CN103013365A

CN103013365A - 晶片加工用带

Info

Publication number: CN103013365A
Application number: CN2011102867084A
Authority: CN
Inventors: 佐野透; 三原尚明; 盛岛泰正
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2011-09-23
Filing date: 2011-09-23
Publication date: 2013-04-03

Abstract

本发明涉及晶片加工用带，其为通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带，该晶片加工用带具有适于通过扩张截断粘接剂层的工序的均匀扩张性，在热收缩工序中即使不进行高温且长时间地受热也显示出充分的受热收缩性，且不会招致热收缩工序后的松弛所致的拾取不良。本发明的晶片加工用带10由基材膜11以及设于基材膜11上的粘附剂层12和设于粘附剂层12上的粘接剂层13构成，基材膜11为热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂。

Description

晶片加工用带

【技术领域】

本发明涉及通过扩张(エキスパンド)将粘接剂层沿着芯片截断(分断する)时所用的能够扩张的晶片加工用带。

【背景技术】

在IC等半导体装置的制造工序中，实施下述工序：对晶片背面进行磨削以使得电路图案形成后的晶片薄膜化的背面研磨工序；在半导体晶片的背面贴附具有粘附性和伸缩性的晶片加工用带后将晶片按芯片单元截断的切割工序；使晶片加工用带扩张的工序；对拾取经截断的芯片的工序；以及芯片粘贴(装配，mount)工序，其中，进一步地将拾取到的芯片粘接至引线框架或封装基板等，或者在叠层封装中将半导体芯片彼此层积、粘接。

在上述背面研磨工序中，使用表面保护带以保护晶片的电路图案形成面(晶片表面)免受污染。在晶片的背面磨削结束后从晶片表面剥离该表面保护带时，在将以下所述的晶片加工用带(切割-芯片粘贴带)贴合在晶片背面后，将切割-芯片粘贴带侧固定于吸附台，对表面保护带实施降低对晶片的粘接力的处理后，剥离表面保护带。对于剥离了表面保护带的晶片，其后将其以背面贴合有切割-芯片粘贴带的状态自吸附台取下，供给至其后的切割工序。另外，在表面保护带由紫外线等能量射线固化性成分构成的情况下，上述的降低粘接力的处理是指紫外线照射处理，在表面保护带由热固性成分构成的情况下，上述的降低粘接力的处理是指热照射(加热)处理。

在上述背面研磨工序之后的切割工序～装配工序中，使用在基材膜上依序层积有粘附剂层和粘接剂层的切割-芯片粘贴带。通常在使用切割-芯片粘贴带时，首先将切割-芯片粘贴带的粘接剂层贴合在半导体晶片的背面对半导体晶片进行固定，使用划片刀按芯片单元对半导体晶片和粘接剂层进行切割。其后，通过使带沿着半导体晶片的径向扩张来实施扩大芯片彼此的间隔的扩张工序。实施该扩张工序是为了在其后的拾取工序中提高利用CCD相机等时对芯片的识别性，并防止拾取芯片时相邻的芯片彼此接触所产生的芯片破损。其后，通过拾取工序，芯片从粘附剂层剥离，与粘接剂层一同被拾取，并通过装配工序直接粘接于引线框架或封装基板等。如此，通过使用切割-芯片粘贴带，可以将带有粘接剂层的芯片直接粘接在引线框架或封装基板等，因而能够省略粘接剂的涂布工序或另外在各芯片上粘接芯片粘贴膜的工序。

但是，在上述的切割工序中，由于如上所述使用划片刀对半导体晶片和粘接剂层一同进行切割，因而不仅会产生晶片的切削屑，还会产生粘接剂层的切削屑。对于粘接剂层的切削屑，由于其本身具有粘接功能，因而在切削屑填塞到晶片的切割槽的情况下，芯片彼此紧贴在一起，产生拾取不良等，半导体装置的制造成品率会降低。

为了解决上述的问题，有方案提出了如下的方法：在切割工序中，仅对半导体晶片用刀片进行切割，在扩张工序中，使切割-芯片粘贴带扩张，由此，对应各个芯片，将粘接剂层截断(例如专利文献1的[0055]～[0056])。通过这样的利用了扩张时的张力来截断粘接剂层的方法，不产生粘接剂的切削屑，在拾取工序中不会造成不良影响。

另外，近年来，作为半导体晶片的切断方法，提出了使用激光加工装置在不接触的情况下切断晶片的所谓隐形切割(Stealth Dicing)法。

例如，在专利文献2中，作为隐形切割法，公开了一种半导体基板的切断方法，该方法具备：片材夹着芯片粘贴树脂层(粘接剂层)贴附于半导体基板，调整焦点光，向该半导体基板的内部照射激光，由此在半导体基板的内部形成由多光子吸收所致的改性区域，在该改性区域形成预定切断部的工序；以及通过使片材扩展(扩张)从而沿预定切断部将半导体基板以及芯片粘贴树脂层切断的工序。

另外，作为使用了激光加工装置的半导体晶片的切断方法的其他方法，例如在专利文献3中提出了一种半导体晶片的分割方法，该方法包括下述工序：在半导体晶片的背面安装芯片粘贴用的粘接膜(粘接剂层)的工序；在背面安装有该粘接膜的半导体晶片的粘接膜侧贴上可拉伸的保护胶带的工序；从贴有保护胶带的半导体晶片的表面沿路线(street)照射激光光线，分割成一个个半导体芯片的工序；使保护胶带扩展(扩张)，对粘接膜施加拉伸力，使粘接膜按每个半导体芯片断裂的工序；以及将贴有已断裂的粘接膜的半导体芯片从保护胶带脱离的工序。

根据专利文献2和专利文献3所述的这些半导体晶片的切断方法，通过激光的照射和带的扩张，在不接触的情况下将半导体晶片切断，因而对半导体晶片的物理负荷小，可以进行半导体晶片的切断而会不产生在进行目前主流的刀片切割时那样的晶片的切削屑(chipping，屑)。并且，由于是通过扩张来截断粘接剂层的，因而也不会产生粘接剂层的切削屑。因此其作为可代替刀片切割的优异技术而受到瞩目。

在通过上述专利文献1～3所记载那样的扩张来截断粘接剂层的情况下，对于所使用的切割-芯片粘贴带，为了确实地将粘接剂层沿半导体芯片截断，要求基材膜具有均匀且各向同性的扩张性。这是由于，在基材膜局部出现扩张不充分的位置时，在该位置不能够向粘接剂层传送充分的拉伸力，不能截断粘接剂层。

但是，通常在对基材膜进行挤出成型时、或者作为产品将带卷绕成辊状时，切割-芯片粘贴带受到各向异性的力，产生变形应力，基材膜的扩张性不均匀且呈各向异性，这一点是众所周知的。因此，作为具有均匀扩张性的切割-芯片粘贴带，迄今已提出了数种方案(例如参照专利文献4～9)。

并且具有这样的问题：上述扩张后，由于上述带产生松弛，因而不能稳定地保持各个芯片的间隔，在搬运时相邻芯片间发生接触，引起粘接剂层的再粘连。为了解决该问题，有提案提出了将上述带制成受热收缩性带，在上述截断工序后对带加热使其收紧，保持芯片间的间隔的方法(例如参照专利文献10、11)。作为上述受热收缩性带，优选聚氯乙烯带(例如参照专利文献10[0008])。但是，上述聚氯乙烯带在使用后焚烧处理时会产生二噁英或作为其类似物的氯化芳香族烃，有可能给环境带来负担。

【现有技术文献】

【专利文献】

专利文献1：日本特开2007-5530号公报

专利文献2：日本特开2003-338467号公报

专利文献3：日本特开2004-273895号公报

专利文献4：日本特开平6-134941号公报

专利文献5：日本特开平11-199840号公报

专利文献6：日本特开2000-273416号公报

专利文献7：日本特开2001-11207号公报

专利文献8：日本特开2003-158098号公报

专利文献9：日本特开2009-231699号公报

专利文献10：日本特开2002-334852号公报

专利文献11：日本特开2007-27562号公报

【发明内容】

如上所述，若利用使用受热收缩性带在截断工序后对带进行加热使其收紧来保持芯片间的间隔的方法，则能够防止扩张后的带松弛所致的粘接剂层再粘连。但是，根据所使用的受热收缩性带的性能的不同，若未在高温且长时间地受热，则在受热收缩工序后会产生松弛，在拾取工序中会招致拾取不良。

本发明的目的在于提供一种晶片加工用带，其具有适合于通过扩张来截断粘接剂层的工序中的均匀扩张性，在热收缩工序中即使并未高温且长时间受热也显示出充分的受热收缩性，且不会招致热收缩工序后的松弛所致的拾取不良。

为了解决以上的课题，本发明的第1方式涉及通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带，该晶片加工用带的特征在于，其具有基材膜，并具有设于上述基材膜上的粘附剂层、以及设于上述粘附剂层上的粘接剂层，上述基材膜由JIS A1412中规定的热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂构成。

在第1方式的晶片加工用带中，由于基材膜使用热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂来构成，因而具有适合于通过扩张来截断粘接剂层的工序中的均匀扩张性，所制成的晶片加工用带例如在DDS(以株式会社DISCO社制造的DDS-2300为代表的装置)中即使在热收缩工序中没有高温且长时间地受热也显示出充分的受热收缩性、且不会招致热收缩工序后的松弛所致的拾取不良。

即，在非交联树脂中，由于分子链沿加工方向进行取向，因而扩张性呈各向异性；但若分子链间发生交联，则扩张性变为各向同性，能够很好地用于粘接剂层截断用的扩张工序。另外，由于基材的热传导率为0.15W/m·K以上，因此，树脂容易因受热而发生收缩，因而对于除去扩张工序中所产生的松弛的工序也是适合的。此外，由于基材的热传导率为0.15W/m·K以上，因此，树脂容易因受热而发生收缩，因而也不会招致热收缩工序后的松弛所致的拾取不良。另外，由于基材的热传导率为0.15W/m·K以上，因此，在热收缩工序中无需高温且长时间地受热，并且能够防止加热引起粘附剂层与粘接剂层密合所致的拾取不良。

本发明的第2方式为上述第1方式所涉及的晶片加工用带，其特征在于，上述热塑性交联树脂为乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或者乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物通过金属离子交联而成的离聚物树脂。

本发明的第3方式为上述第1方式所涉及的晶片加工用带，其特征在于，上述热塑性交联树脂是低密度聚乙烯或超低密度聚乙烯通过电子射线照射交联而成的。

本发明的第4方式为上述第1方式所涉及的晶片加工用带，其特征在于，上述热塑性交联树脂是乙烯-乙酸乙烯酯共聚物通过电子射线照射交联而成的。

本发明的第5方式为上述第1、第2、第3或第4方式所涉及的晶片加工用带，其特征在于，上述热塑性交联树脂的氯原子含量小于1质量％。

通过使用第2至第5方式的晶片加工用带，能够解决上述课题，同时能够提供环境负担小的晶片加工用带。

本发明的第6方式为上述第1、第2、第3或第4方式所涉及的晶片加工用带，其中，上述晶片加工用带用于含有下述工序(a)～工序(h)的半导体装置制造方法中：

(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；

(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序；

(c)在将半导体晶片加热到70～80℃的状态下，将上述晶片加工用带的粘接剂层贴合至上述半导体晶片的背面的工序；

(d)对于上述表面保护带，由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；

(e)对上述半导体晶片的预定分割部分照射激光，在该晶片的内部形成由多光子吸收所致的改性区域的工序；

(f)对上所述晶片加工用带进行扩张，从而将上述半导体晶片以及上述粘接剂层沿着截断线进行截断，得到2个以上带有上述粘接剂层的半导体芯片的工序；

(g)通过使上述晶片加工用带的不与上述半导体芯片重叠的部分受热收缩来除去上述扩张工序中出现的松弛，从而保持该半导体芯片的间隔的工序；以及

(h)从晶片加工用带的粘附剂层拾取带有粘接剂层的上述半导体芯片的工序。

本发明的第7方式为上述第1、第2、第3或第4方式所涉及的晶片加工用带，其中，上述晶片加工用带用于含有下述工序(a)～工序(h)的半导体装置制造方法中：

(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序；

(c)在将半导体晶片加热到70～80℃的状态下，将上述晶片加工用带的粘接剂层贴合至半导体晶片的背面的工序；

(e)从上述半导体晶片的表面沿着截断线照射激光，截断成一个个半导体芯片的工序；

(f)对上述晶片加工用带进行扩张，从而按每个上述半导体芯片截断上述粘接剂层，得到2个以上带有上述粘接剂层的半导体芯片的工序；

本发明的第8方式为上述第1、第2、第3或第4方式所涉及的晶片加工用带，其中，上述晶片加工用带用于含有下述工序(a)～工序(h)的半导体装置制造方法中：

(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序；

(e)使用划片刀沿着截断线对上述半导体晶片进行切削，截断为一个个半导体芯片的工序；

本发明的第9方式为上述第1、第2、第3或第4方式所涉及的晶片加工用带，其中，上述晶片加工用带用于含有下述工序(a)～工序(h)的半导体装置的制造方法中：

(a)使用划片刀沿着截断线预定线对形成有电路图案的半导体晶片进行切削，切削至小于晶片厚度的深度；

(b)在上述半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；

(c)对上述半导体晶片背面进行磨削来截断为一个个半导体芯片的背面研磨工序；

(d)在将半导体晶片加热到70～80℃的状态下，将上述晶片加工用带的粘接剂层贴合至上述半导体芯片的背面的工序；

(e)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；

(g)通过使上述晶片加工用带的不与上述半导体芯片重叠的部分进行受热收缩来除去上述扩张工序中出现的松弛，从而保持该半导体芯片的间隔的工序；以及

h)从晶片加工用带的粘附剂层拾取带有粘接剂层的上述半导体芯片的工序。

在本发明的晶片加工用带中，由于基材膜是使用热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂构成的，因而所制成的晶片加工用带具有适于通过扩张来截断粘接剂层的工序的均匀扩张性，并在热收缩工序中显示出即使未在高温且长时间地受热也显示出充分的受热收缩性且不会引起热收缩工序后因松弛所致的拾取不良。

即，在非交联树脂中，由于分子链沿加工方向取向，因而扩张性呈各向异性；但若分子链间发生交联，则扩张性呈变为各向同性，能够很好地用于粘接剂层截断用的扩张工序。另外，由于基材的热传导率为0.15W/m·K以上，因此，树脂容易因受热而发生收缩，因而适合用于除去扩张工序中所发生的松弛的工序。此外，由于基材的热传导率为0.15W/m·K以上，因此，树脂容易因受热而发生收缩，因而也不会招致热收缩工序后因松弛所致的拾取不良。

【附图说明】

图1为示出本发明的实施方式所涉及的晶片加工用带以及表面保护带贴合于半导体晶片的状态的截面图。

图2为示出表面保护用带贴合于半导体晶片的状态的截面图。

图3为用于说明将半导体晶片和环形框架贴合与晶片加工用带的工序的截面图。

图4为用于说明由半导体晶片的表面剥离表面保护带的工序的截面图。

图5为示出采用激光加工在半导体晶片形成了改性区域后的情况的截面图。

图6(a)为示出晶片加工用带搭载于扩张装置的状态的截面图。图6(b)为示出扩张后的晶片加工用带、粘接剂层以及半导体晶片的截面图。

图7为用于说明热收缩工序的截面图。

【符号说明】

10晶片加工用带

11基材膜

12粘附剂层

13粘接剂层

14表面保护带

20环形框架

21载置台(ステ一ヅ)

22上推(突き上げ)部件

25加热台

26吸附台

27紫外线光源

28受热收缩区域

29热风喷嘴

【具体实施方式】

下面基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。

图1为示出在本发明实施方式的晶片加工用带10上贴合有半导体晶片W的状态的截面图。在半导体晶片W的电路图案形成面(晶片表面)贴合有用于在对晶片背面进行磨削的背面研磨工序保护电路图案的表面保护带14。另外，在半导体晶片W的背面贴合有晶片加工用带10。本发明的晶片加工用带10为在通过扩张将粘接剂层13沿着芯片截断时所用的能够扩张的带。该晶片加工用带10具有基材膜11，并具有设于基材膜11上的粘附剂层12以及设于粘附剂层12上的粘接剂层13，半导体晶片W的背面贴合在粘接剂层13上。另外，各层可以根据使用工序或装置预先切割(预切割)成预定形状。进一步地，本发明的晶片加工用带包括切断成了每一片晶片大小的形态以及将长尺寸的形成有多个上述大小的片材卷取成辊状的形态。下面对各层的构成进行说明。

<基材膜>

基材膜11由JIS A1412中规定的热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂构成。通过使用这样的构成的基材膜11，能够实现具有在对粘接剂层13进行截断的扩张工序中能够使用的均匀且各向同性的扩张性的晶片加工用带10。而且，对于交联树脂，相比于非交联树脂，其对拉伸的复原力较大，因而在扩张工序后的延伸状态下施加热对该树脂进行软化时的收缩应力变大，在扩张工序后在带上所产生的松弛可通过受热收缩进行去除，可以通过使带收紧来稳定保持各个半导体芯片的间隔。另外，若热传导率过低，则在上述受热收缩时，需要过多的热量，该热会使粘接剂层13与粘附剂层12密合，因而不是优选的。另外，扩张工序中所产生的松弛难以充分去除。进一步地，也可能会由于热收缩工序后的松弛而引起拾取不良。因而，热传导率的下限为0.15W/m·K左右是适当的。

作为上述热塑性交联树脂，只要为JIS A1412中所规定的热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂，任何物质都是可以的，但对于利用金属离子对乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或者乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸进行交联而成的离聚物树脂来说，从均匀扩张性的方面来看，其适于扩张工序；且从由于交联而在加热时发挥出强复原力的方面考虑，其在除去扩张工序中产生的带的松弛的工序中也是特别适当的。另外，由于上述离聚物树脂在分子链的构成中不含有氯，因而即使在使用后对不需要的带进行焚烧处理，也不会产生二噁英或其类似物之类的氯化芳香族烃，因而环境负担也小。上述离聚物树脂所含有的金属离子可以为任意金属离子，但从溶出性低的方面来说、特别是从低污染性的方面来说，特别优选锌离子。作为用于提高热传导率的调整方法，例如优选增大乙烯结构域的比例以提高结晶性，或者优选增加金属离子添加量以增多交联点。

作为上述热塑性交联树脂，除了上述离聚物树脂之外，通过对比重0.910以上～小于0.930的低密度聚乙烯或者比重小于0.910的超低密度聚乙烯照射电子射线而进行交联的物质也是适当的。对于该热塑性交联树脂，由于交联部位和非交联部位在树脂中共存，因而具有一定的均匀扩张性，从而适于上述扩张工序；从加热时发挥出较强的复原力的方面考虑，在用于除去扩张工序中产生的带的松弛的工序中也是特别适当的。通过适当调整对低密度聚乙烯或者超低密度聚乙烯进行照射的电子射线的量，可以得到热传导率为0.15W/m·K以上且具有充分的均匀扩张性的树脂。此外，由于经上述电子射线交联而成的聚乙烯在分子链的构成中不含有氯，因而即使在使用后对不需要的带进行焚烧处理，也不会产生二噁英或其类似物之类的氯化芳香族烃，因而环境负担也小。

作为上述热塑性交联树脂，除了上述离聚物树脂及经电子射线交联的聚乙烯之外，通过对乙烯-乙酸乙烯酯共聚物照射电子射线进行交联而成的树脂也是适当的。对于该热塑性交联树脂，从在加热时发挥出较强的复原力的方面考虑，在除去扩张工序中产生的带的松弛的工序中是特别适宜的。由于经上述电子射线交联的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物在分子链的构成中也不含有氯，因而即使在使用后对不需要的带进行焚烧处理，也不会产生二噁英或其类似物之类的氯化芳香族烃，因而环境负担也小。

另外，在图1所示的示例中，基材膜11为单层的，但并不限定于此，也可以为2种以上的热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂进行层积而成的2层以上的多层结构。基材膜11的厚度并无特别规定，作为晶片加工用带10在扩张工序中足够强度(易于延伸、且不易破裂)的厚度，可以为50～200um左右，更优选为100um～150um。

作为多层基材膜11的制造方法，可以使用现有公知的挤出法、层积法等。在使用层积法的情况下，在层间可以存在粘接剂。作为粘接剂可以使用现有公知的粘接剂。

<粘附剂层>

粘附剂层12可以通过在基材膜11上涂布粘附剂来形成。对于构成本发明的晶片加工用带10的粘附剂层12没有特别限制，只要具有在切割时不会与粘接剂层13发生剥离、不会产生芯片飞散等不良的程度的保持性；具有在拾取时易于与粘接剂层13进行剥离的特性即可。为了提高切割后的拾取性，粘附剂层12优选为能量射线固化性的层，优选为在固化后容易与粘接剂层13进行剥离的材料。

例如，在本发明中，优选含有在分子中具有碘价为0.5～20的能量射线固化性碳-碳双键的化合物(A)进行加成选自多异氰酸酯类、三聚氰胺·甲醛树脂以及环氧树脂中的至少一种化合物(B)的加成反应而成的聚合物。此处，所谓能量射线为紫外线这样的光线、或为电子射线等电离性放射线。

下面对于作为粘附剂层12的主成分之一的化合物(A)进行说明。化合物(A)的能量射线固化性碳-碳双键的优选导入量以碘价计为0.5～20、更优选为0.8～10。若碘价为0.5以上，则能够得到能量射线照射后的粘附力降低的效果；若碘价为20以下，则能量射线照射后的粘附剂的流动性充分，在晶片加工用带10的扩张后能够充分得到芯片的间隙，因而能够抑制在拾取时各芯片的图象识别困难这样的问题。进一步地，化合物(A)本身具有稳定性，制造容易。

上述化合物(A)优选玻璃化转变点为-70℃～0℃，更优选为-66℃～-28℃。若玻璃化转变点为-70℃以上，则对伴随着能量射线照射的热的耐热性充分；若为0℃以下，则在表面状态粗糙的晶片中可以充分得到切割后的半导体芯片的防止飞散的效果。上述化合物(A)可以是用任意方法制造出来的，例如可以为将丙烯酸系共聚物与具有能量射线固化性碳-碳双键的化合物进行混合而成的物质，或者可以使用使具有官能团的丙烯酸系共聚物或具有官能团的甲基丙烯酸系共聚物(A1)与具有能够与其官能团进行反应的官能团且具有能量射线固化性碳-碳双键的化合物(A2)进行反应而得到的物质。

其中，具有上述官能团的化合物(A1)可以通过使丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯等具有能量射线固化性碳-碳双键的单体(A1-1)与具有能量射线固化性碳-碳双键且具有官能团的单体(A1-2)进行共聚来得到。作为单体(A1-1)，可以举出烷基链的碳原子数为6～12的丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯；或作为烷基链的碳原子数为5以下的单体的丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯；或与它们相同的甲基丙烯酸酯等。

作为单体(A1-1)，若使用碳原子数大的单体则玻璃化转变点变低，因而可以制作所期望的玻璃化转变点的物质。另外，只要在单体(A1-1)总质量的5质量％以下的范围内，除了玻璃化转变点之外，出于提高相容性与各种性能的目的，还可配合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳双键的低分子化合物，。

作为单体(A1-2)所具有的官能团，可以举出羧基、羟基、氨基、环状酸酐基、环氧基、异氰酸酯基等，作为单体(A1-2)的具体例，可以列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、2-羟基烷基丙烯酸酯类、2-羟基烷基甲基丙烯酸酯类、二醇单丙烯酸酯类、二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、N-烷基氨基丙烯酸乙酯类、N-烷基氨基甲基丙烯酸乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、缩水甘油基丙烯酸酯、甲基丙烯酸缩水甘油基酯、烯丙基缩水甘油基醚、多异氰酸酯化合物的部分异氰酸酯基经具有羟基或羧基以及能量射线固化性碳-碳双键的单体进行了氨基甲酸酯化的物质等。

作为化合物(A2)中所使用的官能团，在化合物(A1)所具有的官能团，即单体(A1-2)所具有的官能团为羧基或环状酸酐基的情况下，可以举出羟基、环氧基、异氰酸酯基等；在化合物(A1)所具有的官能团为羟基的情况下，可以举出环状酸酐基、异氰酸酯基等；在化合物(A1)所具有的官能团为氨基的情况下，可以举出环氧基、异氰酸酯基等；在化合物(A1)所具有的官能团为环氧基的情况下，可以举出羧基、环状酸酐基、氨基等；作为具体例，可以举出与单体(A1-2)的具体例中所列举的同样的基团。

在化合物(A1)与化合物(A2)的反应中，通过使未反应的官能团残留，能够制造出在酸值或羟值等特性方面为本发明中所规定的物质。在上述化合物(A)的合成中，作为利用溶液聚合进行反应的情况下的有机溶剂，可以使用酮类、酯系、醇系、芳香族系的物质，其中优选甲苯、乙酸乙酯、异丙醇、苯甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮等通常为丙烯酸系聚合物的良溶剂且沸点为60～120℃的溶剂；作为聚合引发剂，通常使用α，α′-偶氮二异丁基腈等偶氮二系、苯甲酰基过氧化物等有机过氧化物系等自由基引发剂。此时，可以根据需要合用催化剂、阻聚剂，通过调节聚合温度和聚合时间，可以得到所期望分子量的化合物(A)。此外，关于分子量调节，优选使用硫醇、四氯化碳系的溶剂。另外，该反应并不限于溶液聚合，利用本体聚合、悬浮聚合等其它方法也是可以的。

按以上方法可得到化合物(A)；本发明中化合物(A)的分子量优选为30万～100万左右。若不足30万，则凝集力变小，在切割晶片时，容易产生芯片的错位(ずれ)，图象识别可能会有困难。为了尽力防止该芯片的错位，优选分子量为40万以上。此外，若分子量超过100万，则在合成时和涂布时可能会发生凝胶化。需要说明的是，本发明中的分子量为聚苯乙烯换算的质量平均分子量。

化合物(A)若具有羟值达到5～100的OH基，则能量射线照射后的粘附力会减少，从而能够进一步降低拾取失误的危险性，因而是优选的。另外，化合物(A)优选具有酸值达到0.5～30的COOH基。此处，化合物(A)的羟值若过低，则能量射线照射后的粘附力降低的效果不充分；若过高，能量射线照射后的粘附剂的流动性有受损的倾向。另外，若酸值过低则对带的复原性的改善的效果不充分，若过高则粘附剂的流动性有受损的倾向。

接下来，对作为粘附剂层的另一主成分的化合物(B)进行说明。化合物(B)为选自多异氰酸酯类、三聚氰胺·甲醛树脂、和环氧树脂中的化合物，可以单独使用或两种以上组合使用。该化合物(B)作为交联剂发挥作用，通过与化合物(A)或基材膜反应而形成交联结构，利用该交联结构，以化合物(A)和(B)为主成分的粘附剂的凝集力在粘附剂涂布后得以提高。

对于多异氰酸酯类并无特别限制，例如可以举出4，4′-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、4，4′-二苯基醚二异氰酸酯、4，4′-〔2，2-双(4-苯氧基苯基)丙烷〕二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯、2，2，4-三甲基-六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4，4′-二环己基甲烷二异氰酸酯、2，4′-二环己基甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯等，具体可以使用CORONETL(日本聚氨酯株式会社制造；商品名)等。作为三聚氰胺·甲醛树脂，具体可以使用NIKALAC MX-45(三和化学株式会社制造；商品名)、MELAN(日立化成工业株式会社制造；商品名)等。作为环氧树脂，可以使用TETRAD-X(三菱化学株式会社制造；商品名)等。在本发明中，特别优选使用多异氰酸酯类。

作为(B)的添加量，需要按照相对于100质量份的化合物(A)为0.1～10质量份、优选为0.4～3质量份的比例进行选择。通过在该范围内进行选择，可以呈现出适当的凝集力，交联反应不会急剧地进行，所以粘附剂的配合及涂布等作业性良好。

另外，在本发明中，优选在粘附剂层12中含有光聚合引发剂(C)。对于粘附剂层12所含有的光聚合引发剂(C)没有特别限制，可以使用现有已知的物质。例如，可以举出二苯甲酮、4，4′-二甲氨基二苯甲酮、4，4′-二乙基氨基二苯甲酮、4，4′-二氯二苯甲酮等二苯甲酮类；苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮类；2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌类；2-氯噻吨酮、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶酰、2，4，5-三芳基咪唑二聚物(洛粉碱二聚物)、吖啶系化合物等，这些物质可以单独使用或2种以上组合使用。作为(C)的添加量，相对于100质量份化合物(A)优选为0.1～10质量份、更优选为0.5～5质量份。

进一步地，在本发明中所用的能量射线固化性的粘附剂中可以根据需要配合增粘剂、粘附调整剂、表面活性剂等、或其他改性剂等。另外可以适当添加无机化合物填料。

粘附剂层12的厚度优选至少为5μm、更优选为10μm以上。另外，粘附剂层12也可以由2层以上的层进行层积而构成。

<粘接剂层>

对于粘接剂层13，其贴合半导体晶片，进行切割后在对芯片进行拾取时，其与粘附剂层12剥离并附着于芯片，在将芯片固定于基板或引线框架时，其作为粘接剂使用。对粘接剂层13没有特别限定，只要为在切割-芯片粘贴带中通常使用的膜状粘接剂即可，优选为丙烯酸系胶粘粘接剂、环氧树脂/酚树脂/丙烯酸树脂的混合系胶粘粘接剂等。其厚度可以适当进行设定，并优选为5～100μm左右。

在本发明的晶片加工用带10中，对于粘接剂层13，其可以通过将预先对粘接剂层13进行膜化而成的膜(下面称为粘接膜)直接或间接层积在基材膜11上来形成。层积时的温度为10～100℃的范围，优选施加0.01～10N/m的线压。另外可以将粘接膜制成在分离板上形成了粘接剂层13的形式，在层积后剥离分离板，或者直接用作晶片加工用带10的罩膜，在贴合半导体晶片时剥离分离板。

粘接膜可以层积在粘附剂层12的整个面，也可以层积已预先对应于要贴合的半导体晶片进行了切割(预切割)的粘接膜。在层积了对应于半导体晶片的粘接膜的情况下，如图1所示，在贴合半导体晶片W的部分具有粘接剂层13，在贴合环形框架20的部分仅存在有粘附剂层12而不具有粘接剂层13。一般来说，由于粘接剂层13不易与被粘接体进行剥离，因而通过使用进行了预切割的粘接膜，可以将环形框架20与粘附剂层12进行贴合，获得了在使用后的带剥离时不易在环形框架20产生余胶(糊残り)这样的效果。

<用途>

作为本发明的晶片加工用带10的使用用途，只要用于至少含有通过扩张而截断粘接剂层13的工序的半导体装置的制造方法就没有特别限定。例如，可以适当地用于以下的半导体装置的制造方法(A)～(D)中。

半导体装置的制造方法(A)为含有下述工序的半导体装置的制造方法：

(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序；

(d)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；

(f)对上述晶片加工用带进行扩张，从而将上述半导体晶片以及上述粘接剂层沿着截断线截断，得到2个以上带有上述粘接剂层的半导体芯片的工序；

半导体装置的制造方法(B)为含有下述工序的半导体装置的制造方法：

(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序；

(d)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；

半导体装置的制造方法(C)为含有下述工序的半导体装置的制造方法：

(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序；

(d)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；

半导体装置的制造方法(D)为含有下述工序的半导体装置的制造方法：

(b)在上述半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；

(e)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；

<使用方法>

参照图2～图5对于将本发明的晶片加工用带10应用于上述半导体装置的制造方法(A)的情况下的带的使用方法进行说明。首先，如图2所示，在形成有电路图案的半导体晶片W的表面贴合含有紫外线固化性成分的表面保护带14，实施背面研磨工序，对半导体晶片W的背面进行磨削。

在背面研磨工序结束后，如图3所示，将半导体晶片W载置在晶片装配器(wafermounter)的加热台25上，并使半导体晶片W的表面侧朝下，然后在半导体晶片W的背面贴合晶片加工用带10。此处使用的晶片加工用带10层积有对应于所贴合的半导体晶片W的形状进行预先切断(预切断)的粘接膜，在与半导体晶片W进行贴合的面，设置有粘附剂层12在粘接剂层13露出区域的周围露出的区域。使该晶片加工用带10的粘接剂层13露出的部分与半导体晶片W的背面贴合，同时使粘接剂层13周围的粘附剂层12露出的部分与环形框架20贴合。此时，将加热台25设为70～80℃，由此来实施加热贴合。

接着，将贴合有晶片加工用带10的半导体晶片W从加热台25上搬出，如图4所示，以晶片加工用带10侧朝下的方式载置在晶片吸附台26上。并且，使用例如紫外线光源27由吸附固定于吸附台26的半导体晶片W的上方对表面保护带14的基材面侧照射1000mJ/cm²的紫外线，使表面保护带14对半导体晶片W的粘接力降低，从半导体晶片W的表面剥离表面保护带14。

接下来，如图5所示，对半导体晶片W的预定分割部分照射激光，在半导体晶片W的内部形成由多光子吸收所致的改性区域30。

接着，如图6(a)所示，将贴合有半导体晶片W和环形框架20的晶片加工用带10按照基材膜11侧朝下的方式载置于扩张装置的载置台21上。图中，符号22为扩张装置的中空圆柱形状的上推部件。

接下来，如图6(b)所示，在环形框架20被固定的状态下，使扩张装置的上推部件22上升，对晶片加工用带10进行扩张。作为扩张条件，扩张速度例如为10～500mm/sec，扩张量(上推量)例如为5～25mm。如此，晶片加工用带10沿着半导体晶片W的径向被拉伸，从而半导体晶片W以改性区域30为起点被截断成芯片单元。此时，对于粘接剂层13的粘接在半导体晶片W背面的部分，扩张所致的拉伸(变形)受到抑制，不会发生断裂；但在芯片C间的位置，带的扩张所产生的张力集中，出现断裂。因而，粘接剂层13也与半导体晶片W一起被截断。由此能够得到2个以上带有粘接剂层13的半导体芯片C。

接着，如图7所示，进行如下工序：使上推部件22返回至原位置，除去先前的扩张工序中所产生的晶片加工用带10的松弛，稳定地保持半导体芯片C的间隔。在该工序中，例如，对于晶片加工用带10中的半导体芯片C存在区域与环形框架20之间的圆环状的区域28，使用热风喷嘴29吹入90～120℃的热风，使基材膜11受热收缩，使晶片加工用带10收紧。其后，对粘附剂层12实施能量射线固化处理或热固化处理等，使粘附剂层12对粘接剂层13的粘附力减弱后，拾取半导体芯片C。

在上述那样的半导体装置的制造方法中，含有热塑性交联树脂的基材膜11对于扩张时所施加的拉伸的复原力大，且维氏软化点也低，因而容易因受热而发生收缩。因而，能够很好地适用于通过受热收缩来除去截断粘接剂层13的扩张工序后在晶片加工用带10所产生的松弛而使带收紧的工序中。

【实施例】

接下来，对为了明确本发明效果所进行的实施例和比较例进行详细说明，但本发明并不限于这些实施例。

实施例1～6、比较例1～8的晶片加工用带10分别使用表1、表2所示的基材膜11。构成作为其他结构的粘附剂层12的粘附剂组合物、构成粘接剂层13的粘接剂组合物和晶片加工用带10的制作方法是相同的。另外，在以下的说明中，MFR(熔融指数，Melt flow rate)按照JIS-K7210测定，拉伸强度按照JIS-K7162测定，密度按照JIS-K7112测定，熔点按照DSC(差示扫描热量测定)进行测定。

(1)样品的制作

(11)实施例1

(基材膜11的制作)

将通过自由基聚合法合成的乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸乙酯(质量比8∶1∶1)三元共聚物的锌离聚物a(密度0.96g/cm³、锌离子含量4质量％、氯含量不足1质量％、维氏软化点56℃、熔点86℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状，由此来制作成为基材膜11的支持基材1。

(粘附剂组合物1的制备)

通过对丙烯酸丁酯与丙烯酸-2-羟乙酯以及丙烯酸进行自由基聚合来得到丙烯酸系共聚物(分子量60万、羟值4.7mgKOH/g、酸值0.2mgKOH/g)。相对于100质量份的该丙烯酸系共聚物，添加30质量份作为光聚合性固化物的三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、添加2质量份作为多异氰酸酯的CORONETL(日本聚氨酯制造)、添加1质量份作为光聚合引发剂的Irgacure 184(日本Ciba-Geigy社制造)，将所得到的混合物溶解于乙酸乙酯，进行搅拌，制备粘附剂组合物1。

(粘接剂组合物1的制备)

在由50质量份作为环氧树脂的甲酚-线型酚醛环氧树脂(环氧当量197、分子量1200、软化点70℃)、1.5质量份作为硅烷偶合剂的γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、3质量份γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、30质量份平均粒径为16nm的二氧化硅填料构成的组合物中加入环己酮进行搅拌混合，进一步使用珠磨机进行90分钟的混炼。向其中加入100质量份通过丙烯酸丁酯与丙烯酸-2-羟乙酯的自由基聚合而合成的丙烯酸类树脂(分子量20万、羟值3.5mgKOH/g)、1质量份作为固化剂的CORONET L，进行搅拌混合，制备粘接剂组合物1。

(晶片加工用带10的制作)

在成为基材膜11的支持基材1上涂布粘附剂组合物1，并使干燥后的厚度为20μm，在110℃干燥3分钟，制备在基材膜11上形成有粘附剂层12的粘附片材。另外，将粘接剂组合物1涂布至经脱模处理的由聚乙烯-对苯二甲酸酯膜构成的剥离衬垫，并使干燥后的厚度为20μm，在110℃干燥3分钟，制作在剥离衬垫上形成有粘接剂层13的粘接膜。

接下来，将粘附片材剪裁为能够对环形框架20覆盖开口部地进行贴合这样的图3等所示的形状。另外，将粘接膜剪裁为能够覆盖半导体晶片W的背面这样的图3等所示的形状。另外，将上述粘附片材的粘附剂层12侧与上述粘接膜的粘接剂层13侧如图3等所示那样贴合，使得在粘接膜的周围有粘附剂层12露出的部分，由此制作晶片加工用带10。如此来制作依序层积有成为基材膜11的支持基材、能量射线固化型粘附剂层12、粘接剂层13的晶片加工用带10，将其作为实施例1的样品。

(1.2)实施例2

(基材膜11的制备)

将通过自由基聚合法合成的乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸乙酯(质量比8∶1∶1)三元共聚物的钠离聚物a(密度0.95g/cm³、钠离子含量3质量％、氯含量小于1质量％、维氏软化点64℃、熔点86℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状，由此来制作成为基材膜11的支持基材2。

使用该成为基材膜11的支持基材2、粘附剂组合物1、以及粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为实施例2的样品。

(1.3)实施例3

(基材膜11的制备)

将通过自由基聚合法合成的乙烯-甲基丙烯酸(质量比9.5∶0.5)二元共聚物的锌离聚物b(密度0.95g/cm³、锌离子含量2质量％、氯含量小于1质量％、维氏软化点81℃、熔点100℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状，由此来制作成为基材膜11的支持基材3。

使用该成为基材膜11的支持基材3、粘附剂组合物1、以及粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为实施例3的样品。

(1.4)实施例4

(基材膜11的制备)

将通过茂金属聚合法合成的超低密度聚乙烯ULDPEa(密度0.90g/cm³、氯含量小于1质量％、维氏软化点72℃、熔点90℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状后，使用中能量电子射线加速装置以加速电压1MeV、照射量20Mrad照射电子射线，由此来制作成为基材膜11的支持基材4。

使用该成为基材膜11的支持基材4、粘附剂组合物1、以及粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为实施例4的样品。

(1.5)实施例5

(基材膜11的制备)

将通过茂金属聚合法合成的低密度聚乙烯LDPEa(密度0.91g/cm³、氯含量小于1质量％、维氏软化点81℃、熔点102℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状后，使用中能量电子射线加速装置以加速电压1MeV、照射量20Mrad照射电子射线，由此来制作成为基材膜11的支持基材5。

使用该成为基材膜11的支持基材5、粘附剂组合物1、以及粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为实施例5的样品。

(1.6)实施例6

(基材膜11的制备)

将通过自由基聚合法合成的乙烯-乙酸乙烯酯(质量比9∶1)共聚物EVAa(密度0.93g/cm³、氯含量小于1质量％、维氏软化点69℃、熔点96℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状后，使用中能量电子射线加速装置以加速电压1MeV、照射量20Mrad照射电子射线，由此来制作成为基材膜11的支持基材6。

使用该成为基材膜11的支持基材6、粘附剂组合物1、以及粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为实施例6的样品。

(1.7)比较例1

(基材膜11的制备)

将通过自由基聚合法合成的乙烯-甲基丙烯酸(质量比8∶2)二元共聚物的钠离聚物b(密度0.94g/cm³、钠离子含量3质量％、氯含量小于1质量％、维氏软化点60℃、熔点89℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状，由此来制作成为基材膜11的支持基材7。

使用该成为基材膜11的支持基材7、粘附剂组合物1、以及粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为比较例1的样品。

(1.8)比较例2

(基材膜11的制备)

将通过自由基聚合法合成的乙烯-乙酸乙烯酯(质量比8∶2)共聚物EVAb(密度0.94g/cm³、氯含量小于1质量％、维氏软化点40℃、熔点80℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状后，使用中能量电子射线加速装置以加速电压1MeV、照射量20Mrad照射电子射线，由此来制作成为基材膜11的支持基材8。

使用该成为基材膜11的支持基材8以及粘附剂组合物1、粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为比较例2的样品。

(1.9)比较例3

(基材膜11的制备)

将通过自由基聚合法合成的乙烯-乙酸乙烯酯(质量比9∶1)共聚物EVAa(密度0.93g/cm³、氯含量小于1质量％、维氏软化点69℃、熔点96℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状，由此来制作成为基材膜11的支持基材9。

使用该成为基材膜11的支持基材9以及粘附剂组合物1、粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为比较例3的样品。

(1.10)比较例4

(基材膜11的制备)

将市售工业用聚氯乙烯a(增塑剂30质量％、密度1.45g/cm³、氯含量小于60质量％、维氏软化点76℃、熔点100℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状，由此来制作成为基材膜11的支持基材10。

使用该成为基材膜11的支持基材10以及粘附剂组合物1、粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为比较例4的样品。

(1.11)比较例5

(基材膜11的制备)

将通过茂金属聚合法合成的超低密度聚乙烯ULDPEa(密度0.90g/cm³、氯含量小于1质量％、维氏软化点72℃、熔点90℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状，由此来制作成为基材膜11的支持基材11。

使用该成为基材膜11的支持基材11以及粘附剂组合物1、粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为比较例5的样品。

(1.12)比较例6

(基材膜11的制备)

将通过茂金属聚合法合成的低密度聚乙烯LDPEa(密度0.91g/cm³、氯含量小于1质量％、维氏软化点81℃、熔点102℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状，由此来制作成为基材膜11的支持基材12。

使用该成为基材膜11的支持基材12以及粘附剂组合物1、粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为比较例6的样品。

(1.13)比较例7

(基材膜11的制备)

将日本Polychem社制NOVATEC PP FW4B(聚丙烯)(密度：0.90g/cm³、维氏软化点96℃、熔点：140℃)的树脂珠粒于180℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状，由此来制作成为基材膜11的支持基材13(在表2中简写为“PP”)。

使用该成为基材膜11的支持基材13以及粘附剂组合物1、粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为比较例7的样品。

(1.14)比较例8

(基材膜11的制备)

将JSR社制Dynaron1320P(氢化苯乙烯-丁二烯共聚物、氢化率90质量％以上、苯乙烯含量：10质量％、比重0.89、MFR：3.5g/10min、拉伸强度：4.1MPa、断裂伸长率：1300％、玻璃化转变温度：-50℃)的树脂珠粒于140℃进行熔融，使用挤出机成型为厚度100μm的长尺寸膜状，由此来制作成为基材膜11的支持基材14(在表2中简写为“弹性体”)。

使用该成为基材膜11的支持基材14以及粘附剂组合物1、粘接剂组合物1，利用与实施例1相同的手法来制作晶片加工用带10，将其作为比较例8的样品。

【表1】

【表2】

(2)样品的评价

(2.1)热传导率

对于实施例1～6和比较例1～8中所用的各基材膜11，基于JIS A1412在以下条件下测定热传导率。将结果示于表3的“热传导率”一栏。

测定方法：热绝缘材的热阻和热传导率的测定方法-第1部：保护热板法(GHP法)

测定环境：温度25℃、湿度50％

(2.2)外观

利用以下所示的方法，对于上述实施例以及上述比较例的各晶片加工用带，实施与上述半导体装置的制造方法(A)相当的下述半导体加工工序中的适合性试验。

(a)在形成有电路图案的半导体晶片表面贴合表面保护带的工序。

(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序。

(c)在将半导体晶片加热到70℃的状态下，将上述晶片加工用带的粘接剂层贴合至上述半导体晶片的背面，同时将晶片加工用环形框架与上述晶片加工用带的粘附剂层的不与粘接剂层重叠而露出的部分进行贴合的工序。

(d)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序。

(e)对上述半导体晶片的预定分割部分照射激光，在该晶片的内部形成由多光子吸收所致的改性区域的工序。

(f)对上述晶片加工用带进行10％扩张，从而沿着截断线将上述半导体晶片以及上述粘接剂层截断，得到2个以上带有上述粘接剂层的半导体芯片的工序。

(g)通过将上述晶片加工用带的不与上述半导体芯片重叠的部分(半导体芯片存在区域与环形框架之间的圆环状的区域)加热至90℃或120℃使其收缩来除去上述扩张工序中产生的松弛，从而保持该半导体芯片的间隔的工序。

上述实施例以及比较例的晶片加工用带在贴合至上述环形框架的状态的外观评价方面，对于在即将进行上述(f)的工序之前的晶片加工用带扩张前的状态以及刚完成上述(g)的工序后的晶片加工用带加热后的状态进行比较评价。结果示于表3的“外观”一栏。作为(f)、(g)工序的条件，扩张速度为300mm/sec、扩张量(上推量)为20mm、热收缩的热风温度为(1)90℃、(2)120℃。另外，在表3中，“○”表示复原至与扩张前相同的状态，“×”表示与扩张前相比较产生了松弛。

(2.3)拾取成功率

利用以下所示的方法，对于上述实施例以及上述比较例的各晶片加工用带，实施与上述的半导体装置的制造方法(A)相当的下述半导体加工工序中的适合性试验。

(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序。

(d)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序。

(e)对上述半导体晶片的预定分割部分照射激光，该晶片的内部形成由多光子吸收所致的改性区域的工序。

(f)对上述晶片加工用带进行10％扩张，从而将上述半导体晶片以及上述粘接剂层沿着截断线截断，得到2个以上带有上述粘接剂层的半导体芯片的工序。

作为使用了上述实施例以及比较例的晶片加工用带的情况下在贴合至上述环形框架的状态的拾取评价，对(h)工序中的成品率(拾取成功率)进行评价。作为(f)、(g)工序的条件，扩张速度为300mm/sec、扩张量(上推量)为20mm、热收缩的热风温度为(1)90℃、(2)120℃。

在(f)工序中，利用株式会社DISCO社制造的DDS-2300，将贴合于晶片加工用带的切割用环形框架利用株式会社DISCO社制造的DDS-2300的扩张环进行下按，使晶片加工用带的晶片贴合部位外周的不与晶片重叠的部分顶在圆形的上推部件上，由此来实施扩张。另外，所谓扩张量为按下前和按下后的环形框架与上推部件的相对位置的变化量。此外，在(g)工序后、(h)工序前，对于晶片加工用带的基材膜中与层积有粘粘接剂层的面相反一侧的面，利用金属卤化物高压汞灯，在氮气气氛下以30mW/cm²、200mJ/cm²的条件照射紫外线。并且对于100个经(h)工序进行了切割的芯片，利用Dies Picker装置(canon Machinery社制造、商品名CAP-300II)进行拾取试验，求出拾取成功率。结果示于表3的“拾取成功率”一栏。

【表3】

(3)总结

如表3所示，由受热收缩后的外观评价的结果可知，对于作为基材膜使用热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂的实施例1～6的晶片加工用带来说，即使受热收缩也未产生松弛或断裂。另外，由拾取成功率的评价可知，其具有良好的拾取性。与此相对，对于作为基材膜使用热传导率小于0.15W/m·K的热塑性树脂的比较例1～8的晶片加工用带来说，由受热收缩后的外观评价的结果可知，其由于受热收缩而产生了松弛、断裂。另外，由拾取成功率的评价可知，其拾取性差。

基于上述的结果，在热收缩性、拾取性的观点方面，作为晶片加工用带10的基材膜11使用热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂是有用的。

另外，上述半导体装置的制造方法B至D中，除了在扩张工序中就已经截断成一个个半导体芯片这一点以外，进行的是与半导体装置的制造方法A中的扩张工序、热收缩工序、拾取工序同样的工序。因而可知，使用实施例1～6和比较例1～8的晶片加工用带10时的结果呈与表3所示结果同样的结果；在热收缩性、拾取性的观点上，在半导体装置的制造方法B至D中使用本发明的晶片加工用带10也是有用的。另外，实施例1～6所示的基材膜11中，氯原子的含量小于1质量％，即使在使用后进行焚烧处理也不会产生二噁英或作为其类似物的氯化芳香族烃，不会对环境带来负担。

Claims

1.一种晶片加工用带，其为通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带，该晶片加工用带的特征在于，其具有基材膜；并具有设于上述基材膜上的粘附剂层、以及设于上述粘附剂层上的粘接剂层；上述基材膜由热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂构成。

2.权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，所述热塑性交联树脂含有乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物经金属离子交联而成的离聚物树脂。

3.权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，所述热塑性交联树脂含有乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物经金属离子交联而成的离聚物树脂。

4.权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，所述热塑性交联树脂为低密度聚乙烯通过电子射线照射交联而成的树脂、或为超低密度聚乙烯通过电子射线照射交联而成的树脂。

5.权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，所述热塑性交联树脂为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物通过电子射线照射交联而成的树脂。

6.权利要求1～5的任一项所述的晶片加工用带，其特征在于，所述热塑性交联树脂的氯原子含量小于1质量％。

7.权利要求1～5的任一项所述的晶片加工用带，其特征在于，所述晶片加工用带用于含有下述工序(a)～工序(h)的半导体装置制造方法中：

(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序；

(c)在将半导体晶片加热到70～80℃的状态下，将所述晶片加工用带的粘接剂层贴合至上述半导体晶片的背面的工序；

(d)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；

(f)对所述晶片加工用带进行扩张，从而将上述半导体晶片以及上述粘接剂层沿着截断线截断，得到2个以上带有上述粘接剂层的半导体芯片的工序；

8.权利要求1～5的任一项所述的晶片加工用带，其特征在于，所述晶片加工用带用于含有下述工序(a)～工序(h)的半导体装置制造方法中：

(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序；

(c)在将半导体晶片加热到70～80℃的状态下，将所述晶片加工用带的粘接剂层贴合至半导体晶片的背面的工序；

(d)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；

(f)对所述晶片加工用带进行扩张，从而按每个上述半导体芯片截断上述粘接剂层，得到2个以上带有上述粘接剂层的半导体芯片的工序；

9.权利要求1～5的任一项所述的晶片加工用带，其特征在于，所述晶片加工用带用于含有下述工序(a)～工序(h)的半导体装置制造方法中：

(b)对上述半导体晶片背面进行磨削的背面研磨工序；

(d)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；

10.权利要求1～5的任一项所述的晶片加工用带，其特征在于，所述晶片加工用带用于含有下述工序(a)～工序(h)的半导体装置的制造方法中：

(b)在上述半导体晶片表面贴合表面保护带的工序；

(d)在将半导体晶片加热到70～80℃的状态下，将所述晶片加工用带的粘接剂层贴合至上述半导体芯片的背面的工序；

(e)由上述半导体晶片表面剥离表面保护带的工序；