JP2003077869A - 半導体ウエーハの加工方法及びこれに使用される支持基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体ウエーハを裏面研削によって厚さを著
しく薄くせしめる場合にも、損傷せしめることなく裏面
研削を遂行することができ、充分容易に所要とおりに搬
送することができ、そして更にウエーハの裏面研削の後
に半導体ウエーハの表面に自由にアクセスすることが可
能である半導体ウエーハ加工方法を提供する。またこれ
に使用する支持基板を提供する。 【解決手段】 研削工程に先立って、半導体ウエーハ２
の表面を支持基板１０上に貼着せしめて支持基板１０上
に半導体ウエーハ２を装着する。研削工程とその後の処
理工程との間に、中央部に装着開口２４を有するフレー
ム２２に、装着テープ２０を介して半導体ウエーハ２を
装着すると共に、半導体ウエーハ２の表面から支持基板
１０を離脱せしめる移し替え工程を遂行する。支持基板
１０は複数の層１４を含む積層体から形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面には格子状に
配列されたストリートによって区画された多数の矩形領
域が配列されており、矩形領域の各々には半導体回路が
施されている半導体ウエーハの加工方法、及びかかる加
工方法に使用される支持基板に関する。

【０００２】当業者には周知の如く、半導体デバイスの
製造においては、半導体ウエーハの表面に、格子状に配
列されたストリートによって多数の矩形領域を区画し、
かかる矩形領域の各々に半導体回路を施している。そし
て、半導体ウエーハの裏面を研削してその厚さを低減せ
しめると共に、ストリートに沿って半導体ウエーハを切
削し、矩形領域を個々に分離して半導体チップを形成し
ている。

【０００３】通常、半導体ウエーハの裏面に研削手段を
作用せしめて半導体ウエーハの厚さを所要値まで低減
し、しかる後に半導体ウエーハの表面から切削手段を作
用せしめて半導体ウエーハをストリートに沿って切削
し、これによって矩形領域を個々に分離している。半導
体ウエーハをストリートに沿って切削する際には、切削
の後も個々に分離された矩形領域を一体として搬送、洗
浄等の処理を施すことができるようになすために、中央
部に装着開口を有するフレームに装着テープを介して装
着している。更に詳しくは、装着開口を跨がって延びる
テープをフレームに装着すると共に、装着開口内におい
て半導体ウエーハの裏面を装着テープに貼着せしめ、か
くしてフレームに半導体ウエーハを装着している。次い
で、個々に分離された矩形領域即ち半導体チップをピッ
クアップして所要場所に搬送する。

【０００４】近時においては、最初に、半導体ウエーハ
の表面から切削手段を作用せしめてストリートに沿って
所要深さの溝を形成し、しかる後に半導体ウエーハの裏
面に研削手段を作用せしめて半導体ウエーハの厚さを低
減せしめ、かくして上記溝の存在に起因して矩形領域の
各々が分離せしめられるようになす、ことも実施されて
いる。この場合にも、個々に分離された矩形領域を一体
として搬送、洗浄等の処理を施すことができるようにな
すために、半導体ウエーハの裏面を研削する際には、中
央部に装着開口を有するフレームに装着テープを介して
装着している。更に詳しくは、装着開口を跨がって延び
るテープをフレームに装着すると共に、装着開口内にお
いて半導体ウエーハの表面を装着テープに貼着せしめ、
かくしてフレームに半導体ウエーハを装着している。次
いで、個々に分離された矩形領域即ち半導体チップをピ
ックアップして所要場所に搬送する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】著しく小型且つ軽量の
半導体チップを形成するために、近時においては、半導
体ウエーハの裏面を研削して半導体ウエーハの厚さを著
しく薄くする、例えば１５０μm 以下、殊に５０μm 以
下、にすることが望まれることが少なくない。然るに、
例えばシリコン製である半導体ウエーハの厚さを著しく
薄くせしめると、半導体ウエーハの剛性が著しく小さく
なり、損傷せしめることなく研削することが困難である
と共に、研削された半導体ウエーハを所要速度で搬送す
ることも著しく困難になる。研削の際に半導体ウエーハ
が損傷せしめられるのを防止ためには、半導体ウエーハ
の表面に保護基板乃至保護テープを貼着した状態で、半
導体ウエーハの裏面に切削手段を作用せしめて半導体ウ
エーハの研削を遂行すればよい。しかしながら、半導体
ウエーハの表面に保護基板乃至保護テープを貼着した場
合、半導体ウエーハの裏面研削工程の後に遂行される処
理工程、例えばストリートに沿った切削或いは個々に分
離された矩形領域のピックアップ等においては、半導体
ウエーハにその表面から直接的にアクセスすることが必
要であるが、かようなアクセスが保護基板乃至保護テー
プによって妨害されてしまう。

【０００６】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術的課題は、半導体ウエーハの裏面
研削によって半導体ウエーハの厚さを著しく薄くせしめ
る場合にも、半導体ウエーハを損傷せしめることなく裏
面研削を遂行することができ、半導体ウエーハを充分容
易に所要とおりに搬送することができ、そして更にウエ
ーハの裏面研削の後に半導体ウエーハの表面に自由にア
クセスすることが可能である、新規且つ改良された半導
体ウエーハ加工方法を提供することである。

【０００７】本発明の他の技術的課題は、上記主たる技
術的課題を達成する半導体の加工方法において、半導体
ウエーハの表面を貼着する支持基板として好都合に使用
することができ、半導体ウエーハの表面から支持基板を
離脱せしめる際に半導体ウエーハを損傷せしめてしまう
ことを充分確実に回避することができる支持基板を提供
することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意検討
の結果、半導体ウエーハの裏面を研削する研削工程に先
立って、半導体ウエーハの表面を支持基板上に貼着せし
めて支持基板上に半導体ウエーハを装着し、これに加え
て、研削工程とその後に半導体ウエーハの表面からアク
セスして所要処理を加える処理工程との間に、中央部に
装着開口を有するフレームに、半導体ウエーハの裏面に
貼着された装着テープを介して半導体ウエーハを装着す
ると共に、半導体ウエーハの表面から支持基板を離脱せ
しめる移し替え工程を遂行する、ことによって上記主た
る技術的課題を達成することができることを見出した。

【０００９】本発明者等は、更に、複数個の層を含む積
層体から形成された支持基板によって上記他の技術的課
題を達成することができることを見出した。

【００１０】即ち、本発明の一局面においては、上記主
たる技術的課題を達成する半導体ウエーハの加工方法と
して、表面には格子状に配列されたストリートによって
区画された多数の矩形領域が配設されており、該矩形領
域の各々には半導体回路が施されている半導体ウエーハ
の加工方法にして、半導体ウエーハの表面を支持基板上
に貼着せしめて該支持基板上に半導体ウエーハを装着す
る装着工程と、半導体ウエーハの表面を該支持基板を介
してチャック手段上に吸着し、半導体ウエーハの裏面に
研削手段を作用せしめて半導体ウエーハの裏面を研削し
て半導体ウエーハの厚さを低減せしめる研削工程と、中
央部に装着開口を有するフレームに、該装着開口を跨が
って延びる装着テープを装着すると共に、半導体ウエー
ハの裏面を該装着テープに貼着せしめて該フレームの該
装着開口内に半導体ウエーハを装着し、半導体ウエーハ
の裏面を該装着テープに貼着した後又はその前に、半導
体ウエーハの表面から該支持基板を離脱せしめる移し替
え工程と、該フレームに装着された半導体ウエーハに、
その表面からアクセスして所要処理を加える処理工程
と、を含む、ことを特徴とする半導体ウエーハ加工方法
が提供される。

【００１１】該移し替え工程において、半導体ウエーハ
の裏面を該装着テープに貼着した後に、半導体ウエーハ
の表面から該支持基板を離脱せしめるのが好適である。
好ましくは、該支持基板は複数個の層を含む積層体から
形成されている。積層体は剛性が比較的大きい高剛性層
と剛性が比較的小さい低剛性層とを含み、半導体ウエー
ハの表面は該低剛性層側に貼着されており、半導体ウエ
ーハの表面から該支持基板を離脱せしめる際には、最初
に該高剛性層を離脱せしめ、次いで該低剛性層を離脱せ
しめるのが好ましい。特に、該支持基板は積層された複
数の高剛性層を含んでいるのが好適である。該高剛性層
はポリエチレンテレフタレートシート又はフィルムから
構成し、該低剛性層はポリオレフィンシート又はフィル
ムから構成することができる。該支持基板は半導体ウエ
ーハよりも大きく、該支持基板の周縁は半導体ウエーハ
の周縁を越えて１乃至２ｍｍ張り出しているのが好適で
ある。好適実施形態においては、該処理工程は、半導体
ウエーハの裏面を該支持基板を介してチャック手段上に
吸着し、半導体ウエーハの表面から切削手段を作用せし
めて半導体ウエーハをストリートに沿って切断する切断
工程である。他の好適実施形態においては、該支持基板
に装着される半導体ウエーハには、その表面からストリ
ートに沿って所要深さの溝が切削されており、該研削工
程において半導体ウエーハを研削すると、半導体ウエー
ハは多数の矩形領域に分離され、該処理工程は個々に分
離されている矩形領域の夫々をピックアップするピック
アック工程である。該研削工程において半導体ウエーハ
の厚さを１５０μm 以下にせしめることができる。

【００１２】本発明の他の局面においては、上記他の技
術的課題を達成する支持基板として、複数個の層を含む
積層体から形成されている、ことを特徴とする半導体ウ
エーハの支持基板が提供される。

【００１３】積層体は剛性が比較的大きい高剛性層と剛
性が比較的小さい低剛性層とを含み、該低剛性層側に半
導体ウエーハが貼着されるのが好適である。複数の高剛
性層を含んでいるのが好適である。該高剛性層はポリエ
チレンテレフタレートシート又はフィルムから構成する
ことができ、該低剛性層はポリオレフィンシート又はフ
ィルムから構成することができる。支持基板は半導体ウ
エーハよりも大きく、支持基板上に半導体ウエーハが位
置せしめられたときに支持基板の周縁は半導体ウエーハ
の周縁を越えて１乃至２ｍｍ張り出すのが好適である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の半導体加工方法及びこれに使用される支持基板の好
適実施形態について、更に詳細に説明する。

【００１５】図１には、本発明の加工方法を適用するこ
とができる半導体ウエーハの典型例が図示されている。
図示の半導体ウエーハ２は、円板形状の一部にオリエン
テーションフラットと称される直線縁４を形成した形状
であり、その表面には格子状に配列されたストリート６
によって多数の矩形領域８が区画されている。矩形領域
８の各々には半導体回路が施されている。

【００１６】本発明の加工方法においては装着工程が遂
行される。この装着工程においては、図２及び図３に図
示する如く、半導体ウエーハ２の表面を支持基板１０上
に貼着せしめて支持基板１０上に半導体ウエーハ２を装
着する。支持基板１０は、円板形状或いは半導体ウエー
ハ２の相似形状であって半導体ウエーハ２の直線縁４に
対応した直線縁を有する形状でよい。

【００１７】支持基板１０は半導体ウエーハ２よりも若
干大きく、支持基板１０の周縁は半導体ウエーハ２の周
縁を越えて張り出しているのが好適である。支持基板１
０の周縁の、半導体ウエーハ２の周縁を越えて張り出す
張出長さは１乃至２ｍｍ程度でよい。支持基板１０が円
板形状で半導体ウエーハ２には直線縁４が形成されてい
る場合には、直線縁４を除く部分では支持基板１０の周
縁が半導体ウエーハ２の周縁を越えて１乃至２ｍｍ張り
出し、直線縁４の部分においては支持基板１０の周縁の
張り出し長さが１乃至２ｍｍよりも大きくなるのが好適
である（本明細書において、支持基板１０の周縁の張り
出し長さは、半導体ウエーハ２が直線縁４を有する場合
には、半導体ウエーハ２の直線縁以外の部分における支
持基板１０の周縁の張り出し長さを意味する）。半導体
ウエーハ２の加工においては、複数個の半導体ウエーハ
２をカセット（図示していない）に収容、更に詳しくは
カセットの側壁に上下方向に間隔をおいて形成されてい
る複数個の収容溝の各々に半導体ウエーハ２を収容して
搬送することが少なくないが、半導体ウエーハ２が著し
く薄い（例えば５０μｍ以下）場合、半導体ウエーハ２
の周縁を収容溝の底面等に当接せしめると、半導体ウエ
ーハ２が損傷されてしまう虞が少なくない。然るに、半
導体ウエーハ２を装着した支持基板１０の周縁が半導体
ウエーハ２の周縁を越えて張り出している場合には、半
導体ウエーハ２の周縁が収容溝の底面等に直接的に当接
することが確実に防止され、半導体ウエーハ２の損傷が
防止される。一方、支持基板１０を過剰に大きくその周
縁が過剰に張り出してしまうと、半導体ウエーハ２を載
置した支持基板１０を標準寸法のカセットの収容溝に収
容することができなくなってしまう。更に、支持基板１
０が半導体ウエーハ２よりも若干大きく、その周縁が半
導体ウエーハ２の周縁を越えて張り出している場合に
は、その理由は必ずしも明確ではないが本発明者等の経
験によれば、後述するとおりにして半導体ウエーハ２の
裏面を研削する際に半導体ウエーハ２の周縁にチッピン
グが発生する確立が激減し、そしてまた後述するとおり
にして支持基台１０から半導体ウエーハ２を離脱せしめ
る際の離脱操作が相当容易になる。

【００１８】支持基板１０は、複数の層を含む積層体、
特に剛性が比較的小さい低剛性層と剛性が比較的大きい
高剛性層とを含む積層体から形成されており、半導体ウ
エーハ２は低剛性層側に貼着されているのが好ましい。
高剛性層は複数層配設されているのが特に好適である。
図示の実施形態においては、支持基板１０は最上位に位
置する低剛性層１２とその下方に積層されている３層の
高剛性層１４とから構成されている。低剛性層１２はポ
リオレフィンシート又はフィルムでよく、高剛性層１４
はポリエチレンテレフタレートシート又はフィルムでよ
い。低剛性層１２及び３層の高剛性層１４は粘着剤を介
して相互に貼着せしめられている。粘着剤は紫外線を照
射することによって硬化せしめられて粘着性が消失乃至
低下する紫外線硬化型、或いは加熱することによって硬
化せしめられて粘着性が消失乃至低下する加熱硬化型粘
着剤であるのが好都合である。低剛性層１２の上面にも
紫外線硬化型或いは熱硬化型であるのが好都合である粘
着剤が塗布されており、かかる粘着剤によって半導体ウ
エーハ２の表面が低剛性層１２の上面に貼着される。か
くして、半導体ウエーハ２はその表面を下方に向けた状
態で、換言すればその裏面を上方に向けた状態で支持基
板１０上に装着される。

【００１９】次に、研削工程が遂行される。図４を参照
して説明すると、研削工程においては、多孔性チャック
板を含むチャック手段１６が使用されている。このチャ
ック手段１６は、支持基板１０の外径よりの幾分大きい
外径を有しており、支持基板１０及びその上面に装着さ
れた半導体ウエーハ２がチャック手段１６上に載置され
る。チャック手段１６は真空源に連通せしめられ、これ
によってチャック手段１６上に支持基板１０を介して半
導体ウエーハ２の表面が吸着せしめられる。そして、半
導体ウエーハ２の裏面に研削手段１８が作用せしめられ
て半導体ウエーハ２の裏面が研削され、半導体ウエーハ
２の厚さが所定値まで低減せしめられる。研削手段１８
はその下面にダイヤモンド粒子を含有した研削具を有す
る環状研削工具か構成することができ、半導体ウエーハ
２の裏面を研削する際には半導体ウエーハ２を保持した
チャック手段１６がその中心軸線を中心として回転せし
められると共に研削手段１８がその中心軸線を中心とし
て回転せしめられ、そして研削手段１８が半導体ウエー
ハ２の裏面に押圧せしめられる。かような研削工程にお
いては、半導体ウエーハ２の表面に貼着されている支持
基板１０によって半導体ウエーハ２が補強されている故
に、半導体ウエーハ２を破損せしめる等の問題を発生せ
しめることなく、半導体ウエーハ２を例えば１５０μm
以下、殊に５０μm 以下の厚さまで研削することが可能
である。半導体ウエーハ２の裏面の上述したとおりの研
削は、例えば株式会社ディスコから商品名「ＤＦＧ８４
１」として販売されている研削機によって好都合に遂行
することができる。かような研削機を使用する場合に
は、支持基板１０上に装着した半導体ウエーハ２をそれ
自体は周知のカセット（図示していない）に上下方向に
間隔をおいて複数個収容して、研削機に供給することが
できる。

【００２０】本発明の加工方法においては、研削工程に
続いて移し替え工程を遂行することが重要である。図５
に図示している移し替え工程においては、最初に、半導
体ウエーハ２を装着テープ２０を介してフレーム２２に
装着する。フレーム２２は適宜の剛性樹脂或いは金属か
ら形成することができる環状部材から構成されており、
その中央部には円形の装着開口２４が形成されている。
装着テープ２０は適宜の剛性樹脂シート又はフィルムか
ら構成することができ、その片面即ち下面には紫外線硬
化型粘着剤或いは熱硬化型粘着剤であるのが好都合であ
る粘着剤が塗布されており、かかる粘着剤によってフレ
ーム２２の片面即ち上面に貼着されている。図５（ａ）
に図示する如く、支持基台２６（この支持基台２６は図
４に図示するチャック手段１６から或いはこれとは別個
の支持部材から構成することができる）上に載置されて
いる半導体ウエーハ２に対して、装着テープ２０が貼着
されているフレーム２２を下降せしめ、フレーム２２の
装着開口２４内に半導体ウエーハ２を位置せしめる。そ
して、装着テープ２０の下面を半導体ウエーハ２の裏面
に貼着せしめる。次いで、下方から上方に向かって順次
に位置せしめられていた支持基板１０、半導体ウエーハ
２、フレーム２２及び装着テープ２０を、上下を反転せ
しめて下方から上方に向かって順次に装着テープ２０、
フレーム２２、半導体ウエーハ２及び支持基板１０が位
置する状態にせしめ、適宜の支持基台２８上に載置す
る。そして、支持基板１０に紫外線を照射或いは支持基
板１０を加熱して支持基板１０と半導体ウエーハ２の表
面との間に存在する粘着剤及び式基板１０の各層間に存
在する粘着剤を硬化せしめてそれらの粘着性を消失乃至
低下せしめる。次いで、支持基板１０を構成している各
層、即ち低剛性層１２及び３層の高剛性層１４を、その
片縁部を他縁部に向けて漸次引っ張ることによって順次
に剥離せしめる。即ち、図５（ｂ）状態において、最初
に最上位の高剛性層１４を剥離し、次いで２番目の高剛
性層１４を剥離し、そして３番目の高剛性層１４を剥離
し、しかる後に低剛性層１２を剥離、かくして半導体ウ
エーハ２の表面から支持基板１０を剥離する。かくし
て、半導体ウエーハ２はその表面を支持基板１０に貼着
せしめて支持基板１０上に装着した状態から、その裏面
を装着テープ２０に貼着せしめてフレーム２２に装着し
た状態に変更せしめられる。図６は、装着テープ２０を
介してフレーム２２に装着された半導体ウエーハ２を、
その表面を上方に向けた状態で図示している。

【００２１】而して、図示の実施形態において使用され
ている支持基板１０については、次の事実が留意される
べきである。即ち、支持基板１０は低剛性層１２及び高
剛性層１４を積層せしめて構成されており、それ故に高
剛性層１４の剛性自体も比較的小さいとしても、積層体
全体としては相当大きな剛性を有する。また、低剛性層
１２は所謂緩衝材料として半導体ウエーハ２の表面を外
力から保護する。従って、図４に図示する様式によって
半導体ウエーハ２の裏面を研削する際には、半導体ウエ
ーハ２をその厚さが１５０μm 以下、殊に５０μm 以
下、になるまで研削しても、支持基板１０によって半導
体ウエーハ２が充分に補強されている故に、半導体ウエ
ーハ２に破損を発生せしめることなく充分良好に研削を
遂行することができる。一方、半導体ウエーハ２の表面
から支持基板１０を離脱せしめる際には、支持基板１０
全体を同時に離脱せしめるのではなくて、３層の高剛性
層１４を順次に剥離し、しかる後に低剛性層１２を剥離
することができる。従って、半導体ウエーハ２の表面か
ら支持基板１０を離脱する際に、半導体ウエーハ２に過
剰な応力を生成せしめることが回避される。加えて、剛
性が比較的大きい高剛性層１４を剥離する時には、高剛
性層１４と半導体ウエーハ２の表面との間に介在されて
いる低剛性層１２が所謂緩衝材料として機能し、これに
よっても半導体ウエーハ２に生成される応力が低減され
る。かくして、半導体ウエーハ２に過剰な応力を生成せ
しめて半導体ウエーハ２を破損せしめる虞なくして、半
導体ウエーハ２の表面から支持基板１０を離脱すること
ができる。全体として相当な剛性を有する支持基板１０
を全体を同時に半導体ウエーハ２の表面から剥離せんと
する場合、半導体ウエーハ２に相当な応力が生成させて
半導体ウエーハ２が破損されてしまう虞がある。

【００２２】上記移し替え工程が終了すると、半導体ウ
エーハ２にその表面からアクセスして所要処理を加える
処理工程が遂行される。図示の実施形態においては、図
７に図示する如く、半導体ウエーハ２の裏面をこれに貼
着されている装着テープ２０を介してチャック手段３０
上に吸着し、半導体ウエーハ２の表面に切削手段３２を
作用せしめて半導体ウエーハ２をストリート６に沿って
切削する。チャック手段３０は、真空源に連通せしめら
れて半導体ウエーハ２の裏面を装着テープ２０を介して
吸引する多孔性チャック板を含んでいる。切削手段３２
はダイヤモンド砥粒を適宜の結合剤で結合することによ
って形成することができる薄肉円板形状のブレードから
好都合に構成することができる、かような切削手段３２
をその中心軸線を中心として高速回転せしめながら、チ
ャック手段３０と切削手段３２とをストリート６に沿っ
て相対的に移動せしめることによって、半導体ウエーハ
２のストリート６に沿って切削し、矩形領域８を個々に
分離することができる。装着テープ２０は切削されるこ
となく維持され、従って矩形領域８を個々に分離して
も、各矩形領域８はその裏面が装着テープ２０に貼着さ
れてフレーム２２に保持され続ける。かような切削工程
を遂行した後には、個々に分離した矩形領域８を洗浄し
た後に個々にピックアップして所要場所に搬送すること
ができる。半導体ウエーハ２の上述したとおりの切削
は、例えば株式会社ディスコから商品名「ＤＦＤ６４
１」として販売されている切削機（ダイサーとも称され
ている）によって好都合に遂行することができる。かよ
うな切削機を使用する場合にも、装着テープ２０を介し
てフレーム２２に装着した半導体ウエーハ２をそれ自体
は周知のカセット（図示していない）に上下方向に間隔
をおいて複数個収容して、研削機に供給することができ
る。

【００２３】図示の実施形態においては、半導体ウエー
ハ２の裏面を研削して半導体ウエーハ２の厚さを所定値
に低減した後に半導体ウエーハ２をストリート６に沿っ
て切削しているが、所望ならば、図４に図示する研削工
程に先立って、半導体ウエーハ２の表面にストリート６
に沿って所要深さの溝を刻設することもできる（かかる
溝の刻設は図７を参照して説明した切削工程と同様な切
削工程によって遂行することができる）。この場合に
は、図４に図示する研削工程において半導体ウエーハ２
の裏面を研削してその厚さを低減せしめると、上記溝の
存在に起因して半導体ウエーハ２は個々の矩形領域８に
分離される。そして、分離された矩形領域８が支持基板
１０に装着され続ける。そして、図５を参照して説明し
たとおりの移し替え工程を遂行すると、個々に分離され
ている矩形領域８の各々が装着テープ２０を介してフレ
ーム２２に装着された状態が確立される。かかる場合に
は移し替え工程の後に遂行される処理工程として、個々
に分離されている矩形領域８を個々にピックアップして
所要場所（例えば矩形領域８を装着すべき装着台上）に
搬送するそれ自体は周知のピックアップ工程を遂行すれ
ばよい。

【００２４】

【発明の効果】本発明の半導体ウエーハの加工方法によ
れば、半導体ウエーハの裏面研削によって半導体ウエー
ハの厚さを著しく薄くせしめる場合にも、半導体ウエー
ハを損傷せしめることなく裏面研削を遂行することがで
き、半導体ウエーハを充分容易に所要とおりに搬送する
ことができ、そして更にウエーハの裏面研削の後に半導
体ウエーハの表面に自由にアクセスすることが可能であ
る。

【００２５】また、本発明の半導体支持基板は、半導体
ウエーハの表面を貼着する支持基板として好都合に使用
することができ、半導体ウエーハの表面から支持基板を
離脱せしめる際に半導体ウエーハを損傷せしめてしまう
ことを充分確実に回避することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の加工方法が提供される半導体ウエーハ
の典型例を示す斜面図。

【図２】本発明の加工方法における装着工程において支
持基板上に半導体ウエーハを装着した状態を示す斜面
図。

【図３】本発明の加工方法における装着工程において支
持基板上に半導体ウエーハを装着した状態を示す側面
図。

【図４】本発明の加工方法における研削工程を示す簡略
側面図。

【図５】本発明の加工方法における移し替え工程を示す
簡略断面図。

【図６】本発明の加工方法における移し替え工程の後に
おける、半導体ウエーハが装着テープを介してフレーム
に装着されている状態を示す斜面図。

【図７】本発明の加工方法における切削工程（処理工
程）示す簡略断面図。

【符号の説明】

２：半導体ウエーハ ６：ストリート ８：矩形領域 １０：支持基板 １２：低剛性層 １４：高剛性層 １６：チャック手段 １８：研削手段 ２０：装着テープ ２２：フレーム ２６：装着開口 ３０：チャック手段 ３２：切削手段

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面には格子状に配列されたストリート
   によって区画された多数の矩形領域が配設されており、
   該矩形領域の各々には半導体回路が施されている半導体
   ウエーハの加工方法にして、 半導体ウエーハの表面を支持基板上に貼着せしめて該支
   持基板上に半導体ウエーハを装着する装着工程と、 半導体ウエーハの表面を該支持基板を介してチャック手
   段上に吸着し、半導体ウエーハの裏面に研削手段を作用
   せしめて半導体ウエーハの裏面を研削して半導体ウエー
   ハの厚さを低減せしめる研削工程と、 中央部に装着開口を有するフレームに、該装着開口を跨
   がって延びる装着テープを装着すると共に、半導体ウエ
   ーハの裏面を該装着テープに貼着せしめて該フレームの
   該装着開口内に半導体ウエーハを装着し、半導体ウエー
   ハの裏面を該装着テープに貼着した後又はその前に、半
   導体ウエーハの表面から該支持基板を離脱せしめる移し
   替え工程と、 該フレームに装着された半導体ウエーハに、その表面か
   らアクセスして所要処理を加える処理工程と、 を含む、ことを特徴とする半導体ウエーハ加工方法。
2. 【請求項２】 該移し替え工程において、半導体ウエー
   ハの裏面を該装着テープに貼着した後に、半導体ウエー
   ハの表面から該支持基板を離脱せしめる、請求項１記載
   の半導体ウエーハの加工方法。
3. 【請求項３】 該支持基板は複数個の層を含む積層体か
   ら形成されている、請求項１又は２記載の半導体ウエー
   ハの加工方法。
4. 【請求項４】 該支持基板は剛性が比較的大きい高剛性
   層と剛性が比較的小さい低剛性層とを含む積層体から形
   成されており、半導体ウエーハの表面は該低剛性層側に
   貼着されており、半導体ウエーハの表面から該支持基板
   を離脱せしめる際には、最初に該高剛性層を離脱せし
   め、次いで該低剛性層を離脱せしめる、請求項３記載の
   半導体ウエーハの加工方法。
5. 【請求項５】 該支持基板は積層された複数の高剛性層
   を含んでいる、請求項４記載の半導体ウエーハの加工方
   法。
6. 【請求項６】 該高剛性層はポリエチレンテレフタレー
   トシート又はフィルムから構成され、該低剛性層はポリ
   オレフィンシート又はフィルムから構成されている、請
   求項４又は５記載の半導体ウエーハの加工方法。
7. 【請求項７】 該支持基板は半導体ウエーハよりも大き
   く、該支持基板の周縁は半導体ウエーハの周縁を越えて
   張り出している、請求項１から６までのいずれかに記載
   の半導体ウエーハの加工方法。
8. 【請求項８】 該支持基板の周縁は半導体ウエーハの周
   縁を越えて１乃至２ｍｍ張り出している、請求項７記載
   の半導体ウエーハの加工方法。
9. 【請求項９】 該処理工程は、半導体ウエーハの裏面を
   該支持基板を介してチャック手段上に吸着し、半導体ウ
   エーハの表面から切削手段を作用せしめて半導体ウエー
   ハをストリートに沿って切断する切断工程である、請求
   項１から８までのいずれかに記載の半導体ウエーハの加
   工方法。
10. 【請求項１０】 該支持基板に装着される半導体ウエー
    ハには、その表面からストリートに沿って所要深さの溝
    が切削されており、該研削工程において半導体ウエーハ
    を研削すると、半導体ウエーハは多数の矩形領域に分離
    され、該処理工程は個々に分離されている矩形領域の夫
    々をピックアップするピックアック工程である、請求項
    １から８までのいずれかに記載の半導体ウエーハの加工
    方法。
11. 【請求項１１】 該研削工程において半導体ウエーハの
    厚さを１５０μm 以下にせしめる、請求項１から１０ま
    でのいずれかに記載の半導体ウエーハ加工方法。
12. 【請求項１２】 複数個の層を含む積層体から形成され
    ている、ことを特徴とする半導体ウエーハの支持基板。
13. 【請求項１３】 剛性が比較的大きい高剛性層と剛性が
    比較的小さい低剛性層とを含む積層体から形成されてお
    り、該低剛性層側に半導体ウエーハが貼着される、請求
    項１２記載の半導体ウエーハの支持基板。
14. 【請求項１４】 積層された複数の高剛性層を含んでい
    る、請求項１３記載の半導体ウエーハの支持基板
15. 【請求項１５】 該高剛性層はポリエチレンテレフタレ
    ートシート又はフィルムから構成され、該低剛性層はポ
    リオレフィンシート又はフィルムから構成されている、
    請求項１３又は１４記載の半導体ウエーハの支持基板。
16. 【請求項１６】 支持基板は半導体ウエーハよりも大き
    く、支持基板上に半導体ウエーハが位置せしめられたと
    きに支持基板の周縁は半導体ウエーハの周縁を越えて張
    り出す、請求項１２から１５までのいずれかに記載の半
    導体ウエーハの支持基板。
17. 【請求項１７】 支持基板の周縁は半導体ウエーハの周
    縁を越えて１乃至２ｍｍ張り出す、請求項１６記載の半
    導体ウエーハの加工方法。