JP3394667B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ＩＣチップ
とリードフレームあるいはボードのような板状部材とを
接着するのに好適な半導体製造用テープを使用した半導
体装置の製造装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】半導体装置の製造工程の１つに、ダイス
ボンド工程がある。このダイスボンド工程では、半導体
ＩＣチップはリードフレームのパッド部に接着剤を介し
て固着される。半導体ＩＣチップのリードフレームへの
固着に使用される接着剤としては、エポキシ樹脂系のよ
うな液状の熱硬化性接着剤が用いられている。液状の接
着剤がリードフレームのパッド部に滴下され、パッド部
の液状接着剤上に半導体ＩＣチップを載せた状態で、こ
の接着剤の硬化を図るために相互に接合された半導体Ｉ
Ｃチップおよびリードフレームが加熱処理を受け、接着
剤の硬化により、半導体ＩＣチップがリードフレームの
パッド部に固着される。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の製造方法では、熱硬化性接着剤が液状で接合面に滴
下されることから、この液状接着剤の硬化に比較的長い
加熱時間が必要となる。そのため、ダイスボンド工程を
経ることにより相互に接合された半導体ＩＣチップおよ
びリードフレームは、一旦人手により、加熱処理のため
の乾燥炉に収容され、接着剤の硬化後、ダイスボンド工
程に引き続くワイヤボンド工程に送られていた。 【０００４】そのため、従来の製造方法では、乾燥炉か
らの出し入れに人手を要し、人手による取扱いが必要と
なることから、製造効率を十分に高めることは容易では
なかった。乾燥炉への人手による出し入れを不要とする
ために、ダイスボンド工程とワイヤボンド工程とをベル
トコンベアのような移送経路で接続し、この移送経路に
加熱ゾーンを組み込むことが考えられる。 【０００５】しかしながら、液状接着剤の確実かつ完全
な硬化を図るには、加熱温度の上限に強い制限を受ける
半導体製品のための加熱ゾーンの長さが大きくなり、製
造ラインのコンパクト化を妨げる結果となる。また、液
状接着剤を滴下により、接合面に均一に塗布することは
容易ではなく、接着状態にばらつきが見られることがあ
る。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明は、以上の点を解
決するために、熱硬化性接着剤を半硬化状態で接合面に
適用するという基本構想に立脚して、次の構成を採用す
る。 〈構成〉 本発明の半導体製造装置は、半導体ＩＣチップを配置す
るためのパッド部及びＩＣチップの電極に接続されるべ
きリード部を有するリードフレームに対し熱硬化性接着
剤が半硬化状態で付着された接着テープを対向する位置
へ順次繰り出すテープ供給部と、リードフレームのパッ
ド部に接着テープの背面を加熱しながら押し付けて接着
剤をパッド部に転写するヒータブロックとを備え、パッ
ド部上に接着剤を介してＩＣチップを接合するダイスボ
ンダーと、ＩＣチップの接合されたリードフレームを、
ＩＣチップの電極とリード部とを接続するためのワイヤ
ボンダーに送り込むための移送手段と、移送手段により
規定される移送経路に設けられ、移送中に半硬化状態の
接着剤を硬化させるために加熱する加熱装置と、を含む
ことを特徴とする。 【０００７】 【０００８】 【０００９】 【００１０】 【００１１】 【００１２】 【００１３】 【００１４】 【００１５】 【００１６】半導体製造装置のダイスボンダーにより、
リードフレームのパッド部に転写された熱硬化性接着剤
は、既に半硬化状態であり、この半硬化状態の接着剤は
移送手段を経る間に加熱されることにより、比較的短時
間で硬化される。従って、移送手段に組み込まれる加熱
装置の加熱ゾーンの長大化を招くことなく、しかも出し
入れに人手を要する格別な加熱炉を用いることなく、接
合された半導体ＩＣチップおよび板状部材間の接着剤の
迅速な硬化を図り、これにより両者を強固に固着するこ
とができる。 【００１７】 【００１８】 【００１９】 【００２０】 【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
について説明する。 〈具体例〉図１は、本発明に係る半導体製造用テープを
用いて半導体装置を製造する半導体製造装置の一具体例
を概略的に示す斜視図である。図１に示された半導体製
造装置の説明に先だって、この半導体製造装置によって
製造される半導体装置およびそれに使用される半導体製
造用テープ及びその接着剤について、説明する。 【００２１】図２は、半導体装置の形成のために、半導
体ＩＣチップに組み合わされる板状部材の一例であるリ
ードフレームを部分的に示す平面図である。板状部材で
あるリードフレーム１０は、多数の半導体ＩＣチップ１
１のそれぞれに対応する各フレーム領域部分１２が連続
的に打ち抜き形成された従来よく知られた金属板からな
る。各フレーム領域部分１２には、その中央部に位置
し、対応する半導体ＩＣチップ１１が載置されるパッド
部１２ａと、パッド部１２ａの両側に整列された多数の
リード部１２ｂとが設けられている。各リード部１２ｂ
は、そのパッド部１２ａに対向する自由端と反対側の端
部で、列毎に連結部１２ｃを介して相互に連結されてい
る。 【００２２】半導体装置の製造に際し、ダイスボンド工
程でパッド部１２ａに接着剤を介して半導体ＩＣチップ
１１がその電極１１ａを上面にして当接して配置され、
接着剤の硬化後、ワイヤボンド工程で対応する電極１１
ａとリード部１２ｂとがそれぞれワイヤ１３で接続され
る。ワイヤボンド工程後のモールド工程では、半導体Ｉ
Ｃチップ１１、ワイヤ１３、さらにはこのワイヤ１３と
リード部１２ｂとの接続部を覆って、合成樹脂材料１４
により一体的にパッケージ化が図られる。その後、各フ
レーム領域部分１２が分離され、さらに各リード部１２
ｂの分離のために連結部１２ｃが除去されることによ
り、半導体装置の一つである、いわゆるムカデ足状の半
導体素子が形成される。 【００２３】前記したダイスボンド工程で、パッド部１
２ａと、半導体ＩＣチップ１１との接着に用いられる接
着剤は、熱硬化性接着剤である。この熱硬化性接着剤
は、常温では硬化しない例えば熱硬化性エポキシ樹脂材
料、この樹脂材料が加熱されたとき、その硬化を促進さ
せるための硬化促進剤、容量の増大を図るための充填剤
およびこれらを溶かす有機溶剤からなる従来よく知られ
た接着剤を用いることができる。 【００２４】図３は、熱硬化性接着剤の硬化特性を示す
グラフである。横軸は硬化時間（秒）を示し、縦軸は硬
化反応率（％）をそれぞれ示す。特性線Ａ、Ｂ、Ｃおよ
びＤは、それぞれ硬化時の環境温度をパラメータとした
硬化特性線であり、特性線Ａが１５０℃で硬化させたと
きの特性を表し、特性線Ｂが１４０℃、特性線Ｃが１３
０℃、特性線Ｄが１２０℃のときのそれぞれの硬化特性
を表す。この液状接着剤の硬化時の環境温度が１５０℃
では、液状接着剤が硬化して１００％の硬化反応率を示
す迄に、約６０秒を要する。この所要時間は、環境温度
の低下に伴って増大する。これとは逆に、接着剤の硬化
時の環境温度を上昇させることによって、接着剤の硬化
に要する時間を更に短縮させることができる。しかしな
がら、接着剤を半導体ＩＣチップ１１の接着に適用する
上で、半導体ＩＣチップ１１の保護の観点から、これ以
上の高温は望ましくない。 【００２５】そこで、環境温度のさらなる上昇を招くこ
となく、接着剤を接合面に適用してからこの接着剤が硬
化するまでの所要時間の短縮化を図るために、前記液状
接着剤を半硬化状態でリードフレーム１０のパッド部１
２ａと半導体ＩＣチップ１１との接合面に適用する。 【００２６】図３のグラフの特性線Ａに示されるとお
り、例えば、環境温度が１５０℃のとき、前記接着剤が
５０％の硬化反応率を示す程度に予め半硬化させると、
この半硬化状態の接着剤が１００％の硬化反応率を示す
までに要する所要時間は、液状から１００％の硬化反応
率に至るに必要な所要時間である６０秒の半値である３
０秒に短縮できる。また、同様に、前記接着剤が７５％
の硬化反応率を示す程度に予め半硬化させると、この半
硬化状態の接着剤が１００％の硬化反応率を示すまでに
要する所要時間は、６０秒の１／３の値である２０秒に
短縮できる。 【００２７】前記接着剤の５０％の硬化反応率では、該
接着剤はその内部に前記溶剤を十分に含みかつ表面で溶
剤がほぼ蒸発し切った状態にある。また、前記接着剤の
７５％の硬化反応率では、該接着剤は、その硬化促進剤
が硬化し始める状態にある。硬化反応率が５０〜７５％
の範囲では、接着剤の表面は強いべたつきを生じること
はなく、すなわち押圧力を作用させなければ格別な剥離
力を必要とせず、しかも適度な押圧力を一時的に付与す
ることにより適度な付着力を発揮する。この半硬化状態
の接着剤は、短縮された所定時間の加熱処理により、従
来におけると同様な硬化状態におかれる。 【００２８】半硬化状態の前記接着剤を直接に接合面に
付着させることができるが、この接着剤を転写可能に保
持するテープ部材と組み合わせた接着テープを作り、こ
の接着テープから接着剤を所定の接合面に転写させるこ
とが、半硬化状態の接着剤の適用に容易かつ便利であ
る。 【００２９】図４は、本発明に係る半導体製造用接着テ
ープの製造方法の一例を示す製造工程図である。この図
４に示す製造工程は、一般の印刷技術に用いられている
スクリーン印刷法を適用した例である。テープ製造装置
１５は、図４（ａ）に示されているように、テープ繰り
出しリール１６と、この繰り出しリール１６から繰り出
されるフィルム状のテープ部材１７を巻き取る巻き取り
リール１８とを備える。テープ部材１７は、耐熱性およ
び可撓性を有し、半硬化状態の接着剤を剥離させ易い例
えばテフロン系のような合成樹脂材料を適宜選択するこ
とができる。繰り出しリール１６の近傍には、走行する
テープ部材１７の下方に位置するスクリーン印刷台１９
が配置されており、巻き取りリール１８の近傍には、加
熱ゾーンを規定するトンネル炉２０がテープ部材１７を
取り巻いて配置されている。 【００３０】巻き取りリール１８は、繰り出しリール１
６から所定量のテープ部材１７を順次巻き取るように、
間欠的に巻き取り動作する。この巻き取りリール１８の
間欠的な巻き取り動作の休止時にこれと同期的に、スク
リーン印刷台１９上で、接着剤２４をテープ部材１７上
に塗布するために、スクリーン印刷台１９の上方には、
型板である例えばステンレス板からなるマスク２１が配
置されている。 【００３１】マスク２１には、多数の接着剤用の透孔２
２が所定の間隔をおいて形成されており、このマスク２
１上には、所定量の液状の熱硬化性接着剤をマスク２１
上に周期的に供給するためのシリンジ２３が配置されて
いる。シリンジ２３は、図４（ａ）に示された下方位置
で、マスク２１上に所定量の液状の熱硬化性接着剤２４
を供給した後、このシリンジ２３近傍に位置するスキー
ジ板２５の運動を妨げない上方位置に周期的に移動す
る。 【００３２】図４（Ｂ）に示すように、シリンジ２３が
上方位置に後退すると、スキージ板２５がマスク２１の
一端から他端へ向けてマスク２１上を移動する。このシ
リンジ２３の運動により、マスク２１上に供給された接
着剤２４はマスク２１上で引き延ばされて、順次、透孔
２２から下方のテープ部材１７上に掃き出される。この
スキージ板２５のスキージ作用すなわち掃き出し作用に
より、接着剤２４は所定の間隔でテープ部材１７に塗布
されると、図４（Ｃ）に示すように、スキージ板２５は
原位置に復帰する。このとき、巻き取りリール１８は、
テープ部材１７の接着剤２４が塗布された部分を先に進
めるために、所定量のテープ部材１７を巻き取る。 【００３３】テープ製造装置１５は、図４（Ａ）ないし
図４（Ｃ）に示された動作を繰り返すことにより、テー
プ部材１７の所定量域に液状の熱硬化性接着剤２４を順
次塗布する。また、テープ部材１７の接着剤２４が塗布
された部分は、トンネル炉２０により規定される加熱ゾ
ーンを経て、巻き取りリール１８に巻き取られる。 【００３４】テープ部材１７に塗布された液状の接着剤
２４は、トンネル炉２０を経ることにより、加熱されて
硬化反応率が５０〜７５％を示す半硬化状態におかれ
る。この半硬化状態におかれた接着剤２４は、その表面
に不要なべた付きを生じることはなく、テープ部材１７
に付着力により保持された状態で巻き取りリール１８に
より好適に巻き取られる。このテープ部材１７の巻き取
りにより、テープ部材１７と、テープ部材１７により転
写可能に保持された半硬化状態の熱硬化性接着剤２４と
からなる半導体製造用テープを効率的に製造することが
できる。 【００３５】トンネル炉２０による接着剤２４の加熱工
程では、半導体ＩＣチップ１１が関連しないことから、
トンネル炉２０の温度設定をテープ部材１７の耐熱性を
損なうことなくしかも硬化反応率の設定を困難にしない
範囲で、適宜選択することができ、従って、１５０℃よ
りも高い温度に設定することができる。 【００３６】テープ部材１７の所定量域に液状の接着剤
２４を塗布するために、前記したスクリーン印刷法に代
えて、例えば、液状の接着剤のような転写物をパットに
吸着させて、このパットをテープ部材１７に押し付けて
転写物をテープ部材１７に塗布する、いわゆるパットプ
リント法を適用することができる。しかしながら、スク
リーン印刷法では、マスク２１の板厚、透孔２２の形状
等に応じてマスク２１を選択することにより、接着剤領
域の所望形状、所望面積およびそれらの所望配置を比較
的容易にしかも簡単に実現できることから、このスクリ
ーン印刷法を採用することが望ましい。 【００３７】図１に示された半導体製造装置２６は、前
記した半導体製造用テープを使用して半導体装置を製造
するための装置である。半導体製造装置２６は、図２に
示したリードフレーム１０のパッド部１２ａに半導体Ｉ
Ｃチップ１１を接合するためのダイスボンダー２７と、
半導体ＩＣチップ１１の電極１１ａとこれに対応する各
リード部１２ｂとをワイヤ１３で接続するワイヤボンダ
ー２８と、これらの一体化を図るモールド工程のための
モールド２９とを備える。これらダイスボンダー２７、
ワイヤボンダー２８およびモールド２９は、自動間欠搬
送手段であるコンベア装置３０により、連結されてい
る。 【００３８】コンベア装置３０のダイスボンダー２７側
の一端には、リードフレーム１０を収容するストッカー
３１が配置され、このストッカー３１に収容されたリー
ドフレーム１０は、プッシャー３２の押し出し操作によ
り、コンベア装置３０の間欠動作に同期して、コンベア
装置３０上に順次押し出される。コンベア装置３０上に
押し出されたリードフレーム１０は、このコンベア装置
３０により、ダイスボンダー２７に向けて送られる。 【００３９】ダイスボンダー２７には、このダイスボン
ダー２７に送られるリードフレーム１０の各パッド部１
２ａに、順次、前記した半硬化状態の接着剤２４および
これを転写可能に保持するテープ部材１７からなる半導
体製造用テープ３３を繰り出すテープ供給装置３４が組
み込まれている。テープ供給装置３４は、巻き取りリー
ル１８の半導体製造用テープ３３をコンベア装置３０の
移送方向を横切って配置されたテープ巻き取り部３５へ
向けて間欠的に送り出す。この送り出しにより、巻き取
りリール１８の半導体製造用テープ３３は、その接着剤
２４が下方に位置するパッド部１２ａに対向するよう
に、順次、繰り出される。 【００４０】この繰り出された半導体製造用テープ３３
の接着剤２４を下方のパッド部１２ａに転写するための
ヒータブロック３６がテープ供給装置３４に組み込まれ
ている。ヒータブロック３６は、コンベア装置３０およ
び繰り出される半導体製造用テープ３３上で先端を上下
方向へ往復運動する揺動アームに、該揺動アームの端部
で固定されている。従って、ヒータブロック３６は、接
着剤２４を保持する半導体製造用テープ３３のテープ部
材１７の背面から接着剤２４を加熱しかつこの接着剤２
４を転写面であるパッド部１２ａに押し付け可能に、コ
ンベア装置３０上のリードフレーム１０に向けておよび
これから相離れる方向へ向けて、往復運動する。 【００４１】図５は、ヒータブロック３６による接着剤
２４の転写工程を説明する工程図である。図５（Ａ）に
示されているように、コンベア装置３０上のリードフレ
ーム１０のパッド部１２ａが所定位置に移送され、この
パッド部１２ａに対向する位置に半導体製造用テープ３
３の接着剤２４が繰り出されると、半導体製造用テープ
３３の上方に保持されていたヒータブロック３６は、図
５（Ｂ）に示されているように、半導体製造用テープ３
３の背面から半硬化状態の接着剤２４をパッド部１２ａ
に向けて押圧し、これと同時に接着剤２４を例えば１０
０℃〜１２０℃の温度で加熱する。 【００４２】このヒータブロック３６の加熱を伴う押圧
作用により、半導体製造用テープ３３のテープ部材１７
に保持されていた接着剤２４は、図５（Ｃ）に示されて
いるようにパッド部１２ａに転写される。このヒータブ
ロック３６の上方への後退と同期的に新たなパッド部１
２ａおよび新たな接着剤２４が順次この転写工程のため
に繰り出され、以下、図５（Ａ）ないし図５（Ｃ）の工
程の繰り返しにより、各リードフレーム１０のパッド部
１２ａに半硬化状態の接着剤２４が順次転写される。 【００４３】再び、図１を参照するに、テープ供給装置
３４およびこれに組み込まれたヒータブロック３６によ
って接着剤２４の転写を受けたリードフレーム１０の各
パッド部１２ａには、ダイスボンダー２７に組み込まれ
た従来におけると同様なボンドステーションで、ウエハ
３８から切り出された各半導体ＩＣチップ１１が載せら
れる。この半導体ＩＣチップ１１が組み込まれたリード
フレーム１０は、そのパッド部１２ａとこのパッド部１
２ａ上の半導体ＩＣチップ１１との間に、半硬化状態の
熱硬化性接着剤２４を介在させて相互に接合された状態
で、コンベア装置３０上をワイヤボンダー２８に向けて
移送される。 【００４４】このワイヤボンダー２８への移送路中に、
熱硬化性接着剤２４の完全な硬化を図るために、コンベ
ア装置３０の移送経路におけるダイスボンダー２７とワ
イヤボンダー２８との間に、図４に示したと基本的に同
様な構造の加熱炉３９が加熱装置として組み込まれてい
る。この加熱炉３９は、コンベア装置３０を取り巻く所
定量域を、例えば１２０℃〜１５０℃の間の適正な温度
に保持する。 【００４５】この加熱炉３９による加熱ゾーンを通過す
る接着剤２４は、予め半硬化状態におかれていることか
ら、従来に比較して極めて短時間でこの接着剤２４を完
全に硬化させてその硬化反応率を１００％至らしめるこ
とができる。従って、加熱炉３９による加熱ゾーンの長
大化を招くことなく、この加熱ゾーンをコンベア装置３
０による移送経路に組み込むことが可能となる。 【００４６】加熱炉３９を経た接着剤２４は、完全に硬
化され、この接着剤２４を介して相互に固着された半導
体ＩＣチップ１１およびリードフレーム１０の各リード
部１２ｂは、ワイヤボンダー２８によるボンドステーシ
ョンで、図２に示したようなワイヤ１３により接続さ
れ、引き続き、モールド２９のモールドステーション
で、合成樹脂材料１４によりパッケージ化が図られる。
その後、先に説明したとおり、各フレーム領域部分１２
が分離され、さらに各リード部１２ｂの分離のために連
結部１２ｃが除去されることにより、半導体装置の一つ
である、ＩＣパッケージが完成する。 【００４７】本発明の半導体製造装置２６では、リード
フレーム１０のパッド部１２ａに適用される接着剤２４
が従来のように液状ではなく、半硬化状態であることか
ら、比較的短時間の加熱処理により、接着剤２４を完全
に硬化させることができる。従って、接着剤２４をより
均一に塗布し、またこの接着剤の硬化のために従来のよ
うな長時間の加熱処理が不要となり、半導体装置の製造
工程の簡素化および効率化を図ることが可能となる。 【００４８】また、本発明の半導体製造装置２６では、
ダイスボンダー２７とこれに引き続くワイヤボンダー２
８とをコンベア装置３０からなる１つの移送経路で結合
し、この移送経路中に加熱ゾーン（３９）を形成するこ
とにより、コンパクトな完全自動化製造ラインを組むこ
とが可能となる。 【００４９】具体例について説明したところでは、加熱
ゾーンを形成する加熱手段として、加熱炉の例を示した
が、この加熱ゾーンの形成のためにエアヒータ等の種々
の加熱手段を選択することができる。また、コンベア装
置３０による移送経路に設けられる加熱ゾーンの温度設
定が１５０℃の例について説明したが、半導体ＩＣチッ
プ１１の熱劣化を招かない範囲で、この温度設定を適宜
調整することができる。 【００５０】また、接着剤についてもエポキシ樹脂系以
外の熱硬化性樹脂材料を主原料とする種々の熱硬化性接
着剤を適用することができる。さらに、半硬化接着剤を
テープ部材に塗布する方法として、スクリーン印刷法、
パットプリント法以外の方法を適用することができる。
この半硬化状接着剤をテープ部材を経て接合面に転写す
ることに代えて、直接接合面に接着剤を半硬化状態で適
用することができる。しかしながら、接合面により確実
かつ均一に半硬化状態の接着剤を適用する上で、具体例
に示したような接着用テープを用いることが望ましい。 【００５１】本発明の半導体製造用テープおよびこのテ
ープを用いた半導体製造装置は、プリント配線が施され
た絶縁基板を板状部材として、この絶縁基板上にＩＣチ
ップを搭載したいわゆるチップオンボードの半導体装置
の製造における絶縁基板とＩＣチップとの接着の他、種
々の半導体装置の製造工程での接着に適用することがで
きる。 【００５２】 【発明の効果】本発明によれば、前記したように、熱硬
化性接着剤は、半硬化状態で接合面に付着されることか
ら、接着剤の硬化のための加熱工程での加熱処理時間の
短縮化を図ることができる。 【００５３】また、半硬化状態の接着剤の接合面への付
着のために、熱硬化性接着剤が予め半硬化状態で保持さ
れた接着テープを使用することにより、迅速かつ均一な
接着剤の塗布が可能となり、本発明の半導体製造方法を
好適に実施することができる。 【００５４】尚、テープ部材に液状接着剤を塗布した
後、この塗布された接着剤を加熱することにより、接着
剤を比較的容易に適正な半硬化状態におくことができ、
これにより、均質な半導体製造用接着テープを容易に製
造することができる。 【００５５】さらに、本発明の半導体製造装置によれ
ば、ダイスボンド工程と、これに引き続く加工工程との
間をコンベアのような移送手段により接続し、この移送
手段による移送経路に加熱装置を組み込むことにより、
この加熱装置による加熱ゾーンの長大化を招くことな
く、コンパクトな自動製造ラインを組むことが可能とな
り、これにより半導体製造効率の向上を図ることが可能
となる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明に係る半導体製造装置を概略的に示す斜
視図である。 【図２】本発明に係るリードフレームを部分的に示す平
面図である。 【図３】本発明に係る熱硬化性接着剤の硬化特性を示す
グラフである。 【図４】本発明に係る半導体製造用テープの製造工程を
示す工程図である。 【図５】図１に示した半導体製造装置のダイスボンダー
による接着剤の転写工程を示す工程図である。 【符号の説明】 １０ 板状部材（リードフレーム） １１ 半導体ＩＣチップ １７ テープ部材 ２１ 型板（マスク） ２４ 接着剤 ２７ ダイスボンダー ３０ 移送手段（コンベア装置） ３３ 半導体製造用テープ ３４ テープ供給装置 ３９ 加熱装置（加熱炉）

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】【請求項１】 半導体ＩＣチップを配置するためのパッ
   ド部及び前記ＩＣチップの電極に接続されるべきリード
   部を有するリードフレームに対し熱硬化性接着剤が半硬
   化状態で付着された接着テープを対向する位置へ順次繰
   り出すテープ供給部と、前記リードフレームのパッド部
   に前記接着テープの背面を加熱しながら押し付けて前記
   接着剤を前記パッド部に転写するヒータブロックとを備
   え、前記パッド部上に前記接着剤を介して前記ＩＣチッ
   プを接合するダイスボンダーと、 前記ＩＣチップの接合されたリードフレームを、該ＩＣ
   チップの前記電極と前記リード部とを接続するためのワ
   イヤボンダーに送り込むための移送手段と、 該移送手段により規定される移送経路に設けられ、移送
   中に前記半硬化状態の接着剤を硬化させるために加熱す
   る加熱装置と、 を含むことを特徴とする半導体製造装置。