JPS61210650A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS61210650A
JPS61210650A JP5313185A JP5313185A JPS61210650A JP S61210650 A JPS61210650 A JP S61210650A JP 5313185 A JP5313185 A JP 5313185A JP 5313185 A JP5313185 A JP 5313185A JP S61210650 A JPS61210650 A JP S61210650A
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JP
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semiconductor
substrate
resin
resin sheet
small pieces
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JP5313185A
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Nobutoshi Takehashi
信逸 竹橋
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体小
片を基板へ接合する方法に関するものである。
従来の技術 従来の半導体装置の製造方法を第２図を用いて説明する
。半導体基板１１の素子が形成した面に半導体基板の板
厚に対しＷ〜％の深さで縦横の溝２　． １２を形成する（第２図（５））。次に、−主面に粘着
性樹脂１５を形成した樹脂シート１４に前記溝１２を形
成した半導体基板１１を貼付は溝に沿って、個々の半導
体小片１３に分割し、樹脂シートを拡張せしめる（第２
図中））。
次に半導体小片１３を樹脂シート１４の粘着性樹脂１５
から剥離するために、半導体小片１３を樹脂シート１４
を介して突上は治具１７で突上げ、吸着工具１６で真空
吸引し、半導体小片１３を保持する（第２図（Ｃ））。
次に半導体小片１３を保持した、吸着工具１６を半導体
小片１３を接着固定するための接着剤１８が適量滴下さ
れた基板１９上に移動し、吸着工具１６を徐々に降下さ
せ半導体小片１３を基板１９と圧接、接合を行なう（第
２図（Ｄ））。一定時間圧接後、吸着工具１６内の真空
吸引を停止し、吸着工具１６を上昇させる（第２図（Ｅ
））。その後、接着剤１９を硬化させ、半導体小片１３
と支持体１９のそれぞれの電極を金属細線を用いて電気
的な結線を行なう。
発明が解決しようとする問題点 従来における半導体小片の基板への接合工法では、吸着
工具に半導体小片を吸引保持する際、半導体小片を突上
げる工程が必要となり、作業速度が極めて低下するもの
であった。また、半導体小片を突」−げ時、加わる応力
によって割れが発生し、さらに、吸着工具で吸引保持し
た半導体小片を基板に圧接時、半導体小片周辺部に荷重
が集中するため特に薄い半導体小片では周辺部や素子が
損傷した。
又、その際に発生した塵によって半導体小片の表面が汚
染され、著しく歩留りを低下させるものであった。本発
明は以上の問題点を解決すべく、簡易な構成、工程で厚
さの薄い半導体小片においても、歩留りが極めて高い接
合工法を提供することを目的とする。
問題点を解決するだめの手段 本発明は上記問題点を解決するために、半導体小片を樹
脂シートに接着、保持した状態で、樹脂シートを介して
半導体小片を圧接により基板に接合するものである。
作　　用 樹脂シートに半導体小片を接着、保持しているので、半
導体小片及び、形成した素子に損傷を及ぼすことがなく
これにより、半導体小片を突上げる工程が不用となる。
寸だ、半導体小片を基板に圧接する際は、樹脂シートを
介して行なうため、樹脂ンートと粘着性樹脂が半導体小
片の表面を保護し、形成された素子が損傷しない。さら
に、圧接時荷重は均一に加わるため、厚さが薄い半導体
小片においても割れなどの損傷が無く、歩留りが極めて
高い基板への接合作業が可能となり、工程も簡素化出来
る。
実施例 本発明の一実施例における半導体装置の製造方法を第１
図を用いて説明する。
第１図（５）は樹脂シートの構成を示したもので、樹脂
ンート１の一生面に粘着性を有する樹脂２が形成されて
いる。この粘着性樹脂２は後の工程で半導体基板を接着
させるもので、粘着力を紫外線照射及び加熱を行なうこ
とで低下出来るものである。これは硬化に伴なう粘着力
の低下反応を用いたもので、粘着性樹脂には紫外線硬化
型及び、熱硬化型を使用することが出来る。
次に半導体基板３の素子が形成された面を、樹脂シート
１の粘着性樹脂２に貼付け（第１図（Ｂ））、貼付けた
半導体基板３に研削切断法で溝４を形成する（第１図（
Ｃ））。溝４の深さは、少なくとも粘着性樹脂２に及ぶ
もので、この工程により半導体基板３は個々の半導体小
片６に分離される。
次に樹脂シート１を反転、保持させ、樹脂シート１側か
ら紫外線６を照射し、粘着性樹脂２を硬化、粘着力を低
下させる（第１図０）。この時の粘着力の制御は半導体
小片５が樹脂シート１から移動および操作時の振動、衝
撃で脱落しない程度である反面、次の工程で半導体小片
を圧接、接合後、樹脂シートより容易に剥離可能な粘着
強さであることが望ましい。なお、粘着力は紫外線照射
時間で可変出来るものである。
次にあらかじめ半導体小片６を接合させるだめの接着剤
８が適量滴下された基板９に半導体小片６、、−７ ６が接触しない程度の間隔をおいて位置固定し、接合せ
しめる半導体小片５′　と基板９の接合箇所の位置合せ
を行なう（第１図（Ｅ））。続いて、平坦な圧接面７ａ
を有する圧接治具７で樹脂シート１を介して半導体小片
５′　を基板９上に滴下された接着剤８に圧接する（第
１図（Ｆ））。ここで圧接治具７は半導体小片５′が樹
脂シート１の粘着性樹脂２に接着している面、つまり半
導体小片５′の表面に対して圧接を行なうことになるが
、圧接治具７は樹脂シート１を介して圧接を行なうため
、樹脂シート１と粘着性樹脂２が半導体小片５′の表面
を保護し、形成されている素子に損傷が発生しない。ま
た、圧接時に加わる荷重が半導体小片６′の表面に均一
に加わるため従来の吸着工具を用いた際に発生した半導
体小片５′　の周辺部の損傷が無い。
次に半導体小片５′　を一定時間支持体９に圧接後圧接
治具７を引き上げ、それに伴って樹脂シート１もある高
さまで上昇する（第１図◎）。この時、圧接した半導体
小片６′は樹脂シート１の粘７　・、・。
着性樹脂２の粘着力から離脱して、シート１から剥離さ
れ、半導体小片５′は基板８に接着剤９で接着される。
ここで樹脂シート１の粘着性樹脂２ｄ、前記第１図ｐ）
の工程における紫外線照射で粘着力は低下されているた
め半導体小片５′は容易に剥離される。
なお、以」−の実施例は粘着性樹脂に紫外線硬化型を使
用したものであるが、熱硬化型を使用しても良い。
加熱し、粘着力を低下させてもよい。この加圧時の加熱
により、半導体小片５′を接合する接着剤９を硬化させ
、樹脂シート１の粘着性樹脂２から半導体小片５′の確
実々剥離が再現出来、さらには、のちの接着剤硬化工程
が不要と々り工程の短縮が可能となる。
発明の詳細 な説明したように、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体小片を樹脂シートに接着保持した状態で基板に圧
接を行なうため、従来の様な吸着工具に吸着保持させた
時の半導体小片及び表面に形成された素子の損傷が々い
。捷だ、平坦な圧接面を有した圧接治具で樹脂シートを
介し半導体小片を圧接できるため、荷重の集中による半
導体小片の破損が発生し々い。従って歩留りの向上と工
程の簡素化が可能となる。さらにこの方法によれば従来
困離であった極めて薄い半導体小片における接合も容易
に行なうことが出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法を説明するだめの図、第２図は従来における半導体装
置の製造方法を説明するだめの図である。 １・・・・・樹脂シート、２・・・・・粘着性樹脂、５
・・・・半導体小片、７・・・・圧接治具、８・・・・
・接着剤、９・・・・・基板。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名城　
　　　く　　　　　　　　　　　　　−＼ノ　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ロ）博　　　
　　　−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 一主面に粘着性樹脂を形成した樹脂シートに半導体基板
    を貼付ける第１の工程と、前記半導体基板に少なくとも
    前記粘着性樹脂に及ぶ溝を形成せしめ半導体小片に分離
    する第２の工程と、前記樹脂シートを介して前記半導体
    小片を基板に圧接し、前記半導体小片を前記樹脂シート
    から剥離する第３の工程から成る半導体装置の製造方法
    。
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