JPS62216244A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62216244A JPS62216244A JP61058712A JP5871286A JPS62216244A JP S62216244 A JPS62216244 A JP S62216244A JP 61058712 A JP61058712 A JP 61058712A JP 5871286 A JP5871286 A JP 5871286A JP S62216244 A JPS62216244 A JP S62216244A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ｆｌｌ！要）
本発明は、半導体装置の製造方法において、紫外線を紫
外線硬化型テープのうち半導体ウェハがＷｃＷされてい
る部分に限定して照射し、分割されＩＣチップが並びを
乱されずに剥離し易い状態どなるようにしたものである
。
外線硬化型テープのうち半導体ウェハがＷｃＷされてい
る部分に限定して照射し、分割されＩＣチップが並びを
乱されずに剥離し易い状態どなるようにしたものである
。
〔産１−ｔ−の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法、特に半導体つ」−ハを
分割してなるチップを剥離１ノ易く、する方法に関する
。
分割してなるチップを剥離１ノ易く、する方法に関する
。
半導体装置は、半導体ウェハをスクライブして複数のチ
ップに分割し、各チップをピックアップし、パッケージ
に組み込み、ワイヤボンディングし、樹脂により封止す
ることにより製造される。
ップに分割し、各チップをピックアップし、パッケージ
に組み込み、ワイヤボンディングし、樹脂により封止す
ることにより製造される。
チップのピックアップは、Ｗ＆識装置によりピックアッ
プしようとする半導体チップの位路をＡ３ｍして、ピッ
クアップ装置により行なっている。
プしようとする半導体チップの位路をＡ３ｍして、ピッ
クアップ装置により行なっている。
近年、上記の製造方法に、紫外線硬化型テープ（ポリプ
ロピレン等のベース上に紫外線を照射されると硬化する
接着剤層を有する構造であり、以下ＵＶテープという）
が利用されてきている。
ロピレン等のベース上に紫外線を照射されると硬化する
接着剤層を有する構造であり、以下ＵＶテープという）
が利用されてきている。
第４図（Ａ）、（Ｂ）中、１はＵＶテープであり、フレ
ーム２に張架しである。３は半導体つＴ八であり、（Ｊ
Ｖテープ２Ｌに接着固定しである。
ーム２に張架しである。３は半導体つＴ八であり、（Ｊ
Ｖテープ２Ｌに接着固定しである。
半導体つ■ハ３は、接着された状態でスクライブされ、
多数のデツプ４に分割される。
多数のデツプ４に分割される。
この後、第５図に示すように、紫外線照射装置５を使用
して、ＵＶテープ１のベース１ａ側に紫外線を照射する
。同図中、６は紫外線ランプ、７は反射鏡７である。紫
外線の照射により、接着剤層１ｂが硬化し、接着力が低
干し、チップ４は剥離し易くなり、ピックアップし易く
なる。
して、ＵＶテープ１のベース１ａ側に紫外線を照射する
。同図中、６は紫外線ランプ、７は反射鏡７である。紫
外線の照射により、接着剤層１ｂが硬化し、接着力が低
干し、チップ４は剥離し易くなり、ピックアップし易く
なる。
第５図に承り”ように、紫外線はＵ Ｖチー１１の全面
に照射されている。またベース１ａとしては、チップ４
のピックアップがし易いように延び易い軟質の材料、例
えばポリプロピレン又は塩化ビニール等が使用されてい
る。
に照射されている。またベース１ａとしては、チップ４
のピックアップがし易いように延び易い軟質の材料、例
えばポリプロピレン又は塩化ビニール等が使用されてい
る。
〔発明が解決し７ようと１−る問題点〕ポリプロピレン
又は塩化ビニール製のベース１ａは熱に弱く、５０℃〜
６０℃程度から収縮を起こＪ′にも拘らず、紫外線の照
射により約７０℃稈度にまで加熱されるため、上記の紫
外線の照射により収縮を起こすことは避けられない。し
かもＵ Ｖテープ１は、第６図（Ａ）、（ＩＩ）に示Ｊ
ように全面に百−）τ８？・示りＪ、うに収縮を一；１
こし、波をうつようにイＴす、チップ４がずれＩ、りし
くチップ４の並びがひどく乱れる。ごれ１．： 、１．
１’）、ピックアップ時のチップ４の位置の認識が困轢
とムることもあり、ピックアップが正常に行なわれなく
なったり、ピックアップ時にチップ４を傷付【ノたりす
るという問題があった。
又は塩化ビニール製のベース１ａは熱に弱く、５０℃〜
６０℃程度から収縮を起こＪ′にも拘らず、紫外線の照
射により約７０℃稈度にまで加熱されるため、上記の紫
外線の照射により収縮を起こすことは避けられない。し
かもＵ Ｖテープ１は、第６図（Ａ）、（ＩＩ）に示Ｊ
ように全面に百−）τ８？・示りＪ、うに収縮を一；１
こし、波をうつようにイＴす、チップ４がずれＩ、りし
くチップ４の並びがひどく乱れる。ごれ１．： 、１．
１’）、ピックアップ時のチップ４の位置の認識が困轢
とムることもあり、ピックアップが正常に行なわれなく
なったり、ピックアップ時にチップ４を傷付【ノたりす
るという問題があった。
本発明は、フレームに張架された紫外線硬化型テープ上
に接着された半導体つ］−ハをスクライブして複数のチ
ップに分割し、Ｌ記テープに紫外線を照射し接着力を低
下させ、上記チップを上記テープより剥離し易くり−る
半導体装置の製ｊ告方法において、 上記紫外線を」−起生導体つエバの部分に限定して照射
するようにしたものである。
に接着された半導体つ］−ハをスクライブして複数のチ
ップに分割し、Ｌ記テープに紫外線を照射し接着力を低
下させ、上記チップを上記テープより剥離し易くり−る
半導体装置の製ｊ告方法において、 上記紫外線を」−起生導体つエバの部分に限定して照射
するようにしたものである。
−，３−
〔作用〕
紫外線を」−記のにうに限定１ノで照射することにＪ：
す、チップを剥離し易くし口つチップの並びを乱さずチ
ップのピックアップ時のｉ！識もし易くなる。
す、チップを剥離し易くし口つチップの並びを乱さずチ
ップのピックアップ時のｉ！識もし易くなる。
第１図は本発明の一実施例に’Ｊる半導体装置の製造方
法の要部をなす紫外線照射Ｔ稈を説明する図である。同
図中、第５図に示す構成部分と同一部分には同一符号を
付し、その説明は省略する。
法の要部をなす紫外線照射Ｔ稈を説明する図である。同
図中、第５図に示す構成部分と同一部分には同一符号を
付し、その説明は省略する。
１０はフィルタであり、第２図に承りように、中央に半
導体ウェハ３に対応１ノだ形状の紫外線透過部１１を有
し、これ以外の部分は紫外線不透過部１２とされた構成
である。このフィルタ１０は、紫外線照１３１装置５と
ＵＶテープ１との間に、紫外線透過部１１か半導体ウェ
ハ３と一致するように位置決めされて配されている。
導体ウェハ３に対応１ノだ形状の紫外線透過部１１を有
し、これ以外の部分は紫外線不透過部１２とされた構成
である。このフィルタ１０は、紫外線照１３１装置５と
ＵＶテープ１との間に、紫外線透過部１１か半導体ウェ
ハ３と一致するように位置決めされて配されている。
紫外線ランプ６よりの紫外線のうら透過部１１を透過１
ノだ紫外線だけがＬＪ Ｖテープ１に到り、１、、Ｉ
Ｖチル１１は、半導体つ１ハ３が接着されている部分だ
りが紫外線により照射され、これ以外の部分は照射され
ない。
ノだ紫外線だけがＬＪ Ｖテープ１に到り、１、、Ｉ
Ｖチル１１は、半導体つ１ハ３が接着されている部分だ
りが紫外線により照射され、これ以外の部分は照射され
ない。
これにＪ：す、接着剤層１ｂのうら半導体ウコＴ、／Ｓ
３を接着している部分が硬化し、チップ４に対する接着
力が低下し、チップ４は剥離し易＜＜’にる。
３を接着している部分が硬化し、チップ４に対する接着
力が低下し、チップ４は剥離し易＜＜’にる。
一方、ベース１ａについてみると半導体ウェハ３が接着
されている中央部分だけが加熱されるため、ベース１ａ
は、第３図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、周囲の部分は
収縮を全く起こさず、収縮は中央部分だ（プで限定的に
起こる。１３は収縮した部分を示す。このように、ベー
ス１ａのうち半導体つＬハ３の周辺部は収縮がｔｌいの
で、第３図（Ａ）、（Ｂ）に示ずＪ：うに、チップ４の
ずれは小さく、チップ４の並びの乱れの程度は小さい。
されている中央部分だけが加熱されるため、ベース１ａ
は、第３図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、周囲の部分は
収縮を全く起こさず、収縮は中央部分だ（プで限定的に
起こる。１３は収縮した部分を示す。このように、ベー
ス１ａのうち半導体つＬハ３の周辺部は収縮がｔｌいの
で、第３図（Ａ）、（Ｂ）に示ずＪ：うに、チップ４の
ずれは小さく、チップ４の並びの乱れの程度は小さい。
従って、ピックアップ時のチップ４の位置の認識は良好
に行なわれ、チップ４は良好にピックアップされ、パッ
ケージに固定される。またピックアップ時にチップ４を
傷付ける虞れも無い。
に行なわれ、チップ４は良好にピックアップされ、パッ
ケージに固定される。またピックアップ時にチップ４を
傷付ける虞れも無い。
ｒ発明の効果〕
本発明によれば、収縮の発生は紫外線硬化型テープのう
ちスクライブされた半導体ウェハが接着されている部分
に限定されるため、チップは並びの乱れの程度が小ざい
状態、即ちピックアップの際の認識がし易い状態で、し
かも剥離し易い状態とし得、然してピックアップの際に
チップを傷イ」Ｉｌる虞れがなく、良好な品質の半導体
装置を得ることが出来る。
ちスクライブされた半導体ウェハが接着されている部分
に限定されるため、チップは並びの乱れの程度が小ざい
状態、即ちピックアップの際の認識がし易い状態で、し
かも剥離し易い状態とし得、然してピックアップの際に
チップを傷イ」Ｉｌる虞れがなく、良好な品質の半導体
装置を得ることが出来る。
第１図は本発明の一実施例になる半導体装ｒの１１ｔＲ
造方法のうちチップの剥離を容易化するための紫外線照
射の状態を示す図、 第２図は第１図中フィルタの平面図、 第３図（Ａ）、（Ｂ）は夫々紫外線照射後のチップの並
び状態を承り図、 第４図（Ａ）、（Ｂ）は夫々半導体ウェハをスクライブ
した状態を示す図、 第５図は従来の半導体装置のＶＪ造方法にお（Ｊる紫外
線照射の状態を示す図、 第６図（△＞、（Ｂ）は夫々第５図に承りように紫外線
を照射した後のチップの並び状態を示す図である。 第１図乃至第３図（Ａ）、（Ｂ）中、 １はＵ Ｖテープ、 １ａはベース、 １ｂは接着剤層、 ２はフレーム、 ３は半導体ウェハ、 ４はチップ、 ５は紫外線照射装置、 ６は紫外線ランプ、 １０はフィルタ、 １１は紫外線透過部、 １２は紫外線不透過部、 １３は収縮した部分である。 メー′・４、 仁、゛ 代理人 弁理士 井 桁 山 Ｌ ６、。 ・し′ （Ａ） 第３図 イ々ミ来グー塾む昂ヒプｎ−ミ夏；為けう１でタト京卆
Ｊ式シー中〇士（−１之示１１日第５図 （Ａ） （Ａ） 手層材トウエ１７ｒス２う４フ゛した＊く恰、【１鵞す
図第４図
造方法のうちチップの剥離を容易化するための紫外線照
射の状態を示す図、 第２図は第１図中フィルタの平面図、 第３図（Ａ）、（Ｂ）は夫々紫外線照射後のチップの並
び状態を承り図、 第４図（Ａ）、（Ｂ）は夫々半導体ウェハをスクライブ
した状態を示す図、 第５図は従来の半導体装置のＶＪ造方法にお（Ｊる紫外
線照射の状態を示す図、 第６図（△＞、（Ｂ）は夫々第５図に承りように紫外線
を照射した後のチップの並び状態を示す図である。 第１図乃至第３図（Ａ）、（Ｂ）中、 １はＵ Ｖテープ、 １ａはベース、 １ｂは接着剤層、 ２はフレーム、 ３は半導体ウェハ、 ４はチップ、 ５は紫外線照射装置、 ６は紫外線ランプ、 １０はフィルタ、 １１は紫外線透過部、 １２は紫外線不透過部、 １３は収縮した部分である。 メー′・４、 仁、゛ 代理人 弁理士 井 桁 山 Ｌ ６、。 ・し′ （Ａ） 第３図 イ々ミ来グー塾む昂ヒプｎ−ミ夏；為けう１でタト京卆
Ｊ式シー中〇士（−１之示１１日第５図 （Ａ） （Ａ） 手層材トウエ１７ｒス２う４フ゛した＊く恰、【１鵞す
図第４図
Claims (1)
- フレーム（２）に張架された紫外線硬化型テープ（１）
上に接着された半導体ウェハ（３）をスクライブして複
数のチップ（４）に分割し、上記テープに紫外線を照射
し接着力を低下させ、上記チップを上記テープより剥離
し易くする半導体装置の製造方法において、上記紫外線
を上記半導体ウェハの部分に限定して照射するようにし
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058712A JPS62216244A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058712A JPS62216244A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216244A true JPS62216244A (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=13092105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61058712A Pending JPS62216244A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216244A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461208A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Fsk Kk | Cutting method of wafer |
| JPH03167839A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Nec Kansai Ltd | ダイシング方法 |
| JP2005039088A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 切削方法、切削装置及び半導体装置の製造方法 |
| EP1548821A2 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-29 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5921038A (ja) * | 1982-07-27 | 1984-02-02 | Nec Home Electronics Ltd | ペレツト剥離方法 |
-
1986
- 1986-03-17 JP JP61058712A patent/JPS62216244A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5921038A (ja) * | 1982-07-27 | 1984-02-02 | Nec Home Electronics Ltd | ペレツト剥離方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461208A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Fsk Kk | Cutting method of wafer |
| JPH057168B2 (ja) * | 1987-09-01 | 1993-01-28 | Rintetsuku Kk | |
| JPH03167839A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Nec Kansai Ltd | ダイシング方法 |
| JP2005039088A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 切削方法、切削装置及び半導体装置の製造方法 |
| EP1548821A2 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-29 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| EP1548821A3 (en) * | 2003-12-26 | 2013-03-20 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
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