JP4574980B2 - 半導体装置の製造方法、研削用補強部材、及びその貼り付け方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法、研削用補強部材、及びその貼り付け方法 Download PDFInfo
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Description
本発明の半導体装置の製造方法は、(1)平坦面と平坦面に形成された複数の凹部とを有する補強部材を準備し、(2)所定雰囲気圧力下で、少なくとも一方の面に半導体素子が形成された半導体ウェハを、その素子形成面が前記平坦面に密着するように設置し、(3)雰囲気圧力を高くして凹部内圧力と雰囲気圧力との差により、半導体ウェハを補強部材に吸着させ、(4)その状態で半導体ウェハに所望の加工を施し、(5)加工された半導体ウェハを補強部材から取り外す工程からなる。
本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第1の実施形態に係る製造方法において、工程(2)の前に、半導体ウェハの素子形成面に、半導体ウェハのダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程を備え、工程(4)が、補強部材を貼り付けた面に対向する面から半導体ウェハを研削し、半導体ウェハの厚さを前記溝に達するまで減少させることにより、半導体ウェハをダイシングする工程である。
本発明は、別の観点から見ると、(1)平坦面と平坦面に形成された複数の凹部とを有する補強部材を準備し、(2)所定雰囲気圧力下で、半導体ウェハをその表面が前記平坦面に密着するように設置し、(3)雰囲気圧力を高くして凹部内圧力と雰囲気圧力との差により、半導体ウェハを補強部材に吸着させる工程からなる半導体ウェハと補強部材との貼り付け方法を提供するものである。
本発明は、別の観点から見ると、(1)第3の実施形態に係る半導体ウェハと補強部材との貼り付け方法を用いて半導体ウェハに補強部材を貼り付け、(2)補強部材を貼り付けた面に対向する面から半導体ウェハを研削する工程を備える半導体ウェハの研削方法を提供するものである。各工程、構成要素についての説明は、上述した通りである。
本発明は、別の観点から見ると、(1)第4の実施形態に係る半導体ウェハの研削方法を用いて半導体ウェハの厚さを減少させ、(2)半導体ウェハに補強部材を貼り付けた状態で、別の工程に半導体ウェハを搬送する工程を備える半導体ウェハの搬送方法を提供するものである。各工程、構成要素についての説明は、上述した通りである。
3、33:凹部
11、51:半導体ウェハ
13、53:素子形成面
14、54:半導体ウェハの裏面
14a、54a:裏面研削後の半導体ウェハの裏面
15、55:テープ基材
17、57:粘着層
19、59:保護粘着テープ
21、61:ダイシングテープ
23、63:金属キャリア
25:接着フィルム
27:電極
29:溝
35:フィルム基材
37:粘着層
39:粘着フィルム
71:従来の剛性の大きい補強部材
73:粘着層
Claims (11)
- (1)平坦面と平坦面に形成された複数の凹部とを有する補強部材を準備し、半導体ウェハの素子形成面に弾性変形可能なフィルムを貼り付け、(2)大気圧よりも低い10Pa〜50kPaの低圧力雰囲気下で、半導体ウェハを前記フィルムの表面が前記平坦面に一様に接触するように載置して加圧装置で押圧し、(3)雰囲気圧力を大気圧まで高くして凹部内圧力と雰囲気圧力との差により、半導体ウェハを補強部材に吸着させ、(4)その状態で半導体ウェハに所望の加工を施し、(5)雰囲気圧力を凹部内の圧力以下にし、加工された半導体ウェハを補強部材から取り外す工程からなる半導体装置の製造方法。
- 補強部材が第1及び第2部材からなり、第1部材が前記平坦面とその対向面とを有すると共に平坦面から対向面へ貫通する複数の貫通孔を有し、第2部材が複数の貫通孔を塞いで前記凹部を形成するように前記対向面に設置される請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1及び第2部材とが接着されてなる請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 工程(4)は、その状態で、補強部材を貼り付けた面に対向する面から半導体ウェハを研削する工程である請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 工程(5)の後に、半導体ウェハをダイシングする工程をさらに備える請求項1から4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 工程(2)の前に、半導体ウェハの素子形成面に、半導体ウェハのダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程を備え、工程(4)が、補強部材を貼り付けた面に対向する面から半導体ウェハを研削し、半導体ウェハの厚さを前記溝に達するまで減少させることにより、半導体ウェハをダイシングする工程である請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- (1)平坦面と平坦面に形成された複数の凹部とを有する補強部材を準備し、半導体ウェハの素子形成面に弾性変形可能なフィルムを貼り付け、(2)10Pa〜50kPaの低圧力雰囲気下で、半導体ウェハを前記フィルムの表面が前記平坦面に一様に接触するように載置して加圧装置で押圧し、(3)雰囲気圧力を大気圧まで高くして凹部内圧力と雰囲気圧力との差により、半導体ウェハを補強部材に吸着させる工程からなる半導体ウェハと補強部材との貼り付け方法。
- 補強部材が第1及び第2部材からなり、第1部材が前記平坦面とその対向面とを有すると共に平坦面から対向面へ貫通する複数の貫通孔を有し、第2部材が複数の貫通孔を塞いで前記凹部を形成するように前記対向面に設置される請求項7に記載の貼り付け方法。
- 第1及び第2部材とが接着されてなる請求項8に記載の貼り付け方法。
- (1)請求項7から9のいずれか1つに記載の半導体ウェハと補強部材との貼り付け方法を用いて半導体ウェハに補強部材を貼り付け、(2)補強部材を貼り付けた面に対向する面から半導体ウェハを研削する工程を備える半導体ウェハの研削方法。
- (1)請求項10に記載の半導体ウェハの研削方法を用いて半導体ウェハの厚さを減少させ、(2)半導体ウェハに補強部材を貼り付けた状態で、別の工程に半導体ウェハを搬送する工程を備える半導体ウェハの搬送方法。
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Citations (2)
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