JPS5957438A - 半導体装置の組立方法 - Google Patents

半導体装置の組立方法

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JPS5957438A JP16814482A JP16814482A JPS5957438A JP S5957438 A JPS5957438 A JP S5957438A JP 16814482 A JP16814482 A JP 16814482A JP 16814482 A JP16814482 A JP 16814482A JP S5957438 A JPS5957438 A JP S5957438A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、各種のＩＣ，ＬＳ　Ｉ、ダイオード、ＬＥＤ
、トランジスタ等の半導体装置の組立方法の改良に関す
る。特に、半導体ウェーハの貼付工程からダイボンディ
ング工程までの組立方法に関するものである。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
半導体ペレットを基板またはリードフレーム上にマウン
トする場合の方法としてダイボンディング法が知られて
ｂる。ダイボンディング法は、基板又はリードフレーム
上に予め樹脂接着剤を塗布しておき、その接着剤に牛導
体ベレ・ノドを接着させ、次いで加熱処理によυ接着剤
を硬化させる方法が一般的である。
上記ダイボンディング法は、ダイボッ２１台ごとに接着
剤塗布のための装置が必要である。接着剤塗布のための
装置とは、ディスペンサ、スクリーン印刷装置、スタン
ピング装置などのことである。また、接着剤の均一塗布
は比較的困難である。
均一に塗布されなりと半導体装置の特性や信頼性に影響
を及ばす０さらに、半導体ベレ・ｙ）の寸法は種類によ
って一様でなく、し１こかって各半導体ベレットの寸法
に合わせて接着剤の塗布量を変える必要がある。そのた
め生産計画の変更による品種の変更時にはその都度治工
具を交換する必要があるなどの不都合がある。
一方、最近では半導体ウェーハの裏面に予め接着剤を塗
布してこれをＢステージの状態（半硬化状態）に乾燥さ
せておき、その後半導体ウェーノ・をスクライビングに
より切断、分離し、加熱された基板やリードフレームに
接着する方法が開発されている（Ｂステージ法、日刊工
業新聞社発行、「工業材料」第３０巻、第３号、第１／
／頁参照）。
上記Ｂステージ法の場合、半導体ウェーハのスクライビ
ング後のブレーキング（又はクラッキング）工程におい
て、未硬化状態にある接着剤の一部が粉状になって飛散
し、ベレットを汚染するおそれがある。また、粘着剤シ
ートに半導体ウェーハを貼付け、その後ブレードダイシ
ングによシ切断、分離する方法もあるが、その場合には
切断された半導体ベレットの抽出時に粘着剤の一部がベ
レットの裏面に付着しやすい。付着した粘着剤は接合不
良になったシ、接合部の内部巣（ボイド）の発生原因と
なって特性に大きな影響を与えることとなる。
〔発明の目的〕
本発明は上記従来の組立法における問題点を克服し、組
立用設備の簡素化、組立てられた半導体装置の特性、信
頼性の向上、材料利用率の向上を図った組立方法を提供
することを目的とする。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために、本発明による半導体の組立
方法は以下の（ａ）〜（ｄ）の工程を含む点に特徴を有
する。
（１１）　　フィルムの一表面に接着剤を塗布する。
（ｂ）　　塗布された接着剤上に半導体ウェーハを貼付
けて固定する。
（ｃ）前記接着剤を加熱して半硬化状態とし、その半硬
化状態において半導体ウェーハを裁断、分離してベレッ
トをつくる。裁断する際の切込み深さは接着剤層も切断
できる深さとする。この状態では各分離された半導体ベ
レットは互に独立はしているがフィルム上に整列されて
いる。
（ｄ）　　次に、半導体ペレットを個りに抜き出してそ
の接着部分を基板やリードフレームなどの被取付面に接
着する。これで、ベレットの固定が終了する。
接着剤には熱硬化性、導電性の樹脂接着剤が用いられる
。その塗布はスクリーン印刷による。半導体ウェーハの
切断ケよブレードダイシングによる。
被取付面は予め加熱される。接着剤の完全硬化のためで
ある。
〔発明の効果〕
上述の如き本発明の構成によれば、組立設備の簡素化が
可能となυ、半休装置の特性、信頼性を損うことなく組
立を行うことができ、材料利用率の向上を図ることがで
きる。すなわち、■　従来ダイボンダごとに取付けられ
ていたディスベンザが不要となる。半導体ウェーハ自体
をフィルムに接着させるからである。
■　組立品種の変更の際にディスペンサのノズル径やデ
ィスペンス圧力等の各種条件を変更する必要がない０こ
れは上記同様半導体ウェー／％の段階で接着を行うため
、各ベレットの寸法に適合させる必要性がなくなるから
である。
■　内部巣のない全面接合のダイポンディングが可能と
なる。
■　Ａｇマイグレーシロン、ＡＩの腐食等の劣化を防止
し、信頼性を向上させることができる０その理由ｔよ上
記■と同様であり、ペレｙ）の側面への接着剤のはい上
りを防止できるからである０■　接着剤の材料利用効率
を向上しうる。半導体ウェーハの段階で接着を行うため
、無駄な接着剤の使用がないことによるものである０■
　接着剤の厚みが各ベレットを通じて均一とすることが
でき、ベレットが傾いた状態で接着されるようなことが
なく、したがって製品の均質化が図れる。ベレット個々
に接着するのではなくウェーハの段階で接着するので部
分的に凹凸が生じたり、極端な傾きを防止できるからで
ある。
■　粘着材付きのフィルムを使用しないため、粘着材の
残りによる内部巣の発生がない。
■　フィルムへの貼付けの１こめ、貼伺時の機械的ダメ
ージを受けることがなく、ウェーハに表面キズ、汚染の
心配がな（八。
〔発明の実施例〕
以下１本発明による半導体の組立方法の実施例を図面に
基づき順を追って説明する。
第１図に示すように、有機月利からなる可撓性フィルム
（以下、フィルム）ｌをその端部を外リング、２ａの内
周面と内リングλｂの外周面間に挾み込１せて張設する
。
次に、第２図に示すように、フィルムｌの一表面上にス
クリーン印刷等の技術によシ約７０〔μｍ〕の厚さでダ
インボンディング用接着剤３を塗布する。この接着剤３
としては導電性の熱硬化性樹脂接着剤が用いられる。
次に、第３図に示すように、リング２Ｂ、、２ｂととも
にフィルムｌを反転させて接着剤３の面を下向きにし、
真空貼付治具弘の中央部に設けられた四部に嵌合して載
置する。このとき、リングλａ、、２ｂは凹部に０リン
グｊを介して嵌合され、凹部内には予め半導体ウェーハ
６が納められている。真空貼付治具弘の凹部にはその周
に泊って適当な間隔の空気代参ａが設けられ、ウェーハ
乙の下方には空間が設けられ、この空間には吸気管弘す
に連通している。したがって、リングλａ、λｂおよび
真空貼付治具弘の凹部内に載置した後、吸気管弘すを通
じて空間内を真空にすることで空％穴４４ａによυフィ
ルタｌはウェーハ６側に吸いつけられる。これに裏つで
ウェーハ６とフィルムｌとは接着剤３を介して一体とな
る。その後、リングコａ、λｂ、フィルムｌ、ウェーハ
６のセットを雰囲気ｉｏｏ℃中に３０分間に置き、接着
剤３を乾燥させて半硬化の状態とする。
次に、第弘図に示すように、リング、２Ｍ、、２ｂ、フ
ィルムｌ、ウェーハ６のセットを反転させて元の状態に
戻しくつまり、ウェーハ６を上向きの状態とし）、ブレ
ードダイシング装置のダイシングステージ♂ｂ昆嵌合し
て固定する。ダイシングステージｆａには凹部が設けら
れており、その凹部内に通気性を有するステージｒｂが
嵌め込まれている。そしてステージにｂの下方にある空
間を通じて吸気することによりフィルムｌはステージｔ
ａに吸着され、固定される。次いで、フィルムｌ上のウ
ェーハ６をダイヤモンドブレードダイシングによシ裁断
するが、その際のダイシング深さは接着剤３の層も含め
て完全切断する深さとする。
この切断により多数個のベレツ）Ａｍが作られる０各ペ
レツト６８は切溝７によシ個々に独立した状態でフィル
ムｌ上に整列する。こうして、各ペレッ）４ａの下面に
は半硬化状態の接着剤層３ａが設けられることになる。
次に第５図、第６図に示すように、各ベレット６ａをダ
イボンディング装置の真空吸着ヘッド部りのコレット／
コによりピックアラフシ、ヒータステージｉｏのリード
フレームｌｌ上に圧着する。その際、ペレッ）４ａをピ
ックアップすると同時に接着剤３ａがフィルムｌからは
がれ、その結果ペレッ）Ａａの裏側（下面）に接着した
まま持ち上げられる。次いでそのベレット６ａをリード
フレームｌｌ上に圧着することによシ、接着剤３畠は溶
融する。リードフレーム／ノはヒータステージ１０によ
υ約、２００℃に予熱されているからである０次−【ハ
で、接着剤３ａを３００″Ｃにて１分間加熱することに
よシ接着剤３ａは完全硬化し、ベレット６畠はＩＪ　−
ドフレームｌｌ上に固定されることとなる。こうして、
組立てられた状態を第７図に示す。その後ワイヤボンデ
ィング工程、封止工程等、既存の組立工程を経て半導体
装置として完成する。
接着剤は本文で述べた以外に非導電性の接着剤も適用し
うる。
【図面の簡単な説明】
第１図はリングにフィルムを取付ける工程を示す断面図
、 第２図はフィルム上に接着剤を塗布する工程を示す断面
図、 第３図は半導体ウェーハとフィルムとの接着工程を示す
断面図、 第参図は半導体ウェーハの切断工程を示す断面リードフ
レーム上に圧着固定する工程を示す断面図である。 ハ・・フィルム、３．３ａ・・・接着剤、６・・・半導
体ウェーハ、Ａｍ・・・ペレット、１０・・・ヒータス
テージ、出願人代理人　　　猪　股　　　　清

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ｌ　以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の組
    立方法。 （８）　　フィルムの一表面に接着剤を塗布し、（ｂ）
    　　前記接着剤上に半導体ウェーハを貼付け、（ｃ）　
    　前記接着剤の半硬化状態において前記半導体ウェーハ
    な接着剤とともに裁断して分離することによυペレット
    を作り、 （ｄ）　　前記ペレットを個々に取出してその接着剤部
    分を被取付面に接着する。 、２、特許請求の範囲第１項記載の組立方法において、
    フィルムは可撓性を有することを特徴とする半導体装置
    の組立方法。 ３、特許請求の範囲第７項または第２項記載の組立方法
    において、接着剤は熱硬性樹脂接着剤であることを特徴
    とする半導体装置の組立方法。 久特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の組
    立方法にお（八て、被取付面は基板の面であることを特
    徴とする半導体装置の組立方法。 よ特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の組
    立方法におりで、被取付面はリードフレームの面である
    ことを特徴とする半導体装置の組立方法。 乙、特許請求の範囲第弘項または第５項記載の組立方法
    におりで、被取付面は予熱されていることを特徴とする
    半導体の組立方法。
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