜粘着剤層２ｂの粘着力、となるように設ける。図２及び図３に示すダイシング・ダイボンドフィルム６・７では、ダイ接着用接着剤層３に対する粘着力が、界面（Ａ）の剥離性が、前記界面（Ｂ）の剥離性よりも大きくなるようにする。図４に示すダイシング・ダイボンドフィルム８では、たとえば、被着体としてＳＵＳ３０４板（＃２０００研磨）に対する関係で、粘着剤層２ａの粘着力＜粘着剤層２ｂの粘着力、となるようにする。
粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１に放射線硬化型粘着剤層２を形成した後、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分に、部分的に放射線を照射し硬化させて、粘着剤層２ａを形成する方法があげられる。部分的な放射線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。又、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法などがあげられる。放射線硬化型粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型粘着剤層２に行うこともできる。
又、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部または一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、半導体ウェハ貼り付け部３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた粘着剤層２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着などで作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを製造可能である。
なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、上記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法などがあげられる。
図２及び図３に示すダイシング・ダイボンドフィルム６・７において、粘着剤層２のダイ接着用接着剤層３に対する粘着力は、粘着剤層２ａの粘着力＜粘着剤層２ｂの粘着力、となるように設計されている。常温（２３℃）での粘着力（９０度ピール値、剥離速度３００ｍｍ／分）に基づいて、粘着剤層２ａの粘着力は、ウェハの固定保持力や形成したチップの回収性などの点より０．５Ｎ／２０ｍｍ以下、更には０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍ、特に０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。一方、粘着剤層２ｂの粘着力は、０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍ程度であるのが好ましい。粘着剤層２ａが低いピール粘着力であっても、粘着剤層２ｂの粘着力によりチップ飛びなどの発生を抑え、ウェハ加工に充分な保持力を発揮させることができる。
図４に示すダイシング・ダイボンドフィルム８において、粘着剤層２における、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分２ａとそれ以外の部分２ｂは、粘着剤層２ａの粘着力＜粘着剤層２ｂの粘着力、に設計されている。半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対する粘着剤層２ａの粘着力（前記同条件）は、上記同様、０．５Ｎ／２０ｍｍ以下、更には０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍ、特に０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。
又、図２〜図４に示すダイシング・ダイボンドフィルム６〜８において、半導体ウェハ貼り付け部分３ａの、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層２ａに対する粘着力が、半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層２ａに対する粘着力、となるように設計するのが好ましい。半導体ウェハに対する粘着力は、半導体ウェハの種類に応じて適宜に調整される。
半導体ウェハ貼り付け部分３ａの粘着剤層２ａに対する粘着力（前記同条件）は、前述の通り、０．５Ｎ／２０ｍｍ以下、更には０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍ、特に０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。一方、半導体ウェハ貼り付け部分３ａの半導体ウェハに対する粘着力（前記同条件）は、ダイシング時、ピックアップ時、ダイボンド時の信頼性、ピックアップ性の点から１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ以下、更には１０〜３０ Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。
図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム６において、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂをマウントフレーム貼り付け部分３ｂ’とする場合には、ダイ接着用接着剤層３のマウントフレーム貼り付け部分３ｂ’における、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層２ｂ’に対する粘着力が、マウントフレームに対する粘着力＜粘着剤層２ｂ’に対する粘着力、となるように設計するのが好ましい。マウントフレームに対する粘着力は、マウントフレームの種類に応じて適宜に調整される。
ダイ接着用接着剤層３の粘着剤層２ｂ’に対する粘着力（前記同条件）は、前述の通り、０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍ程度であるのが好ましい。一方、ダイ接着用接着剤層３のマウントフレームに対する粘着力（前記同条件）は、ダイシング及びダイボンド時の作業性の点から０．３〜５Ｎ／２０ｍｍ以下、更には０．５〜５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。
又、ダイシング・ダイボンドフィルムは、その接着時や剥離時等における静電気の発生やそれによる半導体ウエハの帯電で回路が破壊されることなどを防止する目的で帯電防止能を持たせることができる。帯電防止能の付与は、支持基材１、粘着剤層２乃至接着剤層３へ帯電防止剤や導電性物質の添加する方法、支持基材１への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設など、適宜な方式で行うことができる。これら方式は半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上などを目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金などの球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナなどの金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイトなどがあげられる。
本発明の実施の形態１に係るダイシング・ダイボンドフィルムの概略構成を示す図であって、図１（ａ）は前記ダイシング・ダイボンドフィルムの平面図であり、図１（ｂ）はＡ−Ａ線矢視断面図である。 本発明の実施の形態１に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムの概略構成を示す断面図の一例である。 本発明の実施の形態１に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムの概略構成を示す断面図の一例である。 本発明の実施の形態１に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムの概略構成を示す断面図の一例である。 本発明の実施の形態１に係るダイシング・ダイボンドフィルムの概略構成を示す断面図である。
符号の説明
１ 支持基材
２ 粘着剤層
３ ダイ接着用接着剤層
４ 半導体ウェハ
５ マーキング
６〜８、１０ ダイシング・ダイボンドフィルム
１３ フォトマスク
Ｗ 半導体ウェハ
ＷＲ ウェハリング

Claims (5)

  1. 支持基材（１）上に、粘着剤層（２）及びダイ接着用接着剤層（３）が順次積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、
    前記粘着剤層（２）は放射線硬化型粘着剤層であり、放射線照射により着色する化合物を０．０１〜１０重量％含有しており、
    前記粘着剤層（２）は、ダイ接着用接着剤層（３）上の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）が放射線照射され、かつ、半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）の粘着力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であり、それ以外の部分（２ｂ）の粘着力が０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍであり、
    粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、
    を満足し、
    前記ダイ接着用接着剤層（３）の位置を識別する為のマーキングが、粘着剤層（２）に於ける半導体ウェハ及びマウントフレームが貼り付けられない位置に対する放射線照射により着色された複数の領域であることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。
  2. 前記ダイ接着用接着剤層（３）の半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）における、半導体ウェハに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が、
    半導体ウェハに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、
    を満足し、
    前記半導体ウェハに対する粘着力は１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ以下であり、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力は０．５Ｎ／２０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
  3. 前記半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）の一部が、マウントフレーム貼り付け部分（３ｂ′）であることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
  4. 前記ダイ接着用接着剤層（３）は、粘着剤層（２）の一部に半導体ウェハ貼り付け部分（３ａ）として設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
  5. 前記請求項１〜４の何れか１項に記載のダイシング・ダイボンドフィルムのダイ接着用接着剤層（３）上に半導体ウェハを圧着する工程であって、前記マーキングを識別してダイ接着用接着剤層（３）の位置情報を検出し、当該位置情報に基づいてダイ接着用接着剤層（３）と半導体ウェハとの間に位置ズレが存在する場合は、位置ズレの補正を行って、前記ダイ接着用接着剤層（３）と半導体ウェハとを圧着する工程と、
    前記半導体ウェハをチップ状にダイシングする工程と、
    半導体チップをダイ接着用接着剤層（３）とともに粘着剤層（２）から剥離する工程と、
    前記ダイ接着用接着剤層（３）を介して、半導体チップを半導体素子に接着固定する工程と、を有することを特徴とする半導体チップの固定方法。
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