DE102019211057A1 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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Shigenori Harada
Takashi Okamura
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Abstract

Ein Waferbearbeitungsverfahren beinhaltet: einen Waferbereitstellungsschritt des Bereitstellens eines Wafers durch ein Platzieren einer thermoplastischen Polymerfolie an einer oberen Oberfläche eines Substrats, an dem der Wafer getragen wird, und des Positionierens einer hinteren Oberfläche des Wafers an einer oberen Oberfläche der Polymerfolie; einen Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt des Evakuierens einer umschließenden Umgebung, in welcher der Wafer über die Polymerfolie am Substrat vorgesehen ist, des Erwärmens der Polymerfolie und des Drückens des Wafers in Richtung der Polymerfolie, um den Wafer über die Polymerfolie mit dem Substrat unter Druck zu verbinden; und einen Teilungsschritt des Positionierens einer Schneidklinge an der vorderen Oberfläche des Wafers und des Schneidens des Wafers entlang der Teilungslinien, um den Wafer in einzelne Bauelementchips zu teilen.

Description

  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers entlang mehrerer sich kreuzender Teilungslinien in einzelne Bauelementchips, wobei die Teilungslinien an einer vorderen Oberflächenseite des Wafers ausgebildet sind, sodass sie mehrere getrennte Bereiche definieren, in denen mehrere Bauelemente einzeln ausgebildet sind.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Ein Wafer weist mehrere Bauelemente wie beispielsweise integrierte Schaltungen (ICs) und Large-Scale-Integrations (LSIs) auf, die in getrennten Bereichen ausgebildet sind, die durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien an einer vorderen Oberflächenseite des Wafers definiert sind. Nachdem eine hintere Oberfläche des Wafers unter Benutzung einer Schleifvorrichtung geschliffen wurde, um eine Dicke des Wafers auf eine vorgegebene Dicke zu reduzieren, wird der Wafer unter Benutzung einer Teilungsvorrichtung in einzelne Bauelementchips geteilt. Dementsprechend werden die so geteilten Bauelementchips in elektrischen Geräten wie beispielsweise Mobiltelefonen und PCs eingesetzt.
  • Bei einem Teilen eines Wafers in einzelne Bauelementchips wird ein Teilungsband an einer hinteren Oberfläche des Wafers angebracht, während der Wafer über das Teilungsband von einem ringförmigen Rahmen mit einer Öffnung zum Aufnehmen des Wafers darin getragen wird, so dass der Wafer in einem Zustand zu einem nachfolgenden Schritt überführt werden kann, in dem die Form des gesamten Wafers erhalten bleibt, wobei der Wafer aufgrund der Haftkraft des Teilungsbandes, selbst nachdem der Wafer in die einzelnen Bauelementchips geteilt worden ist, am Teilungsband gehalten wird (siehe z.B. Japanische Offenlegungsschrift Nr. 2010-050214 ).
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Wie oben beschrieben, wird der Wafer bei einem Teilen des Wafers in einzelne Bauelementchips über das Teilungsband durch den ringförmigen Rahmen getragen, so dass es möglich wird, den Wafer in dem Zustand zu einem nachfolgenden Schritt zu überführen, in dem die Form des gesamten Wafers, nachdem er geteilt worden ist, aufrecht erhalten bleibt. Jedoch treten, wenn der Wafer einem Schneiden unter Benutzung eines Schneidmessers entlang der Teilungslinien unterzogen wird, an der hinteren Oberflächenseite des Wafers, an der der Wafer am Teilungsband angebracht ist, Abplatzungen auf, was eine Qualitätsverringerung eines Bauelementchips verursacht.
  • Das obige Problem einer Qualitätsverminderung eines Bauelementchips ist auf eine relativ weiche Haftmittelschicht zurückzuführen, die an einer vorderen Oberfläche des Teilungsbandes ausgebildet ist. Da eine solche weiche Haftmittelschicht keine Haftkraft aufweist, die groß genug ist, um den Wafer zu halten, bewegen sich die Bauelementchips, wenn der Wafer geteilt wird. Folglich kommen die Bauelementchips in irregulären Kontakt mit dem Schneidmesser, das gedreht wird. Da ein Halteabschnitt eines Einspanntisches zum Halten des Wafers unter Ansaugung aus einer porösen Keramik ausgebildet ist, die eine Gasdurchlässigkeit aufweist, wird das Teilungsband außerdem durch den Halteabschnitt des Einspanntisches angesaugt, wodurch eine Reduktion einer Haltekraft eines äußeren Umfangsabschnitts jedes geteilten Bauelementchips bewirkt wird. Dies bewirkt einen irregulären Kontakt zwischen jedem Bauelementchip und dem Schneidmesser, das gedreht wird, was auch als eine Ursache für eine Abplatzung jedes Bauelementchips angesehen wird.
  • In Anbetracht dessen in Erwägung gezogen, dass das obige Problem gelöst werden kann, wenn ein Teilen in einem Zustand durchgeführt wird, in dem die hintere Oberfläche des Wafers von einem Substrat (Tragplatte), das eine Steifigkeit aufweist, getragen wird. Da das Substrat jedoch selbst keine Haftung aufweist, ist es notwendig, den Wafer und das Substrat durch einen flüssigen Kunststoff, ein Wachs oder ein Haftband zu verbinden, auf das ein Haftmittel oder dergleichen aufgebracht ist. In diesem Fall verbleibt, wenn das Teilen beendet ist und das Substrat von der hinteren Oberfläche des Wafers getrennt wird, auf jedem Bauelementchip ein flüssiger Kunststoff, ein Wachs oder ein Haftmittel oder dergleichen, der oder das auf ein Haftband aufgebracht ist, das damit beschichtet ist, wodurch ein weiteres Problem einer Qualitätsverminderung jedes Bauelementchips entsteht.
  • Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das bei einem Teilen eines Wafers in einzelne Bauelementchips keine Qualitätsverminderung jedes Bauelementchips verursacht.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers in einzelne Bauelementchips bereitgestellt, wobei der Wafer mehrere Bauelemente aufweist, die an einer vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, wobei die mehreren Bauelemente einzeln durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien, die an der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, geteilt sind. Das Waferbearbeitungsverfahren beinhaltet: einen Waferbereitstellungsschritt des Bereitstellens eines Wafers durch ein Platzieren einer thermoplastischen Polymerfolie an einer oberen Oberfläche eines Substrats, an dem der Wafer getragen wird, und des Positionierens einer hinteren Oberfläche des Wafers an einer oberen Oberfläche der Polymerfolie; einen Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt des Evakuierens einer umschließenden Umgebung, in der der Wafer über die Polymerfolie am Substrat bereitgestellt ist, des Erwärmens der Polymerfolie und des Drückens des Wafers in Richtung der Polymerfolie, um den Wafer nach einem Ausführen des Waferbereitstellungsschrittes unter Druck über die Polymerfolie mit dem Substrat zu verbinden; einen Teilungsschritt des Positionierens eines Schneidmessers an der vorderen Oberfläche des Wafers und des Schneidens des Wafers entlang der Teilungslinien, um den Wafer nach einem Ausführen des Folien-Thermokompressionsverbindungsschritts in einzelne Bauelementchips zu teilen; und einen Trennschritt des Trennens der Polymerfolie und des Substrats von der hinteren Oberfläche des Wafers nach einem Ausführen des Teilungsschritts.
  • Bevorzugt ist die thermoplastische Polymerfolie eine Polyolefinfolie oder eine Polyesterfolie.
  • Bevorzugt ist die Polyolefinfolie aus Polyethylen, Polypropylen oder Polystyren ausgebildet. In einem Fall, in dem die Polyolefinfolie aus Polyethylen ausgebildet ist, wird die Polyolefinfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt bevorzugt auf eine Temperatur im Bereich von 120°C bis 140°C erwärmt. In einem Fall, in dem die Polyolefinfolie aus Polypropylen ausgebildet ist, wird die Polyolefinfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt bevorzugt auf eine Temperatur im Bereich von 160°C bis 180°C erwärmt. In einem Fall, in dem die Polyolefinfolie aus Polystyren ausgebildet ist, wird die Polyolefinfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt bevorzugt auf eine Temperatur im Bereich von 220°C bis 240°C erwärmt.
  • Bevorzugt ist die Polyesterfolie aus Polyethylenterephthalat oder Polyethylennaphthalat ausgebildet. In einem Fall, in dem die Polyesterfolie aus Polyethylenterephthalat ausgebildet ist, wird die Polyesterfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt bevorzugt auf eine Temperatur im Bereich von 250°C bis 270°C erwärmt. In einem Fall, in dem die Polyesterfolie aus Polyethylennaphthalat ausgebildet ist, wird die Polyesterfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt bevorzugt auf eine Temperatur im Bereich von 160°C bis 180°C erwärmt.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Wafer mit einer ausreichenden Tragkraft am Substrat gehalten. Dementsprechend wird auch dann, wenn der Wafer mit einem Schneidmesser entlang der Teilungslinien geschnitten wird, die an der Vorderseite des Wafers ausgebildet sind, verhindert, dass eine Abplatzung an der hinteren Oberfläche jedes Bauelementchips auftritt. Da der Wafer zudem durch ein Thermokompressionsverbinden über die Folie mit dem Substrat verbunden wird, besteht, auch wenn der Teilungsschritt durch das Schneidmesser abgeschlossen ist und das Substrat dann von der hinteren Oberfläche des Wafers getrennt wird, keine Möglichkeit, dass ein flüssiger Kunststoff, ein Haftmittel, ein Wachs oder dergleichen an jedem Bauelementchip verbleiben kann. Somit wird das Problem eines Bewirkens einer Qualitätsverschlechterung jedes Bauelementchips eliminiert.
  • Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art, diese zu realisieren, werden ersichtlicher und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine Explosions-Perspektivenansicht, die eine Art eines Waferbereitstellungsschrittes in einem Waferbearbeitungsverfahren gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und 1B ist eine Perspektivansicht, die einen Zustand darstellt, in dem der Wafer über eine Folie an einem Substrat bereitgestellt ist, das im Waferbereitstellungsschritt von 1A an einem Tragtisch platziert ist;
    • 2A bis 2C sind Seitenansichten, die eine Art eines Folien-Thermokompressionsverbindungsschritts im Waferbearbeitungsverfahren gemäß der bevorzugten Ausführungsform darstellen, wobei jede Seitenansicht nur einen Querschnitt eines umschließenden Abdeckelements darstellt;
    • 3 ist eine Seitenansicht, die eine durch den in den 2A bis 2C dargestellten Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt erhaltene Wafereinheit darstellt;
    • 4 ist eine Perspektivansicht, die eine Art darstellt, auf welche die durch den Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt von 3 erhaltene Wafereinheit an einem Einspanntisch einer Schneidvorrichtung gehalten wird;
    • 5 ist eine Perspektivansicht, die eine Art eines Teilungsschritts im Waferbearbeitungsverfahren gemäß der bevorzugten Ausführungsform darstellt;
    • 6 ist eine Perspektivansicht, die eine Art darstellt, auf welche die Wafereinheit, nachdem der in 5 dargestellte Teilungsschritt durchgeführt worden ist, zur Trennung an einem Haltetisch platziert wird;
    • 7 ist eine Perspektivansicht, die eine Art eines Trennschrittes im Waferbearbeitungsverfahren gemäß der bevorzugten Ausführungsform darstellt, wobei das Substrat von der in 6 dargestellten Wafereinheit getrennt wird;
    • 8A und 8B sind Perspektivansichten, die einen Teilungsbandbereitstellungsschritt in einer fortlaufenden Reihenfolge darstellen;
    • 9A ist eine Perspektivansicht, die eine Modifikation des Folien-Thermokompressionsverbindungsschrittes im Waferbearbeitungsverfahren gemäß der bevorzugten Ausführungsform darstellt; und
    • 9B ist eine vergrößerte Querschnittsansicht der in 9A erhaltenen Wafereinheit.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine bevorzugte Ausführungsform eines Waferbearbeitungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung wird unten unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detailliert beschrieben. Bei einem Ausführen des Waferbearbeitungsverfahrens gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden zunächst, wie in 1A dargestellt, ein Wafer 10 als ein Werkstück, eine Folie 20 und ein Substrat 30 vorbereitet. Der Wafer 10 weist eine vordere Oberfläche 10a und eine hintere Oberfläche 10b auf. Die vordere Oberfläche 10a des Wafers 10 ist durch mehrere Teilungslinien 14 in einem Gittermuster in einzelne getrennte Bereiche geteilt, in denen mehrere Bauelemente 12 einzeln ausgebildet sind. Die Folie 20 weist eine Vorderseite 20a und eine Rückseite 20b auf. Die Folie 20 ist auf eine Größe (Durchmesser) festgelegt, die im Wesentlichen derjenigen des Wafers 10 entspricht, und ist eine thermoplastische Polymerfolie, wie beispielsweise eine Polyolefinfolie und eine Polyesterfolie. In der vorliegenden Ausführungsform wird für die Folie 20 eine Polyethylen (PE)-Folie als ein Beispiel für die Polyolefinfolie gewählt. Außerdem weist das Substrat 30 eine Vorderseite 30a und eine Rückseite 30b und eine kreisförmige Form ähnlich dem Wafer 10 und der Folie 20 auf und ist eine Trägerplatte, die eine höhere Steifigkeit als der Wafer 10 und die Folie 20 aufweist. Das Substrat 30 ist aus einem Glas ausgebildet, das von einer Einstelltemperatur bei einem später beschriebenen Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt nicht beeinflusst wird.
  • (Waferbereitstellungsschritt)
  • Wenn der Wafer 10, die Folie 20 und das Substrat 30 vorbereitet werden, wie in 1A dargestellt, wird der Wafer 10 durch die Folie 20 am Substrat 30 bereitgestellt, das an einer oberen Oberfläche 40a eines Tragtisches 40 in einem Zustand platziert ist, in dem die vordere Oberfläche 10a des Wafers 10 nach oben freiliegt, d.h., dass die hintere Oberfläche 10b des Wafers 10 nach unten gerichtet ist (siehe 1B). Der Tragtisch 40 ist an einer Basis 50 vorgesehen, und die obere Oberfläche 40a des Tragtisches 40 ist so ausgebildet, dass sie eben ist.
  • (Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt)
  • Nachdem der oben beschriebene Waferbereitstellungsschritt ausgeführt wurde, wird als nächstes ein in den 2A bis 2C dargestellter Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt durchgeführt. Der Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt ist ein Schritt eines Platzierens des am Substrat 30 bereitgestellten Wafers 10 über die Folie 20 in einer umschlossenen Umgebung, eines Evakuierens dieser umschlossenen Umgebung, eines Erwärmens der Folie 20 und eines Drückens des Wafers 10 in Richtung der Folie 20, wodurch ein Thermokompressionsverbinden des Wafers 10 und der Folie 20 erreicht wird. Beachte, dass eine elektrische Heizung 42 und ein Temperatursensor (nicht dargestellt) als Heizmittel im Tragtisch 40 eingerichtet sind. Die elektrische Heizung 42 und der Temperatursensor sind mit einer Steuerungseinheit und einer Leistungsquelle verbunden (beide nicht dargestellt), und der Tragtisch 40 kann durch die elektrische Heizung 42 und den Temperatursensor auf eine gewünschte Temperatur eingestellt werden. Unten erfolgt eine detaillierte Beschreibung hinsichtlich des Folien-Thermokompressionsverbindungsschrittes.
  • Um den Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auszuführen, wird eine in 2A dargestellte Thermokompressionsverbindungsvorrichtung 60 verwendet. Die Thermokompressionsverbindungsvorrichtung 60 beinhaltet ein umschließendes Abdeckelement 62 zum Ausbilden einer umschlossenen Umgebung, die den Tragtisch 40 enthält. Beachte, dass, obwohl die 2A bis 2C jeweils eine Seitenansicht der Thermokompressionsverbindungsvorrichtung 60 sind, zur besseren Beschreibung einer internen Ausgestaltung der Thermokompressionsverbindungsvorrichtung 60 ein Querschnitt nur für das umschließende Abdeckelement 62 dargestellt ist. Das umschließende Abdeckelement 62 ist ein kastenartiges Element, das eine gesamte obere Oberfläche der Basis 50 abdeckt und eine rechteckige obere Wand 62a und eine Seitenwand 62b beinhaltet, die sich von einem äußeren Umfangsende der oberen Wand 62a nach unten erstreckt, wobei eine Unterseite davon gegenüber der oberen Wand 62a offen ist. In einer Mitte der oberen Wand 62a ist eine Öffnung 62c ausgebildet, durch die ein Tragschaft 64a eines Drückelements 64 so durchtritt, dass er sich in der vertikalen Richtung auf und ab bewegt. Um die umschlossene Umgebung zu erreichen, indem ein Innenraum S im umschließenden Abdeckelement 62 hermetisch abgedichtet wird, während der Tragschaft 64a in der vertikalen Richtung auf und ab bewegt wird, ist außerdem eine Dichtungsstruktur 62d zwischen einem äußeren Umfang des Tragschafts 64a und der Öffnung 62c ausgebildet. An einem unteren Ende des Tragschafts 64a ist eine Drückplatte 64b vorgesehen. Die Drückplatte 64b weist eine scheibenförmige Form mit einem Durchmesser, der mindestens größer ist als der Wafer 10, vorzugsweise eine Größe, die etwas größer als der Tragtisch 40 ist, auf. Eine untere Endoberfläche der Seitenwand 62b des umschließenden Abdeckelements 62 weist ein elastisches Dichtungselement 62e auf, das in einer Umfangsrichtung vorgesehen ist. Wenn auch nicht darstellt, ist oberhalb des Drückelements 64 ein Antriebsmittel vorgesehen, welches das Drückelement 64 in der vertikalen Richtung auf und ab bewegt.
  • Wenn der Wafer 10 über die Folie 20 am Substrat 30 am Tragtisch 40 platziert wird, wird das über der Basis 50 positionierte umschließende Abdeckelement 62, wie in 2A dargestellt, abgesenkt, bis die untere Endoberfläche der Seitenwand 62b des umschließenden Abdeckelements 62 an der Basis 50 anliegt (siehe 2B). Zu diesem Zeitpunkt ist die Drückplatte 64b in eine obere Position angehoben, in der die Drückplatte 64b nicht mit der oberen Oberfläche des Wafers 10 in Kontakt steht, wie in 2B dargestellt. Wenn die untere Endoberfläche der Seitenwand 62b des umschließenden Abdeckelements 62 an der Basis 50 anliegt, kommt das elastische Dichtungselement 62e, das an der unteren Endoberfläche der Seitenwand 62b vorgesehen ist, in engen Kontakt mit der oberen Oberfläche der Basis 50, um die umschließende Umgebung innerhalb des umschließenden Abdeckelements 62 zu erreichen. In der Nähe des Tragtisches 40 auf der Basis 50 ist eine Ansaugöffnung 52 vorgesehen, durch die ein Ansaugmittel (nicht dargestellt) mit dem durch das umschließende Abdeckelement 62 definierten Innenraum S verbunden ist.
  • Wie in 2B dargestellt, wird, wenn das umschließende Abdeckelement 62 so an der Basis 50 platziert wird, dass die untere Endoberfläche der Seitenwand 62b des umschließenden Abdeckelements 62 an der Basis 50 anliegt, um die umschließende Umgebung innerhalb des Innenraums S des umschließenden Abdeckelements 62 zu erhalten, das Ansaugmittel so betrieben, dass es die Luft innerhalb des Innenraums S durch das Ansaugloch 52 ansaugt, um zu evakuieren, bis ein Druck in einem Bereich, der den Wafer 10 beinhaltet, zu einem Zustand in der Nähe eines Vakuums wird. Gleichzeitig wird die elektrische Heizung 42 des Tragtisches 40 betätigt, um die Folie 20 zu erwärmen, die den Wafer 10 darauf trägt. Bei diesem Betrieb der Elektroheizung 42 wird die Temperatur des Tragtisches 40 durch den nicht dargestellten Temperatursensor gesteuert, wobei die Folie 20 so erwärmt wird, dass Polyethylen in der Folie 20 eine Temperatur in der Nähe seines Schmelzpunktes (im Bereich von 120°C bis 140°C) erreicht. Ferner wird gleichzeitig mit dem Erwärmen der Folie 20, wie in 2C dargestellt, die Drückplatte 64b abgesenkt, sodass sie mit dem Wafer 10 in Kontakt kommt, wobei eine Dr+ckkraft gleichmäßig auf die gesamte obere Oberfläche des Wafers 10 aufgebracht wird. Auf diese Weise wird der den Wafer 10 unterbringende Innenraum S auf einen Zustand, der einem Vakuum nahe ist, evakuiert, so dass die zwischen dem Wafer 10, der Folie 20 und dem Substrat 30 verbleibende Luft abgesaugt wird, um entfernt zu werden. Dann wird die Folie 20 auf die oben beschriebene Temperatur erwärmt, sodass sie erweicht wird und sich eine Haftung erhöht, wobei der Wafer 10 über die Folie 20 so mit dem Substrat 30 verbunden wird, dass sie eine Wafereinheit W ausbilden, wie in 3 dargestellt. Somit ist der Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt abgeschlossen. Wenn der Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf diese Weise abgeschlossen ist, werden das nicht dargestellte Ansaugmittel und die Elektroheizung 42 gestoppt, die Drückplatte 64b wird nach oben angehoben und das umschließende Abdeckelement 62 wird hochgezogen. Wenn die Temperatur der Folie 20 in die Nähe in die Nähe der Raumtemperatur abgesenkt wird, kann die Wafereinheit W vom Tragtisch 40 entnommen werden.
  • Wie oben beschrieben, ermöglicht der Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt durch ein Erwärmen der zu erweichenden Folie 20 und dann durch ein Drücken des Wafers 10 von oben durch die erweichte Folie 20 an das Substrat 30 in einem Vakuumzustand in der umschließenden Umgebung einen engen Kontakt zwischen der Folie 20 und dem Wafer 10. Dementsprechend wird der Wafer 10 über die Folie 20 mit einer ausreichenden Tragkraft am Substrat 30 gehalten, ohne einen flüssigen Kunststoff, ein Haftmittel, ein Wachs oder dergleichen auf den Wafer 10 aufzubringen.
  • (Teilungs schritt)
  • Nachdem der oben beschriebene Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt ausgeführt wurde, wird der Wafer 10 in der Wafereinheit W im Teilungsschritt entlang der Teilungslinien 14 geschnitten. Der Teilungsschritt wird unten detailliert beschrieben.
  • Die durch den Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt erhaltene Wafereinheit W wird wie in 4 dargestellt zu einer Schneidvorrichtung 70 (teilweise dargestellt) überführt, die eine Schneidbearbeitung durchführt, und die Wafereinheit W wird an einer Ansaugeinspanneinrichtung 80a eines in der Schneidvorrichtung 70 vorgesehenen Einspanntisches 80a in einem Zustand platziert, in dem die Seite des Substrats '30 nach unten gerichtet ist. Die Ansaugeinspanneinrichtung 80a ist aus einer porösen Keramik, die eine Gasdurchlässigkeit aufweist, ausgebildet, und ein Ansaugmittel (nicht dargestellt), das mit dem Einspanntisch 80 verbunden sind, wird zum Ansaugen und Halten der Wafereinheit W am Einspanntisch 80 betätigt.
  • Wie in 5 dargestellt, weist die Schneidvorrichtung 70 eine Spindeleinheit 71 auf. Die Spindeleinheit 71 weist eine Spindel 72 und ein Schneidmesser 73, das an einem distalen Endabschnitt der Spindel 72 befestigt ist, sowie eine Messerabdeckung 74 zum Halten des Schneidmessers 73 auf. Die Messerabdeckung 74 weist ein Schneidwasserzufuhrrohr 75 auf, das an einer Position neben dem Schneidmesser 73 vorgesehen ist, wobei das Schneidmesser 73 dazwischen angeordnet ist. Das Schneidwasserzuführrohr 75 führt Schneidwasser zu einem Abschnitt des Wafers 10 zu, der mit dem Schneidmesser 73 geschnitten werden soll.
  • Vor einem Schneiden des Wafers 10 durch das Schneidmesser 73 wird eine Positionierung (Ausrichtung) zwischen dem Schneidmesser 73 und jeder der Teilungslinien 14, die auf der Seite der vorderen Oberfläche 10a Seite des Wafers 10 ausgebildet sind, unter Benutzung eines Ausrichtmittels durchgeführt (nicht dargestellt).
  • Nachdem die Ausrichtung durch das Ausrichtmittel durchgeführt wurde, wie in 5 dargestellt, wird das mit einer höheren Geschwindigkeit rotierende Schneidmesser 73 in einer Bearbeitungsstartposition einer Vorgegebenen der Teilungslinien 14 von der Seite der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10, der am Einspanntisch 80 gehalten wird, positioniert und dann zum Schneiden in den Wafer 10 abgesenkt. Dann wird der Wafer 10 in Bezug auf das Schneidmesser 73 in einer X-Richtung (Bearbeitungszufuhrrichtung) bewegt, die durch einen Pfeil X gekennzeichnet ist. Eine äußerste Endposition des Schneidmessers 73 wird auf eine solche Tiefe eingestellt, dass sie die Folie 20 von der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10 erreicht, und dementsprechend bildet das Schneidmesser 73 eine Teilungsnut 100 aus, die den Wafer 10 entlang der Teilungslinie 14 vollständig teilt. Während der Einspanntisch 80 zum Halten der den Wafers 10 enthaltenden Wafereinheit W nicht nur in der X-Richtung, sondern auch in einer durch einen Pfeil Y gekennzeichneten Y-Richtung und einer Drehrichtung bewegt wird, werden, wie benötigt, durch das oben beschriebene Schneidbearbeiten mehrere Schneidnuten 100 entlang aller Teilungslinien 14 am Wafer ausgebildet (siehe einen oberen Teil in 6). Folglich wird der Wafer 10 in einzelne Bauelementchips 12' geteilt. Somit ist der Teilungsschritt abgeschlossen.
  • (Trennschritt)
  • Nachdem der oben beschriebene Teilungsschritt abgeschlossen ist, wird der Trennschritt durch ein Trennen der Folie 20 und des Substrats 30 vom Wafer 10 ausgeführt. Unten wird eine Art des Ausführens des Trennungsschrittes beschrieben.
  • Die den Wafer 10 beinhaltende Wafereinheit W, der durch den oben beschriebenen Teilungsschritt in die einzelnen Bauelementchips 12' geteilt wurde, wird vom Einspanntisch 80 der Schneidvorrichtung 70 genommen und zur Trennung zu einem Haltetisch 90 überführt, wie in 6 dargestellt. Die zum Haltetisch 90 überführte Wafereinheit W wird umgedreht, so dass eine hintere Oberfläche 30b des Substrats 30 nach oben gerichtet ist, d.h., dass die vordere Oberfläche 10a des Wafers 10 nach unten gerichtet ist, so dass die Wafereinheit W an einer Ansaugeinspanneinrichtung 90a des Haltetisches 90 platziert wird. Beachte, dass der Haltetisch 90 eine ähnliche Ausgestaltung wie der Einspanntisch 80 der oben beschriebenen Schneidevorrichtung 70 aufweist und der Einspanntisch 80 der Schneidevorrichtung 70 verwendet werden kann, ohne den Haltetisch 90 zusätzlich vorzubereiten.
  • Durch ein Betätigen eines Ansaugmittels (nicht dargestellt) wird die Wafereinheit W angesaugt und am Haltetisch 90 gehalten, und dann wird die Folie 20 beispielsweise so erwärmt, dass die Folie 20 und das Substrat 30 gemeinsam vom Wafer 10 getrennt werden, wie in 7 dargestellt. In diesem Fall wird, wenn der Trennschritt durchgeführt wird, wenn die Folie 20 erwärmt wird, die Folie 20 erweicht. Dementsprechend ist es möglich, die Folie 20 einfach vom Wafer 10 zu trennen. Das Substrat 30 kann jedoch möglicherweise von der Folie 20 getrennt werden, bevor die Folie 20 von dem Wafer 10 getrennt wird. In einem solchen Fall ist es ausreichend, wenn das Substrat 30 und die Folie 20 in dieser Reihenfolge getrennt werden.
  • In der obigen Beschreibung wird bei einem Trennen der Folie 20 und des Substrats 30 vom Wafer 10 die Folie 20 erwärmt. Es gibt jedoch einen Fall, in dem ein Abkühlen der Folie 20 die Haftung der Folie 20 verringert, so dass der oben beschriebene Trennschritt nach einem Kühlen der Folie 20 ausgeführt werden kann. Bei einem Durchführen des Trennschritts kann entsprechend einer Eigenschaft eines Materials der Folien 20 gewählt werden, ob die Folie 20 erwärmt oder gekühlt werden soll. Somit ist der Trennschritt abgeschlossen und der Wafer 10 bleibt so, wie er ist, in einem Zustand unter Ansaugung am Haltetisch gehalten, in dem der Wafer 10 in die einzelnen Bauelementchips 12' unterteilt ist.
  • (Teilungsbandbereitstellungsschritt)
  • In dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Teilungsbandbereitstellungsschritt ausgeführt, nachdem der oben beschriebene Trennschritt ausgeführt worden ist, wobei berücksichtigt wird, dass der Wafer 10, der in die einzelnen Bauelementchips 12' geteilt worden ist, in einem vorgegebenen Kassettengehäuse gelagert wird und jeder der geteilten Bauelementchips 12' aufgenommen wird, um ihn an einen nachfolgenden Schritt zu übertragen. Durch den oben beschriebenen Trennschritt liegt die hintere Oberfläche 10b des unter Ansaugung am Haltetisch 90 gehaltenen Wafers 10 nach oben frei. In dieser bevorzugten Ausführungsform wird, wie in 8A dargestellt, ein ringförmiger Rahmen F mit einer Öffnung vorbereitet, die auf einen größeren Durchmesser als der Wafer 10 festgelegt ist. Dann wird ein kreisförmiges Teilungsband T mit einem größeren Durchmesser als die Öffnung am Rahmen F an einem äußeren Umfang des Teilungsbandes T angebracht. Ferner wird der am Haltetisch 90 gehaltene Wafer 10 in der Mitte der Öffnung positioniert, und die hintere Oberfläche 10b des Wafers 10 wird am Teilungsband T angebracht. Dann wird ein mit dem Haltetisch 90 verbundenes Ansaugmittel (nicht dargestellt) angehalten, so dass der Wafer 10 vom Haltetisch 90 gelöst wird. Danach wird, wie in 8B darstellt, der über das Teilungsband T am Rahmen F gehaltene Wafer 10 umgedreht, und dementsprechend wird der Teilungsbandbereitstellungsschritt abgeschlossen. Auf diese Weise ist es, auch nachdem der Wafer 10 in die einzelnen Bauelementchips 12' geteilt ist, möglich, den Wafer 10 in dem Zustand, in dem die Form des gesamten Wafers 10 erhalten wird, im Kassettengehäuse (nicht dargestellt) zu lagern oder den Wafer 10 zu einer Aufnahme-Vorrichtung (nicht dargestellt) zu übergeben, die beispielsweise einen Aufnahmeschritt durchführt.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der Wafer 10 vom Substrat 30 über die Folie 20 durch ein Ausführen des Folien-Thermokompressionsverbindungsschrittes mit einer ausreichenden Stützkraft getragen, und der Wafer 10 wird bei einem Durchführen einer Schneidbearbeitung am Wafer 10 stabil getragen. Dementsprechend ist es auch dann, wenn die an der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10 ausgebildeten Teilungslinien 14 einer Schneidbearbeitung durch das Schneidmesser 73 unterzogen werden, möglich, einem Auftreten von Abplatzungen oder dergleichen im Bauelementchip 12' vorzubeugen. Da der Wafer 10 im Waferbereitstellungsschritt über die Folie 20 ohne einen flüssigen Kunststoff, ein Haftmittel, ein Wachs oder dergleichen, die zwischen dem Wafer 10 und dem Substrat 30 angeordnet sind, am Substrat 30 gehalten wird, sind, selbst wenn die Folie 20 und das Substrat 30 von der hinteren Oberfläche 10b des Wafers 10 getrennt werden, wenn der Teilungsschritt beendet ist, ein flüssiger Kunststoff, ein Haftmittel, ein Wachs oder dergleichen nicht an einer hinteren Oberfläche jedes der Bauelementchips 12' angebracht, sodass sie daran verbleiben, und es wird keine Qualitätsminderung jedes Bauelements verursacht.
  • Beachte, dass, obwohl in der vorgenannten Ausführungsform die Polyethylenfolie für die Folie 20 verwendet wird, die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Die Folie 20, die in der Lage ist, den Wafer 10 ohne die Notwendigkeit eines flüssigen Kunststoffs, eines Haftmittels, eines Wachses oder dergleichen zu tragen, kann geeignet aus einer Polyolefinfolie und einer Polyesterfolie ausgewählt werden. Beispiele für die Polyolefinfolie beinhalten beispielsweise eine Polyethylenfolie, eine Polypropylenfolie (PP) und eine Polystyrolfolie (PS). Beispiele für die Polyesterfolie beinhalten beispielsweise auch eine Polyethylenterephthalat (PET)-Folie und eine Polyethylennaphthalat (PEN)-Folie.
  • Gemäß der obigen Ausführungsform wurde die Temperatur beim Erwärmen der Folie 20 im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur (im Bereich von 120°C bis 140°C) in der Nähe eines Schmelzpunktes von Polyethylen festgelegt. In einem Fall, in dem die Folie 20 eine andere Folie als die Polyethylenfolie ist, wie oben beschrieben, ist es bevorzugt, die ausgewählte Folie auf eine Temperatur in der Nähe eines Schmelzpunktes eines Materials der ausgewählten Folie zu erwärmen. Wenn die Folie 20 beispielsweise aus Polypropylen ausgebildet ist, wird die Temperatur beim Erwärmen bevorzugt im Bereich von 160°C bis 180°C festgelegt. Wenn die Folie 20 aus Polystyren ausgebildet ist, wird die Temperatur beim Erwärmen bevorzugt im Bereich von 220°C bis 240°C festgelegt. Ebenso wird, wenn die Folie 20 aus Polyethylenterephthalat ausgebildet ist, die Temperatur beim Erwärmen bevorzugt im Bereich von 250°C bis 270°C festgelegt. Darüber hinaus wird, wenn die Folie 20 aus Polyethylennaphthalat ausgebildet ist, die Temperatur beim Erwärmen bevorzugt im Bereich von 160°C bis 180°C eingestellt.
  • Darüber hinaus bildet das umschließende Abdeckelement 62 in der obigen Ausführungsform den Innenraum S aus, um die umschließende Umgebung zu erreichen. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. So wird beispielsweise, wie in 9A dargestellt, der Wafer 10 zusammen mit der Folie 20 und dem Substrat 30 an einem Haltetisch 94 gehalten, der eine Ansaugeinspanneinrichtung 96 mit einem größeren Durchmesser als das Substrat 30 aufweist, und die gesamte obere Oberfläche der Einspanneinrichtung 96, an welcher der Wafer 10 gehalten wird, ist mit einem filmartigen Element 200 abgedeckt, und dann wird von der Ansaugeinspanneinrichtung 96 ein Unterdruck Vm aufgebracht. Folglich wird eine umschließende Umgebung, die durch das filmartige Element 200, das in sich den Wafer 10 aufweist, gemeinsam mit der oberen Oberfläche der Ansaugeinspanneinrichtung 96 ausgebildet wird, evakuiert, so dass ein Druck in einem Raum innerhalb der umschließenden Umgebung reduziert werden kann. Danach wird, wie in 9B als vergrößerte Querschnittsansicht eines wesentlichen Teils von 9A dargestellt, eine mit einem Heizmittel versehene Walze 210 (nicht dargestellt) benutzt, um die gesamte hintere Oberfläche 10b des Wafers 10 durch das folienartige Element 200 zu drücken, während die Folie 20 auf eine gewünschte Temperatur erwärmt wird. Auf diese Weise kann der Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt in der vorliegenden Erfindung auch ausgeführt werden.
  • Obwohl das Substrat 30 in der oben beschriebenen Ausführungsform aus Glas ausgebildet ist, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Solange die Folie 20 nicht erweicht wird, selbst wenn die Folie 20 im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt erwärmt wird, und das Substrat 30 eine Steifigkeit sicherstellt, um den Wafer 10 bei einem Ausführen des Teilungsschritts ohne Beschädigung zu stützen, ist es möglich, das aus einem anderen Material, z.B. Aluminium, einer Keramik oder dergleichen, ausgebildete Substrat 30 zu verwenden. Ferner kann für das Substrat 30 ein Kunststoff verwendet werden, solange ein Material des Kunststoffs einen hohen Schmelzpunkt aufweist und weniger von einer Temperatur beeinflusst wird, bei der die Folie 20 erwärmt wird. Wenn beispielsweise die Polyethylenfolie für die Folie 20 ausgewählt wird, liegt eine Erwärmungstemperatur im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt im Bereich von 120°C bis 140°C, so dass auch Polyethylenterephthalat (PET) mit einem Schmelzpunkt von 250°C bis 270°C als das Substrat 30 verwendet werden kann. Mit anderen Worten wird das Substrat 30 bevorzugt aus einem Material mit einem höheren Schmelzpunkt als die Folie 20 ausgewählt.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angehängten Patentansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das Äquivalente des Schutzbereichs der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2010050214 [0003]

Claims (9)

  1. Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers in einzelne Bauelementchips, wobei der Wafer mehrere Bauelemente aufweist, die an einer vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, wobei die mehreren Bauelemente einzeln durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien, die an der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, unterteilt sind, wobei das Waferbearbeitungsverfahren umfasst: einen Waferbereitstellungsschritt eines Bereitstellens eines Wafers durch ein Platzieren einer thermoplastischen Polymerfolie an einer oberen Oberfläche eines Substrats, an dem der Wafer getragen wird, und eines Positionierens einer hinteren Oberfläche des Wafers an einer oberen Oberfläche der Polymerfolie; einen Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt eines Evakuierens einer umschließenden Umgebung, in welcher der Wafer über die Polymerfolie am Substrat bereitgestellt ist, eines Erwärmens der Polymerfolie und eines Drückens des Wafers in Richtung der Polymerfolie, um den Wafer über die Polymerfolie mit dem Substrat unter Druck zu verbinden, nachdem der Waferbereitstellungsschritt ausgeführt wurde; einen Teilungsschritt eines Positionierens eines Schneidmessers an der vorderen Oberfläche des Wafers und eines Schneidens des Wafers entlang der Teilungslinien, um den Wafer nach einem Ausführen des Folien-Thermokompressionsverbindungsschrittes in einzelne Bauelementchips zu teilen; und einen Trennschritt eines Trennens der Polymerfolie und des Substrats von der hinteren Oberfläche des Wafers, nachdem der Teilungsschritt durchgeführt wurde.
  2. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei die thermoplastische Polymerfolie aus einem Material ausgebildet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Polyolefin und Polyester besteht.
  3. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die thermoplastische Polymerfolie eine Polyolefinfolie aufweist, die aus einem Material ausgebildet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Polyethylen, Polypropylen und Polystyren besteht.
  4. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 3, wobei die Polyolefinfolie aus Polyethylen ausgebildet ist und die Polyolefinfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 120°C bis 140°C erwärmt wird.
  5. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 3, wobei die Polyolefinfolie aus Polypropylen ausgebildet ist und die Polyolefinfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 160°C bis 180°C erwärmt wird.
  6. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 3, wobei die Polyolefinfolie aus Polystyren ausgebildet ist und die Polyolefinfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 220°C bis 240°C erwärmt wird.
  7. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die thermoplastische Polymerfolie eine Polyesterfolie aufweist, die aus einem Material ausgebildet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Polyethylenterephthalat und Polyethylennaphthalat besteht.
  8. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 7, wobei die Polyesterfolie aus Polyethylenterephthalat ausgebildet ist und die Polyesterfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 250°C bis 270°C erwärmt wird.
  9. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 7, wobei die Polyesterfolie aus Polyethylennaphthalat ausgebildet ist und die Polyesterfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 160°C bis 180°C erwärmt wird.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019220550A (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7286247B2 (ja) * 2019-06-07 2023-06-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7286245B2 (ja) * 2019-06-07 2023-06-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7345973B2 (ja) * 2019-08-07 2023-09-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7341606B2 (ja) * 2019-09-11 2023-09-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7383338B2 (ja) * 2019-10-10 2023-11-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7387228B2 (ja) * 2019-10-17 2023-11-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7301480B2 (ja) * 2019-10-17 2023-07-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021077720A (ja) * 2019-11-07 2021-05-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021077735A (ja) * 2019-11-07 2021-05-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2023019193A (ja) * 2021-07-28 2023-02-09 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58153352A (ja) * 1982-03-09 1983-09-12 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法
JP3280876B2 (ja) * 1996-01-22 2002-05-13 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ウェハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2003037155A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化ウェハーの製造法
JP2002203821A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 接着および剥離法
JP4074758B2 (ja) * 2001-06-18 2008-04-09 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの加工方法
JP2004153159A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Enzan Seisakusho:Kk 半導体ウェハの保護部材貼着方法及びその装置
JP2005191297A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法
JP4930679B2 (ja) * 2005-12-14 2012-05-16 日本ゼオン株式会社 半導体素子の製造方法
JP5151104B2 (ja) * 2006-09-22 2013-02-27 パナソニック株式会社 電子部品の製造方法
JP2010050214A (ja) 2008-08-20 2010-03-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2010184319A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
JP2012033637A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
CN103748664B (zh) * 2011-08-09 2016-04-20 三井化学东赛璐株式会社 半导体装置的制造方法及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜
CN108922959B (zh) * 2013-03-28 2022-07-29 日亚化学工业株式会社 发光装置、及使用发光装置的装置
US20150235871A1 (en) * 2014-02-18 2015-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Vacuum laminating apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus
TWI665239B (zh) * 2014-09-29 2019-07-11 日商富士軟片股份有限公司 組成物、片的製造方法、片、積層體及帶有元件晶圓的積層體
JP6356581B2 (ja) * 2014-11-19 2018-07-11 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP6657515B2 (ja) * 2015-08-31 2020-03-04 株式会社ディスコ ウェーハを処理する方法および該方法で使用するための保護シート
GB2551732B (en) * 2016-06-28 2020-05-27 Disco Corp Method of processing wafer
CN109075048A (zh) * 2016-06-30 2018-12-21 琳得科株式会社 半导体加工用片

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