JPH11163006A - ペレットボンディング方法 - Google Patents

ペレットボンディング方法

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JPH11163006A
JPH11163006A JP34204097A JP34204097A JPH11163006A JP H11163006 A JPH11163006 A JP H11163006A JP 34204097 A JP34204097 A JP 34204097A JP 34204097 A JP34204097 A JP 34204097A JP H11163006 A JPH11163006 A JP H11163006A
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JP
Japan
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pellet
bonding
wafer
semiconductor
pellets
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Application number
JP34204097A
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English (en)
Inventor
Makoto Nakajima
誠 中嶋
一寿 ▲高▼島
Kazuhisa Takashima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743Apparatus for manufacturing layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L2224/743Apparatus for manufacturing layer connectors

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ペレットをタブに良好にボンディングさせ
る。 【解決手段】 ウエハ11の裏面に半田箔15をウエハ
シート12を介して粘着しておく。ペレット10の裏面
に粘着された半田箔15を一緒に分断しタブ6にボンデ
ィングする際に、裏面に半田箔15を粘着させたままペ
レット10をウエハシート12からピックアップしてタ
ブにボンディングする。 【効果】 半田箔15を粘着させたままペレット10を
タブにボンディングさせることより、ボンディング面全
体に半田を確実かつ均一に濡れさせることができるた
め、ペレットボンディングの状態をきわめて良好にでき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ペレットボンディ
ング技術、特に、半導体ペレットが基板にボンディング
材料によってボンディングされるペレットボンディング
技術に関し、例えば、半導体装置の製造工程において、
半導体ペレット(以下、ペレットという。)を基板にボ
ンディングするのに利用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、ペレッ
トを基板に固着するペレットボンディング方法として、
次のような半田付け方法が使用されることがある。Sn
−Pb系、Pb−In系等の半田金属によって薄く成形
された半田リボン(ribbon)や半田箔(foi
l)、半田テープ(tape)、半田帯(band)、
半田板(sheet)等の半田材料(以下、半田リボン
という。)が、半田付け対象物であるペレットのサイズ
に対応した大きさに成形(preform)される。こ
の成形半田が母材である基板に供給され、その成形半田
の上にペレットがスクライビイグされながら押し付けら
れるとともに、成形半田が加熱溶融されることにより、
ペレットが基板に半田付け層を介して固着される。
【0003】半田リボンの代わりに金箔を使用して、ペ
レットと基板とを金−シリコン共晶層のボンディング層
によってボンディングするペレットボンディング方法も
使用されている。
【0004】また、基板に塗布された銀ペーストの上に
ペレットが当接されて、銀ペーストによって形成された
ボンディング層によってペレットが基板にボンディング
されるペレットボンディング方法も採用されている。
【0005】トランジスタ等の製造方法においては、半
導体ウエハ(以下、ウエハという。)の裏面に半導体装
置の製造方法における所謂前工程において金材料(金ま
たはその合金)を所定の厚さに蒸着しておき、このウエ
ハが分断されたペレットを基板に押し付けることによっ
て形成される金−シリコン共晶層によってペレットが基
板にボンディングされるペレットボンディング方法も採
用されている。
【0006】なお、ペレットボンディング技術を述べて
ある例としては、株式会社日経BP社1993年5月3
1日発行「VLSIパッケージング技術(下)」P17
〜P22、がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た半田リボンや金箔を使用したペレットボンディング方
法においては、成形半田や金箔を基板に仮止めする必要
があるため、ペレットボンディング装置が複雑になるば
かりでなく、成形寸法や仮止め位置の精度が不適切であ
ると、ボンディング層がペレット周辺部にはみ出し、接
合強度不足が発生してしまう。また、リール状に巻かれ
た半田や金リボンが切断されて成形された成形半田や金
箔は反った形状になることにより、反った成形半田や金
箔と母材との間に密封空間が発生し、この密封空間に空
気やガスが閉じ込められるため、ボンディング層にボイ
ドが発生したり、ボンディング層の濡れ広がりが不均一
になったりするという問題点がある。
【0008】銀ペーストを使用したペレットボンディン
グ方法においては、基板上に銀ペーストを塗布する際に
液だれが発生し導電性異物になるため、絶縁不良が発生
し歩留り低下の原因になるという問題点がある。
【0009】ウエハ裏面に金を蒸着するペレットボンデ
ィング方法においては、蒸着可能な厚さに限界があるた
め、製品によっては接合強度を充分に確保することがで
きないという問題点がある。
【0010】本発明の目的は、以上の問題点を解消する
ことができるペレットボンディング方法を提供すること
にある。
【0011】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0012】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0013】すなわち、半導体ウエハのボンディング面
にボンディング材料が添着され、この半導体ウエハが複
数個の半導体ペレットに分断された後に、分断された半
導体ペレットが基板に前記ボンディング材料によって形
成されるボンディング層によってボンディングされるこ
とを特徴とする。
【0014】前記した手段によれば、予め、ボンディン
グ材料を半導体ペレットのボンディング面に添着させて
おくことができるため、ボンディング層は半導体ペレッ
トのボンディング面全体に確実かつ均一に濡れることに
なり、また、ボンディング層にボイドが発生することも
ない。したがって、ペレットボンディングの状態はきわ
めて良好になる。
【0015】
【発明の実施の形態】図面は本発明の一実施形態である
ペレットボンディング方法の各工程を示す各説明図であ
る。
【0016】本実施形態において、本発明に係るペレッ
トボンディング方法は、スモール・アウトライン・パッ
ケージを備えている半導体集積回路装置(以下、SOP
・ICという。)を製造するペレットボンディング工程
に使用されている。そして、このペレットボンディング
方法のワークとしては、ボンディングの対象物であるペ
レットと、ボンディングされる基板としてのタブを含む
多連リードフレームとがある。まず、ペレットボンディ
ング方法の基板側ワークである多連リードフレームを図
2を参照にして説明する。
【0017】多連リードフレーム1は42アロイ等の鉄
系材料や、無酸素銅等の銅系材料(銅または銅合金)の
ような導電性および熱伝導性の良好な材料が使用されて
プレス加工によって、横長の長方形形状やテープ形状に
一体成形されている。多連リードフレーム1は単位リー
ドフレーム2が一方向に繰り返し形成されて一列に連結
された多連構造に形成されている。単位リードフレーム
2は同一のパターンが繰り返されているため、以下の説
明では原則として単位リードフレーム2について説明す
る。
【0018】単位リードフレーム2は矩形の板形状に形
成された外枠3を一対備えており、各外枠3には位置決
め孔3aが開設されている。両外枠3、3間には一対の
セクション枠4、4が互いに離間されてそれぞれ直交す
るように架設されており、これら外枠3、3、セクショ
ン枠4、4によって長方形の枠体(フレーム)が形成さ
れている。各外枠3の両セクション枠4、4間の中央部
には各タブ吊りリード5がそれぞれ直角に突設されてお
り、両タブ吊りリード5、5の先端間には正方形板形状
のタブ6が吊持されている。
【0019】各外枠3のタブ吊りリード5の両脇には一
対のダム部材7がそれぞれ直交するように架設されてお
り、両ダム部材7、7の内側端辺にはインナリード8が
複数本、先端がタブ6の周囲を取り囲むように配されて
突設されている。また、両ダム部材7、7の外側端辺に
はアウタリード9がインナリード8と同数本、各インナ
リード8にそれぞれ一連となるように配されて突設され
ており、各アウタリード9の外側端は各セクション枠4
にそれぞれ連結されている。両タブ吊りリード5、5が
Z型鋼形状に屈曲されることより、タブ6の高さは後記
するペレットの略厚さ分だけインナリード8の高さより
も低く下げられている。
【0020】他方のワークであるペレット10は半導体
装置の製造工程における所謂前工程において、図1
(a)に示されているウエハ11の状態にて、各ペレッ
ト部について一括的に半導体素子を含む半導体集積回路
を作り込まれる。図1(b)に示されているように、ウ
エハ11のボンディング面である裏面には、後記するボ
ンディング層を形成するボンディング材料としての半田
箔がウエハシートを介して添着される。
【0021】ウエハシート12は塩化ビニール等の柔軟
性を有する樹脂から形成されたシート基材13の片面
(以下、上面という。)に粘着材層14を塗布されて構
成されている。シート基材13の上面における中央部に
は、ボンディング材料としてのロウ材の一例である半田
箔15が粘着材層(以下、第1粘着材層という。)14
によって粘着されている。半田箔15の上面には、ウエ
ハ11に粘着するための粘着材層(以下、第2粘着材層
という。)16が塗布されており、半田箔15の上には
ウエハ11が同心円に配されて裏面が当接されて第2粘
着材層16によって粘着されている。
【0022】半田箔15は融点が所定の温度の半田材料
が使用されて、厚さが約100μmで直径がウエハ11
よりも充分に大きい円形の箔形状に成形されており、ウ
エハシート12に同心円に配されて第1粘着材層14に
よって粘着されている。ちなみに、半田箔の融点は25
0℃に限らず、条件に対応して適宜に設定することが望
ましい。第1粘着層14はアクリル系粘着剤やビニール
エーテル系粘着剤等が使用されて形成されており、紫外
線照射によって粘着強度が低下されるように構成されて
いる。他方の第2粘着材層16はアクリル系粘着剤やビ
ニールエーテル系粘着剤が使用されて形成されており、
紫外線を照射されても粘着強度が低下されないが、半田
箔15の融点以下の加熱によって消失するように構成さ
れている。
【0023】ウエハシート12の上面における外縁辺部
には、内径がウエハ11の直径よりも充分に大径の円形
リング形状に形成されたウエハリング17が当接されて
第1粘着材層14によって粘着されている。ウエハシー
ト12はウエハリング17の内側空間に張設された状態
になっているため、ウエハ11はウエハシート12を介
してウエハリング17に保持された状態になっている。
【0024】以上のように組み立てられた組立体のウエ
ハ11は、ダイシング工程において個々のペレット10
に図1(c)に示されているように分断される。すなわ
ち、ダイシング工程において、ウエハ11にはスクライ
ブラインに沿って切り込み線18が切り込まれて各ペレ
ット10がそれぞれ形成される。この際、図1(c)に
示されているように、切り込み線18がウエハシート1
2のシート基材13の上層部まで切り込まれることによ
って、半田箔15もウエハ11と共に分断される。分断
された各半田箔15は分断された各ペレット10の裏面
に第2粘着材層16によってそれぞれ粘着された状態に
なる。半田箔15が分断される際においては、半田箔1
5はシート基材13とウエハ11との間に密着して挟ま
れた状態で、第1粘着材層14および第2粘着材層16
によって粘着されているため、各ペレット10からずれ
たり剥離したりすることはない。
【0025】ちなみに、ダイシング工程において個々の
ペレット10および半田箔15に分断される際に、シー
ト基材13は分断されないため、分断された個々のペレ
ット10および半田箔15はばらばらになることはな
い。
【0026】以上のようにして組み立てられてペレット
10群が形成された組立体はワークとして、ペレットボ
ンディング工程を実施するペレットボンディング装置の
ピックアップステージに供給される。
【0027】本実施形態に係るペレットボンディング方
法の実施には、図3に示されているペレットボンディン
グ装置20が使用される。ペレットボンディング装置2
0は基板側ワークとしての多連リードフレーム1を一方
向(以下、X方向とする。)にピッチ送りするフィーダ
21を備えており、フィーダ21の両端部には多連リー
ドフレーム1をフィーダ21に供給するためのローディ
ング装置22と、ボンディング済みの多連リードフレー
ム1をフィーダ21から排出するためのアンローディン
グ装置23とがそれぞれ設備されている。
【0028】フィーダ21の中間部にはハンドリング装
置24が設備されている。ハンドリング装置24はスタ
ンド25を備えており、スタンド25には作動ブロック
26が上下動かつ回動するように支持されている。作動
ブロック26には第1アーム27および第2アーム28
が放射状に突設されており、第1アーム27の自由端部
には第1コレット29が取り付けられ、第2アーム28
には第2コレット30が取り付けられている。第1コレ
ット29と第2コレット30とは同一半径の円弧軌道を
それぞれ往復移動するように構成されているとともに、
後述するアライメント装置の地点において互いに折り返
し移動するように構成されている。
【0029】図4に示されているように、第1コレット
29はペレット10をその上面に吸着して保持するよう
に構成されている。図5に示されているように、第2コ
レット30はペレット10をその四角形の上縁に係合し
た状態で真空吸着保持する所謂角錐コレット構造に構成
されている。つまり、第2コレット30は真空吸着保持
した状態で、ペレット10をタブ6に往復動しながら押
接させることができるようになっている。さらに、第2
コレット30の先端部には加熱ヒータ31が内蔵されて
おり、保持したペレット10を加熱することができるよ
うに構成されている。
【0030】ハンドリング装置24のスタンド25の反
対側には、ウエハシート12からペレット10を1個ず
つピックアップするピックアップ装置32が設備されて
いる。ピックアップ装置32はハンドリング装置24の
第1アーム27に取り付けられた第1コレット29の円
弧軌道上に配置されている。ピックアップ装置32はウ
エハリング17をXY方向に移動させるXYテーブル3
3を備えている。XYテーブル33の真下にはウエハシ
ート12に粘着されたペレット10を1個ずつ突き上げ
る突き棒34が設備されている。XYテーブル33の真
上にはペレット10の良否を検出する視覚観測系(図示
せず)が設備されている。
【0031】ピックアップ装置32の片脇にはアライメ
ント装置35が設備されており、アライメント装置35
は第1コレット29の円弧軌道上で、ピックアップ装置
32から第2コレット30側へ寄った第1コレット29
および第2コレット30の折り返し地点に配設されてい
る。アライメント装置35はペレット10の位置を4枚
のブレード36によって機械的にアライメントするよう
に構成されている。
【0032】フィーダ21の中間部にはヒートブロック
37が敷設されており、ヒートブロック37はフィーダ
21のワーク搬送路に対して上下動して多連リードフレ
ーム1のタブ6に当接および離反し得るように構成され
ている。
【0033】次に、前記構成に係るペレットボンディン
グ装置による本発明の一実施形態であるペレットボンデ
ィング方法を説明する。
【0034】ピックアップ装置32において、紫外線3
8がウエハシート12の下方から図4(a)に示されて
いるように照射される。ウエハシート12の下方から照
射された紫外線38はシート基材13を透過して第1粘
着材層14に照射するため、第1粘着材層14の粘着力
は低下する。この際、第1粘着材層14の上には紫外線
38を透過させない半田箔15が粘着されているため、
第2粘着材層16の粘着力は低下しない。なお、紫外線
38の第1粘着材層14への照射は、ピックアップ装置
32において実行するに限らず、他の場所で実行しても
よい。
【0035】ピックアップ装置32において、視覚観測
系の観測に基づいて、XYテーブル33はウエハシート
12の上における良品のペレット10を突き棒34の真
上に位置させる。図4(b)に示されているように、突
き棒34はウエハシート12を下から突いて良品のペレ
ット10を突き上げる。突き上げられたペレット10は
第1コレット29に真空吸着保持されてピックアップさ
れる。この際、第1粘着材層14の粘着力が低下されて
いるため、ペレット10は第1粘着材層14においてウ
エハシート12から剥離されることになる。したがっ
て、ペレット10の裏面には第2粘着材層16によって
半田箔15が添着された状態になる。
【0036】第1コレット29に保持されたペレット1
0は第1アーム27によってアライメント装置35に搬
送され、アライメント装置35に移載される。図4
(c)に示されているように、アライメント装置35に
おいて、ペレット10は四辺に4枚のブレード36をそ
れぞれ突き当てられることによって機械的に位置合わせ
される。アライメント装置35において位置合わせされ
たペレット10は第2コレット30によって真空吸着保
持され、第2アーム28によってフィーダ21に設定さ
れたボンディングステージの真上に搬送される。
【0037】他方、ローディング装置22からフィーダ
21に供給された多連リードフレーム1は、1ピッチず
つ歩進送りされてボンディングステージの位置に達して
間欠停止する。多連リードフレーム1のタブ6がボンデ
ィングステージの位置で間欠停止すると、ヒートブロッ
ク37が図5(a)に示されているように上昇されて、
タブ6に当接することによりタブ6を加熱する。
【0038】続いて、第2コレット30に保持されてボ
ンディングステージに搬送されて来たペレット10が図
5(b)に示されているように下降されて、タブ6の上
にスクライビイングされながら押接される。加熱された
タブ6にペレット10がスクライビイングされながら押
接されると、ペレット10のボンディング面に添着され
た半田箔15は加熱溶融してタブ6の上で濡れ広がる。
この際、半田箔15はペレット10のボンディング面に
添着されているため、加熱溶融しても内部にボイドが発
生することはなく、しかも、ペレット10のボンディン
グ面全体にわたって均一に濡れ広がることになる。ま
た、半田箔15をペレット10に粘着していた第2粘着
材層16は加熱によって消失する。
【0039】図5(c)に示されているように、ペレッ
ト10とタブ6との間にボンディング層としての半田付
け層19が形成されると、第2コレット30が上昇さ
れ、ヒートブロック37が下降される。ペレット10と
タブ6との間に形成された半田付け層19は、内部にボ
イドがなく全体にわたって均一に形成されているため、
ペレット10はタブ6に対して傾くことなく平行に適正
にボンディングされた状態になっている。多連リードフ
レーム1に対する歩進送り動作の間欠停止期間が経過す
ると、多連リードフレーム1はフィーダ21によって歩
進送りされ、次のタブ6がボンディングステージに配置
される。
【0040】以上の作動が同時に進行されることによ
り、多連リードフレーム1の歩進送りに伴って各単位リ
ードフレーム2毎にペレット10が基板としてのタブ6
に半田付け層19を介してボンディングされて行く。
【0041】前記実施形態によれば、次の効果が得られ
る。 ペレットのボンディング面にボンディング層である
半田付け層を形成するための半田箔を予め粘着させてお
くことにより、ペレットのタブへの半田付けに際して、
溶融した半田材層の内部にボイドが発生せず、しかも、
溶融した半田材層がペレットのボンディング面全体にわ
たって均一に濡れ広がるため、ペレットをタブにボンデ
ィングする半田付け層にボイドが発生する現象を防止す
ることができるとともに、ペレットをヘッダに平行にボ
ンディングすることができる。
【0042】 半田付け層にボイドが発生するのを防
止することにより、半田付け層の接着強度の発生や、半
田付け層の機械的強度の低下を防止することができるた
め、ペレットをタブに適正に固着させることができ、T
RSやICの品質および信頼性を高めることができる。
【0043】 ペレットをタブに平行にボンディング
することにより、ボンディング強度を全体にわたって均
一に形成することができるばかりでなく、後工程のワイ
ヤボンディングの精度を高めることができるため、TR
SやICの品質および信頼性を高めることができる。
【0044】 半田箔をペレットのボンディング面に
予め粘着しておくことにより、タブ側のボンディング面
に半田箔を載せたり溶融半田を付着させたりする作業を
省略することができるため、ペレットボンディング装置
を簡単化することができるとともに、ペレットボンディ
ング工程の作業時間を短縮することができる。
【0045】図6は本発明の実施形態2であるペレット
ボンディング方法を示している。
【0046】本実施形態2が前記実施形態1と異なる点
は、図6(a)に示されているように、ダイシング工程
においてウエハと共に半田箔を切断しないで、ペレット
10を所謂ハーフカットとして、半田箔15が切り残さ
れた点である。
【0047】そして、図6(b)に示されているよう
に、セミフルカットされたペレット10群はゴムや樹脂
等によって形成されたブレーキングパッド41に乗せら
れた状態で、ブレーキングローラ42が転動されること
より、シリコンの劈開現象を利用して分断される。この
際、半田箔15にはペレット10の劈開線43に沿って
亀裂等の歪み部44が形成される。
【0048】図6(c)に示されているようにブレーキ
ングされたペレット10が粘着されたウエハシート12
は、図6(d)に示されているように引き伸ばされ、外
周にウエハリング17が粘着されて固定される。ウエハ
シート12が引き伸ばされる際に、半田箔15は歪み部
44において引き千切られるため、各ペレット10の裏
面に第2粘着材層16によって粘着された状態になる。
【0049】以上のようにして裏面に半田箔15が粘着
されたペレット10群はウエハシート12およびウエハ
リング17によって保持された状態で、ペレットボンデ
ィング装置20のピックアップ装置32に供給され、前
記実施形態1と同様にして多連リードフレーム1のタブ
6にペレットボンディングされて行く。
【0050】図7および図8は本発明の実施形態3であ
るペレットボンディング方法を示している。
【0051】本実施形態3が前記実施形態1と異なる点
は、ボンディング材料としてのペーストである銀ペース
ト15Aが使用されており、銀ペースト15Aがカプセ
ル状に形成されてウエハシート12Aに保持されている
点である。
【0052】図7(a)に示されているように、ウエハ
シート12Aのシート基材13の表面にはカプセル状の
銀ペースト15Aが無数に埋め込まれており、その表面
は粘着材層14によって被覆されている。
【0053】このウエハシート12Aにはウエハ11が
図7(b)に示されているように粘着され、ウエハリン
グ17によって保持される。
【0054】そして、ウエハシート12Aがウエハ11
の裏面にローラ等によって強く押し付けられると、図7
(c)に示されているように、銀ペースト15A群はウ
エハ11の裏面に付着した状態になる。
【0055】この状態で、ダイシング工程において、ウ
エハ11が図6(b)に示されているように個々のペレ
ット10に分断されると、ウエハ11の裏面に付着した
銀ペースト15A群は分断された各ペレット10の裏面
にそれぞれ付着した状態になる。この際、ウエハシート
12が粘着されているため、個々のペレット10はばら
ばらになることはない。この状態で、ペレット10群は
ペレットボンディング装置(図3参照)に供給され、ピ
ックアップ装置にセットされる。
【0056】図8(a)に示されているように、紫外線
38がウエハシート12の下方から照射されると、ウエ
ハシート12の下方から照射された紫外線38はシート
基材13を透過して粘着材層14に照射するため、粘着
材層14の粘着力は低下する。この際、ペレット10の
裏面に付着した銀ペースト15Aに紫外線38が照射し
ても、その付着力は低下しない。
【0057】図8(b)に示されているように、突き棒
34がウエハシート12Aを下から突いて良品のペレッ
ト10を突き上げると、突き上げられたペレット10は
第1コレット29に真空吸着保持される。この際、粘着
材層14の粘着力が低下されているため、ペレット10
は粘着材層14においてウエハシート12Aから剥離さ
れるが、銀ペースト15Aの付着力は低下していないた
め、銀ペースト15Aはペレット10の裏面に付着した
状態で、ウエハシート12Aから剥離されることにな
る。したがって、ペレット10の裏面には銀ペースト1
5Aが付着された状態になる。
【0058】第1コレット29によって真空吸着保持さ
れたペレット10はそのままボンディングステージに搬
送され、図8(c)に示されているように、ボンディン
グステージにおいてタブ6の上に下降されて押接され
る。タブ6にペレット10が押接されると、ペレット1
0の裏面に付着された銀ペースト15Aはタブ6の上で
押し広がり、ペレット10とタブ6との間に銀ペースト
15Aによってボンディング層19Aが形成される。
【0059】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0060】例えば、半田箔はウエハの裏面に第2粘着
材層によって粘着するに限らず、極薄い粘着テープを介
して粘着してもよい。
【0061】ボンディング材としての銀ペーストはカプ
セル状に形成してウエハシートに埋め込むに限らず、ウ
エハシートに陥没形成された微小の銀ペースト溜め内に
銀ペーストを充填させてもよい。
【0062】ボンディング層を形成するためのボンディ
ング材としては、半田箔に限らず、金箔や銀箔等の他の
金属箔であってもよいし、他のロウ材であってもよい。
【0063】ボンディング層を形成するためのボンディ
ング材としては、銀ペーストに限らず、半田ペーストや
金ペースト、その他の金属ペーストであってもよい。
【0064】ペレットがボンディングされる基板は、タ
ブに限らず、ヘッダやセラミック基板およびプリント配
線基板等であってもよい。
【0065】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるSOP
・ICのペレットボンディング方法に適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではなく、その
他のICやトランジスタ、チップ形の受動素子等の小物
品(ペレット)についてのペレットボンディング方法全
般に適用することができる。
【0066】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0067】半導体ウエハのボンディング面にボンディ
ング材料を添着しておき、この半導体ウエハが複数個の
半導体ペレットに分断された後に、分断された半導体ペ
レットを基板に前記ボンディング材料によって形成され
るボンディング層によってボンディングさせることによ
り、ボンディング層を半導体ペレットのボンディング面
全体に確実かつ均一に濡れさせることができるため、ペ
レットボンディングの状態をきわめて良好にさせること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態であるペレットボンディン
グ方法のペレット側ワークの準備工程を示しており、
(a)はダイシング前の斜視図、(b)はその正面断面
図、(c)はダイシング後の拡大部分断面図である。
【図2】その基板側ワークである多連リードフレームを
示しており、(a)は一部省略平面図、(b)は一部省
略正面図である。
【図3】本発明の一実施形態であるペレットボンディン
グ方法に使用されるペレットボンディング装置を示す斜
視図である。
【図4】(a)は紫外線照射工程を示す正面断面図、
(b)はピックアップ工程を示す拡大部分断面図、
(c)はアライメント工程を示す拡大部分断面図であ
る。
【図5】ボンディング工程を示す各拡大部分断面図であ
り、(a)は多連リードフレームの供給工程を示し、
(b)はボンディング中を示し、(c)はボンディング
後を示している。
【図6】本発明の実施形態2であるペレットボンディン
グ方法を示しており、(a)はダイシング後の拡大部分
断面図、(b)はブレーキング工程を示す拡大部分断面
図、(c)は引き延ばし前の正面図、(d)は引き延ば
し後の正面断面図である。
【図7】本発明の実施形態3であるペレットボンディン
グ方法のペレット側ワークの準備工程を示しており、
(a)はウエハシートの断面図、(b)はウエハとウエ
ハシート粘着後の正面断面図、(c)はその拡大部分断
面図、(d)はダイシング後の拡大部分断面図である。
【図8】そのボンディング工程を示しており、(a)は
紫外線照射工程を示す正面断面図、(b)はピックアッ
プ工程を示す拡大部分断面図、(c)はボンディング途
中を示す拡大部分断面図である。
【符号の説明】
1…多連リードフレーム、2…単位リードフレーム、3
…外枠、4…セクション枠、5…タブ吊りリード、6…
タブ、7…ダム部材、8…インナリード、9…アウタリ
ード、10…ペレット(半導体ペレット)、11…ウエ
ハ(半導体ウエハ)、12…ウエハシート、12A…銀
ペースト埋め込み形のウエハシート、13…シート基
材、14…第1粘着材層、15…半田箔(ロウ材、ボン
ディング材)、15A…銀ペースト(ペースト)、16
…第2粘着材層、17…ウエハリング、38…切り込み
線、19…半田付け層(ボンディング層)、19A…ボ
ンディング層、20…ペレットボンディング装置、21
…フィーダ、22…ローディング装置、23…アンロー
ディング装置、24…ハンドリング装置、25…スタン
ド、26…作動ブロック、27…第1アーム、28…第
2アーム、29…第1コレット、30…第2コレット、
31…加熱ヒータ、32…ピックアップ装置、33…X
Yテーブル、34…突き棒、35…アライメント装置、
36…ブレード、37…ヒートブロック、38…紫外
線、41…ブレーキングパッド、42…ブレーキングロ
ーラ、43…劈開線、44…歪み部。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハのボンディング面にボンデ
    ィング材料が添着され、この半導体ウエハが複数個の半
    導体ペレットに分断された後に、分断された半導体ペレ
    ットが基板に前記ボンディング材料によって形成される
    ボンディング層によってボンディングされることを特徴
    とするペレットボンディング方法。
  2. 【請求項2】 前記ボンディング材料がロウ材であり、
    ロウ材が前記半導体ウエハのボンディング面に添着さ
    れ、添着された状態で前記半導体ペレットに対応して分
    断されたロウ材が溶融されることによって前記半導体ペ
    レットが前記基板にボンディングされることを特徴とす
    る請求項1に記載のペレットボンディング方法。
  3. 【請求項3】 前記ロウ材が前記半導体ウエハのボンデ
    ィング面とウエハシートとの間に粘着され、前記ウエハ
    シートに保持された状態で前記半導体ペレットに対応し
    て前記ロウ材が分断されることを特徴とする請求項2に
    記載のペレットボンディング方法。
  4. 【請求項4】 前記ロウ材が半田箔であることを特徴と
    する請求項3に記載のペレットボンディング方法。
  5. 【請求項5】 前記ロウ材が金箔であることを特徴とす
    る請求項3に記載のペレットボンディング方法。
  6. 【請求項6】 前記ロウ材が金属箔であることを特徴と
    する請求項3に記載のペレットボンディング方法。
  7. 【請求項7】 前記ボンディング材料がペーストであ
    り、ペーストが前記半導体ウエハのボンディング面に添
    着され、添着された状態で前記半導体ペレットに対応し
    て分断されたペーストによって前記半導体ペレットが前
    記基板にボンディングされることを特徴とする請求項1
    に記載のペレットボンディング方法。
  8. 【請求項8】 前記ペーストが前記半導体ウエハのボン
    ディング面に粘着されたウエハシートに予め保持され、
    分断された前記半導体ペレットが前記ウエハシートから
    取り上げられる時に前記ペーストが前記半導体ペレット
    に添着されることを特徴とする請求項7に記載のペレッ
    トボンディング方法。
  9. 【請求項9】 前記ペーストが前記ウエハシートにカプ
    セル状態で保持されることを特徴とする請求項8に記載
    のペレットボンディング方法。
  10. 【請求項10】 前記ペーストが銀ペーストであること
    を特徴とする請求項7、8または9に記載のペレットボ
    ンディング方法。
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