JP5585636B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、図1に示されるような半導体ウエハ10を用意する。半導体ウエハ10は、半導体プロセスにより回路が形成された回路面(主面)S1と、回路面S1の反対側の面である裏面S2とを有している。そして、半導体ウエハ10の回路面S1には、回路面S1から突出する突出電極10aが複数形成されている。なお、このときの半導体ウエハ10の厚さは、バックグラインド前の状態であり、通常約550μm〜750μmである。
この実施形態では、ダイシング工程において、図10に示すように、積層体R1のバックグラインドテープBT側にダイシングテープ16を貼り付ける。そして、図11に示すように、半導体ウエハ10の裏面S2が上方を向いた状態で、ダイシングブレードDBによって、裏面S2側から半導体ウエハ10をバックグラインドテープBTと共にダイシングする(いわゆる、フェイスダウンダイシング)。
図13に示すように、まず、半導体ウエハ10と、バックグラインドテープF2とを準備する。バックグラインドテープF2は、後述の研削工程において半導体ウエハ10の破損を抑制及び安定した裏面研削を実現するバックグラインドテープとしての本来の機能を持つと共に、後述のチップ接着工程における絶縁性接着剤としての機能を併せ持っている。具体的には、バックグラインドテープF2は、弾性層31と粘着層33とが積層された2層構造をなしている。そして、弾性層31は、粘着層33よりも弾性率が高く粘着性が低い材料からなり、後述の研削工程において半導体ウエハ10の破損抑制等の機能を発揮させると共に、絶縁性接着剤として接着機能を発揮させる。一方、粘着層33は、このバックグラインドテープF2を半導体ウエハ10に固定させる機能と、絶縁性接着剤としての機能を合わせ持っている。
Claims (3)
- 突出電極が主面から突出して形成された半導体チップを実装基板上に実装する実装処理工程を含み、前記半導体チップを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記実装処理工程は、
前記突出電極を埋め込むように、半導体ウエハの前記主面上にバックグラインドテープを設置するテープ設置工程と、
前記主面上にバックグラインドテープが設置された状態で、前記バックグラインドテープが設置された面の反対側に位置する前記半導体ウエハの裏面を研削し、前記半導体ウエハを薄化する研削工程と、
前記研削工程で得られた、前記バックグラインドテープと前記半導体ウエハとが積層されてなる積層体をダイシングするダイシング工程と、
前記ダイシング工程で得られた、前記バックグラインドテープと前記半導体チップとが積層されてなる積層チップを、前記バックグラインドテープ側を前記実装基板に向けた状態で前記実装基板にマウントし、前記バックグラインドテープによって前記半導体チップを前記実装基板に接着させるチップ接着工程と、
を備え、
前記バックグラインドテープが弾性層と粘着層とを有する、半導体装置の製造方法。 - 前記バックグラインドテープの前記弾性層と前記粘着層とが積層されている、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 突出電極が主面から突出して形成された半導体チップを実装基板上に実装する実装処理工程を含み、前記半導体チップを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記実装処理工程は、
前記突出電極を埋め込むように、半導体ウエハの前記主面上にバックグラインドテープを設置するテープ設置工程と、
前記バックグラインドテープが設置された面の反対側に位置する前記半導体ウエハの裏面を研削し、前記半導体ウエハを薄化する研削工程と、
前記研削工程で得られた前記バックグラインドテープと前記半導体ウエハとの積層体をダイシングするダイシング工程と、
前記ダイシング工程で得られた前記バックグラインドテープと前記半導体チップとの積層チップを、前記バックグラインドテープ側を前記実装基板に向けた状態で前記実装基板にマウントし、前記バックグラインドテープによって前記半導体チップを前記実装基板に接着させるチップ接着工程と、
を備え、
前記バックグラインドテープが弾性層と粘着層とを有し、
前記バックグラインドテープの可視光透過率が20%以上である、半導体装置の製造方法。
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