JPH09283469A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH09283469A JPH09283469A JP9523496A JP9523496A JPH09283469A JP H09283469 A JPH09283469 A JP H09283469A JP 9523496 A JP9523496 A JP 9523496A JP 9523496 A JP9523496 A JP 9523496A JP H09283469 A JPH09283469 A JP H09283469A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エキスパンド時や組立工程上の振動等によっ
てダイシング済みの半導体ウェハーから半導体素子が脱
落する。 【解決手段】 接着シート３に貼り付けられたダイシン
グ後の半導体ウェハー１の裏面側から露光マスク６を用
いて、部分的に紫外線光５の照射を行なう。そのため、
個々の半導体素子４の裏面においては、接着シート３の
接着剤は紫外線硬化された部分と硬化されていない部分
とが存在することになる。半導体素子４裏面の未光硬化
の接着剤層の存在により、半導体素子４は接着シート３
に保持され、エキスパンド時や組立工程上の振動等によ
っても半導体素子４が接着シート３から脱落することを
防止できるものである。また未光硬化の接着剤層の領域
はダイボンド時の接着剤の領域と対応させるものであ
る。
てダイシング済みの半導体ウェハーから半導体素子が脱
落する。 【解決手段】 接着シート３に貼り付けられたダイシン
グ後の半導体ウェハー１の裏面側から露光マスク６を用
いて、部分的に紫外線光５の照射を行なう。そのため、
個々の半導体素子４の裏面においては、接着シート３の
接着剤は紫外線硬化された部分と硬化されていない部分
とが存在することになる。半導体素子４裏面の未光硬化
の接着剤層の存在により、半導体素子４は接着シート３
に保持され、エキスパンド時や組立工程上の振動等によ
っても半導体素子４が接着シート３から脱落することを
防止できるものである。また未光硬化の接着剤層の領域
はダイボンド時の接着剤の領域と対応させるものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特にダイシング工程からダイボンド工程ま
での生産性向上に対応できる工法に関するものである。
方法に関し、特にダイシング工程からダイボンド工程ま
での生産性向上に対応できる工法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造方法、特に組立
工程は、半導体素子がその面内に複数個形成された半導
体ウェハーを個々の半導体素子に分割するダイシング工
程と、分割された半導体素子をピックアップし、リード
フレーム等の支持基材に接着剤により接合するダイボン
ド工程と、半導体素子とリードフレームとを電気的に接
続するワイヤーボンド工程、外囲を樹脂で封止する樹脂
封止工程より構成されていた。
工程は、半導体素子がその面内に複数個形成された半導
体ウェハーを個々の半導体素子に分割するダイシング工
程と、分割された半導体素子をピックアップし、リード
フレーム等の支持基材に接着剤により接合するダイボン
ド工程と、半導体素子とリードフレームとを電気的に接
続するワイヤーボンド工程、外囲を樹脂で封止する樹脂
封止工程より構成されていた。
【０００３】ここで従来の半導体装置の製造方法のう
ち、ダイシング工程、ダイボンド工程について図面を参
照しながら説明する。図９〜図１２は従来の半導体装置
の製造方法を示す工程図である。
ち、ダイシング工程、ダイボンド工程について図面を参
照しながら説明する。図９〜図１２は従来の半導体装置
の製造方法を示す工程図である。
【０００４】図９に示すように、まず面内に半導体素子
が複数個形成された半導体ウェハー１をリング２で保持
された接着シート３上に貼り付ける。この接着シート３
上には、紫外線硬化型の接着剤が設けられているもので
あり、ダイシング時の半導体ウェハー１の剥がれや、ダ
イシングによって個々の半導体素子に分割した際に、半
導体素子の脱落を防止するものである。
が複数個形成された半導体ウェハー１をリング２で保持
された接着シート３上に貼り付ける。この接着シート３
上には、紫外線硬化型の接着剤が設けられているもので
あり、ダイシング時の半導体ウェハー１の剥がれや、ダ
イシングによって個々の半導体素子に分割した際に、半
導体素子の脱落を防止するものである。
【０００５】次に図１０に示すように、半導体ウェハー
１をダイシング装置のブレードにより個々の半導体素子
４に分割する。ダイシングはフルカット、セミフルカッ
ト、ハーフカット等の切込み深さを選択して行なうもの
である。
１をダイシング装置のブレードにより個々の半導体素子
４に分割する。ダイシングはフルカット、セミフルカッ
ト、ハーフカット等の切込み深さを選択して行なうもの
である。
【０００６】次に図１１に示すように、ダイシング後の
半導体ウェハー１に対して、紫外線光５を照射する。こ
の紫外線光５の照射は、接着シート３に貼り付けた半導
体ウェハー１の裏面側からその接着シート３全面に対し
て行なうもので、紫外線光５の照射により、接着シート
３上の紫外線硬化型接着剤が光硬化するものである。そ
の結果、紫外線硬化型接着剤の接着力が低下し、後工程
のダイボンド工程で半導体素子のピックアップを容易に
行なうことができるものである。
半導体ウェハー１に対して、紫外線光５を照射する。こ
の紫外線光５の照射は、接着シート３に貼り付けた半導
体ウェハー１の裏面側からその接着シート３全面に対し
て行なうもので、紫外線光５の照射により、接着シート
３上の紫外線硬化型接着剤が光硬化するものである。そ
の結果、紫外線硬化型接着剤の接着力が低下し、後工程
のダイボンド工程で半導体素子のピックアップを容易に
行なうことができるものである。
【０００７】次に図１２に示すように、紫外線光の照射
によって接着力の弱められた接着シート３上の半導体ウ
ェハー１の個々の半導体素子４どうしの間隔を得るため
に、接着シート３を引き延ばす。これは通常、エキスパ
ンド工程と呼ばれるものである。そして個々の半導体素
子４をダイボンダーのコレットによりピックアップし、
リードフレームのダイパッド上に接合するものである。
によって接着力の弱められた接着シート３上の半導体ウ
ェハー１の個々の半導体素子４どうしの間隔を得るため
に、接着シート３を引き延ばす。これは通常、エキスパ
ンド工程と呼ばれるものである。そして個々の半導体素
子４をダイボンダーのコレットによりピックアップし、
リードフレームのダイパッド上に接合するものである。
【０００８】以上のように従来はダイシング後に紫外線
光を接着シートの全面に照射した後にエキスパンド、ダ
イボンドを行なっていた。
光を接着シートの全面に照射した後にエキスパンド、ダ
イボンドを行なっていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ようにダイシング後に紫外線光を接着シートの全面に照
射し、エキスパンド、ダイボンドを行なう場合、接着シ
ートの接着力が失われるため、エキスパンド工程や、ダ
イボンド時等の振動により半導体素子が接着シートから
脱落してしまい、製品歩留まりが著しく低下してしまう
という課題があった。そしてこのような課題に対する検
討としては、従来は接着シートの接着材料の検討が行わ
れているにすぎず、工程上の対策は何等検討されていな
かった。
ようにダイシング後に紫外線光を接着シートの全面に照
射し、エキスパンド、ダイボンドを行なう場合、接着シ
ートの接着力が失われるため、エキスパンド工程や、ダ
イボンド時等の振動により半導体素子が接着シートから
脱落してしまい、製品歩留まりが著しく低下してしまう
という課題があった。そしてこのような課題に対する検
討としては、従来は接着シートの接着材料の検討が行わ
れているにすぎず、工程上の対策は何等検討されていな
かった。
【００１０】本発明はこのような従来の課題を解決する
もので、エキスパンド時や組立工程上の振動等によって
もダイシング済みの半導体ウェハーから半導体素子が脱
落しないようにするための半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
もので、エキスパンド時や組立工程上の振動等によって
もダイシング済みの半導体ウェハーから半導体素子が脱
落しないようにするための半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の半導体装置の製造方法は、接着剤層が形成さ
れたシート上に半導体素子がその面内に複数個形成され
た半導体ウェハーを貼り付ける工程と、そのウェハーを
半導体素子単体ごとに分割する工程と、ウェハーが貼り
付けられたシートに対して、ウェハーが貼り付けられた
面と反対の面から光を照射する工程と、ウェハーから半
導体素子を取り出す工程と、取り出した半導体素子をリ
ードフレームのダイパッドにダイボンド剤で接合する工
程とを有する半導体装置の製造方法であって、ウェハー
が貼り付けられた面と反対の面から光を照射する工程
は、ウェハー内に形成された各半導体素子の裏面領域の
シートに部分的に光を照射する工程であり、後工程のリ
ードフレームのダイパッド部と半導体素子とをダイボン
ド剤で接合する工程で半導体素子裏面のダイボンド剤が
当接する領域を除く領域に光を照射する工程である。ま
たウェハーが貼り付けられた面と反対の面から光を照射
する工程は、ウェハー内に形成された各半導体素子の裏
面領域のシートに部分的に光を照射する工程であり、半
導体素子裏面領域のシートのダイパッド形状に相当する
領域を除く領域に光を照射し、半導体素子裏面にダイパ
ッド形状に対応した未光硬化の接着剤層を残存させる工
程である。そしてシートに形成された接着剤層は、紫外
線硬化型の接着剤層であり、シートに部分的に光を照射
する工程は、紫外線を照射する工程である。
に本発明の半導体装置の製造方法は、接着剤層が形成さ
れたシート上に半導体素子がその面内に複数個形成され
た半導体ウェハーを貼り付ける工程と、そのウェハーを
半導体素子単体ごとに分割する工程と、ウェハーが貼り
付けられたシートに対して、ウェハーが貼り付けられた
面と反対の面から光を照射する工程と、ウェハーから半
導体素子を取り出す工程と、取り出した半導体素子をリ
ードフレームのダイパッドにダイボンド剤で接合する工
程とを有する半導体装置の製造方法であって、ウェハー
が貼り付けられた面と反対の面から光を照射する工程
は、ウェハー内に形成された各半導体素子の裏面領域の
シートに部分的に光を照射する工程であり、後工程のリ
ードフレームのダイパッド部と半導体素子とをダイボン
ド剤で接合する工程で半導体素子裏面のダイボンド剤が
当接する領域を除く領域に光を照射する工程である。ま
たウェハーが貼り付けられた面と反対の面から光を照射
する工程は、ウェハー内に形成された各半導体素子の裏
面領域のシートに部分的に光を照射する工程であり、半
導体素子裏面領域のシートのダイパッド形状に相当する
領域を除く領域に光を照射し、半導体素子裏面にダイパ
ッド形状に対応した未光硬化の接着剤層を残存させる工
程である。そしてシートに形成された接着剤層は、紫外
線硬化型の接着剤層であり、シートに部分的に光を照射
する工程は、紫外線を照射する工程である。
【００１２】
【発明の実施の形態】前記構成の通り、ウェハーが貼り
付けられた面と反対の面から光を照射する工程は、ウェ
ハー内に形成された各半導体素子の裏面領域のシートに
部分的に光を照射する工程であるため、個々に分割され
た半導体素子はシートの未硬化の接着剤層の存在によ
り、保持されているので、エキスパンド時や組立工程上
の振動等によっても半導体素子がシートから脱落するこ
とを防止できるものである。
付けられた面と反対の面から光を照射する工程は、ウェ
ハー内に形成された各半導体素子の裏面領域のシートに
部分的に光を照射する工程であるため、個々に分割され
た半導体素子はシートの未硬化の接着剤層の存在によ
り、保持されているので、エキスパンド時や組立工程上
の振動等によっても半導体素子がシートから脱落するこ
とを防止できるものである。
【００１３】またウェハーが貼り付けられた面と反対の
面から光を照射する工程は、ウェハー内に形成された各
半導体素子の裏面領域のシートに部分的に光を照射する
工程であり、半導体素子裏面領域のシートのダイパッド
形状に相当する領域を除く領域に光を照射する工程であ
るため、個々に分割された半導体素子はシートの未硬化
の接着剤層の存在により、保持されているので、エキス
パンド時や組立工程上の振動等によっても半導体素子が
シートから脱落することを防止できるとともに、残存の
接着剤層は、後工程のダイボンドでダイパッド部と接合
され、封止樹脂とは接触しないので、懸念される封止樹
脂との密着性の低下、パッケージクラック等の信頼性上
の問題を解消することができる。
面から光を照射する工程は、ウェハー内に形成された各
半導体素子の裏面領域のシートに部分的に光を照射する
工程であり、半導体素子裏面領域のシートのダイパッド
形状に相当する領域を除く領域に光を照射する工程であ
るため、個々に分割された半導体素子はシートの未硬化
の接着剤層の存在により、保持されているので、エキス
パンド時や組立工程上の振動等によっても半導体素子が
シートから脱落することを防止できるとともに、残存の
接着剤層は、後工程のダイボンドでダイパッド部と接合
され、封止樹脂とは接触しないので、懸念される封止樹
脂との密着性の低下、パッケージクラック等の信頼性上
の問題を解消することができる。
【００１４】以下、本発明の一実施形態について図面を
参照しながら説明する。図１〜図４は本実施形態の半導
体装置の製造方法を示す工程図である。
参照しながら説明する。図１〜図４は本実施形態の半導
体装置の製造方法を示す工程図である。
【００１５】図１に示すように、まず面内に半導体素子
が複数個形成された半導体ウェハー１をリング２で保持
された接着シート３上に貼り付ける。この接着シート３
上には、紫外線硬化型の接着剤層が設けられているもの
であり、ダイシング時の半導体ウェハー１の剥がれや、
ダイシングによって個々の半導体素子に分割した際に、
半導体素子の脱落を防止するものである。
が複数個形成された半導体ウェハー１をリング２で保持
された接着シート３上に貼り付ける。この接着シート３
上には、紫外線硬化型の接着剤層が設けられているもの
であり、ダイシング時の半導体ウェハー１の剥がれや、
ダイシングによって個々の半導体素子に分割した際に、
半導体素子の脱落を防止するものである。
【００１６】次に図２に示すように、半導体ウェハー１
をダイシング装置のブレードにより個々の半導体素子４
に分割する。ダイシングはフルカット、セミフルカッ
ト、ハーフカット等の切込み深さを選択して行なうもの
である。通常はハーフカットにより、半導体ウェハーの
厚み約３５０［μｍ］の内、３００［μｍ］程度を切り
込み、５０［μｍ］程度を残すダイシングを行なう。
をダイシング装置のブレードにより個々の半導体素子４
に分割する。ダイシングはフルカット、セミフルカッ
ト、ハーフカット等の切込み深さを選択して行なうもの
である。通常はハーフカットにより、半導体ウェハーの
厚み約３５０［μｍ］の内、３００［μｍ］程度を切り
込み、５０［μｍ］程度を残すダイシングを行なう。
【００１７】次に図３に示すように、ダイシング後の半
導体ウェハー１に対して、紫外線光５を照射する。この
紫外線光５の照射は、接着シート３に貼り付けた半導体
ウェハー１の裏面側から露光マスク６を用いて、半導体
ウェハー１領域の個々の半導体素子４裏面に対して部分
的に行なうものである。したがって、半導体ウェハー１
領域の個々の半導体素子４の裏面においては、接着シー
ト３の接着剤は紫外線硬化された部分と硬化されていな
い部分とが存在することになる。
導体ウェハー１に対して、紫外線光５を照射する。この
紫外線光５の照射は、接着シート３に貼り付けた半導体
ウェハー１の裏面側から露光マスク６を用いて、半導体
ウェハー１領域の個々の半導体素子４裏面に対して部分
的に行なうものである。したがって、半導体ウェハー１
領域の個々の半導体素子４の裏面においては、接着シー
ト３の接着剤は紫外線硬化された部分と硬化されていな
い部分とが存在することになる。
【００１８】次に図４に示すように、紫外線光の照射に
よって接着力の弱められた接着シート３上の半導体ウェ
ハー１の個々の半導体素子４どうしの間隔を得るため
に、接着シート３を引き延ばす。これは通常、エキスパ
ンド工程と呼ばれるものである。そして個々の半導体素
子４をダイボンダーのコレットによりピックアップし、
リードフレームのダイパッド上に接合するものである。
ここで本実施形態では、接着シート３に対して部分的に
紫外線光を照射しているので、個々に分割された半導体
素子４は接着シート３の未硬化の接着剤層の存在によ
り、保持されているので、エキスパンド時や組立工程上
の振動等によっても半導体素子４が接着シート３から脱
落することを防止できるものである。その結果、良品の
脱落による製品歩留まりの低下を防止することができ、
製造工程上、生産性を向上させることができる。
よって接着力の弱められた接着シート３上の半導体ウェ
ハー１の個々の半導体素子４どうしの間隔を得るため
に、接着シート３を引き延ばす。これは通常、エキスパ
ンド工程と呼ばれるものである。そして個々の半導体素
子４をダイボンダーのコレットによりピックアップし、
リードフレームのダイパッド上に接合するものである。
ここで本実施形態では、接着シート３に対して部分的に
紫外線光を照射しているので、個々に分割された半導体
素子４は接着シート３の未硬化の接着剤層の存在によ
り、保持されているので、エキスパンド時や組立工程上
の振動等によっても半導体素子４が接着シート３から脱
落することを防止できるものである。その結果、良品の
脱落による製品歩留まりの低下を防止することができ、
製造工程上、生産性を向上させることができる。
【００１９】また、本実施形態では、接着シート３に対
して部分的に紫外線光を照射しているので、個々に分割
された半導体素子４をピックアップすると、図５に示す
ように、半導体素子４の裏面には、紫外線光が照射され
ず硬化していない接着剤層７が付着することになる。し
かしこの残存した接着剤層７の領域は、後工程のダイボ
ンド工程でリードフレームのダイパッド面の導電性接着
剤により接着される領域と対応させているので、そのリ
ードフレームの半導体素子領域を封止樹脂により封止し
ても信頼性上の問題、例えば、封止樹脂との密着性の低
下、パッケージクラックの発生などの問題はなくなる。
なお、図５に示した接着剤層７の領域は、リードフレー
ムのダイパッド面の導電性接着剤が付設される領域と対
応している。
して部分的に紫外線光を照射しているので、個々に分割
された半導体素子４をピックアップすると、図５に示す
ように、半導体素子４の裏面には、紫外線光が照射され
ず硬化していない接着剤層７が付着することになる。し
かしこの残存した接着剤層７の領域は、後工程のダイボ
ンド工程でリードフレームのダイパッド面の導電性接着
剤により接着される領域と対応させているので、そのリ
ードフレームの半導体素子領域を封止樹脂により封止し
ても信頼性上の問題、例えば、封止樹脂との密着性の低
下、パッケージクラックの発生などの問題はなくなる。
なお、図５に示した接着剤層７の領域は、リードフレー
ムのダイパッド面の導電性接着剤が付設される領域と対
応している。
【００２０】したがって本実施形態は、あえて接着シー
トの紫外線硬化する領域を限定させ、接着シートの接着
力を残存させてダイシングにより分割した半導体素子の
脱落を防止することができ、また接着シートの接着剤層
を信頼性上の問題のない半導体素子の裏面の領域に残存
させるようにしたものである。
トの紫外線硬化する領域を限定させ、接着シートの接着
力を残存させてダイシングにより分割した半導体素子の
脱落を防止することができ、また接着シートの接着剤層
を信頼性上の問題のない半導体素子の裏面の領域に残存
させるようにしたものである。
【００２１】次に本発明の他の実施形態について説明す
る。図６は本実施形態の半導体装置の製造方法における
半導体素子を示す底面図である。
る。図６は本実施形態の半導体装置の製造方法における
半導体素子を示す底面図である。
【００２２】まず接着シートへの半導体ウェハーの貼り
付けやダイシングは前記した実施形態と同様に行なうも
のであるが、ダイシング後の接着シートへの紫外線光の
照射領域に特徴を有するものである。図６に示すように
露光マスクにより半導体素子４の中央部領域に紫外線光
を照射せず、中央部領域に接着シートの接着剤層７を残
存させるものである。図６に示すような領域に接着剤層
７を残存させた場合、接着シートからの分割された半導
体素子の脱落を防止できるとともに、この半導体素子４
の組立には、図７に示すようなリードフレーム８を用い
ると好都合である。
付けやダイシングは前記した実施形態と同様に行なうも
のであるが、ダイシング後の接着シートへの紫外線光の
照射領域に特徴を有するものである。図６に示すように
露光マスクにより半導体素子４の中央部領域に紫外線光
を照射せず、中央部領域に接着シートの接着剤層７を残
存させるものである。図６に示すような領域に接着剤層
７を残存させた場合、接着シートからの分割された半導
体素子の脱落を防止できるとともに、この半導体素子４
の組立には、図７に示すようなリードフレーム８を用い
ると好都合である。
【００２３】図７はリードフレーム８のダイパッド部分
を示す平面図であるが、半導体素子が搭載されるダイパ
ッド部９の形状が、図６に示した半導体素子４の裏面に
残存した接着剤層７の残存形状と対応しているものであ
る。すなわち、ダイパッド部９が当接する領域を除く半
導体素子４の裏面領域の接着シートに紫外線光を照射
し、残存した接着剤層７の形状をダイパッド部９の形状
に対応させているものである。したがって、図８の半導
体装置の断面図に示すように、半導体素子４に残存した
接着剤層７は、リードフレーム８のダイパッド部９に導
電性接着剤１０とともに接着されるので、導電性接着剤
１０に接着剤層７は吸収され、接着剤層７は封止樹脂１
１と接することはなく、封止樹脂１１との密着性の低
下、パッケージクラックの発生などの問題はなくなる。
なお、接着剤層７の形状をダイパッド部９と対応させる
場合、その大きさは、接着剤層７のはみ出しを防止する
ために、ダイパッド部９よりも小さくする。
を示す平面図であるが、半導体素子が搭載されるダイパ
ッド部９の形状が、図６に示した半導体素子４の裏面に
残存した接着剤層７の残存形状と対応しているものであ
る。すなわち、ダイパッド部９が当接する領域を除く半
導体素子４の裏面領域の接着シートに紫外線光を照射
し、残存した接着剤層７の形状をダイパッド部９の形状
に対応させているものである。したがって、図８の半導
体装置の断面図に示すように、半導体素子４に残存した
接着剤層７は、リードフレーム８のダイパッド部９に導
電性接着剤１０とともに接着されるので、導電性接着剤
１０に接着剤層７は吸収され、接着剤層７は封止樹脂１
１と接することはなく、封止樹脂１１との密着性の低
下、パッケージクラックの発生などの問題はなくなる。
なお、接着剤層７の形状をダイパッド部９と対応させる
場合、その大きさは、接着剤層７のはみ出しを防止する
ために、ダイパッド部９よりも小さくする。
【００２４】以上のように本実施形態では、半導体ウェ
ハーが貼り付けられた接着シートに対して、マスクによ
る紫外線光の部分照射を行なうもので、その照射はリー
ドフレームのダイパッド部が当接する領域を除く半導体
素子の裏面領域の接着シートに紫外線光を照射するもの
で、半導体素子裏面に残存させる接着剤層の形状を後工
程で使用するリードフレームのダイパッド部の形状に対
応させることにより、接着シートの接着力を残存させて
ダイシングにより分割した半導体素子４の接着シートか
らの脱落を防止することができ、また接着シートの接着
剤層を信頼性上の問題のない半導体素子の裏面の領域に
残存させるようにしたものである。
ハーが貼り付けられた接着シートに対して、マスクによ
る紫外線光の部分照射を行なうもので、その照射はリー
ドフレームのダイパッド部が当接する領域を除く半導体
素子の裏面領域の接着シートに紫外線光を照射するもの
で、半導体素子裏面に残存させる接着剤層の形状を後工
程で使用するリードフレームのダイパッド部の形状に対
応させることにより、接着シートの接着力を残存させて
ダイシングにより分割した半導体素子４の接着シートか
らの脱落を防止することができ、また接着シートの接着
剤層を信頼性上の問題のない半導体素子の裏面の領域に
残存させるようにしたものである。
【００２５】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法は、従来
の接着シートに半導体ウェハーを貼り付けてダイシング
し、ダイボンド前にその接着シートに対して紫外線照射
して接着剤を光硬化させて接着力を弱める工法におい
て、紫外線の照射を部分的に行ない、分割された半導体
素子の裏面に未硬化の接着剤層を残存させることによ
り、エキスパンド時や、工程上の振動等によって接着シ
ートからの半導体素子の脱落を防止できるものである。
また半導体素子裏面の未硬化の接着剤層を残存させる領
域は、後工程のダイボンド時にリードフレームのダイパ
ッド部に接合する際の導電性接着剤と接する領域に対応
させるものである。またダイパッド部の形状と対応させ
て接着シートに紫外線を部分照射し、残存する接着剤層
の形状をダイパッド部と対応させるものである。この残
存させる接着剤層の特徴的形状により、残存した接着剤
層はダイパッド部に導電性接着剤とともに接着されるの
で、接着剤層は封止樹脂と接することはなく、封止樹脂
との密着性の低下、パッケージクラックの発生などを防
止できるものである。これにより半導体装置の製造工程
における歩留まりを上昇させることが出来、生産性を向
上させることができる。
の接着シートに半導体ウェハーを貼り付けてダイシング
し、ダイボンド前にその接着シートに対して紫外線照射
して接着剤を光硬化させて接着力を弱める工法におい
て、紫外線の照射を部分的に行ない、分割された半導体
素子の裏面に未硬化の接着剤層を残存させることによ
り、エキスパンド時や、工程上の振動等によって接着シ
ートからの半導体素子の脱落を防止できるものである。
また半導体素子裏面の未硬化の接着剤層を残存させる領
域は、後工程のダイボンド時にリードフレームのダイパ
ッド部に接合する際の導電性接着剤と接する領域に対応
させるものである。またダイパッド部の形状と対応させ
て接着シートに紫外線を部分照射し、残存する接着剤層
の形状をダイパッド部と対応させるものである。この残
存させる接着剤層の特徴的形状により、残存した接着剤
層はダイパッド部に導電性接着剤とともに接着されるの
で、接着剤層は封止樹脂と接することはなく、封止樹脂
との密着性の低下、パッケージクラックの発生などを防
止できるものである。これにより半導体装置の製造工程
における歩留まりを上昇させることが出来、生産性を向
上させることができる。
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す工程図
示す工程図
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す工程図
示す工程図
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す工程図
示す工程図
【図４】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す工程図
示す工程図
【図５】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法に
おける半導体素子を示す底面斜視図
おける半導体素子を示す底面斜視図
【図６】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法に
おける半導体素子を示す底面斜視図
おける半導体素子を示す底面斜視図
【図７】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法に
おけるリードフレームを示す平面図
おけるリードフレームを示す平面図
【図８】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法に
おける半導体装置を示す断面図
おける半導体装置を示す断面図
【図９】従来の半導体装置の製造方法を示す工程図
【図１０】従来の半導体装置の製造方法を示す工程図
【図１１】従来の半導体装置の製造方法を示す工程図
【図１２】従来の半導体装置の製造方法を示す工程図
１ 半導体ウェハー ２ リング ３ 接着シート ４ 半導体素子 ５ 紫外線光 ６ 露光マスク ７ 接着剤層 ８ リードフレーム ９ ダイパッド部 １０ 導電性接着剤 １１ 封止樹脂
Claims (6)
- 【請求項１】 接着剤層が形成されたシート上に半導体
ウェハーを貼り付け、個々の半導体素子に分割する工程
と、前記半導体ウェハーを分割後、ウェハー内に形成さ
れた各半導体素子の裏面領域のシートに部分的に光を照
射し、部分的に未光硬化の接着剤層を残存させる工程
と、前記残存した接着剤層の接着力により分割された各
半導体素子を保持した状態で半導体ウェハー内から半導
体素子を取り出す工程とを有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】 接着剤層が形成されたシート上に半導体
素子がその面内に複数個形成された半導体ウェハーを貼
り付ける工程と、前記半導体ウェハーを前記半導体素子
単体ごとに分割する工程と、前記ウェハーが貼り付けら
れたシートに対して、ウェハーが貼り付けられた面と反
対の面から光を照射する工程と、前記ウェハーから半導
体素子を取り出す工程とを有する半導体装置の製造方法
であって、前記ウェハーが貼り付けられた面と反対の面
から光を照射する工程は、ウェハー内に形成された各半
導体素子の裏面領域のシートに部分的に光を照射する工
程であり、半導体素子裏面に部分的に未光硬化の接着剤
層を残存させることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 接着剤層が形成されたシート上に半導体
素子がその面内に複数個形成された半導体ウェハーを貼
り付ける工程と、前記ウェハーを前記半導体素子単体ご
とに分割する工程と、前記ウェハーが貼り付けられたシ
ートに対して、ウェハーが貼り付けられた面と反対の面
から光を照射する工程と、前記ウェハーから半導体素子
を取り出す工程と、前記取り出した半導体素子をリード
フレームのダイパッドにダイボンド剤で接合する工程と
を有する半導体装置の製造方法であって、前記ウェハー
が貼り付けられた面と反対の面から光を照射する工程
は、ウェハー内に形成された各半導体素子の裏面領域の
シートに部分的に光を照射する工程であり、後工程のリ
ードフレームのダイパッド部と半導体素子とをダイボン
ド剤で接合する工程で半導体素子裏面のダイボンド剤が
当接する領域を除く領域に光を照射する工程であること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 接着剤層が形成されたシート上に半導体
素子がその面内に複数個形成された半導体ウェハーを貼
り付ける工程と、前記ウェハーを前記半導体素子単体ご
とに分割する工程と、前記ウェハーが貼り付けられたシ
ートに対して、ウェハーが貼り付けられた面と反対の面
から光を照射する工程と、前記ウェハーから半導体素子
を取り出す工程と、前記取り出した半導体素子をリード
フレームのダイパッドにダイボンド剤で接合する工程と
を有する半導体装置の製造方法であって、前記ウェハー
が貼り付けられた面と反対の面から光を照射する工程
は、ウェハー内に形成された各半導体素子の裏面領域の
シートに部分的に光を照射する工程であり、半導体素子
裏面領域のシートのダイパッド形状に相当する領域を除
く領域に光を照射し、半導体素子裏面にダイパッド形状
に対応した未光硬化の接着剤層を残存させる工程である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 シートに部分的に光を照射する工程は、
マスクを用いて光を照射する工程であることを特徴とす
る請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項６】 シートに形成された接着剤層は、紫外線
硬化型の接着剤層であり、シートに部分的に光を照射す
る工程は、紫外線を照射する工程であることを特徴とす
る請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9523496A JP3528412B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9523496A JP3528412B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283469A true JPH09283469A (ja) | 1997-10-31 |
| JP3528412B2 JP3528412B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=14132080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9523496A Expired - Fee Related JP3528412B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3528412B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006060983A2 (de) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Qimonda Ag | Verfahren zum aufbringen einer klebstoffschicht auf dünngeschliffene halbleiterchips eines halbleiterwafers |
| JP2006222179A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ搭載装置およびチップ搭載方法 |
| JP2010003734A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR101104134B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2012-01-13 | 전자부품연구원 | 반도체 칩 패키징 방법 |
| JP2013236098A (ja) * | 2013-07-17 | 2013-11-21 | Lintec Corp | ウェハ加工用シート |
| JP2015133434A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社ディスコ | 板状物の分割方法及び紫外線照射ユニット |
-
1996
- 1996-04-17 JP JP9523496A patent/JP3528412B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2006060983A3 (de) * | 2004-12-09 | 2006-09-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum aufbringen einer klebstoffschicht auf dünngeschliffene halbleiterchips eines halbleiterwafers |
| JP2006222179A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ搭載装置およびチップ搭載方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3528412B2 (ja) | 2004-05-17 |
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