JP2005175207A - 半導体装置の製造方法、研削用補強部材、及びその貼り付け方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法、研削用補強部材、及びその貼り付け方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005175207A JP2005175207A JP2003413245A JP2003413245A JP2005175207A JP 2005175207 A JP2005175207 A JP 2005175207A JP 2003413245 A JP2003413245 A JP 2003413245A JP 2003413245 A JP2003413245 A JP 2003413245A JP 2005175207 A JP2005175207 A JP 2005175207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- reinforcing member
- flat surface
- semiconductor
- grinding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
粘着層の粘着力を利用することなく、容易に着脱可能な補強部材の貼り付け方法を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、(1)平坦面と平坦面に形成された複数の凹部3とを有する補強部材1を準備し、(2)所定雰囲気圧力下で、少なくとも一方の面に半導体素子が形成された半導体ウェハ11を、その素子形成面13が前記平坦面に密着するように設置し、(3)雰囲気圧力を高くして凹部3内圧力と雰囲気圧力との差により、半導体ウェハ11を補強部材1に吸着させ、(4)その状態で半導体ウェハ11に所望の加工を施し、(5)加工された半導体ウェハを補強部材1から取り外す工程からなる。
【選択図】図2
Description
本発明の半導体装置の製造方法は、(1)平坦面と平坦面に形成された複数の凹部とを有する補強部材を準備し、(2)所定雰囲気圧力下で、少なくとも一方の面に半導体素子が形成された半導体ウェハを、その素子形成面が前記平坦面に密着するように設置し、(3)雰囲気圧力を高くして凹部内圧力と雰囲気圧力との差により、半導体ウェハを補強部材に吸着させ、(4)その状態で半導体ウェハに所望の加工を施し、(5)加工された半導体ウェハを補強部材から取り外す工程からなる。
本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第1の実施形態に係る製造方法において、工程(2)の前に、半導体ウェハの素子形成面に、半導体ウェハのダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程を備え、工程(4)が、補強部材を貼り付けた面に対向する面から半導体ウェハを研削し、半導体ウェハの厚さを前記溝に達するまで減少させることにより、半導体ウェハをダイシングする工程である。
本発明は、別の観点から見ると、(1)平坦面と平坦面に形成された複数の凹部とを有する補強部材を準備し、(2)所定雰囲気圧力下で、半導体ウェハをその表面が前記平坦面に密着するように設置し、(3)雰囲気圧力を高くして凹部内圧力と雰囲気圧力との差により、半導体ウェハを補強部材に吸着させる工程からなる半導体ウェハと補強部材との貼り付け方法を提供するものである。
本発明は、別の観点から見ると、(1)第3の実施形態に係る半導体ウェハと補強部材との貼り付け方法を用いて半導体ウェハに補強部材を貼り付け、(2)補強部材を貼り付けた面に対向する面から半導体ウェハを研削する工程を備える半導体ウェハの研削方法を提供するものである。各工程、構成要素についての説明は、上述した通りである。
本発明は、別の観点から見ると、(1)第4の実施形態に係る半導体ウェハの研削方法を用いて半導体ウェハの厚さを減少させ、(2)半導体ウェハに補強部材を貼り付けた状態で、別の工程に半導体ウェハを搬送する工程を備える半導体ウェハの搬送方法を提供するものである。各工程、構成要素についての説明は、上述した通りである。
3、33:凹部
11、51:半導体ウェハ
13、53:素子形成面
14、54:半導体ウェハの裏面
14a、54a:裏面研削後の半導体ウェハの裏面
15、55:テープ基材
17、57:粘着層
19、59:保護粘着テープ
21、61:ダイシングテープ
23、63:金属キャリア
25:接着フィルム
27:電極
29:溝
35:フィルム基材
37:粘着層
39:粘着フィルム
71:従来の剛性の大きい補強部材
73:粘着層
Claims (23)
- (1)平坦面と平坦面に形成された複数の凹部とを有する補強部材を準備し、(2)所定雰囲気圧力下で、少なくとも一方の面に半導体素子が形成された半導体ウェハを、その素子形成面が前記平坦面に密着するように設置し、(3)雰囲気圧力を高くして凹部内圧力と雰囲気圧力との差により、半導体ウェハを補強部材に吸着させ、(4)その状態で半導体ウェハに所望の加工を施し、(5)加工された半導体ウェハを補強部材から取り外す工程からなる半導体装置の製造方法。
- 補強部材が第1及び第2部材からなり、第1部材が前記平坦面とその対向面とを有すると共に平坦面から対向面へ貫通する複数の貫通孔を有し、第2部材が複数の貫通孔を塞いで前記凹部を形成するように前記対向面に設置される請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1及び第2部材とが接着されてなる請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 工程(2)の前に、半導体ウェハの素子形成面に弾性変形可能なフィルムを貼り付ける工程を備える請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 工程(4)は、その状態で、補強部材を貼り付けた面に対向する面から半導体ウェハを研削する工程である請求項1から4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 工程(5)の後に、半導体ウェハをダイシングする工程をさらに備える請求項1から5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 工程(2)の前に、半導体ウェハの素子形成面に、半導体ウェハのダイシングラインに沿って所定の深さの溝を形成する工程を備え、工程(4)が、補強部材を貼り付けた面に対向する面から半導体ウェハを研削し、半導体ウェハの厚さを前記溝に達するまで減少させることにより、半導体ウェハをダイシングする工程である請求項1から4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 所定雰囲気圧力下は、10Pa〜50kPa程度の雰囲気圧力下である請求項1から7のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- (1)平坦面と平坦面に形成された複数の凹部とを有する補強部材を準備し、(2)所定雰囲気圧力下で、半導体ウェハをその表面が前記平坦面に密着するように設置し、(3)雰囲気圧力を高くして凹部内圧力と雰囲気圧力との差により、半導体ウェハを補強部材に吸着させる工程からなる半導体ウェハと補強部材との貼り付け方法。
- 補強部材が第1及び第2部材からなり、第1部材が前記平坦面とその対向面とを有すると共に平坦面から対向面へ貫通する複数の貫通孔を有し、第2部材が複数の貫通孔を塞いで前記凹部を形成するように前記対向面に設置される請求項9に記載の貼り付け方法。
- 第1及び第2部材とが接着されてなる請求項10に記載の貼り付け方法。
- 工程(2)の前に、半導体ウェハの表面に弾性変形可能なフィルムを貼り付ける工程を備える請求項9から11のいずれか1つに記載の貼り付け方法。
- 所定雰囲気圧力下は、10Pa〜50kPa程度の雰囲気圧力下である請求項9から12のいずれか1つに記載の貼り付け方法。
- (1)請求項9から13のいずれか1つに記載の半導体ウェハと補強部材との貼り付け方法を用いて半導体ウェハに補強部材を貼り付け、(2)補強部材を貼り付けた面に対向する面から半導体ウェハを研削する工程を備える半導体ウェハの研削方法。
- (1)請求項14に記載の半導体ウェハの研削方法を用いて半導体ウェハの厚さを減少させ、(2)半導体ウェハに補強部材を貼り付けた状態で、別の工程に半導体ウェハを搬送する工程を備える半導体ウェハの搬送方法。
- 平坦面と平坦面に形成された複数の凹部とを有する半導体ウェハの研削用補強部材。
- 第1及び第2部材からなり、第1部材が平坦面とその対向面とを有すると共に平坦面から対向面へ貫通する複数の貫通孔を有し、第2部材が複数の貫通孔を塞いで前記凹部を形成するように前記対向面に設置される半導体ウェハの研削用補強部材。
- 補強部材が板状であり、その厚みが0.3〜3mm程度である請求項16又は17に記載の補強部材。
- 凹部は、実質的に円形である請求項16から18のいずれか1つに記載の補強部材。
- 凹部の直径は、0.1から2mm程度である請求項19に記載の補強部材。
- 凹部が形成される間隔は、0.04〜2.0mm程度である請求項19又は20に記載の補強部材。
- 凹部は、補強部材上での占有面積が10〜70%程度となるように形成される請求項16から21のいずれか1つに記載の補強部材。
- 凹部の深さは、0.1から2.5mm程度である請求項16から22のいずれか1つに記載の補強部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003413245A JP4574980B2 (ja) | 2003-12-11 | 2003-12-11 | 半導体装置の製造方法、研削用補強部材、及びその貼り付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003413245A JP4574980B2 (ja) | 2003-12-11 | 2003-12-11 | 半導体装置の製造方法、研削用補強部材、及びその貼り付け方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005175207A true JP2005175207A (ja) | 2005-06-30 |
JP4574980B2 JP4574980B2 (ja) | 2010-11-04 |
Family
ID=34733429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003413245A Expired - Fee Related JP4574980B2 (ja) | 2003-12-11 | 2003-12-11 | 半導体装置の製造方法、研削用補強部材、及びその貼り付け方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4574980B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007065229A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sharp Corp | 接合用部材、被接合部材どうしの接合方法、分解方法および表示装置 |
WO2007060837A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Success International Corporation | 半導体装置の製造方法 |
JP2007158124A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | サポートプレート及びサポートプレートの貼り合わせ方法 |
US7757363B2 (en) | 2003-12-31 | 2010-07-20 | Intel Corporation | Support system for semiconductor wafers |
JP2011044476A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 硬質ウエーハの研削方法 |
GB2502303A (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-27 | Applied Microengineering Ltd | Method of handling a substrate using a pressure variance |
JP2015018967A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法および支持基板付きウェハ |
JP2016163043A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 株式会社ディスコ | ウェハ分割方法 |
CN107331644A (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种晶圆临时键合方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6237932U (ja) * | 1985-08-23 | 1987-03-06 | ||
JP2001093864A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-12-11 JP JP2003413245A patent/JP4574980B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6237932U (ja) * | 1985-08-23 | 1987-03-06 | ||
JP2001093864A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7757363B2 (en) | 2003-12-31 | 2010-07-20 | Intel Corporation | Support system for semiconductor wafers |
JP2007065229A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sharp Corp | 接合用部材、被接合部材どうしの接合方法、分解方法および表示装置 |
US8067296B2 (en) | 2005-11-22 | 2011-11-29 | Success International Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
JPWO2007060837A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2009-05-07 | サクセスインターナショナル株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2007060837A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Success International Corporation | 半導体装置の製造方法 |
KR101284475B1 (ko) | 2005-11-22 | 2013-07-15 | 가부시끼가이샤 하이테크 시스템즈 | 반도체장치의 제조방법 |
JP2007158124A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | サポートプレート及びサポートプレートの貼り合わせ方法 |
JP2011044476A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 硬質ウエーハの研削方法 |
GB2502303A (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-27 | Applied Microengineering Ltd | Method of handling a substrate using a pressure variance |
WO2013175166A1 (en) | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Applied Microengineering Limited | Method and carrier for handling a substrate |
JP2015018967A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法および支持基板付きウェハ |
JP2016163043A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 株式会社ディスコ | ウェハ分割方法 |
US10032669B2 (en) | 2015-02-27 | 2018-07-24 | Disco Corporation | Wafer dividing method |
CN107331644A (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种晶圆临时键合方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4574980B2 (ja) | 2010-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1304728B1 (en) | Semiconductor substrate jig and method of manufacturing a semiconductor device | |
JP6657515B2 (ja) | ウェーハを処理する方法および該方法で使用するための保護シート | |
US10186447B2 (en) | Method for bonding thin semiconductor chips to a substrate | |
JP2001035817A (ja) | ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP3553551B2 (ja) | 半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP4731050B2 (ja) | 半導体ウエーハの加工方法 | |
US8820728B2 (en) | Semiconductor wafer carrier | |
JP4574980B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、研削用補強部材、及びその貼り付け方法 | |
CN103302572B (zh) | 板状物的磨削方法 | |
JP2001093864A (ja) | 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法 | |
JP5074940B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
US7262114B2 (en) | Die attaching method of semiconductor chip using warpage prevention material | |
JP2006245348A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100816641B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 가공방법 및 이것에 사용되는 지지기판 | |
KR20140104295A (ko) | 기판 연마 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 제조방법 | |
JP2005045023A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
US8580070B2 (en) | Method of applying an adhesive layer on thincut semiconductor chips of a semiconductor wafer | |
JP4768963B2 (ja) | ウェハの転写方法 | |
JP2002270560A (ja) | ウエハの加工方法 | |
JP2003077869A (ja) | 半導体ウエーハの加工方法及びこれに使用される支持基板 | |
JP2004031535A (ja) | 粘着シートの剥離方法,粘着シートの剥離装置 | |
JP2005243910A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2014045145A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
WO2015087763A1 (ja) | 封止シート貼付け方法 | |
JP2021163802A (ja) | チップ転写方法およびチップ転写装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080930 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100817 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100819 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130827 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |