TWI461498B

TWI461498B - Cut sticky ribbon

Info

Publication number: TWI461498B
Application number: TW100134105A
Authority: TW
Inventors: Toru Sano; Naoaki Mihara; Yasumasa Morishima
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2011-09-22
Filing date: 2011-09-22
Publication date: 2014-11-21
Also published as: TW201313854A

Description

切割黏晶帶

本發明係關於一種利用延伸將接著劑層沿著晶片分割時所使用之可延伸之晶圓加工用帶。

於IC等半導體裝置之製造步驟實施如下步驟：為了使電路圖案形成後之晶圓薄膜化而研削晶圓背面之背面研磨步驟；於半導體晶圓之背面貼附有具有黏著性及伸縮性之晶圓加工用帶之後，以晶片為單位分割晶圓之切割步驟；延伸晶圓加工用帶之步驟；拾取經分割之晶片之步驟；進而將所拾取之晶片接著於引線框架或封裝基板等，或者，於堆疊封裝中，將半導體晶片彼此積層、接著之黏晶(貼片，mount)步驟。

於上述背面研磨步驟，為了保護晶圓之電路圖案形成面(晶圓表面)免受污染，而使用表面保護帶。晶圓之背面研削結束之後，於將該表面保護帶自晶圓表面剝離時，將以下描述之晶圓加工用帶(切割黏晶帶)貼合於晶圓背面後，將切割‧黏晶帶側固定於吸附台，對表面保護帶實施使對晶圓之接著力下降之處理之後，剝離表面保護帶。之後，剝離表面保護帶後之晶圓係於背面貼合有切割黏晶帶之狀態下自吸附台抬起，提供給下一切割步驟。再者，上述之所謂使接著力下降之處理係指，當表面保護帶由紫外線等能量線硬化性成分所構成之情形時以紫外線照射處理，當表面保護帶由熱硬化性成分所構成之情形時以熱照射(加熱)處理。

於上述背面研磨步驟後之切割步驟至安裝步驟，使用有基材膜上依序積層有黏著劑層及接著劑層之切割黏晶帶。一般而言，當使用切割黏晶帶之情形時，首先，於半導體晶圓之背面貼附切割黏晶帶之接著劑層，從而將半導體晶圓固定，且使用切割刀片對半導體晶圓及接著劑層以晶片為單位進行切割。之後實施延伸步驟，即，使帶於半導體晶圓之直徑方向延伸，藉此擴大晶片彼此間之間隔。實施該延伸步驟之目的在於：於之後的拾取步驟中，提高CCD相機等對晶片之識別性，並且防止拾取晶片時因鄰接之晶片彼此接觸而產生晶片破損。之後，於拾取步驟，晶片係與接著劑層一同自黏著劑層剝離而被拾取，且於安裝步驟，直接接著於引線框架或封裝基板等。如此，藉由使用切割黏晶帶，能夠將附有接著劑層之晶片直接接著於引線框架或封裝基板等，因此，可省略接著劑之塗佈步驟或另外將黏晶膜接著於各晶片之步驟。

然而，上述切割步驟中，因如上所述使用切割刀片對半導體晶圓及接著劑層一併進行切割，因此，不僅會產生晶圓之切削屑，亦會產生接著劑層之切削屑。接著劑層之切削屑自身具有接著功能，故當切削屑堵塞晶圓之切割槽之時，晶片彼此會黏在一起產生拾取不良等，從而半導體裝置之製造良率下降。

為了解決上述問題，提出如下方法：於切割步驟僅對半導體晶圓利用刮刀進行切割，於延伸步驟中，藉由使切割黏晶帶延伸而對應於各個晶片分割接著劑層(例如，專利文獻1之[0055]～[0056])。藉由如此之利用延伸時之張力之分割接著劑層之方法，不會產生接著劑之切削屑，拾取步驟中不會產生不良影響。

又，近年來，半導體晶圓之切斷方法，提出使用雷射加工裝置且能夠以非接觸之方式切斷晶圓之所謂隱形切割法(stealth dicing)。

例如，於專利文獻2，作為隱形切割法，揭示有具備如下步驟之半導體基板之切斷方法：於經由黏晶樹脂層(接著劑層)而貼附有片材之半導體基板的內部，對準焦點光照射雷射光，藉此，於半導體基板之內部形成因多光子吸收而產生之改質區域，且於該改質區域形成預定切斷部；以及，使片材擴展(延伸)，藉此沿著預定切斷部切斷半導體基板及黏晶樹脂層。

又，使用雷射加工裝置切斷半導體晶圓之另一種方法，例如，於專利文獻3提出一種半導體晶圓之分割方法，其包含如下步驟：於半導體晶圓之背面安裝黏晶用之接著膜(接著劑層)；於背面安裝有該接著膜之半導體晶圓之接著膜側，貼附可伸展之保護黏著帶；自貼附有保護黏著帶之半導體晶圓之表面，沿著路線(street)照射雷射光線，從而分割成各個半導體晶片；使保護黏著帶擴展(延伸)，而對接著膜賦予拉伸力，且對應於各個半導體晶片而斷裂接著膜；使貼附有斷裂之接著膜之半導體晶片自保護黏著帶脫離。

根據該等專利文獻2及專利文獻3記載之半導體晶圓之切斷方法，利用雷射光之照射及帶之延伸，而以非接觸之方式切斷半導體晶圓，故而，對於半導體晶圓之物理性負載較小，可切斷半導體晶圓，而不會出現如進行目前主流之刀刃切割法(blade dicing)時產生的晶圓之切削屑(碎屑)。又，藉由延伸而對接著劑層進行分割，故而，不會產生接著劑層之切削屑。因此，作為能代替刀刃切割法之優良技術而受到關注。

當如上述專利文獻1～3之記載所述之於藉由延伸分割接著劑層之情形時，為了於使用之切割黏晶帶，沿著半導體晶片確實地分割接著劑層，要求基材膜具有均勻且等向性之擴展性。其原因在於，當於基材膜局部產生擴展不充分之部位之情形時，於該部位無法傳遞充分之拉伸力於接著劑層，變得無法將接著劑層分割。

然而，一般而言，可知，於將基材膜擠出成形時、或作為產品而將帶捲繞成輥狀時，切割黏晶帶受到異向性之力，且產生應變應力，基材膜之擴展性變得不均勻且變為異向性。因此，目前為止提出多種方案作為具有均勻之擴展性之切割黏晶帶(例如，參照專利文獻4～9)。

又，上述延伸之後，上述帶產生鬆弛，故而，無法穩定地保持各個晶片之間隔，搬送時鄰接晶片之間會接觸從而導致接著劑層之再黏接等問題。為了解決該問題，提出如下方法：使用加熱收縮性帶作為上述帶，於上述分割步驟之後加熱帶且使其緊繃，保持晶片之間的間隔(例如，參照專利文獻10、11)。上述加熱收縮性帶，理想的是聚氯乙烯帶(例如，參照專利文獻10之[0008])。然而，當使用上述聚氯乙烯帶後將其焚燒處理時，可能會產生戴奧辛(dioxin)或其類似物即氯化芳香族烴，從而會對環境帶來負擔。

[專利文獻1]日本特開2007-5530號公報

[專利文獻2]日本特開2003-338467號公報

[專利文獻3]日本特開2004-273895號公報

[專利文獻4]日本特開平6-134941號公報

[專利文獻5]日本特開平11-199840號公報

[專利文獻6]日本特開2000-273416號公報

[專利文獻7]日本特開2001-11207號公報

[專利文獻8]日本特開2003-158098號公報

[專利文獻9]日本特開2009-231699號公報

[專利文獻10]日本特開2002-334852號公報

[專利文獻11]日本特開2007-27562號公報

如上所述，使用加熱收縮性帶，於分割步驟之後將帶加熱，而使其緊繃以保持晶片間的間隔之方法，藉此能夠防止因延伸後之帶之鬆弛所導致接著劑層再黏接。然而，根據使用之加熱收縮性帶之性能，若無法賦予高溫且長時間的熱量，則於加熱收縮步驟之後產生鬆弛，且於拾取步驟中引起產生拾取不良。

本發明之目的在於提供一種晶圓加工用帶，其具有均勻擴展性而適用於利用延伸來分割接著劑層之步驟，且於加熱收縮步驟即使未賦予高溫且長時間之熱量，亦可表現出充分之加熱收縮性，並且，不會產生加熱收縮步驟後之鬆弛所致之拾取不良情況。

為了解決以上課題，本發明之第1態樣係一種當利用延伸將接著劑層沿著晶片分割時所使用之可延伸之晶圓加工用帶，其具有基材膜、設於上述基材膜上之黏著劑層、及設於上述黏著劑層上之接著劑層，上述基材膜係由JIS A1412規定之熱傳導率為0.15W/m‧K以上之熱塑性交聯樹脂構成。

由於第1態樣之晶圓加工用帶，由於基材膜使用熱傳導率為0.15W/m‧K以上之熱塑性交聯樹脂而構成，故可作成下述之晶圓加工用帶：具有均勻擴展性而適用於利用延伸來分割接著劑層之步驟，例如DDS(Disco股份有限公司製造DDS-2300為代表之裝置)中，於加熱收縮步驟即使未賦予高溫且長時間之熱量，亦可表現出充分之加熱收縮性，並且，不會產生加熱收縮步驟後之鬆弛所致之拾取不良情況。

即，非交聯樹脂中之分子鏈係配向於加工方向故而擴展性成為異向性，但只要分子鏈之間交聯，則擴展性進一步成為等向性，亦可較佳地用於接著劑層分割用之延伸步驟中。又，由於基材的熱傳導率為0.15W/m‧K以上，樹脂會因加熱而容易收縮，故亦適用於用以消除延伸步驟中產生之鬆弛之步驟。又，由於基材的熱傳導率為0.15W/m‧K以上，故樹脂會因加熱而容易收縮，故亦不會產生加熱收縮步驟後之鬆弛所致之拾取不良。再者，由於基材的熱傳導率為0.15W/m‧K以上，故於加熱收縮步驟之後不需要賦予高溫且長時間之熱量，可防止黏著劑層與接著劑層因加熱而密合所產生之拾取不良。

於上述第1態樣之晶圓加工用帶，本發明之第2態樣之特徵在於，上述熱塑性交聯樹脂係由乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或者乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷酯三元共聚物以金屬離子交聯而成之離子聚合物樹脂。

於上述第1態樣之晶圓加工用帶，本發明之第3態樣之特徵在於，上述熱塑性交聯樹脂係低密度聚乙烯或者超低密度聚乙烯經電子束照射而交聯成者。

於上述第1態樣之晶圓加工用帶，本發明之第4態樣之特徵在於，上述熱塑性交聯樹脂係乙烯-乙酸乙烯酯共聚物經電子束照射而交聯成者。

於上述第1、第2、第3、或第4態樣之晶圓加工用帶，本發明之第5態樣之特徵在於，上述熱塑性交聯樹脂之氯原子含量未達1質量%。

根據第2至第5態樣之晶圓加工用帶，可提供能夠解決上述問題、且環境負擔低的晶圓加工用帶。

於上述第1、第2、第3、或第4態樣之晶圓加工用帶，本發明之第6態樣之特徵在於，上述晶圓加工用帶係使用於包含如下步驟之半導體裝置之製造方法：

(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶之步驟；

(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；

(c)於將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在上述半導體晶圓之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層之步驟；

(d)上述表面保護帶自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟；

(e)對上述半導體晶圓之預定分割部分照射雷射光，從而於該晶圓之內部形成因多光子吸收而產生之改質區域之步驟；

(f)藉由延伸上述晶圓加工用帶，以沿著分割線分割上述半導體晶圓及上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片之步驟；

(g)使上述晶圓加工用帶之不與上述半導體晶片重疊之部分加熱收縮，藉此消除上述延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔之步驟；及

(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有接著劑層之上述半導體晶片之步驟。

於上述第1、第2、第3、或第4態樣之晶圓加工用帶，本發明之第7態樣之特徵在於，上述晶圓加工用帶係使用於包含如下步驟之半導體裝置之製造方法：

(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；

(e)自上述半導體晶圓之表面沿著分割線照射雷射光，分割成各個半導體晶片之步驟；

(f)藉由延伸上述晶圓加工用帶，對應於每一個上述半導體晶片而分割上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片之步驟；

於上述第1、第2、第3、或第4態樣之晶圓加工用帶，本發明之第8態樣之特徵在於，上述晶圓加工用帶係使用於包含如下步驟之半導體裝置之製造方法：

(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；

(e)使用切割刀片沿著分割線切削上述半導體晶圓，從而分割成各個半導體晶片之步驟；

於上述第1、第2、第3、或第4態樣之晶圓加工用帶，本發明之第9態樣之特徵在於，上述晶圓加工用帶係使用於包含如下步驟之半導體裝置之製造方法：

(a)使用切割刀片，沿著分割線預定線將形成有電路圖案之半導體晶圓切削至未達晶圓厚度之深度之步驟；

(b)於上述半導體晶圓表面上貼合表面保護帶之步驟；

(c)研削上述半導體晶圓背面而分割成各個半導體晶片之背面研磨步驟；

(d)於將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在上述半導體晶片之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層之步驟；

(e)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟；

於本發明之晶圓加工用帶，基材膜使用熱傳導率為0.15 W/m‧K以上之熱塑性交聯樹脂而構成，故可作成下述之晶圓加工用帶：具有均勻擴展性而適用於利用延伸來分割接著劑層之步驟，且於加熱收縮步驟即使未賦予高溫且長時間之熱量，亦可表現出充分之加熱收縮性，並且，不會產生加熱收縮步驟後之鬆弛所致之拾取不良情況。

即，非交聯樹脂中之分子鏈係配向於加工方向故而擴展性成為異向性，但只要分子鏈之間交聯，則擴展性進一步成為等向性，亦可較佳地用於接著劑層分割用之延伸步驟中。又，由於基材的熱傳導率為0.15W/m‧K以上，故樹脂會因加熱而容易收縮，故亦適用於用以消除延伸步驟中產生之鬆弛之步驟。又，由於基材的熱傳導率為0.15W/m‧K以上，故樹脂會因加熱而容易收縮，故亦不會產生加熱收縮步驟後之鬆弛所致之拾取不良。

以下，參照圖式對本發明之實施形態進行詳細說明。

圖1係表示於本發明之實施形態之晶圓加工用帶10貼合有半導體晶圓W的狀態之剖面圖。於半導體晶圓W之電路圖案形成面(晶圓表面)，利用研削晶圓背面之背面研磨步驟，貼合用於保護電路圖案之表面保護帶14。又，於半導體晶圓W之背面貼合晶圓加工用帶10。本發明之晶圓加工用帶10係利用延伸將接著劑層13沿著晶片分割時所使用之可延伸的帶。該晶圓加工用帶10具有基材膜11、設於基材膜11上之黏著劑層12、及設於黏著劑層12上之接著劑層13，且接著劑層13貼合於半導體晶圓W之背面。再者，各個層亦可配合使用步驟或裝置而預先切斷(預切割)成指定形狀。進而，本發明之晶圓加工用帶包含下述型態：對應於每1塊晶圓進行切斷之形態、與將形成有多個該晶圓加工用帶之長形片材捲繞成輥狀之形態。以下，對各層之構成進行說明。

＜基材膜＞

基材膜11係由依據JIS A1412所規定之熱傳導率為0.15W/m‧K以上之熱塑性交聯樹脂構成。藉由使用具有如此構成之基材膜11，可實現能夠使用於分割接著劑層13之延伸步驟中之具有均勻且等向性之擴展性的晶圓加工用帶10。而且，與非交聯樹脂相比，交聯樹脂對於拉伸之恢復力較大，因此，於延伸步驟後之拉伸狀態下進行加熱而使該樹脂軟化時的收縮應力較大，可藉由加熱收縮而消除延伸步驟後帶所產生之鬆弛，且能使帶緊繃而穩定地保持各個半導體晶片之間隔。再者，若熱傳導率過低，則於上述加熱收縮時，需要過度之熱量，此熱密合接著劑層12與黏著劑層12，故而較不佳。又，難以充分消除於延伸步驟後產生之鬆弛。進而，亦有於加熱收縮步驟之後因鬆弛而引起拾取不良之虞。因此，熱傳導率的下限適當為0.15W/m‧K以上。

上述熱塑性交聯樹脂，只要為依據JIS K A1412所規定之熱傳導率為0.15W/m‧K以上者，則無任何限制；將乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或者乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸以金屬離子進行交聯而成之離子聚合物樹脂，於均勻擴展性方面適用於延伸步驟，且因交聯而使得加熱時具有較強之恢復力，該方面亦特別適用於消除延伸步驟中產生之帶之鬆弛的步驟。又，上述離子聚合物樹脂之分子鏈之構成中不含氯，故而，即便使用後對多餘之帶進行焚燒處理，亦不會產生戴奧辛或其類似物即氯化芳香族烴，故而環境負擔亦較小。上述離子聚合物樹脂所含之金屬離子可為任一種，但尤其是鋅離子，由於其溶出性較低，故特別是由低污染性方面而言較佳。提高熱傳導率之調整方法，例如，為了提高結晶性而使乙烯域(ethylene domain)比率變大較為理想，或者為了使交聯點變多而增加金屬離子添加量較為理想。

上述熱塑性交聯樹脂，除了上述離子聚合物樹脂之外，對比重為0.910以上～未達0.930之低密度聚乙烯或者比重未達0.910之超低密度聚乙烯照射電子束而使其交聯而成者亦較適宜。該熱塑性交聯樹脂，因交聯部位與非交聯部位共存於樹脂中，故具有一定之均勻擴展性，因此適於上述延伸步驟，並且，於加熱時具有較強之恢復力，該方面亦特別適於消除延伸步驟中產生之帶之鬆弛的步驟。藉由適當地調整對低密度聚乙烯或者超低密度聚乙烯照射之電子束之量，可獲得熱傳導率為0.15W/m‧K以上且具有充分之均勻擴展性的樹脂。又，上述經電子束交聯之聚乙烯係分子鏈之構成中不含氯，因此，使用後即便對多餘之帶進行焚燒處理，亦不會產生戴奧辛或其類似物即氯化芳香族烴，故而，環境負擔亦較小。

上述熱塑性交聯樹脂，除了上述離子聚合物樹脂或經電子束交聯之聚乙烯之外，藉由對乙烯-乙酸乙烯酯共聚物照射電子束而交聯所得者亦較適合。該熱塑性交聯樹脂於加熱時具有較強之恢復力，該方面特別適於消除延伸步驟中產生之帶之鬆弛的步驟。上述經電子束交聯之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之分子鏈之構成中亦不含氯，故而，即便於使用後對多餘之帶進行焚燒處理，亦不會產生戴奧辛或其類似物即氯化芳香族烴，故而，環境負擔亦較小。

再者，圖1所示之示例，基材膜11為單層，但並不限定於此，亦可為由2種以上之熱傳導率為0.15W/m.K以上之熱塑性交聯樹脂積層而成之2層以上之多層構造。基材膜11之厚度並無特別限制，但作為具有於晶圓加工用帶10之擴展步驟中容易拉伸、且不會斷裂之程度的充分之強度之厚度，較佳為50～200um左右，更佳為100um～150um。

多層基材膜11之製造方法，可使用先前已知之擠出法、層疊法等方法。當使用層疊法之情形時，層間亦可夾入有接著劑。接著劑可使用先前已知之接著劑。

＜黏著劑層＞

黏著劑層12可在基材膜11塗佈黏著劑而形成。構成本發明之晶圓加工用帶10之黏著劑層12並無特別限制，只要具有如下特性即可：切割時不會與接著劑層13剝離且不會產生晶片飛散等不良之程度的保持性，或拾取時與接著劑層13之剝離較容易。為了提高切割後之拾取性，黏著劑層12較佳為能量線硬化性者，且較佳為硬化後容易與接著劑層13剝離之材料。

例如，本發明，較佳為，含有由分子中具有碘值為0.5～20之能量線硬化性碳-碳雙鍵之化合物(A)與選自聚異氰酸酯類、三聚氰胺-甲醛樹脂、及環氧樹脂中之至少1種化合物(B)進行加成反應而成之聚合物。此處，所謂能量線，係指如紫外線之光線、或電子束等電離輻射線。

對於黏著劑層12之一個主成分即化合物(A)進行說明。化合物(A)之能量線硬化性碳-碳雙鍵之較佳的導入量，較佳為碘值為0.5～20，更佳為0.8～10。若碘值為0.5以上，則能夠獲得降低能量線照射後之黏著力之效果，而若碘值為20以下，則能量線照射後之黏著劑之流動性較充分、且晶圓加工用帶10擴展後晶片能獲得充分之間隙，因此，能夠抑制拾取時各晶片之影像識別變得困難的問題。進而，化合物(A)自身具有穩定性，製造較容易。

上述化合物(A)之玻璃轉移點較佳為-70℃～0℃，更佳為-66℃～-28℃。若玻璃轉移點為-70℃以上，則對於伴隨能量線照射而產生之熱的耐熱性較充分，而若為0℃以下，則可獲得充分防止表面狀態粗糙之晶圓之切割後半導體晶片飛散的效果。上述化合物(A)可由任意方法製造，可使用例如：丙烯酸系共聚物與具有能量線硬化性碳-碳雙鍵之化合物混合而成者；由具有官能基之丙烯酸系共聚物或者具有官能基之甲基丙烯酸系共聚物(A1)、與具有可與該官能基反應之官能基並且具有能量線硬化性碳-碳雙鍵之化合物(A2)反應而得者。

其中，上述具有官能基之化合物(A1)，可由丙烯酸烷酯或者甲基丙烯酸烷酯等具有能量線硬化性碳-碳雙鍵之單體(A1-1)、與具有能量線硬化性碳-碳雙鍵並且具有官能基之單體(A1-2)共聚而得。單體(A1-1)，可列舉：烷基鏈之碳數為6～12之丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸十二烷酯、丙烯酸癸酯，或者烷基鏈之碳數為5以下之單體，即丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、或者與該等相同之甲基丙烯酸酯等。

單體(A1-1)，因使用之單體之碳數越大則玻璃轉移點越低，故而能夠製作具有所欲之玻璃轉移點者。並且，除了玻璃轉移點之外，為了提高相溶性及各種性能，亦可於單體(A1-1)之總質量之5質量%以下之範圍內摻合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳雙鍵之低分子化合物。

具有單體(A1-2)之官能基，可列舉羧基、羥基、胺基、環狀酸酐基、環氧基、異氰酸酯基等，單體(A1-2)之具體例，可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、反丁烯二酸、鄰苯二甲酸、丙烯酸-2-羥基烷酯類、甲基丙烯酸-2-羥基烷酯類、二醇單丙烯酸酯類、二醇單甲基丙烯酸酯類、N-羥甲基丙烯醯胺、N-羥甲基甲基丙烯醯胺、烯丙醇、丙烯酸-N-烷基胺基乙酯類、甲基丙烯酸-N-烷基胺基乙基酯類、丙烯醯胺類、甲基丙烯醯胺類、順丁烯二酸酐、衣康酸酐、反丁烯二酸酐、鄰苯二甲酸酐、丙烯酸環氧丙基酯、甲基丙烯酸環氧丙基酯、烯丙基環氧丙基醚、將聚異氰酸酯化合物之異氰酸酯基之一部分以具有羥基或羧基及能量線硬化性碳-碳雙鍵之單體而胺酯化所得者等。

化合物(A2)中使用之官能基，當化合物(A1)、亦即單體(A1-2)具有之官能基為羧基或者環狀酸酐基之情形時，可列舉羥基、環氧基、異氰酸酯基等；當其為羥基時，可列舉環狀酸酐基、異氰酸酯基等；當其為胺基時，可列舉環氧基、異氰酸酯基等；當其為環氧基時，可列舉羧基、環狀酸酐基、胺基等，具體例可列舉與單體(A1-2)之具體例中所列舉者相同者。

化合物(A1)與化合物(A2)之反應中，殘留有未反應之官能基，藉此，可製造酸值或者羥值等特性係本發明所規定者。上述化合物(A)之合成中，藉由溶液聚合而進行反應時之有機溶劑可使用酮系、酯系、醇系、芳香族系，其中，較佳為甲苯、乙酸乙酯、異丙醇、苯甲基賽璐蘇、乙基賽璐蘇、丙酮、甲基乙基酮等一般為丙烯酸系聚合物之良溶劑且沸點為60℃～120℃之溶劑，聚合起始劑通常使用α,α'-偶氮雙異丁腈等偶氮雙系、過氧化苯甲醯等有機過氧化物系等自由基產生劑。此時，可根據需要併用觸媒、聚合抑制劑，且可藉由調節聚合溫度及聚合時間而獲得所欲之分子量之化合物(A)。又，關於調節分子量，較佳為使用硫醇、四氯化碳系之溶劑。再者，該反應並不限於溶液聚合，亦可利用塊狀聚合、懸浮聚合等其他方法。

雖然如上所述可獲得化合物(A)，但本發明中，化合物(A)之分子量較佳為30萬～100萬左右。若未達30萬，則凝集力變小，切割晶圓時容易產生晶片之偏移，影像識別變得困難。為了極力防止該晶片之偏移，分子量較佳為40萬以上。又，若分子量超過100萬，則合成時以及塗佈時可能會產生凝膠化。再者，本發明中之分子量係指聚苯乙烯換算之質量平均分子量。

若化合物(A)具有羥值為5～100之OH基，則藉由減少能量線照射後之黏著力可進一步降低拾取錯誤之危險性，故而較佳。又，較佳為，化合物(A)具有酸值為0.5～30之COOH基。此處，若化合物(A)之羥值過低，則能量線照射後之黏著力之降低效果不充分，而若過高，則有損壞能量線照射後之黏著劑之流動性之傾向。又，若酸值過低，則帶之恢復性之改善效果不充分，而若過高，則有損壞黏著劑之流動性之傾向。

接著，對於黏著劑層之另一主成分即化合物(B)進行說明。化合物(B)為選自聚異氰酸酯類、三聚氰胺-甲醛樹脂、以及環氧樹脂中之化合物，可單獨使用、或將2種以上組合使用。該化合物(B)係作為交聯劑而作用，藉由與化合物(A)或者基材膜反應所得之交聯結構，於塗佈黏著劑之後，能夠提高以化合物(A)及(B)為主成分之黏著劑之凝集力。

聚異氰酸酯類並不特別限制，可列舉例如：4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯、4,4'-二苯基醚二異氰酸酯、4,4'-[2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯等芳香族異氰酸酯，六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、離胺酸三異氰酸酯等，具體而言，可使用CORONATE L(商品名，日本聚氨酯(Nippon Polyurethane)股份有限公司製造)等。三聚氰胺-甲醛樹脂具體而言，可使用Nikalac MX-45(商品名，SANWA CHEMICAL股份有限公司製造)、MELAN(商品名，日立化成工業股份有限公司製造)等。環氧樹脂可使用TETRAD-X(商品名，三菱化學股份有限公司製造)等。本發明中，尤佳為使用聚異氰酸酯類。

關於(B)之添加量，相對於化合物(A)100質量份，必需以成為0.1～10質量份、較佳為0.4～3質量份之比例之方式進行選擇。藉由於該範圍內進行選擇，能成為適當之凝集力，且不會劇烈地進行交聯反應，故而，黏著劑之摻合或塗佈等之作業性較良好。

又，本發明中，較佳為，黏著劑層12中含有光聚合起始劑(C)。黏著劑層12所含之光聚合起始劑(C)並無特別限制，可使用先前已知者。可列舉例如：二苯甲酮、4,4'-二甲胺基二苯甲酮、4,4'-二乙胺基二苯甲酮、4,4'-二氯二苯甲酮等二苯甲酮類，苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮類，2-乙基蒽醌、第三丁基蒽醌等蒽醌類，2-氯-9-氧硫、安息香乙醚、安息香異丙醚、二苯乙二酮、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(咯吩二聚物)、吖啶系化合物等，該等可單獨使用、或將2種以上組合使用。關於(C)之添加量，相對於化合物(A)100質量份，較佳為0.1～10質量份，更佳為0.5～5質量份。

進而，本發明所使用之能量線硬化性黏著劑，可根據需要而摻合黏著賦予劑、黏著調整劑、界面活性劑等、或者其他改質劑等。又，亦可適當地添加無機化合物填料。

黏著劑層12之厚度至少為5μm，更佳為10μm以上。再者，黏著劑層12亦可為積層有多層之構成。

＜接著劑層＞

接著劑層13如下所述：於貼合有半導體晶圓且進行切割之後，當拾取晶片時，與黏著劑層12剝離且附著於晶片，使用為將晶片固定於基板或引線框架時之接著劑。接著劑層13並無特別限制，只要為一般使用於切割黏晶帶之膜狀接著劑即可，較佳為丙烯酸系黏接著劑、環氧樹脂/苯酚樹脂/丙烯酸樹脂之混合系黏接著劑等。其厚度可適當地設定，較佳為5μm～100μm左右。

本發明之晶圓加工用帶10中，接著劑層13亦可將預先使接著劑層13膜化而成者(以下稱作接著膜)直接或者間接地層疊於基材膜11上而形成。層疊時之溫度較佳為，於10℃～100℃之範圍施加0.01～10N/m之線壓。再者，接著膜可為於間隔件上形成有接著劑層13者，亦可為於層疊後將間隔件剝離、或者直接作為晶圓加工用帶10之防護膜使用而當貼合半導體晶圓時將其剝離。

接著膜可積層於黏著劑層12之整個面，但亦可積層預先切割成與貼合之半導體晶圓對應之形狀(預切割)的接著膜。於積層有與半導體晶圓對應之接著膜之情形時，如圖1所示，於貼合半導體晶圓W之部分存在接著劑層13，而於貼合環狀框架20之部分無接著劑層13而僅存在黏著劑層12。一般而言，接著劑層13不容易與被覆體剝離，故而，藉由使用經預切割之接著膜，可獲得如下效果：能夠使環狀框架20與黏著劑層12貼合，且當使用後進行帶剝離時環狀框架20不容易殘留糊劑。

＜用途＞

關於本發明之晶圓加工用帶10之使用用途，只要使用於至少包含藉由延伸而分割接著劑層13之步驟的半導體裝置之製造方法，則並無特別限制。例如，可較佳地適用於以下之半導體裝置之製造方法(A)～(D)中。

半導體裝置之製造方法(A)包含如下步驟：

(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；

(d)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟；

半導體裝置之製造方法(B)包含如下步驟：

(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；

(c)於將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在半導體晶圓之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層之步驟；

(d)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟；

(e)自上述半導體晶圓之表面沿著分割線照射雷射光，從而分割成各個半導體晶片之步驟；

半導體裝置之製造方法(C)包含如下步驟：

(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；

(d)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟；

半導體裝置之製造方法(D)包含如下步驟：

(b)於上述半導體晶圓表面上貼合表面保護帶之步驟；

(e)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟；

＜使用方法＞

關於將本發明之晶圓加工用帶10適用於上述半導體裝置之製造方法(A)之情形時的帶之使用方法，參照圖2～圖5進行說明。首先，如圖2所示，於形成有電路圖案之半導體晶圓W之表面，貼合由紫外線硬化性成分構成之表面保護帶14，且實施研削半導體晶圓W之背面之背面研磨步驟。

背面研磨步驟結束之後，如圖3所示，將半導體晶圓W之表面側朝下而將半導體晶圓W載置於晶圓貼片機(wafer mounter)之加熱器台25上之後，於半導體晶圓W之背面貼合晶圓加工用帶10。此處使用之晶圓加工用帶10係積層有預先切割成與貼合之半導體晶圓W對應之形狀(預切割)的接著膜者，於與半導體晶圓W貼合之面，在露出接著劑層13之區域之周圍設有露出黏著劑層12之區域。將該晶圓加工用帶10之露出接著劑層13之部分與半導體晶圓W之背面貼合，並且將接著劑層13之周圍的露出黏著劑層12之部分與環狀框架20貼合。此時，加熱器台25設定為70℃～80℃，藉此實施加熱貼合。

接著，將貼合有晶圓加工用帶10之半導體晶圓W自加熱器台25上搬出，如圖4所示，將晶圓加工用帶10側朝下而載置於晶圓吸附台26上。然後，自被吸附固定於吸附台26之半導體晶圓W之上方，例如使用紫外線光源27，將1000mJ/cm² 之紫外線照射於表面保護帶14之基材面側，使表面保護帶14對於半導體晶圓W之接著力下降，自半導體晶圓W之表面剝離表面保護帶14。

接著，如圖5所示，對半導體晶圓W之預定分割部分照射雷射光，從而於半導體晶圓W之內部形成因多光子吸收而產生之改質區域30。

接著，如圖6(a)所示，將於貼合有半導體晶圓W及環狀框架20之晶圓加工用帶10，以基材膜11側朝下而載置於延伸裝置的平台21。圖中，符號22表示延伸裝置之中空圓柱形狀之推頂構件。

接著，如圖6(b)所示，於固定環狀框架20之狀態下，使延伸裝置之推頂構件22上升，從而使晶圓加工用帶10延伸。延伸條件係，延伸速度為例如10～500mm/sec，延伸量(推頂量)為例如5～25mm。藉由如此使晶圓加工用帶10於半導體晶圓W之徑向拉伸，以改質區域30為起點而以晶片為單位分割半導體晶圓W。此時，接著劑層13係於與半導體晶圓W之背面接著之部分，因延伸而產生之拉伸(變形)受到抑制，故而未產生斷裂；但於晶片C之間的位置，因帶之延伸而產生之張力較集中，故產生斷裂。因此，接著劑層13亦與半導體晶圓W一同被分割。藉此，可獲得附有接著劑層13之多個半導體晶片C。

接著，如圖7所示，實施如下步驟：將推頂構件22恢復至原來之位置，消除先前之延伸步驟中產生的晶圓加工用帶10之鬆弛，從而穩定地保持半導體晶片C之間隔。該步驟中，例如，於晶圓加工用帶10之存在半導體晶片C之區域與環狀框架20之間的圓環狀區域28，使用溫風噴嘴29噴附90℃～120℃之溫風，使基材膜11加熱收縮，從而使晶圓加工用帶10緊繃。之後，對黏著劑層12實施能量線硬化處理或熱硬化處理等，減弱黏著劑層12對於接著劑層13之黏著力後，拾取半導體晶片C。

於上述之半導體裝置之製造方法中，由熱塑性交聯樹脂構成之基材膜11對於延伸時所施加之拉伸之恢復力較大，且維卡軟化點亦較低，故而加熱時容易收縮。因此，可較佳地適用於下述步驟：藉由加熱收縮而消除於分割接著劑層13之延伸步驟後的晶圓加工用帶10所產生之鬆弛，從而使帶緊繃的步驟。

【實施例】

接著，針對用於明確本發明之效果的實施例及比較例進行詳細說明，但本發明並不限於該等實施例。

實施例1～6、比較例1～8中之晶圓加工用帶10係分別使用表1、表2所示之基材膜11。其他構成即構成黏著劑層12之黏著劑組成物、構成接著劑層13之接著劑組成物及晶圓加工用帶10之製作方法係相同。再者，以下之說明中，MFR(Melt flow rate)係根據JIS-K7210進行測定，抗拉強度係根據JIS-K7162進行測定，密度係依據JIS-K7112進行測定，熔點係依據DSC(示差掃描熱量測定)進行測定。

(1)樣品之製作

(1.1)實施例1

(基材膜11之製作)

將利用自由基聚合法而合成之乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸乙酯(質量比為8: 1: 1)三元共聚物之鋅離子聚合物a(密度為0.96g/cm³ 、鋅離子含量為4質量%、氯含量未達1質量%、維卡軟化點為56℃、熔點為86℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機將其成形為厚度100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材1。

(黏著劑組成物1之製備)

使丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-羥基乙酯及丙烯酸進行自由基聚合，藉此獲得丙烯酸系共聚物(分子量為60萬，羥值為4.7mgKOH/g，酸值為0.2mgKOH/g)。相對於該丙烯酸系共聚物之100質量份，將添加作為光聚合性硬化物之三羥甲基丙烷三丙烯酸酯30質量份、作為聚異氰酸酯之CORONATE L(日本聚氨酯公司製造)2質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure184(日本Ciba-Geigy公司製造)1質量份所得之混合物溶解於乙酸乙酯，加以攪拌而製備黏著劑組成物1。

(接著劑組成物1之製備)

於由作為環氧樹脂之甲酚清漆型環氧樹脂(環氧當量為197，分子量為1200，軟化點為70℃)50質量份、作為矽烷偶合劑之γ-巰丙基三甲氧基矽烷1.5質量份、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷3質量份、平均粒徑為16nm之矽土填料30質量份構成之組成物中，添加環己酮並加以攪拌混合，進而使用珠磨機混練90分鐘。進而，添加由丙烯酸丁酯與丙烯酸-2-羥基乙酯經自由基聚合而合成之丙烯酸樹脂(分子量為20萬，羥值為3.5mgKOH/g)100質量份、作為硬化劑之CORONATE L 1質量份，進行攪拌混合，而製備接著劑組成物1。

(晶圓加工用帶10之製作)

於構成基材膜11之支持基材1上，以乾燥後之厚度為20μm之方式塗佈黏著劑組成物1，於110℃乾燥3分鐘，從而製作基材膜11上形成有黏著劑層12之黏著片。除此之外，以乾燥後之厚度為20μm之方式將接著劑組成物1塗佈於經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯膜構成之剝離襯墊，且於110℃乾燥3分鐘，從而製作剝離襯墊上形成有接著劑層13之接著膜。

接著，將黏著片剪裁成如圖3等所示之形狀即對於環狀框架20能夠以覆蓋開口部之方式進行貼合的形狀。又，將接著膜剪裁成如圖3等所示之形狀即能夠覆蓋半導體晶圓W之背面之形狀。然後，使上述黏著片之黏著劑層12側與上述接著膜之接著劑層13側，如圖3等所示般以於接著膜之周圍形成露出黏著劑層12之部分之方式進行貼合，從而製作晶圓加工用帶10。如此，製作出依序積層有構成基材膜11之支持基材、能量線硬化型黏著劑層12、及接著劑層13之晶圓加工用帶10，將其作為實施例1之樣品。

(1.2)實施例2

(基材膜11之製備)

將利用自由基聚合法而合成之乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸乙酯(質量比為8: 1: 1)三元共聚物之鈉離子聚合物a(密度為0.95g/cm³ 、鈉離子含量為3質量%、氯含量未達1質量%、維卡軟化點為64℃、熔點為86℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機將其成形為厚度100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材2。

使用該構成基材膜11之支持基材2、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為實施例2之樣品。

(1.3)實施例3

(基材膜11之製備)

將利用自由基聚合法而合成之乙烯-甲基丙烯酸(質量比為9.5: 0.5)二元共聚物之鋅離子聚合物b(密度為0.95g/cm³ ，鋅離子含量為2質量%，氯含量未達1質量%，維卡軟化點為81℃，熔點為100℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機成形為厚度100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材3。

使用該構成基材膜11之支持基材3、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為實施例3之樣品。

(1.4)實施例4

(基材膜11之製備)

將由二茂金屬聚合法(metallocene polymerization)而合成之超低密度聚乙烯ULDPEa(密度為0.90g/cm³ 、氯含量未達1質量%、維卡軟化點為72℃、熔點為90℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機成形為厚度100μm之長形膜狀之後，使用中能量電子束加速裝置以加速電壓1MeV、照射量20Mrad照射電子束，藉此製作構成基材膜11之支持基材4。

使用該構成基材膜11之支持基材4、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為實施例4之樣品。

(1.5)實施例5

(基材膜11之製備)

將由二茂金屬聚合法合成之低密度聚乙烯LDPEb(密度為0.91g/cm³ 、氯含量未達1質量%，維卡軟化點為81℃，熔點為102℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機成形為厚度100μm長形膜狀之後，使用中能量電子束加速裝置以加速電壓1MeV、照射量20Mrad照射電子束，藉此，製作構成基材膜11之支持基材5。

使用該構成基材膜11之支持基材5、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為實施例5之樣品。

(1.6)實施例6

(基材膜11之製備)

將利用自由基聚合法而合成之乙烯-乙酸乙烯酯(質量比為9：1)共聚物EVAa(密度為0.93g/cm³ ，氯含量未達1質量%，維卡軟化點為69℃，熔點為96℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機成形為厚度100μm之長形膜狀之後，使用中能量電子束加速裝置以加速電壓1MeV、照射量20Mrad照射電子束，藉此，製作構成基材膜11之支持基材6。

使用該構成基材膜11之支持基材6、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為實施例6之樣品。

(1.7)比較例1

(基材膜11之製備)

將利用自由基聚合法而合成之乙烯-甲基丙烯酸(質量比為8：2)二元共聚物之鈉離子聚合物b(密度為0.94g/cm³ ，鈉離子含量為3質量%，氯含量未達1質量%，維卡軟化點為60℃，熔點為89℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機成形為厚度100μm之長形膜狀，藉此，製作構成基材膜11之支持基材7。

使用該構成基材膜11之支持基材7、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例1之樣品。

(1.8)比較例2

(基材膜11之製備)

將利用自由基聚合法而合成之乙烯-乙酸乙烯酯(質量比為8：2)共聚物EVAb(密度為0.94g/cm³ ，氯含量未達1質量%，維卡軟化點為40℃，熔點為80℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機成形為厚度100μm之長形膜狀之後，使用中能量電子束加速裝置以加速電壓1MeV、照射量20Mrad照射電子束，藉此製作構成基材膜11之支持基材8。

使用該構成基材膜11之支持基材8、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例2之樣品。

(1.9)比較例3

(基材膜11之製備)

將利用自由基聚合法而合成之乙烯-乙酸乙烯酯(質量比為9: 1)共聚物EVAa(密度為0.93g/cm³ ，氯含量未達1質量%，維卡軟化點為69℃，熔點為96℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機成行為厚度100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材9。

使用該構成基材膜11之支持基材9、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例3之樣品。

(1.10)比較例4

(基材膜11之製備)

將市售之工業用聚氯乙烯a(塑化劑30質量%，密度為1.45g/cm³ ，氯含量未達為60質量%，維卡軟化點為76℃，熔點為100℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機成形為厚度100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材10。

使用該構成基材膜11之支持基材10、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例4之樣品。

(1.11)比較例5

(基材膜11之製備)

將利用二茂金屬聚合法而合成之超低密度聚乙烯ULDPEa(密度為0.90g/cm³ 、氯含量未達1質量%、維卡軟化點為72℃、熔點為90℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機成形為厚度100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材11。

使用該構成基材膜11之支持基材11、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例5之樣品。

(1.12)比較例6

(基材膜11之製備)

將利用二茂金屬聚合法而合成之低密度聚乙烯LDPEa(密度為0.91g/cm³ 、氯含量未達1質量%、維卡軟化點為81℃、熔點為102℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機成形為厚度100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材12。

使用該構成基材膜11之支持基材12、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例6之樣品。

(1.13)比較例7

(基材膜11之製備)

將日本Polychem公司製造NOVATEC PP FW4B(聚丙烯)(密度：0.90g/cm³ ，維卡軟化點：96℃，熔點：140℃)之樹脂珠粒於180℃熔融，利用擠出機成形為厚度100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材13。(於表2略稱作為「PP」)。

使用該構成基材膜11之支持基材13、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例7之樣品。

(1.14)比較例8 (基材膜11之製備)

將JSR公司製造Dynaron 1320P(氫化苯乙烯-丁二烯共聚物，氫化率為90質量%以上，苯乙烯含量：10質量%，比重：0.89，MFR：3.5g/10分，拉伸強度：4.1MPa，拉伸伸長率：1300%，玻璃轉移溫度：-50℃)之樹脂珠粒於140℃熔融，利用擠出機成形為厚度100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材14。(於表2略稱作為「彈性體」)。

使用該構成基材膜11之支持基材14、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例8之樣品。

(2)樣品之評估 (2.1)熱傳導率

關於實施例1~6及比較例1~8所使用之各基材膜11，根據JIS A1412，以下述條件測定熱傳導率。

測定方法：隔熱材料之抗熱及熱傳導率之測定方法-第一部：保護熱板法(GHP法)

測定環境：溫度25℃、濕度50%

(2.2)外觀

藉由以下所示之方法，關於上述實施例及上述比較例之晶圓加工用帶，實施相當於上述半導體裝置之製造方法(A)的下述半導體加工步驟之適應性試驗。

(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶之步驟。

(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟。

(c)於將半導體晶圓加熱至70℃之狀態下，在上述半導體晶圓之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層，同時將晶圓加工用環狀框架與下述部位貼合之步驟，該部位係：上述晶圓加工用帶之黏著劑層未與接著劑層重合而露出之部分。

(d)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟。

(e)對上述半導體晶圓之預定分割部分照射雷射光，於該晶圓之內部形成因多光子吸收而產生之改質區域之步驟。

(f)藉由使上述晶圓加工用帶延伸10%，以沿著分割線分割上述半導體晶圓及上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片之步驟。

(g)使上述晶圓加工用帶之不與上述半導體晶片重疊之部分(存在半導體晶片之區域與環狀框架之間的圓環狀區域)加熱至90℃或者120℃而收縮，藉此消除該延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔之步驟。

對於上述貼合有環狀框架之狀態之上述實施例及比較例的晶圓加工用帶之外觀評價，對上述(f)步驟前之晶圓加工用帶擴展前之狀態與上述(g)步驟後之晶圓加工用帶加熱後之狀態，進行比較評價，將結果表示於表3之外觀欄。(f)、(g)步驟之條件係延伸速度為300mm/秒，延伸量(推頂量)為20mm，加熱收縮之溫風溫度設為(1)90℃、(2)120℃。再者，於表3中，「○」表示恢復為與延伸前同樣之狀態，「×」表示相較於延伸前，產生鬆弛。

(2.3)拾取成功率

(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟。

(d)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟。

使用於貼合於上述環狀框架之狀態之上述實施例及比較例時的拾取評價作為評價(h)步驟中之良率(拾取成功率)。(f)、(g)步驟之條件係延伸速度為300mm/秒，延伸量(推頂量)為20mm，加熱收縮之溫風溫度設為(1)90℃、(2)120℃。

(f)步驟係以Disco股份有限公司製造DDS-2300，將貼合於晶圓加工用帶之切割用環狀框架，藉由Disco股份有限公司製造DDS-2300之延伸環下壓，將晶圓加工用帶之不與晶圓貼合部位外周之晶圓重疊的部分壓於圓形之推頂構件擠壓，藉此實施延伸。再者，延伸量係指下壓前與下壓後之環狀框架與推頂構件之相對位置變化量。又，於(g)步驟之後(h)步驟之前，以金屬鹵化物高壓水銀燈、於氮氣環境下、30mW/cm² 、200mJ/cm² 之條件下，對於晶圓加工用帶之基材膜中積層有黏著劑層之面之相反側的面照射紫外線。然而，於(h)步驟對於每100個經切割之晶片藉由晶片拾取裝置(商品名CAP-300II，canon machinery公司製造)進行拾取測試，求得拾取成功率。結果表示於表3之「拾取成功率」欄。

(3)總結

由如表3所示之加熱收縮後之外觀之評價結果可知，使用熱傳導率為0.15W/m．K以上之熱塑性交聯樹脂作為基材膜之實施例1~6之晶圓加工用帶，即使經加熱收縮亦不會產生鬆弛或斷裂。又，由拾取成功率之評價可知，具有良好之拾取性。相對於此，使用熱傳導率未達0.15W/m．K之熱塑性交聯樹脂作為基材膜之比較例1~8之晶圓加工用帶，由加熱收縮後之外觀之評價結果可知，產生因加熱收縮引起之鬆弛或斷裂。又，由拾取成功率之評價可知，拾取性不佳。

由以上結果可知，於加熱收縮性、拾取性之觀點而言，使用熱傳導率為0.15W/m．K以上之熱塑性交聯樹脂作為晶圓加工用帶10之基材膜是有用的。

再者，上述之半導體裝置之製造方法B~D係於延伸步驟中已分割成各個半導體晶片，除該點之外，皆進行與半導體裝置之製造方法A中之延伸步驟、加熱收縮步驟、拾取步驟相同之步驟。因此可知，使用實施例1~6及比較例1~8之晶圓加工用帶10時的結果係與表3所示之結果相同，且半導體裝置之製造方法B~D中，於熱收縮性、拾取性之觀點而言，使用本發明之晶圓加工用帶10皆有用。又，實施例1~6所示之基材膜11係氯原子之含量未達1質量%，故而，即便使用後進行焚燒處理亦不會產生戴奧辛或其類似物即氯化芳香族烴，從而不會對環境帶來負擔。

10‧‧‧晶圓加工用帶

11‧‧‧基材膜

12‧‧‧黏著劑層

13‧‧‧接著劑層

14‧‧‧表面保護膜

20‧‧‧環狀框架

21‧‧‧平台

22‧‧‧推頂構件

25‧‧‧加熱器台

26‧‧‧吸附台

27‧‧‧紫外線光源

28‧‧‧加熱收縮區域

29‧‧‧溫風噴嘴

30‧‧‧改質區域

W‧‧‧半導體晶圓

C‧‧‧半導體晶片

圖1係表示於半導體晶圓貼合有本發明之實施形態之晶圓加工用帶、及表面保護帶的狀態之剖面圖。

圖2係表示於半導體晶圓貼合有表面保護用帶之狀態的剖面圖。

圖3係用於對在晶圓加工用帶貼合半導體晶圓及環狀框架之步驟進行說明的剖面圖。

圖4係用於對自半導體晶圓之表面剝離表面保護帶之步驟進行說明的剖面圖。

圖5係表示藉由雷射加工而於半導體晶圓形成有改質區域之樣態的剖面圖。

圖6(a)係表示晶圓加工用帶載置於延伸裝置之狀態之剖面圖。圖6(b)係表示延伸後之晶圓加工用帶、接著劑層、及半導體晶圓之剖面圖。

圖7係用於對藉由加熱收縮而消除帶之鬆弛的步驟進行說明之剖面圖。

10‧‧‧晶圓加工用帶

11‧‧‧基材膜

12‧‧‧黏著劑層

13‧‧‧接著劑層

14‧‧‧表面保護膜

W‧‧‧半導體晶圓

Claims

一種切割黏晶帶，其係利用延伸將接著劑層沿晶片分割時所使用之可延伸之切割黏晶帶，其特徵在於：具有基材膜、設於該基材膜上之黏著劑層、及設於該黏著劑層上之接著劑層，該基材膜係由熱傳導率為0.15~0.20W/m．K且維卡軟化點為56~81℃之熱塑性交聯樹脂構成，該熱塑性交聯樹脂為至少含有乙烯的1種或2種以上單體之共聚物並且經交聯而成；使用於包含如下步驟之半導體裝置之製造方法：(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶之步驟；(b)研削該半導體晶圓背面之背面研磨步驟；(c)於將半導體晶圓加熱至70℃~80℃之狀態下，在該半導體晶圓之背面貼合該切割黏晶帶之接著劑層之步驟；(d)自該半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟；(e)對該半導體晶圓之預定分割部分照射雷射光，從而於該晶圓之內部形成因多光子吸收而產生之改質區域之步驟；(f)藉由延伸該切割黏晶帶，以沿著分割線分割該半導體晶圓及該接著劑層，從而獲得附有該接著劑層之多個半導體晶片之步驟；(g)使該切割黏晶帶不與該半導體晶片重疊之部分加熱收縮，藉此消除該延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔之步驟；及(h)自該切割黏晶帶之黏著劑層，拾取附有該接著劑層之該半導體晶片之步驟。
一種切割黏晶帶，其係利用延伸將接著劑層沿晶片分割時所使用之可延伸之切割黏晶帶，其特徵在於：具有基材膜、設於該基材膜上之黏著劑層、及設於該黏著劑層上之接著劑層，該基材膜係由熱傳導率為0.15~0.20W/m．K且維卡軟化點為56~81℃之熱塑性交聯樹脂構成，該熱塑性交聯樹脂為至少含有乙烯的1種或2種以上單體之共聚物並且經交聯而成；使用於包含如下步驟之半導體裝置之製造方法：(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶之步驟；(b)研削該半導體晶圓背面之背面研磨步驟；(c)於將半導體晶圓加熱至70℃~80℃之狀態下，在半導體晶圓之背面貼合該切割黏晶帶之接著劑層之步驟；(d)自該半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟；(e)自該半導體晶圓之表面沿著分割線照射雷射光，從而分割成各個半導體晶片之步驟；(f)藉由延伸該切割黏晶帶，對應於每一個該半導體晶片而分割該接著劑層，從而獲得附有該接著劑層之多個半導體晶片之步驟； (g)使該切割黏晶帶不與該半導體晶片重疊之部分加熱收縮，藉此消除該延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔之步驟；及(h)自該切割黏晶帶之黏著劑層，拾取附有該接著劑層之該半導體晶片之步驟。
一種切割黏晶帶，其係利用延伸將接著劑層沿晶片分割時所使用之可延伸之切割黏晶帶，其特徵在於：具有基材膜、設於該基材膜上之黏著劑層、及設於該黏著劑層上之接著劑層，該基材膜係由熱傳導率為0.15~0.20W/m．K且維卡軟化點為56~81℃之熱塑性交聯樹脂構成，該熱塑性交聯樹脂為至少含有乙烯的1種或2種以上單體之共聚物並且經交聯而成；使用於包含如下步驟之半導體裝置之製造方法：(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶之步驟；(b)研削該半導體晶圓背面之背面研磨步驟；(c)於將半導體晶圓加熱至70℃~80℃之狀態下，在半導體晶圓之背面貼合該切割黏晶帶之接著劑層之步驟；(d)自該半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟；(e)使用切割刀片沿著分割線切削該半導體晶圓，從而分割成各個半導體晶片之步驟；(f)藉由延伸該切割黏晶帶，對應於每一個該半導體晶片而分割該接著劑層，從而獲得附有該接著劑層之多個半導體晶片之步驟；(g)使該切割黏晶帶不與該半導體晶片重疊之部分加熱收縮，藉此消除該延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔之步驟；及(h)自該切割黏晶帶之黏著劑層，拾取附有該接著劑層之該半導體晶片之步驟。
一種切割黏晶帶，其係利用延伸將接著劑層沿晶片分割時所使用之可延伸之切割黏晶帶，其特徵在於：具有基材膜、設於該基材膜上之黏著劑層、及設於該黏著劑層上之接著劑層，該基材膜係由熱傳導率為0.15~0.20W/m．K且維卡軟化點為56~81℃之熱塑性交聯樹脂構成，該熱塑性交聯樹脂為至少含有乙烯的1種或2種以上單體之共聚物並且經交聯而成；使用於包含如下步驟之半導體裝置之製造方法：(a)使用切割刀片，沿著分割線預定線將形成有電路圖案之半導體晶圓切削至未達晶圓厚度之深度之步驟；(b)於該半導體晶圓表面上貼合表面保護帶之步驟；(c)研削該半導體晶圓背面而分割成各個半導體晶片之背面研磨步驟；(d)於將半導體晶圓加熱至70℃~80℃之狀態下，於該半導體晶片之背面貼合該切割黏晶帶之接著劑層之步驟； (e)自該半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟；(f)藉由延伸該切割黏晶帶，對應於每一個該半導體晶片而分割該接著劑層，從而獲得附有該接著劑層之多個半導體晶片之步驟；(g)使該切割黏晶帶不與該半導體晶片重疊之部分加熱收縮，藉此消除該延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔之步驟；及(h)自該切割黏晶帶之黏著劑層，拾取附有該接著劑層之該半導體晶片之步驟。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之切割黏晶帶，其中，該熱塑性交聯樹脂係包含乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物以金屬離子交聯而成之離子聚合物樹脂。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之切割黏晶帶，其中，該熱塑性交聯樹脂係包含乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷酯三元共聚物以金屬離子交聯而成之離子聚合物樹脂。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之切割黏晶帶，其中，該熱塑性交聯樹脂係低密度聚乙烯經電子束照射而交聯成之樹脂、或者超低密度聚乙烯經電子束照射而交聯成之樹脂。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之切割黏晶帶，其中，該熱塑性交聯樹脂係乙烯-乙酸乙烯酯共聚物經電子束照射而交聯成之樹脂。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之切割黏晶帶，其中，該熱塑性交聯樹脂之氯原子含量未達1質量%。