JP2010067772A - ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザーダイシングにより半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断でき、かつ、レーザーダイシング後に、半導体チップをダイボンディングフィルムごと容易に剥離できるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】レーザーダイシング用のダイシング−ダイボンディングテープであって、ダイボンディングフィルム３と、ダイボンディングフィルム３の一方面３ａに貼付された非粘着フィルム４とを有し、ダイボンディングフィルム３が、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、非粘着フィルム４は、樹脂組成物の架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であるダイシング−ダイボンディングテープ。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体チップの製造に用いられるダイシング−ダイボンディングテープに関し、より詳細には、半導体ウェーハが接合され、該半導体ウェーハをレーザーダイシングするのに用いられるダイシング−ダイボンディグテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法に関する。

従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出す際には、半導体ウェーハをダイシングテープに接合した後、半導体ウェーハをレーザーダイシングしていた。

上記ダイシングテープの一例として、下記の特許文献１には、支持シートを含む基材と、該基材の片面に積層された粘着剤層とを備えるダイシングテープが開示されている。この粘着剤層は、レーザー光吸収性付与剤等を含むため、レーザー光の照射により切断され得る。上記支持シートは、レーザー光の照射により切断されないように構成されている。

また、近年、半導体チップを基板等に容易に実装できるため、ダイシングフィルムにダイボンディングフィルムが積層されているダイシング−ダイボンディングテープが用いられてきている。

上記ダイシング−ダイボンディングテープの一例として、下記の特許文献２には、基材フィルム上に、ダイボンディングフィルムとしての接着剤層が積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。この基材フィルムは、３５５ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、かつ平行光線透過率が３０％以上である。そのため、基材フィルムを介してダイボンディングフィルムにレーザー光を照射すると、レーザー光が基材フィルムを透過する。従って、基材フィルムが切断されることなく、ダイボンディングフィルムを切断できる。

また、下記の特許文献３には、基材フィルム上に、ダイボンディングフィルムとしての粘着剤層が積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。ここでは、エッチング速度をエネルギーフルエンスで割った値をエッチング率としたときに、粘着剤層のエッチング率よりも基材フィルムのエッチング率の方が小さい。基材フィルムはエッチング率が小さいので、レーザー光の照射により切断され難い。

また、特許文献３には、上記エッチング率が「０」である基材フィルムとして、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、又はエチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＡ）からなる基材フィルムが記載されている。

下記の特許文献４には、ポリプロピレン樹脂を含有する樹脂組成物からなる表面を有する基材フィルム上に、ダイボンディングフィルムとしての粘接着剤層が積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。このダイボンディングフィルムは、アクリル系、ゴム系、ポリウレタン系、シリコーン系もしくはポリエステル系などの各種の粘着剤、または放射線硬化性粘着剤からなる粘着剤層を有する。
特開２００２−３４３７４７号公報 特開２００６−１８６３０５号公報 特開２００５−２５２０９４号公報 特開２００７−３３５４６７号公報

しかしながら、特許文献１に記載のダイシングテープは、ダイボンディングフィルムを有していなかった。半導体ウェーハをダイシングテープの粘着剤層に接合し、半導体ウェーハをレーザーダイシングした後に、半導体チップは粘着剤層から剥離されていた。すなわち、粘着剤層は、半導体チップのダイボンディングに用いられていなかった。

特許文献２では、切り込みが予め形成された半導体ウェーハをダイシング−ダイボンディングテープのダイボンディングフィルムに接合し、半導体ウェーハを切り込み部分まで研削することにより、半導体ウェーハが切断されていた。そして、半導体ウェーハの切断工程とは別の工程で、ダイボンディングフィルムがレーザーダイシングされていた。従って、特許文献２に記載のダイシング−ダイボンディングテープは、半導体ウェーハをレーザーダイシングするのに用いられていなかった。

また、特許文献３には、レーザー光の照射により切断され難い上記エッチング率が「０」である基材フィルムとして、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、又はエチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＡ）からなる基材フィルムが記載されている。しかしながら、これらの基材フィルムを用いた場合であっても、基材フィルムの種類や貯蔵弾性率、あるいはレーザー光の出力等によっては、レーザー光の照射により基材フィルムに切り込みが容易に形成されることがあった。切り込みが形成されると、基材フィルムのエキスパンド性が確保できず、半導体チップを好適にピックアップできないことがあった。さらに、基材フィルムにレーザー光が照射された際に、局所的に加熱されて基材フィルムが溶融することがあった。基材フィルムの溶融により、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムを精度良く切断できないことがあった。

また、特許文献４に記載のダイシング−ダイボンディングテープでも、基材フィルムの種類や貯蔵弾性率、あるいはレーザー光の出力等によっては、レーザー光の照射により基材フィルムに切り込みが容易に形成されることがあった。

さらに、特許文献４では、ダイボンディングフィルムは、アクリル系、ゴム系、ポリウレタン系、シリコーン系もしくはポリエステル系などの各種の粘着剤、または放射線硬化性粘着剤からなる粘着剤層を有する。

ダイボンディングフィルムが上記各種の粘着剤からなる粘着剤層を有する場合には、レーザーダイシング後に、ダイボンディングフィルムが基材フィルムから容易に剥離しないことがあった。また、ダイボンディングフィルムが放射線硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する場合には、レーザー光の照射によりダイボンディングフィルムが変質したり、溶融したりすることがあった。そのため、ダイボンディングフィルムを精度良く切断できないことがあった。

近年、半導体装置の小型化及び薄型化が進行している。それに伴って、半導体チップを製造するのに、小型かつ薄型の半導体ウェーハが用いられてきている。この場合、特に、高い精度でレーザーダイシングする必要があり、従って、高い精度でレーザーダイシングすることが可能なダイシング−ダイボンディングテープが強く求められていた。

本発明の目的は、レーザーダイシング用のダイシング−ダイボンディングテープであって、レーザーダイシングするに際し、非粘着フィルムに切り込みが形成され難く、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断でき、かつ、レーザーダイシングした後に、半導体チップをダイボンディングフィルムごと容易に剥離して、取り出すことができるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することにある。

本発明によれば、半導体ウェーハをレーザーダイシングし、半導体チップを得、半導体チップをダイボンディングするのに用いられるレーザーダイシング用のダイシング−ダイボンディングテープであって、ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルムの一方の面に貼付された非粘着フィルムとを有し、前記ダイボンディングフィルムが、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、前記非粘着フィルムは、樹脂組成物の架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とする、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。

なお、上記非粘着フィルムのダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面には、例えば、ダイシングフィルムが貼付されて、レーザーダイシングが行われてもよい。あるいは、上記非粘着フィルム自体がダイシングフィルムとして用いられてもよい。上記のように、本発明の「ダイシング−ダイボンディングテープ」とは、レーザーダイシング及びダイボンディングに用いられるテープであり、上記ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとを必須の構成として含み、ダイシングフィルムを別途有していてもよく、有していなくともよい。ダイシング−ダイボンディングテープがダイシングフィルムを有しない場合には、ダイシングに際しダイシングフィルムが別途用意される。該ダイシングフィルムが非粘着フィルムのダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面に貼付され、レーザーダイシングが行われる。この場合、ダイシング−ダイボンディングテープは、ダイシングフィルムを有しなくても、ダイシング時に用いられるため、ダイシング−ダイボンディングテープである。

本発明では、前記樹脂組成物の架橋体は、（メタ）アクリル樹脂又はオレフィン系樹脂を含む樹脂組成物の架橋体であることが好ましく、（メタ）アクリル樹脂を含む樹脂組成物の架橋体であることがより好ましい。この場合、レーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みがより一層形成され難い。従って、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムをより一層精度良く切断できる。

また、上記樹脂組成物は、好ましくは、上記（メタ）アクリル樹脂として、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを含む。該（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーは、炭素数６以上のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることがより好ましい。

本発明のダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムの熱硬化前の２５℃における貯蔵弾性率は、１０^６〜１０^９Ｐａの範囲にある。

本発明のダイシング−ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムは、前記熱硬化性化合物としてエポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、前記熱硬化剤とを含む。前記エポキシ樹脂の分子量は、１０００以下であることが好ましい。

また、前記ダイボンディングフィルムは、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、前記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを１０〜１００重量部の割合で含むことが好ましい。

本発明のダイシング−ダイボンディングテープのさらに他の特定の局面では、前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面に、ダイシングフィルムが貼付されている。

本発明の半導体チップの製造方法は、本発明のレーザーダイシング用のダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、ダイシング−ダイボンディングテープの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、ダイシング−ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとレーザー光の照射により切断し、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを取り出す工程とを備えることを特徴とする。

本発明に係る半導体チップの製造方法のある特定の局面では、前記個々の半導体チップに分割する工程において、レーザー光の照射により、前記非粘着フィルムが切断されることなく、かつ前記非粘着フィルムに切り込みが形成されることなく、前記半導体ウェーハ及び前記ダイボンディングフィルムが切断される。

また、本発明の半導体チップの製造方法では、好ましくは、前記半導体チップを取り出す工程において、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップが取り出される。

なお、本明細書において剥離力を変化させないとは、例えば、光の照射や加熱によりダイシング−ダイボンディングテープのいずれかの層を硬化させて粘着力を下げることにより剥離力を変化させる工程、または、いずれかの層を収縮させて剥離力を変化させる工程、あるいは、いずれかの層を発泡させて剥離力を変化させる工程等の剥離力を変化させる処理を実施しないことを意味する。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープでは、ダイボンディングフィルムに非粘着フィルムが貼付されており、該非粘着フィルムが樹脂組成物の架橋体を主成分として含み、かつ非粘着フィルムの２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率が上記特定の範囲内にあるので、レーザーダイシングに際し、レーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みが形成されるのを抑制できる。従って、レーザー光の照射により半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断できる。

さらに、レーザーダイシング後に、ダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから、容易に剥離できる。そのため、ダイシング後に、半導体チップをダイボンディングフィルムごと取り出す際に、ダイボンディングフィルムが欠けたり、半導体チップが破損したりするのを抑制できる。

本発明に係る半導体チップの製造方法では、本発明のダイシング−ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハをダイボンディングフィルムごとレーザーダイシングにより個々の半導体チップに分割するので、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムを精度よく切断できる。さらに、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムを、非粘着フィルムから容易に剥離して取り出すことができる。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１（ａ），（ｂ）に、本発明の一実施形態に係るレーザーダイシング用のダイシング−ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。

図１（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型フィルム２を有する。離型フィルム２の上面２ａに、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５がこの順に積層されている。ダイボンディングフィルム３の離型フィルム２が貼付された表面３ａは、半導体ウェーハが接合される面である。

ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５の平面形状は、円形である。ダイボンディングフィルム３の径は、非粘着フィルム４の径と異なっていてもよい。非粘着フィルム４の径は、ダイボンディングフィルム３の径よりも大きいことが好ましい。非粘着フィルム４の外周側面は、ダイボンディングフィルム３の外周側面よりも外側に張り出していることが好ましい。これらの場合には、ダイボンディングフィルム３に半導体ウェーハを接合する際に、非粘着フィルム４が設けられている位置に対応する部分に、半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。また、半導体ウェーハをダイボンディングフィルム３に確実に接合できる。

ダイシングフィルム５は、基材５ａと、基材５ａの片面に塗布された粘着剤５ｂとを有する。ダイシングフィルム５は、非粘着フィルム４のダイボンディングフィルム３が貼付された表面４ａとは反対側の表面４ｂに、粘着剤５ｂ側から貼付されている。ダイシングフィルム５は、非粘着フィルム４を介して、ダイボンディングフィルム３に間接的に貼付されている。

ダイシングフィルム５の径は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の径よりも大きい。このため、図１（ｂ）に示すように、ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁を超えるように延ばされている延長部５ｃを有する。該延長部５ｃの一面が、粘着剤５ｂにより離型フィルム２の上面２ａに貼付されている。すなわち、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁よりも外側の領域において、ダイシングフィルム５が離型フィルム２の上面２ａに貼付されている。

このように、ダイシングフィルム５の径は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の径よりも大きいことが好ましい。ダイシングフィルム５の外周側面は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周側面よりも外側に張り出していることが好ましい。これらの場合には、ダイシングフィルム５にダイシングリングを貼り付けることができる。ダイボンディングフィルム３の表面３ａに半導体ウェーハを接合する際に、延長部５ｃに位置している粘着剤５ｂにダイシングリングを貼付できる。また、ダイボンディングフィルム３に、半導体ウェーハを正確に位置合わせして貼り付けることができる。また、ダイシングリングと半導体ウェーハとを異なる層に貼り付けることができるので、ダイボンディングフィルム３とダイシングフィルム５とをそれぞれ最適な材料により構成できる。このため、切削性及びピックアップ性と、ダイシング後の接合信頼性とが高くなる。

また、非粘着フィルム４の外周側面は、ダイボンディングフィルム３により覆われていないことが好ましい。

図１（ｂ）に示すように、長尺状の離型フィルム２の上面２ａに、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５からなる複数の積層体が等間隔に配置されている。離型フィルム２の上面２ａに保護シート６，７が設けられている。保護シート６，７が設けられている場合には、ダイシング−ダイボンディングテープ１を例えばロール状に巻回した場合に、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５に加わる圧力が、保護シート６，７により軽減される。なお、保護シート６，７は設けられていなくてもよい。

離型フィルム２の厚みや形状は特に限定されない。例えば正方形の形状の離型フィルムが用いられてもよい。離型フィルムの上面２ａにダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムからなる１つの積層体のみが配置されていてもよい。また、上記積層体及び離型フィルムは、ロール状に巻回されていなくてもよい。また、ダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムの厚みや形状も特に限定されない。

ダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップを取り出す際に、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離力は、非粘着フィルム４とダイシングフィルム５との剥離力よりも小さいことが好ましい。この場合、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から両者の界面で剥離し易くなる。従って、ダイボンディングフィルム３ごと半導体チップを、非粘着フィルム４からより一層容易に剥離して、取り出すことができる。

ダイボンディングフィルム３ごと半導体チップを、非粘着フィルム４から剥離して、取り出す際には、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離強度は、１５Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、７Ｎ／ｍ以下であることがより好ましく、５Ｎ／ｍ以下であることがさらに好ましい。剥離強度が大きすぎると、非粘着フィルム４からのダイボンディングフィルム３の剥離が困難となることがある。剥離強度の好ましい下限は、１Ｎ／ｍである。剥離強度が小さすぎると、ダイシングの際に半導体チップが剥離してしまう（チップ飛びという）ことがある。

（非粘着フィルム）
上記非粘着フィルム４は、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面で、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離するために設けられている。

非粘着フィルム４は、非粘着性を有する。なお、本明細書において、「非粘着性フィルム」には、表面が粘着性を有しないフィルムだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかないフィルムをも含まれることとする。具体的には、「非粘着性フィルム」における「非粘着」とは、非粘着フィルムをステンレス板に貼り付けて、非粘着フィルムを３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、剥離力が５ｇ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。

本実施形態の特徴は、非粘着フィルム４が樹脂組成物の架橋体（樹脂架橋体ともいう）を主成分として含み、さらに非粘着フィルム４の２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であることにある。

非粘着フィルム４が樹脂組成物の架橋体を主成分として含むことにより、レーザー光が照射された際に、非粘着フィルム４が溶融し難くなり、かつアブレーションが生じ難くなる。そのため、レーザーダイシングするに際し、非粘着フィルム４に切り込みが形成され難くなる。さらに、非粘着フィルム４が樹脂組成物の架橋体を主成分として含むことにより、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性を高めることができる。

また、非粘着フィルム４の２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率が上記特定の範囲にあることによっても、室温及び加熱時の両方において非粘着フィルム４が適度な硬さを有するようになる。このため、レーザーダイシングするに際し、非粘着フィルム４に切り込みが形成され難くなり、かつ、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３のダイシングフィルムからの剥離性を高めることができる。

非粘着フィルム４の２５℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ未満であると、レーザー光の照射により非粘着フィルム４が局所的に加熱された場合に、非粘着フィルムが柔らかくなりすぎて溶融し、切り込みが形成され易くなる。上記貯蔵弾性率が１０００ＭＰａを超えると、非粘着フィルムが硬すぎて、エキスパンド性が不足し、ピックアップ性に劣ることがある。非粘着フィルム４の２５℃における貯蔵弾性率の好ましい上限は６００ＭＰａ、更に好ましい上限は４００ＭＰａであり、好ましい下限は３ＭＰａである。

非粘着フィルム４の６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ未満であると、レーザー光の照射により非粘着フィルム４が局所的に加熱された場合に、非粘着フィルムが柔らかくなりすぎて溶融し、切り込みが形成され易くなったり、切断面においてダイボンディング層と融着して切断面が汚染されたりすることがある。好ましい上限は、５００ＭＰａである。５００ＭＰａを超えると、材料の選択性に劣り、結果、ピックアップ性に悪影響を及ぼす場合がある。非粘着フィルム４の６０℃における貯蔵弾性率の好ましい下限は１．５ＭＰａである。

非粘着フィルム４は、樹脂組成物の架橋体を主成分として含む。すなわち、非粘着フィルムは、樹脂組成物を架橋させた架橋体を主成分として含む。この場合、非粘着フィルム４は、樹脂組成物の架橋体を５０重量％以上含む。非粘着フィルム４に主成分として含まれている上記樹脂組成物の架橋体としては、（メタ）アクリル樹脂又はポリオレフィン樹脂を含む樹脂組成物の架橋体等が挙げられる。レーザーダイシング後のエキスパンド性を高めることができるので、（メタ）アクリル樹脂又はポリオレフィン樹脂を含む樹脂組成物の架橋体が好適に用いられる。

上記樹脂組成物の架橋体は、（メタ）アクリル樹脂を含む樹脂組成物の架橋体であることがより好ましい。（メタ）アクリル樹脂を含む樹脂組成物の架橋体を用いた場合、非粘着フィルムの表面エネルギーや弾性率を容易に調整できる。さらに、レーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みがより一層形成され難くなり、従って半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムをより一層精度良く切断できる。

また、上記（メタ）アクリル樹脂を含む樹脂組成物の架橋体を用いた場合には、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性をより一層高めることができる。特に、薄型の半導体チップを用いた場合に、ダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性を大きく高めることができる。さらに、上記（メタ）アクリル樹脂を含む樹脂組成物の架橋体を用いる場合、該架橋体を得るための（メタ）アクリル樹脂を適宜選択することにより、非粘着フィルム４の極性を低めたり、弾性率を低めたり、破断伸度を容易に制御したりすることができる。

さらに、（メタ）アクリル樹脂を含む樹脂組成物の架橋体を用いた場合には、ポリオレフィン系樹脂を含む樹脂組成物の架橋体を用いた場合に比べて、非粘着フィルム４とダイボンディングフィルム３との界面の融合を防ぐことができる。このため、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性をより一層高めることができる。

なお、本明細書において、「架橋体」とは、３次元的に架橋された状態を意味する。架橋体としては、化学的架橋に加えて、紫外線、電子線、又は加熱等により後架橋処理された架橋体が好ましい。高架橋体が得られるためである。

樹脂組成物の架橋体の架橋度としては、以下の方法で測定されるゲル分率が９０％以上であることが好ましい。９０％未満であると、架橋が不充分となり、上述の弾性率挙動が得られなかったり、ピックアップ性が劣ったりする場合がある。より好ましくは、９５％以上である。

上記ゲル分率の測定方法としては、樹脂組成物の架橋体を非粘着フィルムと同じ厚みのフィルム状にし、そこから５０ｍｍ×１００ｍｍの平面長方形状の試験片を切り出す。この試験片を酢酸エチル中に２３℃にて２４時間浸漬する。その後、試験片を含む酢酸エチルを２００メッシュのステンレス製金網によりろ過して、試験片の不溶分のみを酢酸エチルから取り出して、１１０℃の条件下で１時間乾燥させる。そして、乾燥後の試験片の不溶分の重量を測定し、下記式を用いてゲル分率を算出する。

ゲル分率（重量％）＝１００×（Ｗ_２／Ｗ_１）
（Ｗ_１：浸漬前の試験片の重量、Ｗ_２：浸漬、ろ過、乾燥後の試験片不溶分の重量）
また、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「メタクリル酸又はアクリル酸」を意味する。

非粘着フィルム４を構成する材料は、光硬化性樹脂であってもよく、あるいは熱硬化性樹脂であってもよい。上記光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いた場合、光硬化もしくは熱硬化させることにより、非粘着フィルム４が形成される。形成された非粘着フィルム４では、樹脂の硬化は既に完了していることが望ましい。樹脂の硬化が完了していない場合には、例えばレーザー光が照射された際に、非粘着フィルム４が溶融し、溶融した非粘着フィルム４がダイシングフィルム３に付着するおそれがある。

また、半導体チップの製造に際しては、好ましくは、レーザーダイシング後に非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離力を変化させずにピックアップが行われる。この場合、光の照射等によって非粘着フィルム４が硬化されないことが望ましい。従って、上記光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いて形成された非粘着フィルム４では、これらの硬化性樹脂はすでに硬化されていることが望ましい。

非粘着フィルム４を構成する樹脂組成物には、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂またはポリイミド樹脂等の他の合成樹脂を添加してもよい。

上記（メタ）アクリル樹脂を含む樹脂組成物の架橋体は、（メタ）アクリル樹脂と架橋剤とを含む樹脂組成物を架橋させることにより得られる。また、上記ポリオレフィン系樹脂を含む樹脂組成物の架橋体は、例えば光ラジカル重合剤を配合した樹脂組成物に、電子線を照射し、半ば強制的に架橋可能な基を架橋させることにより得られる。

上記樹脂組成物は、上記（メタ）アクリル樹脂として、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを含むことが好ましい。この好ましい（メタ）アクリル樹脂を用いた場合には、レーザーダイシング後に、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離するに際し、ダイボンディングフィルム３の欠けがより一層生じ難くなる。さらに、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを用いた場合、非粘着フィルム４の貯蔵弾性率と破断伸度とを容易に制御できる。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーは特に限定されない。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを用いた場合には、非粘着フィルム４の極性が充分に低くなる。このため、非粘着フィルム４の表面エネルギーを低くすることができ、ダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性をより一層高めることができる。アルキル基の炭素数が１８を超えると、溶液重合が困難となり、非粘着フィルム４の製造が困難となることがある。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーのアルキル基の炭素数は、６以上であることが好ましい。炭素数が６以上であると、非粘着フィルム４の極性がより一層低くなる。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとして用いて得られたポリマーであることが好ましい。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーは、上記主モノマーと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させて得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーのアルキル基の炭素数は２以上であることがより好ましく、６以上であることが特に好ましい。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは特に限定されない。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーであることが好ましい。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸イソデシル、アクリル酸イソアミル、（メタ）アクリル酸ｎ−ラウリル、アクリル酸イソミリスチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ステアリル又は（メタ）アクリル酸オクチル等が挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

なかでも、炭素数６以上のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが特に好ましい。このような（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、（メタ）アクリル酸２−エチルへキシル、メタクリル酸イソデシル、アクリル酸イソアミル、（メタ）アクリル酸ｎ−ラウリル、アクリル酸イソミリスチル又は（メタ）アクリル酸ｎ−ステアリル等が挙げられる。

炭素数６以上のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを用いた場合、非粘着フィルム４の表面エネルギーを低くすることができる。さらに、ダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性をより一層高めることができる。

上記官能基含有モノマーとしては、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル又は（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等の水酸基含有モノマーが挙げられる。

また、上記（メタ）アクリル樹脂は、反応性二重結合を有する硬化型アクリル系ポリマーであることが好ましい。この場合には、該硬化型アクリル系ポリマーを含む樹脂組成物を架橋させた架橋体の架橋密度を高めることができる。上記硬化型アクリル系ポリマーとしては、反応性二重結合を側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有する硬化型アクリル系ポリマー等が挙げられる。アクリル系ポリマーに反応性二重結合を導入する方法は、特に制限されない。分子設計が容易であるため、上記反応性二重結合は、側鎖に導入されていることが好ましい。例えば、アクリル系ポリマーに官能基含有モノマーを共重合させた官能基含有アクリル系ポリマーを用意した後に、この官能基（以下、官能基Ａともいう）と反応し得る官能基（以下、官能基Ｂともいう）、及び反応性二重結合を両方有する化合物（以下、化合物Ｃともいう）を、反応性二重結合が残存するように、上記官能基含有アクリル系ポリマーを縮合反応又は付加反応することによって導入する方法が挙げられる。

上記官能基Ａと官能基Ｂとの組合せの例としては、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、又は水酸基とイソシアネート基等の組合せが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも、反応を容易に制御できるため、水酸基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせでは、どの官能基を上記官能基含有アクリル系ポリマーが含有してもよく、またどの官能基を上記化合物Ｃが含有してもよい。水酸基を有する官能基含有アクリル系ポリマーと、イソシアネート基を有する上記化合物の組合せが好ましい。イソシアネート基及び反応性二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、１，１−ビス（アクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート、又はｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、上記水酸基を有する官能基含有アクリル系ポリマーは、アクリル系ポリマーに、上述の水酸基含有モノマー又は水酸基含有エーテル系化合物を共重合させることにより得られたアクリル系ポリマーであることが好ましい。上記水酸基含有エーテル系化合物としては、例えば、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル又はジエチレングルコールモノビニルエーテル等が挙げられる。

上記非粘着フィルム４は、（メタ）アクリル樹脂を含む樹脂組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。この場合、レーザーダイシングに際しての切削性や、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性を高めることができる。

上記改質用モノマーは特に限定されない。上記改質用モノマーは、カルボキシル基を含有するモノマーではないことが好ましい。カルボキシル基を含有するモノマーを使用すると、非粘着フィルム４の極性が高くなり、ピックアップ性に悪影響を及ぼす場合がある。

上記改質用モノマーとしては、例えば、二重結合を有するブタジエン、スチレン、イソプレン、またはアクリロニトリルなどが挙げられる。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの酸価は、２以下であることが望ましい。酸価が２以下であると、非粘着フィルム４の表面エネルギーを小さくすることができ、ダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性をより一層高めることができる。

上記酸価を２以下に調整する方法は特に限定されない。上記酸価を２以下に調整する方法としては、上記改質用モノマーとして、カルボキシル基を含有するモノマーを使用しない方法、または重合反応過程においてエステルの加水分解が生じないように反応を調整する方法が好ましい。

尚、本明細書において酸価とは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマー１ｇ中に含まれる遊離酸を中和するのに要する水酸化カリウムのミリグラム数である。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの重量平均分子量は、２０万〜２００万の範囲が好ましい。２０万未満では、塗工成形時に外観欠点を多量に生じることがある。２００万を超えると、製造時に増粘しすぎてポリマー溶液を取り出すことが出来なくなることがある。

非粘着フィルム４を形成するための樹脂組成物は、上記（メタ）アクリル樹脂の他に、アクリル基と反応可能な二重結合を有し、重量平均分子量が５００〜５００００の範囲にあるオリゴマーをさらに含むことが好ましい。このオリゴマーを用いた場合には、非粘着フィルム４からのダイボンディングフィルム３の剥離性がより一層高くなる。また、非粘着フィルム４の破断伸度を５〜１００％の範囲に容易に設計できる。上記オリゴマーの重量平均分子量が５００未満であると、オリゴマーの配合による効果が充分に得られないことがある。上記オリゴマーの重量平均分子量が５００００を超えると、非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離性が低下することがある。

上記オリゴマーは特に限定されない。上記オリゴマーは、柔軟性を有する骨格を有することが好ましい。該柔軟性を有する骨格は、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格またはジシクロペンタジエン骨格であることが好ましい。柔軟性を有する骨格とは、上記オリゴマーのＴｇが２５℃以下となる骨格をいうものとする。

また、上記オリゴマーは、ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーであることがより好ましい。上記ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート、またはポリエーテル系ウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。その市販品としては、Ｍ−２２５（東亜合成社製）及びＵＮ−７６００（根上工業社製）などが挙げられる。

上記オリゴマーのアクリル基と反応可能な二重結合は特に限定されない。該二重結合を含む基として、（メタ）アクリル基、ビニル基またはアリル基等が挙げられる。中でも、アクリル基が好ましい。上記オリゴマーは、アクリル基と反応可能な二重結合を２以上有することが好ましい。

また、上記アクリル基と反応可能な二重結合は、上記オリゴマー１分子中に２個以上含有されていることが好ましい。上記アクリル基と反応可能な二重結合を有するオリゴマーは、加熱や光の照射により、上記（メタ）アクリル樹脂と架橋する。この架橋により、架橋体中に上記オリゴマーに由来する骨格が取り込まれる。このため、貯蔵弾性率や破断伸度を所望の範囲に制御できる。

また、上記アクリル基と反応可能な二重結合は、分子の両末端に２個存在してもよく、分子鎖の途中に存在していてもよい。中でも、分子の両末端のみに上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が２個存在することが好ましく、分子の両末端のみにアクリル基が２個存在することがより好ましい。また、分子の両末端及び分子鎖中に上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が存在することも好ましい。

上記ポリエーテル骨格としては、例えばポリプロピレンオキシド骨格またはポリエチレンオキシド骨格などが挙げられる。

上記ポリエーテル骨格を有し、かつ分子の両末端のみにアクリル基を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレートまたはポリエステル系ウレタンアクリルオリゴマーが挙げられる。その市販品としては、ＵＡ３４０Ｐ及びＵＡ４２００（以上、いずれも中村化学工業社製）、並びにアロニックスＭ−１６００及びアロニックスＭ−２２０（以上、いずれも東亜合成社製）などが挙げられる。

また、上記アクリルオリゴマーとして、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーが好適に用いられる。３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーの骨格は適度な柔軟性を有する。ウレタンアクリルオリゴマーが３官能未満であると、柔軟性が低くなりすぎることがあり、１０官能を超えると、柔軟性が高くなりすぎることがある。

上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシド主鎖のウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーの市販品としては、Ｕ−２ＰＰＡ、Ｕ−４ＨＡ、Ｕ−６ＨＡ、Ｕ−１５ＨＡ、ＵＡ−３２Ｐ、Ｕ−３２４Ａ、Ｕ−１０８Ａ、Ｕ−２００ＡＸ、ＵＡ−４４００、ＵＡ−２２３５ＰＥ、ＵＡ−１６０ＴＭ及びＵＡ−６１００（以上、いずれも新中村化学工業社製）並びにＵＮ−７６００、ＵＮ−７７００、ＵＮ−３３３及びＵＮ−１２５５（以上、いずれも根上工業社製）などが挙げられる。

上記オリゴマーの配合量は特に限定されない。オリゴマーを配合した効果を得るには、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマー１００重量部に対して、上記オリゴマーは１重量部以上含有されることが望ましい。上記オリゴマーの配合量の好ましい上限は５０重量部である。上記オリゴマーの量が多すぎると、原料が溶解せず、非粘着フィルム４の製造が困難になることがある。

両末端にアクリル基を有するオリゴマーを用いる場合には、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマー１００重量部に対して、オリゴマーは１〜１００重量部含有されることが好ましく、１〜５０重量部含有されることがより好ましい。多官能のウレタンアクリルオリゴマーを用いる場合には、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマー１００重量部に対して、オリゴマーは１〜５０重量部含有されることが好ましく、１〜３０重量部含有されることがより好ましい。

非粘着フィルム４の作製方法は特に限定されない。この方法として、非粘着フィルム４を構成する材料を離型フィルム上に塗布し、光の照射及び加熱の内の少なくとも一方を行い、離型フィルム上に非粘着フィルム４を形成した後、離型フィルムを剥離する方法が挙げられる。

具体的には、先ず、上記（メタ）アクリル樹脂等の樹脂成分と、光重合架橋剤や熱重合架橋剤などの架橋剤と、その他必要に応じて配合される化合物とを含む組成物を、離型フィルム上に塗布し、組成物層を形成する。そして、光の照射及び加熱の内の少なくとも一つの処理を行う。これにより、光硬化もしくは熱硬化により、または光硬化及び熱硬化により、組成物層が硬化（架橋）され、硬化（架橋）した組成物層からなる非粘着フィルムが得られる。中でも、光硬化を用いることが特に好ましい。

熱硬化により非粘着フィルムを作製する場合、硬化時の温度によっては、組成物層に積層されている離型フィルムが熱収縮する。離型フィルムが熱収縮すると、得られる非粘着フィルムの厚み精度が低下することがある。非粘着フィルムの厚み精度が低下すると、非粘着フィルムとダイボンディングフィルムとの密着性が低下することがある。また、非粘着フィルムの厚み精度が低く、かつダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとが充分に密着していない場合には、ダイボンディングフィルムの表面の凹凸が大きくなることがある。ダイボンディングフィルムの表面の凹凸が大きいと、ダイボンディングフィルムと半導体ウェーハとの密着性が低下することがある。この場合、ダイシング時にチップ飛びが発生しやすい。

上記樹脂組成物の架橋体を得るのに用いられる架橋剤は特に限定されない。該架橋剤として、光重合架橋剤を用いてもよく、熱重合架橋剤を用いてもよい。なかでも、光重合架橋剤が好ましい。光重合架橋剤を用いた場合、モノマーを含む溶液の塗膜を形成した後、モノマーを室温で重合させることにより、樹脂組成物の架橋体を主成分として含む非粘着フィルムを容易に得ることができる。特に、非粘着フィルム４に、該非粘着フィルム４とは別にダイシングフィルム５を積層する場合には、光重合架橋剤を用いることが好ましい。（メタ）アクリル樹脂１００重量部に対して、上記架橋剤は０．０１〜２０重量部含有されることが好ましく、０．０５〜１０重量部含有されることがより好ましく、０．１〜５重量部含有されることがさらに好ましい。

上記光重合架橋剤は特に限定されない。上記光重合架橋剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を用いることができる。

上記光ラジカル発生剤の市販品としては、例えば、イルガキュア１８４、イルガキュア２９５９、イルガキュア９０７、イルガキュア８１９、イルガキュア６５１、イルガキュア３６９及びイルガキュア３７９（以上、いずれもチバ・スペシャリティーケミカルズ社製）、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、並びにルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ Ｊａｐａｎ社製）等が挙げられる。

上記光カチオン発生剤として、オニウム塩類又は有機金属錯体類を用いることができる。上記オニウム塩類として、例えば芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ハロニウム塩、又は芳香族スルホニウム塩等が挙げられる。上記有機金属錯体類として、鉄−アレン錯体、チタノセン錯体、又はアリールシラノール−アルミニウム錯体等が挙げられる。

上記熱重合架橋剤としては、例えば、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。

上記熱ラジカル発生剤としては、有機過酸化物又はアゾ化合物等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、例えばクメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、又はｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、例えば２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、又はジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）等が挙げられる。

非粘着フィルム４は、フィラーをさらに含むことが好ましい。フィラーを含むことにより、ピックアップ性をより一層高めることができる。

上記フィラーの平均粒径は、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．１〜５μｍである。平均粒径が大きすぎると、非粘着フィルム４の面内厚みがばらつくことがある。平均粒径が小さすぎると、ピックアップ性を充分に高めることができないことがある。

なお、「平均粒径」とは、動的レーザー散乱法によって測定される体積平均径を示す。

上記フィラーは特に限定されない。上記フィラーとして、シリカまたはアルミナ等が用いられる。フィラーを除く非粘着フィルム４を構成する材料の合計１００重量部に対して、フィラーは０．１〜１５０重量部含有されることが好ましい。フィラーの量が多すぎると、非粘着フィルム４がエキスパンド時に破断してしまうことがある。フィラーの量が少なすぎると、ピックアップ性を充分に高めることができないことがある。

非粘着フィルム４の厚みは特に限定されない。非粘着フィルム４の厚みは、３０〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。厚みが３０μｍ未満であると、充分なエキスパンド性が得られないことがあり、厚みが１００μｍを超えると、均一な厚みとすることが困難なことがある。厚みにばらつきがあると、半導体チップを製造する際にレーザーダイシングを適切に行えないことがある。

非粘着フィルム４のダイボンディングフィルム３が貼付されている表面４ａの表面エネルギーは、４０Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。非粘着フィルム４が非粘着性を有し、かつ表面４ａの表面エネルギーが４０Ｎ／ｍ以下であると、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４からより一層容易に剥離できる。さらに、剥離の際に、ダイボンディングフィルムの一部が欠けてフィルム片として分離し、該フィルム片が非粘着フィルム４に付着し難い。よって、ダイボンディングフィルム３の欠けが生じ難いので、ダイボンディングをより一層確実に行うことができる。

非粘着フィルム４の表面４ａの表面エネルギーは、３０〜３５Ｎ／ｍの範囲にあることがより好ましい。表面エネルギーが高すぎると、ピックアップ時に剥離不良が生じることがある。表面エネルギーが低すぎると、ダイシング時の水圧によってチップ飛びが発生することがある。

上記表面エネルギーは、例えば濡れ性試薬を用いて、ＪＩＳ Ｋ６７９８に準拠して測定できる。

非粘着フィルム４の破断点での伸度、すなわち破断伸度の好ましい下限は５％、より好ましい下限は１０％である。破断伸度が５％以上であると、エキスパンド性が高められ、半導体チップのピックアップ性がより一層高められる。非粘着フィルム４の破断伸度の好ましい上限は１００％である。破断伸度が１００％を超えると、ピックアップ性が劣ることがある。非粘着フィルム４の破断伸度のより好ましい上限は６０％である。

（ダイボンディングフィルム）
上記ダイボンディングフィルム３は、レーザーダイシングに際し、半導体ウェーハごと切断される。ダイボンディングフィルム３は、レーザーダイシング後に半導体チップごと取り出され、半導体チップのダイボンディングに用いられる。

上記ダイボンディングフィルム３は、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む熱硬化性樹脂組成物を用いて形成される。熱硬化前の上記熱硬化性組成物は十分に柔らかく、従って外力により容易に変形する。もっとも、半導体チップを得た後に、ダイボンディングフィルム３に熱や光のエネルギーを与えて硬化させることで、基板等の被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。

上記熱硬化性化合物は特に限定されない。上記熱硬化性化合物としては、例えばエポキシ樹脂、またはポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

また、ダイボンディングフィルム３は、熱硬化性化合物としてエポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、熱硬化剤とを含むことが好ましい。この場合、ダイボンディングフィルム３を用いて接合された半導体チップと基板との間、あるいは複数の半導体チップ間における接合信頼性をより一層高めることができる。なお、エポキシ樹脂とは、一般的には、１分子中にエポキシ基を２個以上もつ分子量３００〜８０００程度の比較的低分子のポリマー（プレポリマー）、およびそのエポキシ基の開環反応によって生じた熱硬化性樹脂を示す。

ダイボンディングフィルム３は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを１０〜１００重量部の割合で含むことが好ましい。上記高分子ポリマーの配合量は、さらに好ましくは１５〜５０重量部である。上記高分子ポリマーの量が多すぎると、流動性が不足して、ダイボンディングフィルム３と半導体ウェーハとの密着性が低下することがある。高分子ポリマーの量が少なすぎると、ダイボンディングフィルム３の成形時に外観不良を引き起こすことがある。

上記エポキシ樹脂は特に限定されない。上記エポキシ樹脂は、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂であることが好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いた場合、硬化物は剛直となり、分子の運動が阻害される。このため、硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性が高くなる。

上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、または３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂やナフタレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。

上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の具体例としては、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。上記ナフタレン型エポキシ樹脂の具体例としては、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン又は１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。

これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。また、上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いられてもよいし、両者が併用されてもよい。

上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は５００であり、好ましい上限は１０００である。重量平均分子量が５００未満であると、硬化後の硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性等が十分に向上しないことがある。重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。

上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーとしては、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、またはエポキシ基等を有する高分子ポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いた場合、硬化物の可撓性が高くなる。

また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂と、エポキシ基を有する高分子ポリマーとを用いた場合、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂により硬化物の機械的強度、耐熱性、及び耐湿性が高くなるとともに、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーにより硬化物の可撓性も高くなる。

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの重量平均分子量は１０万〜２００万の範囲にあることが好ましい。該エポキシ基を有する高分子ポリマーは、末端及び側鎖（ペンダント位）の内の少なくとも一方にエポキシ基を有する高分子ポリマーであればよく、特に限定されない。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、またはエポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、硬化物の機械的強度や耐熱性が高くなるため、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。これらのエポキシ基を有する高分子ポリマーは、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。

上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、またはカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの熱硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。

上記熱硬化剤のなかでも、常温で液状の加熱硬化型硬化剤や、多官能であり、当量的に添加量が少量で良いジシアンジアミド等の潜在性硬化剤が好適に用いられる。このような硬化剤を用いることにより、硬化前のダイボンディングフィルムの常温での柔軟性が高められ、かつハンドリング性が高められる。

上記常温で液状の加熱硬化型硬化剤の代表的なものとしては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、またはトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤が挙げられる。なかでも、疎水化されていることから、メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好適に用いられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。

硬化速度や硬化物の物性等を調整するために、上記熱硬化剤とともに、硬化促進剤を用いてもよい。

上記硬化促進剤は特に限定されない。上記硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール系硬化促進剤又は３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度や硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。

上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されない。上記イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールや、イソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。

酸無水物系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合は、酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基の当量に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が過剰であると、水分により、熱硬化性樹脂組成物の硬化物から塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化後の硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。

また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合には、アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。アミン物系硬化剤の添加量が過剰であると、熱硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化後の硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く、抽出水が塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。

上記熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に成形し、ダイボンディングフィルム３を得る方法は特に限定されない。ダイボンディングフィルム３を得る際には、ダイコーター、リップコーター、コンマコーター、またはグラビアコーター等が用いられる。なかでも、ダイボンディングフィルムの厚み精度が高められ、異物が混入したとしても筋状のむらなどが形成され難いので、グラビアコーターが好ましい。

ダイボンディングフィルム３の硬化前の２５℃における貯蔵弾性率は、１０^６〜１０^９Ｐａの範囲が好ましい。ダイボンディングフィルム３の貯蔵弾性率が低すぎると、自己形状保持性能が低下し、ピックアップ時にダイボンディングフィルムの欠けが生じることがある。ダイボンディングフィルム３の貯蔵弾性率が高すぎると、ダイボンディングフィルム３が非粘着フィルム４に充分に密着せず、ダイシング−ダイボンディングテープ１の作製が困難になることがある。

（ダイシングフィルム）
上記ダイシングフィルム５は、ダイシングリングに貼り付けるために用いられている。また、ダイシングフィルム５は、ダイシングが行われた後のエキスパンド性を高めるために、あるいはダイボンディングフィルム３付き半導体チップのピックアップ性を高めるために用いられている。上記ダイシングフィルム５は、基材５ａと、該基材５ａの片面に粘着剤が塗布されて構成された粘着剤５ｂとを有する。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、ダイシングフィルム５を備える。ただし、ダイシングフィルム５は必ずしも備えられていなくてもよい。

上記基材５ａは特に限定されない。上記基材５ａとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、またはポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エキスパンド性に優れ、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。

上粘着剤５ｂは特に限定されない。上記粘着剤５ｂとしては、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤又はゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプとしてのアクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤を用いた場合には、非粘着フィルム４に対する貼着力およびダイシングリングからの剥離性を高めることができ、かつコストを低減できる。なお、粘着剤５ｂは、例えばダイシングリングを貼付し得るように構成されていることが好ましい。

上記基材５ａを構成する材料は、ポリオレフィンまたはポリ塩化ビニルであることが特に好ましい。粘着剤５ｂは、アクリル系粘着剤またはゴム系粘着剤であることが好ましい。これらの好ましい材料を用いることにより、半導体チップのピックアップに際し、適度なエキスパンド性が得られる。

（離型フィルム）
上記離型フィルム２は、半導体ウェーハが貼付されるダイボンディングフィルム３の表面３ａを保護するために用いられている。ただし、離型フィルム２は必ずしも用いられなくてもよい。

離型フィルム２は特に限定されない。離型フィルム２としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、またはポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、平滑性、厚み精度などに優れているため、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの合成樹脂フィルムが好ましい。これらのフィルムの片面は、シリコーン離型剤、又は長鎖アルキル基等を有する離型剤を用いて離型処理されていてもよい。

上記離型フィルムは、単層のフィルムであってもよく、上記フィルムが２以上積層された積層フィルムであってもよい。離型フィルムが積層フィルムである場合、上記フィルムのうち異なる２種以上が積層されていてもよい。

図２に、本発明の他の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図で示す。

図２に示すダイシング−ダイボンディングテープ１１では、上述した離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４がこの順で積層されている。すなわち、ダイシング−ダイボンディングテープ１１は、ダイシングフィルム５が別途設けられていないこと以外はダイシング−ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。このように、ダイシングフィルム５は必ずしも設けられていなくてもよい。ダイシング−ダイボンディングテープ１１では、非粘着フィルム４をダイシングフィルムとして用いてもよい。

図３に、本発明の別の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図で示す。

図３に示すダイシング−ダイボンディングテープ１５は、非粘着フィルムの構成が異なることを除いては、ダイシング−ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。ダイシング−ダイボンディングテープ１５では、離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム１６及びダイシングフィルム５がこの順で積層されている。

非粘着フィルム１６は、非粘着性を有する。すなわち、第１の層１７及び第２の層１８は非粘着性を有する。また、非粘着フィルム１６は、樹脂組成物の架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上である。

非粘着フィルム１６のダイボンディングフィルム３が貼付された表面１６ａ、すなわち第１の層１７のダイボンディングフィルムが貼付された表面の表面エネルギーは、４０Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。この場合、ピックアップ時に、ダイボンディングフィルムの一部が欠けてフィルム片が分離し、該フィルム片が非粘着フィルム１６に付着し難い。従って、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム１６から容易に剥離できる。また、ダイボンディングフィルム３の欠けが生じない場合には、ダイボンディングを確実に行うことができる。

ダイシング−ダイボンディングテープ１５では、非粘着フィルム１６が２つの層１７，１８が積層された２層構造を有するので、第１，第２の層１７，１８にそれぞれ異なる機能を持たせることができる。例えば、第１の層１７にダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム１６からの剥離性を高める機能を持たせ、かつ第２の層１８にエキスパンド機能を持たせることができる。よって、非粘着フィルム１６が２層構造を有することで、ダイシング−ダイボンディングテープとして最適な物性を容易に設計できる。

（半導体チップの製造方法）
次に、上述したダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の半導体チップの製造方法を図４〜図９を用いて以下説明する。

先ず上述したダイシング−ダイボンディングテープ１と、図４に平面図で示す半導体ウェーハ２１とを用意する。

上記半導体ウェーハ２１の平面形状は円形である。半導体ウェーハ２１の表面２１ａには、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。半導体ウェーハ２１は、所定の厚みとなるように裏面２１ｂが研磨されている。

半導体ウェーハ２１の厚みは、好ましくは３０μｍ以上である。半導体ウェーハ２１の厚みが３０μｍよりも薄いと、研削時やハンドリング時に、クラック等が発生し、破損することがある。

なお、後述するダイシング時に、マトリックス状に区画された各領域ごとに半導体ウェーハ２１が分割される。

図５に示すように、用意した半導体ウェーハ２１を裏返して、裏返された半導体ウェーハ２１をステージ２２上に載せる。すなわち、半導体ウェーハ２１の表面２１ａ側からステージ２２に載せる。ステージ２２上には、半導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２３が設けられている。ダイシングリング２３の高さは、半導体ウェーハ２１と、ダイボンディングフィルム３と、非粘着フィルム４との合計厚みと等しいか、もしくはわずかに低い。

次に、図６に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１のダイボンディングフィルム３の表面３ａに半導体ウェーハ２１を接合する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁よりも外側に至るように延ばされている延長部５ｃを有する。図６に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型フィルム２を剥離しながら、露出したダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘着剤５ｂを、ダイシングリング２３上に貼付する。さらに、露出したダイボンディングフィルム３を、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに接合する。

図７に、ダイボンディングフィルム３に半導体ウェーハ２１を接合した状態を正面断面図で示す。半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ全体に、ダイボンディングフィルム３が接合されている。半導体ウェーハ２１に余計な力が加わらないように、ダイシングフィルム５の延長部５ｃは、ダイシングリング２３に支持されている。

次に、図８に正面断面図で示すように、ステージ２２からダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１を取り出し、裏返す。このとき、ダイシングリング２３がダイシングフィルム５に貼付された状態で取り出される。表面２１ａが上方になるように、取り出された半導体ウェーハ２１を別のステージ２４上に載せる。

次に、ダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１をレーザーダイシングし、個々の半導体チップに分割する。図８に矢印Ｘを付して示す方向すなわち半導体ウェーハ２１側から、レーザー光を照射することにより、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３がレーザーダイシングされる。

図９に示すように、レーザーダイシング後には、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３は完全に切断されて、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３に切断面３１が形成される。また、レーザー光の照射により、非粘着フィルム４は切断されず、かつ非粘着フィルム４には切り込みが形成されない。

ダイシング−ダイボンディングテープ１では、非粘着フィルム４が樹脂組成物の架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率及び６０℃における貯蔵弾性率が上記特定の範囲にあるため、レーザーダイシングに際し、レーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みが形成され難く、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断できる。また、ダイシング−ダイボンディングテープ１では、非粘着フィルム４が、光の照射により粘着力が低減されるものではなく、かつ樹脂組成物の架橋体を主成分として含むため、レーザー光が照射されても溶着が生じ難い。

半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５を引き延ばして、分割された個々の半導体チップの間隔を拡張する。ダイシング−ダイボンディングテープ１はダイシングフィルム５を有するため、エキスパンド性に優れ、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５を容易に引き延ばすことができる。

非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５を引き伸ばした後に、半導体チップが接合された状態で、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離して取り出すことにより、半導体チップを得ることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合には、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から、容易に剥離できる。そのため、半導体チップをダイボンディングフィルム３ごと取り出す際に、半導体チップが破損するのを抑制できる。また、ダイボンディングフィルム３の一部が欠けてフィルム片として分離し、該フィルム片が非粘着フィルム４に付着するのを抑制できる。よって、得られた半導体チップには、欠けのないダイボンディングフィルムが接合されているので、より一層確実にダイボンディングすることができる。

なお、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離する方法としては、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ側から、多数のピンを用いて突き上げる方法や多段ピンを用いて突き上げる方法、半導体ウェーハ２１の表面２１ａ側から真空ピールする方法、または超音波振動を利用する方法等が挙げられる。

半導体チップの破損をより一層防止できるので、半導体ウェーハ２１とダイボンディングフィルム３との接合面に対して略直交する方向に作用する力を付与することにより、ダイボンディングフィルム３が接合された状態で半導体チップを非粘着フィルム４から剥離することが好ましい。

ダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイボンディングフィルム３と、非粘着フィルム４との剥離性が高められている。従って、光照射等により剥離力を低下させる作業を行わなくても、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを容易に取り出すことができる。すなわち、ダイシング−ダイボンディングテープ１では、例えば光の照射等により剥離力が低下するように非粘着フィルムを構成する必要はない。非粘着フィルムは、光照射等により剥離力が低下するものではないことが好ましい。非粘着フィルムが光照射等により剥離力が低下するものでない場合には、光照射等により剥離力を低下させる作業を行わなくてもよく、半導体チップの製造効率が高められる。なお、光の照射とは、自然光下に晒される場合を含まず、紫外線などを意図的に照射することをいう。

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明する。本発明はこれら実施例のみに限定されない。

ダイシング−ダイボンディングテープの作製に際し、以下のダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムを用意した。

（１）ダイボンディングフィルムの形成
（ダイボンディングフィルムＡ）
Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ基含有アクリル系高分子ポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）８０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（大日本インキ社製、ナフタレン型エポキシ樹脂）５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部とを配合し、配合物を得た。この配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。これを離型フィルムに塗布し、１１０℃で３分間オーブン中で加熱乾燥し、離型フィルム上に厚み４０μｍのダイボンディングフィルムＡを形成した。

（ダイボンディングフィルムＢ）
日立化成工業社製ＤＦ４０２

（２）非粘着フィルムの形成
先ず、以下の（メタ）アクリル樹脂を合成した。

（ポリマー１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂であるアクリル共重合体（ポリマー１）を得た。ポリマー１は、重量平均分子量が７０万であり、酸価が０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。

（ポリマー２）
２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、アクリル酸１重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂であるアクリル共重合体（ポリマー２）を得た。ポリマー２は、重量平均分子量が７６万であり、酸価が６．７３（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。

（ポリマー３）
２−エチルヘキシルアクリレート９９重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を０．９重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂であるアクリル共重合体（ポリマー３）を得た。ポリマー３は、重量平均分子量が７３万であり、酸価が０．３４（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。

（ポリマー４）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を７重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂であるアクリル共重合体（ポリマー４）を得た。ポリマー４は、重量平均分子量が９２万であり、酸価が１．００（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。

（非粘着フィルムＬ１〜Ｌ６）
得られたポリマー１〜４のいずれか１つのポリマーと、Ｕ−３２４Ａ（新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー）と、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製）と、フィラーとしてのＳＥ４０５０（アドマテックス社製、シリカフィラー）とを下記表１に示す割合で配合し、酢酸エチルに溶解し、溶液を得た。この溶液を、離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの上にアプリケーターを用いて塗工した。さらに１１０℃のオーブン中で３分間加熱乾燥し、厚み５０μｍのフィルムを形成した。このフィルムに、高圧水銀灯下で、３６５ｎｍの紫外線を１０００ｍＪで照射した。このようにして架橋された非粘着フィルムＬ１〜Ｌ６を得た。

（３）ダイシングフィルム
（ダイシングフィルムＤＣ１）
ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ：積水化学社製、ポリエチレン基材の片面にゴム系粘着剤からなる粘着剤層が形成されたＰＥテープ、基材の厚み６０μｍ、粘着剤層の厚み１０μｍ

（実施例１）
離型フィルム上のダイボンディングフィルムＡの表面に、非粘着フィルムＬ１を６０℃でラミネートした。次に、非粘着フィルムＬ１のダイボンディングフィルムＡに貼付された面とは反対側の面に、ダイシングフィルムＤＣ１を粘着剤側から貼り付けた。このようにして、離型フィルム／ダイボンディングフィルム／非粘着フィルム／ダイシングフィルムがこの順で積層されたダイシング−ダイボンディングテープを作製した。

（実施例２〜５、及び比較例１）
非粘着フィルムを、下記の表１に示すフィルムにそれぞれ代えたこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。なお、貼り付けに際して、ダイシングフィルムが粘着剤層を有する場合には、ダイシングフィルムは粘着剤側から、非粘着フィルムに貼り付けた。

（実施例６）
ダイボンディングフィルムＡを、ダイボンディングフィルムＢに代えたこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。

（ダイシング−ダイボンディングテープの評価）
（１）ダイボンディングフィルムの硬化前の２５℃における貯蔵弾性率
加熱により硬化される前のダイボンディングフィルムを、厚さ０．５ｍｍｍ、幅５ｍｍ及び長さ３ｃｍの大きさに切り出し、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルについて、アイティ計測社製ＤＶＡ−２００を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で２５℃における貯蔵弾性率を測定した。

（２）ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度
ダイボンディングフィルムの一方の面に、非粘着フィルムを６０℃でラミネートした。次に、ダイボンディングフィルムの非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面にステンレス板を貼り付けて、ダイボンディングフィルムとステンレス板とを接着し、評価サンプルを得た。その後、非粘着フィルムとダイボンディングフィルムとの界面で剥離が生じるように評価サンプルを固定した状態で、３００ｍｍ／分の剥離速度で、ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの界面に対して１８０度方向に、非粘着フィルムをダイボンディングフィルムから剥離した。このとき剥離に要した力を、島津製作所製ＡＧＳ−１００Ｄを用いて、測定幅２５ｍｍで測定し、得られた値の平均値を剥離強度とした。

（３）非粘着フィルムの２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率
非粘着フィルムを厚さ０．５ｍｍ、幅５ｍｍ及び長さ３ｃｍの大きさに切り出し、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルについて、アイティ計測社製ＤＶＡ−２００を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で、２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率を測定した。

（４）樹脂組成物の架橋体（樹脂架橋体）のゲル分率
得られたポリマー１〜４と、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製）とを下記表１に示す割合で配合し、その他の配合物は配合せず、酢酸エチルに溶解し、溶液を得た。この溶液を、離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの上にアプリケーターを用いて塗工した。さらに１１０℃のオーブン中で３分間加熱乾燥し、厚み５０μｍのフィルムを形成した。このフィルムに、高圧水銀灯下で、３６５ｎｍの紫外線を１０００ｍＪで照射し、ポリマーを架橋させた。

フィルムを離型ＰＥＴから剥離し、得られたフィルムを用いて、上述の方法によりゲル分率を求めた。結果を表１に示す。

（５）非粘着フィルムの破断伸度
非粘着フィルム（厚さ０．５ｍｍ×幅５ｍｍ×長さ７ｃｍ）を、引張試験機ＡＧ−ＩＳ（島津製作所製）を用いて、３００ｍｍ／分の条件で引っ張り、破断に至った際の伸度を破断伸度とした。

（６）非粘着フィルムの表面エネルギー
濡れ性試薬（ナカライテスク社製）を用いて、非粘着フィルムのダイボンディングフィルムに貼付される面の表面エネルギーを、ＪＩＳ Ｋ６７９８に準拠して測定した。

（７）レーザーダイシング性評価
ダイシング−ダイボンディングテープの離型フィルムを剥離し、露出したダイボンディングフィルムを、直径８ｉｎｃｈ、厚み８０μｍのシリコンウェーハの一方の面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。

レーザーダイシング装置（ディスコ社製、品番ＤＦＬ７１６０）を用いて、波長３５５ｎｍのパルスレーザー光をシリコンウェーハの上方から照射し、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにレーザーダイシングした。

レーザーダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、及びエキスパンド４ｍｍの各条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行った。

上記のようにして、レーザーダイシング性、及びレーザーダイシング後のピックアップの可否を評価した。さらに、ピックアップ後に、ピックアップされた５個の半導体チップについて４辺ずつ、計２０辺においてダイボンディングフィルムの一部が欠けているか否かを観察した。辺に沿った長さが５０μｍより大きい欠けが存在しない辺の数を数えた。

なお、レーザーダイシング性は、下記の評価基準で評価した。

〔レーザーダイシング性の評価基準〕
○：非粘着フィルムに切り込みが形成されておらず、切断面において非粘着フィルムとダイボンディングフィルムとの間の融着が見られず、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムを精度良く切断できた。

△：非粘着フィルムにごく浅いが切り込みが形成されているか、又は切断面において非粘着フィルムとダイボンディングフィルムの界面に若干融着が見られた。

×：非粘着フィルムに切り込みが形成されおり、かつ、切断面において非粘着フィルムとダイボンディングフィルムの界面に融着が見られ、平面視した際に切断線がきれいな直線ではなかった。

結果を下記表１に示す。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。 図２は、本発明の他の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図である。 図３は、本発明の別の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図である。 図４は、半導体チップの製造に用いられる半導体ウェーハを示す平面図である。 図５は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、半導体ウェーハがステージ上に載せられた状態を示す正面断面図である。 図６は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合するときの状態を示す正面断面図である。 図７は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合した状態を示す正面断面図である。 図８は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルム付き半導体ウェーハが裏返されて別のステージ上に載せられた状態を示す正面断面図である。 図９は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体装置を製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムが接合された半導体ウェーハをレーザーダイシングし、個々の半導体チップに分割した状態を示す部分切欠正面断面図である。

符号の説明

１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型フィルム
２ａ…上面
３…ダイボンディングフィルム
３ａ…表面
４…非粘着フィルム
４ａ，４ｂ…表面
５…ダイシングフィルム
５ａ…基材
５ｂ…粘着剤
５ｃ…延長部
６，７…保護シート
１１…ダイシング−ダイボンディングテープ
１５…ダイシング−ダイボンディングテープ
１６…非粘着フィルム
１６ａ，１６ｂ…表面
１７…第１の層
１８…第２の層
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２３…ダイシングリング
２４…ステージ
３１…切断面

Claims (13)

1. 半導体ウェーハをレーザーダイシングし、半導体チップを得、半導体チップをダイボンディングするのに用いられるレーザーダイシング用のダイシング−ダイボンディングテープであって、
   ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルムの一方の面に貼付された非粘着フィルムとを有し、
   前記ダイボンディングフィルムが、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、
   前記非粘着フィルムは、樹脂組成物の架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とする、ダイシング−ダイボンディングテープ。
2. 前記樹脂組成物の架橋体が、（メタ）アクリル樹脂又はオレフィン系樹脂を含む樹脂組成物の架橋体である、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
3. 前記樹脂組成物の架橋体が、（メタ）アクリル樹脂を含む樹脂組成物の架橋体である、請求項２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
4. 前記樹脂組成物が、前記（メタ）アクリル樹脂として、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを含む、請求項２または３に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
5. 前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが、炭素数６以上のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーである、請求項４に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
6. 前記ダイボンディングフィルムの熱硬化前の２５℃における貯蔵弾性率が、１０^６〜１０^９Ｐａの範囲にある、請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
7. 前記ダイボンディンフィルムが、前記熱硬化性化合物としてエポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、前記熱硬化剤とを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
8. 前記エポキシ樹脂の分子量が１０００以下である、請求項７に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
9. 前記ダイボンディングフィルムが、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、前記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを１０〜１００重量部の割合で含む、請求項７または８に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
10. 前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面に、ダイシングフィルムが貼付されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載のレーザーダイシング用のダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、
    ダイシング−ダイボンディングテープの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、
    ダイシング−ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとレーザー光の照射により切断し、個々の半導体チップに分割する工程と、
    ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを取り出す工程とを備えることを特徴とする、半導体チップの製造方法。
12. 前記個々の半導体チップに分割する工程において、レーザー光の照射により、前記非粘着フィルムが切断されることなく、かつ前記非粘着フィルムに切り込みが形成されることなく、前記半導体ウェーハ及び前記ダイボンディングフィルムを切断することを特徴とする、請求項１１に記載の半導体チップの製造方法。
13. 前記半導体チップを取り出す工程において、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップを取り出すことを特徴とする、請求項１１または１２に記載の半導体チップの製造方法。

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