JPH07263382A - ウェーハ固定用テープ - Google Patents

ウェーハ固定用テープ

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JPH07263382A
JPH07263382A JP5357294A JP5357294A JPH07263382A JP H07263382 A JPH07263382 A JP H07263382A JP 5357294 A JP5357294 A JP 5357294A JP 5357294 A JP5357294 A JP 5357294A JP H07263382 A JPH07263382 A JP H07263382A
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adhesive
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田 ▲吉▼ 昭 本
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ダイシング工程を確実に行うことができるとと
もに、接着用ペーストを用いずに、直接、半導体チップ
の実装部品に接着、固定することができるため、接着用
ペーストのチップ表面への廻り込みまたはチップの傾き
を防止することができるウェーハ固定用テープの提供。 【構成】紫外線透過性を有する基材テープと、該基材テ
ープ上に積層された紫外線硬化型接着剤からなる第１接
着剤層と、該第１接着剤層上に積層された加熱接着硬化
型接着剤からなる第２接着剤層とを有するウェーハ固定
用テープ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ固定用テープ
に関し、特に、ウェーハのダイシング工程およびダイボ
ンド工程に好適に使用できるウェーハ固定用テープに関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、拡散、
ホトエッチング等の各種の工程を経て、１枚のウェーハ
上に同一の半導体チップが規則的に多数個形成されたも
のが得られる。これらの半導体チップは、ウェーハから
各個に切断、分離され、それぞれリードフレーム、パッ
ケージ等の実装用部品に搭載される。
【０００３】この工程においては、ウェーハが半導体チ
ップ毎に正確に切断され、また、切断、分割された半導
体チップは、バラバラにならないように、ウェーハを切
断する前に、例えば、図４（Ａ）に示すように、ウェー
ハ２１をテープ２２に接着するとともに、テープ２２を
固定用フレーム２３に接着、固定される（テープマウン
ト工程）。
【０００４】次に、固定用フレームに固定されたウェー
ハ２１は、図４（Ｂ）に示すように、ダイヤモンドブレ
ード２４により、半導体チップを分画するスクライブ線
に沿って切断され、図４（Ｃ）に示すように、各半導体
チップ２５1 ，２５2 ，……に分割される（ダイシング
工程）。
【０００５】分割された半導体チップ２５は、図４
（Ｄ）に示すように、半導体チップを接着させるための
接着用ペースト２６を所定個所に塗布したリードフレー
ム２７に載置される（ダイボンド工程）。次に、加熱し
て、接着用ペースト２６を硬化させて半導体チップ２５
をリードフレーム２７に接着させるダイキュア工程が行
われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のウ
ェーハ固定用テープを用いた工程では、ダイシング工程
によって分離された半導体チップを、リードフレーム、
パッケージ等の実装用部品に搭載する際に、実装用部品
の所定の個所に予め接着用ペーストを塗布しておき、こ
の接着用ペーストを塗布しておいた所にチップを載置
し、接着用ペーストを硬化させて接着が行われる。しか
し、接着用ペーストは、チップを完全に接着させるため
に、チップ全体に行き廻るようにしなければならず、チ
ップが傾かないないように均一に塗布する必要がある。
また、接着用ペーストの塗布量が多いと、接着用ペース
トがチップ表面にまで廻り込み、不具合の発生の原因と
なる、という問題があった。
【０００７】そこで本発明の目的は、ダイシング工程を
確実に行うことができるとともに、接着用ペーストを用
いずに、直接、半導体チップの実装部品に接着、固定す
ることができるため、接着用ペーストのチップ表面への
廻り込みまたはチップの傾きを防止することができるウ
ェーハ固定用テープを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、紫外線透過性を有する基材テープと、該
基材テープ上に積層された紫外線硬化型接着剤からなる
第１接着剤層と、該第１接着剤層上に積層された加熱接
着硬化型接着剤からなる第２接着剤層とを有するウェー
ハ固定用テープを提供するものである。
【０００９】以下、本発明のウェーハ固定用テープ（以
下、「本発明のテープ」という）について詳細に説明す
る。
【００１０】本発明のテープは、基材テープと、該基材
テープ上に積層された第１接着剤層と、第１接着剤層の
上に積層された第２接着剤層とを有するものである。
【００１１】本発明において、基材テープは、紫外線透
過性を有し、かつ所要の強度を有するものであれば、い
ずれのものでもよく、この種の基材テープに常用される
ものでよい。例えば、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエステル等からなる紫外線が透過可能な樹脂か
らなるテープが挙げられる。
【００１２】この基材テープの厚さは、通常、５０〜２
００μｍ程度であり、ラミネート作業性およびエキスパ
ンド性が良好である点で、８０〜１２０μｍ程度である
のが、好ましい。
【００１３】基材テープ上に積層される第１接着剤層
は、基材テープを透過して照射される紫外線によって硬
化して接着力を失い、第２接着剤層と剥離可能となる紫
外線硬化型接着剤で形成されるものである。この紫外線
硬化型接着剤は、紫外線を照射されると硬化して接着力
を失う性質を有する接着剤であり、例えば、ＰＭＭＡ等
のアクリル系樹脂を主成分とする接着剤が挙げられる。
【００１４】この第１接着剤層は、通常、基材テープ上
に５〜２０μｍ程度の厚さ、好ましくは８〜１２μｍ程
度の厚さに形成される。
【００１５】また、第２接着剤層は、第１接着剤層の上
に形成され、加熱により硬化して接着力を発揮する加熱
接着硬化型接着剤からなる層である。この第２接着剤層
は、紫外線を照射されて硬化した第１接着剤層から剥離
され、ウェーハから切り出された半導体チップととも
に、半導体チップの底部に接着されたまま、リードフレ
ーム、セラミックパッケージ等の半導体チップ実装部品
上に移送され、リードフレーム等の半導体チップ実装用
部品のチップ搭載部に半導体チップを載置した後、加熱
によって硬化させ、半導体チップと実装用部品のチップ
搭載部に接着して固定するためのものである。
【００１６】第２接着剤層の主成分である加熱接着硬化
型接着剤としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミ
ド系樹脂等を主成分とする接着剤が挙げられる。
【００１７】さらに、この第２接着剤層は、半導体チッ
プと実装用部品との電気的導電性および熱放散性を向上
させるために、導電性充填材を含有していると、好まし
い。
【００１８】用いられる導電性充填材としては、例え
ば、銀、金、銅、ニッケル、銀−パラジウム、金−パラ
ジウム等の導電性微粉末などが挙げられる。この導電性
微粉末は、無定形、球、フィラー等のいずれの形状のも
のでもよい。
【００１９】この第２接着剤層は、通常、第１接着剤層
の上に２０〜８０μｍ程度の厚さ、好ましくは４０〜５
０μｍ程度の厚さに形成される。
【００２０】本発明のテープの製造は、基材テープ上に
第１接着剤層を形成する紫外線硬化型接着剤を所定の厚
さに塗布して第１接着剤層を形成した後、第１接着剤層
の上に第２接着剤層を形成する加熱接着硬化型接着剤を
所定の厚さに塗布して第２接着剤層を形成する方法、あ
るいはウェーハを載置させる部分に加熱接着硬化型接着
剤を所定の厚さに塗布する方法等の方法にしたがって行
うことができる。
【００２１】以下、本発明のテープを用いて、ウェーハ
のダイシング工程およびリードフレームへの半導体チッ
プの実装を行う方法を、図１、図２（Ａ）〜（Ｅ）およ
び図３に基づいて、詳細に説明する。
【００２２】図１に示すとおり、本発明のウェーハ固定
用テープ１は、基材テープ２と、該基材テープ２上に積
層された第１接着剤層３と、該第１接着剤層３の上に積
層された第２接着剤層４とから基本的に構成されるもの
である。
【００２３】ウェーハのダイシング工程においては、図
２（Ａ）および（Ｂ）に示すとおり、ウェーハ固定用テ
ープ１の第２接着剤層４上にウェーハ５を載置し、第２
接着剤層４とウェーハ５とを接着させてウェーハ５が固
定される。また、ウェーハ固定用テープ１の外縁部は、
円環状のフレーム６に第２接着剤層４によって接着・固
定される。
【００２４】このウェーハ固定用テープ１へのウェーハ
５の接着は、例えば、図２（Ｃ）に示すとおり、ロール
７によって連続的に給送されるウェーハ固定用テープ１
に、ウェーハ５を半導体チップが形成された面を下にし
て供給し、ウェーハ固定用テープ１の第２接着剤層４に
ウェーハ５を接着させることによって行うことができ
る。また、フレーム６は、ウェーハ固定用テープ１へウ
ェーハ５を接着させた後、行うことができる。
【００２５】次に、高速回転する薄いダイヤモンドソー
（ブレード）（図示せず）によって、ウェーハ５上に形
成された多数の半導体チップを分画するスクライブ線に
沿って、図２（Ｄ）に示すとおり、第１接着剤層３に届
くまで切れ目８1 ，８2 ……を入れ、それぞれの半導体
チップ９に分割する。
【００２６】次に、基材テープ２の第１接着剤層３の反
対側に配置した水銀ランプ（図示せず）から、基材テー
プ２を透過して第１接着剤層３に紫外線を照射して、第
１接着剤層３を構成する紫外線硬化型接着剤を硬化さ
せ、その接着力を低下させる。
【００２７】このように、接着力が低下した第１接着剤
層３から、図２（Ｅ）に示すとおり、各個に分割された
半導体チップ９を、第２接着剤層４とともに切り離す。
このとき、第１接着剤層３は、硬化して基材テープ２上
に残り、半導体チップ９の底面には、第２接着剤層４ａ
が付着したまま、リードフレームへの実装工程に供給さ
れる。
【００２８】次に、図３に示すとおり、半導体チップ９
を、リードフレーム１０の半導体チップのチップ搭載部
１１に所定の向きに載置した後、加熱して第２接着剤層
４を構成する加熱接着硬化型接着剤を硬化させて、半導
体チップ９がリードフレーム１０のチップ搭載部１１に
接着固定される。
【００２９】以上の本発明のテープを用いる工程におい
て、接着用ペーストを用いずに、半導体チップのウェー
ハからのダイシングおよびダイボンド工程を行うことが
でき、しかも、接着用ペーストのチップ表面への廻り込
みまたはチップの傾きを防止することができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明のウェーハ固定用テープは、ダイ
シング工程を確実に行うことができるとともに、接着用
ペーストを用いずに、直接、半導体チップの実装部品に
接着、固定することができるため、接着用ペーストのチ
ップ表面への廻り込みまたはチップの傾きを防止する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のウェーハ固定用テープの構造を説明
する模式断面図。
【図２】 本発明のウェーハ固定用テープを用いてウェ
ーハのダイシングを行う工程を説明する模式図。
【図３】 本発明のウェーハ固定用テープを用いてリー
ドフレームに半導体チップを搭載する工程を説明する模
式図。
【図４】 従来のウェーハ固定用テープを用いてウェー
ハのダイシングおよび半導体チップのボンディングを行
う工程を説明する図。
【符号の説明】
１ ウェーハ固定用テープ ２ 基材テープ ３ 第１接着剤層 ４，４ａ 第２接着剤層 ５ ウェーハ ６ フレーム ７ ロール ８1 ，８2 …… 切れ目 ９ 半導体チップ １０ リードフレーム ２１ ウェーハ ２２ テープ ２３ 固定用フレーム ２４ ダイヤモンドブレード ２５，２５1 ，２５2 ，…… 半導体チップ ２６ 接着用ペースト ２７ リードフレーム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】紫外線透過性を有する基材テープと、該基
    材テープ上に積層された紫外線硬化型接着剤からなる第
    １接着剤層と、該第１接着剤層上に積層された加熱接着
    硬化型接着剤からなる第２接着剤層とを有するウェーハ
    固定用テープ。
JP5357294A 1994-03-24 1994-03-24 ウェーハ固定用テープ Withdrawn JPH07263382A (ja)

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