CN104946151B - 芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。所述芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为80％以上。

Description

芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及 半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。
背景技术
以往，在半导体装置的制造中，有时使用带切割片的芯片接合薄膜。带切割片的芯片接合薄膜是在切割片上可剥离地设置芯片接合薄膜而得到的。在半导体装置的制造中，在带切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上保持半导体晶圆，对半导体晶圆进行切割而制成各个芯片。然后，将芯片与芯片接合薄膜一同从切割片剥离，借助芯片接合薄膜使其粘接于引线框等被粘物。
使用在切割片上层叠有芯片接合薄膜的带切割片的芯片接合薄膜，并在芯片接合薄膜的保持下切割半导体晶圆时，需要将该芯片接合薄膜与半导体晶圆同时切断。然而，在使用金刚石刀片的通常的切割方法中，会担心切割时产生的热的影响造成的芯片接合薄膜与切割片的粘连、切削屑的产生造成的半导体芯片彼此的粘接、切削屑附着在半导体芯片侧面等，因此需要降低切断速度，导致成本的上升。
因此，近年提出了如下的方法：通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆可沿预分割线容易地分割，然后通过施加拉伸张力而使该半导体晶圆断裂，得到各个半导体芯片(例如参见专利文献1、以及专利文献2，以下也称为“隐形切割(Stealth Dicing，注册商标)”)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-192370号公报
专利文献2：日本特开2003-338467号公报
发明内容
发明要解决的问题
另一方面，近年来，作为由半导体晶圆得到单个的半导体芯片的方法，考虑了如下的方法：首先，从半导体晶圆的背面(非电路形成面)照射激光，在前述半导体晶圆的预分割线上形成改性区域，然后，为了制成薄型而进行半导体晶圆的背面磨削，然后在半导体晶圆的背面贴合带切割片的芯片接合薄膜。然而，该方法中，存在有时会在半导体晶圆的背面磨削的阶段中产生裂纹、破损的问题。
本发明是鉴于前述问题而作出的，其目的在于提供芯片接合薄膜和带切割片的芯片接合薄膜，所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。另外，提供使用该芯片接合薄膜、或该带切割片的芯片接合薄膜制造的半导体装置。另外，提供使用该带切割片的芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法。
用于解决问题的方案
本申请发明人等为了解决前述以往的问题而对芯片接合薄膜进行了研究。其结果发现，通过采用下述构成，即使在得到薄型的半导体芯片的情况下，也可抑制半导体晶圆产生裂纹、破损，从而完成了本发明。
即，本发明的芯片接合薄膜的特征在于，波长1065nm下的透光率为80％以上。
根据前述构成，由于芯片接合薄膜的波长1065nm下的透光率为80％以上，因此贴附于半导体晶圆后，能够从芯片接合薄膜侧照射激光(例如，在波长1065nm附近具有峰的激光)而在半导体晶圆的预分割线上形成改性区域。并且，在这之后，能够使其沿前述预分割线断裂。
由于能够以被芯片接合薄膜保持的状态在半导体晶圆上形成改性区域，并保持该状态使其断裂，因此能够抑制在预分割线以外的部位产生裂纹、破损。
另外，对本发明的带切割片的芯片接合薄膜而言，优选的是，在切割片上设置有前述记载的芯片接合薄膜，
前述带切割片的芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为50％以上。
根据前述构成，由于带切割片的芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为50％以上，因此，在半导体晶圆上贴附带切割片的芯片接合薄膜后，从带切割片的芯片接合薄膜侧照射激光(例如，在波长1065nm附近具有峰的激光)，能够在半导体晶圆的预分割线上形成改性区域。并且，其后，能够使其沿前述预分割线断裂。
由于能够以被带切割片的芯片接合薄膜保持的状态在半导体晶圆上形成改性区域，并保持该状态使其断裂，因此能够抑制在预分割线以外的部位产生裂纹、破损。尤其，即使在得到薄型的半导体芯片的情况下，也可抑制产生裂纹、破损。
另外，由于切割片和芯片接合薄膜预先被层叠，因此无需设置在芯片接合薄膜上贴合切割片的工序。
在前述构成中，优选的是，前述芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂应力为50N/mm2以下。
前述芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂应力为50N/mm2以下时，在对带切割片的芯片接合薄膜施加拉伸张力时，能够适宜地使其沿预分割线断裂。需要说明的是，-15℃是对带切割片的芯片接合薄膜施加拉伸张力而使其沿预分割线断裂时的温度的代表值。
在前述构成中，优选的是，前述芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂伸长率为30％以下。
前述芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂伸长率为30％以下时，在对带切割片的芯片接合薄膜施加拉伸张力时，能够更加适宜地使其沿预分割线断裂。
在前述构成中，优选的是，前述芯片接合薄膜含有软化点为-15℃以上的酚醛树脂。
前述芯片接合薄膜含有软化点-15℃以上的酚醛树脂时，容易断裂而无需大幅拉伸。
在前述构成中，优选的是，前述芯片接合薄膜的损耗角正切tanδ的峰值温度为-15℃以上且低于50℃。
前述芯片接合薄膜的损耗角正切tanδ的峰值温度为-15℃以上时，会变得越发容易断裂而无需大幅拉伸。另外，前述芯片接合薄膜的损耗角正切tanδ的峰值温度低于50℃时，能够确保对晶圆的良好的密合性。
在前述构成中，优选的是，前述芯片接合薄膜含有将单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物，所述单体原料以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯。
前述芯片接合薄膜含有将以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物时，能够提高芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率。
在前述构成中，优选的是，前述切割片由基材和粘合剂层构成，前述粘合剂层含有将以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物。
前述粘合剂层含有将以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物时，能够提高前述粘合剂层在波长1065nm下的透光率。
另外，本发明的半导体装置的特征在于，其是使用前述记载的芯片接合薄膜、或前述记载的带切割片的芯片接合薄膜而制造的。
根据前述构成，由抑制了在预分割线以外的部位产生裂纹、破损的半导体晶圆来制造，因此可得到提高了成品率的半导体装置。
另外，本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，
其使用了前述记载的带切割片的芯片接合薄膜，该方法包括如下工序：
工序A，在半导体晶圆的背面贴合前述带切割片的芯片接合薄膜；
工序B，从前述带切割片的芯片接合薄膜侧对前述半导体晶圆照射激光，在前述半导体晶圆的预分割线上形成改性区域；
工序C，通过对前述带切割片的芯片接合薄膜施加拉伸张力，使前述半导体晶圆和构成前述带切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜沿所述预分割线断裂，形成半导体芯片。
前述带切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为80％以上，切割片在波长1065nm下的透光率为80％以上。根据前述构成，由于能够以被带切割片的芯片接合薄膜保持的状态在半导体晶圆上形成改性区域(工序B)，并保持该状态使前述半导体晶圆与构成前述带切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜沿预分割线断裂(工序C)，因此能够抑制在预分割线以外的部位产生裂纹、破损。
另外，由于使用带切割片的芯片接合薄膜，切割片与芯片接合薄膜预先被层叠，因此无需设置在芯片接合薄膜上贴合切割片的工序。
在前述构成中，优选具有如下工序：工序A-1，在半导体晶圆的表面粘贴背面磨削带；工序A-2，在前述背面磨削带的保持下进行前述半导体晶圆的背面磨削，在前述工序A-1和前述工序A-2之后进行前述工序A～前述工序C。
根据前述构成，在半导体晶圆处于被背面磨削带和带切割片的芯片接合薄膜两者夹持的状态下对半导体晶圆照射激光，在前述半导体晶圆的预分割线上形成改性区域。因此，能够更加抑制在预分割线以外的部位产生裂纹、破损。
在前述构成中，优选的是，包括在前述工序B之后将前述背面磨削带从前述半导体晶圆剥离的工序B-1，在前述工序B-1之后进行前述工序C。
根据前述构成，成为背面磨削带和带切割片的芯片接合薄膜两者将半导体晶圆夹持的状态直至即将进行工序C前。因此，能够进一步抑制在预分割线以外的部位产生裂纹、破损。
发明的效果
根据本发明，能够提供芯片接合薄膜、以及带切割片的芯片接合薄膜，所述芯片接合薄膜即使在得到薄型的半导体芯片的情况下，也可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。另外，能够提供使用该芯片接合薄膜、或该带切割片的芯片接合薄膜制造的半导体装置。另外，能够提供使用该带切割片的芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式的带切割片的芯片接合薄膜的截面示意图。
图2是用于说明本实施方式的半导体装置的一个制造方法的截面示意图。
图3是用于说明本实施方式的半导体装置的一个制造方法的截面示意图。
图4是用于说明本实施方式的半导体装置的一个制造方法的截面示意图。
图5是用于说明本实施方式的半导体装置的一个制造方法的截面示意图。
图6是用于说明本实施方式的半导体装置的一个制造方法的截面示意图。
图7的(a)、(b)是用于说明本实施方式的半导体装置的一个制造方法的截面示意图。
图8是用于说明本实施方式的半导体装置的一个制造方法的截面示意图。
附图标记说明
10 带切割片的芯片接合薄膜
11 切割片
12 基材
14 粘合剂层
16 芯片接合薄膜
4 半导体晶圆
5 半导体芯片
6 被粘物
7 键合引线
8 封装树脂
具体实施方式
(带切割片的芯片接合薄膜)
关于本发明的一个实施方式的芯片接合薄膜、以及带切割片的芯片接合薄膜，在以下进行说明。本实施方式的芯片接合薄膜可列举出在以下说明的带切割片的芯片接合薄膜中未贴合于切割片的状态的芯片接合薄膜。因此，以下对带切割片的芯片接合薄膜进行说明，关于芯片接合薄膜，在其中进行说明。图1是示出本发明的一个实施方式的带切割片的芯片接合薄膜的截面示意图。
如图1所示，带切割片的芯片接合薄膜10具有在切割片11上层叠有芯片接合薄膜16的构成。切割片11是在基材12上层叠粘合剂层14而构成的，芯片接合薄膜16设置在粘合剂层14上。
需要说明的是，在本实施方式中，对切割片11中存在未被芯片接合薄膜16覆盖的部分14b的情况进行说明，但本发明的带切割片的芯片接合薄膜并不限定于此例，也可以按照覆盖切割片整体的方式在切割片上层叠芯片接合薄膜。
芯片接合薄膜16在波长1065nm下的透光率为80％以上、优选为85％以上、更优选为90％以上。由于芯片接合薄膜16在波长1065nm下的透光率为80％以上，因此贴附于半导体晶圆后，从芯片接合薄膜16侧照射激光(例如，在波长1065nm附近具有峰的激光)，能够在半导体晶圆的预分割线上形成改性区域。并且，在这之后，能够使其沿前述预分割线断裂
由于能够以被芯片接合薄膜16保持的状态在半导体晶圆上形成改性区域，并保持该状态使其断裂，因此能够抑制在预分割线以外的部位产生裂纹、破损。
另外，芯片接合薄膜16在波长1065nm下的透光率越高越优选，但例如可以设为100％以下。
芯片接合薄膜16在波长1065nm下的透光率可以通过构成芯片接合薄膜16的材料来控制。例如，可以通过适当选择构成芯片接合薄膜16的热塑性树脂的种类、含量，热固性树脂的种类、含量，填料的平均粒径、含量来控制。
芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率(％)通过以下条件求出。
<透光率测定条件>
测定装置：紫外可见近红外分光光度计V-670DS(日本分光株式会社制)
波长扫描速度：2000nm/分钟
测定范围：300～1200nm
积分球单元：ISN-723
光斑直径：1cm见方
另外，芯片接合薄膜16优选-15℃下的拉伸断裂应力为50N/mm2以下、更优选为45N/mm2以下、进一步优选为40N/mm2以下。芯片接合薄膜16在-15℃下的拉伸断裂应力为50N/mm2以下时，对带切割片的芯片接合薄膜10施加拉伸张力时，能够使其沿预分割线适宜地断裂。另外，从处理性的观点来看，前述拉伸断裂应力例如优选为5N/mm2以上。拉伸断裂应力的测定方法利用实施例记载的方法。
前述拉伸断裂应力可以通过构成芯片接合薄膜16的材料来控制。例如，可以通过适当选择构成芯片接合薄膜16的热塑性树脂的种类、含量，热固性树脂的种类、含量，填料的平均粒径、含量来控制。
另外，芯片接合薄膜16优选-15℃下的拉伸断裂伸长率为30％以下、更优选为25％以下、进一步优选为20％以下。芯片接合薄膜16在-15℃下的拉伸断裂伸长率为30％以下时，对带切割片的芯片接合薄膜10施加拉伸张力时，能够使其沿预分割线更加适宜地断裂。另外，从防止断裂时的芯片接合薄膜的飞散的观点来看，前述拉伸断裂伸长率例如优选为1％以上。拉伸断裂伸长率的测定方法利用实施例记载的方法。
前述拉伸断裂伸长率可以通过构成芯片接合薄膜16的材料来控制。例如，可以通过适当选择构成芯片接合薄膜16的热塑性树脂的种类、含量，热固性树脂的种类、含量，填料的平均粒径、含量来控制。
另外，芯片接合薄膜16优选损耗角正切tanδ的峰值温度为-15℃以上且低于50℃、更优选为-10℃以上且低于40℃、进一步优选为-5℃以上且低于40℃。芯片接合薄膜16的损耗角正切tanδ的峰值温度为-15℃以上时，会变得越发容易断裂而无需大幅拉伸。另外，芯片接合薄膜16的损耗角正切tanδ的峰值温度低于50℃时，能够确保对晶圆的良好密合性。损耗角正切tanδ的峰值温度的求得方法利用实施例记载的方法。
芯片接合薄膜16的损耗角正切tanδ的峰值温度可以通过构成芯片接合薄膜16的材料来控制。例如，可以通过适当选择构成芯片接合薄膜16的热塑性树脂的种类、含量，热固性树脂的种类、含量来控制。
作为构成芯片接合薄膜16的材料，可列举出热固性树脂。另外，也可以组合使用热塑性树脂与热固性树脂。
作为前述热固性树脂，可列举出酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、硅树脂或热固性聚酰亚胺树脂等。这些树脂可以单独使用或者组合两种以上使用。特别优选含有较少会腐蚀半导体芯片的离子性杂质等的环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选为酚醛树脂。
前述环氧树脂只要是通常用作粘接剂组合物的环氧树脂就没有特别限定，例如可以使用双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四(苯基羟基)乙烷(Tetraphenylolethane)型等二官能环氧树脂、多官能环氧树脂；或乙内酰脲型、三缩水甘油基异氰脲酸酯型或缩水甘油胺型等的环氧树脂。它们可以单独使用或组合两种以上使用。在这些环氧树脂之中，特别优选为酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型树脂或四(苯基羟基)乙烷型环氧树脂。这是因为，这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，耐热性等优异。
进而，前述酚醛树脂作为前述环氧树脂的固化剂而起作用，例如可列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂；甲阶酚醛型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。它们可以单独使用，或者组合两种以上使用。在这些酚醛树脂之中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为能够提高半导体装置的连接可靠性。
其中，芯片接合薄膜16优选含有软化点为-15℃以上的酚醛树脂。前述软化点更优选为0℃以上、进一步优选为30℃以上。芯片接合薄膜16含有软化点-15℃以上的酚醛树脂时，会变得容易断裂而无需大幅拉伸。
另外，前述软化点越高越优选，例如可以设为100℃以下。
需要说明的是，在本说明书中，软化点定义为根据JIS K 5902和JIS K 2207规定的软化点试验方法(环球法)测定得到的值。具体而言，将试样在尽可能低的温度下迅速熔解，将其充满在放置在平坦的金属板上的环中，注意不产生气泡。在冷却后，用略微加热的小刀从包括环的上端的平面切去隆起部分。接着，在直径85mm以上、高度127mm以上的玻璃容器(加热浴)中放入支撑器(环台)，注入甘油直至深度为90mm以上。然后，以使钢球(直径9.5mm、重量3.5g)与充满试样的环相互不接触的方式浸入甘油中，将甘油的温度保持为20℃±5℃15分钟。接着，在环中的试样的表面中央载置钢球，将其放置在支撑器上的固定位置。然后，保持从环的上端到甘油面的距离为50mm，放置温度计，使温度计的水银球的中心位置与环的中心为同样高度，加热容器。加热中使用的本生灯的火焰设置为接触在容器的底部中心与边缘中间，使加热均等。其中，加热开始起至到达40℃之后的浴温的上升比率必须为每分钟5.0±0.5℃。读取试样逐渐软化而从环中流下、最后接触底板时的温度，将其作为软化点。软化点的测定同时进行2个以上，采用其平均值。
关于前述环氧树脂与酚醛树脂的配混比例，例如，适宜的是，以相对于前述环氧树脂成分中的环氧基平均每1当量，酚醛树脂中的羟基为0.5～2.0当量的方式进行配混。更适宜为0.8～1.2当量。即，这是因为，两者的配混比例偏离前述范围时，不会进行充分的固化反应，环氧树脂固化物的特性容易劣化。
作为前述热塑性树脂，可列举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂或氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用，或者组合两种以上使用。在这些热塑性树脂之中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、能够确保半导体芯片的可靠性的丙烯酸类树脂。
作为前述丙烯酸类树脂，没有特别限定，可列举出将具有碳数30以下、尤其是碳数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸的酯或甲基丙烯酸的酯(丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯)中的1种或两种以上作为成分的聚合物(丙烯酸类共聚物)等。作为前述烷基，例如可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或二十烷基等。
其中，芯片接合薄膜16优选含有将以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物。前述比率更优选为60重量％以上、进一步优选为70重量％以上。芯片接合薄膜16含有将以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物时，能够提高芯片接合薄膜16在波长1065nm下的透光率。
前述比率优选为较多者，例如可以设为100重量％以下。
另外，作为形成前述聚合物的其它单体，没有特别限定，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等之类的含羧基的单体；马来酸酐或衣康酸酐等之类的酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟基甲基环己基)-甲酯等之类的含羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等之类的含磺酸基的单体；或者2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等之类的含磷酸基的单体。
作为前述热固性树脂的配混比率，只要是在规定条件下加热时芯片接合薄膜16会发挥作为热固型的功能的程度，就没有特别限定，相对于芯片接合薄膜16整体，优选为5～70重量％的范围内、更优选为10～60重量％的范围内。
作为前述热可塑性树脂的配混比率，没有特别限定，从薄膜形成性的观点来看，相对于芯片接合薄膜16整体，优选为3重量％以上、更优选为5重量％以上。另外，从耐热性的观点来看，相对于芯片接合薄膜16整体，优选为95重量％以下、更优选为90重量％以下。
使芯片接合薄膜16预先进行某种程度的交联时，在制作时，预先添加与聚合物的分子链末端的官能团等发生反应的多官能性化合物来作为交联剂即可。由此，能够提高在高温下的粘接特性，实现耐热性的改善。
作为前述交联剂，可以采用以往公知的交联剂。尤其是，更优选为甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、多元醇与二异氰酸酯的加成物等多异氰酸酯化合物。作为交联剂的添加量，相对于前述聚合物100重量份，通常优选为0.05～7重量份。交联剂的量多于7重量份时，粘接力会降低，因而不优选。另一方面，少于0.05重量份时，内聚力不足，因而不优选。另外，在含有这样的多异氰酸酯化合物的同时也可以根据需要而一并含有环氧树脂等其它多官能性化合物。
另外，在芯片接合薄膜16中可以根据其用途而适当配混填料。前述填料的配混可以赋予导电性、提高导热性、调节弹性模量等。作为前述填料，可列举出无机填料和有机填料。从提高处理性、提高导热导电性、调节溶融粘度、赋予触变性等特性的观点来看，优选为无机填料。作为前述无机填料，没有特别限定，例如可列举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、晶体二氧化硅、非晶质二氧化硅等。它们可以单独使用或组合两种以上使用。从提高导热导电性的观点来看，优选为氧化铝、氮化铝、氮化硼、晶体二氧化硅、非晶质二氧化硅。另外，从上述各特性的平衡良好的观点来看，优选为晶体二氧化硅、或非晶质二氧化硅。另外，出于赋予导电性、提高导热导电性等目的，作为无机填料，也可以使用导电性物质(导电填料)。作为导电填料，可列举出将银、铝、金、铜、镍、导电性合金等制成球状、针状、鳞片状的金属粉、氧化铝等金属氧化物、无定形炭黑、石墨等。
前述填料的平均粒径优选为0.001～1μm、更优选为0.005～0.7μm。通过使前述填料的平均粒径为0.001μm以上，能够控制薄膜的粘着性。另外，通过使其为1μm以下，能够防止透射率的降低。需要说明的是，填料的平均粒径例如为通过光度式的粒度分布计(HORIBA制、装置名；LA-910)求得的值。
需要说明的是，在芯片接合薄膜16中，除了前述填料以外，还可以根据需要适当地配混其它添加剂。作为其它添加剂，例如可列举出阻燃剂、硅烷偶联剂或离子捕获剂等。作为前述阻燃剂，例如可列举出三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。它们可以单独使用或组合两种以上使用。作为前述硅烷偶联剂，例如可列举出β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。上述化合物可以单独使用或组合两种以上使用。作为前述离子捕获剂，例如可列举出水滑石类、氢氧化铋等。它们可以单独使用或组合两种以上使用。
对芯片接合薄膜16的厚度(层叠体的情况下为总厚度)没有特别限定，从透光率的观点来看，优选为3～100μm、更优选为5～60μm、进一步优选为5～30μm。
切割片11如上所述，具有在基材12上层叠有粘合剂层14的构成。
基材12成为带切割片的芯片接合薄膜10的强度基体。例如可列举出：低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃；乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳纶(纸)、玻璃、玻璃布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素类树脂、硅树脂、金属(箔)等。对于基材12，在后述的粘合剂层14由辐射线固化型粘合剂形成时，优选由透射该辐射线的材料形成。
为了提高与邻接的层的密合性、保持性等，基材12的表面可以实施惯用的表面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化辐射线处理等化学处理或物理处理；利用底涂剂(例如后述的粘合物质)的涂布处理。基材12可以适当选择使用同种或不同种的基材，可以根据需要使用共混数种材料而得到的基材。
基材12优选波长1065nm下的透光率为70％以上、更优选为80％以上。波长1065nm下的透光率为70％以上的基材12通过适当选择构成基材12的材料而得到。
另外，基材12在波长1065nm下的透光率越高越优选，例如可以设为100％以下。
基材在波长1065nm下的透光率与芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率利用同样的方法得到。
对基材12的厚度没有特别限定，可以适当决定，但通常为5～200μm左右。其中，从拾取性、透光率的观点来看，优选为30～130μm。
作为用于粘合剂层14的形成的粘合剂，没有特别限定，例如可以使用丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂等通常的压敏性粘合剂。作为前述压敏性粘合剂，从半导体晶圆、玻璃等怕污染的电子部件的利用超纯水、醇等有机溶剂的清洁清洗性等方面出发，优选以丙烯酸类聚合物为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。
作为前述丙烯酸类聚合物，例如可列举出：将(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳数为1～30、尤其是碳数为4～18的直链状或支链状的烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如环戊酯、环己酯等)中的1种或两种以上用作单体成分的丙烯酸类聚合物等。需要说明的是，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的(甲基)全部为相同的意义。
其中，粘合剂层14优选含有将以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯(丙烯酸的酯或甲基丙烯酸的酯)的单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物。前述比率更优选为60重量％以上、进一步优选为70重量％以上。粘合剂层14含有将以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物时，能够提高粘合剂层14在波长1065nm下的透光率。
前述比率越多越优选，例如可以设为100重量％以下。
出于内聚力、耐热性等的改性的目的，前述丙烯酸类聚合物可以根据需要包含对应于能够与前述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其它单体成分的单元。作为这样的单体成分，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基的单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基的单体；2-羟基乙基丙烯酰磷酸酯等含磷酸基的单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些能够共聚的单体成分可以使用1种或两种以上。这些能够共聚的单体的用量优选为全部单体成分的40重量％以下。
进而，前述丙烯酸类聚合物为了进行交联，也可以根据需要包含多官能性单体等作为共聚用单体成分。作为这样的多官能性单体，例如可列举出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或两种以上。从粘合特性等方面出发，多官能性单体的用量优选为全部单体成分的30重量％以下。
前述丙烯酸类聚合物可以通过使单一单体或两种以上的单体混合物聚合而得到。聚合也可以以溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任意方式来进行。从防止对清洁的被粘物的污染等方面出发，优选低分子量物质的含量少。从这一点出发，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为30万以上、进一步优选为40万～300万左右。
另外，在前述粘合剂中，为了提高作为基础聚合物的丙烯酸类聚合物等的数均分子量，也可以适当采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可列举出：添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺类交联剂等所谓的交联剂并使其反应的方法。使用外部交联剂时，其用量根据其与要交联的基础聚合物的平衡、进而根据作为粘合剂的使用用途来适当决定。通常优选的是，相对于前述基础聚合物100重量份，配混5重量份左右以下、进而0.1～5重量份。进而，在粘合剂中，根据需要，除了前述成分之外，也可以使用以往公知的各种增粘剂、防老剂等添加剂。
粘合剂层14可以利用辐射线固化型粘合剂来形成。辐射线固化型粘合剂可以通过照射紫外线等辐射线而使交联度增大、使其粘合力容易地降低。
例如，通过与图1所示的芯片接合薄膜16的晶圆贴附部分16a相对应地使辐射线固化型的粘合剂层14固化，能够容易地形成粘合力显著降低的前述部分14a。在固化而粘合力降低的前述部分14a贴附芯片接合薄膜16，因此粘合剂层14的前述部分14a与芯片接合薄膜16的界面具有在拾取时可容易地剥离的性质。另一方面，未照射辐射线的部分具有充分的粘合力，形成前述部分14b。前述部分14b能够牢固地固定晶圆环。
需要说明的是，以覆盖切割片整体的方式在切割片上层叠芯片接合薄膜时，可以在芯片接合薄膜的外周部分固定晶圆环。
辐射线固化型粘合剂只要具有碳-碳双键等辐射线固化性的官能团且显示粘合性，就可以没有特别限制地使用。作为辐射线固化型粘合剂，例如可例示出在前述丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂等通常的压敏性粘合剂中配混了辐射线固化性的单体成分、低聚物成分而成的添加型辐射线固化型粘合剂。
作为所配混的辐射线固化性的单体成分，例如可列举出：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，辐射线固化性的低聚物成分可列举出：氨基甲酸酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种低聚物，其重均分子量在100～30000左右的范围内是适当的。辐射线固化性的单体成分、低聚物成分的配混量可以根据前述粘合剂层的种类来适当决定能够降低粘合剂层的粘合力的量。通常，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为5～500重量份、优选为40～150重量份左右。
另外，作为辐射线固化型粘合剂，除了前述说明的添加型辐射线固化型粘合剂之外，还可列举出使用了在聚合物侧链或主链中或者在主链末端具有碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型辐射线固化型粘合剂。内在型辐射线固化型粘合剂不需要含有或不较多含有属于低分子成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不会经时地在粘合剂层中移动，能够形成层结构稳定的粘合剂层，故而优选。
前述具有碳-碳双键的基础聚合物可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键且具有粘合性的聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物作为基本骨架的聚合物。作为丙烯酸类聚合物的基本骨架，可列举出上述例示出的丙烯酸类聚合物。
对向前述丙烯酸类聚合物中导入碳-碳双键的方法没有特别限定，可以采用各种方法，对于碳-碳双键而言，导入聚合物侧链在分子设计方面容易。例如可列举出如下方法：预先使丙烯酸类聚合物与具有官能团的单体进行共聚，然后使具有能够与该官能团反应的官能团和碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线固化性的状态下进行缩聚或加成反应。
作为这些官能团的组合的例子，可列举出羧酸基与环氧基、羧酸基与氮丙啶基、羟基与异氰酸酯基等。这些官能团的组合之中，从追踪反应的容易程度出发，羟基与异氰酸酯基的组合是适宜的。另外，只要是通过这些官能团的组合来生成上述具有碳-碳双键的丙烯酸类聚合物的组合，则官能团可以位于丙烯酸类聚合物和上述化合物中的任一侧，但在上述的优选组合中，丙烯酸类聚合物具有羟基且上述化合物具有异氰酸酯基的情况是适宜的。此时，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，例如可列举出：甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸类聚合物，可以使用将前述例示的含羟基的单体、2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚的醚类化合物等共聚而成的聚合物。
前述内在型辐射线固化型粘合剂可以单独使用前述具有碳-碳双键的基础聚合物(尤其是丙烯酸类聚合物)，也可以在不会使特性恶化的程度下配混前述辐射线固化性的单体成分、低聚物成分。辐射线固化性的低聚物成分等通常相对于基础聚合物100重量份为30重量份的范围内，优选为0～10重量份的范围内。
前述辐射线固化型粘合剂在利用紫外线等进行固化时含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可列举出：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇类化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚类化合物；苄基二甲基缩酮等缩酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯代噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯代噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌；卤代酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的配混量相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为0.05～20重量份左右。
另外，作为辐射线固化型粘合剂，例如可列举出：日本特开昭60-196956号公报中公开的、含有具有2个以上不饱和键的加成聚合性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物与羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、鎓盐类化合物等光聚合引发剂的橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂等。
辐射线固化型的粘合剂层14中，根据需要，也可以含有利用辐射线照射而着色的化合物。通过在粘合剂层14中包含利用辐射线照射而着色的化合物，能够仅将进行了辐射线照射的部分着色。即，能够将图1所示的与晶圆贴附部分16a相对应的部分14a着色。因此，能够通过目视即刻判断是否对粘合剂层14照射了辐射线，容易识别晶圆贴附部分3a，容易贴合工件。另外，利用光传感器等检测半导体芯片时，其检测精度提高，在半导体芯片的拾取时不会产生误操作。
利用辐射线照射而着色的化合物是在照射辐射线前呈无色或浅色、通过辐射线照射而变为有色的化合物。作为该化合物的优选具体例，可列举出隐色染料。作为隐色染料，优选使用惯用的三苯基甲烷类、荧烷类、吩噻嗪类、金胺类、螺吡喃类的物质。具体而言，可列举出：3-[N-(对甲苯基氨基)]-7-苯胺基荧烷、3-[N-(对甲苯基)-N-甲基氨基]-7-苯胺基荧烷、3-[N-(对甲苯基)-N-乙基氨基]-7-苯胺基荧烷、3-二乙基氨基-6-甲基-7-苯胺基荧烷、结晶紫内酯、4,4’,4”-三(二甲基氨基)三苯基甲醇、4,4’,4”-三(二甲基氨基)三苯基甲烷等。
作为优选与这些隐色染料共同使用的显色剂，可列举出迄今为止使用的酚醛树脂的初始聚合物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等电子受体，进而，在使色调变化的情况下，也可以组合使用各种公知的显色剂。
这样的利用辐射线照射而着色的化合物可以暂时溶于有机溶剂等后包含在辐射线固化型粘合剂中，或者也可以制成微粉末状而包含在该粘合剂中。理想的是，该化合物的使用比率在粘合剂层14中为10重量％以下、优选为0.01～10重量％、进一步优选为0.5～5重量％。该化合物的比率超过10重量％时，对粘合剂层14照射的辐射线被该化合物过度吸收，因此粘合剂层14的前述部分14a的固化变得不充分，有时粘合力不会充分地降低。另一方面，为了充分着色，优选使该化合物的比率为0.01重量％以上。
利用辐射线固化型粘合剂形成粘合剂层14时，可以按照使粘合剂层14中的前述部分14a的粘合力<其它部分14b的粘合力的方式对粘合剂层14的一部分照射辐射线。
作为在前述粘合剂层14上形成前述部分14a的方法，可列举出：在基材12上形成辐射线固化型的粘合剂层14后，对前述部分14a局部照射辐射线而使其固化的方法。局部的辐射线照射可以隔着形成有与芯片接合薄膜16的晶圆贴附部分16a以外的部分相对应的图案的光掩模来进行。另外，可列举出点状(spot)地照射辐射线而使其固化的方法等。辐射线固化型的粘合剂层14的形成可以通过将设置在隔离膜上的粘合剂层转印到基材12上来进行。局部的辐射线固化也可以对设置在隔离膜上的辐射线固化型的粘合剂层14进行。
另外，利用辐射线固化型粘合剂来形成粘合剂层14时，使用对基材12的至少单面的、除与晶圆贴附部分16a相对应的部分以外的部分的全部或一部分进行了遮光的基材，在形成辐射线固化型的粘合剂层14后对其照射辐射线，使与晶圆贴附部分16a相对应的部分固化，从而能够形成粘合力降低的前述部分14a。作为遮光材料，可以通过在支撑薄膜上将能够成为光掩模的材料进行印刷、蒸镀等来制作。根据该制造方法，能够高效地制造带切割片的芯片接合薄膜10。
需要说明的是，在照射辐射线时，在发生因氧气造成的固化阻碍的情况下，理想的是，用某种方法从辐射线固化型的粘合剂层14的表面隔绝氧气(空气)。例如可列举出：用隔离膜覆盖粘合剂层14表面的方法、在氮气气氛中进行紫外线等辐射线的照射的方法等。
对粘合剂层14的厚度没有特别限定，从防止芯片切断面的缺损、芯片接合薄膜16的固定保持的兼顾性等方面来看，优选为1～50μm左右。优选为2～40μm、进一步优选为5～30μm。
粘合剂层14优选在波长1065nm下的透光率为70％以上、更优选为80％以上。波长1065nm下的透光率为70％以上的粘合剂层14通过适当选择构成粘合剂层14的材料而得到。
另外，粘合剂层14在波长1065nm下的透光率越高越优选，例如可以设为100％以下。
粘合剂层在波长1065nm下的透光率与芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率利用同样的方法得到。
带切割片的芯片接合薄膜10在波长1065nm下的透光率优选为50％以上、更优选为55％以上、进一步优选为60％以上。
带切割片的芯片接合薄膜10在波长1065nm下的透光率为50％以上时，将带切割片的芯片接合薄膜10贴附于半导体晶圆后，从带切割片的芯片接合薄膜10侧照射激光，能够在半导体晶圆的预分割线上适宜地形成改性区域。
作为使带切割片的芯片接合薄膜10在波长1065nm下的透光率为50％以上的方法，可列举出如下方法：选择波长1065nm下的透光率为一定以上的基材作为基材12，选择波长1065nm下的透光率为一定以上的粘合剂作为粘合剂14，且选择波长1065nm下的透光率为一定以上的芯片接合薄膜作为芯片接合薄膜16。
另外，带切割片的芯片接合薄膜10在波长1065nm下的透光率越高越优选，例如可以设为100％以下。
带切割片的芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率与芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率利用同样的方法得到。
带切割片的芯片接合薄膜10的芯片接合薄膜16优选被隔离膜保护(未图示)。隔离膜具有作为保护芯片接合薄膜16直至供于实际使用的保护材料的功能。另外，隔离膜进一步可以用作向粘合剂层14转印芯片接合薄膜16时的支撑基材。隔离膜在向带切割片的芯片接合薄膜10的芯片接合薄膜16上贴合工件(半导体晶圆)时被剥离。作为隔离膜，也可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、利用氟类剥离剂、长链烷基丙烯酸酯类剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸等。
本实施方式的带切割片的芯片接合薄膜10例如可以如下操作来制作。
首先，基材12可以利用以往公知的制膜方法来制膜。作为该制膜方法，例如可例示出压延制膜法、在有机溶剂中的流延法、在密闭体系中的吹胀挤出法、T模具挤出法、共挤出法、干式层压法等。
接着，在基材12上涂布粘合剂组合物溶液而形成涂布膜后，使该涂布膜在规定条件下干燥(根据需要使其加热交联)，形成粘合剂层14。作为涂布方法没有特别限定，例如可列举出辊涂覆、丝网印刷涂覆、凹版涂覆等。另外，作为干燥条件，例如在干燥温度80～150℃、干燥时间0.5～5分钟的范围内进行。另外，也可以在隔离膜上涂布粘合剂组合物而形成涂布膜后，以前述干燥条件使涂布膜干燥，形成粘合剂层14。其后，将粘合剂层14与隔离膜一起贴合在基材12上。由此来制作切割片11。
芯片接合薄膜16例如可以如下操作来制作。
首先，制作芯片接合薄膜16的形成材料即粘接剂组合物溶液。在该粘接剂组合物溶液中，如前所述，配混有前述树脂、其它根据需要的各种添加剂等。
接着，将粘接剂组合物溶液以成为规定厚度的方式涂布在基材隔离膜上，形成涂布膜后，使该涂布膜在规定条件下干燥，形成芯片接合薄膜16。作为涂布方法没有特别限定，例如可列举出辊涂覆、丝网印刷涂覆、凹版涂覆等。另外，作为干燥条件，例如在干燥温度70～160℃、干燥时间1～5分钟的范围内进行。另外，也可以在隔离膜上涂布粘接剂组合物溶液而形成涂布膜后，以前述干燥条件使涂布膜干燥，形成芯片接合薄膜16。其后，将粘接剂层与隔离膜一起贴合在基材隔离膜上。
接着，从切割片11和芯片接合薄膜16分别剥离隔离膜，以使粘接剂层14和芯片接合薄膜16成为贴合面的方式将两者进行贴合。贴合例如可以通过压接来进行。此时，对层压温度没有特别限定，例如优选为30～50℃、更优选为35～45℃。另外，对线压没有特别限定，例如优选为0.1～20kgf/cm、更优选为1～10kgf/cm。由此，得到带切割片的芯片接合薄膜10。
(半导体装置的制造方法)
接着，对半导体装置的制造方法进行说明。
以下对使用带切割片的芯片接合薄膜10的半导体装置的制造方法进行说明。然而，本发明中，也可以不使用带切割片的芯片接合薄膜10、而是使用芯片接合薄膜16来制造半导体装置。此时，只要进行在芯片接合薄膜16上贴合切割片11而制成带切割片的芯片接合薄膜10的工序，则其后可以与使用带切割片的芯片接合薄膜10的半导体装置的制造方法相同。因此，以下一边参照图2～图8，一边对使用带切割片的芯片接合薄膜10的半导体装置的制造方法进行说明。
需要说明的是，在芯片接合薄膜16上贴合切割片11的工序位于照射激光而在半导体晶圆的预分割线上形成改性区域的工序(工序B)之前或之后均可，但优选为之前。
图2～图8是用于说明本实施方式的半导体装置的一个制造方法的截面示意图。
首先，如图2所示，在半导体晶圆4的表面4F(电路形成面)贴合背面磨削带44(工序A-1)。作为背面磨削带44，可以采用以往公知的背面磨削带。作为半导体晶圆4，例如可以使用厚度1～800μm的半导体晶圆。
接着，如图3所示，在背面磨削带44的保持下，利用磨削磨石45进行半导体晶圆4的背面磨削，将半导体晶圆4薄型化(工序A-2)。作为背面磨削后的半导体晶圆4的厚度，例如可以设为1～100μm、1～50μm等。
接着，如图4所示，将带切割片的芯片接合薄膜10以使芯片接合薄膜16为贴合面的方式贴合在背面磨削后的半导体晶圆4的背面4R(工序A)。此时，以贴合了背面磨削带44的状态在半导体晶圆4的背面4R贴合带切割片的芯片接合薄膜10。本工序可以一边通过压接辊等按压手段来按压一边进行。对固定时的贴附温度没有特别限定，优选为40～80℃的范围内。
对半导体晶圆4贴合背面磨削带44、带切割片的芯片接合薄膜10可以使用以往公知的带贴附装置，半导体晶圆的背面磨削也可以使用以往公知的磨削装置。
接着，如图5所示，从带切割片的芯片接合薄膜10侧对半导体晶圆4照射激光48，在半导体晶圆4的预分割线上形成改性区域4L(工序B)。预分割线以能够将半导体晶圆4分割为多个半导体芯片的方式在半导体晶圆4中设定为格子状。本方法是如下的方法：使集光点对准半导体晶圆的内部并沿着格子状的预分割线照射激光，通过多光子吸收造成的烧蚀，在半导体晶圆的内部形成改性区域。作为激光照射条件，在以下条件的范围内适当调整即可。
<激光照射条件>
(A)激光
Figure BDA0000691355710000271
(B)集光用透镜
倍率 100倍以下
NA 0.55
对激光波长的透过率 100％以下
(C)载置半导体基板的载置台的移动速度 280mm/秒以下
需要说明的是，关于照射激光而在预分割线上形成改性区域4L的方法，由于在日本特许第3408805号公报、日本特开2003-338567号公报中进行了详细说明，因此省略此处的详细说明。
在本实施方式中，使用波长1065nm下的透光率为80％以上的芯片接合薄膜16与波长1065nm下的透光率为80％以上的切割片11层叠而成的带切割片的芯片接合薄膜10。因此，所照射的波长1065nm的激光会透过带切割片的芯片接合薄膜10而照射到半导体晶圆4的背面4R。因此，能够在贴附了带切割片的芯片接合薄膜10的状态下，利用激光在半导体晶圆4的背面4R形成改性区域4L。
接着，如图6所示，将背面磨削带44从半导体晶圆4剥离(工序B-1)。
接着，通过对带切割片的芯片接合薄膜10施加拉伸张力，使半导体晶圆4与芯片接合薄膜16沿预分割线断裂，形成半导体芯片5(工序C)。本工序中，可以使用例如市售的晶圆扩展装置。具体而言，如图7的(a)所示，在贴合有半导体晶圆4的带切割片的芯片接合薄膜10的粘合剂层14周边部贴合切割环31后，固定于晶圆扩展装置32。接着，如图7的(b)所示，使顶起部33上升，对带切割片的芯片接合薄膜10施加张力。
此时，扩展速度(顶起部上升的速度)优选为1～400mm/秒、更优选为50～400mm/秒。通过使扩展速度为1mm/秒以上，能够容易地使半导体晶圆4与芯片接合薄膜16大致同时断裂。另外，通过使扩展速度为400mm/秒以下，能够防止切割片11断裂。
另外，扩展量(顶起部上升的量)优选为5～50mm、更优选为5～40mm、特别优选为5～30mm。通过使扩展量为5mm以上，能够使半导体晶圆4和芯片接合薄膜16容易断裂。另外，通过使扩展量为50mm以下，能够防止切割片11断裂。
另外，扩展温度根据需要在-50～100℃之间调节即可，在本发明中，优选为-20～30℃、更优选为-10～25℃。需要说明的是，芯片接合薄膜为低温时，断裂伸长少，容易断裂，因此在防止芯片接合薄膜的断裂不良造成的成品率降低的方面，扩展温度优选为更低的温度。
如此，通过对带切割片的芯片接合薄膜10施加拉伸张力，从而能够以半导体晶圆4的改性区域4L为起点在半导体晶圆4的厚度方向产生裂纹，并且使与半导体晶圆4密合的芯片接合薄膜16断裂，能够得到带芯片接合薄膜16的半导体芯片5。
如上所述，本实施方式中，能够在半导体晶圆4上贴附了带切割片的芯片接合薄膜10的状态下，利用激光在半导体晶圆4的背面形成改性区域。而且，在形成改性区域4L后，半导体晶圆4不会从带切割片的芯片接合薄膜10剥离，在该状态下，半导体晶圆4与芯片接合薄膜16沿预分割线断裂(工序C)。即，形成改性区域4L后，不会使半导体晶圆4成为单体的状态。因此，能够抑制在预分割线以外的部位产生裂纹、破损。
接着，为了将粘接固定在带切割片的芯片接合薄膜10上的半导体芯片5剥离而进行半导体芯片5的拾取(拾取工序)。作为拾取的方法，没有特别限定，可以采用以往公知的各种方法。例如可列举出：用针从带切割片的芯片接合薄膜10侧将各个半导体芯片5顶起，并利用拾取装置拾取被顶起的半导体芯片5的方法等。
作为拾取条件，没有特别限定，从防止破片的观点来看，针的顶起速度优选为5～100mm/秒、更优选为5～10mm/秒。
此处，在粘合剂层14为辐射线固化型、且未预先照射辐射线的情况下，拾取也可以在对该粘合剂层14照射紫外线等辐射线后进行。由此，粘合剂层14对芯片接合薄膜16的粘合力降低，半导体芯片5的剥离变得容易。其结果，能够进行拾取而不会损伤半导体芯片5。对紫外线照射时的照射强度、照射时间等条件没有特别限定，适当根据需要进行设定即可。另外，作为用于紫外线照射的光源，可以使用前述的光源。
接着，如图8所示，将所拾取的半导体芯片5夹着芯片接合薄膜16临时固定于被粘物6(固定工序)。作为被粘物6，可列举出引线框、TAB薄膜、基板或另行制作的半导体芯片等。被粘物6例如可以是容易变形的变形型被粘物，也可以是难以变形的非变形型被粘物(半导体晶圆等)。
作为前述基板，可以使用以往公知的基板。另外，作为前述引线框，可以使用Cu引线框、42合金引线框等金属引线框、由玻璃环氧树脂(glass-epoxy)、BT(双马来酰亚胺-三嗪)、聚酰亚胺等制成的有机基板。但是，本发明不限定于此，还包括能够将半导体芯片固定并与半导体芯片进行电连接而使用的电路基板。
接着，进行将被粘物6的端子部(内部引线)的前端与半导体芯片5上的电极极板(未图示)用键合引线7进行电连接的引线键合(引线键合工序)。作为前述键合引线7，例如可以使用金线、铝线或铜线等。关于进行引线键合时的温度，可以在80～250℃、优选为80～220℃的范围内进行。另外，在其加热时间为数秒～数分钟下进行。线连接可以在加热为前述温度范围内的状态下通过将基于超声波的振动能量和基于施加加压的压接能量组合使用来进行。本工序可以不进行芯片接合薄膜16的热固化而实施。另外，在本工序的过程中，由于芯片接合薄膜16，半导体芯片5与被粘物6没有固定在一起。
接着，利用封装树脂8来封装半导体芯片5(封装工序)。本工序是为了保护搭载于被粘物6的半导体芯片5、键合引线7而进行的。本工序可以通过利用模具将封装用树脂成型来进行。作为封装树脂8，例如使用环氧类的树脂。树脂封装时的加热温度通常在175℃下进行60～90秒钟，但本发明不限定于此，例如可以在165～185℃下固化数分钟。由此，使封装树脂固化并且夹着芯片接合薄膜3使半导体芯片5与被粘物6固定。即，在本发明中，即使在不进行后述的后固化工序的情况下，也能够在本工序中利用芯片接合薄膜16进行固定，能够有助于减少制造工序数量和缩短半导体装置的制造周期。
在前述后固化工序中，前使前述封装工序中未充分固化的封装树脂8完全地固化。即使在封装工序中芯片接合薄膜16未完全热固化的情况下，在本工序中也能够实现使芯片接合薄膜16与封装树脂8一同完全热固化。本工序中的加热温度因封装树脂的种类而异，例如为165～185℃的范围内，加热时间为0.5～8小时左右。
上述实施方式中，对将带芯片接合薄膜16的半导体芯片5临时固定于被粘物6后进行引线键合工序而不使芯片接合薄膜16完全热固化的情况进行了说明。然而，在本发明中，也可以进行通常的芯片接合工序，即，在将带芯片接合薄膜16的半导体芯片5临时固定到被粘物6上后，使芯片接合薄膜16热固化，然后进行引线键合工序。
需要说明的是，本发明的带切割片的芯片接合薄膜在将多个半导体芯片层叠而进行三维安装的情况下也可以适宜地使用。此时，可以在半导体芯片之间层叠芯片接合薄膜和间隔物，也可以在半导体芯片之间仅层叠芯片接合薄膜而不层叠间隔物，可以根据制造条件、用途等进行适当变更。
上述实施方式中，对进行半导体晶圆的背面磨削的情况进行了说明。然而，在本发明中，不限定于该例，也可以不进行半导体晶圆的背面磨削。此时，可以如下操作：使用与背面磨削带44同样的保护带，将半导体晶圆的表面贴附于前述保护带之后，不进行背面磨削，在半导体晶圆的背面贴合带切割片的芯片接合薄膜，然后，利用激光形成改性区域，剥离前述保护带后使半导体晶圆和芯片接合薄膜沿预分割线断裂。另外，也可以如下操作：在半导体晶圆的表面什么也不贴附，在半导体晶圆的背面贴附带切割片的芯片接合薄膜，然后从带切割片的芯片接合薄膜侧照射激光而形成改性区域，最后使半导体晶圆和芯片接合薄膜沿预分割线断裂。
实施例
以下，例示性地详细说明本发明的适宜的实施例。但是，对于该实施例中记载的材料、配混量等，在没有特别限定记载的情况下，该发明的主旨并不限定上述量。需要说明的是，以下“份”是指“重量份”。
<芯片接合薄膜的制作>
(实施例1)
使下述(a)～(d)溶于甲乙酮，得到浓度23重量％的粘接剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、以及丙烯腈为主单体的丙烯酸酯共聚物(NagaseChemteX Corporation制、商品名：SG-700AS、各主单体的含量：丙烯酸乙酯38重量％、丙烯酸丁酯40重量％、丙烯腈17重量％)
70份
(b)环氧树脂(DIC Corporation制、制品名：HP-7200L)
26份
(c)酚醛树脂(明和化成株式会社制、制品名：MEH-7800H、软化点：84℃)
24份
(d)填料(Admatechs Co.,Ltd.制、制品名：YA010C-SM1、平均粒径：0.01μm)
20份
将该粘接剂组合物溶液涂布在经有机硅脱模处理的厚度为38μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃下干燥2分钟。由此制作厚度20μm的芯片接合薄膜A。
(实施例2)
使下述(a)～(d)溶于甲乙酮，得到浓度23重量％的粘接剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、以及丙烯腈为主单体的丙烯酸酯共聚物(NagaseChemteX Corporation制、商品名：SG-P3、各主单体的含量：丙烯酸乙酯30重量％、丙烯酸丁酯39重量％、丙烯腈28重量％)
55份
(b)环氧树脂(DIC Corporation制、制品名：HP-4700)
26份
(c)酚醛树脂(明和化成株式会社制、制品名：MEH-7800-4L、软化点：60℃)
24份
(d)填料(Admatechs Co.,Ltd.制、制品名：SO-E5、平均粒径：0.5μm)
30份
将该粘接剂组合物溶液涂布在经有机硅脱模处理的厚度为38μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃下干燥2分钟。由此制作厚度20μm的芯片接合薄膜B。
(比较例1)
使下述(a)～(d)溶于甲乙酮，得到浓度23重量％的粘接剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸丁酯、以及丙烯腈为主单体的丙烯酸酯共聚物(Nagase ChemteXCorporation制、商品名：SG-700AS、各主单体的含量：丙烯酸乙酯38重量％、丙烯酸丁酯40重量％、丙烯腈17重量％)
170份
(b)环氧树脂(DIC Corporation制、制品名：HP-7200L)
26份
(c)酚醛树脂(明和化成株式会社制、制品名：MEH-7800H、软化点：84℃)
24份
(d)填料(Admatechs Co.,Ltd.制、制品名：SO-E5、平均粒径：1.5μm)
175份
将该粘接剂组合物溶液涂布在经有机硅脱模处理的厚度为38μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃下干燥2分钟。由此制作厚度20μm的芯片接合薄膜C。
(比较例2)
使下述(a)～(d)溶于甲乙酮，得到浓度23重量％的粘接剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯以及丙烯腈为主单体的丙烯酸酯共聚物(NagaseChemteX Corporation制、商品名：SG-700AS、各主单体的含量：丙烯酸乙酯38重量％、丙烯酸丁酯40重量％、丙烯腈17重量％)
50份
(b)环氧树脂(DIC Corporation制、制品名：HP-7200L)
54份
(c)酚醛树脂(明和化成株式会社制、制品名：MEH-8000H、软化点：低于-15℃)
56份
(d)填料(Admatechs Co.,Ltd.制、制品名：SO-E3、平均粒径：0.5μm)
5份
将该粘接剂组合物溶液涂布在经有机硅脱模处理的厚度为38μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃下干燥2分钟。由此制作厚度20μm的芯片接合薄膜D。
(芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率的测定)
测定实施例和比较例的芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率。具体而言，以下述条件测定实施例和比较例的芯片接合薄膜(厚度：20μm)，求出1065nm的透光率(％)。结果示于表1。
<透光率测定条件>
测定装置：紫外可见近红外分光光度计V-670DS(日本分光株式会社制)
波长扫描速度：2000nm/分钟
测定范围：300～1200nm
积分球单元：ISN-723
光斑直径：1cm见方
(芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂应力的测定)
测定实施例和比较例的芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂应力。具体而言，对于实施例、比较例的芯片接合薄膜，层叠使其厚度为200μm，并切断成各自初始长度40mm、宽度10mm的条状的测定片。接着，使用AUTOGRAPH(株式会社岛津制作所制)，在拉伸速度50mm/分钟、卡盘间距10mm的条件下测定-15℃下的拉伸断裂应力。结果示于表1。
(芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂伸长率的测定)
测定实施例和比较例的芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂伸长率。具体而言，对于实施例、比较例的芯片接合薄膜，切断成各自初始长度40mm、宽度10mm的条状的测定片。接着，使用AUTOGRAPH(株式会社岛津制作所制)，在拉伸速度50mm/分钟、卡盘间距10mm的条件下测定-15℃下的拉伸断裂伸长率。结果示于表1。
(芯片接合薄膜的损耗角正切tanδ的峰值温度的测定)
测定实施例和比较例的芯片接合薄膜的损耗角正切tanδ的峰值温度。具体而言，对于实施例、比较例的芯片接合薄膜，分别层叠为厚度200μm，制成宽度10mm、长度40mm的测定样品。接着，使用动态粘弹性测定装置(RSA(III)、Rheometric Scientific制)，在卡盘间距22.5mm、频率1Hz、升温速度10℃/分钟的条件下测定-50～300℃下的储能模量(E’)和损耗模量(E”)。另外，根据储能模量(E’)和损耗模量(E”)，通过以下的计算式算出损耗角正切tanδ。
损耗角正切tanδ＝E”/E’
通过将算出的损耗角正切(tanδ)相对温度作图而制成损耗角正切曲线，得到峰值温度。结果示于表1。
<切割片>
(实施例1)
如下所述地准备实施例1的切割片A。
在具备冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器中加入丙烯酸-2-乙基己酯(2EHA)70份、丙烯酸-2-羟基乙酯(HEA)25份、过氧化苯甲酰0.2份、以及甲苯60份，在氮气流中、61℃下聚合处理6小时，得到丙烯酸类聚合物A。
在该丙烯酸类聚合物A中加入2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)10份，在空气气流中、50℃下加成反应处理48小时，得到丙烯酸类聚合物A’。
接着，相对于丙烯酸类聚合物A’100份，加入光聚合引发剂(商品名“IRGACURE651”、Ciba Specialty Chemicals Inc.制)4份，制作粘合剂溶液。
将前述制备的粘合剂溶液涂布在PET剥离衬垫的实施了有机硅处理的面上，在120℃下加热交联2分钟，形成厚度20μm的粘合剂层前体。接着，准备具有聚丙烯层(厚度40μm)和聚乙烯层(厚度40μm)的2层结构的厚度80μm的基材薄膜，以聚丙烯层为贴合面，将基材薄膜贴合在该粘合剂前体表面。仅对粘合剂层前体的与半导体晶圆贴附部分(直径200mm)相当的部分(直径220mm)照射500mJ的紫外线，形成粘合剂层。由此，得到实施例1的切割片A。
(实施例2)
如下所述地得到实施例2的切割片B。
在具备冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器中加入丙烯酸-2-乙基己酯(2EHA)75份、丙烯酸-2-羟基乙酯(HEA)20份、过氧化苯甲酰0.2份、以及甲苯60份，在氮气流中、61℃下聚合处理6小时，得到丙烯酸类聚合物B。
在该丙烯酸类聚合物B中加入2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)8份，在空气气流中、50℃下加成反应处理48小时，得到丙烯酸类聚合物B’。
接着，相对于丙烯酸类聚合物B’100份，加入异氰酸酯类交联剂(商品名“CORONATEL”、日本聚氨酯株式会社制)1份、以及光聚合引发剂(商品名“IRGACURE 651”、CibaSpecialty Chemicals Inc.制)4份，制作粘合剂溶液。
将前述制备的粘合剂溶液涂布在PET剥离衬垫的实施了有机硅处理的面上，在120℃下加热交联2分钟，形成厚度30μm的粘合剂层前体。接着，准备具有聚丙烯层(厚度40μm)和聚乙烯层(厚度40μm)的2层结构的厚度80μm的基材薄膜，以聚丙烯层为贴合面，将基材薄膜贴合在该粘合剂前体表面。然后在50℃下保存24小时。仅对粘合剂层前体的与半导体晶圆贴附部分(直径200mm)相当的部分(直径220mm)照射500mJ的紫外线，形成粘合剂层。由此，得到实施例2的切割片B。
(比较例1)
作为比较例1的切割片，准备与实施例1同样的切割片A。
(比较例2)
作为比较例2的切割片，准备与实施例2同样的切割片B。
<带切割片的芯片接合薄膜的制作>
(实施例1)
将芯片接合薄膜A与切割片A贴合，作为实施例1的带切割片的芯片接合薄膜A。贴合条件设为40℃、10mm/秒、线压30kgf/cm。
(实施例2)
将芯片接合薄膜B与切割片B贴合，作为实施例2的带切割片的芯片接合薄膜B。贴合条件设为40℃、10mm/秒、线压30kgf/cm。
(比较例1)
将芯片接合薄膜C与切割片A贴合，作为比较例1的带切割片的芯片接合薄膜C。贴合条件设为40℃、10mm/秒、线压30kgf/cm。
(比较例2)
将芯片接合薄膜D与切割片B贴合，作为比较例2的带切割片的芯片接合薄膜D。贴合条件设为40℃、10mm/秒、线压30kgf/cm。
(带切割片的芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率的测定)
测定实施例和比较例的带切割片的芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率。具体而言，以下述条件对实施例和比较例的带切割片的芯片接合薄膜(厚度：实施例1和比较例1为120μm、实施例2和比较例2为130μm)进行测定，求出1065nm下的透光率(％)。结果示于表1。
<透光率测定条件>
测定装置：紫外可见近红外分光光度计V-670DS(日本分光株式会社制)
波长扫描速度：2000nm/分钟
测定范围：300～1200nm
积分球单元：ISN-723
光斑直径：1cm见方
(晶圆裂纹数评价)
将半导体晶圆(直径：12英寸、厚度：750μm)贴附于背面磨削带(日东电工株式会社制、制品名：UB-3102D)。贴附条件设为50℃、10mm/秒、线压30kgf/cm。
接着，在半导体晶圆的与贴附了背面磨削带的面相反侧的面上贴附实施例和比较例的带切割片的芯片接合薄膜。贴附条件设为60℃、10mm/秒、线压30kgf/cm。
接着，作为激光加工装置，使用株式会社东京精密制的ML300-Integration，从带切割片的芯片接合薄膜侧使集光点对准半导体晶圆的内部，沿着格子状(10mm×10mm)的预分割线照射激光，在半导体晶圆的内部形成改性区域。另外，对于激光照射条件，如下所述地进行。然后进行扩展。扩展条件设为-15℃、扩展速度200mm/秒、扩展量15mm。将该试验对各实施例、比较例进行10次。扩展后，清点在预分割线以外的部位以目视在晶圆中确认到裂纹的次数。结果示于表1。
(A)激光
Figure BDA0000691355710000391
(B)集光用透镜
倍率 50倍
NA 0.55
对激光波长的透过率 60％
(C)载置半导体基板的载置台的移动速度 100mm/秒
[表1]
Figure BDA0000691355710000392

Claims (11)

1.一种芯片接合薄膜，其特征在于，波长1065nm下的透光率为80％以上，所述芯片接合薄膜含有热塑性树脂、热固性树脂、填料和软化点为-15℃以上的酚醛树脂，所述热塑性树脂的含量为40.7重量％以上且90重量％以下，所述热固性树脂的含量为大于10重量％且70重量％以下，所述填料的平均粒径为0.001～1μm。
2.一种带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，其在切割片上设置有权利要求1所述的芯片接合薄膜，
所述带切割片的芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为50％以上。
3.根据权利要求2所述的带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂应力为50N/mm2以下。
4.根据权利要求2所述的带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂伸长率为30％以下。
5.根据权利要求2所述的带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合薄膜的损耗角正切tanδ的峰值温度为-15℃以上且低于50℃。
6.根据权利要求2所述的带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合薄膜含有将单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物，所述单体原料以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯。
7.根据权利要求2所述的带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，所述切割片由基材和粘合剂层构成，
所述粘合剂层含有将单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物，所述单体原料以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯。
8.一种半导体装置，其特征在于，其是使用权利要求1所述的芯片接合薄膜、或权利要求2～7中任一项所述的带切割片的芯片接合薄膜而制造的。
9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法使用了权利要求2～7中任一项所述的带切割片的芯片接合薄膜，该方法包括如下工序：
工序A，在半导体晶圆的背面贴合所述带切割片的芯片接合薄膜；
工序B，从所述带切割片的芯片接合薄膜侧对所述半导体晶圆照射激光，在所述半导体晶圆的预分割线上形成改性区域；
工序C，通过对所述带切割片的芯片接合薄膜施加拉伸张力，使所述半导体晶圆和构成所述带切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜沿所述预分割线断裂，形成半导体芯片。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其具有如下工序：
工序A-1，在半导体晶圆的表面粘贴背面磨削带；
工序A-2，在所述背面磨削带的保持下进行所述半导体晶圆的背面磨削，
在所述工序A-1和所述工序A-2之后进行所述工序A～所述工序C。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括在所述工序B之后将所述背面磨削带从所述半导体晶圆剥离的工序B-1，
在所述工序B-1之后进行所述工序C。
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