JP5393902B2 - 半導体装置の製造方法およびその方法に用いられる半導体ウエハ表面保護用フィルム - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造方法およびその方法に用いられる半導体ウエハ表面保護用フィルムに関する。

半導体装置の製造工程における半導体ウエハの薄化加工は、通常、半導体ウエハの回路非形成面（裏面）を研削することによって行われている。裏面研削時の半導体ウエハの回路形成面の保護は、種々の方法で行われている。

例えば、サファイア基板からなる半導体ウエハの回路形成面の保護は、以下の方法によって行われている（例えば特許文献１および非特許文献１）。即ち、表面にワックス樹脂層が設けられたセラミック板を準備する。次いで、ワックス樹脂層を加熱して溶融させて、サファイア基板の回路形成面を溶融状態のワックス樹脂層に埋め込む。そして、ワックス樹脂層を冷却して固化させる。それにより、サファイア基板の回路形成面全体をワックス樹脂層で保護している。ワックス樹脂としては、通常、ロジン系ワックス（ロジン、モンタンワックスおよびフェノール樹脂などを含むワックス、融点５０℃程度）で構成されている。

国際公開第２００５／０９９０５７号

株式会社ディスコ プレスリリース ２００９年１１月５日 インターネット（ＵＲＬ：http://www.disco.co.jp/jp/news/press/20091105.html）

しかしながら、上記の方法では、裏面研削後のサファイア基板をワックス樹脂層から剥離するために、ワックス樹脂層を加熱溶融させる必要があった。さらに、サファイア基板の表面に残ったワックス樹脂を溶剤で洗浄して除去する必要があり、工程が煩雑であった。また、裏面研削後のサファイア基板は厚さが非常に薄く、反りやすいために、これらの工程で割れやすいという問題があった。

そこで、本発明者らは、剥離が比較的容易である半導体ウエハ保護フィルムによって、サファイア基板の回路形成面を保護する方法を検討した。従来の半導体ウエハ保護フィルムは、基材層と、粘着層とを有する。そして、半導体ウエハ保護フィルムの粘着層を、半導体ウエハの回路形成面に貼り付けた後、半導体ウエハを裏面研削する。その後、半導体ウエハ保護フィルムをテープ剥がし機などによって剥離する。

しかしながら、従来の半導体ウエハ保護フィルムを用いた方法では、裏面研削時にサファイア基板の端部が破損しやすいという問題があった。即ち、図３に示されるように、ワックス工法では、サファイア基板１の端部全体がワックス樹脂層２内に埋めこまれるため、サファイア基板１の端部が安定に保持されやすい。一方、図４に示されるように、従来の半導体ウエハ保護フィルムを用いた方法では、サファイア基板１の端部は、半導体ウエハ保護フィルム４の内部に埋めこまれないため、サファイア基板１の端部が安定に保持されにくい。そのため、裏面研削時にサファイア基板１の端部が砥石３などと接触して破損しやすいと考えられる。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、特にサファイア基板などの硬くて脆い半導体ウエハにおいても、破損することなく裏面研削を可能とする半導体装置の製造方法や、前記製造方法に好適な半導体ウエハ表面保護用フィルムを提供することを目的とする。

本発明者らは、裏面研削時において、半導体ウエハの端部近傍を隆起部（リム）で保持することで、半導体ウエハの端部の破損を抑制できることを見出した。そして、熱圧着によって隆起部（リム）を比較的容易に形成でき、かつ裏面研削時の温度においても隆起部（リム）の形状を良好に維持しうるフィルムの構成を鋭意検討の末に見出した。

即ち、本発明の第一は、以下の半導体ウエハ表面保護用フィルムに関する。
［１］１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ_Ａ（１５０）が１ＭＰａ以上である基材層（Ａ）と、１２０〜１８０℃のいずれかの温度における貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（１２０〜１８０）が０．０５ＭＰａ以下であり、かつ４０℃における貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）が１０ＭＰａ以上である軟化層（Ｂ）と、を含む、半導体ウエハ表面保護用フィルム。
［２］前記軟化層（Ｂ）の１００℃における貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（１００）が、１ＭＰａ以上である、［１］に記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
［３］前記軟化層（Ｂ）の６０℃における引張弾性率Ｅ_Ｂ（６０）と２５℃における引張弾性率Ｅ_Ｂ（２５）とが、１＞Ｅ_Ｂ（６０）/Ｅ_Ｂ（２５）＞０．１の関係を満たす、［１］または［２］に記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
［４］前記軟化層（Ｂ）を介して前記基材層（Ａ）とは反対側に配置された粘着層（Ｃ）をさらに含み、前記粘着層（Ｃ）の、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定される粘着力が０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍである、［１］〜［３］のいずれかに記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
［５］前記基材層（Ａ）は、最表面に配置されている、［１］〜［４］のいずれかに記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
［６］前記粘着層（Ｃ）は、前記軟化層（Ｂ）を介して前記基材層（Ａ）とは反対側の最表面に配置されている、［４］または［５］に記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
［７］前記軟化層（Ｂ）は、炭化水素オレフィンの単独重合体、炭化水素オレフィンの共重合体、またはそれらの混合物を含む、［１］〜［６］のいずれかに記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
［８］前記軟化層（Ｂ）を構成する樹脂の密度が８８０〜９６０ｋｇ／ｍ^３である、［１］〜［７］のいずれかに記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
［９］前記基材層（Ａ）が、ポリオレフィン層、ポリエステル層、またはポリオレフィン層とポリエステル層の積層体である、［１］〜［８］のいずれかに記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。

本発明の第二は、以下の半導体装置の製造方法に関する。
［１０］半導体ウエハを、半導体ウエハ表面保護用フィルム上に、前記半導体ウエハの回路形成面が半導体ウエハ表面保護用フィルムと接するように配置する工程と、
前記半導体ウエハの外周に、前記半導体ウエハを保持する前記半導体ウエハ表面保護用フィルムの隆起部を形成する工程と、
前記隆起部によって保持された前記半導体ウエハの回路非形成面を研削する工程と、
前記半導体ウエハの回路形成面から前記半導体ウエハ表面保護用フィルムを剥離する工程と、を含み、
前記隆起部の１００℃における貯蔵弾性率Ｇ（１００）が１ＭＰａ以上である、半導体装置の製造方法。
［１１］前記半導体ウエハ表面保護用フィルムが、［１］〜［９］のいずれかに記載の半導体ウエハ表面保護用フィルムであって、
前記隆起部を、前記半導体ウエハ表面保護用フィルムと前記半導体ウエハとを１２０〜１８０℃の温度、１〜１０ＭＰａの圧力で熱圧着させて形成する、［１０］に記載の半導体装置の製造方法。
［１２］前記［１１］に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウエハを、前記半導体ウエハ表面保護用フィルム上に、前記半導体ウエハの回路形成面が半導体ウエハ表面保護用フィルムと接するように配置する工程におけるフィルムの温度ＴＭと、前記半導体ウエハ表面保護用フィルムの隆起部を形成する工程における熱圧着温度ＴＰと、前記軟化層（Ｂ）の軟化点温度ＴｍＢとが、以下の一般式の関係を満たす、半導体装置の製造方法。［式１］ ＴＰ≦ＴＭ［式２］ ＴｍＢ＜ＴＰ＜ＴｍＢ＋４０℃
［１３］前記半導体ウエハ表面保護用フィルムの軟化層（Ｂ）が、基材層（Ａ）よりも前記半導体ウエハの回路形成面側になるように、前記半導体ウエハを前記半導体ウエハ表面保護用フィルム上に配置する、［１１］または［１２］に記載の半導体装置の製造方法。
［１４］前記半導体ウエハは、モース硬度８以上の高硬度材料基板を含む、［１０］〜［１３］のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

本発明の第３は、マウントフレームをプレスする半導体ウエハプレス装置に関する。
［１５］半導体ウエハと、前記半導体ウエハを囲む枠を有するリングフレームＡと、前記半導体ウエハの回路形成面と前記フレームＡとにわたって貼り付けられた［１］に記載の半導体ウエハ表面保護フィルムと、を備えたマウントフレームを、加熱機構を備えた上プレス板と、上プレス板と対向する下プレス板とで挟み込んでプレスする半導体ウエハプレス装置であって、
前記半導体ウエハの外直径ＤＷと、前記リングフレームＡの内直径ＤＡ_ＩＮとが、式（１）ＤＷ＜ＤＡ_ＩＮ の関係を満たし、
前記下プレス板は、前記上プレス板と対向する面に凸部を備え、
前記プレスしたときの、前記凸部の前記マウントフレームとの接触面の外周は、円状である、半導体ウエハプレス装置。
［１６］前記凸部の高さが１〜１００μｍである、［１５］に記載の半導体ウエハプレス装置。
［１７］前記凸部の高さが、半導体ウエハ表面保護フィルムの軟化層（Ｂ）の厚みに対して１５〜１００％の範囲内にある、［１５］または［１６］に記載の半導体ウエハプレス装置。
［１８］前記凸部の直径ＣＤが、ＤＷ＜ＣＤ＜ＤＡ_ＩＮの関係を満たす、［１５］〜［１７］のいずれかに記載の半導体ウエハプレス装置。

本発明の第４は、マウントフレームを作製する半導体ウエハマウント装置と、それを用いた半導体装置の製造方法に関する。
［１９］半導体ウエハと、前記半導体ウエハを囲むリング状補助部材Ｂと、前記半導体ウエハと前記リング状補助部材Ｂとを囲むリングフレームＡと、前記半導体ウエハの回路形成面と前記リング状補助部材Ｂと前記リングフレームＡにわたって貼り付けられた［１］〜［９］のいずれかに記載の半導体ウエハ表面保護フィルムと、を含むマウントフレームを作製する半導体ウエハマウント装置であって、
前記半導体ウエハの外直径ＤＷと、前記リングフレームＡの内直径ＤＡ_ＩＮと、前記リング状補助部材Ｂのリング外直径ＤＢ_ＯＵＴと、前記リング状補助部材Ｂのリング内直径ＤＢ_ＩＮとが、式（１） ＤＷ＜ＤＢ_ＩＮ＜ＤＢ_ＯＵT＜ＤＡ_ＩＮ の関係を満たし、
前記半導体ウエハの回路形成面の反対面を加熱する加熱ユニットと、
前記半導体ウエハの回路形成面と、前記リングフレームＡと、前記リング状補助部材Ｂとにわたって転動して、前記半導体ウエハ表面保護フィルムを貼り付けるための貼付ローラと、
前記リングフレームＡの外形状に沿って、前記表面保護フィルムを切断するテープ切断機構と、を備える、半導体ウエハマウント装置。
［２０］下記式で表されるΔＤ１とΔＤ２のいずれもが、ＤＷの１％以内である、［１９］に記載の半導体ウエハマウント装置。
ΔＤ１＝ＤＢ_ＩＮ−ＤＷ・・・（２）
ΔＤ２＝ＤＡ_ＩＮ−ＤＢ_ＯＵＴ・・・（３）

本発明の第５は、以下の半導体装置の製造方法に関する。
１'）半導体ウエハを用意する工程と、２'）半導体ウエハの外周に実質的に樹脂からなる隆起部を形成する工程と、３'）半導体ウエハ表面保護用フィルム上に半導体ウエハの回路形成面を配置する工程と、４'）隆起部によって保持された半導体ウエハの回路非形成面を研削する工程と、５'）半導体ウエハ表面保護用フィルムを剥離する工程とを含む、半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂からなる隆起部の貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）が１０ＭＰａ以上である、半導体装置の製造方法。

本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムは、特にサファイア基板などの硬くて脆い半導体ウエハであっても、破損させることなく裏面研削を可能としうる。

本発明の半導体ウエハ表面保護フィルムの一実施形態を示す模式図である。 本発明の半導体ウエハ表面保護フィルムの他の一実施形態を示す模式図である。 半導体ウエハ表面保護用フィルム上に半導体ウエハを配置する工程（マウント工程）の一例を示す図である。 半導体ウエハ表面保護用フィルム上に半導体ウエハを配置した積層物を示す図である。 半導体ウエハの外周に半導体表面保護用フィルムの隆起部を形成する工程（プレス工程）の一例を示す図である。 隆起部の一例を示す拡大図である。 半導体ウエハの回路非形成面を研削する工程の一例を示す図である。 従来のワックス工法による半導体ウエハの保護方法の一例を示す図である。 従来の半導体ウエハ表面保護用フィルムを用いた半導体ウエハの保護方法の一例を示す図である。 図５Ａおよび図５Ｂは、マウント工程の他の実施態様を示す図である。 プレス工程によって、半導体ウエハ表面保護用フィルムの厚みが不均一になる状態を示す図である。 図７Ａはプレス工程の他の実施態様を示す図であり、図７Ｂ〜Ｃは凸部の形状の例を示す図である。 半導体ウエハの外周に、半導体表面保護用フィルムとは別の隆起部を形成する方法を示す図である。

１．半導体ウエハ表面保護用フィルム
本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムは、基材層（Ａ）と、軟化層（Ｂ）とを含み；必要に応じて、粘着層（Ｃ）（図１Ａ参照）や軽粘着層（Ｄ）（図１Ｂ参照）などをさらに含んでもよい。本発明でいうフィルムの厚さは限定されず、いわゆるシートとも称されうる。

基材層（Ａ）について
基材層（Ａ）は、半導体ウエハ表面保護用フィルムと半導体ウエハとを熱圧着したときの、半導体ウエハの反りを抑制し、形状を保持する機能を有する。そのため、基材層（Ａ）は、熱圧着温度（約１２０〜１８０℃のいずれかの温度）において一定以上の貯蔵弾性率を有することが好ましい。具体的には、基材層（Ａ）の１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ_Ａ（１５０）が、１ＭＰａ以上であることが好ましく、２ＭＰａ以上であることがより好ましい。

基材層（Ａ）の貯蔵弾性率は、以下の方法で測定することができる。即ち、基材層（Ａ）を構成する樹脂からなる厚み５００μｍのサンプルフィルムを準備する。次いで、サンプルフィルムを、動的粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント社製：ARES）にセットし、直径８ｍｍのパラレルプレート型アタッチメントを用いて、３０℃から昇温速度３℃／分で２００℃まで昇温しながら貯蔵弾性率を測定する。測定周波数は１Ｈｚとしうる。測定終了後、得られた３０〜２００℃の貯蔵弾性率−温度曲線から、１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ（Ｐａ）の値を読みとる。

基材層（Ａ）を構成する樹脂は、前述の貯蔵弾性率を満たすものであればよい。また、後述するように、粘着層（Ｃ）が放射線硬化型粘着剤からなる場合、基材層（Ａ）を構成する樹脂は、透明性を有することが好ましい。そのような樹脂の例には、ポリオレフィンやポリエステルなどが含まれる。即ち、基材層（Ａ）は、ポリオレフィンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリオレフィン層とポリエステル層の積層フィルムなどでありうる。ポリオレフィンフィルムの例には、ポリプロピレンフィルムが含まれる。ポリエステルフィルムの例には、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルムなどが含まれる。

基材層（Ａ）を構成する樹脂の密度は、９００〜１４５０ｋｇ／ｍ^３であることが好ましい。基材層（Ａ）を構成する樹脂の密度が９００ｋｇ／ｍ^３未満であると、貯蔵弾性率が低すぎるため、形状保持性が十分でないことがある。

基材層（Ａ）の厚みは、半導体ウエハの反りを抑制できる程度の剛性を得る観点から、例えば５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。基材層（Ａ）の厚みの上限は、半導体ウエハの破損を防止する観点から、半導体ウエハ表面保護用フィルムの総厚みが、半導体ウエハの研削仕上げ厚みに対して厚くなりすぎない程度とすればよい。

軟化層（Ｂ）について
軟化層（Ｂ）は、半導体ウエハの端部を安定に保持するために、半導体ウエハの周囲に隆起部（リム）を形成する機能を有する。後述するように、半導体ウエハ表面保護用フィルムと半導体ウエハとを熱圧着させて隆起部（リム）を形成する場合があるため、熱圧着温度（１２０〜１８０℃）で軟化層（Ｂ）を軟化させる必要がある。つまり、軟化層（Ｂ）の軟化点温度ＴｍＢは、熱圧着温度（１２０〜１８０℃）より低温であることが好ましい。軟化点温度ＴｍＢは、ＤＳＣ測定から求めることができ、具体的には、ＩＳＯ−１１３５７−３による樹脂材料の融点（ＤＳＣ法）を軟化点温度とする。

１２０〜１８０℃のいずれかの温度における軟化層（Ｂ）の貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（１２０〜１８０）、好ましくは１５０℃における軟化層（Ｂ）の貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（１５０）が、０．０５ＭＰａ以下であることが好ましく、０．０３ＭＰａ以下であることがより好ましい。

一方、裏面研削時（ウェットポリシング）に隆起部（リム）が軟化しないようにするには、裏面研削時の温度（４０℃付近）で軟化層（Ｂ）を軟化させないようにする必要がある。そのため、４０℃における貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）が、１０ＭＰａ以上であることが好ましく、２０ＭＰａ以上であることがより好ましく、３０ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。４０℃における貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）の上限は、通常、５００ＭＰａ以下程度としうる。軟化層（Ｂ）の４０℃における貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）を１０ＭＰａ以上とするためには、軟化層（Ｂ）を構成する樹脂を、後述するように、エラストマーではない樹脂とすることが好ましい。後述するように、貯蔵弾性率Ｇは引張弾性率Ｅの約１／３である。例えば、「軟化層（Ｂ）の４０℃における貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）を１０ＭＰａ以上とする」とは、「軟化層（Ｂ）の４０℃における引張弾性率Ｅ_Ｂ（４０）を３０ＭＰａ以上とする」ということもできる。

裏面研削は、通常、湿式で行うが、必要に応じて乾式でさらに行ってもよい。乾式での裏面研削（ドライポリシング）時のウエハの温度は、砥石と半導体ウエハの摩擦熱が大きいことから、約１００℃近傍となることがある。そのため、ドライポリシング時においても隆起部（リム）が軟化しないようにするには、軟化層（Ｂ）の１００℃における貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（１００）が１ＭＰａ以上であることが好ましく、３ＭＰａ以上であることがより好ましい。

軟化層（Ｂ）の６０℃における引張弾性率Ｅ_Ｂ（６０）と２５℃における引張弾性率Ｅ_Ｂ（２５）とが、１＞Ｅ_Ｂ（６０）/Ｅ_Ｂ（２５）＞０．１であることが好ましい。半導体ウエハを裏面研削するときの半導体ウエハの温度は、２５℃〜６０℃の範囲内で変化することが多い。そのため、この温度範囲内における軟化層（Ｂ）の貯蔵弾性率の変化率を一定範囲内とすることで、軟化層（Ｂ）からなる隆起部が半導体ウエハを安定に保持することができる。また、軟化層（Ｂ）からなる隆起部が、半導体ウエハの裏面研削中に劣化することが抑制される。そのため、半導体ウエハの裏面研削中の半導体ウエハの破損をより有効に抑制できる。

軟化層（Ｂ）の引張弾性率Ｅの測定は、以下の通りに測定することができる。ｉ）厚み１００μｍのフィルムをカットして、巾（ＴＤ方向）１０ｍｍ、長さ（ＭＤ方向）１００ｍｍの短冊状の試料片を準備する。ｉｉ）次いで、ＪＩＳ Ｋ７１６１に準拠して、引張試験機によりチャック間距離５０ｍｍ、引張速度３００ｍｍ／分の条件で試料片の引張弾性率を測定する。引張弾性率の測定は、温度２３℃、相対湿度５５％の条件下で行う。引張弾性率Ｅは貯蔵弾性率Ｇの３倍程度になることが多い。

軟化層（Ｂ）を構成する樹脂は、前記貯蔵弾性率を満たすものであれば、特に限定されないが、エラストマーではないことが好ましい。具体的には、炭化水素オレフィンの単独重合体または共重合体が好ましく、エチレン単独重合体、プロピレン単独重合体、あるいはエチレンまたはプロピレンとそれ以外の炭化水素オレフィンとの共重合体がより好ましい。一方、例えばエチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）は、通常、４０℃の貯蔵弾性率Ｇ（４０）が０．０１ＭＰａ〜０．１ＭＰａ程度であり、１０ＭＰａ未満であるため好ましくない。

エチレンまたはプロピレンとそれ以外の炭化水素オレフィンとの共重合体における、エチレンまたはプロピレン以外の炭化水素オレフィンは、炭素原子数３〜１２のα−オレフィンであることが好ましい。炭素原子数３〜１２のα−オレフィンの例には、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン等が含まれ、好ましくはプロピレン、１−ブテンなどである。

軟化層（Ｂ）を構成する樹脂の好ましい具体例には、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、塩化ビニル樹脂、メタクリル酸メチル樹脂、ナイロン、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリエステル樹脂などが含まれ、好ましくは直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレンなどである。

軟化層（Ｂ）を構成する樹脂の密度は、８８０〜９６０ｋｇ／ｍ^３であることが好ましく、９００〜９６０ｋｇ／ｍ^３であることがより好ましく、９１０〜９５０ｋｇ／ｍ^３であることがさらに好ましい。軟化層（Ｂ）を構成する樹脂の密度が８８０ｋｇ／ｍ^３未満であると、４０℃で軟化することがある。一方、樹脂の密度が９６０ｋｇ／ｍ^３を超えると、熱圧着温度で軟化しにくいことがある。

軟化層（Ｂ）の貯蔵弾性率は、エチレンまたはプロピレンの単独重合体の密度、エチレンまたはプロピレンとそれ以外の炭化水素オレフィンとの共重合体における、エチレンまたはプロピレン以外の炭化水素オレフィンの種類とその含有割合などによって調整されうる。例えば、軟化層（Ｂ）の４０℃における貯蔵弾性率を高くするためには、例えばエチレンまたはプロピレンの単独重合体の密度を高くしたり、エチレンまたはプロピレンとそれ以外の炭化水素オレフィンとの共重合体におけるエチレンまたはプロピレンの含有割合を高くしたりすればよい。

軟化層（Ｂ）の厚みは、半導体ウエハとの熱圧着によってリムを形成でき、かつ半導体ウエハ表面の凸凹を埋め込むことができる程度であればよい。そのため、軟化層（Ｂ）の厚みは、半導体ウエハの回路形成面の段差の最大値よりも大きいことが好ましく、段差の最大値の１．１倍以上であることが好ましい。具体的には、段差が５０μｍであれば、５５μｍ以上がより好ましく、６０μｍ以上がさらに好ましい。一方で、軟化層（Ｂ）が厚すぎると、薄い場合に比べて研削中の半導体ウエハの変形（たわみやしなり）を抑制しにくいため、破損しやすくなると考えられる。そのため、軟化層（Ｂ）の厚みは、１００μｍ以下とすることが好ましく、７０μｍ以下とすることがより好ましい。

軟化層（Ｂ）は、必要に応じて他の樹脂や添加剤をさらに含んでいてもよい。添加剤の例には、紫外線吸収剤、酸化防止剤、耐熱安定剤、滑剤、柔軟剤などが含まれる。

粘着層（Ｃ）について
本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムは、半導体ウエハとの密着性を高めるために、粘着層（Ｃ）をさらに含むことが好ましい。一方で、粘着層（Ｃ）の粘着力が高すぎると、半導体ウエハから剥離する際に、糊残りしやすい。そのため、粘着層（Ｃ）は、最低限の粘着力を有していればよく、具体的には、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定される粘着力が０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。

粘着層（Ｃ）の貯蔵弾性率は、軟化層（Ｂ）の隆起部（リム）の形成を阻害しない程度であればよい。

粘着層（Ｃ）を構成する粘着剤（粘着主剤）は、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、またはゴム系粘着剤などでありうる。なかでも、接着力の調整を容易にするためなどから、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

粘着層（Ｃ）を構成する粘着剤は、放射線硬化型粘着剤であってもよい。放射線硬化型粘着剤で構成された粘着層は、放射線の照射により硬化するため、ウエハから容易に剥離できるからである。放射線は、紫外線、電子線、赤外線などでありうる。

放射線硬化型粘着剤は、前述の粘着主剤と、分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物と、放射線重合開始剤とを含むものであってもよいし；分子内に炭素−炭素二重結合を有するポリマーをベースポリマーとする粘着主剤と、放射線重合開始剤とを含むものであってもよい。

分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物の例には、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレートなどが含まれる。放射線硬化性化合物の含有量は、粘着剤１００重量部に対して３０重量部以下程度としうる。

放射線重合開始剤の例には、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン系光重合開始剤；４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトンなどのα−ケトール化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテルなどのベンゾイン系光重合開始剤；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸などのベンゾフェノン系光重合開始剤が含まれる。

放射線硬化型粘着剤は、必要に応じて架橋剤をさらに含んでもよい。架橋剤の例には、ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネートなどのイソシアネート系架橋剤が含まれる。

粘着層（Ｃ）の厚みは、軟化層（Ｂ）によるリム形成が阻害されない程度であればよく、例えば、軟化層（Ｂ）の厚みに対して１〜２０％程度、具体的には１〜２０μｍ程度としうる。

軽粘着層（Ｄ）について
本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムは、基材層（Ａ）と軟化層（Ｂ）とを互いに剥離可能に接着させるための軽粘着層（Ｄ）を有していてもよい。軽粘着層（Ｄ）の材質の例には、アクリル系粘着剤などが含まれる。

本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムが軽粘着層（Ｄ）を有していると、基材層（Ａ）と軟化層（Ｂ）とが互いに剥離可能となる。従って、半導体ウエハ表面保護用フィルムを半導体ウエハに貼り付けた後に、半導体ウエハ表面保護用フィルムから基材層（Ａ）を剥離除去することができる。例えば、半導体ウエハの外周に半導体表面保護用フィルムの隆起部を形成する工程（図２Ｃ参照）の後であって、半導体ウエハの回路非形成面を研削する工程（図２Ｅ参照）の前に、基材層（Ａ）を半導体ウエハ表面保護用フィルムから剥離除去してもよい。

基材層（Ａ）を剥離してから半導体ウエハの回路非形成面を研削すると、より精密な研削が実現されうる。半導体ウエハの研削中に、半導体ウエハ表面保護用フィルムが、研削砥石の荷重により撓んだり、振動したりすることで、精密な研削が阻害されることがある。これに対して、基材層（Ａ）を剥離して半導体ウエハ表面保護用フィルムを薄層化してから半導体ウエハを研削すると、半導体ウエハ表面保護用フィルムの撓みや振動が抑制される。そのため、より精密な研削が実現されうる。

本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムは、必要に応じて他の層をさらに含んでもよい。他の層は、例えば離型フィルムなどであってよい。

前述の通り、半導体ウエハ表面保護用フィルムは、基材層（Ａ）と、軟化層（Ｂ）とを含む。基材層（Ａ）は、半導体ウエハ表面保護用フィルムの最表面に配置されることが好ましい。半導体ウエハ表面保護用フィルムが粘着層（Ｃ）をさらに含む場合、粘着層（Ｃ）は、基材層（Ａ）とは反対側の最表面に配置されることが好ましい。軟化層（Ｂ）は、単層であっても複数の層であってもよい。

図１Ａと図１Ｂは、半導体ウエハ表面保護用フィルムの構成の一例を示す図である。図１Ａに示されるように、半導体ウェハ表面保護用フィルム１０は、基材層（Ａ）１２と、軟化層（Ｂ）１４と、粘着層（Ｃ）１６とを有する。図１Ｂに示されるように、半導体ウェハ表面保護用フィルム１０’は、基材層（Ａ）１２と、軽粘着層（Ｄ）１８と、軟化層（Ｂ）１４と、粘着層（Ｃ）１６とを有する。半導体ウエハ表面保護用フィルム１０および１０’は、粘着層（Ｃ）１６が半導体ウエハの回路形成面に接するようにして用いられる。

本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムは、任意の方法で製造することができる。例えば、１）基材層（Ａ）と軟化層（Ｂ）とを共押出成形して半導体ウエハ表面保護用フィルムを得る方法（共押出形成法）；２）フィルム状の基材層（Ａ）と、フィルム状の軟化層（Ｂ）とをラミネート（積層）して半導体ウエハ表面保護用フィルムを得る方法（ラミネート法）などがある。粘着層（Ｃ）をさらに含む半導体ウエハ表面保護用フィルムは、基材層（Ａ）と軟化層（Ｂ）の積層フィルム上に粘着層用塗布液を塗布形成することによって製造することができる。

２．半導体装置の製造方法
本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムを用いた半導体装置の製造方法の一例は、１）半導体ウエハ表面保護用フィルム上に半導体ウエハを配置する工程（マウンタ工程）と、２）半導体ウエハの外周に、半導体ウエハを保持する半導体ウエハ表面保護用フィルムの隆起部を形成する工程（プレス工程）と、３）隆起部によって保持された半導体ウエハの回路非形成面を研削する工程と、４）半導体ウエハ表面保護用フィルムを剥離する工程とを含む。本発明における３）半導体ウエハ表面保護用フィルムによって保持された半導体ウエハの回路非形成面を研削する工程とは、半導体ウエハを割ったり、破損したりすることなく、所定の厚みまで薄化加工することを意味する。これらの工程を行った後、半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程などをさらに行ってもよい。

半導体ウエハ表面保護用フィルムを用いた半導体装置の製造方法の他の例は、１'）半導体ウエハを用意する工程と、２'）半導体ウエハの外周に実質的に樹脂からなる隆起部を形成する工程と、３'）半導体ウエハ表面保護用フィルム上に半導体ウエハの回路形成面を配置する工程と、４'）隆起部によって保持された半導体ウエハの回路非形成面を研削する工程と、５'）半導体ウエハ表面保護用フィルムを剥離する工程とを含む。２'）隆起部を形成する工程と、３'）半導体ウエハ表面保護用フィルム上に半導体ウエハの回路形成面を配置する工程とは、どちらを先に行ってもよい。

２’）工程において、半導体ウエハの外周に形成される実質的に樹脂からなる隆起部は、半導体ウエハ表面保護用フィルムを構成する材料とは異なる樹脂材料によって構成されていてもよい。この場合に、半導体ウエハ表面保護用フィルムは前述の本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムに限定されず、一般的に用いられる半導体ウエハ表面保護フィルムであってもよい。実質的に樹脂からなる隆起部の貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）が１０ＭＰａ以上であればよく；また、貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（１００）が、１ＭＰａ以上であることが好ましい。

また２’）工程を経て形成される半導体ウエハとその外周に配置された実質的に樹脂からなる隆起部（リム）の組み合わせを、リム付き半導体ウエハともいう。リム付き半導体ウエハは、半導体ウエハと実質的に樹脂からなる隆起部とを含んでいればよく；半導体ウエハと実質的に樹脂からなる隆起部と、それらを支持する半導体ウエハ表面保護用フィルムを有していてもよい。半導体ウエハ表面保護用フィルムは、半導体ウエハの回路形成面に貼り付けられている。

また、６'）半導体ウエハを囲むようにリングフレーム（図２Ｂにおける符号３０を参照）を配置する工程を含んでいてもよい。リングフレームを配置する工程は、１'）半導体ウエハを用意する工程の後であって、４'）研削する工程よりも前であればよい。また、リングフレーム（図２Ｂにおける符号３０を参照）と半導体ウエハとの隙間に、隆起部があればよい。

リム付き半導体ウエハにおいて、隆起部と半導体ウエハの縁との間隔は、０〜１ｍｍであることが好ましく、０〜５００μｍであることがより好ましく、隆起部と半導体ウエハの縁とが接していることがさらに好ましい。隆起部が半導体ウエハを保持するためである。

半導体ウエハは、特に制限されず、表面に配線、キャパシタ、ダイオードまたはトランジスタなどの回路が形成されたシリコン基板またはサファイア基板などでありうる。本願発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムなどで半導体ウエハの外周に隆起部（リム）を形成しウエハの回路非形成面を研磨することにより、モース硬度８以上の高硬度材料基板を含む半導体ウエハであっても、半導体ウエハの破損を抑制することができる。また、本願発明の半導体ウエハは、サファイア基板上にＧａＮなどの半導体層を積層したものであってもよい。ＬＥＤ素子などの半導体装置を製造する場合には、好ましくは回路が形成されたサファイア基板が用いられる。半導体ウエハのサイズは、特に制限されず、２インチ、４インチ、６インチ、８インチなどでありうる。半導体ウエハの回路形成面には、１μｍ〜５０μｍの段差が設けられている。

半導体ウエハの周囲に形成される半導体ウエハ表面保護用フィルムの隆起部（リム）とは、半導体ウエハの外周に形成され、かつ半導体ウエハの端部を保持する部位である。半導体ウエハ表面保護用フィルムの隆起部は、半導体ウエハ表面保護用フィルム自体で構成されてもよいし；半導体ウエハ表面保護用フィルムを構成する材料とは異なる材料によって構成されてもよい。

半導体ウエハ表面保護用フィルムを構成する材料とは異なる樹脂材料によって隆起部を構成するには、例えば以下の方法がある。各方法において、半導体ウエハは、半導体ウエハ表面保護用フィルムにマウントされた半導体ウエハであってもよし、マウントされる前の半導体ウエハであってもよい。
方法１）図８Ａに示されるように、半導体ウエハ２０の周囲に、ディスペンサー１００などの塗布装置で、液状接着剤１０５を塗布して硬化させる方法
方法２）図８Ｂに示されるように、半導体ウエハ２０を、半導ウエハ２０の径とほぼ同じ径の貫通孔を有する樹脂製リング１１０に挿入する方法
方法３）図８Ｃに示されるように、半導体ウエハ２０を挿入した金型１２０のキャビティ１２５に、溶融樹脂を注入して、冷却固化して半導体ウエハの周囲に樹脂成形する方法

方法１）において、ディスペンサー１００で塗布する液状接着剤１０５の塗布時（硬化前）の粘度は約１〜５００Ｐａ・ｓであればよく；接着剤１０５の硬化物の貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）が１０ＭＰａ以上であればよく；また、貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（１００）が、１ＭＰａ以上であることが好ましい。つまり、接着剤１０５の硬化物は、前述の半導体ウエハ表面保護用フィルムにおける軟化層（Ｂ）と同様の弾性率を有するものが好ましい。液状接着剤１０５の例には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂などが含まれる。

方法２）において、半導ウエハ２０の径と同径の貫通孔を有する樹脂製リング１１０の貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）が１０ＭＰａ以上であればよく：また、貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（１００）が、１ＭＰａ以上であることが好ましい。つまり、前述の半導体ウエハ表面保護用フィルムにおける軟化層（Ｂ）と同様の弾性率を有するものが好ましい。樹脂製リング１１０を構成する樹脂の例には、ポリエチレン（高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレンなど）、ポリプロピレン（ホモポリプロピレン、ランダムポリプロピレンなど）、ポリスチレン、ナイロンなどが含まれる。

方法３）において、金型１２０のキャビティ１２５に注入する溶融樹脂はエポキシ樹脂などであればよく、冷却固化後の溶融樹脂の貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）が１０ＭＰａ以上であればよく；また、貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（１００）が、１ＭＰａ以上であることが好ましい。つまり、前述の半導体ウエハ表面保護用フィルムにおける軟化層（Ｂ）と同様の弾性率を有するものが好ましい。

このように、半導体ウエハの周囲に形成される隆起部（リム）は、任意の方法で行うことができるが、比較的容易に隆起部（リム）を形成でき、かつハンドリングしやすいことから、本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムを熱圧着して形成することが好ましい。

隆起部の１００℃における貯蔵弾性率Ｇ（１００）は、１ＭＰａ以上であることが好ましい。隆起部は、後述の通り、半導体ウエハ表面保護用フィルムを用いて隆起部を作る場合は前記フィルムの軟化層（Ｂ）で構成されるので；その場合には、隆起部の貯蔵弾性率は、軟化層（Ｂ）の貯蔵弾性率と同様になる。また後述する半導体ウエハの裏面研削工程において、砥石が隆起部と接触して破損しにくく、砥石が効率的に半導体ウエハの回路非形成面と接触できるように、隆起部（リム）はある程度柔軟な樹脂で実質的に形成されているのが好ましい。

本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムを用いた半導体装置の製造方法の一例を、図を参照しながら説明する。図２Ａは半導体ウエハ表面保護用フィルム上に半導体ウエハを配置する工程（マウント工程）の一例を示す図であり；図２Ｂは半導体ウエハ表面保護用フィルム上に半導体ウエハを配置した積層物を示す図であり；図２Ｃは半導体ウエハの外周に半導体表面保護用フィルムの隆起部を形成する工程（プレス工程）の一例を示す図であり；図２Ｄは隆起部の一例を示す拡大図であり；図２Ｅは半導体ウエハの回路非形成面を研削する工程の一例を示す図である。

マウント工程について
半導体ウエハ表面保護用フィルム上に半導体ウエハを配置する例が、図２Ａに示される。まず、半導体ウエハ２０よりも大きいサイズに切り出した半導体ウエハ表面保護用フィルム１０を準備する。次いで、半導体ウエハ２０を、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０上に配置する（１）の工程）。このとき、半導体ウエハ２０の回路形成面２０Ａが、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の粘着層（Ｃ）１６と接するようにする。

具体的には、ホットプレート４０の上に、半導体ウエハ２０と、半導体ウエハ２０を囲うリングフレーム３０とを載置する。さらに、半導体ウエハ２０およびリングフレーム３０の上に、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０を載置する。このとき、半導体ウエハ２０の回路形成面２０Ａと半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の粘着層（Ｃ）１６とを接触させる。

そして、ロール３５を回転させながら半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の一方の端部からもう一方の端部に亘って、半導体ウエハ２０に押し当てる。それにより、半導体ウエハ２０の回路形成面２０Ａに半導体ウエハ表面保護用フィルム１０に密着する。ロール３５で半導体ウエハ表面保護用フィルム１０を半導体ウエハ２０に押し当てる間、ホットプレート４０は常温のままであってもよいが；ホットプレート４０を加温して、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０を温度（ＴＭ）になるまで加熱してもよい。

マウント工程における半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の温度（ＴＭ）は、半導体ウエハの外周に半導体表面保護用フィルムの隆起部を形成する工程（後述）における半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の温度（ＴＰ）と同温度であるか、またはそれよりも高温であることが好ましい。その理由の詳細は後述するが、隆起部を形成する工程において半導体ウエハ表面保護用フィルム１０に皺が発生したり、隆起部を形成する工程後に、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０から半導体ウエハ２０が剥離したりする場合があるためである。

マウント工程後に、ホットプレート４０から、半導体ウエハ２０を、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０とリングフレーム３０とともに取り外し、図２Ｂに示されるような半導体ウエハ表面保護用フィルム上に半導体ウエハが配置された積層物を得る。この積層物を、「マウントフレーム」という。

プレス工程について
次いで、図２Ｃに示されるように、半導体ウエハ２０と半導体ウエハ表面保護用フィルム１０とを、熱プレス機の一対の熱板（上熱板２２−１と下熱板２２−２）にて熱圧着する（（２）の工程）。それにより、半導体ウエハ２０を、溶融した軟化層（Ｂ）１４に押し込み、それにより押し出された軟化層（Ｂ）１４が、半導体ウエハ２０の端部近傍に隆起部（リム）２４を形成する。上熱板２２−１とは、半導体ウエハ２０の側に配置される熱板であり；下熱板２２−２とは、半導体ウエハ保護フィルム１０の側に配置される熱板である。上熱板２２−１と半導体ウエハ２０とは、直接接触してもよいし、何らかの部材（例えば治具など）を介していてもよい。同様に、下熱板２２−２と半導体ウエハ保護フィルム１０とは、直接接触してもよいし、何らかの部材（例えば治具など）を介していてもよい。

隆起部（リム）２４の高さは、例えば裏面研削される半導体ウエハ２０の厚みの０．２倍〜１倍程度であることが好ましい。隆起部（リム）２４の高さが低すぎると、半導体ウエハ２０の端部を安定に保持できないことがある。具体的には、厚み１０００μｍの半導体ウエハ２０を裏面加工する場合、隆起部（リム）２４の高さは、２００μｍ以上であることが好ましい。また、図２Ｂでは、半導体ウエハ２０の端部の角が除去されていない態様を示したが、半導体ウエハ２０の端部に面取り加工（直線）やＲ加工（曲線）が施されて角が除去されていてもよい。半導体ウエハ２０の端部に面取り加工（直線）やＲ加工（曲線）が施されている場合、隆起部（リム）２４の高さは、面取り加工またはＲ加工後の半導体ウエハの端部の厚み相当分としてもよい。

熱圧着温度（熱圧着温度ＴＰ）やプレス圧力は、軟化層（Ｂ）１４が溶融して隆起部（リム）２４を形成しうる条件であればよい。具体的には、プレス圧は、１〜１０ＭＰａであることが好ましく、３〜１０ＭＰａであることがより好ましい。プレス時間は、例えば１〜５分間程度としうる。熱圧着温度ＴＰは、１２０〜１８０℃の範囲であることが好ましく、１３０〜１７０℃の範囲がより好ましく、１５０℃であることがさらに好ましい。熱圧着温度（ＴＰ）は、プレス機の一対の熱板（上熱板２２−１と下熱板２２−２）の平均温度をいう。

さらに、熱圧着温度（ＴＰ）は、前述のマウント工程における半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の温度（ＴＭ）と同温度か、それよりも低いことが好ましい。プレス工程中の加熱によって、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０が熱膨張しようとするが；熱圧着温度（ＴＰ）がマウント工程における温度（ＴＭ）以下であると、プレス工程での半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の熱膨張の程度が、マウント工程での半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の熱膨張の程度と同程度であるか、それよりも小さくなる。マウント工程で十分に熱膨張させた半導体ウエハ表面保護用フィルム１０を半導体ウェハに固定しているので、プレス工程において半導体ウエハ表面保護用フィルム１０が熱膨張しにくくなり、しわが発生しにくくなる。一方で、熱圧着温度（ＴＰ）と温度（ＴＭ）とが適切に調整されていないと、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の、半導体ウエハ２０の周辺にしわが発生しやすい。

さらには、プレス工程後に半導体ウエハ表面保護用フィルム１０を冷却すると、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０と半導体ウエハ２０とが剥離する（フィルム１０から半導体ウエハ２０が浮く）ことがあった。この剥離も、熱圧着温度（ＴＰ）をマウント工程における温度（ＴＭ）以下とすることで抑制される。このように半導体表面保護フィルムにしわを抑制することで、半導体ウエハの裏面研磨工程において、半導体ウエハをより割れにくくすることができる。

また、熱圧着温度（ＴＰ）は、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の軟化層（Ｂ）の軟化温度（ＴｍＢ）よりも高いことが好ましい。熱圧着温度（ＴＰ）を軟化温度（ＴｍＢ）以上とすることで軟化層（Ｂ）を軟化させ、隆起部（リム）２４を形成しやすくする。一方で、熱圧着温度（ＴＰ）は「半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の軟化層（Ｂ）の軟化温度（ＴｍＢ）＋４０℃」よりも低いことが好ましい。熱圧着温度（ＴＰ）が過剰に高いと、軟化層（Ｂ）を軟化させて形成した隆起部（リム）２４の形状が保持できずに流動して扁平な形状になってしまうことがある。それにより、隆起部（リム）２４の高さが低くなることがある。

また、前述の通り、熱圧着温度（ＴＰ）は、プレス機の一対の熱板（上熱板２２−１と下熱板２２−２）の平均温度をいう。上熱板２２−１の温度（ＴＰ１）と下熱板２２−２の温度（ＴＰ２）とは同一の温度としてもよいが、上熱板２２−１の温度（ＴＰ１）を、下熱板２２−２の温度（ＴＰ２）よりも高くすることが好ましい。熱圧着温度（ＴＰ）の温度が高いほど隆起部（リム）２４が迅速に形成できるが、下熱板２２−２の温度（ＴＰ２）が高いと隆起部（リム）２４の形状が保持できずに流動して扁平化する。一方で、上熱板２２−１と半導体ウエハ表面保護用フィルム１０とは直接接触していない（両者の間に隙間がある）ので、上熱板２２−１の温度（ＴＰ１）によって隆起部（リム）２４の形状が扁平化しにくい。そこで、上熱板２２−１の温度（ＴＰ１）を、下熱板２２−２の温度（ＴＰ２）よりも高くすることで、隆起部（リム）２４の形状を保持しつつ、迅速に隆起部（リム）２４を形成することができる。

具体的には、上熱板２２−１の温度（ＴＰ１）は「半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の軟化層（Ｂ）の軟化温度（ＴｍＢ）＋２０℃」よりも高く、「半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の軟化層（Ｂ）の軟化温度（ＴｍＢ）＋４０℃」よりも低いことが好ましい。そして、下熱板２２−２の温度（ＴＰ２）は「上熱板２２−１の温度（ＴＰ１）−４０℃」よりも高く、「上熱板２２−１の温度（ＴＰ１）よりも低いことが好ましい。そうすると、熱圧着温度（ＴＰ）は「上熱板２２−１の温度（ＴＰ１）−２０℃」よりも高く、「上熱板２２−１の温度（ＴＰ１）」よりも低いことが好ましい。

隆起部（リム）２４の高さは、図２Ｄに示されるように、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の、半導体ウエハ２０の回路形成面が接する面から隆起部（リム）２４の頂点までの高さｈとして定義される。隆起部（リム）２４の高さは、半導体ウエハ２０を剥がした後の半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の断面形状を、マイクロスコープで観察することによって測定することができる。

隆起部（リム）２４は、半導体ウエハ２０の端部と必ずしも接していなくてもよいが、半導体ウエハ２０の保持性を高めるためには、半導体ウエハ２０の端部と接していることが好ましい。

次いで、図２Ｅに示されるように、半導体ウェハ２０とともに、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０をチャックテーブル２６上にセットする。前述の通り、半導体ウエハ表面保護用フィルムは、基材層（Ａ）と軟化層（Ｂ）との間に、軽粘着層（Ｄ）を有していてもよい（図１Ｂ参照）。軽粘着層（Ｄ）がある場合には、基材層（Ａ）を除去してから、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０をチャックテーブル２６上にセットしてもよい。

そして、半導体ウエハの回路非形成面（裏面）２０Ｂを、ウエハの厚みが一定以下になるまで砥石２８で研削する（（３）の工程）。裏面研削後の半導体ウエハの厚みは、例えば３００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下としうる。研削加工は、砥石による機械的な研削加工である。研削方式は、特に制限されず、スルーフィード式、インフィード式等の公知の研削方式であってよい。研削加工は、湿式研削（ウェットポリシング）だけでなく、乾式研削（ドライポリシング）をさらに行ってもよい。

次いで、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０を常温で剥離する（（４）の工程）。半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の剥離は、例えば公知のテープ剥がし機によって行うことができる。そして、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０が、放射線硬化型の粘着層（Ｃ）を含む場合、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０に放射線を照射して粘着層（Ｃ）を硬化させ、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０を半導体ウエハ２０から剥離する。

半導体ウエハの裏面研削を行う工程（３）と、半導体ウエハから半導体ウエハ表面保護用フィルムを剥離する工程（４）との間において、必要に応じて半導体ウエハの回路非形成面（裏面）を加工する工程が含まれていてもよい。半導体ウエハの回路非形成面（裏面）を加工する工程は、例えばメタルスパッタリング工程、メッキ処理工程および加熱処理工程からなる群より選ばれる工程をさらに行ってもよい。加熱処理工程は、例えばダイボンディングテープを加温下で貼り付ける工程などでありうる。そして、半導体ウエハをダイシングする。あるいは、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０を剥離することなく、半導体ウエハをダイシングしてもよい。

本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムは、半導体ウエハと所定の条件で熱圧着させることで、半導体ウエハの外周に、半導体ウエハ表面保護用フィルムの隆起部（リム）を形成することができる。また、本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムによって形成された隆起部（リム）は、裏面研削時の半導体ウエハの到達温度（約４０℃程度）においても溶融しないため、良好に形状を維持できる。そのため、半導体ウエハの裏面研削時において、半導体ウエハの端部を隆起部（リム）によって安定に保持し続けることができ、砥石との接触による半導体ウエハの端部の破損を抑制することができる。そのため、半導体ウエハが硬くて脆いサファイア基板であっても、基板を破損することなく裏面研削できる。

さらに、半導体ウエハ表面保護用フィルムが放射線により硬化する粘着層（Ｃ）を含む場合、半導体ウエハ表面保護用フィルムに放射線を照射することで、半導体ウエハ表面保護用フィルムを容易に剥離することができる。このように、従来のワックス工法のように、ワックス樹脂が付着した半導体ウエハを洗浄する必要がないため、工程を簡略化することができる。

マウント工程の他の実施形態について
前述のように、マウント工程では、枠を有するリングフレーム３０の内部に半導体ウエハ２０を配置し；半導体ウエハ２０の一方の面（通常は回路が形成されている面２０Ａ）と、リングフレーム３０とにわたって、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０を貼り付ける（図２Ａ参照）。このとき、リングフレーム３０と、リングフレーム３０の内部に配置される半導体ウエハ２０との隙間が大きいと、半導体ウエハ２０とリングフレーム３０との間で半導体ウエハ保護用フィルムが弛むことがある。そのため、リングフレーム３０と半導体ウエハ２０との間に、リング状補助部材５０を配置することが好ましい（図５ＡおよびＢ参照）。

半導体ウエハ２０の外直径ＤＷと、リングフレーム３０の内直径ＤＡ_ＩＮと、リング状補助部材５０のリング外直径ＤＢ_ＯＵＴと、リング状補助部材５０のリング内直径ＤＢ_ＩＮとが、式（１） ＤＷ＜ＤＢ_ＩＮ＜ＤＢ_ＯＵT＜ＤＡ_ＩＮ の関係を満たす（図５Ａ参照）。

さらに、半導体ウエハ２０とリング状補助部材５０との隙間も、リング状補助部材５０とリングフレーム３０との隙間も、できるだけ小さくすることが好ましい。貼付けられた半導体ウエハ保護用フィルム１０の緩みを、さらに防止するためである。すなわち、半導体ウエハ２０の外直径ＤＷとリング状補助部材５０のリング内直径ＤＢ_ＩＮとの差ΔＤ１は、半導体ウエハ２０の外直径ＤＷの１％以内であることが好ましい。同様に、リング状補助部材５０のリング外直径ＤＢ_ＯＵＴと、リングフレーム３０の内直径ＤＡ_ＩＮとの差ΔＤ２は、半導体ウエハ２０の外直径ＤＷの１％以内であることが好ましい。
ΔＤ１＝ＤＢ_ＩＮ−ＤＷ・・・（２）
ΔＤ２＝ＤＡ_ＩＮ−ＤＢ_ＯＵＴ・・・（３）

マウント工程は、半導体ウエハマウント装置で行うことができる。半導体ウエハマウント装置は、加熱ユニットと、テープ貼付ユニットと、テープ切断機構とを有する。

加熱ユニットは、例えば、プレマウントフレームが載置されるホットプレート４０である。プレマウントフレームとは、半導体ウエハ２０と、半導体ウエハを囲むリング状補助部材５０と、リング状補助部材５０を囲むリングフレーム３０と、を含む構造体を意味する（図５Ａ）。プレマウントフレームは、半導体ウエハ２０の回路形成面２０Ａとは反対面（回路非形成面）が、ホットプレート４０と対向するように、ホットプレート４０に載置される。

ホットプレート４０に載置されたプレマウントフレームの半導体ウエハ２０をホットプレート４０で加熱しながら、テープ貼付ユニットが、半導体ウエハ２０の回路形成面２０Ａと、リング状補助部材５０と、リングフレーム３０とにわたって半導体ウエハ表面保護用フィルム１０を貼り付ける。テープ貼付ユニットとは、例えばローラ３５を含み；ローラ３５は、半導体ウエハ２０の回路形成面２０Ａと、リング状補助部材５０と、リングフレーム３０にわたって転動することができる。

テープ切断機構は、プレマウントフレームに半導体ウエハ保護フィルム１０を貼り付ける前、または貼り付けた後に、半導体ウエハ保護フィルム１０を、リングフレームの外径に合わせて切断する。テープ切断機構は、カッターなどであればよい（不図示）。このようにして、半導体ウエハ２０と、リング状補助部材５０と、リングフレーム３０と、半導体ウエハ保護フィルム１０とを含むマウントフレームが得られる。

プレス工程の他の実施態様について
前述のように、プレス工程は、マウント工程で得られたマウントフレームを、一対のプレス板（上プレス板２２−１と下プレス板２２−２）とでプレスする工程である（図２Ｃ参照）。ところが図６に示すように、プレス工程後に上熱板２２−１と下熱板２２−２による圧力を解除すると、マウントフレームの半導体ウエハ表面保護フィルム１０の外周部が、中央部よりも薄くなってしまうことがあった。プレス工程中に、マウントフレームの半導体ウエハ表面保護フィルム１０の外周部は、外側に流動するのに対して、中央部は流動しにくいためであると推察される。

そこで、一対のプレス板のうち、下プレス板２２−２は、上プレス板２２−１と対向する面に、凸部６０を有していることが好ましい。下プレス板２２−２に設けられた凸部６０が、プレス中に半導体ウエハ保護フィルム１０に侵入する（図７Ａ）。そのため、プレス工程後のマウントフレームの半導体ウエハ表面保護フィルム１０の厚みを均一にすることができ、かつ隆起部（リム）２４の形成もできる。

下プレス板２２−２の凸部６０の、半導体ウエハ保護フィルムとの接触面の外周（周縁）が、円状であることが好ましい。従って、凸部６０は、円錐（図７Ｂ）であったり、ドーム（図７Ｃ）であったりしてもよい。

下プレス板２２−２の凸部６０の突出高さは、１〜１００μｍであることが好ましく；より好ましくは、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０の軟化層（Ｂ）の厚みの１５〜１００％の範囲内にあることが好ましい。凸部６０の突出高さは、凸部６０の最大高さをいう。

下プレス板２２−２の凸部６０の直径ＣＤは、マウントフレームの半導体ウエハの外直径ＤＷよりも大きく、リングフレームの内直径ＤＡ_ＩＮよりも小さい。つまり、ＤＷ＜ＣＤ＜ＤＡ_ＩＮの関係を満たす。

凸部６０の材質は特に制限されない。凸状に加工するための研削に適したものであればよく、例えば、アルミナなどのセラミクス、炭化タングステンなどの超硬合金などでありうる。

プレス工程は、半導体ウエハプレス装置を用いて行うことができる。半導体ウエハプレス装置は、加熱機構を有する上プレス板２２−１と、上プレス板２２−１と対向する面に凸部６０を有する下プレス板２２−２とを有する。プレス工程では、まず、上プレス板２２−１と下プレス板２２−２との間に、マウント工程で得られたマウントフレームを配置する。このとき、マウントフレームの半導体ウェハ２０が上プレス板２２−１と対向し、マウントフレームの半導体ウエハ表面保護用フィルム１０が下プレス板２２−２と対向するように配置する。

配置されるマウントフレームは、図７Ａに示されるように半導体ウエハ２０と、リングフレーム３０と、半導体ウエハ表面保護用フィルム１０との構造体（図２Ｂ参照）とを含む。

マウントフレームを配置後、上プレス板２２−１の加熱機構でマウントフレームを加熱する。さらに、上プレス板２２−１と下プレス板２２−２とで挟まれたマウントフレームを、上プレス板２２−１と下プレス板２２−２とでプレスする。

上プレス板２２−１と下プレス板２２−２とから、マウントフレームを剥離することで、半導体ウエハ保護フィルムに隆起部（リム）を形成しつつ、プレス工程後の半導体ウエハ保護フィルムの厚みを均一にすることができる。

（実施例１）
材料の準備
基材層（Ａ）の材料として、ホモポリプロピレン（ｈＰＰ）（プライムポリマー社製、密度：９１０ｋｇ／ｍ^３）を準備した。軟化層（Ｂ）の材料として、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）（プライムポリマー社製、密度９１８ｋｇ／ｍ^３）を準備した。粘着層（Ｃ）の材料として、以下の粘着層用塗布液を調製した。

粘着層用塗布液の調製
アクリル酸エチル３０重量部、アクリル酸２−エチルヘキシル４０重量部、アクリル酸メチル１０重量部、およびメタクリル酸グリシジル２０重量部のモノマー混合物を、ベンゾイルパーオキサイド系重合開始剤〔日本油脂（株）製、ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０〕０．８重量部（開始剤として０．３２重量部）を用いて、トルエン６５重量部、酢酸エチル５０重量部中にて８０℃で１０時間反応させた。反応終了後、得られた溶液を冷却し、さらにキシレン１００重量部と、アクリル酸１０重量部と、テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド〔日本油脂（株）製、カチオンＭ２−１００〕０．３重量部とを加えて、空気を吹き込みながら８５℃で５０時間反応させた。これにより、アクリル系粘着剤ポリマーの溶液（粘着剤主剤）を得た。

得られたアクリル系粘着剤ポリマーの溶液（粘着剤主剤）に、アクリル系粘着剤ポリマー固形分１００重量部に対して、分子内結合開裂型光重合開始剤としてベンジルジメチルケタール〔日本チバガイギー（株）、イルガキュアー６５１〕を２重量部、分子内に重合性炭素−炭素二重結合を有するモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートとの混合物〔東亜合成化学工業（株）製、アロニックスＭ−４００〕を０．３重量部添加し、さらに熱架橋剤としてイソシアナート系架橋剤〔三井東圧化学（株）製、オレスターＰ４９−７５−Ｓ〕を１．３５重量部（熱架橋剤として１重量部）添加して、ＵＶ粘着剤を得た。得られたＵＶ粘着剤の粘着力を、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定したところ、３Ｎ／２５ｍｍであった。

１）貯蔵弾性率の測定
基材層（Ａ）となるホモポリプロピレン（ｈＰＰ）（プライムポリマー社製、密度：９１０ｋｇ／ｍ^３）を押出成形して、厚み５００μｍのサンプルフィルムを作製した。同様に、軟化層（Ｂ）となる直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）（プライムポリマー社製、密度９１８ｋｇ／ｍ^３）を押出成形し、厚み５００μｍのサンプルフィルムを作製した。粘着層（Ｃ）となる前述のＵＶ粘着剤を、ガラス基板上に塗布および乾燥させた後、剥離して、厚み３００μｍのサンプルフィルムを作製した。

これらのサンプルフィルムの貯蔵弾性率を、以下の方法で測定した。即ち、サンプルフィルムを動的粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント社製：ＡＲＥＳ）にセットし、直径８ｍｍのパラレルプレート型アタッチメントを用いて、３０℃から昇温速度３℃／分で２００℃まで昇温したときの貯蔵弾性率を測定した。測定周波数は１Ｈｚとした。測定終了後、基材層（Ａ）と軟化層（Ｂ）のサンプルフィルムについては、得られた１０〜２００℃の貯蔵弾性率−温度曲線から４０℃、１００℃、および１５０℃における貯蔵弾性率の値をそれぞれ読みとった。粘着層（Ｃ）のサンプルフィルムについては、得られた１０〜２００℃の貯蔵弾性率−温度曲線から２５℃における貯蔵弾性率の値を読みとった。

半導体ウエハ表面保護用フィルムの作製
基材層（Ａ）となるホモポリプロピレン（ｈＰＰ）（プライムポリマー社製、密度：９１０ｋｇ／ｍ^３）と、軟化層（Ｂ）となる直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）（プライムポリマー社製、密度９１８ｋｇ／ｍ^３）とを共押出して、２層の共押出フィルムを得た。得られた共押出フィルムの軟化層（Ｂ）上に、前述のＵＶ粘着剤を塗布した後、乾燥させて粘着層（Ｃ）を形成し、半導体ウエハ表面保護用フィルムを得た。半導体ウエハ表面保護用フィルムの基材層（Ａ）／軟化層（Ｂ）／粘着層（Ｃ）の厚みは、６０μｍ／７０μｍ／５μｍであり、合計厚みは１３５μｍであった。

２）隆起部（リム）の形成性の評価
得られた半導体ウエハ表面保護用フィルムを、サファイアウエハよりも大きいサイズに切り出した。次いで、厚み６５０μｍ、４インチサイズのサファイアウエハを、半導体ウエハ表面保護用フィルム上に配置した。このとき、サファイアウエハの回路形成面が、半導体ウエハ表面保護用フィルムの粘着層（Ｃ）と接するようにした。これらを熱プレス機にセットして、１４０℃、１０ＭＰａの圧力で２分間熱圧着させた。

次いで、半導体ウエハ表面保護用フィルムに紫外線を約１０００ｍＪ照射した後、半導体ウエハ表面保護用フィルムを半導体ウエハから剥がして、得られた半導体ウエハ表面保護用フィルムの断面形状をマイクロスコープにて観察した。半導体ウエハ表面保護用フィルムの断面における２箇所の隆起部（リム）の高さを測定し、それらの平均値を求めた。隆起部（リム）の高さは、半導体ウエハ表面保護用フィルムの半導体ウエハの回路形成面と接していた表面に対する隆起部（リム）の頂点の高さを測定した。隆起部（リム）の形成性の評価は、以下の基準に基づいて行った。
○：隆起部（リム）の高さが２００μｍ以上
×：隆起部（リム）の高さが２００μｍ未満

３）裏面研削性の評価
前述と同様に、得られた半導体ウエハ表面保護用フィルムを、サファイアウエハよりも大きいサイズに切り出した。次いで、厚み６５０μｍ、４インチサイズのサファイアウエハを、半導体ウエハ表面保護用フィルム上に配置した。これらを熱プレス機にセットして、１４０℃、１０ＭＰａの圧力で２分間熱圧着させた。

９０μｍ裏面研削性
サファイアウエハが熱圧着された半導体ウエハ表面保護用フィルムを、ディスコＤＧＰ８７６１のチャックテーブル上にセットし、サファイアウエハの回路非形成面（裏面）を、ウエハ厚みが９０μｍとなるまで湿式で研削した。研削時のウエハの温度は約４０℃であった。そして、裏面研削性を以下の基準に基づいて評価した。
○：ウエハの厚みが９０μｍとなるまで裏面研削が可能
×：ウエハの厚みが９０μｍとなる前に基板が割れる（裏面研削が不可能）

７０μｍ裏面研削性
ウエハの厚みが９０μｍとなるまで裏面研削したサファイアウエハを、さらにウエハ厚みが７０μｍとなるまで湿式で研削した。そして、裏面研削性を、以下の基準に基づいて評価した。
○：ウエハの厚みが７０μｍとなるまで裏面研削が可能
×：ウエハの厚みが７０μｍとなる前に基板が割れる（裏面研削が不可能）

４）ＤＰ（ドライポリッシング）後の隆起部の形状の評価
前記３）の湿式での裏面研削終了後のサンプルについて、さらに５分間、乾式で研削加工（ドライポリッシング）を行った。ドライポリッシング時のウエハの温度は約１００℃であった。そして、半導体ウエハ表面保護用フィルムに紫外線を約１０００ｍＪ照射した後、半導体ウエハ表面保護用フィルムからサファイアウエハを剥がした。得られた半導体ウエハ表面保護用フィルムの断面形状を、マイクロスコープで観察し、隆起部（リム）の高さを測定した。ＤＰ耐熱性の評価は、以下の基準に基づいて行った。
○：隆起部（リム）の高さがウエハの研削後の厚み程度ある（リムが溶融せずに残っている）
×：隆起部（リム）の高さがウエハの研削厚みよりも低い（リムが溶融して消失している）

５）研削後の基材層（Ａ）の表面平滑性
前記４）のＤＰ（ドライポリッシング）後の基材層（Ａ）の表面平滑性を、触針式表面形状測定機（Ｖｅｅｃｏ社 Ｄｅｋｔａｃ３）により評価した。表面平滑性の評価は、以下の基準に基づいて行った。
○：チャックテーブルの表面形状の転写による基材層（Ａ）表面の凸凹のＲａが１μｍ未満である
×：チャックテーブルの表面形状の転写による基材層（Ａ）表面の凸凹のＲａが１μｍ以上である

（実施例２）
基材層（Ａ）と軟化層（Ｂ）の厚みをそれぞれ３０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用フィルムを作製し、同様の評価を行った。

（実施例３）
軟化層（Ｂ）の材料をエチレン−α−オレフィン共重合体（タフマー（三井化学社製）、密度：８９３ｋｇ／ｍ^３）に変更した以外は実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用フィルムを作製し、同様の評価を行った。

（実施例４）
軟化層（Ｂ）の材料を、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）（プライムポリマー社製、密度９３８ｋｇ／ｍ^３）に変更し、基材層（Ａ）と軟化層（Ｂ）の厚みをそれぞれ３０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、半導体ウエハ表面保護用フィルムを作製し、同様の評価を行った。

（実施例５）
軟化層（Ｂ）の材料を、ランダムポリプロピレン（ｒＰＰ）（プライムポリマー社製、密度：９１０ｋｇ／ｍ^３）に変更し、基材層（Ａ）と軟化層（Ｂ）の厚みをそれぞれ３０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、半導体ウエハ表面保護用フィルムを作製し、同様の評価を行った。

（比較例１）
基材層（Ａ）の材料をランダムポリプロピレン（ｒＰＰ）（プライムポリマー社製、密度：９１０ｋｇ／ｍ^３）に、軟化層（Ｂ）の材料をエチレン−α−オレフィン共重合体（タフマー（三井化学社製）、密度：８９３ｋｇ／ｍ^３）にそれぞれ変更した以外は実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用フィルムを作製し、同様の評価を行った。

（比較例２）
基材層（Ａ）の材料を直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）（プライムポリマー社製、密度９１８ｋｇ／ｍ^３）に、軟化層（Ｂ）の材料をエチレン−α−オレフィン共重合体（タフマー（三井化学社製）、密度：８９３ｋｇ／ｍ^３）にそれぞれ変更した以外は実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用フィルムを作製し、同様の評価を行った。

（比較例３）
基材層（Ａ）の材料を直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）（プライムポリマー社製、密度９１８ｋｇ／ｍ^３）に、軟化層（Ｂ）の材料をエチレン−α−オレフィン共重合体（タフマー（三井化学社製）、密度：８６１ｋｇ／ｍ^３）にそれぞれ変更した以外は実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用フィルムを作製し、同様の評価を行った。

（比較例４）
軟化層（Ｂ）の材料を、エチレン−α−オレフィン共重合体（タフマー（三井化学社製）、密度：８６１ｋｇ／ｍ^３）に、基材層（Ａ）と軟化層（Ｂ）の厚みをそれぞれ３０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、半導体ウエハ表面保護用フィルムを作製し、同様の評価を行った。

実施例１〜５および比較例１〜４のサンプルフィルムの貯蔵弾性率、および半導体ウエハ表面保護用フィルムの評価結果を表１〜表３に示す。

表１および表２に示されるように、軟化層（Ｂ）の４０℃での貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）が１０ＭＰａ以上である実施例１〜５の半導体ウエハ表面保護用フィルムは、熱プレスによって隆起部（リム）を良好に形成でき、かつ裏面研削時においてもウエハが破損しないことがわかる。これは、裏面研削時においても隆起部（リム）が溶融せず、ウエハの端部を安定に保持できるためと考えられる。

一方、軟化層（Ｂ）の４０℃での貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）が１０ＭＰａ未満である比較例３および４の半導体ウエハ表面保護用フィルムは、熱プレスによって隆起部（リム）を形成できるものの、裏面研削時においてウエハが破損することがわかる。これは、裏面研削時においても隆起部（リム）が軟化し、ウエハの端部を安定に保持できないためと考えられる。

実施例１〜５のなかでも、実施例３では７０μｍ研削時にウエハが割れたのに対し、実施例２では７０μｍ研削時でもウエハが割れなかった。これは、実施例２の半導体ウエハ表面保護用フィルムにおける軟化層（Ｂ）の４０℃での貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）が、実施例３の半導体ウエハ表面保護用フィルムよりも高いためであると考えられる。また、実施例１において７０μｍ研削時にウエハが割れるのは、ウエハの仕上げ厚みに対して半導体ウエハ表面保護用フィルムが厚過ぎて、半導体ウエハの変形（たわみ、しなり）を抑制できなかったためであると考えられる。

さらに、実施例１および２の半導体ウエハ表面保護用フィルムでは、ドライポリッシング（ＤＰ）時の１００℃近い高温においても、隆起部（リム）が軟化せず、サファイアウエハの端部を安定に保持できることがわかる。

さらに、比較例１〜３では、研削後の基材層（Ａ）の表面平滑性が低いことがわかる。これは、比較例１〜３の半導体ウエハ表面保護用フィルムの基材層（Ａ）は、１５０℃での貯蔵弾性率Ｇ_Ａ（１５０）が１ＭＰａ未満であり、裏面研削時にチャックテーブルの表面形状が転写されたためと考えられる。このように、裏面研削時に基材層（Ａ）の表面にチャックテーブルの表面形状が転写されると、その後のダイシング工程において半導体ウエハ表面保護用フィルムを別のチャックテーブル上に固定させる際に、チャックテーブルと半導体ウエハ表面保護用フィルムの基材層（Ａ）との間でエアリークが生じやすい。このようなエアリークが生じると、半導体ウエハ表面保護用フィルムがチャックテーブル上に固定されなくなるため、好ましくない。

（実施例６）
実施例２で用いたフィルムと同様のフィルムを、サファイアウエハに貼り付けて（マウント工程）、熱圧着（プレス工程）することで隆起部（リム）を形成した。

具体的には、半導体ウエハ表面保護用フィルムを、サファイアウエハよりも大きいサイズに切り出した。また、厚み６５０μｍ、４インチサイズのサファイアウエハを用意した。図２Ａに示すように、半導体ウエハ表面保護用フィルム上に配置した。ホットプレート温度を１４０℃に加熱して、ローラで半導体ウエハ表面保護用フィルムをサファイアウエハに圧着させて、サファイアウエハと半導体ウエハ表面保護用フィルムとの積層物を得た。ローラ圧力は０．５ＭＰａ，ローラ速度は１０ｍｍ／秒とした。

次に、図２Ｃに示すように、熱プレス機の上熱板（半導体ウエハ表面保護用フィルムに配置する熱板）と下熱板（サファイアウエハ側に配置する熱板）とで、得られた積層物を挟み込み、１８０秒間、１０ＭＰａで圧着した。このとき、上熱板の温度を１４０℃とし、下熱板の温度を１２０℃とし、すなわち両者の平均温度ＴＰを１３０℃とした。

次いで、半導体ウエハ表面保護用フィルムに紫外線を約１０００ｍＪ照射した後、半導体ウエハ表面保護用フィルムをサファイアウエハから剥がして、得られた半導体ウエハ表面保護用フィルムの断面形状をマイクロスコープにて観察した。半導体ウエハ表面保護用フィルムの断面における２箇所の隆起部（リム）の高さを測定し、それらの平均値を求めた。

１．半径方向の張力の有無
プレス工程後に、リングフレームに半導体ウエハ表面保護用フィルムを貼り付けた状態で、サファイアウエハ中央に１５０ｇの錘をのせて、フィルムの沈み込み量を測定した。２ｍｍ以上沈み込んだものを、張力がないものとして×と評価した。

２．しわ
プレス工程後に、目視にて、サファイアウエハの周囲の半導体ウエハ表面保護用フィルムに、放射状のシワが１０本以上発生したものを×とした。

３．４８時間後の剥離
プレス工程後、サファイアウエハに半導体ウエハ表面保護用フィルムを貼り付けたまま室温にて４８時間放置した。その後に、ウエハ表面保護用フィルムとサファイアウエハ端部とに１ｍｍ以上の剥離が見られたものを×とした。

（実施例７）
実施例２で用いたフィルムと同様のフィルムを、サファイアウエハに貼り付けて（マウント工程）、熱圧着（プレス工程）することで隆起部（リム）を形成した。具体的には、半導体ウエハ表面保護用フィルムを、サファイアウエハよりも大きいサイズに切り出した。また、厚み６５０μｍ、４インチサイズのサファイアウエハを用意した。図２Ａに示すように、半導体ウエハ表面保護用フィルム上に配置した。ホットプレート温度を１００℃に加熱して、ローラで半導体ウエハ表面保護用フィルムをサファイアウエハに圧着させて、サファイアウエハと半導体ウエハ表面保護用フィルムとの積層物を得た。ローラ圧力は０．５ＭＰａ，ローラ速度は１０ｍｍ／秒とした。

次に、図２Ｃに示すように、熱プレス機の上熱板（半導体ウエハ表面保護用フィルムに配置する熱板）と下熱板（サファイアウエハ側に配置する熱板）とで、得られた積層物を挟み込み、１８０秒間,１０ＭＰａで圧着した。このとき、上熱板の温度を１４０℃とし、下熱板の温度を１２０℃とし、すなわち両者の平均温度ＴＰを１３０℃とした。

実施例６と同様に、隆起部（リム）の高さを求め、「半径方向の張力の有無」「しわの有無」「４８時間後の浮き（剥離）の有無」を評価した。

（実施例８）
実施例２で用いたフィルムと同様のフィルムを、サファイアウエハに貼り付けて（マウント工程）、熱圧着（プレス工程）することで隆起部（リム）を形成した。具体的には、半導体ウエハ表面保護用フィルムを、サファイアウエハよりも大きいサイズに切り出した。また、厚み６５０μｍ、４インチサイズのサファイアウエハを用意した。図２Ａに示すように、半導体ウエハ表面保護用フィルム上に配置した。ホットプレート温度を２５℃として、ローラで半導体ウエハ表面保護用フィルムをサファイアウエハに圧着させて、サファイアウエハと半導体ウエハ表面保護用フィルムとの積層物を得た。ローラ圧力は０．５ＭＰａ，ローラ速度は１０ｍｍ／秒とした。

次に、図２Ｃに示すように、熱プレス機の上熱板（半導体ウエハ表面保護用フィルムに配置する熱板）と下熱板（サファイアウエハ側に配置する熱板）とで、得られた積層物を挟み込み、１８０秒間、１０ＭＰａで圧着した。このとき、上熱板の温度を１４０℃とし、下熱板の温度を１２０℃とし、すなわち両者の平均温度ＴＰを１３０℃とした。

実施例６と同様に、隆起部（リム）の高さを求め、「半径方向の張力の有無」「しわの有無」「４８時間後の浮き（剥離）の有無」を評価した。

（参考例５）
実施例２で用いたフィルムと同様のフィルムを、サファイアウエハに貼り付けて（マウント工程）、熱圧着（プレス工程）することで隆起部（リム）を形成した。具体的には、半導体ウエハ表面保護用フィルムを、サファイアウエハよりも大きいサイズに切り出した。また、厚み６５０μｍ、４インチサイズのサファイアウエハを用意した。図２Ａに示すように、半導体ウエハ表面保護用フィルム上に配置した。ホットプレート温度を１００℃として、ローラで半導体ウエハ表面保護用フィルムをサファイアウエハに圧着させて、サファイアウエハと半導体ウエハ表面保護用フィルムとの積層物を得た。ローラ圧力は０．５ＭＰａ，ローラ速度は１０ｍｍ／秒とした。

次に、図２Ｃに示すように、熱プレス機の上熱板（半導体ウエハ表面保護用フィルムに配置する熱板）と下熱板（サファイアウエハ側に配置する熱板）とで、得られた積層物を挟み込み、１８０秒間、１０ＭＰａで圧着した。このとき、上熱板の温度を１１０℃とし、下熱板の温度を９０℃とし、すなわち両者の平均温度ＴＰを１００℃とした。

実施例６と同様に、隆起部（リム）の高さを求め、「半径方向の張力の有無」「しわの有無」「４８時間後の浮き（剥離）の有無」を評価した。

実施例６では、マウント工程における温度ＴＭが、プレス工程における温度ＴＰよりも高く；かつ温度ＴＰが、軟化層（Ｂ）の軟化点温度（ＴｍＢ）よりも１４℃高い。そのため、十分な高さを有するリムが形成され、しわの発生も、サファイア基板と保護フィルムとの剥離もなかった。

実施例７では、マウント工程における温度ＴＭが、プレス工程における温度ＴＰよりも３０℃低い。そのため、十分な高さを有するリムが形成できたものの、しわの発生が確認された。さらに実施例８では、マウント工程における温度ＴＭが、プレス工程における温度ＴＰよりも１０５℃低い。そのため、十分な高さを有するリムが形成できたものの、十分な高さを有するリムが形成できたものの、しわの発生が確認され、サファイア基板と保護フィルムとの剥離も確認された。

参考例５では、プレス工程における温度ＴＰが、軟化層（Ｂ）の軟化点温度（ＴｍＢ）よりも低い。そのため、十分なリムを形成することができなかった。

（実施例９）
実施例２で用いたフィルムと同様のフィルムを、サファイアウエハに貼り付けて（マウント工程）、熱圧着（プレス工程）することで隆起部（リム）を形成した。具体的には、半導体ウエハ表面保護用フィルムを、サファイアウエハよりも大きいサイズに切り出した。また、厚み６５０μｍ、４インチサイズのサファイアウエハを用意した。図２Ａに示すように、半導体ウエハ表面保護用フィルム上に配置した。ホットプレート温度を１４０℃に加熱して、ローラで半導体ウエハ表面保護用フィルムをサファイアウエハに圧着させて、サファイアウエハと半導体ウエハ表面保護用フィルムとの積層物を得た。ローラ圧力は０．５ＭＰａ，ローラ速度は１０ｍｍ／秒とした。

次に、図２Ｃに示すように、熱プレス機の上熱板（半導体ウエハ表面保護用フィルムに配置する熱板）と下熱板（サファイアウエハ側に配置する熱板）とで、得られた積層物を挟み込み、１８０秒間、１０ＭＰａで圧着した。このとき、上熱板の温度を１４０℃とし、下熱板の温度を１００℃とし、すなわち両者の平均温度を１２０℃とした。

次いで、実施例６と同様に、隆起部（リム）の高さを求めた。

（実施例１０）
実施例２で用いたフィルムと同様のフィルムを、サファイアウエハに貼り付けて（マウント工程）、熱圧着（プレス工程）することで隆起部（リム）を形成した。具体的には、半導体ウエハ表面保護用フィルムを、サファイアウエハよりも大きいサイズに切り出した。また、厚み６５０μｍ、４インチサイズのサファイアウエハを用意した。図２Ａに示すように、半導体ウエハ表面保護用フィルム上に配置した。ホットプレート温度を１４０℃に加熱して、ローラで半導体ウエハ表面保護用フィルムをサファイアウエハに圧着させて、サファイアウエハと半導体ウエハ表面保護用フィルムとの積層物を得た。ローラ圧力は０．５ＭＰａ，ローラ速度は１０ｍｍ／秒とした。

次に、図２Ｃに示すように、熱プレス機の上熱板（半導体ウエハ表面保護用フィルムに配置する熱板）と下熱板（サファイアウエハ側に配置する熱板）とで、得られた積層物を挟み込み、１８０秒間、１０ＭＰａで圧着した。このとき、上熱板の温度を１４０℃とし、下熱板の温度を１４０℃とし、すなわち両者の平均を１４０℃とした。

次いで、実施例６と同様に、隆起部（リム）の高さを求めた。

実施例９は、マウント工程における温度ＴＭが、プレス工程における温度ＴＰよりも高く；かつ温度ＴＰが、軟化層（Ｂ）の軟化点温度（ＴｍＢ）よりも４℃高い。さらに、プレス工程における上熱板温度ＴＰ１が、下熱板温度ＴＰ２よりも高い。そのため、十分な高さを有するリムが形成された。

一方、実施例１０は、マウント工程における温度ＴＭが、プレス工程における温度ＴＰと同温度であり；さらに、プレス工程における上熱板温度ＴＰ１が、下熱板温度ＴＰ２と同温度である。そのため、リムがやや扁平化してしまい、リムの高さがが、実施例７と比較すると低下した。

（実施例１１〜１４）
実施例２で用いたフィルムと同様のフィルムを、サファイアウエハに貼り付けて（マウント工程）、熱圧着（プレス工程）することで隆起部（リム）を形成した。具体的には、半導体ウエハ表面保護用フィルムを、サファイアウエハよりも大きいサイズに切り出した。また、厚み６５０μｍ、４インチサイズのサファイアウエハを用意した。図２Ａに示すように、半導体ウエハ表面保護用フィルム上に配置した。ホットプレート温度を１４０℃に加熱して、ローラで半導体ウエハ表面保護用フィルムをサファイアウエハに圧着させて、サファイアウエハと半導体ウエハ表面保護用フィルムとの積層物を得た。ローラ圧力は０．５ＭＰａ，ローラ速度は１０ｍｍ／秒とした。

次に、図７Ａに示すように、熱プレス機の上熱板（半導体ウエハ表面保護用フィルムに配置する熱板）と、図７Ｂに示されるような円錐状の凸部を有する下熱板（サファイアウエハ側に配置する熱板）とで、得られた積層物を挟み込み、１８０秒間、１０ＭＰａで圧着した。このとき、上熱板の温度を１４０℃とし、下熱板の温度を１２０℃とした。実施例１１では凸部の高さを０μｍ（凸部なし）とし、実施例１２では凸部の高さを５μｍとし、実施例１３では凸部の高さを１５μｍとし、実施例１４では凸部の高さを２５μｍとした。それぞれについて、プレス工程後の半導体ウエハ表面保護用フィルムの厚みばらつき（最大厚みと最小厚みとの差）を測定し、実施例６と同様に隆起部（リム）の高さを求めた。

表６に示されるように、下熱板に凸部を設けることで、プレス工程後の半導体ウエハ表面保護用フィルムの厚みばらつきを抑制し、隆起部（リム）も形成できることがわかる。

本発明の半導体ウエハ表面保護用フィルムは、特にサファイア基板などの硬くて脆い半導体ウエハであっても、破損させることなく裏面研削を可能としうる。

１ サファイア基板
２ ワックス樹脂層
３ 砥石
４ 従来の半導体ウエハ保護フィルム
１０ 半導体ウェハ表面保護用フィルム
１２ 基材層（Ａ）
１４ 軟化層（Ｂ）
１６ 粘着層（Ｃ）
１８ 軽粘着層（Ｄ）
２０ 半導体ウエハ
２０Ａ 半導体ウエハの回路形成面
２０Ｂ 半導体ウエハの回路非形成面（裏面）
２２−１ 上熱板
２２−２ 下熱板
２４ 隆起部（リム）
２６ チャックテーブル
２８ 砥石

Claims (16)

1. １５０℃における貯蔵弾性率Ｇ_Ａ（１５０）が１ＭＰａ以上である基材層（Ａ）と、
   １２０〜１８０℃のいずれかの温度における貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（１２０〜１８０）が０．０３ＭＰａ以下であり、かつ４０℃における貯蔵弾性率Ｇ_Ｂ（４０）が１０ＭＰａ以上である軟化層（Ｂ）と、を含む、半導体ウエハ表面保護用フィルム。
2. 前記軟化層（Ｂ）を介して前記基材層（Ａ）とは反対側に配置された粘着層（Ｃ）をさらに含み、
   前記粘着層（Ｃ）の、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定される粘着力が０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍである、請求項１に記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
3. 前記基材層（Ａ）は、最表面に配置されている、請求項１または２に記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
4. 前記粘着層（Ｃ）は、前記軟化層（Ｂ）を介して前記基材層（Ａ）とは反対側の最表面に配置されている、請求項２に記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
5. 前記軟化層（Ｂ）は、炭化水素オレフィンの単独重合体、炭化水素オレフィンの共重合体、またはそれらの混合物を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
6. 前記基材層（Ａ）が、ポリオレフィン層、ポリエステル層、またはポリオレフィン層とポリエステル層の積層体である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム。
7. 半導体ウエハを、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用フィルム上に、前記半導体ウエハの回路形成面が半導体ウエハ表面保護用フィルムと接するように配置する工程と、
   前記半導体ウエハ表面保護用フィルムと前記半導体ウエハとを１２０〜１８０℃の温度、１〜１０ＭＰａの圧力で熱圧着させて、前記半導体ウエハの外周に、前記半導体ウエハを保持する前記半導体ウエハ表面保護用フィルムの隆起部を形成する工程と、
   前記隆起部によって保持された前記半導体ウエハの回路非形成面を研削する工程と、
   前記半導体ウエハの回路形成面から前記半導体ウエハ表面保護用フィルムを剥離する工程と、を含み、
   前記隆起部の１００℃における貯蔵弾性率Ｇ（１００）が１ＭＰａ以上である、半導体装置の製造方法。
8. 請求項７に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体ウエハを、前記半導体ウエハ表面保護用フィルム上に、前記半導体ウエハの回路形成面が半導体ウエハ表面保護用フィルムと接するように配置する工程におけるフィルムの温度ＴＭと、前記半導体ウエハ表面保護用フィルムの隆起部を形成する工程における熱圧着温度ＴＰと、前記軟化層（Ｂ）の軟化点温度ＴｍＢとが、以下の一般式の関係を満たす、半導体装置の製造方法。
   ［式１］ ＴＰ≦ＴＭ
   ［式２］ ＴｍＢ＜ＴＰ＜ＴｍＢ＋４０℃
9. 前記半導体ウエハ表面保護用フィルムの軟化層（Ｂ）が、基材層（Ａ）よりも前記半導体ウエハの回路形成面側になるように、前記半導体ウエハを前記半導体ウエハ表面保護用フィルム上に配置する、請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記半導体ウエハは、モース硬度８以上の高硬度材料基板を含む、請求項７〜９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 半導体ウエハと、前記半導体ウエハを囲む枠を有するリングフレームＡと、前記半導体ウエハの回路形成面と前記フレームＡとにわたって貼り付けられた請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護フィルムと、を備えたマウントフレームを、加熱機構を備えた上プレス板と、上プレス板と対向する下プレス板とで挟み込んでプレスする半導体ウエハプレス装置であって、
    前記半導体ウエハの外直径ＤＷと、前記リングフレームＡの内直径ＤＡ_ＩＮとが、式（１）ＤＷ＜ＤＡ_ＩＮ の関係を満たし、
    前記下プレス板は、前記上プレス板と対向する面に凸部を備え、
    前記プレスしたときの、前記凸部の前記マウントフレームとの接触面の外周は、円状である、半導体ウエハプレス装置。
12. 前記凸部の高さが１〜１００μｍである、請求項１１に記載の半導体ウエハプレス装置。
13. 前記凸部の高さが、半導体ウエハ表面保護フィルムの軟化層（Ｂ）の厚みに対して１５〜１００％の範囲内にある、請求項１１または１２に記載の半導体ウエハプレス装置。
14. 前記凸部の直径ＣＤが、ＤＷ＜ＣＤ＜ＤＡ_ＩＮの関係を満たす、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の半導体ウエハプレス装置。
15. 半導体ウエハと、前記半導体ウエハを囲むリング状補助部材Ｂと、前記半導体ウエハと前記リング状補助部材Ｂとを囲むリングフレームＡと、前記半導体ウエハの回路形成面と前記リング状補助部材Ｂと前記リングフレームＡにわたって貼り付けられた請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護フィルムと、を含むマウントフレームを作製する半導体ウエハマウント装置であって、
    前記半導体ウエハの外直径ＤＷと、前記リングフレームＡの内直径ＤＡ_ＩＮと、前記リング状補助部材Ｂのリング外直径ＤＢ_ＯＵＴと、前記リング状補助部材Ｂのリング内直径ＤＢ_ＩＮとが、式（１） ＤＷ＜ＤＢ_ＩＮ＜ＤＢ_ＯＵT＜ＤＡ_ＩＮ の関係を満たし、
    前記半導体ウエハの回路形成面の反対面を加熱する加熱ユニットと、
    前記半導体ウエハの回路形成面と、前記リングフレームＡと、前記リング状補助部材Ｂとにわたって転動して、前記半導体ウエハ表面保護フィルムを貼り付けるための貼付ローラと、
    前記リングフレームＡの外形状に沿って、前記半導体ウエハ表面保護フィルムを切断するテープ切断機構と、を備える、半導体ウエハマウント装置。
16. 下記式で表されるΔＤ１とΔＤ２のいずれもが、ＤＷの１％以内である、請求項１５に記載の半導体ウエハマウント装置。
    ΔＤ１＝ＤＢ_ＩＮ−ＤＷ・・・（２）
    ΔＤ２＝ＤＡ_ＩＮ−ＤＢ_ＯＵＴ・・・（３）

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