CN103748664B

CN103748664B - 半导体装置的制造方法及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜

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Publication number: CN103748664B
Application number: CN201280038816.2A
Authority: CN
Inventors: 林下英司; 尾崎胜敏; 酒井充; 森本哲光; 小野博之; 国重仁志
Original assignee: Mitsui Chemicals Tohcello Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Tohcello Inc
Priority date: 2011-08-09
Filing date: 2012-08-09
Publication date: 2016-04-20
Anticipated expiration: 2032-08-09
Also published as: TWI544533B; KR101467718B1; KR20130084695A; JP5393902B2; CN103748664A; JPWO2013021644A1; SG189515A1; WO2013021644A1; TW201316393A

Abstract

本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言，本发明提供一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：在150℃的储存弹性模量G_A（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量G_B（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量G_B（40）为10MPa以上的软化层（B）。

Description

半导体装置的制造方法及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法以及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜。

背景技术

半导体装置的制造步骤中的半导体晶片的薄化加工通常通过磨削半导体晶片的电路非形成面（背面）来进行。背面磨削时的半导体晶片的电路形成面的保护可通过各种方法来进行。

例如包含蓝宝石基板的半导体晶片的电路形成面的保护可通过以下方法来进行（例如专利文献1及非专利文献1）。即，准备在表面设有蜡树脂层的陶瓷板。接着，将蜡树脂层加热使其熔融，将蓝宝石基板的电路形成面嵌入至熔融状态的蜡树脂层。接着，将蜡树脂层冷却并使其固化。由此，通过蜡树脂层保护蓝宝石基板的整个电路形成面。作为蜡树脂，通常由松香系蜡（包括松香、褐煤蜡及酚醛树脂等蜡、熔点50℃左右）构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2005/099057号

非专利文献

非专利文献1：DISCOPressRelease株式会社2009年11月5日因特网（URL:http://www.disco.co.jp/jp/news/press/20091105.html）

发明内容

发明要解决的课题

然而，上述方法中，为了将背面磨削后的蓝宝石基板自蜡树脂层剥离，必须使蜡树脂层加热熔融。而且，必须通过溶剂清洗除去蓝宝石基板表面所残留的蜡树脂，步骤烦杂。另外，背面磨削后的蓝宝石基板由于厚度非常薄，容易产生翘曲，因此有在这些步骤中容易破裂的问题。

因此，本发明人等研究了通过较容易剥离的半导体晶片保护膜来保护蓝宝石基板的电路形成面的方法。以往的半导体晶片保护膜具有基材层与粘着层。并且，在将半导体晶片保护膜的粘着层贴附于半导体晶片的电路形成面后，磨削半导体晶片背面。然后，通过胶带剥离机等剥离半导体晶片保护膜。

然而，使用以往的半导体晶片保护膜的方法中，存在背面磨削时蓝宝石基板的端部容易破损的问题。即，如图3所示，在蜡工法中，将蓝宝石基板1的全部端部嵌入蜡树脂层2内，因而容易稳定地保持蓝宝石基板1的端部。另一方面，如图4所示，在使用以往的半导体晶片保护膜的方法中，蓝宝石基板1的端部并未嵌入至半导体晶片保护膜4的内部，因此难以稳定保持蓝宝石基板1的端部。因此可以认为，背面磨削时蓝宝石基板1的端部与磨石3等接触而容易破损。

本发明是鉴于上述情况而完成的，目的是提供一种特别是在蓝宝石基板等硬且脆的半导体晶片中，亦可无破损地进行背面磨削的半导体装置的制造方法、适合于上述制造方法的半导体晶片表面保护用膜。

用于解决课题的手段

本发明人等发现，在背面磨削时，通过利用隆起部（凸缘（rim））保持半导体晶片的端部附近，可抑制半导体晶片端部的破损。并且努力研究的结果发现了可通过热压接较容易地形成隆起部（凸缘），且即便在背面磨削时的温度亦可良好地维持隆起部（凸缘）的形状的膜的构成。

即，本发明的第一发明涉及以下的半导体晶片表面保护用膜。

[1]一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：基材层（A），其在150℃的储存弹性模量G_A（150）为1MPa以上；以及软化层（B），其在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量G_B（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量G_B（40）为10MPa以上。

[2]如[1]所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述软化层（B）在100℃的储存弹性模量G_B（100）为1MPa以上。

[3]如[1]或[2]所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述软化层（B）在60℃的拉伸弹性模量E_B（60）与在25℃的拉伸弹性模量E_B（25）满足1＞E_B（60）/E_B（25）＞0.1的关系。

[4]如[1]至[3]中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，进一步包括粘着层（C），其隔着上述软化层（B）而配置于与上述基材层（A）相反侧；上述粘着层（C）的依据JISZ0237而测定的粘着力为0.1N/25mm～10N/25mm。

[5]如[1]至[4]中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述基材层（A）配置于最表面。

[6]如[4]或[5]所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述粘着层（C）隔着上述软化层（B）而配置于与上述基材层（A）相反侧的最表面。

[7]如[1]至[6]中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述软化层（B）包含：烃烯烃的均聚物、烃烯烃的共聚物、或这些的混合物。

[8]如[1]至[7]中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，构成上述软化层（B）的树脂的密度为880kg/m³～960kg/m³。

[9]如[1]至[8]中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述基材层（A）是聚烯烃层、聚酯层、或聚烯烃层与聚酯层的层叠体。

本发明的第二发明涉及以下的半导体装置的制造方法。

[10]一种半导体装置的制造方法，其包括：

在半导体晶片表面保护用膜上，以所述半导体晶片的电路形成面与半导体晶片表面保护用膜接触的方式配置半导体晶片的步骤；

在上述半导体晶片的外周，形成保持上述半导体晶片的上述半导体晶片表面保护用膜的隆起部的步骤；

对通过上述隆起部而保持的上述半导体晶片的电路非形成面进行磨削的步骤；

自上述半导体晶片的电路形成面剥离上述半导体晶片表面保护用膜的步骤；

上述隆起部在100℃的储存弹性模量G（100）为1MPa以上。

[11]如[10]所述的半导体装置的制造方法，其中，上述半导体晶片表面保护用膜是如[1]至[9]中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，

以120℃～180℃的温度、1MPa～10MPa的压力热压接上述半导体晶片表面保护用膜与上述半导体晶片而形成上述隆起部。

[12]如上述[11]所述的半导体装置的制造方法，其中，

在上述半导体晶片表面保护用膜上以上述半导体晶片的电路形成面与半导体晶片表面保护用膜接触的方式配置上述半导体晶片的步骤中的膜的温度TM、与形成上述半导体晶片表面保护用膜的隆起部的步骤中的热压接温度TP、以及上述软化层（B）的软化点温度TmB满足以下通式的关系：[式1]TP≤TM，[式2]TmB＜TP＜TmB+40℃。

[13]如[11]或[12]所述的半导体装置的制造方法，其中，以上述半导体晶片表面保护用膜的软化层（B）较基材层（A）成为上述半导体晶片的电路形成面侧的方式，将上述半导体晶片配置于上述半导体晶片表面保护用膜上。

[14]如[10]至[13]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，上述半导体晶片包含莫氏硬度为8以上的高硬度材料基板。

本发明的第三发明涉及压制贴装框的半导体晶片压制装置。

[15]一种半导体晶片压制装置，其将贴装框用具有加热机构的上压制板和与上压制板相对的下压制板夹住而进行压制，上述贴装框包含半导体晶片、具有包围上述半导体晶片的框的环框A、遍及上述半导体晶片的电路形成面与上述框A而贴附的如[1]所述的半导体晶片表面保护膜；

上述半导体晶片的外直径DW、与上述环框A的内直径DA_IN满足式（1）DW＜DA_IN的关系；

上述下压制板在与上述上压制板相对的面具有凸部；

上述压制时的、上述凸部与上述贴装框的接触面的外周为圆形。

[16]如[15]所述的半导体晶片压制装置，其中，上述凸部的高度为1μm～100μm。

[17]如[15]或[16]所述的半导体晶片压制装置，其中，上述凸部的高度相对于半导体晶片表面保护膜的软化层（B）的厚度在15%～100%的范围内。

[18]如[15]至[17]中任一项所述的半导体晶片压制装置，其中，上述凸部的直径CD满足DW＜CD＜DA_IN的关系。

本发明的第四发明涉及制作贴装框的半导体晶片贴装装置、以及使用其的半导体装置的制造方法。

[19]一种半导体晶片贴装装置，其用于制作贴装框，该贴装框包含半导体晶片、包围上述半导体晶片的环状辅助构件B、包围上述半导体晶片与上述环状辅助构件B的环框A、遍及上述半导体晶片的电路形成面与上述环状辅助构件B以及上述环框A而贴附的如[1]至[9]中任一项所述的半导体晶片表面保护膜；

上述半导体晶片的外直径DW、上述环框A的内直径DA_IN、上述环状辅助构件B的环外直径DB_OUT、以及上述环状辅助构件B的环内直径DB_IN满足式（1）DW＜DB_IN＜DB_OUT＜DA_IN的关系；

上述半导体晶片贴装装置包括：

加热单元，其对上述半导体晶片的电路形成面的相反面进行加热；

贴附辊，其遍及上述半导体晶片的电路形成面、上述环框A以及上述环状辅助构件B而转动，以贴附上述半导体晶片表面保护膜；以及

胶带切割机构，其沿着上述环框A的外形切割上述表面保护膜。

[20]如[19]所述的半导体晶片贴装装置，其中，下述式所示的ΔD1与ΔD2均在DW的1%以内：

ΔD1=DB_IN-DW…（2）

ΔD2=DA_IN-DB_OUT…（3）。

本发明的第五发明涉及以下的半导体装置的制造方法。

一种半导体装置的制造方法，其包括：1’）准备半导体晶片的步骤；2’）在半导体晶片的外周形成实质上包含树脂的隆起部的步骤；3’）在半导体晶片表面保护用膜上配置半导体晶片的电路形成面的步骤；4’）对通过隆起部而保持的半导体晶片的电路非形成面进行磨削的步骤；5’）将半导体晶片表面保护用膜剥离的步骤；

上述包含树脂的隆起部的储存弹性模量G_B（40）为10MPa以上。

发明的效果

本发明的半导体晶片表面保护用膜即便对于特别是蓝宝石基板等硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削。

附图说明

图1A是表示本发明的半导体晶片表面保护膜的一个实施方式的示意图。

图1B是表示本发明的半导体晶片表面保护膜的另一个实施方式的示意图。

图2A是表示在半导体晶片表面保护用膜上配置半导体晶片的步骤（贴装步骤）的一例的图。

图2B是表示在半导体晶片表面保护用膜上配置有半导体晶片的层叠物的图。

图2C是表示在半导体晶片的外周形成半导体表面保护用膜的隆起部的步骤（压制步骤）的一例的图。

图2D是表示隆起部的一例的放大图。

图2E是表示将半导体晶片的电路非形成面磨削的步骤的一例的图。

图3是表示采用以往的蜡工法的半导体晶片保护方法的一例的图。

图4是表示使用以往的半导体晶片表面保护用膜的半导体晶片保护方法的一例的图。

图5A及图5B是表示贴装步骤的其他实施方式的图。

图6是表示由于压制步骤，半导体晶片表面保护用膜的厚度变得不均匀的状态的图。

图7A是表示压制步骤的其他实施方式的图，图7B～C是表示凸部形状的例子的图。

图8是表示在半导体晶片的外周形成与半导体表面保护用膜不同的隆起部的方法的图。

具体实施方式

1.半导体晶片表面保护用膜

本发明的半导体晶片表面保护用膜包括基材层（A）以及软化层（B），根据需要可进一步包括粘着层（C）（参照图1A）或轻粘着层（D）（参照图1B）等。本发明中所述的膜的厚度并无限定，亦可称为所谓的片。

关于基材层（A）

基材层（A）具有在将半导体晶片表面保护用膜与半导体晶片热压接时的抑制半导体晶片的翘曲，保持形状的功能。因此优选基材层（A）在热压接温度（约120℃～180℃的任意温度）具有一定以上的储存弹性模量。具体而言，基材层（A）在150℃的储存弹性模量G_A（150）优选为1MPa以上，更优选为2MPa以上。

基材层（A）的储存弹性模量可通过以下方法测定。即，准备包含构成基材层（A）的树脂的厚度为500μm的样品膜。接着，将样品膜放置于动态粘弹性测定装置（TA仪器公司制造：ARES）中，使用直径8mm的平行板型附加装置（attachment），一边以升温速度3℃/分钟自30℃升温至200℃，一边测定储存弹性模量。测定频率可设为1Hz。测定结束后，根据所得的30℃～200℃的储存弹性模量-温度曲线，读取150℃的储存弹性模量G（Pa）的值。

构成基材层（A）的树脂只要满足上述的储存弹性模量即可。另外，如后述那样，在粘着层（C）包含放射线固化型粘着剂时，优选构成基材层（A）的树脂具有透明性。此种树脂的例子包括聚烯烃、聚酯等。即，基材层（A）可为聚烯烃膜、聚酯膜、聚烯烃层与聚酯层的层叠膜等。聚烯烃膜的例子包括聚丙烯膜。聚酯膜的例子包括聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜等。

构成基材层（A）的树脂的密度优选为900kg/m³～1450kg/m³。若构成基材层（A）的树脂的密度小于900kg/m³，则储存弹性模量过低，因此存在形状保持性不充分的情况。

就获得可抑制半导体晶片的翘曲的程度的刚性的观点而言，基材层（A）的厚度例如优选为5μm以上，更优选为10μm以上。就防止半导体晶片的破损的观点而言，基材层（A）的厚度的上限只要设为半导体晶片表面保护用膜的总厚度相对于半导体晶片的磨削最终厚度而不过厚的程度即可。

关于软化层（B）

软化层（B）具有为了稳定保持半导体晶片的端部而在半导体晶片的周围形成隆起部（凸缘）的功能。如后述那样，由于存在使半导体晶片表面保护用膜与半导体晶片热压接而形成隆起部（凸缘）的情况，因此必须以热压接温度（120℃～180℃）使软化层（B）软化。即，软化层（B）的软化点温度TmB优选为低于热压接温度（120℃～180℃）的低温。软化点温度TmB可根据DSC测定而求出，具体而言，将依据ISO-11357-3得到的树脂材料的熔点（DSC法）设为软化点温度。

120℃～180℃的任意温度的软化层（B）的储存弹性模量G_B（120～180）、优选150℃的软化层（B）的储存弹性模量G_B（150），优选为0.05MPa以下，更优选为0.03MPa以下。

另一方面，为了在背面磨削时（湿式抛光）隆起部（凸缘）不软化，必须使软化层（B）在背面磨削时的温度（40℃附近）不软化。因此，40℃的储存弹性模量G_B（40）优选为10MPa以上，更优选为20MPa以上，尤其优选为30MPa以上。40℃的储存弹性模量G_B（40）的上限通常可设为500MPa以下左右。为了使软化层（B）在40℃的储存弹性模量G_B（40）为10MPa以上，优选如后述那样将构成软化层（B）的树脂设为非弹性体的树脂。如后述那样，储存弹性模量G为拉伸弹性模量E的约1/3。例如，所谓“使软化层（B）在40℃的储存弹性模量G_B（40）为10MPa以上”，亦可称为“使软化层（B）在40℃的拉伸弹性模量E_B（40）为30MPa以上”。

背面磨削通常通过湿式进行，根据需要亦可进一步通过干式进行。干式背面磨削（干式抛光）时的晶片温度，由于磨石与半导体晶片的摩擦热大，因此有时达到约100℃左右。因此，为了在干式抛光时隆起部（凸缘）亦不软化，优选软化层（B）在100℃的储存弹性模量G_B（100）为1MPa以上，更优选为3MPa以上。

软化层（B）在60℃的拉伸弹性模量E_B（60）与在25℃的拉伸弹性模量E_B（25），优选为1＞E_B（60）/E_B（25）＞0.1。对半导体晶片进行背面磨削时的半导体晶片的温度大多在25℃～60℃的范围内变化。因此，通过使该温度范围内的软化层（B）的储存弹性模量的变化率在一定范围内，从而包含软化层（B）的隆起部可稳定保持半导体晶片。另外，可抑制包含软化层（B）的隆起部在半导体晶片的背面磨削中劣化。因此，可更有效地抑制在半导体晶片的背面磨削中的半导体晶片的破损。

软化层（B）的拉伸弹性模量E的测定可如以下方式进行测定。i）剪切厚度100μm的膜，准备宽度（TD方向）10mm、长度（MD方向）100mm的短条状试样片。ii）接着，依据JISK7161，通过拉伸试验机以夹盘间距离50mm、拉伸速度300mm/分钟的条件，测定试样片的拉伸弹性模量。拉伸弹性模量的测定是在温度23℃、相对湿度55%的条件下进行。拉伸弹性模量E大多为储存弹性模量G的3倍左右。

构成软化层（B）的树脂只要满足上述储存弹性模量，则并无特别限定，优选非弹性体。具体而言，优选烃烯烃的均聚物或共聚物，更优选为乙烯均聚物、丙烯均聚物、或者乙烯或丙烯与其以外的烃烯烃的共聚物。另一方面，例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA）通常40℃的储存弹性模量G（40）为0.01MPa～0.1MPa左右，由于小于10MPa，因此不优选。

乙烯或丙烯与其以外的烃烯烃的共聚物中的乙烯或丙烯以外的烃烯烃，优选碳原子数3～12的α-烯烃。碳原子数3～12的α-烯烃的例子包括：丙烯、1-丁烯、1-戊烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯等，优选丙烯、1-丁烯等。

构成软化层（B）的树脂的优选具体例包括：直链状低密度聚乙烯（LLDPE）、低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、ABS树脂、氯乙烯树脂、甲基丙烯酸甲酯树脂、尼龙、氟树脂、聚碳酸酯、聚酯树脂等，优选直链状低密度聚乙烯（LLDPE）、低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯等。

构成软化层（B）的树脂的密度优选为880kg/m³～960kg/m³，更优选为900kg/m³～960kg/m³，尤其优选为910kg/m³～950kg/m³。若构成软化层（B）的树脂的密度小于880kg/m³，则有在40℃时发生软化的情况。另一方面，若树脂的密度超过960kg/m³，则有在热压接温度难以软化的情况。

软化层（B）的储存弹性模量可通过乙烯或丙烯的均聚物的密度、乙烯或丙烯与其以外的烃烯烃的共聚物中的乙烯或丙烯以外的烃烯烃的种类及其含有比例等来进行调整。例如为了提高软化层（B）在40℃的储存弹性模量，例如可以提高乙烯或丙烯均聚物的密度、或提高乙烯或丙烯与其以外的烃烯烃的共聚物中的乙烯或丙烯的含有比例。

软化层（B）的厚度只要是可通过与半导体晶片的热压接而形成凸缘，且可嵌入半导体晶片表面的凹凸的程度即可。因此，软化层（B）的厚度优选大于半导体晶片的电路形成面的高低差的最大值，优选为高低差的最大值的1.1倍以上。具体而言，若高低差为50μm，则软化层（B）的厚度更优选为55μm以上，尤其优选为60μm以上。另一方面可以认为，若软化层（B）过厚，则与薄时相比，难以抑制磨削中的半导体晶片的变形（弯曲或挠曲），因此容易破损。因此，软化层（B）的厚度优选设为100μm以下，更优选设为70μm以下。

软化层（B）根据需要可进一步包含其他树脂、添加剂。添加剂的例子包括：紫外线吸收剂、抗氧化剂、耐热稳定剂、润滑剂、柔软剂等。

关于粘着层（C）

本发明的半导体晶片表面保护用膜为了提高与半导体晶片的密合性，优选进一步包含粘着层（C）。另一方面，若粘着层（C）的粘着力过高，则自半导体晶片剥离时容易残胶。因此，粘着层（C）只要具有最低限度的粘着力即可，具体而言，优选依据JISZ0237而测定的粘着力为0.1N/25mm～10N/25mm。

粘着层（C）的储存弹性模量只要是不阻碍软化层（B）的隆起部（凸缘）形成的程度即可。

构成粘着层（C）的粘着剂（粘着主剂）可为丙烯酸系粘着剂、硅酮系粘着剂或橡胶系粘着剂等。其中，就容易调整粘接力等方面而言，优选将丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘着剂。

构成粘着层（C）的粘着剂可为放射线固化型粘着剂。原因是，由放射线固化型粘着剂构成的粘着层，由于通过放射线的照射而固化，因此可自晶片容易地剥离。放射线可为紫外线、电子束、红外线等。

放射线固化型粘着剂可以是包含上述粘着主剂、分子内具有碳-碳双键的化合物以及放射线聚合引发剂的粘着剂，亦可以是包含将分子内具有碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的粘着主剂、以及放射线聚合引发剂的粘着剂。

分子内具有碳-碳双键的化合物的例子包括：三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等。放射线固化性化合物的含量相对于粘着剂100重量份可设为30重量份以下左右。

放射线聚合引发剂的例子包括：甲氧基苯乙酮等苯乙酮系光聚合引发剂；4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮等α-酮醇化合物；苯偶酰二甲基缩酮等缩酮系化合物；安息香、安息香甲醚等安息香系光聚合引发剂；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸等二苯甲酮系光聚合引发剂。

放射线固化型粘着剂根据需要可进一步包含交联剂。交联剂的例子包括：二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、聚异氰酸酯等异氰酸酯系交联剂。

粘着层（C）的厚度只要是不阻碍软化层（B）凸缘形成的程度即可，例如相对于软化层（B）的厚度可设为1%～20%左右、具体可设为1μm～20μm左右。

关于轻粘着层（D）

本发明的半导体晶片表面保护用膜也可具有用以使基材层（A）与软化层（B）可相互剥离地粘接的轻粘着层（D）。轻粘着层（D）的材质的例子包括丙烯酸系粘着剂等。

若本发明的半导体晶片表面保护用膜具有轻粘着层（D），则基材层（A）与软化层（B）可相互剥离。因此，在将半导体晶片表面保护用膜贴附于半导体晶片后，可自半导体晶片表面保护用膜剥离除去基材层（A）。例如可于在半导体晶片的外周形成半导体表面保护用膜的隆起部的步骤（参照图2C）后，且在将半导体晶片的电路非形成面磨削的步骤（参照图2E）前，将基材层（A）自半导体晶片表面保护用膜剥离除去。

若将基材层（A）剥离后对半导体晶片的电路非形成面进行磨削，则可实现更精密的磨削。在半导体晶片的磨削中，半导体晶片表面保护用膜有时由于磨削磨石的荷重而弯曲或振动，从而阻碍精密的磨削。相对于此，若将基材层（A）剥离而使半导体晶片表面保护用膜薄层化后对半导体晶片进行磨削，则会抑制半导体晶片表面保护用膜的弯曲、振动。因此，可实现更精密的磨削。

本发明的半导体晶片表面保护用膜根据需要可进一步包含其他层。其他层例如可为脱模膜等。

如上所述，半导体晶片表面保护用膜包括基材层（A）以及软化层（B）。优选基材层（A）配置于半导体晶片表面保护用膜的最表面。在半导体晶片表面保护用膜进一步包括粘着层（C）时，优选粘着层（C）配置于与基材层（A）的相反侧的最表面。软化层（B）可为单层，亦可为多层。

图1A与图1B是表示半导体晶片表面保护用膜的构成的一例的图。如图1A所示，半导体晶片表面保护用膜10包括：基材层（A）12、软化层（B）14以及粘着层（C）16。如图1B所示，半导体晶片表面保护用膜10’包括：基材层（A）12、轻粘着层（D）18、软化层（B）14以及粘着层（C）16。半导体晶片表面保护用膜10及10’以粘着层（C）16与半导体晶片的电路形成面接触的方式使用。

本发明的半导体晶片表面保护用膜可通过任意的方法制造。例如有：1）将基材层（A）与软化层（B）进行共挤出成形而获得半导体晶片表面保护用膜的方法（共挤出形成法）；2）将膜状基材层（A）与膜状软化层（B）进行层压（层叠）而获得半导体晶片表面保护用膜的方法（层压法）等。进一步包括粘着层（C）的半导体晶片表面保护用膜可通过在基材层（A）与软化层（B）的层叠膜上涂布形成粘着层用涂布液而制造。

2.半导体装置的制造方法

使用本发明的半导体晶片表面保护用膜的半导体装置的制造方法的一例包括：1）在半导体晶片表面保护用膜上配置半导体晶片的步骤（贴装步骤）；2）在半导体晶片的外周形成保持半导体晶片的半导体晶片表面保护用膜的隆起部的步骤（压制步骤）；3）对通过隆起部而保持的半导体晶片的电路非形成面进行磨削的步骤；以及4）将半导体晶片表面保护用膜剥离的步骤。本发明中的3）对通过半导体晶片表面保护用膜而保持的半导体晶片的电路非形成面进行磨削的步骤，是指不弄破半导体晶片、或不破损地薄化加工至特定的厚度。在进行这些步骤后，可进一步进行切割半导体晶片而芯片化的步骤等。

使用半导体晶片表面保护用膜的半导体装置的制造方法的其他例子包括：1’）准备半导体晶片的步骤；2’）在半导体晶片的外周形成实质上包含树脂的隆起部的步骤；3’）在半导体晶片表面保护用膜上配置半导体晶片的电路形成面的步骤；4’）对通过隆起部而保持的半导体晶片的电路非形成面进行磨削的步骤；5’）将半导体晶片表面保护用膜剥离的步骤。2’）形成隆起部的步骤、与3’）在半导体晶片表面保护用膜上配置半导体晶片的电路形成面的步骤的任一步骤均可先进行。

2’）步骤中，形成于半导体晶片的外周的实质上包含树脂的隆起部，可由与构成半导体晶片表面保护用膜的材料不同的树脂材料构成。此时，半导体晶片表面保护用膜并不限定于上述本发明的半导体晶片表面保护用膜，亦可为通常使用的半导体晶片表面保护膜。实质上包含树脂的隆起部的储存弹性模量G_B（40）只要为10MPa以上即可；另外，储存弹性模量G_B（100）优选为1MPa以上。

另外，亦将经过2’）步骤而形成的半导体晶片与配置于其外周的实质上包含树脂的隆起部（凸缘）的组合称为带凸缘的半导体晶片。带凸缘的半导体晶片只要包括半导体晶片与实质上包含树脂的隆起部即可；亦可包括半导体晶片、实质上包含树脂的隆起部以及支持它们的半导体晶片表面保护用膜。半导体晶片表面保护用膜贴附于半导体晶片的电路形成面。

另外，亦可包括6’）以包围半导体晶片的方式配置环框（参照图2B中的符号30）的步骤。配置环框的步骤只要在1’）准备半导体晶片的步骤之后、且4’）进行磨削的步骤之前即可。另外，只要在环框（参照图2B中的符号30）与半导体晶片的间隙存在隆起部即可。

在带凸缘的半导体晶片中，隆起部与半导体晶片边缘的间隔优选为0mm～1mm，更优选为0μm～500μm，尤其优选为隆起部与半导体晶片边缘接触。原因是隆起部保持半导体晶片。

半导体晶片并无特别限制，可为在表面形成有配线、电容器、二极管或晶体管等电路的硅基板或蓝宝石基板等。通过利用本申请发明的半导体晶片表面保护用膜等在半导体晶片的外周形成隆起部（凸缘）并对晶片的电路非形成面进行磨削，从而即便是包含莫氏硬度为8以上的高硬度材料基板的半导体晶片，亦可抑制半导体晶片的破损。另外，本申请发明的半导体晶片可为在蓝宝石基板上层叠有GaN等半导体层的半导体晶片。在制造LED元件等半导体装置时，优选使用形成有电路的蓝宝石基板。半导体晶片的尺寸并无特别限制，可为2英寸、4英寸、6英寸、8英寸等。在半导体晶片的电路形成面上可设置1μm～50μm的高低差。

在半导体晶片周围所形成的半导体晶片表面保护用膜的隆起部（凸缘），是形成于半导体晶片的外周、且保持半导体晶片端部的部位。半导体晶片表面保护用膜的隆起部可由半导体晶片表面保护用膜本身构成；亦可由与构成半导体晶片表面保护用膜的材料不同的材料构成。

通过与构成半导体晶片表面保护用膜的材料不同的树脂材料构成隆起部时，例如有以下的方法。在各方法中，半导体晶片可为贴装于半导体晶片表面保护用膜的半导体晶片，亦可为贴装前的半导体晶片。

方法1）如图8A所示，在半导体晶片20的周围，通过分配器100等涂布装置涂布液状粘接剂105并使其固化的方法

方法2）如图8B所示，将半导体晶片20插入至具有与半导体晶片20的直径大致相同直径的贯通孔的树脂制环110中的方法

方法3）如图8C所示，在插入了半导体晶片20的模具120的腔体125中，注入熔融树脂进行冷却固化而在半导体晶片的周围进行树脂成型的方法

方法1）中，通过分配器100涂布的液状粘接剂105在涂布时（固化前）的粘度只要为约1Pa·s～500Pa·s即可；粘接剂105的固化物的储存弹性模量G_B（40）只要为10MPa以上即可；另外，储存弹性模量G_B（100）优选为1MPa以上。即，粘接剂105的固化物优选具有与上述半导体晶片表面保护用膜中的软化层（B）同样的弹性模量。液状粘接剂105的例子包括：环氧树脂、丙烯酸系树脂、氨基甲酸酯树脂、酚醛树脂等。

方法2）中，具有与半导体晶片20的直径相同直径的贯通孔的树脂制环110的储存弹性模量G_B（40）只要为10MPa以上即可；另外，储存弹性模量G_B（100）优选为1MPa以上。即，优选具有与上述半导体晶片表面保护用膜中的软化层（B）同样的弹性模量。构成树脂制环110的树脂的例子包括：聚乙烯（高密度聚乙烯、低密度聚乙烯等）、聚丙烯（均聚丙烯、无规聚丙烯等）、聚苯乙烯、尼龙等。

方法3）中，注入至模具120的腔体125中的熔融树脂只要为环氧树脂等即可，冷却固化后的熔融树脂的储存弹性模量G_B（40）只要为10MPa以上即可；另外，储存弹性模量G_B（100）优选为1MPa以上。即，优选具有与上述半导体晶片表面保护用膜中的软化层（B）同样的弹性模量。

如此，形成于半导体晶片的周围的隆起部（凸缘）可通过任意的方法来进行，但就可较容易地形成隆起部（凸缘），并且容易操作的方面而言，优选将本发明的半导体晶片表面保护用膜热压接而形成。

隆起部在100℃的储存弹性模量G（100）优选为1MPa以上。隆起部如后述那样，在使用半导体晶片表面保护用膜制作隆起部时，由于由上述膜的软化层（B）构成，因此在此种情况下，隆起部的储存弹性模量与软化层（B）的储存弹性模量相同。另外，在后述的半导体晶片的背面磨削步骤中，优选隆起部（凸缘）实质上由具有一定程度柔软性的树脂形成，以便磨石与隆起部接触而难以破损，磨石可有效地与半导体晶片的电路非形成面接触。

一边参照图一边对使用本发明的半导体晶片表面保护用膜的半导体装置的制造方法的一例进行说明。图2A是表示在半导体晶片表面保护用膜上配置半导体晶片的步骤（贴装步骤）的一例的图；图2B是表示在半导体晶片表面保护用膜上配置有半导体晶片的层叠物的图；图2C是表示在半导体晶片的外周形成半导体表面保护用膜的隆起部的步骤（压制步骤）的一例的图；图2D是表示隆起部的一例的放大图；图2E是表示将半导体晶片的电路非形成面磨削的步骤的一例的图。

关于贴装步骤

在半导体晶片表面保护用膜上配置半导体晶片的例子示于图2A。首先，准备切出大于半导体晶片20的尺寸的半导体晶片表面保护用膜10。接着，将半导体晶片20配置于半导体晶片表面保护用膜10上（1）的步骤。此时，使半导体晶片20的电路形成面20A与半导体晶片表面保护用膜10的粘着层（C）16接触。

具体而言，在加热板40上载置半导体晶片20以及包围半导体晶片20的环框30。进而，在半导体晶片20及环框30上载置半导体晶片表面保护用膜10。此时，使半导体晶片20的电路形成面20A与半导体晶片表面保护用膜10的粘着层（C）16接触。

接着，使辊35一边旋转一边自半导体晶片表面保护用膜10的一个端部至另一个端部而按压于半导体晶片20。由此，半导体晶片20的电路形成面20A与半导体晶片表面保护用膜10密合。通过辊35将半导体晶片表面保护用膜10按压于半导体晶片20期间，加热板40可为常温的状态，亦可将加热板40加温，将半导体晶片表面保护用膜10加热至达到温度（TM）。

贴装步骤中的半导体晶片表面保护用膜10的温度（TM），优选为与在半导体晶片外周形成半导体表面保护用膜的隆起部的步骤（后述）中的半导体晶片表面保护用膜10的温度（TP）相同的温度，或者高于其的高温。其理由的详细内容于下文阐述，原因是存在以下情况：在形成隆起部的步骤中，在半导体晶片表面保护用膜10上产生皱褶；或者在形成隆起部的步骤后，半导体晶片20自半导体晶片表面保护用膜10剥离。

贴装步骤后，将半导体晶片20与半导体晶片表面保护用膜10以及环框30一起自加热板40取下，而获得如图2B所示的在半导体晶片表面保护用膜上配置有半导体晶片的层叠物。将该层叠物称为“贴装框”。

关于压制步骤

接着，如图2C所示那样，通过热压制机的一对热板（上热板22-1与下热板22-2）热压接半导体晶片20与半导体晶片表面保护用膜10（（2）的步骤）。由此，将半导体晶片20挤入至熔融的软化层（B）14中，由此挤出的软化层（B）14在半导体晶片20的端部附近形成隆起部（凸缘）24。上热板22-1是配置于半导体晶片20侧的热板；下热板22-2是配置于半导体晶片保护膜10侧的热板。上热板22-1与半导体晶片20可直接接触，亦可隔着某种构件（例如夹具等）。同样，下热板22-2与半导体晶片保护膜10可直接接触，亦可隔着某种构件（例如夹具等）。

隆起部（凸缘）24的高度优选为例如进行背面磨削的半导体晶片20的厚度的0.2倍～1倍左右。若隆起部（凸缘）24的高度过低，则有时无法稳定保持半导体晶片20的端部。具体而言，在对厚度为1000μm的半导体晶片20进行背面加工时，隆起部（凸缘）24的高度优选为200μm以上。另外，图2B表示未将半导体晶片20的端部的角除去的形态，但亦可对半导体晶片20的端部实施倒角加工（直线）、R加工（曲线）而将角除去。在对半导体晶片20的端部实施倒角加工（直线）、R加工（曲线）时，隆起部（凸缘）24的高度可与倒角加工或R加工后的半导体晶片的端部的厚度相当。

热压接温度（热压接温度TP）、压制压力只要是让软化层（B）14熔融而可形成隆起部（凸缘）24的条件即可。具体而言，压制压力优选为1MPa～10MPa，更优选为3MPa～10MPa。压制时间例如可设为1分钟～5分钟左右。热压接温度TP优选为120℃～180℃的范围，更优选为130℃～170℃的范围，尤其优选为150℃。热压接温度（TP）是指压制机的一对热板（上热板22-1与下热板22-2）的平均温度。

进而，热压接温度（TP）优选为与上述贴装步骤中的半导体晶片表面保护用膜10的温度（TM）相同的温度、或低于其的温度。通过压制步骤中的加热，半导体晶片表面保护用膜10将会热膨胀；若热压接温度（TP）为贴装步骤中的温度（TM）以下，则压制步骤中的半导体晶片表面保护用膜10的热膨胀的程度是与贴装步骤中的半导体晶片表面保护用膜10的热膨胀的程度同等的程度、或小于其的程度。由于将贴装步骤中经充分热膨胀的半导体晶片表面保护用膜10固定于半导体晶片，因此在压制步骤中半导体晶片表面保护用膜10难以热膨胀，难以产生皱褶。另一方面，若不恰当地调整热压接温度（TP）与温度（TM），则半导体晶片表面保护用膜10容易在半导体晶片20的周边产生皱褶。

进而，若在压制步骤后将半导体晶片表面保护用膜10冷却，则有时发生半导体晶片表面保护用膜10与半导体晶片20剥离（半导体晶片20自膜10浮起）的情况。该剥离亦可通过将热压接温度（TP）设为贴装步骤中的温度（TM）以下而抑制。通过如此在半导体表面保护膜抑制皱褶，从而在半导体晶片的背面磨削步骤中，可更不易弄破半导体晶片。

另外，热压接温度（TP）优选高于半导体晶片表面保护用膜10的软化层（B）的软化温度（TmB）。通过将热压接温度（TP）设为软化温度（TmB）以上而使软化层（B）软化，容易形成隆起部（凸缘）24。另一方面，热压接温度（TP）优选低于“半导体晶片表面保护用膜10的软化层（B）的软化温度（TmB）+40℃”。若热压接温度（TP）过高，则有时无法保持使软化层（B）软化而形成的隆起部（凸缘）24的形状，发生流动而成为扁平的形状。由此，隆起部（凸缘）24的高度变低。

另外，如上所述，热压接温度（TP）是指压制机的一对热板（上热板22-1与下热板22-2）的平均温度。上热板22-1的温度（TP1）与下热板22-2的温度（TP2）可为相同的温度，优选使上热板22-1的温度（TP1）高于下热板22-2的温度（TP2）。热压接温度（TP）的温度越高，则越能迅速地形成隆起部（凸缘）24，但若下热板22-2的温度（TP2）高，则无法保持隆起部（凸缘）24的形状，发生流动而扁平化。另一方面，由于上热板22-1与半导体晶片表面保护用膜10不直接接触（两者间有间隙），因此难以通过上热板22-1的温度（TP1）而使隆起部（凸缘）24的形状扁平化。因此，通过使上热板22-1的温度（TP1）高于下热板22-2的温度（TP2），从而可保持隆起部（凸缘）24的形状，同时迅速地形成隆起部（凸缘）24。

具体而言，优选上热板22-1的温度（TP1）高于“半导体晶片表面保护用膜10的软化层（B）的软化温度（TmB）+20℃”，且低于“半导体晶片表面保护用膜10的软化层（B）的软化温度（TmB）+40℃”。并且，优选下热板22-2的温度（TP2）高于“上热板22-1的温度（TP1）-40℃”，且低于“上热板22-1的温度（TP1）”。如此，优选热压接温度（TP）高于“上热板22-1的温度（TP1）-20℃”，且低于“上热板22-1的温度（TP1）”。

隆起部（凸缘）24的高度如图2D所示，定义为半导体晶片表面保护用膜10的自半导体晶片20的电路形成面所接触的面至隆起部（凸缘）24的顶点的高度h。隆起部（凸缘）24的高度可通过显微镜观察剥离半导体晶片20后的半导体晶片表面保护用膜10的剖面形状而测定。

隆起部（凸缘）24并非必需与半导体晶片20的端部接触，但为了提高半导体晶片20的保持性，优选与半导体晶片20的端部接触。

接着，如图2E所示，将半导体晶片表面保护用膜10与半导体晶片20一起放置于卡盘台26上。如上所述，半导体晶片表面保护用膜在基材层（A）与软化层（B）之间可具有轻粘着层（D）（参照图1B）。在具有轻粘着层（D）时，也可在将基材层（A）除去后将半导体晶片表面保护用膜10放置于卡盘台26上。

接着，通过磨石28磨削半导体晶片的电路非形成面（背面）20B直至晶片的厚度达到一定以下（（3）的步骤）。背面磨削后的半导体晶片的厚度例如可设为300μm以下、优选设为100μm以下。磨削加工是利用磨石的机械性磨削加工。磨削方式并无特别限制，可为贯穿进给式、横向进给式等公知的磨削方式。磨削加工不仅可进行湿式磨削（湿式抛光），而且还可进行干式磨削（干式抛光）。

接着，在常温下剥离半导体晶片表面保护用膜10（（4）的步骤）。半导体晶片表面保护用膜10的剥离例如可通过公知的胶带剥离机来进行。并且，在半导体晶片表面保护用膜10包含放射线固化型粘着层（C）时，对半导体晶片表面保护用膜10照射放射线使粘着层（C）固化，而将半导体晶片表面保护用膜10自半导体晶片20剥离。

在进行半导体晶片的背面磨削的步骤（3）、与自半导体晶片剥离半导体晶片表面保护用膜的步骤（4）之间，根据需要可包括：对半导体晶片的电路非形成面（背面）进行加工的步骤。对半导体晶片的电路非形成面（背面）进行加工的步骤例如可进一步进行：选自由金属溅镀步骤、镀敷处理步骤及加热处理步骤所组成的组中的步骤。加热处理步骤例如可为将晶片焊接带在加温下贴附的步骤等。接着，将半导体晶片切割。或者可不剥离半导体晶片表面保护用膜10而对半导体晶片切割。

本发明的半导体晶片表面保护用膜可通过在特定条件下与半导体晶片热压接，而在半导体晶片的外周形成半导体晶片表面保护用膜的隆起部（凸缘）。另外，通过本发明的半导体晶片表面保护用膜形成的隆起部（凸缘），在背面磨削时的半导体晶片的到达温度（约40℃左右）下亦不熔融，因此可良好地维持形状。因此，在半导体晶片的背面磨削时，可通过隆起部（凸缘）稳定地持续保持半导体晶片的端部，可抑制因与磨石的接触所导致的半导体晶片的端部的破损。因此，即便半导体晶片是硬且脆的蓝宝石基板，亦可不破损基板地进行背面磨削。

进而，在半导体晶片表面保护用膜包含通过放射线而固化的粘着层（C）时，通过对半导体晶片表面保护用膜照射放射线，从而可容易地剥离半导体晶片表面保护用膜。如此，无须如以往的蜡工法那样清洗蜡树脂所附着的半导体晶片，因此可将步骤简化。

关于贴装步骤的其他实施方式

如上所述，在贴装步骤中在具有框的环框30的内部配置半导体晶片20；遍及半导体晶片20的一个面（通常是形成有电路的面20A）与环框30，贴附半导体晶片表面保护用膜10（参照图2A）。此时，若环框30与配置于环框30内部的半导体晶片20的间隙大，则在半导体晶片20与环框30之间半导体晶片保护用膜有时会松弛。因此，优选在环框30与半导体晶片20之间，配置环状辅助构件50（参照图5A及图5B）。

半导体晶片20的外直径DW、环框30的内直径DA_IN、环状辅助构件50的环外直径DB_OUT以及环状辅助构件50的环内直径DB_IN，满足式（1）DW＜DB_IN＜DB_OUT＜DA_IN的关系（参照图5B）。

进而，优选尽可能减小半导体晶片20与环状辅助构件50的间隙、以及环状辅助构件50与环框30的间隙。原因是进一步防止被贴附后的半导体晶片保护用膜10的松弛。即，半导体晶片20的外直径DW与环状辅助构件50的环内直径DB_IN的差ΔD1，优选在半导体晶片20的外直径DW的1%以内。同样，环状辅助构件50的环外直径DB_OUT与环框30的内直径DA_IN的差ΔD2，优选在半导体晶片20的外直径DW的1%以内。

ΔD1＝DB_IN-DW…（2）

ΔD2＝DA_IN-DB_OUT…（3）

贴装步骤可通过半导体晶片贴装装置来进行。半导体晶片贴装装置具有加热单元、胶带贴附单元以及胶带切割机构。

加热单元例如是载置有预贴装框的加热板40。预贴装框是指包括半导体晶片20、包围半导体晶片的环状辅助构件50、以及包围环状辅助构件50的环框30的结构体（图5A）。预贴装框以半导体晶片20的电路形成面20A的相反面（电路非形成面）与加热板40相对的方式载置于加热板40上。

一边通过加热板40将载置于加热板40上的预贴装框的半导体晶片20加热，一边由胶带贴附单元遍及半导体晶片20的电路形成面20A、环状辅助构件50以及环框30而贴附半导体晶片表面保护用膜10。胶带贴附单元例如包含辊35；辊35可遍及半导体晶片20的电路形成面20A、环状辅助构件50以及环框30而转动。

胶带切割机构在将半导体晶片保护膜10贴附于预贴装框之前、或贴附之后，按照环框的外径来切割半导体晶片保护膜10。胶带切割机构只要为切割器等即可（未图示）。如此可获得包括半导体晶片20、环状辅助构件50、环框30以及半导体晶片保护膜10的贴装框。

关于压制步骤的其他实施方式

如上所述，压制步骤是通过一对压制板（上压制板22-1与下压制板22-2）压制贴装步骤中所得的贴装框的步骤（参照图2C）。然而，如图6所示，若在压制步骤后解除上热板22-1与下热板22-2带来的压力，则有时会导致贴装框的半导体晶片表面保护膜10的外周部薄于中央部。推测原因是，在压制步骤中，贴装框的半导体晶片表面保护膜10的外周部向外侧流动，相对于此，中央部难以流动。

因此优选，一对压制板中，下压制板22-2在与上压制板22-1相对的面上具有凸部60。设置于下压制板22-2上的凸部60在压制中侵入至半导体晶片保护膜10（图7A）。因此，可使压制步骤后的贴装框的半导体晶片表面保护膜10的厚度均匀，且亦可形成隆起部（凸缘）24。

下压制板22-2的凸部60的与半导体晶片保护膜的接触面的外周（周缘）优选为圆形。因此，凸部60可为圆锥（图7B），或可为圆顶（图7C）。

下压制板22-2的凸部60的突出高度优选为1μm～100μm；更优选为处于半导体晶片表面保护用膜10的软化层（B）的厚度的15%～100%的范围内。凸部60的突出高度是指凸部60的最大高度。

下压制板22-2的凸部60的直径CD大于贴装框的半导体晶片的外直径DW，且小于环框的内直径DA_IN。即满足DW＜CD＜DA_IN的关系。

凸部60的材质并无特别限制。只要适合于用以加工成凸状的磨削即可，例如可为氧化铝等陶瓷、碳化钨等超硬合金等。

压制步骤可使用半导体晶片压制装置来进行。半导体晶片压制装置包括：具有加热机构的上压制板22-1以及在与上压制板22-1相对的面具有凸部60的下压制板22-2。压制步骤中，首先，在上压制板22-1与下压制板22-2之间配置贴装步骤中所得的贴装框。此时，以贴装框的半导体晶片20与上压制板22-1相对，贴装框的半导体晶片表面保护用膜10与下压制板22-2相对的方式配置。

所配置的贴装框如图7A所示包括：半导体晶片20、环框30以及半导体晶片表面保护用膜10的结构体（参照图2B）。

配置贴装框后，通过上压制板22-1的加热机构加热贴装框。进而，通过上压制板22-1与下压制板22-2压制由上压制板22-1与下压制板22-2夹住的贴装框。

通过自上压制板22-1与下压制板22-2剥离贴装框，从而可在半导体晶片保护膜上形成隆起部（凸缘），并且可使压制步骤后的半导体晶片保护膜的厚度达到均匀。

实施例

（实施例1）

材料的准备

准备均聚丙烯（hPP）（PrimePolymer公司制造、密度：910kg/m³）作为基材层（A）的材料。准备直链状低密度聚乙烯（LLDPE）（PrimePolymer公司制造、密度918kg/m³）作为软化层（B）的材料。制备以下的粘着层用涂布液作为粘着层（C）的材料。

粘着层用涂布液的制备

使用过氧化苯甲酰系聚合引发剂[日本油脂（株）制造、NyperBMT-K40]0.8重量份（作为引发剂为0.32重量份），在甲苯65重量份、乙酸乙酯50重量份中，在80℃使丙烯酸乙酯30重量份、丙烯酸2-乙基己酯40重量份、丙烯酸甲酯10重量份及甲基丙烯酸缩水甘油酯20重量份的单体混合物反应10小时。反应结束后，将所得的溶液冷却，进而添加二甲苯100重量份、丙烯酸10重量份、十四烷基二甲基苄基氯化铵[日本油脂（株）制造、CATIONM2-100]0.3重量份，一边吹入空气一边在85℃反应50小时。由此获得丙烯酸系粘着剂聚合物的溶液（粘着剂主剂）。

在所得的丙烯酸系粘着剂聚合物的溶液（粘着剂主剂）中，相对于丙烯酸系粘着剂聚合物固体成分100重量份，添加作为分子内键断裂型光聚合引发剂的苯偶酰二甲基缩酮[日本Ciba-Geigy（株）、Irgacure-651]2重量份、作为分子内具有聚合性碳-碳双键的单体的二季戊四醇六丙烯酸酯与二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯的混合物[东亚合成化学工业（株）制造、ARONIXM-400]0.3重量份，进而添加作为热交联剂的异氰酸酯系交联剂[三井东压化学（株）制造、OlesterP49-75-S]1.35重量份（作为热交联剂为1重量份），而获得UV粘着剂。依据JISZ0237测定所得的UV粘着剂的粘着力，结果为3N/25mm。

1）储存弹性模量的测定

将成为基材层（A）的均聚丙烯（hPP）（PrimePolymer公司制造、密度：910kg/m³）挤出成形，而制作厚度500μm的样品膜。同样将成为软化层（B）的直链状低密度聚乙烯（LLDPE）（PrimePolymer公司制造、密度918kg/m³）挤出成形，而制作厚度500μm的样品膜。将成为粘着层（C）的上述UV粘着剂涂布于玻璃基板上并干燥后，进行剥离而制作厚度300μm的样品膜。

通过以下方法测定这些样品膜的储存弹性模量。即，将样品膜放置于动态粘弹性测定装置（TA仪器公司制造：ARES）中，使用直径8mm的平行板型附加装置，测定以升温速度3℃/分钟自30℃升温至200℃时的储存弹性模量。测定频率设为1Hz。测定结束后，对于基材层（A）与软化层（B）的样品膜，根据所得的10℃～200℃的储存弹性模量-温度曲线，分别读取40℃、100℃及150℃的储存弹性模量的值。对于粘着层（C）的样品膜，根据所得的10℃～200℃的储存弹性模量-温度曲线读取25℃的储存弹性模量的值。

半导体晶片表面保护用膜的制作

将成为基材层（A）的均聚丙烯（hPP）（PrimePolymer公司制造、密度：910kg/m³）、与成为软化层（B）的直链状低密度聚乙烯（LLDPE）（PrimePolymer公司制造、密度918kg/m³）共挤出，获得2层的共挤出膜。在所得的共挤出膜的软化层（B）上涂布上述UV粘着剂后，进行干燥而形成粘着层（C），获得半导体晶片表面保护用膜。半导体晶片表面保护用膜的基材层（A）/软化层（B）/粘着层（C）的厚度为60μm/70μm/5μm，合计厚度为135μm。

2）隆起部（凸缘）的形成性的评价

将所得的半导体晶片表面保护用膜切出大于蓝宝石晶片的尺寸。接着，将厚度650μm、4英寸尺寸的蓝宝石晶片配置于半导体晶片表面保护用膜上。此时，使蓝宝石晶片的电路形成面与半导体晶片表面保护用膜的粘着层（C）接触。将这些层放置于热压制机中，以140℃、10MPa的压力热压接2分钟。

接着，对半导体晶片表面保护用膜照射紫外线约1000mJ后，将半导体晶片表面保护用膜自半导体晶片剥离，通过显微镜观察所得的半导体晶片表面保护用膜的剖面形状。测定半导体晶片表面保护用膜的剖面中的2个部位的隆起部（凸缘）的高度，并求出这些高度的平均值。隆起部（凸缘）的高度是测定隆起部（凸缘）的顶点相对于半导体晶片表面保护用膜的与半导体晶片的电路形成面接触的表面的高度。隆起部（凸缘）的形成性的评价根据以下基准来进行。

○：隆起部（凸缘）的高度为200μm以上

×：隆起部（凸缘）的高度小于200μm

3）背面磨削性的评价

与上述同样地，将所得的半导体晶片表面保护用膜切出大于蓝宝石晶片的尺寸。接着，将厚度650μm、4英寸尺寸的蓝宝石晶片配置于半导体晶片表面保护用膜上。将这些层放置于热压制机中，以140℃、10MPa的压力热压接2分钟。

90μm背面磨削性

将热压接蓝宝石晶片后的半导体晶片表面保护用膜放置于DiscoDGP8761的卡盘台上，通过湿式磨削蓝宝石晶片的电路非形成面（背面）直至晶片厚度为90μm。磨削时的晶片的温度为约40℃。并且，根据以下基准评价背面磨削性。

○：可进行背面磨削直至晶片的厚度达到90μm

×：在晶片的厚度达到90μm前基板破裂（无法背面磨削）

70μm背面磨削性

将进行背面磨削直至晶片的厚度为90μm的蓝宝石晶片，进一步通过湿式磨削直至晶片厚度为70μm。并且根据以下基准评价背面磨削性。

○：可进行背面磨削直至晶片的厚度达到70μm

×：在晶片的厚度达到70μm前基板破裂（无法背面磨削）

4）DP（干式抛光）后的隆起部的形状的评价

对于上述3）的通过湿式的背面磨削结束后的样品，进一步通过干式进行磨削加工（干式抛光）5分钟。干式抛光时的晶片的温度为约100℃。接着，对半导体晶片表面保护用膜照射紫外线约1000mJ后，自半导体晶片表面保护用膜剥离蓝宝石晶片。通过显微镜观察所得的半导体晶片表面保护用膜的剖面形状，测定隆起部（凸缘）的高度。DP耐热性的评价根据以下基准来进行。

○：隆起部（凸缘）的高度为晶片磨削后的厚度程度（凸缘未熔融而残留）

×：隆起部（凸缘）的高度低于晶片的磨削厚度（凸缘熔融而消失）

5）磨削后的基材层（A）的表面平滑性

通过触针式表面形状测定机（Veeco公司Dektac3）评价上述4）的DP（干式抛光）后的基材层（A）的表面平滑性。表面平滑性的评价根据以下基准来进行。

○：因卡盘台的表面形状的转印而基材层（A）表面的凹凸的Ra小于1μm

×：因卡盘台的表面形状的转印而基材层（A）表面的凹凸的Ra为1μm以上

（实施例2）

将基材层（A）与软化层（B）的厚度分别变更为30μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作半导体晶片表面保护用膜，并进行同样的评价。

（实施例3）

将软化层（B）的材料变更为乙烯-α-烯烃共聚物（TAFMER（三井化学公司制造）、密度：893kg/m³），除此以外，以与实施例1相同的方式制作半导体晶片表面保护用膜，并进行同样的评价。

（实施例4）

将软化层（B）的材料变更为直链状低密度聚乙烯（LLDPE）（PrimePolymer公司制造、密度938kg/m³），将基材层（A）与软化层（B）的厚度分别变更为30μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作半导体晶片表面保护用膜，并进行同样的评价。

（实施例5）

将软化层（B）的材料变更为无规聚丙烯（rPP）（PrimePolymer公司制造、密度：910kg/m³），将基材层（A）与软化层（B）的厚度分别变更为30μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作半导体晶片表面保护用膜，并进行同样的评价。

（比较例1）

分别将基材层（A）的材料变更为无规聚丙烯（rPP）（PrimePolymer公司制造、密度：910kg/m³），将软化层（B）的材料变更为乙烯-α-烯烃共聚物（TAFMER（三井化学公司制造）、密度：893kg/m³），除此以外，以与实施例1相同的方式制作半导体晶片表面保护用膜，并进行同样的评价。

（比较例2）

分别将基材层（A）的材料变更为直链状低密度聚乙烯（LLDPE）（PrimePolymer公司制造、密度918kg/m³），将软化层（B）的材料变更为乙烯-α-烯烃共聚物（TAFMER（三井化学公司制造）、密度：893kg/m³），除此以外，以与实施例1相同的方式制作半导体晶片表面保护用膜，并进行同样的评价。

（比较例3）

分别将基材层（A）的材料变更为直链状低密度聚乙烯（LLDPE）（PrimePolymer公司制造、密度918kg/m³），将软化层（B）的材料变更为乙烯-α-烯烃共聚物（TAFMER（三井化学公司制造）、密度：861kg/m³），除此以外，以与实施例1相同的方式制作半导体晶片表面保护用膜，并进行同样的评价。

（比较例4）

分别将软化层（B）的材料变更为乙烯-α-烯烃共聚物（TAFMER（三井化学公司制造）、密度：861kg/m³），将基材层（A）与软化层（B）的厚度分别变更为30μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作半导体晶片表面保护用膜，并进行同样的评价。

将实施例1～实施例5及比较例1～比较例4的样品膜的储存弹性模量、及半导体晶片表面保护用膜的评价结果示于表1～表3。

[表1]

[表2]

[表3]

如表1及表2所示可知，软化层（B）在40℃的储存弹性模量G_B（40）为10MPa以上的实施例1～实施例5的半导体晶片表面保护用膜，通过热压制可良好地形成隆起部（凸缘），且在背面磨削时晶片亦不破损。可以认为这是由于在背面磨削时隆起部（凸缘）不熔融，而可稳定地保持晶片的端部。

另一方面可知，软化层（B）在40℃的储存弹性模量G_B（40）小于10MPa的比较例3及比较例4的半导体晶片表面保护用膜，虽然通过热压制可形成隆起部（凸缘），但在背面磨削时晶片破损。可以认为这是由于在背面磨削时隆起部（凸缘）亦软化，无法稳定保持晶片的端部。

在实施例1～实施例5中，实施例3中在70μm磨削时晶片破裂，相对于此，实施例2中即便在70μm磨削时晶片亦未破裂。可以认为这是由于实施例2的半导体晶片表面保护用膜的软化层（B）在40℃的储存弹性模量G_B（40）高于实施例3的半导体晶片表面保护用膜。另外，实施例1中在70μm磨削时晶片破裂的原因可以认为是：半导体晶片表面保护用膜相对于晶片的最终厚度而过厚，无法抑制半导体晶片的变形（弯曲、挠曲）。

进而可知，实施例1及实施例2的半导体晶片表面保护用膜，在干式抛光（DP）时的接近100℃的高温下，隆起部（凸缘）亦不软化，可稳定地保持蓝宝石晶片的端部。

进而可知，比较例1～比较例3中，磨削后的基材层（A）的表面平滑性低。可以认为这是由于比较例1～比较例3的半导体晶片表面保护用膜的基材层（A）在150℃的储存弹性模量G_A（150）小于1MPa，在背面磨削时转印了卡盘台的表面形状。如此，若在背面磨削时将卡盘台的表面形状转印至基材层（A）的表面，则其后的切割步骤中使半导体晶片表面保护用膜固定在其他卡盘台上时，在卡盘台与半导体晶片表面保护用膜的基材层（A）之间容易产生漏气。若产生此种漏气，则半导体晶片表面保护用膜在卡盘台上固定不了，因此欠佳。

（实施例6）

将与实施例2中所用的膜同样的膜贴附于蓝宝石晶片上（贴装步骤），进行热压接（压制步骤），从而形成隆起部（凸缘）。

具体而言，将半导体晶片表面保护用膜切出大于蓝宝石晶片的尺寸。另外，准备厚度650μm、4英寸尺寸的蓝宝石晶片。如图2A所示，配置于半导体晶片表面保护用膜上。将加热板温度加热至140℃，通过辊使半导体晶片表面保护用膜压接于蓝宝石晶片，而获得蓝宝石晶片与半导体晶片表面保护用膜的层叠物。辊压力设为0.5MPa，辊速度设为10mm/秒。

接着，如图2C所示，通过热压制机的上热板（配置于半导体晶片表面保护用膜的热板）与下热板（配置于蓝宝石晶片侧的热板），夹住所得的层叠物，以180秒、10MPa进行压接。此时，将上热板的温度设为140℃，将下热板的温度设为120℃，即，将两者的平均温度TP设为130℃。

接着，对半导体晶片表面保护用膜照射紫外线约1000mJ后，将半导体晶片表面保护用膜自蓝宝石晶片剥离，通过显微镜观察所得的半导体晶片表面保护用膜的剖面形状。测定半导体晶片表面保护用膜的剖面中的2个部位的隆起部（凸缘）的高度，求出这些高度的平均值。

1.半径方向的张力的有无

在压制步骤后，以将半导体晶片表面保护用膜贴附于环框的状态，在蓝宝石晶片中央载置150g砝码，测定膜的沉入量。将沉入2mm以上的情况作为无张力的情况并评价为×。

2.皱褶

在压制步骤后，通过目视，将在蓝宝石晶片周围的半导体晶片表面保护用膜上产生10条以上放射状皱褶的情况评价为×。

3.48小时后的剥离

在压制步骤后，以在蓝宝石晶片上贴附有半导体晶片表面保护用膜的状态在室温下放置48小时。然后，将在晶片表面保护用膜与蓝宝石晶片端部见到1mm以上的剥离的情况评价为×。

（实施例7）

将与实施例2中所用的膜同样的膜贴附于蓝宝石晶片上（贴装步骤），进行热压接（压制步骤），从而形成隆起部（凸缘）。具体而言，将半导体晶片表面保护用膜切出大于蓝宝石晶片的尺寸。另外，准备厚度650μm、4英寸尺寸的蓝宝石晶片。如图2A所示，配置于半导体晶片表面保护用膜上。将加热板温度加热至100℃，通过辊使半导体晶片表面保护用膜压接于蓝宝石晶片，获得蓝宝石晶片与半导体晶片表面保护用膜的层叠物。辊压力设为0.5MPa，辊速度设为10mm/秒。

与实施例6同样，求出隆起部（凸缘）的高度，并评价“半径方向的张力的有无”“皱褶的有无”“48小时后的隆起（剥离）的有无”。

（实施例8）

将与实施例2中所用的膜同样的膜贴附于蓝宝石晶片上（贴装步骤），进行热压接（压制步骤），从而形成隆起部（凸缘）。具体而言，将半导体晶片表面保护用膜切出大于蓝宝石晶片的尺寸。另外，准备厚度650μm、4英寸尺寸的蓝宝石晶片。如图2A所示，配置于半导体晶片表面保护用膜上。将加热板温度设为25℃，通过辊使半导体晶片表面保护用膜压接于蓝宝石晶片上，获得蓝宝石晶片与半导体晶片表面保护用膜的层叠物。辊压力设为0.5MPa，辊速度设为10mm/秒。

与实施例6同样，求出隆起部（凸缘）的高度，并评价“半径方向的张力的有无”“皱褶的有无”“48小时后的浮起（剥离）的有无”。

（参考例5）

将与实施例2中所用的膜同样的膜贴附于蓝宝石晶片上（贴装步骤），进行热压接（压制步骤），从而形成隆起部（凸缘）。具体而言，将半导体晶片表面保护用膜切出大于蓝宝石晶片的尺寸。另外，准备厚度650μm、4英寸尺寸的蓝宝石晶片。如图2A所示，配置于半导体晶片表面保护用膜上。将加热板温度设为100℃，通过辊使半导体晶片表面保护用膜压接于蓝宝石晶片，获得蓝宝石晶片与半导体晶片表面保护用膜的层叠物。辊压力设为0.5MPa，辊速度设为10mm/秒。

接着，如图2C所示，通过热压制机的上热板（配置于半导体晶片表面保护用膜的热板）与下热板（配置于蓝宝石晶片侧的热板），夹住所得的层叠物，以180秒、10MPa进行压接。此时，将上热板的温度设为110℃，将下热板的温度设为90℃，即将两者的平均温度TP设为100℃。

[表4]

实施例6中，贴装步骤中的温度TM高于压制步骤中的温度TP；且温度TP比软化层（B）的软化点温度（TmB）高14℃。因此，形成具有充分高度的凸缘，未产生皱褶，蓝宝石基板与保护膜未剥离。

实施例7中，贴装步骤中的温度TM比压制步骤中的温度TP低30℃。因此，虽然形成了具有充分高度的凸缘，但确认到产生皱褶。而且实施例8中，贴装步骤中的温度TM比压制步骤中的温度TP低105℃。因此，虽然形成了具有充分高度的凸缘，但确认到产生皱褶，亦确认到蓝宝石基板与保护膜剥离。

参考例5中，压制步骤中的温度TP低于软化层（B）的软化点温度（TmB）。因此，没能形成充分的凸缘。

（实施例9）

将与实施例2中所用的膜同样的膜贴附于蓝宝石晶片上（贴装步骤），进行热压接（压制步骤），从而形成隆起部（凸缘）。具体而言，将半导体晶片表面保护用膜切出大于蓝宝石晶片的尺寸。另外，准备厚度650μm、4英寸尺寸的蓝宝石晶片。如图2A所示，配置于半导体晶片表面保护用膜上。将加热板温度加热至140℃，通过辊使半导体晶片表面保护用膜压接于蓝宝石晶片，获得蓝宝石晶片与半导体晶片表面保护用膜的层叠物。辊压力设为0.5MPa，辊速度设为10mm/秒。

接着，如图2C所示，通过热压制机的上热板（配置于半导体晶片表面保护用膜的热板）与下热板（配置于蓝宝石晶片侧的热板），夹住所得的层叠物，以180秒、10MPa进行压接。此时，将上热板的温度设为140℃，将下热板的温度设为100℃，即将两者的平均温度设为120℃。

接着，与实施例6同样，求出隆起部（凸缘）的高度。

（实施例10）

接着，如图2C所示，通过热压制机的上热板（配置于半导体晶片表面保护用膜的热板）与下热板（配置于蓝宝石晶片侧的热板），夹住所得的层叠物，以180秒、10MPa进行压接。此时，将上热板的温度设为140℃，将下热板的温度设为140℃，即，将两者的平均温度设为140℃。

接着，与实施例6同样，求出隆起部（凸缘）的高度。

[表5]

实施例9中，贴装步骤中的温度TM高于压制步骤中的温度TP；且温度TP比软化层（B）的软化点温度（TmB）高4℃。进而，压制步骤中的上热板温度TP1高于下热板温度TP2。因此，形成了具有充分高度的凸缘。

另一方面，实施例10中，贴装步骤中的温度TM与压制步骤中的温度TP为相同温度；进而，压制步骤中的上热板温度TP1与下热板温度TP2为相同温度。因此，导致凸缘稍稍扁平化，凸缘的高度与实施例7相比而降低。

（实施例11～实施例14）

接着，如图7A所示，通过热压制机的上热板（配置于半导体晶片表面保护用膜的热板）、与如图7B所示的具有圆锥状凸部的下热板（配置于蓝宝石晶片侧的热板），夹住所得的层叠物，以180秒、10MPa进行压接。此时，将上热板的温度设为140℃，将下热板的温度设为120℃。实施例11中，将凸部的高度设为0μm（无凸部），实施例12中，将凸部的高度设为5μm，实施例13中，将凸部的高度设为15μm，实施例14中，将凸部的高度设为25μm。分别测定压制步骤后的半导体晶片表面保护用膜的厚度不均（最大厚度与最小厚度的差），与实施例6同样，求出隆起部（凸缘）的高度。

[表6]

如表6所示可知，通过在下热板设置凸部，可抑制压制步骤后的半导体晶片表面保护用膜的厚度不均，亦可形成隆起部（凸缘）。

产业上的可利用性

符号说明

1：蓝宝石基板

2：蜡树脂层

3：磨石

4：以往的半导体晶片保护膜

10：半导体晶片表面保护用膜

12：基材层（A）

14：软化层（B）

16：粘着层（C）

18：轻粘着层（D）

20：半导体晶片

20A：半导体晶片的电路形成面

20B：半导体晶片的电路非形成面（背面）

22-1：上热板

22-2：下热板

24：隆起部（凸缘）

26：卡盘台

28：磨石

Claims

1.一种半导体晶片表面保护用膜，包括：

基材层A，其在150℃的储存弹性模量G_A150为1MPa以上；

软化层B，其在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量G_B120～180为0.05MPa以下，且在40℃的储存弹性模量G_B40为10MPa以上。

2.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述软化层B在100℃的储存弹性模量G_B100为1MPa以上。

3.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述软化层B在60℃的拉伸弹性模量E_B60与在25℃的拉伸弹性模量E_B25满足1＞E_B60/E_B25＞0.1的关系。

4.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，进一步包括粘着层C，其隔着所述软化层B而配置于与所述基材层A相反侧；

所述粘着层C的依据JISZ0237而测定的粘着力为0.1N/25mm～10N/25mm。

5.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述基材层A配置于最表面。

6.如权利要求4所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述粘着层C隔着所述软化层B而配置于与所述基材层A相反侧的最表面。

7.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述软化层B包含：烃烯烃的均聚物、烃烯烃的共聚物或这些的混合物。

8.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，构成所述软化层B的树脂的密度为880kg/m³～960kg/m³。

9.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述基材层A是聚烯烃层、聚酯层、或聚烯烃层与聚酯层的层叠体。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：

在权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜上，以半导体晶片的电路形成面与半导体晶片表面保护用膜接触的方式配置所述半导体晶片的步骤；

以120℃～180℃的温度、1MPa～10MPa的压力热压接所述半导体晶片表面保护用膜与所述半导体晶片，从而在所述半导体晶片的外周形成保持所述半导体晶片的所述半导体晶片表面保护用膜的隆起部的步骤；

对通过所述隆起部而保持的所述半导体晶片的电路非形成面进行磨削的步骤；

自所述半导体晶片的电路形成面剥离所述半导体晶片表面保护用膜的步骤；

所述隆起部在100℃的储存弹性模量G100为1MPa以上。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述半导体晶片表面保护用膜上以所述半导体晶片的电路形成面与半导体晶片表面保护用膜接触的方式配置所述半导体晶片的步骤中的膜的温度TM、与形成所述半导体晶片表面保护用膜的隆起部的步骤中的热压接温度TP、以及所述软化层B的软化点温度TmB满足以下通式的关系：

[式1]TP≤TM

[式2]TmB＜TP＜TmB+40℃。

12.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，以所述半导体晶片表面保护用膜的软化层B较基材层A而成为所述半导体晶片的电路形成面侧的方式，将所述半导体晶片配置于所述半导体晶片表面保护用膜上。

13.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体晶片包含莫氏硬度为8以上的高硬度材料基板。

14.一种半导体晶片压制装置，其将贴装框用具有加热机构的上压制板和与上压制板相对的下压制板夹住而进行压制，所述贴装框具备半导体晶片、具有包围所述半导体晶片的框的环框A、遍及所述半导体晶片的电路形成面与所述框A而贴附的如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜；且

所述半导体晶片的外直径DW、与所述环框A的内直径DA_IN满足式(1)DW＜DA_IN的关系；

所述下压制板在与所述上压制板相对的面具有凸部；

进行了所述压制时的所述凸部的与所述贴装框的接触面的外周为圆形。

15.如权利要求14所述的半导体晶片压制装置，其中，所述凸部的高度为1μm～100μm。

16.如权利要求14所述的半导体晶片压制装置，其中，所述凸部的高度相对于半导体晶片表面保护膜的软化层B的厚度在15％～100％的范围内。

17.如权利要求14所述的半导体晶片压制装置，其中，所述凸部的直径CD满足DW＜CD＜DA_IN的关系。

18.一种半导体晶片贴装装置，其用于制作贴装框，该贴装框包含半导体晶片、包围所述半导体晶片的环状辅助构件B、包围所述半导体晶片与所述环状辅助构件B的环框A、遍及所述半导体晶片的电路形成面与所述环状辅助构件B以及所述环框A而贴附的如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜；

所述半导体晶片的外直径DW、所述环框A的内直径DA_IN、所述环状辅助构件B的环外直径DB_OUT、以及所述环状辅助构件B的环内直径DB_IN满足式(1)DW＜DB_IN＜DB_OUT＜DA_IN的关系；

所述半导体晶片贴装装置包括：

加热单元，其对所述半导体晶片的电路形成面的相反面进行加热；

贴附辊，其遍及所述半导体晶片的电路形成面、所述环框A、以及所述环状辅助构件B而转动，以贴附所述半导体晶片表面保护膜；以及

胶带切割机构，其沿着所述环框A的外形切割所述表面保护膜。

19.如权利要求18所述的半导体晶片贴装装置，其中，下述式所示的ΔD1与ΔD2均在DW的1％以内：

ΔD1＝DB_IN-DW…(2)

ΔD2＝DA_IN-DB_OUT…(3)。