JP5348976B2 - バンプが形成されたウェーハを処理するウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、複数のバンプが表面に形成されたウェーハを処理するウェーハ処理方法、およびこの方法を実施するウェーハ処理装置に関する。

半導体製造分野においてはウェーハが年々大型化する傾向にあり、また、実装密度を高めるためにウェーハの薄膜化が進んでいる。ウェーハを薄膜化するためには、半導体ウェーハの裏面を研削するバックグラインド（裏面研削）が行われている。バックグラインド時には、ウェーハ表面に形成されたチップを保護するために表面保護フィルムがウェーハ表面に貼付けられる。

バックグラインドが終了すると、ダイシングフィルム貼付装置においてダイシングフィルムがウェーハの裏面に貼付けられ、それにより、ウェーハがマウントフレームと一体化される。次いで、ウェーハ表面に貼付けられた表面保護フィルムが剥離され、その後、ウェーハは賽の目状にダイシングされる。ダイシングにより形成されたチップはピックアップされてリードフレームにマウントされる。

ところで、図１０は、従来技術における裏面研削前のウェーハの断面図である。図１０に示されるように、ウェーハ表面のチップＣ上には、電気接点としてのバンプＢが形成されている。これらチップＣおよびバンプＢが形成されているので、ウェーハ２０の表面２１は平坦でない。図１０から分かるように、ウェーハ２０の表面２１に表面保護フィルム１１０を貼付けると、ウェーハ２０の中央領域は外周領域よりも隆起した状態になる。すなわち、表面保護フィルム１１０に段差が形成されるようになる。

次いで図１１に示されるように、ウェーハ２０の裏面２２を研削するためにウェーハ２０を反転させてテーブル５１に載置する。テーブル５１上には、ウェーハ２０の外形よりもわずかながら小さい吸引部５２が設けられている。表面保護フィルム１１０は中央領域において隆起しているので、外周領域においては表面保護フィルム１１０は吸引部５２に接触しない。従って、図示されるように外周領域においては表面保護フィルム１１０と吸引部５２との間に環状の隙間が形成されるようになる。

このような状態でウェーハ２０の裏面２２を研削すると、ウェーハ２０の中央領域に応力が集中して中央領域に位置するバンプＢおよび／またはウェーハ２０自体が破損する恐れがある。また、ウェーハ２０の外周領域が吸引部５２により吸着されていないので、裏面研削時にウェーハのエッジが欠ける可能性もある。さらに、裏面研削時には、研削屑が環状の隙間を通じて吸引部５２に吸引され、それにより、吸引部５２が目詰まりすることも考えられる。

このような問題を解決するために、特許文献１においては、ウェーハの外周領域に貼着する外周貼着部を備えたカップ状の保護部材によってウェーハの表面を被覆することが開示されている。このような保護部材を用いた場合には、裏面研削時における応力はウェーハ全体にほぼ均等に分布するようになり、ウェーハの破損などの前述した問題を回避することが可能である。
特開２００５−１０９４３３号公報

しかしながら、特許文献１に記載される保護部材は特定の寸法のバンプにのみ対応した専用品であるため、保護部材自体が高価であり、従って、半導体チップの価格が上昇することになる。この保護部材は裏面研削時にのみ使用され、最終的には廃棄されるので、保護部材に掛かる費用を可能な限り抑えることが望まれる。

さらに、保護部材が専用品であるために、バンプの高さをわずかながら変更しただけであっても、保護部材がバンプを適切に保護できなくなる事態になる。そのような場合に保護部材をそのまま使用すると、ウェーハおよび／またはバンプの破損、ウェーハのエッジの欠け、および吸引部の目詰まりの問題が再び生じる可能性がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ウェーハとテーブルとの間に隙間を生じさせることなしに、バンプの寸法変更に容易に対応できる安価なウェーハ処理方法、およびこの方法を実施するウェーハ処理装置を提供することを目的とする。

前述した目的を達成するために１番目の発明によれば、表面にバンプが形成された中央のバンプ領域と該バンプ領域の周りの外周領域とを含んでいて前記表面にフィルムが貼付けられているウェーハを処理する処理方法において、前記ウェーハを保持するテーブル周りに配置された筒体の端面を所定の厚さまで研削し、前記所定の厚さは、前記ウェーハの前記表面と前記バンプの頂部との間の距離に等しくなっており、前記ウェーハの裏面を上方に向けた状態で、前記ウェーハの前記外周領域が前記筒体の端面に載置されるように前記ウェーハの前記バンプ領域を前記テーブルに保持する、ウェーハ処理方法が提供される。

すなわち１番目の発明においては、ウェーハをテーブルに保持させるときには、ウェーハの外周領域が筒体の端面に載置される。このため、ウェーハとテーブルとの間に隙間がほとんど形成されない。また、バンプの高さに基づいて、筒体の研削量を変更することにより、バンプの寸法変更に容易に対応でき、従って、専用品を準備する必要性を排除することもできる。さらに、ウェーハをテーブルに保持させるときに生じうる隙間をほぼ完全に排除できる。

２番目の発明によれば、１番目の発明において、さらに、前記ウェーハの裏面を研削する。
すなわち２番目の発明においては、裏面研削時に、ウェーハおよび／またはバンプの破損、ウェーハのエッジの欠け、および吸引部の目詰まりを解消することができる。

３番目の発明によれば、表面にバンプが形成された中央のバンプ領域と該バンプ領域の周りの外周領域とを含んでいて前記表面にフィルムが貼付けられているウェーハを処理する処理装置において、前記ウェーハを保持するテーブル周りに配置された筒体の端面を所定の厚さまで研削する筒体研削手段と、前記所定の厚さは、前記ウェーハの前記表面と前記バンプの頂部との間の距離に等しくなっており、さらに、前記ウェーハの裏面を上方に向けた状態で、前記ウェーハの前記外周領域が前記筒体の端面に載置されるように前記ウェーハの前記バンプ領域を前記テーブルに配置して前記テーブルに保持させるウェーハ配置手段を具備するウェーハ処理装置が提供される。

すなわち３番目の発明においては、ウェーハをテーブルに保持させるときには、ウェーハの外周領域が筒体の端面に載置される。このため、ウェーハとテーブルとの間に隙間がほとんど形成されない。また、バンプの高さに基づいて、筒体の高さを変更することにより、バンプの寸法変更に容易に対応でき、従って、専用品を準備する必要性を排除することもできる。さらに、ウェーハをテーブルに保持させるときに生じうる隙間をほぼ完全に排除できる。

４番目の発明によれば、３番目の発明において、さらに、前記ウェーハの前記表面を前記テーブルに保持した状態で、前記ウェーハの裏面を研削する裏面研削手段を具備する。
すなわち４番目の発明においては、裏面研削時に、ウェーハおよび／またはバンプの破損、ウェーハのエッジの欠け、および吸引部の目詰まりを解消することができる。

５番目の発明によれば、表面にバンプが形成された中央のバンプ領域と該バンプ領域の周りの外周領域とを含んでいて前記表面にフィルムが貼付けられているウェーハを処理するウェーハ処理装置において、前記ウェーハを保持する保持部を備えていて該保持部回りに環状溝が形成されたテーブルと、前記環状溝に挿入されていて前記ウェーハの外周領域を支持する環状支持部と、前記環状支持部を前記環状溝に沿って昇降させる昇降機構部と、を具備し、前記ウェーハの裏面を上方に向けた状態で、前記ウェーハの前記外周領域が前記環状支持部の上端に載置されると共に、前記ウェーハの前記バンプ領域が前記テーブルに保持されるように、前記昇降機構部を駆動するウェーハ保持装置が提供される。

すなわち５番目の発明においては、ウェーハをテーブルに保持させるときには、ウェーハの外周領域が環状支持部の端面に載置される。これにより、ウェーハの自重によって環状支持部が弾性体に抗して下降する。従って、ウェーハとテーブルとの間に隙間がほとんど形成されない。さらに、ウェーハの下降距離はバンプの高さに応じて変化するので、ウェーハは、テーブルとの間に隙間がほとんど形成されることのない適切な位置まで移動される。つまり、５番目の発明によって、バンプの寸法が異なる場合であっても、これに容易に対応することができる。

６番目の発明によれば、５番目の発明において、さらに、前記ウェーハの前記表面を前記テーブルに保持した状態で、前記ウェーハの裏面を研削する裏面研削手段を具備する。
すなわち６番目の発明においては、裏面研削時に、ウェーハおよび／またはバンプの破損、ウェーハのエッジの欠け、および吸引部の目詰まりを解消することができる。

７番目の発明によれば、表面にバンプが形成された中央のバンプ領域と該バンプ領域の周りの外周領域とを含んでいて前記表面にフィルムが貼付けられているウェーハを保持するウェーハ保持装置において、前記ウェーハを保持する保持部を備えていて該保持部回りに環状溝が形成されたテーブルと、前記環状溝に挿入されていて前記ウェーハの外周領域を支持する環状支持部と、前記環状支持部を前記環状溝に沿って昇降させる昇降機構部と、を具備し、前記ウェーハの裏面を上方に向けた状態で、前記ウェーハの前記外周領域が前記環状支持部の上端に載置されると共に、前記ウェーハの前記バンプ領域が前記テーブルに保持されるように、前記昇降機構部を駆動するウェーハ保持装置が提供される。
すなわち７番目の発明によれば、要求される場合には昇降機構部によって環状支持部を上昇させ、ウェーハの外周領域を支持することができる。従って、５番目の発明と概ね同様の効果を得ることができる。

８番目の発明によれば、７番目の発明において、前記保持部と前記昇降機構部とが共通の真空手段に接続されており、該真空手段により前記保持部が前記ウェーハを保持するときには、前記昇降機構部は前記保持部に連動して上昇する。
すなわち８番目の発明によれば、昇降機構部のための駆動部を省略し、従って、ウェーハ保持装置を小型化できる。なお、当然のことながら、昇降機後部が単独で動作する構成であってもよい。

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同様の部材には同様の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図１は本発明に基づくウェーハ処理方法を実施するウェーハ処理装置の略図である。図１に示されるウェーハ処理装置３０には、バンプＢを備えた複数のチップＣが表面２１に形成されたシリコン製ウェーハ２０が供給されるものとする（後述する図２（ｂ）を参照されたい）。図１から分かるように、ウェーハ処理装置３０は、ウェーハ２０に表面保護フィルム１１を貼付けるフィルム貼付部署３１と、ウェーハ２０の裏面２２を研削する裏面研削部署３２とを主に含んでいる。

裏面研削部署３２は、テーブル５１に予め形成された溝部５５に筒体４０を挿入する筒体挿入ユニット３３と、挿入された筒体４０の端面４１を研削する筒体研削ユニット３４と、ウェーハ２０の裏面２２を研削する裏面研削ユニット３５とを含んでいる。なお、裏面研削ユニット３５が筒体研削ユニット３４を兼ねるようにしてもよい。

図２（ａ）および図２（ｂ）はそれぞれウェーハの頂面図および断面図である。簡潔にする目的で、図２（ａ）においては、バンプＢの図示を省略している。これら図面から分かるように、複数のチップＣはウェーハ２０の表面２１における中央領域２５にのみ形成されており、これらチップＣのそれぞれにはバンプＢが形成されている。そして、これらチップＣおよびバンプＢはウェーハ２０の外周領域２６には形成されていない。従って、以下、中央領域２５をバンプ領域２５と呼ぶこととする。

はじめに、図２（ａ）に示されるように、フィルム貼付部署３１において、ウェーハ２０の表面２１全体に表面保護フィルム１１を貼付ける。この表面保護フィルム１１は、後述する裏面研削時に、表面２１のチップＣおよびバンプＢを保護する役目を果たす。図２（ｂ）から分かるように、表面保護フィルム１１を貼付けると、バンプ領域２５と外周領域２６との間に段差が形成されるようになる。なお、図面には示さないものの、実際には表面保護フィルム１１はバンプＢ間においてわずかながら凹んでいることに留意されたい。

図３（ａ）から図４（ａ）ならびに図３（ｂ）から図４（ｂ）はそれぞれ裏面研削部署３２におけるテーブル５１の頂面図および断面図である。これら図面に示されるように、テーブル５１は、テーブル外周部５３と、テーブル外周部５３内に含まれる吸引部５２とを主に有している。テーブル外周部５３は、ウェーハ２０の直径よりもわずかながら大きい外径を有している。また、吸引部５２は図示しない真空源に接続されており、その外径はウェーハ２０の直径よりもわずかながら小さいものとする。

図３（ａ）および図３（ｂ）に示されるように、本発明においては、吸引部５２の周囲に沿って延びる環状の溝部５５がテーブル５１のテーブル外周部５３に形成されている。そして、筒体挿入ユニット３３を用いて、筒体４０を溝部５５に挿入し、ビス４５により固定する（図４（ａ）および図４（ｂ）を参照されたい）。また、筒体挿入ユニット３３を使用する代わりに、操作者が筒体４０を溝部５５に挿入してもよい。

筒体４０は溝部５５に挿入可能な形状であり、後述する研削砥石３２ａにより研削可能な材料、例えばシリコンまたはプラスチックから作成されている。図示されるように、筒体４０を溝部５５に挿入し、溝部５５を越えて筒体４０を突出させる。

図５はテーブルの部分拡大斜視図である。図５に示されるように、テーブル外周部５３の周面５３ａには、ネジ孔５６が形成されている。

図５から分かるように、テーブル外周部５３のネジ孔５６に、ビス４５が螺合される。これにより、筒体４０は所望の位置で固定される。図示しない他のネジ孔がテーブル外周部５３の周方向に等間隔で形成されているのが好ましい。そして、それぞれのネジ孔にビスを同様に螺合することにより、筒体４０をテーブル外周部５３にさらに堅固に固定することが可能となる。

次いで、テーブルの断面図である図６に示されるように、筒体研削ユニット３４の研削砥石３４ａにより、筒体４０の端面４１を研削する。これにより、筒体４０は所定の厚さにまで研削される。この所定の厚さは、ウェーハ２０の表面２１とバンプＢの頂部との間の距離に概ね等しい。言い換えれば、所定の厚さは、ウェーハ２０のバンプ領域２５と外周領域２６との間における表面保護フィルム１１の段差に概ね等しい。

その後、表面保護フィルム１１が貼付けられたウェーハ２０は、ロボットハンド３９によりフィルム貼付部署３１から裏面研削部署３２に搬送されて（図１を参照されたい）、テーブル５１上に保持される。図７は裏面研削部署３２においてテーブル５１に配置されたウェーハの断面図である。図７に示されるように、裏面研削部署３２においては、ウェーハ２０はその裏面２２が上方を向くようにテーブル５１上に配置されて吸引部５２により吸引される。

前述したように筒体４０は所定の厚さにまで研削されている。従って、ウェーハ２０をテーブル５１上に配置すると、図７に示されるように、この筒体４０がウェーハ２０の外周領域２６と吸引部５２との間に配置されるようになる。このとき、ウェーハ２０のバンプ領域２５は吸引部５２に吸引され、ウェーハ２０の外周領域２６は筒体４０の端面４１に載置される。従って、本発明においては、ウェーハ２０の外周領域２６と吸引部５２との間に環状の隙間はほとんど形成されない。

次いで、裏面研削部署３２の研削砥石３２ａを用いてウェーハ２０の裏面２２を研削する。本発明においてはウェーハ２０の外周領域２６が筒体４０の端面４１により支持されるので、ウェーハ２０のバンプ領域２５に応力が集中することはなく、バンプＢ等および／またはウェーハ２０が破損するのを防止できる。さらに、本発明においては、環状の隙間が形成されないので、裏面研削時にウェーハ２０のエッジが欠けることはなく、また裏面研削により生じた研削屑により吸引部５２が目詰まりすることもない。

このようなことは、筒体４０を配置することにより達成される。筒体４０の外形は最大径のウェーハ２０よりも大きければ足りる。従って、小型のウェーハをテーブルに保持する場合であっても、同一の筒体４０を使用することができる。つまり、本発明においては、外径の異なるウェーハに対して共通の筒体４０を使用できる。それゆえ、本発明においては、ウェーハ２０の寸法に応じて異なる専用の筒体を準備する必要が無い。このため、半導体チップの製造費用を抑えることが可能である。なお、筒体４０は円筒型に限定されることはなく、吸引部５２を取囲むことのできる他の形状の筒体であってもよい。また、ウェーハ２０の処理が完了した後で、筒体４０を上方に移動させて再度固定する。固定された筒体の上面を研削することにより、筒体４０を再利用することが可能である。

さらに、バンプＢの寸法が異なるウェーハ２０を処理する場合には、バンプＢの寸法に応じて、筒体４０の高さ（研削量）を変更すれば足りる。従って、本発明においては、設計変更によりバンプＢの寸法が変化する場合であっても、その変更に容易に対応することが可能である。

図８（ａ）は本発明の他の実施形態におけるテーブルの頂面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）に示されるテーブルの断面図である。これら図面に示されるように、他の実施形態においては、テーブル５１の頂面に環状溝部５７が形成されている。ウェーハ２０を吸引保持する吸引部５２は環状溝部５７内に位置している。

図８（ａ）から分かるように、ウェーハ２０の外周領域２６を支持する環状支持部６０が環状溝部５７に嵌挿されている。支持部６０の下端には、フランジ６１が設けられている。図示されるように、フランジ６１には、複数、例えば四つの段差付き孔６８が形成されている。ネジ６２がこれら段差付き孔６８のそれぞれに挿入され、ネジ６２のヘッド６９は段差付き孔６８に螺合される。接着性樹脂などにより、ネジ６２のヘッド６９を段差付き孔６８に固定してもよい。

図示されるように、環状溝部５７の底部にはネジ６２を受容するのに十分な寸法の穴５９が段差付き孔６８に対応した位置に形成されている。これら穴５９の入口部にはワッシャ６３が固定されている。図８（ｂ）に示されるように、支持部６０から延びるネジ６２の先端はワッシャ６３を通って環状溝部５７の穴５９に到達している。さらに、バネ６５が支持部６０の底面と各ワッシャ６３との間に配置されている。言い換えれば、バネ６５は環状溝部５７と支持部６０との間に配置される。

図８に示される実施形態においても、フィルム貼付部署３１において表面保護フィルム１１が貼付けられたウェーハ２０が、ロボットハンド３９により裏面研削部署３２に搬送されて、テーブル５１上に保持される。図８（ｃ）はウェーハが配置されたときのテーブルの断面図である。図８（ｃ）に示されるように、裏面研削部署３２においては、ウェーハ２０はその裏面２２が上方を向くようにテーブル５１上に配置される。

このとき、ウェーハ２０の外周領域２６が支持部６０の上端に載置される。これにより、支持部６０はウェーハ２０の自重によってバネ６に抗して下降する。従って、ウェーハ２０の外周領域２６と吸引部５２との間に環状の隙間はほとんど形成されず、それにより、ウェーハ２０は吸引部５２に適切に吸引されるようになる。

図８に示される実施形態においては、ウェーハ２０の下降距離はバンプＢの高さに応じて変化する。つまり、バンプＢが高ければウェーハ２０の下降距離は小さく、バンプＢが低ければウェーハ２０の下降距離は大きい。従って、バンプＢの高さに関わらず、ウェーハ２０とテーブル５１との間に隙間がほとんど形成されることのない適切な位置までウェーハ２０は下降する。それゆえ、バンプＢの寸法が異なる場合であっても、ウェーハ２０を適切に吸引保持できることが分かるであろう。次いで、裏面研削部署３２の研削砥石３２ａを用いてウェーハ２０の裏面２２を研削する。図８に示される実施形態においても、前述したのと同様な効果が得られるのは明らかであろう。

図９（ａ）は本発明のさらに他の実施形態におけるテーブルの断面図である。図９（ａ）においては、テーブル５１の頂面に環状溝部５７が形成されている。図示されるように、この環状溝部５７は中心部分において幅狭になっている。さらに、テーブル５１の下方部分には環状の摺動室７５が形成されており、シール付き軸受７７を介して環状溝部５７に連通している。

図９（ａ）に示されるように、環状支持部７０が環状溝部５７に挿入されている。環状支持部７０は、ウェーハ２０を支持するヘッド部７１と、摺動室７５内を摺動する摺動子７２と、ヘッド部７１および摺動子７２を連結する連結部７３とを含んでいる。図９（ａ）に示されるテーブル５１の非動作時においては、ヘッド部７１の頂面はテーブル５１の頂面と概ね同一平面になっており、摺動子７２は摺動室７５の下方部分に位置している。また、連結部７３は、シール付き軸受７７に挿入されている。

なお、複数の連結部７３がテーブル５１の周方向に等間隔に配置されていると共に、それら連結部７３はその両端に形成されたネジ山部（図示しない）を介してヘッド部７１および／または摺動子７２に連結されているのが好ましい。このような場合には、ヘッド部７１と摺動子７２との間の長さを調節し、それにより、バンプの寸法変更に容易に対応できるのが分かるであろう。

さらに、図９（ａ）においては、テーブル５１の吸引部５２から延びる通路８１が真空源８０に接続されている。真空源８０が起動すると、吸引部５２はウェーハ２０を保持する。また、接続通路８２が摺動室７５の上方部分から通路８１まで延びている。

図９（ｂ）に示されるように、テーブル５１の動作時には、真空源８０が起動して、吸引部５２が吸引ウェーハ２０を吸引するようになる。このことと同時に、接続通路８２を通じて摺動室７５にも真空が適用される。これにより、摺動室７５の上方部分の圧力が低下して、摺動子７２が摺動室７５内を上方に摺動する。従って、環状支持部７０も摺動子７２と共に上昇し、ヘッド部７１がテーブル５１の頂面から突出するようになる。

それゆえ、ウェーハ２０の外周領域２６が環状支持部７０のヘッド部７１に載置されるようになり、その結果、ウェーハ２０とテーブル５１との間の隙間を排除できる。これにより、ウェーハおよび／またはバンプの破損、ウェーハのエッジの欠け、および吸引部の目詰まりなどの問題を回避できることが分かるであろう。

さらに、本発明においては、真空源８０により、環状支持部７０を上昇させられるので、環状支持部７０のための専用の駆動部を省略し、ウェーハ保持装置を小型化することもできる。当然のことながら、そのような専用の駆動部を別途設けるようにしてもよい。なお、図面を参照して説明した実施形態を適宜組合せることは本発明の範囲に含まれる。

本発明に基づくウェーハ処理方法を実施するウェーハ処理装置の略図である。 （ａ）ウェーハの頂面図である。（ｂ）ウェーハの断面図である。 （ａ）テーブルの第一の頂面図である。（ｂ）テーブルの第一の断面図である。 （ａ）テーブルの第二の頂面図である。（ｂ）テーブルの第二の断面図である。 テーブルの部分拡大斜視図である。 テーブルの第三の断面図である。 テーブルに配置されたウェーハの断面図である。 （ａ）本発明の他の実施形態におけるテーブルの頂面図である。（ｂ）図８（ａ）に示されるテーブルの断面図である。（ｃ）ウェーハが配置されたときのテーブルの断面図である。 （ａ）本発明のさらに他の実施形態におけるテーブルの断面図である。（ｂ）テーブルがウェーハを保持する状態を示す、図９（ａ）と同様な断面図である。 従来技術におけるウェーハの断面図である。 従来技術においてテーブルに配置されたウェーハの断面図である。

符号の説明

１１ 表面保護フィルム
２０ ウェーハ
２１ 表面
２２ 裏面
２５ 中央領域（バンプ領域）
２６ 外周領域
３０ ウェーハ処理装置
３１ フィルム貼付部署
３２ 裏面研削部署
３２ａ 研削砥石
３３ 筒体挿入ユニット
３４ 筒体研削ユニット
３４ａ 研削砥石
３５ 裏面研削ユニット
３９ ロボットハンド（ウェーハ配置手段）
４０ 筒体
４１ 端面
４５ ビス
５１ テーブル
５２ 吸引部（保持部）
５３ テーブル外周部
５３ａ 周面
５５ 溝部
５６ ネジ孔
５７ 環状溝部
５９ 穴
６０ 支持部
６１ フランジ
６２ ネジ
６３ ワッシャ
６５ バネ（弾性体）
６８ 段差付き孔
７０ 環状支持部
７１ ヘッド部
７２ 摺動子
７５ 摺動室
８０ 真空源
８１ 通路
８２ 接続通路
Ｂ バンプ
Ｃ チップ

Claims (8)

1. 表面にバンプが形成された中央のバンプ領域と該バンプ領域の周りの外周領域とを含んでいて前記表面にフィルムが貼付けられているウェーハを処理する処理方法において、
   前記ウェーハを保持するテーブル周りに配置された筒体の端面を所定の厚さまで研削し、前記所定の厚さは、前記ウェーハの前記表面と前記バンプの頂部との間の距離に等しくなっており、
   前記ウェーハの裏面を上方に向けた状態で、前記ウェーハの前記外周領域が前記筒体の端面に載置されるように前記ウェーハの前記バンプ領域を前記テーブルに保持する、ウェーハ処理方法。
2. さらに、前記ウェーハの裏面を研削する、請求項１に記載のウェーハ処理方法。
3. 表面にバンプが形成された中央のバンプ領域と該バンプ領域の周りの外周領域とを含んでいて前記表面にフィルムが貼付けられているウェーハを処理する処理装置において、
   前記ウェーハを保持するテーブル周りに配置された筒体の端面を所定の厚さまで研削する筒体研削手段と、前記所定の厚さは、前記ウェーハの前記表面と前記バンプの頂部との間の距離に等しくなっており、
   さらに、
   前記ウェーハの裏面を上方に向けた状態で、前記ウェーハの前記外周領域が前記筒体の端面に載置されるように前記ウェーハの前記バンプ領域を前記テーブルに配置して前記テーブルに保持させるウェーハ配置手段を具備するウェーハ処理装置。
4. さらに、前記ウェーハの前記表面を前記テーブルに保持した状態で、前記ウェーハの裏面を研削する裏面研削手段を具備する、請求項３に記載のウェーハ処理装置。
5. 表面にバンプが形成されていて該表面にフィルムが貼付けられているウェーハを処理する処理装置において、
   前記ウェーハを保持する保持部を備えていて該保持部回りに環状溝が形成されたテーブルと、
   前記環状溝に挿入されていて前記ウェーハの外周領域を支持する環状支持部と、
   前記環状溝の底部と前記環状支持部の下端との間に配置される弾性体と、
   前記ウェーハの裏面を上方に向けた状態で、前記ウェーハの自重により前記環状支持部が前記弾性体に抗して下降して前記ウェーハの前記外周領域が前記環状支持部の上端に載置されるように前記ウェーハを前記環状支持部に配置するウェーハ配置手段とを具備するウェーハ処理装置。
6. さらに、前記ウェーハの前記表面を前記テーブルに保持した状態で、前記ウェーハの裏面を研削する裏面研削手段を具備する、請求項５に記載のウェーハ処理装置。
7. 表面にバンプが形成された中央のバンプ領域と該バンプ領域の周りの外周領域とを含んでいて前記表面にフィルムが貼付けられているウェーハを保持するウェーハ保持装置において、
   前記ウェーハを保持する保持部を備えていて該保持部回りに環状溝が形成されたテーブルと、
   前記環状溝に挿入されていて前記ウェーハの外周領域を支持する環状支持部と、
   前記環状支持部を前記環状溝に沿って昇降させる昇降機構部と、を具備し、
   前記ウェーハの裏面を上方に向けた状態で、前記ウェーハの前記外周領域が前記環状支持部の上端に載置されると共に、前記ウェーハの前記バンプ領域が前記テーブルに保持されるように、前記昇降機構部を駆動するウェーハ保持装置。
8. 前記保持部と前記昇降機構部とが共通の真空手段に接続されており、
   該真空手段により前記保持部が前記ウェーハを保持するときには、前記昇降機構部は前記保持部に連動して上昇することを特徴とする請求項７に記載のウェーハ保持装置。

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