WO2020196795A1 - 貼着装置 - Google Patents
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- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 123
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 151
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 105
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 91
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 78
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 92
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 91
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 46
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 42
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 36
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 19
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 14
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 6
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- GVNWZKBFMFUVNX-UHFFFAOYSA-N Adipamide Chemical compound NC(=O)CCCCC(N)=O GVNWZKBFMFUVNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920010126 Linear Low Density Polyethylene (LLDPE) Polymers 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- AFSIMBWBBOJPJG-UHFFFAOYSA-N ethenyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC=C AFSIMBWBBOJPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002987 primer (paints) Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 1
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Abstract
Description
一般的な貼着装置は、半導体ウエハが載置される載置部材と、該載置部材の対向位置に設置された貼付ローラ等の押圧部材と、を有している。この貼着装置は、フィルムを、貼付ローラ等の押圧部材で主面に押し付けることにより、該主面に該フィルムを貼着するように構成されている。
ここで、半導体ウエハには、例えば、主面に複数のバンプを有することで、これらバンプの頂部によって該主面が凹凸状になっているものがある。このような主面に対し、上述の貼着装置を用いてフィルムを貼着すると、該主面に押し付けられた該フィルムの表面が、バンプの頂部による凹凸に倣って、凹凸状になってしまう。そして、フィルムの表面が凹凸状になると、該フィルムを介して半導体ウエハを貼着装置の載置部材に固定する際、真空リーク等の不具合が起こる場合がある。こうした不具合の発生を解消する技術として、特許文献1が知られている。
即ち、特許文献1には、半導体ウエハに用いるフィルムとして、凹凸吸収性樹脂層等を設けたフィルムが開示されている。そして、このフィルムは、凹凸吸収性樹脂層や段差吸収層等によって、主面に貼着されたフィルムの表面に凹凸が生じ難くなるような工夫が為されている。
しかし、上述の技術を用いた場合においても、板状体の貼着面(主面)の形状等により、真空リーク等の不具合を起こすものがある。この不具合は、板状体が貼着面(主面)の周縁部に段差部を有する場合、特に起こりやすい。
[1]請求項1に記載の貼着装置の発明は、板状体にフィルムを貼着する貼着装置であって、
前記板状体を載置する載置部が設けられた板状の載置部材と、
前記載置部材の対向位置に設置された板状の押圧部材と、
前記載置部材と前記押圧部材との間に位置するように、前記載置部の外縁に設置される支持部材と、を備えることを要旨とする。
[2]請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の貼着装置の発明において、前記押圧部材は、前記板状体の前記主面に、前記フィルムを押し付ける機能を有し、
前記支持部材は、前記押圧部材による前記フィルムの押し付け時に、該フィルムの縁部を支持する機能を有することを要旨とする。
[3]請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の貼着装置の発明において、前記板状体の前記主面上に前記フィルムを配する配置機構を更に備えることを要旨とする。
[4]請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3のうちの何れかに記載の貼着装置の発明において、前記フィルムを加熱する加熱機構を更に備えることを要旨とする。
[5]請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4のうちの何れかに記載の貼着装置の発明において、前記貼着装置は、前記フィルムの縁部を、前記支持部材と前記押圧部材との間で挟み、該縁部をその厚さ方向へ圧縮する機能を有することを要旨とする。
[6]請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5のうちの何れかに記載の貼着装置の発明において、前記板状体は、前記フィルムが貼着される主面の周縁部に切欠き状の段差部を有しており、
前記支持部材は、前記段差部と対応して前記載置部の外縁に設置されることを要旨とする。
[7]請求項7に記載の発明は、請求項1乃至6のうちの何れかに記載の貼着装置の発明において、前記板状体は、半導体ウエハであり、
前記フィルムは、半導体ウエハ用の保護フィルムであることを要旨とする。
[8]請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の貼着装置の発明において、前記半導体ウエハは、前記主面に、バンプが配された第1領域と、該主面の周縁の少なくとも一部を含んで、バンプが配されていない領域である第2領域と、を有しており、
前記第2領域によって、前記切欠き状の段差部が形成されることを要旨とする。
[9]請求項9に記載の貼着装置の発明は、板状体にフィルムを貼着する貼着装置であって、
前記板状体は、前記フィルムが貼着される主面に段差を有しており、
前記板状体を載置する載置部が設けられた板状の載置部材と、
前記載置部材の対向位置に設置された板状の押圧部材と、を備えるとともに、
前記主面上に前記フィルムを配するべく前記載置部材と前記押圧部材との間に設置された配置機構と、
前記主面上に配される前記フィルムに、厚さが相対的に厚い部位を、前記段差に対応して形成する加工機構と、を備えることを要旨とする。
[10]請求項10に記載の発明は、請求項9に記載の貼着装置の発明において、前記フィルムを加熱する加熱機構を更に備えることを要旨とする。
[11]請求項11に記載の発明は、請求項9又は10に記載の貼着装置の発明において、前記板状体は、半導体ウエハであり、
前記フィルムは、半導体ウエハ用の保護フィルムであることを要旨とする。
第1発明の貼着装置は、板状体(10)にフィルム(20)を貼着する貼着装置30である。貼着装置30は、図1及び図2に示すように、載置部材31と、押圧部材32と、支持部材33と、を備えている。
上記載置部材31は、板状をなしている。この載置部材31には、板状体(10)を載置する載置部31Aが設けられている。
上記押圧部材32は、板状をなしている。この押圧部材32は、載置部材31の対向位置に設置されている。
上記支持部材33は、載置部材31と押圧部材32との間に位置している。この支持部材33は、載置部31Aの外縁に設置されている。
また、以下の記載において、板状体(10)の主面10Aとは、板状体(10)において、フィルム(20)の貼着面となる面を示すものとする。例えば、図1中であれば、板状体(10)の主面10Aは、板状体(10)の表面(上面)である。
貼着機構は、上記載置部材31と、上記押圧部材32と、を有している。
載置部材31は、上記載置部31Aに載置された板状体(10)を固定する機能を有するものとすることができる。
押圧部材32は、載置部31Aに載置された板状体(10)の主面10Aに、フィルム(20)を押し付ける機能を有するものとすることができる。
即ち、上記貼着装置30において、貼着機構は、圧縮機構を含むものとすることができる。この圧縮機構は、フィルム(20)の縁部を、その厚さ方向へ圧縮する機構である。そして、圧縮機構は、上記押圧部材32と、上記支持部材33と、を有している。
配置機構34の構成等については、特に限定されない。この配置機構34は、例えば、ガイドローラ35Aと、上下一対の牽引ローラ35Bと、を有しているものとすることができる(図1参照)。
ガイドローラ35Aは、上記載置部31Aの直上位置から外側に位置ずれして設置されている。このガイドローラ35Aは、載置部材31と押圧部材32との間に、フィルム(20)を案内する機能を有するものとすることができる。
一対の牽引ローラ35Bは、ガイドローラ35Aと水平方向で対向し、且つ上記載置部31Aの直上位置から外側に位置ずれして設置されている。一対の牽引ローラ35Bは、互いの間にフィルム(20)を挟み、牽引することができる。つまり、一対の牽引ローラ35Bは、ガイドローラ35Aによって載置部材31と押圧部材32との間に案内されたフィルム(20)を、主面10A上に配する機能を有するものとすることができる。
加熱機構の構成等については、特に限定されない。この加熱機構は、例えば、上記載置部材31にヒータ36を内装する等して、設置することができる(図1参照)。
(1)載置部材
載置部材31は、板状をなし、板状体(10)を載置する載置部31Aが設けられているものであれば、種類、構成等について特に限定されない。
通常、載置部材31には、チャックテーブルを用いることができる。また、載置部材31にチャックテーブルを用いる場合、載置部31Aは、チャックテーブルに設けられたチャックエリアとすることができる。
また、載置部材31は、チャックテーブルのなかでも、真空吸着テーブルを用いることが好ましい。真空吸着テーブルは、板状体(10)を好適に固定することができるとともに、板状体(10)の汚損や傷付きを防止することができる。
押圧部材32は、板状体(10)の主面10Aへフィルム(20)を押し付けることができるものであれば、形状、構成等について特に限定されない。例えば、押圧部材32の形状は、図2中に二点鎖線で示すように、平面視で円形とすることができる。
押圧部材32は、載置部31Aの上方位置に設置されている。また、押圧部材32は、載置部31Aに対して接近又は離間できるように構成されている。
他に、押圧部材32は、板状体(10)の厚さ方向に伸びるように貼着装置30に設けられたレール等に昇降自在に取り付けられ、下降した場合は載置部31Aに接近し、上昇した場合は載置部31Aから離間するように構成することができる。また他に、押圧部材32は、載置部31Aの上方位置に固定されており、載置部材31を昇降自在に構成し、載置部材31が上昇することで押圧部材32に載置部31Aが接近し、載置部材31が下降することで押圧部材32から載置部31Aが離間するように構成することができる。
押圧部材32は、フィルム(20)と接する押圧面32Aが平坦面であることが好ましい(図1参照)。押圧面32Aが平坦面である場合、該押圧面32Aによって押し付けたフィルム(20)の表面を平坦にすることができる。
押圧面32Aの硬さは、モース硬度で、好ましくは2.5~8.5、より好ましくは3~7、さらに好ましくは4~6である。この場合、押圧面32Aの変形を抑制し、該押圧面32Aを平坦面に維持することができる。
押圧面32Aの材料は、特に限定されない。例えば、上記モース硬度を満たす観点で、押圧面32Aの材料には、鉄、銅、アルミニウム、スチール鋼、ステンレス鋼、アルミニウム合金等の金属、ガラス、セラミックス等の無機材料を使用することができる。
押圧部材32は、例えば押圧面32Aのみを上記無機材料で形成し、押圧面32A以外の部分は合成樹脂で形成する等の構成とすることができる。
支持部材33は、構成等について特に限定されない。
支持部材33の形状は、載置部31Aの外縁に設置することができるとともに、フィルム(20)の縁部(周縁部)を支持することができる形状であれば、特に限定されない。この支持部材33の形状として、平面視で円環状、扇状、弧状等が例示できる。支持部材33は、例えば、図2に示すように、平面視の形状を、板状体(10)の全体を内側に囲い込む円環状とすることができる。
支持部材33の材料は、特に限定されない。この支持部材33は、上記圧縮機構として、押圧部材32とともに、フィルム(20)の縁部(周縁部)を挟んで、その厚さ方向へ圧縮することができるものが好ましい。このような支持部材33の材料としては、押圧部材32で挙げた金属等の無機材料の他に、エンジニアリングプラスチックやスーパーエンジニアリングプラスチック等の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等が例示できる。
あるいは、支持面33Aは、図4に示すように、載置部31A側(板状体(10)の主面10A側)を向くように傾斜させることができる。
ここで、支持面33Aと主面10Aとの位置関係について、図3に示すように、板状体(10)の主面10Aと押圧部材32の押圧面32AとのクリアランスをC1とし、支持部材33の支持面33Aと押圧面32AとのクリアランスをC2とする。
例えば、支持部材33と押圧部材32とを有する上記圧縮機構を好適に機能させる場合、C1>C2とすることが好ましい。このC1>C2の場合、支持部材33の支持面33Aは、板状体(10)の主面10Aのうち平坦な面(半導体ウエハ10のブランク領域表面101A)よりも高い位置に配される。
なお、上記のクリアランスC1とクリアランスC2は、C1=C2、あるいはC1<C2とすることもできる。
ここで、板状体(10)は、半導体ウエハ10であり、この半導体ウエハ10は、主面10Aにブランク領域表面101Aを有しているものとする。また、図5(a),(b)中では、ブランク領域表面101Aの位置をP1、支持部材33の支持面33Aの位置をP2、これらP1とP2との間の距離をd1(μm)又はd2(μm)とする。
C1及びC2がC1>C2を満たす場合(図5(a)参照)、50≦d1(μm)≦2000とすることが好ましく、100≦d1(μm)≦1000とすることがより好ましい。
C1及びC2がC1<C2を満たす場合(図5(b)参照)、0<d2(μm)<400とすることが好ましく、10≦d2(μm)≦300とすることがより好ましく、50≦d2(μm)≦200とすることがより好ましい。
また、支持部材33は、内周面33Bと、板状体(10)の側面(周面)と、の間の平面視での最短距離を、一定以下にすることが好ましい。この内周面33Bと、板状体(10)の側面(周面)と、の間の最短距離を、図3に示すように、クリアランスC3とする。具体的に、クリアランスC3は、好ましくは1mm未満、より好ましくは0.5mm以下、さらに好ましくは0.3mm以下とすることができる。なお、最も好ましくは、クリアランスC3が0mm、つまりは板状体(10)の側面(周面)が支持部材33の内周面33Bに接触する状態である。
上記板状体(10)について詳述する。
板状体(10)は、主面10Aにフィルム(20)を貼着するべく貼着装置30に供されるものであれば、特に限定されない。このような板状体(10)として、半導体ウエハ、光学レンズ、半導体パッケージ、チップを積層したウエハ等が例示される。板状体(10)として、好適には、半導体ウエハが用いられる。
即ち、貼着装置30は、上記押圧部材32及び上記支持部材33を有する圧縮機構を備えている。圧縮機構は、フィルム(20)の縁部を、その厚さ方向へ圧縮する機構である。このため、圧縮機構を備える貼着装置30は、上記段差部と対応するように、フィルム(20)の縁部を圧縮して変形させることで、主面10Aの周縁部の段差を埋めることができる。
なお、半導体ウエハ10は、材料、形状について特に限定されない。通常、半導体ウエハ10は、材料に珪素(シリコン)を使用し、円板状に形成されている。
更に、半導体ウエハ10は、バンプ11を有する側の全面を主面10Aとする。つまり、半導体ウエハ10の主面10Aには、該半導体ウエハ10の表面と、バンプ11の表面と、が含まれる。
また、半導体ウエハ10において、主面10Aの反対側の面は、裏面とする。
半導体ウエハ10の主面10Aの周縁部には、上記第2領域13によって、切欠き状の段差部が形成されている。
上記周縁領域13Aは、半導体ウエハ10の周縁をなす領域である。換言すると、周縁領域13Aは、主面10Aの周縁をなす領域である。
具体的に、半導体ウエハ10は、その周縁の欠けや割れを防ぐ目的で、該周縁に面取り部14が設けられている。周縁領域13Aは、この面取り部14を含む領域である。
そして、面取り部14を含む周縁領域13Aには、バンプが配されていない。
具体的に、ブランク領域13Bは、第2領域13から周縁領域13Aを除いた領域である。
第1領域12は、図6(a)に例示されるように、主面10Aの略中央部分において、平面視で略円形状に設けることができる。
また、第1領域12は、図7(a)に例示されるように、主面10Aの略中央部分において、平面視で多角形状に設けることができる。
なお、第1領域12及び第2領域13を分かり易くするため、これら領域の境界線を図6(a)及び図7(a)中に二点鎖線で示す。
更に、第2領域13を構成する周縁領域13Aの形状は、例えば、第1領域12を内側に囲い込むように、平面視で略円環状にすることができる(図6及び図7参照)。
更に、図7(a)のブランク領域13Bは、半導体ウエハ10から切り出すチップのサイズが大きい場合に形成される領域ということもできる。即ち、チップのサイズが小さい場合、第1領域12は、図6(a)の平面視で略円形状になる。一方、チップのサイズが大きい場合、第1領域12は、図7(a)の平面視で略多角形状になる。そして、第1領域12が平面視で略多角形状になると、この第1領域12の周囲を取り囲むように、図7(a)のブランク領域13Bが形成される。図7(a)のブランク領域13Bが形成される場合、チップのサイズは、例えば、100mm2以上である。
なお、以降の文中では、上記ブランク領域13Bの表面を、「ブランク領域表面101A」と記載する。
図6(b)及び図7(b)中に示される主面10A上におけるバンプ11の平均高さH1は、特に限定されない。この平均高さH1は、めっきバンプ、ボールバンプ、印刷バンプ等といったバンプ11の種類に応じて任意に設定することができる。通常、主面10A上におけるバンプ11の平均高さH1は、好ましくは350μm未満、より好ましくは5~250μmの範囲、さらに好ましくは10~150μmの範囲とされる。
主面10Aの全面積に対する周縁領域13Aの面積の比率は、特に限定されない。通常、この比率は、好ましくは10%以下、より好ましくは8%以下、さらに好ましくは5%以下である。
また、主面10Aの全面積に対するブランク領域13Bの面積の比率は、特に限定されない。通常、この比率は、任意に設定することができるが、好ましくは20%以下、より好ましくは15%以下、さらに好ましくは10%以下である。
周縁領域13Aとブランク領域13Bとを比較した場合、ブランク領域13Bは、周縁領域13Aに比べて主面10Aの全面積に対する面積の比率が大きい。このため、周縁領域13Aよりも大きなへこみやくぼみ等が保護フィルム20の表面に形成されやすく、上記の不具合を発生させる可能性が高い。
そこで、これ以降の記載において、第2領域13は、特に断りのない限りブランク領域13Bを挙げて説明する。
上記フィルム(20)について詳述する。
フィルム(20)は、上記板状体(10)の主面10Aに貼着するべく貼着装置30に供されるものであれば、形状、種類、構成等について、特に限定されない。このようなフィルム(20)として、保護フィルム、ダイシングフィルム等のような半導体部品製造用のフィルム、光学レンズ用の保護フィルム等が例示される。
フィルム(20)は、板状体(10)が半導体ウエハの場合、特に、板状体(10)が上記した主面10Aにバンプ11を有する半導体ウエハ10の場合、以下に説明する保護フィルム20が有用である。
なお、保護フィルム20は、半導体部品の製造時に用いられるフィルムである。より具体的に、保護フィルム20は、半導体部品の製造時において、半導体ウエハ10の裏面を研削して所望の薄さにするバックグラインド工程で用いられるフィルムである。
基層21は、保護フィルム20の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性を向上させることを目的として設けられる層である。
粘着材層22は、半導体ウエハ10の主面10Aに、保護フィルム20を貼着して固定することを目的として設けられる層である。
凹凸吸収層23は、流動性又は可塑性の発現によって奏される凹凸吸収性を有する層である。この凹凸吸収層23は、主面10A上に配されたバンプ11による凹凸形状を吸収して、保護フィルム20の表面を平滑にすることを目的として設けられる層である。
H2/H1の上限について、保護フィルム20が、その肉量で以て、バンプ11による凹凸と第1領域12及び第2領域13の高低差による段差とを吸収して好適に解消するという観点では、特に制限されない。保護フィルム20の平均厚さH2が増すことによる材料のロスを抑制し、更に保護フィルム20の成形性を好適に維持するという観点では、H2/H1は、通常は10以下(H2/H1≦10)、好ましくは5以下(H2/H1≦5)、より好ましくは4以下(H2/H1≦4)である。
尚、平均高さH1は、全バンプ数のうち、無作為に選択された1/10個のバンプの実測高さの平均値であるものとする。また、平均厚さH2は、互いに2cm以上離れるように選択された10ヶ所のフィルムの実測厚さの平均値であるものとする。
(5a)基層
上記基層21に使用される材料は、バックグラインド工程で半導体ウエハの研削時に加わる外力に耐え得る機械的強度を有するのであれば、特に限定されない。
通常、基層21の材料には、合成樹脂のフィルムが使用される。
これら合成樹脂の中でも、バックグラインド工程で半導体ウエハを好適に保護するという観点から、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される1種または2種以上が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、エチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される1種または2種以上がより好ましい。
また、合成樹脂中には添加剤として、可塑剤、軟化剤(鉱油等)、充填剤(炭酸塩、硫酸塩、チタン酸塩、珪酸塩、酸化物(酸化チタン、酸化マグネシウム)、シリカ、タルク、マイカ、クレー、繊維フィラー等)、酸化防止剤、光安定化剤、帯電防止剤、滑剤、着色剤等を添加することができる。これら添加剤は、1種のみを用いてもよく2種以上を併用してもよい。
また、フィルムは、単層フィルム、複数の層を有する多層フィルムの何れも使用することができる。
基層21の厚さは、特に限定されないが、良好な特性を得るという観点から、好ましくは10~200μm、より好ましくは20~150μm、さらに好ましくは30~100μmである。
上記粘着材層22の材料は、特に限定されないが、少なくとも粘着主剤を含むものが使用される。この粘着主剤としては、(メタ)アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等を例示することができる。
また、粘着材層22の材料は、粘着主剤以外に、架橋剤を含むことができる。
粘着材層22の材料には、エネルギー線によって硬化できるエネルギー線硬化型粘着材、エネルギー線によって硬化されないエネルギー線非硬化型粘着材の何れも使用することができる。これらの中でもエネルギー線硬化型粘着材は、エネルギー線照射により硬化して粘着力を低下させることで主面10Aから保護フィルム20を糊残りなく剥離することができるという観点から、粘着材層22の材料として好ましい。
エネルギー線硬化型粘着材について、エネルギー線の種類は、特に限定されず、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。
また、エネルギー線硬化型粘着材は、粘着主剤の他に、分子内に炭素-炭素二重結合を有する化合物と、エネルギー線に反応して硬化性化合物の重合を開始させることができる光重合開始剤と、を含むことができる。硬化性化合物は、分子中に炭素-炭素二重結合を有し、ラジカル重合により硬化可能なモノマー、オリゴマー、ポリマーが好ましい。
粘着材層22の厚さは、特に限定されないが、好適な接着力を発揮しつつ糊残りなく剥離できるという観点から、好ましくは1~50μm、より好ましくは2~45μm、さらに好ましくは3~40μmである。
上記凹凸吸収層23の材料は、流動性又は可塑性の発現による凹凸吸収性を有するものであれば、特に限定されない。
凹凸吸収層23の材料には、通常、熱可塑性樹脂が使用される。
また、上記した熱可塑性樹脂は、単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
凹凸吸収層23の厚さは、バンプ11による凹凸形状と第1領域12及び第2領域13の高低差による段差とに対する凹凸吸収性を発揮できる厚さであれば、特に限定されないが、凹凸吸収性を好適に発揮できるという観点から、好ましくは20μm以上、より好ましくは80μm以上、さらに好ましくは170μm以上である。
凹凸吸収層23の25℃における貯蔵弾性率G’(25)は、保護フィルム20の貼り付け後に、凹凸吸収層23がその形状を保持でき、主面10Aに対する好適な密着性を維持できるという観点から、4.0×106~7.0×106Paが好ましく、より好ましくは4.5×106~6.5×106Paである。
尚、貯蔵弾性率G’は、動的粘弾性測定装置(例えば、レオメトリックス社製、形式「RMS-800」)を用いて、測定周波数1Hz、歪み0.1~3%の条件下、G’(25)は25℃で、貯蔵弾性率G’(60)は60℃で測定される。
保護フィルム20は、上述の基層21、粘着材層22及び凹凸吸収層23を有する構成に限らず、基層21と凹凸吸収層23との間、あるいは凹凸吸収層23と粘着材層22との間に他の層を有する構成とすることができる。
他の層としては、粘着材層22との界面強度を向上する界面強度向上層、粘着材層22の粘着面への低分子量成分の移行を抑制する移行防止層、保護フィルム20の帯電を防止する帯電防止層等が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく2種以上を併用してもよい。
上記貼着装置30の第1の使用形態として、貼着装置30による板状体(10)へのフィルム(20)の貼着について詳述する。
なお、以下の説明において、板状体(10)は、上記した主面10Aにバンプ11を有する半導体ウエハ10とする。
また、以下の説明において、フィルム(20)は、上記した保護フィルム20とする。
貼着装置30によって保護フィルム20が貼着された半導体ウエハ10は、バックグラインド工程で所望の薄さとされ、個片化されて、諸々の加工を施されることにより、半導体部品とされる。即ち、貼着装置30は、板状体(10)を半導体ウエハ10とする場合、半導体部品の製造装置に含まれるものである。
(6a)配置工程
上記配置工程では、図9に示すように、半導体ウエハ10の主面10A上に保護フィルム20が供給される。
この配置工程において、供給された保護フィルム20は、半導体ウエハ10の主面10Aを覆うように配される。
また、保護フィルム20は、図示しないカッター等によって切断することで、その形状を主面10Aに応じた平面視円形状として供給することもできる。
保護フィルム20の縁部のはみ出し量は、特に限定されない。このはみ出し量は、圧縮工程を確実に行うという観点から、はみ出した縁部を支持部材33の支持面33Aに載せることができる量とすることが好ましい。
段差を埋めるために要する体積は、バンプ11の高さ、半導体ウエハ10の主面10A上に占めるブランク領域13Bの面積、保護フィルム20の厚み等の条件に応じて適宜調節される。
このため、保護フィルム20の縁部のはみ出し量について、その平面視での幅W2は、特に限定されない。一般的に、はみ出し量の幅W2は、支持面33Aの周縁から更に外側へはみ出さない量とすることがより好ましい。
具体的に、保護フィルム20の縁部のはみ出し量は、保護フィルム20上で主面10Aの周縁に相応する位置と、保護フィルム20の外周縁との間の長さを上記平面視での幅W2とした場合に、該幅W2が、好ましくは0.5~10mm、より好ましくは1~8mm、さらに好ましくは1.5~6mmである。
上記貼着工程では、図10に示すように、半導体ウエハ10の主面10Aに押圧部材32を接近させ、該押圧部材32で保護フィルム20を主面10Aに押し付けて貼着する。
この貼着工程には、上記圧縮工程が含まれる(図11参照)。
貼着工程における圧縮工程の実行タイミングは、特に限定されず、例えば圧縮工程の開始時が貼着工程の開始後、圧縮工程の終了時と貼着工程の終了時とが略同時、圧縮工程の終了時が貼着工程の終了前などとすることができる。
保護フィルム20の加熱温度は、上述した凹凸吸収層23の貯蔵弾性率G’に応じて、この凹凸吸収層23を好適に変形させることが可能な温度に設定すればよく、特に限定されない。
具体的に、保護フィルム20の加熱温度は、上述した凹凸吸収層23の貯蔵弾性率G’の範囲であれば、好ましくは50~200℃、より好ましくは60~100℃、さらに好ましくは70~90℃である。
上記圧縮工程では、上記配置工程で、主面10A上の段差部となる第2領域13の周縁から外側へはみ出すように配された保護フィルム20の縁部を、図11に示すように、支持部材33に支持させ、該支持部材33と押圧部材32との間で挟むことにより圧縮する。
保護フィルム20の縁部を圧縮する際の圧縮力は、押圧部材32による加圧力で設定することができる。具体的な加圧力は、保護フィルム20の縁部を好適に圧縮することができるとともに、半導体ウエハ10のひび割れ、クラックの発生を防止するという観点から、好ましくは0.3~2MPa、より好ましくは0.4~1.5MPa、さらに好ましくは0.5~1MPaである。
即ち、主面10Aの第1領域12上では、保護フィルム20の肉部(凹凸吸収層23)が、押圧部材32とバンプ11との間に挟まれて厚さ方向へ潰れ、バンプ11の凹凸に倣って変形し、この凹凸を埋める。厚さ方向へ潰れた保護フィルム20の肉部の一部は、図11中に右側の矢印で示したように、第2領域13のブランク領域13B上へ流動し、ブランク領域表面101A上における保護フィルム20の肉量を増やす。
一方、保護フィルム20の縁部は、支持部材33と押圧部材32との間で圧縮される。図11中に左側の矢印で示したように、保護フィルム20の縁部の肉部(凹凸吸収層23)は、ブランク領域表面101A上へ絞り出されるように流動される。これにより、ブランク領域表面101A上における保護フィルム20の肉量が増える。
また、保護フィルム20の表面は、押圧部材32によって押圧された状態であるため、肉部の流動に影響されることなく、押圧面32Aに倣って平坦面とされる。
即ち、厚さ方向へ圧縮された保護フィルム20の縁部は、支持部材33及び押圧部材32によって挟まれた状態を保たれる。このため、第2領域13の周縁から更に外側への肉部の流動が規制され、該肉部は、ブランク領域表面101A上に保たれる。
そして、上記のように主面10Aの第2領域13上に保護フィルム20の肉部(凹凸吸収層23)が厚く片寄ることで、主面10Aの段差が埋まり、保護フィルム20の表面は平坦となる。
また、上述の記載では第2領域13としてブランク領域13Bを挙げて説明を行ったが、このブランク領域13Bと同様にして、周縁領域13Aでも保護フィルム20の肉部が第2領域13上に厚く片寄ることで段差が埋められている。
そして、半導体ウエハ10に貼着された保護フィルム20の表面は、半導体ウエハ10の段差に倣った欠陥が形成されることなく、全体で一様な平坦面となる。
保護フィルム20は、凹凸吸収層23により、第1領域12でバンプ11による凹凸を吸収するには十分以上の樹脂体積量(以下、「肉量」ともいう)を有しているが、第1領域12と第2領域13との間の段差を埋めるには肉量が足りず、段差を埋めきれない。
特に、第2領域13は、サイズ(主面10Aに占める面積)も大きく、第2領域13全体で段差を埋めるには、保護フィルム20の肉量が顕著に足りない。
また、図13中に矢印で示したように、保護フィルム20の肉部(凹凸吸収層23)は、半導体ウエハ10の主面10Aの周縁よりも更に外側へ逃げるように流動する。そして、上記圧縮機構(支持部材33)を備えていない貼着装置は、こうした肉部の流動を規制する手段を有していない。
上記貼着装置30の第2の使用形態について説明する。この第2の使用形態は、第1の使用形態と構成を同じくする貼着装置30を使用する。
第2の使用形態における貼着装置30による貼着は、上記配置機構34による配置工程(図14(a)参照)と、上記貼着機構による貼着工程(図10参照)と、を備える。また、この貼着工程には、上記圧縮機構による圧縮工程が含まれる(図14(b)参照)。
この第2の使用形態は、(6)で説明した第1の使用形態と、配置工程及び圧縮工程が異なる。
なお、以下の説明において、板状体(10)は、上記した主面10Aにバンプ11を有する半導体ウエハ10とする。
また、以下の説明において、フィルム(20)は、上記した保護フィルム20とする。
貼着装置30によって保護フィルム20が貼着された半導体ウエハ10は、バックグラインド工程で所望の薄さとされ、個片化されて、諸々の加工を施されることにより、半導体部品とされる。即ち、貼着装置30は、板状体(10)を半導体ウエハ10とする場合、半導体部品の製造装置に含まれるものである。
第2の使用形態の配置工程では、図14(a)に示すように、保護フィルム20の縁部(周縁部)が、支持部材33よりも内周側に位置するようにして、保護フィルム20を配する。
即ち、この配置工程において、保護フィルム20の縁部は、支持部材33の支持面33Aに載せられていない。
具体的に、保護フィルム20の縁部と支持部材33の内周面との間の平面視での距離は、好ましくは1mm未満、より好ましくは0.5mm以下、さらに好ましくは0.3mm以下である。そして、最も好ましくは、保護フィルム20の縁部と支持部材33の内周面との間の平面視での距離が0mm、つまりは保護フィルム20の縁部が支持部材33の内周面に接触する状態である。
第2の使用形態の貼着工程では、第1の使用形態の貼着工程と同様にして、押圧部材32を用い、半導体ウエハ10の主面10Aに保護フィルム20を貼着する(図10参照)。この貼着工程には、上記圧縮工程が含まれる(図14(b)参照)。
この貼着工程の詳細は、第1の使用形態の貼着工程と同様であり、以下、説明を省略する。
第2の使用形態の圧縮工程では、押圧部材32と主面10Aとの間で挟まれた保護フィルム20が、その縁部(周縁部)から肉部(凹凸吸収層23)を、主面10A上で段差部となっている第2領域13の外周方向へ膨出させようとする。この肉部(凹凸吸収層23)の膨出は、図14(b)中に左側の矢印で示したように、支持部材33の内周面で塞き止められる。
保護フィルム20の縁部は、支持部材33の内周面で塞き止められた肉部(凹凸吸収層23)がブランク領域表面101A上に留まるとともに、第1領域12からブランク領域表面101A上へ肉部が流入することにより、主面10A上で段差部となっている第2領域13全体にわたり、その段差を埋めることが可能な肉量を充足される。
ブランク領域表面101A上の保護フィルム20の縁部は、肉量が充足されることによって肉厚を増している。このため、圧縮工程は、押圧部材32の押圧面32Aと、支持部材33の内周面と、半導体ウエハ10の主面10Aとによって、保護フィルム20の縁部を圧縮する工程となる。そして、第2領域13は、圧縮された保護フィルム20の縁部によって、その全体にわたって段差を埋められる。
上記の差異による効果は、保護フィルム20が、流動性又は可塑性を発現できる層、つまり凹凸吸収層23を有する場合、より顕著に生じ得る。
簡潔に言い換えると、第1の使用形態は、保護フィルム20の凹凸吸収層23を、第2領域13を取り囲む周縁部のうち内周縁部及び外周縁部の両方から、この第2領域13へ押し出すことで、段差を埋めている。
簡潔に言い換えると、第2の使用形態は、保護フィルム20の凹凸吸収層23を、第2領域13を取り囲む周縁部のうち内周縁部のみから、この第2領域13へ押し出すことで、段差を埋めている。
[2]貼着装置(第2発明)
第2発明の貼着装置は、板状体(10)にフィルム(20)を貼着するものである。
板状体(10)は、フィルム(20)が貼着される主面10Aに段差を有している。
貼着装置は、載置部材31と、押圧部材(32)と、を備えるとともに、配置機構(34)と、加工機構(40)と、を備えている。
上記載置部材31は、板状をなしている。この載置部材31には、板状体(10)を載置する載置部31Aが設けられている(図16~図18参照)。
上記押圧部材(32)は、板状をなしている。この押圧部材(32)は、載置部材31の対向位置に設置されている(図16~図18参照)。
上記配置機構(34)は、主面10A上にフィルム(20)を配する機構である。この配置機構(34)は、載置部材31と押圧部材32との間に設置されている(図1参照)。
上記加工機構40は、主面10A上に配されるフィルム(20)に、厚さが相対的に厚い部位を、該主面10Aの段差に対応して形成する機構である(図15、図18参照)。
なお、板状体(10)は、第1発明のものと同じであり、その詳細説明を省略する。また、フィルム(20)は、第1発明のものと同じであり、その詳細説明を省略する。
第2発明の貼着装置における第1の形態は、具体的に、載置部材31と、押圧部材32と、配置機構34と、更に加工機構40と、を備えている。
ここで、載置部材31、押圧部材32、及び配置機構34は、第1発明の貼着装置30のものと略同様のもの使用することができ、詳細説明を省略する。
また、加工機構40は、貼着装置30に組み込まれた構成としてもよく、あるいは、貼着装置30の外部に設置されていてもよい。即ち、加工機構40は、貼着装置30と一体になっているか否かについて、特に限定されない。
加工機構40は、フィルム(20)に、厚さが相対的に厚い部位を、主面10Aの段差に対応して形成可能な構成を有するのであれば、構成等について、特に限定されない。
加工機構40としては、図15(a),(b)に示す構成のものを例示することができる。
即ち、加工機構40は、第1ローラ41と、第2ローラ42と、を有している。
第1ローラ41は、フィルム(20)の上方に、回転自在に支持されている。
第2ローラ42は、フィルム(20)の下方に、回転自在に支持されている。
これら第1ローラ41及び第2ローラ42は、フィルム(20)を挟んで互いに対向するように配置されている。
また、第2ローラ42の周面には、複数の凸部43が凸設されている。
なお、第1ローラ41、第2ローラ42及び凸部43は、フィルム(20)を加工することができるものであれば、材質、駆動方式、構成等について、特に限定されない。
第2発明の貼着装置において、第1の形態による板状体(10)へのフィルム(20)の貼着について詳述する。
なお、以下の説明において、板状体(10)は、上記した主面10Aにバンプ11を有する半導体ウエハ10とする。
また、以下の説明において、フィルム(20)は、上記した保護フィルム20とする。
上記第1の形態の貼着装置によって保護フィルム20が貼着された半導体ウエハ10は、バックグラインド工程で所望の薄さとされ、個片化されて、諸々の加工を施されることにより、半導体部品とされる。即ち、該貼着装置は、板状体(10)を半導体ウエハ10とする場合、半導体部品の製造装置に含まれるものである。
(2a)加工工程
加工工程では、図15(a)に示すように、加工機構40の第1ローラ41と第2ローラ42との間に保護フィルム20が供給され、この保護フィルム20が、第1ローラ41と第2ローラ42との間から、図15(a)中に矢印で示す進行方向へと送り出される。
加工機構40において、保護フィルム20は、第1ローラ41と第2ローラ42との間に挟まれて進行方向に送り出される際、第1ローラ41及び第2ローラ42をそれぞれ回転させる。
第2ローラ42は、その周面に凸部43が凸設されており、図15(b)に示すように、回転に伴って保護フィルム20に凸部43を接触させる。そして、保護フィルム20の凸部43が接触された部位は、この凸部43と第1ローラ41との間で厚さ方向へ押し潰される。
保護フィルム20は、押し潰された部位が薄く、その押し潰された部位と隣接する部位が厚くなるように、厚さの異なる部位を形成されることにより、加工済みフィルム20Aとされる。そして、加工済みフィルム20Aは、厚さの異なる部位のうち、厚さが相対的に厚い領域201を有するものとなる。
配置工程では、図16に示すように、載置部材31の載置部31Aに固定された半導体ウエハ10から押圧部材32を離間させた状態としたうえで、上記加工工程で得られた加工済みフィルム20Aが、半導体ウエハ10の主面10A上に供給される。
このとき、加工済みフィルム20Aは、厚さが相対的に厚い領域201を、主面10Aの周縁部で段差部を形成している第2領域13に対応させることで、その領域201がブランク領域表面101Aの上方に位置するように配置される。
なお、特に図示はしないが、配置機構34は、加工済みフィルム20Aの厚さが相対的に厚い領域201と、主面10A上で段差部となっている第2領域13と、が対応するように、牽引ローラ35Bを適宜回転又は停止させることで、加工済みフィルム20Aの位置調整を行うことができる。
また、半導体ウエハ10の横には、第2領域13の外周縁に沿って支持部材33が設置される。
貼着工程では、図17に示すように、保護フィルム20の縁部を支持部材33に支持させた状態とし、半導体ウエハ10の主面10Aに押圧部材32を接近させ、この押圧部材32で保護フィルム20を主面10Aに押し付ける。
貼着工程において、主面10Aの第1領域12上では、押圧部材32とバンプ11との間に挟まれて厚さ方向へ潰れた加工済みフィルム20Aの肉部(凹凸吸収層23)が、バンプ11の凹凸に倣って変形し、この凹凸を埋める。
厚さ方向へ潰れた加工済みフィルム20Aの肉部の一部は、図17中に矢印で示したように、主面10A上で段差部となっている第2領域13のブランク領域13B上へ流動し、ブランク領域表面101A上における加工済みフィルム20Aの肉量を増やす。
また、加工済みフィルム20Aにおいて、厚さが相対的に厚い領域201と隣接する部位は、上述した加工工程で押し潰されて薄くなっている。このため、押し潰されて薄くなっている部位を介し、第2領域13の周縁から更に外側へ肉部が逃げることが抑制される。
なお、加工工程で押し潰されて薄くなっている部位は、支持部材33及び押圧部材32の間で挟まれており、これもまた、第2領域13の周縁から更に外側へ肉部が逃げることを防止する。
上記のように、ブランク領域表面101A上において、肉量を充足された加工済みフィルム20Aは、肉厚を増すことで、第2領域13全体にわたって段差を埋める。
加工済みフィルム20Aの表面は、押圧部材32によって押圧された状態であるため、肉部の流動に影響されることなく、押圧面32Aに倣って平坦面とされる。
さらに、ブランク領域13Bは、図6(a),(b)に示したような主に識別領域として利用されるものに限らず、図7(a),(b)に示したようなブランク領域13Bでも同様の効果を得ることができる。
すなわち、第2発明の貼着装置で第1の形態は、板状体(10)が、バンプが配されていない領域である第2領域13に、平坦状のブランク領域表面101Aを有するブランク領域13Bが存在する半導体ウエハ10の場合、特に有用である。
そして、半導体ウエハ10に貼着された保護フィルム20の表面は、半導体ウエハ10の段差に倣った欠陥が形成されることなく、全体で一様な平坦面となる。
第2発明における第2の形態の貼着装置30は、載置部材31と、押圧部材32と、更に配置機構及び加工機構と、を備えている。
具体的には、図18(a),(b)に示すように、貼着装置30は、載置部材31と、押圧部材32と、配置機構及び加工機構として支持柱45と、を備えている。
載置部材31及び押圧部材32については、上記したものと同じものを使用することができ、それぞれの詳細説明を省略する。
第2の形態の貼着装置30は、支持柱45を有している。
支持柱45は、押圧部材32に向かって立ち上がるように、載置部31Aの外縁に設置されている。
フィルム(20)は、その縁部(周縁部)が支持柱45と押圧部材32との間に位置するように、配置されている。支持柱45は、フィルム(20)の縁部(周縁部)を下方から支持している。そして、支持柱45は、フィルム(20)の縁部(周縁部)を、押圧部材32との間に挟んで押し潰す機能を有している。
また、支持柱45は、載置部材31に対して、昇降可能な構成とされている。支持柱45は、載置部材31から上昇した状態で、板状体(10)の主面10Aからフィルム(20)を離間させている。この状態から、支持柱45は、載置部材31へ下降することで、板状体(10)の主面10A上にフィルム(20)を配置する機能を有している。
即ち、支持柱45は、フィルム(20)を加工する加工機構としての機能と、主面10A上にフィルム(20)を配置する配置機構としての機能と、を有している。
支持柱45は、上記のようにフィルム(20)を加工することができるものであれば、材質、駆動方式等について特に限定されない。
第2の形態の貼着装置30による板状体(10)へのフィルム(20)の貼着について詳述する。
なお、以下の説明において、板状体(10)は、上記した主面10Aにバンプ11を有する半導体ウエハ10とする。
また、以下の説明において、フィルム(20)は、上記した保護フィルム20とする。
上記貼着装置によって保護フィルム20が貼着された半導体ウエハ10は、バックグラインド工程で所望の薄さとされ、個片化されて、諸々の加工を施されることにより、半導体部品とされる。即ち、上記貼着装置は、半導体部品の製造装置に含まれるものである。
(4a)加工工程
加工工程では、図18(a)に示すように、押圧部材32が下降することにより、支持柱45に支持された保護フィルム20の縁部を、押圧部材32と支持柱45との間に挟み、厚さ方向へ押し潰す。
保護フィルム20の押し潰された部位の肉部(凹凸吸収層23)は、図18(b)に示すように、押し潰された部位と隣接する部位へ流動して片寄ることで、その隣接する部位の肉量を増やす。
そして、保護フィルム20は、押し潰された部位が薄く、その押し潰された部位と隣接する部位が厚くなるように、厚さの異なる部位を形成され、加工済みフィルム20Aとされる。この加工済みフィルム20Aは、厚さの異なる部位のうち、厚さが相対的に厚い領域201を有している。
配置工程では、図18(b)に示すように、支持柱45が載置部材31へ下降することにより、主面10A上に保護フィルム20が配置される。
また、加工済みフィルム20Aにおいて、厚さが相対的に厚い領域201の位置は、主面10Aの周縁部で段差部を形成している第2領域13と対応させることができる。
即ち、支持柱45は、載置部31Aの外縁に設置されている。このため、該載置部31Aに半導体ウエハ10を載置する際、支持柱45と第2領域13との位置を合わせることにより、領域201の位置と、第2領域13とを対応させることができる。
貼着工程では、支持柱45が載置部材31へ下降し、主面10A上に保護フィルム20が配置された後、押圧部材32を下降させる。
この押圧部材32は、主面10Aに保護フィルム20を押し付けることにより、該主面10Aに保護フィルム20を貼着する。
[1]保護フィルム
保護フィルム20として、12インチ用リングフレームに貼付したものを使用した。
保護フィルム20の構成、基層21、粘着材層22、凹凸吸収層23は、以下の通りである。
基層21 材質:ポリエチレンテレフタレートフィルム、厚さ:75μm。
粘着材層22 材質:UV硬化型アクリル系粘着剤、厚さ:10μm。
凹凸吸収層23 材質:熱可塑性エチレン・α-オレフィン共重合体(密度:0.861g/cm3、G’(25):5.15MPa、G’(60):0.14MPa、メルトフローレート(190℃):2.9g/10分)、厚さ:510μm。
バンプ11が設けられた半導体ウエハ10として、以下の諸元のものを用いた。
直径:300mm。
厚さ:810μm。
材質:珪素(シリコン)。
バンプ11の平均高さ:200μm。
バンプ11のピッチ:400μm。
非バンプ領域(周縁領域13A):外周から3mm。
非バンプ領域(識別領域としてのブランク領域13B):図6(a)中のL1の長さが90mm、図6(a)中のL2の長さが7mm。
〈実施例1〉
図1に示す貼着装置30を使用し、載置部材31上で載置部31Aの外縁に、平面視で円環状に形成された支持部材33(厚さ:1mm、幅W1:5mm)を載置し、押圧部材32の押圧面32Aを鉄製とした。
支持部材33の内側に半導体ウエハ10をセットした後、配置工程で保護フィルム20をバッチ式で供給し、この保護フィルム20を半導体ウエハ10の主面10Aを覆うように配置した。
その後、保護フィルム20の加熱温度を80℃に設定するとともに、押圧部材32による加圧力を0.7MPaに設定し、貼着工程、圧縮工程の順番で各工程を実行して、半導体ウエハ10の主面10Aに保護フィルム20を貼着した。
そして、保護フィルム20の周縁部において、半導体ウエハ10の外周縁からはみ出した余剰部分を切除し、実施例1の試料を得た。
〈比較例1〉
ロール貼付装置(日東精機社製の品番「DR-3000II」)を使用し、支持部材33を使用しなかった他は、実施例1と同様にして、半導体ウエハ10の主面10Aに保護フィルム20を貼着し、保護フィルム20の周縁部の余剰部分を切除して、比較例1の試料を得た。
〈比較例2〉
図1に示す貼着装置30において、押圧面32Aをシリコーンゴム製とし、支持部材33を使用しなかった他は、実施例1と同様にして、半導体ウエハ10の主面10Aに保護フィルム20を貼着し、保護フィルム20の周縁部の余剰部分を切除して、比較例2の試料を得た。
半導体ウエハの周縁の端部において、図19の下部の説明図で示した位置を、水平位置0mmと垂直位置0μmとして、所定の水平位置における保護フィルム表面の垂直位置を測定した。その結果を図19の上部にグラフで示す。
なお、図19の下部の説明図は、上部のグラフに対して、水平位置については対応するように描かれており、垂直位置については誇張して描かれている。
実施例1は、何れの水平位置においても垂直位置の高低差がほぼ無く、保護フィルム表面が平坦であった。
比較例1は、水平位置が4mmの辺り、つまり第2領域で垂直位置が低くなり、水平位置が7~8mmの範囲、つまり第1領域で垂直位置が高くなる。この結果から、比較例1では、第2領域と第1領域との間に生じた段差に応じるように、第2領域内で保護フィルム表面にへこみが形成されていることが分かった。
比較例2は、水平位置が5mm以下の範囲、つまり第2領域内で垂直位置が高くなっていく傾向を示す一方で、水平位置が7mm以上の範囲、つまり第1領域内では垂直位置が低くなっていく傾向を示す。この結果から、比較例2では、第2領域と第1領域との間に生じた段差の影響が及ぶことで、第2領域で保護フィルムが山なりに撓み、第1領域内で保護フィルム表面にへこみが形成されていることが分かった。
10;半導体ウエハ、
10A;主面、
11;バンプ、
12;第1領域、
13;第2領域、13A;周縁領域、13B;ブランク領域、
14;面取り部、
20;保護フィルム、
20A;加工済みフィルム、
21;基層、
22;粘着材層、
23;凹凸吸収層、
30;貼着装置、
31;載置部材、31A;載置部、
32;押圧部材、32A;押圧面、
33;支持部材、33A;支持面、
35A;ガイドローラ、35B;牽引ローラ、
36;ヒータ、
40;加工機構、
41;第1ローラ、
42;第2ローラ、
43;凸部、
45;支持柱。
Claims (11)
- 板状体にフィルムを貼着する貼着装置であって、
前記板状体を載置する載置部が設けられた板状の載置部材と、
前記載置部材の対向位置に設置された板状の押圧部材と、
前記載置部材と前記押圧部材との間に位置するように、前記載置部の外縁に設置される支持部材と、を備えることを特徴とする貼着装置。 - 前記押圧部材は、前記板状体の主面に、前記フィルムを押し付ける機能を有し、
前記支持部材は、前記押圧部材による前記フィルムの押し付け時に、該フィルムの縁部を支持する機能を有する請求項1に記載の貼着装置。 - 前記板状体の主面上に前記フィルムを配する配置機構を更に備える請求項1又は2に記載の貼着装置。
- 前記フィルムを加熱する加熱機構を更に備える請求項1乃至3のうちの何れかに記載の貼着装置。
- 前記貼着装置は、前記フィルムの縁部を、前記支持部材と前記押圧部材との間で挟み、該縁部をその厚さ方向へ圧縮する機能を有する請求項1乃至4のうちの何れかに記載の貼着装置。
- 前記板状体は、前記フィルムが貼着される主面の周縁部に切欠き状の段差部を有しており、
前記支持部材は、前記段差部と対応して前記載置部の外縁に設置される請求項1乃至5のうちの何れかに記載の貼着装置。 - 前記板状体は、半導体ウエハであり、
前記フィルムは、半導体ウエハ用の保護フィルムである請求項1乃至6のうちの何れかに記載の貼着装置。 - 前記半導体ウエハは、前記主面に、バンプが配された第1領域と、該主面の周縁の少なくとも一部を含んで、バンプが配されていない領域である第2領域と、を有しており、
前記第2領域によって、前記切欠き状の段差部が形成される請求項7に記載の貼着装置。 - 板状体にフィルムを貼着する貼着装置であって、
前記板状体は、前記フィルムが貼着される主面に段差を有しており、
前記板状体を載置する載置部が設けられた板状の載置部材と、
前記載置部材の対向位置に設置された板状の押圧部材と、を備えるとともに、
前記主面上に前記フィルムを配するべく前記載置部材と前記押圧部材との間に設置された配置機構と、
前記主面上に配される前記フィルムに、厚さが相対的に厚い部位を、前記段差に対応して形成する加工機構と、を備えることを特徴とする貼着装置。 - 前記フィルムを加熱する加熱機構を更に備える請求項9に記載の貼着装置。
- 前記板状体は、半導体ウエハであり、
前記フィルムは、半導体ウエハ用の保護フィルムである請求項9又は10に記載の貼着装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202080024235.8A CN113632207A (zh) | 2019-03-27 | 2020-03-26 | 粘贴装置 |
SG11202109557S SG11202109557SA (en) | 2019-03-27 | 2020-03-26 | Affixing device |
US17/439,188 US20220157626A1 (en) | 2019-03-27 | 2020-03-26 | Affixing device |
JP2020540653A JP6859493B2 (ja) | 2019-03-27 | 2020-03-26 | 貼着装置 |
KR1020217031631A KR20210129204A (ko) | 2019-03-27 | 2020-03-26 | 첩착 장치 |
EP20777870.5A EP3951838A4 (en) | 2019-03-27 | 2020-03-26 | FIXING DEVICE |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019061828 | 2019-03-27 | ||
JP2019-061828 | 2019-03-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2020196795A1 true WO2020196795A1 (ja) | 2020-10-01 |
Family
ID=72610589
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/013847 WO2020196795A1 (ja) | 2019-03-27 | 2020-03-26 | 貼着装置 |
PCT/JP2020/013846 WO2020196794A1 (ja) | 2019-03-27 | 2020-03-26 | 保護フィルム及びその貼着方法並びに半導体部品の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/013846 WO2020196794A1 (ja) | 2019-03-27 | 2020-03-26 | 保護フィルム及びその貼着方法並びに半導体部品の製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20220153009A1 (ja) |
EP (2) | EP3951838A4 (ja) |
JP (2) | JPWO2020196794A1 (ja) |
KR (2) | KR20210129204A (ja) |
CN (2) | CN113632207A (ja) |
SG (2) | SG11202109556QA (ja) |
TW (2) | TWI822982B (ja) |
WO (2) | WO2020196795A1 (ja) |
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-
2020
- 2020-03-26 CN CN202080024235.8A patent/CN113632207A/zh active Pending
- 2020-03-26 EP EP20777870.5A patent/EP3951838A4/en active Pending
- 2020-03-26 TW TW109110327A patent/TWI822982B/zh active
- 2020-03-26 WO PCT/JP2020/013847 patent/WO2020196795A1/ja unknown
- 2020-03-26 KR KR1020217031631A patent/KR20210129204A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-03-26 JP JP2021509617A patent/JPWO2020196794A1/ja active Pending
- 2020-03-26 TW TW109110320A patent/TW202041629A/zh unknown
- 2020-03-26 US US17/439,238 patent/US20220153009A1/en active Pending
- 2020-03-26 CN CN202080024347.3A patent/CN113614888A/zh active Pending
- 2020-03-26 KR KR1020217031634A patent/KR102611616B1/ko active IP Right Grant
- 2020-03-26 US US17/439,188 patent/US20220157626A1/en active Pending
- 2020-03-26 WO PCT/JP2020/013846 patent/WO2020196794A1/ja unknown
- 2020-03-26 JP JP2020540653A patent/JP6859493B2/ja active Active
- 2020-03-26 EP EP20778241.8A patent/EP3951839A4/en active Pending
- 2020-03-26 SG SG11202109556Q patent/SG11202109556QA/en unknown
- 2020-03-26 SG SG11202109557S patent/SG11202109557SA/en unknown
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EP3951839A1 (en) | 2022-02-09 |
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TW202039260A (zh) | 2020-11-01 |
US20220157626A1 (en) | 2022-05-19 |
TWI822982B (zh) | 2023-11-21 |
TW202041629A (zh) | 2020-11-16 |
SG11202109557SA (en) | 2021-10-28 |
JP6859493B2 (ja) | 2021-04-14 |
KR102611616B1 (ko) | 2023-12-07 |
JPWO2020196795A1 (ja) | 2021-05-13 |
EP3951838A1 (en) | 2022-02-09 |
CN113632207A (zh) | 2021-11-09 |
JPWO2020196794A1 (ja) | 2020-10-01 |
KR20210134023A (ko) | 2021-11-08 |
EP3951838A4 (en) | 2023-03-01 |
SG11202109556QA (en) | 2021-10-28 |
CN113614888A (zh) | 2021-11-05 |
KR20210129204A (ko) | 2021-10-27 |
US20220153009A1 (en) | 2022-05-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2020540653 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 20777870 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20217031631 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
ENP | Entry into the national phase |
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