JP7181020B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents

ウエーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7181020B2
JP7181020B2 JP2018140247A JP2018140247A JP7181020B2 JP 7181020 B2 JP7181020 B2 JP 7181020B2 JP 2018140247 A JP2018140247 A JP 2018140247A JP 2018140247 A JP2018140247 A JP 2018140247A JP 7181020 B2 JP7181020 B2 JP 7181020B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sheet
wafer
substrate
thermocompression bonding
dividing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018140247A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020017658A (ja
Inventor
成規 原田
卓 岡村
金艶 趙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2018140247A priority Critical patent/JP7181020B2/ja
Priority to KR1020190080956A priority patent/KR20200012732A/ko
Priority to CN201910613278.9A priority patent/CN110783249B/zh
Priority to US16/513,988 priority patent/US10879122B2/en
Priority to TW108125994A priority patent/TWI787535B/zh
Priority to DE102019211057.6A priority patent/DE102019211057A1/de
Publication of JP2020017658A publication Critical patent/JP2020017658A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7181020B2 publication Critical patent/JP7181020B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2323/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
    • C08J2323/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
    • C08J2323/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08J2323/06—Polyethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2323/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
    • C08J2323/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
    • C08J2323/10—Homopolymers or copolymers of propene
    • C08J2323/12—Polypropene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2325/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Derivatives of such polymers
    • C08J2325/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C08J2325/04—Homopolymers or copolymers of styrene
    • C08J2325/06—Polystyrene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2367/00—Characterised by the use of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Derivatives of such polymers
    • C08J2367/02—Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Description

本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削され所定の厚みに加工された後、ダイシング装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
ウエーハを個々のデバイスチップに分割する際に、ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共にウエーハを収容する開口を有するフレームによって支持することで、ウエーハを個々のデバイスチップに分割してもウエーハの形態を維持した状態で次工程に搬送することができる(例えば、特許文献１を参照。）。
特開２０１０－０５０２１４号公報
上記したように、ウエーハを個々のデバイスチップに分割する際にダイシングテープを介してフレームによって支持することで、分割後のウエーハを、ウエーハの形態を維持したまま次工程に搬送することが可能になるものの、ウエーハの分割予定ラインを切削ブレードで切削するダイシングを実施すると、ダイシングテープに貼着された裏面側に欠けが生じてデバイスチップの品質を低下させるという問題がある。
上記問題は、ダイシングテープの表面に構成される粘着層が比較的柔らかいことから、分割される際にデバイスチップが動くことで切削ブレードとの異常接触が生じたり、ウエーハを吸引保持するチャックテーブルの保持部が通気性を有するポーラスセラミックで形成されていることから、ダイシングテープが保持部によって吸引されることで、分割されたデバイスチップの外周部の保持力が低下して切削ブレードとの異常接触が生じたりすることが原因と考えられる。
上記問題は、ウエーハの裏面を、剛性のあるサブストレート(支持板）に支持させてダイシングを行えば解決されると考えられる。しかし、サブストレートは、それ自体では粘着性を有しないため、液状樹脂、ワックス、糊剤等が塗布されたテープ等を介してウエーハと一体化する必要がある。その場合、ダイシングが終了してウエーハの裏面からサブストレートを剥離する際に、個々のデバイスチップに液状樹脂、ワックス、テープに形成された糊剤等が残留し、デバイスチップの品質を低下させるという問題が新たに生じる。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハを個々のデバイスチップに分割する際に、デバイスチップの品質を低下させることのないウエーハの加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハを支持するサブストレートの上面にポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートのいずれかのシートを敷設し、該シートの上面にウエーハの裏面を位置付けて配設するウエーハ配設工程と、該ウエーハ配設工程により該シートを介して該サブストレートに配設されたウエーハを密閉環境内で減圧して該シートを加熱すると共にウエーハを押圧して該シートを介してウエーハを該サブストレートに熱圧着するシート熱圧着工程と、該シート熱圧着工程が実施されたウエーハの表面に切削ブレードを位置付けて分割予定ラインを切削してウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、該分割工程が実施されたウエーハの裏面から該シートと該サブストレートを剥離する剥離工程と、から少なくとも構成されるウエーハの加工方法が提供される。
該ポリオレフィン系のシートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかで構成されてもよい。該シートとしてポリオレフィン系のシートが選択された場合の該シート熱圧着工程における該シートの加熱温度は、該シートがポリエチレンシートで構成される場合は１２０～１４０℃であり、該シートがポリプロピレンシートで構成される場合は１６０～１８０℃であり、該シートがポリスチレンシートで構成される場合は２２０～２４０℃であることが好ましい。
該ポリエステル系のシートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートのいずれかで構成されてもよい。該シートとしてポリエステル系のシートが選択された場合の該シート熱圧着工程における該シートの加熱温度は、該シートがポリエチレンテレフタレートシートで構成される場合は２５０～２７０℃であり、該シートがポリエチレンナフタレートシートで構成される場合は１６０～１８０℃であることが好ましい。
本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハを支持するサブストレートの上面にポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートのいずれかのシートを敷設し、該シートの上面にウエーハの裏面を位置付けて配設するウエーハ配設工程と、該ウエーハ配設工程により該シートを介して該サブストレートに配設されたウエーハを密閉環境内で減圧して該シートを加熱すると共にウエーハを押圧して該シートを介してウエーハを該サブストレートに熱圧着するシート熱圧着工程と、該シート熱圧着工程が実施されたウエーハの表面に切削ブレードを位置付けて分割予定ラインを切削してウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、該分割工程が実施されたウエーハの裏面から該シートと該サブストレートを剥離する剥離工程と、から少なくとも構成されることから、ウエーハはサブストレートに対して十分な保持力で保持され、ウエーハの表面に形成された分割予定ラインを切削ブレードで切削してもデバイスチップの裏面に欠けが生じることを抑制する。また、シートを介してウエーハをサブストレートに熱圧着するため、切削ブレードによる分割工程が終了してウエーハの裏面からサブストレートを剥離しても、液状樹脂、糊剤、ワックス等が付着し得ず、デバイスの品質を低下させるという問題が解消する。
ウエーハ配設工程の実施態様を示す斜視図である。 シート熱圧着工程の実施態様を順に（ａ）～（ｃ）で示す側面図である。 図２に示すシート熱圧着工程により得られた一体化ユニットの側面図である。 図３のシート熱圧着工程により得られた一体化ユニットを切削装置の保持手段に保持する態様を示す斜視図である。 分割工程の実施態様を示す斜視図である。 図５に示す分割工程が実施された一体化ユニットＷを剥離用保持手段に載置する態様を示す斜視図である。 図６に示す一体化ユニットＷからサブストレートを剥離する態様を示す斜視図である。 ダイシングテープ配設工程を順に（ａ）、（ｂ）で示す斜視図である。 シート熱圧着工程の別の実施形態を示す斜視図（ａ）、及び一部拡大断面図（ｂ）である。
以下、本発明に基づき構成されたウエーハの加工方法の一実施形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。
本実施形態のウエーハの加工方法を実施するに際し、まず、図１（ａ）に示すように、被加工物としてのウエーハ１０、シート２０、及びサブストレート３０を用意する。ウエーハ１０には、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され表面１０ａに形成されている。シート２０は、ウエーハ１０と同等の形状に設定されており、ポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートによって構成される。本実施形態では、シート２０としてポリオレフィン系のポリエチレン（ＰＥ）シートを選択している。また、サブストレート３０は、ウエーハ１０、及びシート２０と同形状で、ウエーハ１０、シート２０に比して剛性のある支持板であり、後述するシート熱圧着工程時の設定温度に影響を受けないガラスで形成されている。
（ウエーハ配設工程）
ウエーハ１０、シート２０、及びサブストレート３０を用意したならば、図１（ａ）に示すように、ウエーハ１０の表面１０ａを上方に、すなわち、裏面１０ｂを下方に向け、支持テーブル４０の上面４０ａに敷設されるサブストレート３０に、シート２０を介して配設する（図１（ｂ）を参照。）。支持テーブル４０は、基台５０上に配設されており、支持テーブル４０の上面は平坦に形成されている。
（シート熱圧着工程）
上記したウエーハ配設工程が実施されたならば、図２に示すシート熱圧着工程を実施する。シート熱圧着工程は、シート２０を介してサブストレート３０に配設されたウエーハ１０を密閉環境内で減圧してシート２０を加熱すると共にウエーハ１０を押圧して、ウエーハ１０とシート２０とを熱圧着する工程である。なお、支持テーブル４０の内部には、加熱手段として、電気ヒータ４２、及び図示しない温度センサーが内蔵される。電気ヒータ４２及び該温度センサーは、図示しない制御装置、及び電源に接続され、支持テーブル４０を所望の温度に調整することが可能になっている。以下に具体的に説明する。
シート熱圧着工程を実施するためには、図２（ａ）に示す熱圧着装置６０を利用する。熱圧着装置６０は、支持テーブル４０を含む密閉環境を形成するための密閉カバー部材６２を備える。なお、図２は、熱圧着装置６０の側面図であるが、内部の構成を説明する都合上、密閉カバー部材６２のみ断面を示している。密閉カバー部材６２は、基台５０の上面全体を覆う箱型部材であり、上壁６２ａ、及び上壁６２ａの外周端部から垂下される側壁６２ｂから構成され、下方側は開放されている。上壁６２ａの中央には、押圧部材６４の支持軸６４ａが貫通し、上下方向に進退させるための開口６２ｃが形成されている。また、支持軸６４ａを上下に進退させつつ、密閉カバー部材６２の内部空間Ｓを外部と遮断して密閉環境とすべく、支持軸６４ａの外周を支持する開口部６２ｃにシール構造６２ｄが形成される。支持軸６４ａの下端には、押圧プレート６４ｂが配設されている。押圧プレート６４ｂは、少なくともウエーハ１０よりも大径であり、好ましくは支持テーブル４０よりもやや大きい寸法に設定された円盤形状である。密閉カバー部材６２の側壁６２ｂの下端面には、全周にわたって弾性シール部材６２ｅが配設されている。また、図示は省略するが、押圧部材６４の上方には、押圧部材６４を上下方向に進退させるための駆動手段が配設される。
支持テーブル４０上に、シート２０、及びサブストレート３０と共にウエーハ１０を載置したならば、図２（ａ）に示すように基台５０上に位置付けられた密閉カバー部材６２を下降させて、基台５０上に載置する。このとき、押圧プレート６４ｂは、図２（ｂ）に示すように、ウエーハ１０の上面に接触しない上方位置に引き上げられている。密閉カバー部材６２が基台５０上に載置されると、側壁６２ｂの下端面に配設された弾性シール部材６２ｅが基台５０の上面に密着する。基台５０における支持テーブル４０の近傍位置には、吸引孔５２が配設されており、吸引孔５２を介して、密閉カバー部材６２によって形成される内部空間Ｓに図示しない吸引手段が接続される。
図２（ｂ）に示すように、密閉カバー部材６２を基台５０上に載置し、密閉カバー部材６２の内部空間Ｓが密閉環境とされたならば、該吸引手段を作動して、吸引孔５２を介して内部空間Ｓの空気を吸引し、ウエーハ１０を含む領域を真空に近い状態まで減圧する。これと同時に、支持テーブル４０に内蔵された電気ヒータ４２を作動し、図示しない温度センサーによって支持テーブル４０の温度を制御することにより、シート２０を構成するポリエチレンシートを融点近傍の温度（１２０～１４０℃）になるように加熱する。さらに、シート２０を加熱すると同時に、図２（ｃ）に示すように、押圧プレート６４ｂを下降させてウエーハ１０の上面全体を均等な力で押圧する。ウエーハ１０を収容している内部空間Ｓは真空に近い状態まで減圧されて、ウエーハ１０、シート２０、及びサブストレート３０との間に残存する空気が吸引されて除去される。そして、シート２０は、上記した温度に加熱されることにより軟化して粘着性を発揮し、ウエーハ１０、シート２０、及びサブストレート３０と、が熱圧着されて、図３に示すように、一体化ユニットＷを形成する。以上により、シート熱圧着工程が完了する。このようにしてシート熱圧着工程が完了したならば、図示しない吸引手段、及び電気ヒータ４２を停止し、押圧プレート６４ｂを上昇させると共に、密閉カバー部材６２を上方に引き上げる。シート２０の温度が常温近傍まで低下したならば、支持テーブル４０から一体化ユニットＷを搬出することができる。
上記したシート熱圧着工程によれば、密閉環境内で減圧した状態で、シート２０を加熱し、シート２０が軟化した状態でウエーハ１０を上方から押圧して密着させるため、ウエーハ１０は、液状樹脂、糊剤、ワックス等を介することなくシート２０を介してサブストレート３０に十分な支持力で支持される。
（分割工程）
上記したシート熱圧着工程を実施したならば、一体化ユニットＷとされたウエーハ１０を分割予定ライン１４に沿って切削加工を施す分割工程を実施する。以下に、分割工程について具体的に説明する。
シート熱圧着工程により得られた一体化ユニットＷを、図４に示すように、切削加工を実施する切削装置７０（一部のみを示している。）に搬送し、切削装置７０に配設された保持手段８０の吸着チャック８０ａ上に、サブストレート３０側を下にして載置する。吸着チャック８０ａは、通気性を有するポーラスセラミックスからなり、保持手段８０に接続された図示しない吸引手段を作動させることにより、一体化ユニットＷが保持手段８０に吸引保持される。
図５に示すように、切削装置７０は、スピンドルユニット７１を備えている。スピンドルユニット７１は、回転スピンドル７２の先端部に固定された切削ブレード７３を保持するブレードカバー７４を備えている。ブレードカバー７４には、切削ブレード７３を挟んで隣接する位置に切削水供給手段３５が配設されており、切削ブレード７３によるウエーハ１０の切削箇所に向けて切削水を供給する。
切削ブレード７３によって切削を実施する前に、図示しないアライメント手段を用いて、切削ブレード７３と、ウエーハ１０の表面１０ａ側に形成された分割予定ライン１４との位置合わせ（アライメント）を行う。
該アライメント手段によるアライメントを実施したならば、図５に示すように、高速回転させられる切削ブレード７３を、保持手段８０に保持したウエーハ１０の表面１０ａ側から分割予定ライン１４の加工開始位置に位置付けて下降させて切り込ませ、ウエーハ１０を切削ブレード７３に対して矢印Ｘで示すＸ方向（加工送り方向）に移動させる。切削ブレード７３の先端位置は、ウエーハ１０を表面１０ａからシート２０に至る深さに設定されており、切削ブレード７３により、分割予定ライン１４に沿って完全にウエーハ１０を分割する分割溝１００を形成する。ウエーハ１０を含む一体化ユニットＷを保持する保持手段８０を、Ｘ方向に移動させるのに加え、矢印Ｙで示すＹ方向、及び回転方向にも適宜移動させながら、上記した切削加工により、ウエーハ１０の全ての分割予定ライン１４に沿って、切削溝１００を形成し（図６の上段を参照）、個々のデバイスチップ１２’に分割する。以上により分割工程が完了する。
（剥離工程）
上記した分割工程が完了したならば、ウエーハ１０から、シート２０及びサブストレート３０を剥離する剥離工程を実施する。以下に、剥離工程の実施手順について説明する。
上記した分割工程によって個々のデバイスチップ１２’に分割されたウエーハ１０を含む一体化ユニットＷは、切削装置７０の保持手段８０から搬出され、図６に示す剥離用保持手段９０に搬送される。剥離用保持手段９０に搬送された一体化ユニットＷは、上下を反転させられて、サブストレート３０を上方に、すなわち、ウエーハ１０を下方に向けて、剥離用保持手段９０の吸着チャック９０ａ上に載置される。なお、剥離用保持手段９０は、上記した切削装置７０の保持手段８０と同様の構成を備えており、剥離用保持手段９０を別途用意せず、切削装置７０の保持手段８０を使用してもよい。
図示しない吸引手段を作動させることにより、一体化ユニットＷを剥離用保持手段９０に吸引保持したならば、シート２０を加熱する等して、図７に示すようにウエーハ１０から、シート２０及びサブストレート３０を剥離する。なお、剥離工程を実施する際に、シート２０を加熱すれば、シート２０が軟化するため、容易に剥離させることが可能になるが、ウエーハ１０からシート２０が剥離する前に、サブストレート３０がシート２０から剥離することもあり得る。その場合は、サブストレート３０と、シート２０を順に剥離すればよい。
上記した説明では、シート２０及びサブストレート３０をウエーハ１０から剥離する際に、シート２０を加熱するようにしたが、冷却することによってシート２０の粘着力が低下する場合もあり、シート２０を冷却してから上記剥離工程を実施してもよい。剥離工程を実施する際に、シート２０を加熱するか、冷却するかについては、シート２０を構成する素材の特性に応じて選択すればよい。以上により剥離工程が完了し、剥離用保持手段９０に吸引保持されたまま、ウエーハ１０が個々のデバイスチップ１２’に分割された状態となる。
（ダイシングテープ配設工程）
本実施形態では、個々のデバイスチップ１２’に分割されたウエーハ１０を所定のカセットケースに収容したり、個々に分割したデバイスチップ１２’をピックアップして次工程に搬送したりすることを考慮して、上記した剥離工程を実施した後、ダイシングテープ配設工程を実施する。上記した剥離工程を経て、剥離用保持手段９０に吸引保持されたウエーハ１０は、図７から理解されるように、ウエーハ１０の裏面１０ｂが上方に露出している。本実施形態では、図８（ａ）に示すように、ウエーハ１０よりも大きな寸法に設定された開口部を有する環状のフレームＦを用意し、該開口部よりも大きい円形のダイシングテープＴの外周をフレームＦに貼着し、さらに、開口部の中央に剥離用保持手段９０に保持されたウエーハ１０を位置付け、ダイシングテープＴにウエーハ１０の裏面１０ｂを貼着する。そして、剥離用保持手段９０に接続された図示しない吸引手段を停止して、剥離用保持手段９０からウエーハ１０を離脱させる。そして、図８（ｂ）に示すように、ダイシングテープＴを介してフレームＦに保持されたウエーハ１０を反転させ、ダイシングテープ配設工程が完了する。このようにすることで、個々のデバイスチップ１２’に分割した後も、ウエーハ１０の形態を維持したまま、図示しないカセットケースに収容したり、図示しないピックアップ工程等を実施するピックアップ装置等に搬送したりすることができる。
本実施形態によれば、ウエーハ１０は、シート熱圧着工程が実施されることによって、シート２０を介してサブストレート３０に十分な支持力で支持され、ウエーハ１０に対して切削加工を施す際にウエーハ１０が安定的に支持され、ウエーハ１０の表面１０ａに形成された分割予定ライン１４を切削ブレード７３により切削加工をしても、デバイスチップ１２’に欠け等が生じることが防止される。また、ウエーハ配設工程において、液状樹脂、糊剤、及びワックス等を介さずにシート２０によってウエーハ１０をサブストレート３０に保持させているため、分割工程が終了してウエーハの裏面１０ｂからシート２０、及びサブストレート３０を剥離しても、液状樹脂、糊剤、ワックス等がデバイスチップ１２’の裏面に付着して残留することがなく、デバイスの品質を低下させることがない。
なお、上記した実施形態では、ポリエチレンシートによりシート２０を構成したが、本発明はこれに限定されない。液状樹脂、糊剤、ワックス等を必要とすることなくウエーハ１０を支持可能なシート２０としては、ポリオレフィン系シート、ポリエステル系シートの中から適宜選択することができる。ポリオレフィン系シートとしては、上記したポリエチレンシートの他、例えば、ポリプロピレン（ＰＰ）シート、ポリスチレン（ＰＳ）シートを選択することができる。また、ポリエステル系シートとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）シートを選択することができる。
上記した実施形態では、シート熱圧着工程においてシート２０を加熱する際の温度を、ポリエチレンシートの融点近傍の温度（１２０～１４０℃）に設定したが、上記したように、シート２０として他のシートを選択して構成する場合は、選択したシートの素材の融点近傍の温度になるように加熱することが好ましい。例えば、シート２０がポリプロピレンシートで構成される場合は、加熱する際の温度設定を１６０～１８０℃とし、シート２０がポリスチレンシートで構成される場合は、加熱する際の温度を２２０～２４０℃とすることが好ましい。また、シート２０がポリエチレンテレフタレートシートで構成される場合は、加熱する際の温度を２５０～２７０℃とし、シート２０がポリエチレンナフタレートシートで構成される場合は、加熱する際の温度を１６０～１８０℃に設定することが好ましい。
また、上記した実施形態では、密閉カバー部材６２により内部空間Ｓを形成して密閉環境としたが、本発明はこれに限定されない。例えば、図９（ａ）に示すように、ウエーハ１０を、シート２０、サブストレート３０と共にサブストレート３０よりも大きい吸着チャック９６を有する保持手段９４に保持させ、吸着チャック９６の上面全体をフィルム状部材２００で覆い、吸着チャック９６から負圧Ｖｍを作用させることで、ウエーハ１０を含むフィルム状部材２００の内側を密閉環境とし、該密閉環境内の空間を減圧することができる。そして、図９（ｂ）に一部拡大断面図として示すように、加熱手段（図示は省略する。）を備えたローラ２１０により、シート２０を所望の温度に加熱しながら、フィルム状部材２００の上からウエーハ１０の裏面１０ｂ全体を押圧することで、本発明のシート熱圧着工程を実施することも可能である。
上記した実施形態では、サブストレート３０をガラスにより構成したが、本発明はこれに限定されず、シート熱圧着工程時にシート２０を加熱しても軟化せず、且つ分割工程を実施する際にウエーハ１０を破損させずに支持し得る剛性が確保されるのであれば、他の素材、例えば、アルミ、セラミックス等からなるサブストレート３０を採用することができる。さらに、シート２０を加熱する際の温度の影響を受けにくい融点が高い素材であれば、樹脂から選択されてもよい。例えば、シート２０としてポリエチレンシートが選択された場合のシート熱圧着工程時の加熱温度は１２０～１４０℃であることから、サブストレート３０として、融点が２５０～２７０℃であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を採用することもできる。すなわち、サブストレート３０は、シート２０よりも融点温度が高い素材から選択されることが好ましい。
１０：ウエーハ
１２：デバイス
１４：分割予定ライン
２０：シート
２２：盛り上がり部
３０：サブストレート
４０：支持テーブル
４２：電気ヒータ
５０：基台
５２：吸引孔
６０：熱圧着装置
６２：密閉カバー部材
６４：押圧部材
６４ｂ：押圧プレート
７０：切削装置
７２：回転スピンドル
７４：ブレードカバー
８０：保持手段
９０：剥離用保持手段
２００：フィルム状部材
２１０：ローラ

Claims (5)

  1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
    ウエーハを支持するサブストレートの上面にポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートのいずれかのシートを敷設し、該シートの上面にウエーハの裏面を位置付けて配設するウエーハ配設工程と、
    該ウエーハ配設工程により該シートを介して該サブストレートに配設されたウエーハを密閉環境内で減圧して該シートを加熱すると共にウエーハを押圧して該シートを介してウエーハを該サブストレートに熱圧着するシート熱圧着工程と、
    該シート熱圧着工程が実施されたウエーハの表面に切削ブレードを位置付けて分割予定ラインを切削してウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
    該分割工程が実施されたウエーハの裏面から該シートと該サブストレートを剥離する剥離工程と、
    から少なくとも構成されるウエーハの加工方法。
  2. 該ポリオレフィン系のシートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかで構成される請求項１に記載のウエーハの加工方法。
  3. 該シートとしてポリオレフィン系のシートが選択された場合の該シート熱圧着工程における該シートの加熱温度は、該シートがポリエチレンシートで構成される場合は１２０～１４０℃であり、該シートがポリプロピレンシートで構成される場合は１６０～１８０℃であり、該シートがポリスチレンシートで構成される場合は２２０～２４０℃である請求項２に記載のウエーハの加工方法。
  4. 該ポリエステル系のシートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシート、のいずれかで構成される請求項１に記載のウエーハの加工方法。
  5. 該シートとしてポリエステル系のシートが選択された場合の該シート熱圧着工程における該シートの加熱温度は、該シートがポリエチレンテレフタレートシートで構成される場合は２５０～２７０℃であり、該シートがポリエチレンナフタレートシートで構成される場合は１６０～１８０℃である請求項４に記載のウエーハの加工方法。
JP2018140247A 2018-07-26 2018-07-26 ウエーハの加工方法 Active JP7181020B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018140247A JP7181020B2 (ja) 2018-07-26 2018-07-26 ウエーハの加工方法
KR1020190080956A KR20200012732A (ko) 2018-07-26 2019-07-04 웨이퍼의 가공 방법
CN201910613278.9A CN110783249B (zh) 2018-07-26 2019-07-09 晶片的加工方法
US16/513,988 US10879122B2 (en) 2018-07-26 2019-07-17 Wafer processing method
TW108125994A TWI787535B (zh) 2018-07-26 2019-07-23 晶圓加工方法
DE102019211057.6A DE102019211057A1 (de) 2018-07-26 2019-07-25 Waferbearbeitungsverfahren

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018140247A JP7181020B2 (ja) 2018-07-26 2018-07-26 ウエーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020017658A JP2020017658A (ja) 2020-01-30
JP7181020B2 true JP7181020B2 (ja) 2022-11-30

Family

ID=69149139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018140247A Active JP7181020B2 (ja) 2018-07-26 2018-07-26 ウエーハの加工方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10879122B2 (ja)
JP (1) JP7181020B2 (ja)
KR (1) KR20200012732A (ja)
CN (1) CN110783249B (ja)
DE (1) DE102019211057A1 (ja)
TW (1) TWI787535B (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019220550A (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7286245B2 (ja) * 2019-06-07 2023-06-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7286247B2 (ja) * 2019-06-07 2023-06-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7345973B2 (ja) * 2019-08-07 2023-09-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7341606B2 (ja) * 2019-09-11 2023-09-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7383338B2 (ja) * 2019-10-10 2023-11-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7387228B2 (ja) * 2019-10-17 2023-11-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7301480B2 (ja) * 2019-10-17 2023-07-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021077735A (ja) * 2019-11-07 2021-05-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021077720A (ja) * 2019-11-07 2021-05-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2023019193A (ja) * 2021-07-28 2023-02-09 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002203821A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 接着および剥離法
JP2003037155A (ja) 2001-07-25 2003-02-07 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化ウェハーの製造法
JP2003077869A (ja) 2001-06-18 2003-03-14 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの加工方法及びこれに使用される支持基板
JP2005191297A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法
JP2007165636A (ja) 2005-12-14 2007-06-28 Nippon Zeon Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2008078430A (ja) 2006-09-22 2008-04-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の製造方法
JP2010184319A (ja) 2009-02-12 2010-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
WO2017036512A1 (en) 2015-08-31 2017-03-09 Karl Heinz Priewasser Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method
WO2018003312A1 (ja) 2016-06-30 2018-01-04 リンテック株式会社 半導体加工用シート
WO2018002035A2 (en) 2016-06-28 2018-01-04 Karl Heinz Priewasser Method of processing wafer

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58153352A (ja) * 1982-03-09 1983-09-12 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法
JP3280876B2 (ja) * 1996-01-22 2002-05-13 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ウェハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2004153159A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Enzan Seisakusho:Kk 半導体ウェハの保護部材貼着方法及びその装置
JP2010050214A (ja) 2008-08-20 2010-03-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2012033637A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
KR101467718B1 (ko) * 2011-08-09 2014-12-01 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조방법 및 그 방법에 사용되는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 필름
CN108922959B (zh) * 2013-03-28 2022-07-29 日亚化学工业株式会社 发光装置、及使用发光装置的装置
US20150235871A1 (en) * 2014-02-18 2015-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Vacuum laminating apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus
TWI665239B (zh) * 2014-09-29 2019-07-11 日商富士軟片股份有限公司 組成物、片的製造方法、片、積層體及帶有元件晶圓的積層體
JP6356581B2 (ja) * 2014-11-19 2018-07-11 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002203821A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 接着および剥離法
JP2003077869A (ja) 2001-06-18 2003-03-14 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの加工方法及びこれに使用される支持基板
JP2003037155A (ja) 2001-07-25 2003-02-07 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化ウェハーの製造法
JP2005191297A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法
JP2007165636A (ja) 2005-12-14 2007-06-28 Nippon Zeon Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2008078430A (ja) 2006-09-22 2008-04-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の製造方法
JP2010184319A (ja) 2009-02-12 2010-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
WO2017036512A1 (en) 2015-08-31 2017-03-09 Karl Heinz Priewasser Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method
WO2018002035A2 (en) 2016-06-28 2018-01-04 Karl Heinz Priewasser Method of processing wafer
WO2018003312A1 (ja) 2016-06-30 2018-01-04 リンテック株式会社 半導体加工用シート

Also Published As

Publication number Publication date
DE102019211057A1 (de) 2020-01-30
JP2020017658A (ja) 2020-01-30
US20200035559A1 (en) 2020-01-30
US10879122B2 (en) 2020-12-29
TWI787535B (zh) 2022-12-21
KR20200012732A (ko) 2020-02-05
TW202007742A (zh) 2020-02-16
CN110783249A (zh) 2020-02-11
CN110783249B (zh) 2023-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7181020B2 (ja) ウエーハの加工方法
TWI803650B (zh) 晶圓的加工方法
US10916466B2 (en) Wafer uniting method
TWI810309B (zh) 晶圓的加工方法
JP2019186488A (ja) ウエーハの加工方法
TWI813674B (zh) 晶圓的加工方法
JP7317482B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7317483B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2019186489A (ja) ウエーハの加工方法
JP7374657B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7404109B2 (ja) 一体化方法
JP2021185591A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210518

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220721

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221025

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221117

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7181020

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150