JP2014212185A - ダイシング−ダイボンディングテープの製造方法 - Google Patents

ダイシング−ダイボンディングテープの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014212185A
JP2014212185A JP2013087106A JP2013087106A JP2014212185A JP 2014212185 A JP2014212185 A JP 2014212185A JP 2013087106 A JP2013087106 A JP 2013087106A JP 2013087106 A JP2013087106 A JP 2013087106A JP 2014212185 A JP2014212185 A JP 2014212185A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive layer
dicing
layer
adhesive
die bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013087106A
Other languages
English (en)
Inventor
新城 隆
Takashi Shinjo
隆 新城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP2013087106A priority Critical patent/JP2014212185A/ja
Publication of JP2014212185A publication Critical patent/JP2014212185A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52Mounting semiconductor bodies in containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】非粘着層とダイシング層との界面で剥離を生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ1の製造方法では、粘接着剤層3と、粘接着剤層3の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ粘接着剤層3側の表面が非粘着性である非粘着層4とを有する積層体を用いる。本発明では、ダイシング層5の非粘着層4側とは反対の表面側から、非粘着層4に紫外線を照射する。
【選択図】図1

Description

本発明は、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、該粘接着剤層付き半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法に関する。
従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出して、半導体チップを得るために、ダイシングテープが用いられている。また、半導体チップを基板等にダイボンディングするために、ダイボンディングフィルムである粘接着剤層を有するダイシングテープが用いられている。この粘接着剤層を有するダイシングテープは、ダイシング−ダイボンディングテープと呼ばれている。
下記の特許文献1,2には、上記ダイシング−ダイボンディングテープの一例が開示されている。図4に示すように、特許文献1,2に記載のダイシング−ダイボンディングテープ101は、離型フィルム102と、ダイボンディングフィルム103と、非粘着フィルム104と、ダイシングフィルム105とがこの順で積層されて構成されている。ダイシングフィルム105は、基材105Aと粘着剤層105Bとを有する。ダイシングフィルム105は、粘着剤層105B側から、非粘着フィルム104に積層されている。
特許文献1では、ダイボンディングフィルム103と非粘着フィルム104との剥離強度が1〜6N/mの範囲内であり、ダイボンディングフィルム103と非粘着フィルム104とのシェア強度が0.3〜2N/mmであることが記載されている。また、特許文献1では、粘着剤層105Bは、非粘着フィルム104とダイシングフィルム105との剥離強度が、ダイボンディングフィルム103と非粘着フィルム104との剥離強度よりも大きくなるように構成されることが記載されている。
特許文献1の実施例9では、ダイシング−ダイボンディングテープ101の具体的な製造方法として、離型フィルム102上のダイボンディングフィルム103の表面に、非粘着フィルム104をラミネートした後、非粘着フィルム104のダイボンディングフィルム103側とは反対の表面に、ダイシングフィルム105を貼り付けている。
特許文献2では、非粘着フィルム104が、(メタ)アクリル樹脂架橋体を主成分として含むことが記載されている。特許文献2では、非粘着フィルム104の作製方法として、非粘着フィルム104を構成する材料を離型フィルム上に塗布し、光の照射及び/又は加熱を行い、離型フィルム上に非粘着フィルム104を形成した後、離型フィルムを剥離する方法が記載されている。
WO2008/010547A1 WO2008/132852A1
特許文献1,2に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、ダイボンディングフィルム103付き半導体チップを、非粘着フィルム104から容易に剥離して、取り出すことができる。
しかし、従来のダイシング−ダイボンディングテープ101を製造する方法では、ダイシング−ダイボンディングテープ101を得る製造工程において、非粘着フィルム104とダイシングフィルム105との界面で、剥離が生じることがある。
さらに、近年、非粘着フィルム104とダイシングフィルム105との界面ではなくダイボンディングフィルム103と非粘着フィルム104との界面で、ダイボンディングフィルム103付き半導体チップを、非粘着フィルム104からより一層確実に剥離することを可能にするダイシングーダイボンディングテープが求められている。
本発明の目的は、非粘着層とダイシング層との界面で剥離を生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法を提供することである。
本発明の広い局面によれば、半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得て、前記半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法であって、粘接着剤層と、前記粘接着剤層の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ前記粘接着剤層側の表面が非粘着性である非粘着層とを有する積層体を用意する工程と、基材と前記基材の一方の表面に積層されている粘着部とを有するダイシング層を用いて、前記非粘着層の前記粘接着剤層側とは反対の表面に、前記ダイシング層を前記粘着部側から貼り付ける工程とを備え、前記積層体を用いて、前記非粘着層の前記粘接着剤層側とは反対の表面に前記ダイシング層を貼り付けた後に、前記ダイシング層の前記非粘着層側とは反対の表面側から、前記非粘着層に紫外線を照射する工程をさらに備える、ダイシング−ダイボンディングテープの製造方法が提供される。
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法のある特定の局面では、前記非粘着層が、前記光重合性化合物としてアクリル系ポリマーを用いて、前記アクリル系ポリマーを架橋させて形成されている。
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法のある特定の局面では、前記アクリル系ポリマーが、炭素数1〜18のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸エステルポリマーである。
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法のある特定の局面では、前記ダイシング層が、紫外線透過性を有する。
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法は、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ上記粘接着剤層側の表面が非粘着性である非粘着層とを有する積層体を用意する工程と、基材と上記基材の一方の表面に積層されている粘着部とを有するダイシング層を用いて、上記非粘着層の上記粘接着剤層側とは反対の表面に、上記ダイシング層を上記粘着部側から貼り付ける工程とを備え、更に、上記積層体を用いて、上記非粘着層の上記粘接着剤層側とは反対の表面にダイシング層を貼り付けた後に、上記ダイシング層の上記非粘着層側とは反対の表面側から、上記非粘着層に紫外線を照射する工程をさらに備えるので、上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離を生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
図1(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法により得られるダイシングーダイボンディングテープを模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。 図2(a)〜(d)は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法の各工程を説明するための部分切欠正面断面図である。 図3(a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法により得られるダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。 図4は、従来のダイシング−ダイボンディングテープを説明するための部分切欠正面断面図である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得て、上記半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法である。
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法は、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ上記粘接着剤層側の表面が非粘着性である非粘着層とを有する積層体を用意する工程と、基材と上記基材の一方の表面に積層されている粘着部とを有するダイシング層を用いて、上記非粘着層の上記粘接着剤層側とは反対の表面に、上記ダイシング層を上記粘着部側から貼り付ける工程とを備える。
さらに、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法は、上記積層体を用いて、上記非粘着層の上記粘接着剤層側とは反対の表面に上記ダイシング層を貼り付けた後に、上記ダイシング層の上記非粘着層側とは反対の表面側から、上記非粘着層に紫外線を照射する工程をさらに備える。
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法では、上述した各工程が備えられているので、非粘着層とダイシング層との界面で剥離が生じ難く、粘接着剤層と非粘着層との界面でより一層確実に剥離させることができ、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
本発明では、ダイシング−ダイボンディングテープの製造工程において、上記非粘着層と上記ダイシング層との界面での剥離を生じ難くすることができる。さらに、本発明では、ダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、上記非粘着層と上記ダイシング層との界面での剥離を生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることもできる。
上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高めるために、上記積層体を用いて、上記非粘着層の上記粘接着剤層側とは反対の表面に上記ダイシング層を貼り付けた後に、上記ダイシング層の上記非粘着層側とは反対の表面側から、上記非粘着層に紫外線を照射する。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
(ダイシング−ダイボンディングテープ)
図1(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法により得られるダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図1(a)は部分切欠平面図であり、図1(b)は図1(a)中のI−I線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図1及び後述の図では、図示の便宜上、寸法及び大きさは、実際の寸法及び大きさから適宜変更している。
図1(a)及び(b)に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ1は、粘接着剤層3と、非粘着層4と、ダイシング層5とを備える。粘接着剤層3の一方の表面(第1の表面)に、非粘着層4が積層されている。粘接着剤層3の他方の表面(第2の表面)に、離型層2が積層されている。非粘着層4の一方の表面(第1の表面)に、粘接着剤層3が積層されている。非粘着層4の粘接着剤層3側とは反対の他方の表面(第2の表面)に、ダイシング層5が積層されている。非粘着層4は、光重合性化合物を用いて形成されている。非粘着層4では、粘接着剤層3側の表面が非粘着性である。非粘着層4では、ダイシング層5側の表面が非粘着性であることが好ましい。ダイシング層5は、基材5Aと、粘着部5Bとを有する。粘着部5Bは、基材5Aの一方の表面に積層されている。ダイシング層5は、粘着部5B側から非粘着層4の表面に積層されている。
離型層2は、長尺状である。長尺状の離型層2の上面に、粘接着剤層3、非粘着層4、及びダイシング層5を有する複数の積層体が等間隔に配置されている。該積層体の側方において、離型層2の上面に保護シートが設けられていてもよい。
粘接着剤層3及び非粘着層4の平面形状は、略円形である。ダイシング層5の平面形状は略円形である。粘接着剤層3の径は、非粘着層4の径と同じであってもよく、異なってもよい。非粘着層4の径は、粘接着剤層3の径よりも大きいことが好ましい。非粘着層4の外周側面は、粘接着剤層3の外周側面よりも外側に張り出していることが好ましい。また、非粘着層4の外周側面は、粘接着剤層により覆われていないことが好ましい。粘接着剤層3と非粘着層4との大きさがこのような好ましい関係を満足すると、粘接着剤層3に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層3の非粘着層4が積層されている部分に半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。また、半導体ウェーハを粘接着剤層3に、より一層確実に貼り付けることができる。
ダイシング層5は、粘接着剤層3及び非粘着層4の外周側面よりも外側に張り出している延長部5xを有する。ダイシング層5の延長部5xの片面が、粘着部5Bにより離型層2の上面に貼り付けられている。すなわち、粘接着剤層3及び非粘着層4の外周側面よりも外側の領域で、ダイシング層5が離型層2の上面に貼り付けられている。
ダイシング層5が延長部5xを有するのは、粘接着剤層3の他方の表面に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層3の外周側面よりも外側に位置する延長部5xの粘着部5Bに、ダイシングリングを貼り付けるためである。
ダイシング層5の径は、粘接着剤層3及び非粘着層4の径よりも大きい。ダイシング層5の外周側面は、粘接着剤層3及び非粘着層4の外周側面よりも外側に張り出している。ダイシング層5と粘接着剤層3及び非粘着層4との大きさがこのような好ましい関係を満足することによっても、粘接着剤層3に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層3の非粘着層4が積層されている部分に、半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。貼り付けの後には、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層3の一方の表面上に非粘着層4を確実に配置できる。このため、非粘着層4からの粘接着剤層3の剥離性を高めることで、ダイシングの後に、粘接着剤層3付き半導体チップを、非粘着層4から容易に剥離できる。特に、非粘着層4が非粘着性を有することによって、粘接着剤層3付き半導体チップを、非粘着層4からより一層容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。さらに、ダイシングリングと半導体ウェーハとを異なる層に貼り付けることができるので、粘接着剤層3と非粘着層4とダイシング層5とをそれぞれ最適な材料により構成できる。このため、切削性及びピックアップ性と、ダイボンディング後の接合信頼性とを高くすることができる。
図1に示すダイシング−ダイボンディングテープ1は、例えば、図2(a)〜(d)に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
先ず、図2(a)に示すように、離型層2の上面に、粘接着剤層3が積層された積層体21を用意する。また、離型層26上に非粘着層4Aが積層された積層体22を用意する。この非粘着層4Aは、光重合性化合物を用いて形成されている。非粘着層4Aでは、少なくとも粘接着剤層3側の表面が非粘着性である。非粘着層4Aの粘接着剤層3側とは反対の表面が、粘着性であってもよい。非粘着層4Aのダイシング層5が積層される側の表面が、粘着性であってもよい。
次に、積層体21における離型層2の上面に積層された粘接着剤層3の表面に、積層体22における非粘着層4Aを、離型層26を剥離しながら、又は離型層26を剥離した後に、積層する。
このようにして、図2(b)に示すように、離型層2と、離型層2の一方の表面に積層された粘接着剤層3と、粘接着剤層3の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ粘接着剤層3側の表面が非粘着性である非粘着層4Aとを有する積層体11を用意する。このように、上記粘接着剤層と上記非粘着層とを有する積層体は、上記離型層を備えることが好ましい。
次に、図2(c)に示すように、基材5Aと基材5Aの一方の表面に積層されている粘着部5Bとを有するダイシング層5を用いて、非粘着層4Aの粘接着剤層3側とは反対の表面に、ダイシング層5を粘着部5B側から貼り付ける。
次に、積層体11を用いて、非粘着層4Aの粘接着剤層3側とは反対の表面にダイシング層5を貼り付けた後に、ダイシング層5の非粘着層4A側とは反対の表面側から、非粘着層4Aに紫外線を照射して、図2(d)に示すように、非粘着層4を形成する。非粘着層4は、紫外線が照射された非粘着層である。
このようにして、ダイシング−ダイボンディングテープ1を得ることができる。このように紫外線を照射することで、非粘着層4とダイシング層5との界面で剥離を生じ難くし、粘接着剤層3付き半導体チップのピックアップ性を十分に高めることができる。
非粘着層4Aに光に光を照射する際の積算光量は、好ましくは2500mJ/cm以上、より好ましくは3000mJ/cm以上、好ましくは7000mJ/cm以下、より好ましくは5000mJ/cm以下である。
非粘着層4Aに光を照射するための光源としては、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ及びLEDランプ等が挙げられる。
以下、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープにおける各層の詳細を説明する。
上記離型層は、例えば、離型フィルムである。上記離型層は、上記粘接着剤層の半導体ウェーハが貼り付けられる面を保護し、ロール状の製品形態で提供するために用いられる。なお、上記離型層は、必ずしも用いられていなくてもよい。
上記離型層の材料としては、プラスチック樹脂が挙げられ、具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂などが挙げられる。
上記離型層の表面は離型処理されていてもよい。上記離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。上記離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。
上記離型層の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、上記離型層の厚みは、好ましくは10μm以上、好ましくは100μm以下である。
上記粘接着剤層は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。上記粘接着剤層は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。
上記粘接着剤層は、例えば適宜の硬化性樹脂などの硬化性化合物を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。上記粘接着剤層付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層付き半導体チップを上記粘接着剤層側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、上記粘接着剤層を硬化させることにより、上記粘接着剤層を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。
上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。該硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、及びカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と硬化促進剤とを併用してもよい。
上記粘接着剤層の厚みは特に限定されない。上記粘接着剤層の厚みは、一般的には5μm以上、150μm以下である。半導体装置の設計寸法に応じて、適正な粘接着剤層の厚みが選定される。
上記非粘着層では、上記粘接着剤層側の表面が非粘着性である。ダイシング−ダイボンディングテープでは、上記非粘着層では、上記ダイシング層側の表面が非粘着性であってもよい。なお、「非粘着性」とは、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着」とは、上記非粘着層をステンレス板に貼り付けて、上記非粘着層を300mm/分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が0.05N/25mm幅以下であることを意味する。
上記非粘着層は、例えば、光重合性化合物を用いて形成されている。具体的には、上記非粘着層は、光重合性化合物を含む組成物を用いて形成されている。
上記光重合性化合物としては、アクリル系ポリマー、エポキシ変性アクリレート及びウレタン変性アクリレート及びポリエステル変性アクリレート等が挙げられる。上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記光重合性化合物は、アクリル系ポリマーであることが好ましい。上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記非粘着層は、上記光重合性化合物として上記アクリル系ポリマーを用いて上記アクリル系ポリマーを架橋させて形成されていることが好ましく、上記非粘着層の材料は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体であることが好ましい。この場合には、上記非粘着層の極性、貯蔵弾性率又は破断伸びを容易に制御及び設計することもできる。
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記アクリル系ポリマーは、(メタ)アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記アクリル系ポリマーは、炭素数1〜18のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。この(メタ)アクリル酸エステルポリマーは、アルキル基を有し、かつ上記アルキル基の炭素数が1〜18である(メタ)アクリル酸エステルポリマーである。また、炭素数1〜18のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、上記非粘着層の極性が充分に低くなり、上記非粘着層の表面エネルギーが低くなり、かつ上記粘接着剤層の上記非粘着層からの剥離性が高くなる。
上記組成物は、光反応開始剤を含むことが好ましい。上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。
上記非粘着層の厚みは特に限定されない。上記非粘着層の厚みは、好ましくは5μm以上、より好ましくは10μm以上、好ましくは80μm以下、より好ましくは50μm以下である。上記非粘着層の厚みが上記下限以上であると、エクスパンド性がより一層高くなる。上記非粘着層の厚みが上記上限以下であると、厚みがより一層均一になり、ダイシングの精度がよく一層高くなる。上記非粘着層の厚みは、30μm以上、50μm以下であることが特に好ましい。上記非粘着層の厚みが30μm以上、50μm以下であると、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性がより一層良好になる。
上記ダイシング層は、上記基材と、上記粘着部とを有する。上記粘着部は粘着剤層であることが好ましい。
上記非粘着層と上記ダイシング層との剥離力は、上記粘接着剤層と上記非粘着層との剥離力よりも大きいことが好ましい。このような剥離力を満足するように上記粘着部が構成されていることが好ましい。
上記ダイシング層における上記基材の材料としては、プラスチック樹脂が挙げられ、具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂や、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン樹脂が好適に用いられる。更に、本発明を設計しやすいため、ポリエチエン樹脂が好適に用いられる。
上記粘着部は特に限定されない。上記粘着部を構成する粘着剤の具体例として、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤及びゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。感圧タイプのアクリル系粘着剤が用いられた場合、ダイシングリングを上記粘着部からより一層容易に剥離できる。さらに、上記粘着部のコストを低減できる。
上記基材の厚みは特に限定されない。上記基材の厚みは、好ましくは50μm以上、より好ましくは80μm以上、好ましくは200μm以下、より好ましくは160μm以下である。上記基材の合計の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体ウェーハをより一層精度よくダイシングでき、ピックアップ性をより一層高めることができる。さらに、上記離型層の剥離性及び上記ダイシング層のエクスパンド性がより一層高くなる。
上記粘着部の厚みは特に限定されない。上記粘着部の厚みは、好ましくは2μm以上、より好ましくは5μm以上、好ましくは50μm以下、より好ましくは30μm以下である。上記粘着部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、上記非粘着層と上記ダイシング層との剥離力を適度な範囲に制御することが容易になる。
(粘接着剤層付き半導体チップの製造方法)
次に、図1(a),(b)に示すダイシング−ダイボンディングテープ1を用いた場合の粘接着剤層3付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。
上述したダイシング−ダイボンディングテープ1と、図3(a)に示す半導体ウェーハ41とを用意する。
半導体ウェーハ41の平面形状は円形である。半導体ウェーハ41の表面には、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。半導体ウェーハ41の厚みは、30μm以上であることが好ましい。半導体ウェーハ41の厚みが薄いと、研削時又はハンドリング時に、クラック等が発生し、半導体チップが破損しやすくなる。
図3(a)に示すように、半導体ウェーハ41を裏返して、裏返された半導体ウェーハ41を表面側からステージ35上に載せる。ステージ35上には、半導体ウェーハ41の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング36が設けられている。
次に、図3(a)に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ1の離型層2を剥離しながら、又は離型層2を剥離した後に、露出した粘接着剤層3の他方の面を、半導体ウェーハ41の裏面に貼り付ける。また、露出したダイシング層5の外周部分を、ダイシングリング36に貼り付ける。
次に、図3(b)に示すように、粘接着剤層3が貼り付けられた半導体ウェーハ41をステージ35から移して、裏返す。このとき、ダイシングリング36をダイシング層5の粘着部5Bに貼り付けられた状態で取り出す。取り出した半導体ウェーハ41を表面が上方になるように裏返して、別のステージ37上に載せる。次に、半導体ウェーハ41を粘接着剤層3ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する。半導体ウェーハ41と、粘接着剤層3とを、両面を貫通し、分断するようにダイシングする。ここでは、粘着部5Bを、両面を貫通し、分断するようにダイシングしている。但し、粘着部5Bは、分断しなくてもよい。
ダイシングの方法としては、ダイシングブレードが用いられる。ダイシング時には、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等が用いられる。また、ダイシングに、レーザーダイシングを用いてもよい。
ダイシングの後に、半導体ウェーハ41に切断部分41aが形成され、粘接着剤層3に切断部分3aが形成され、粘着部5Bに切断部分5Baが形成される。ダイシングする工程において、基材5Aを、分断しないようにかつ基材5Aに切り込み5Aaを形成するようにダイシングすることが好ましい。基材5Aを、両面を貫通しないようにかつ基材5Aの粘着部5B側の表面に切り込み5Aaを形成するようにダイシングすることが好ましい。基材5Aは切断(分断)されないことが好ましい。
次に、図3(c)に示すように、ダイシング層5を引き延ばして、分割された個々の半導体チップの間隔を拡張する。その後、半導体チップを粘接着剤層3ごと非粘着層4から剥離して、取り出すことにより、粘接着剤層3付き半導体チップを得ることができる。
本実施形態では、ダイシング−ダイボンディングテープ1が上述した製造方法により得られているので、ピックアップ性を高めることができる。
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
非粘着層を形成するための組成物を構成する材料として、以下の化合物を用意した。
(アクリル系ポリマー1)
2−エチルヘキシルアクリレート95重量部、2−ヒドロキシエチルアクリレート5重量部、光ラジカル発生剤であるイルガキュア651(チバガイギ社製、50%酢酸エチル溶液)0.2重量部、及びラウリルメルカプタン0.01重量部を酢酸エチルに溶解させて、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分100重量部に対して、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(昭和電工社製「カレンズMOI」)3.5重量部を反応させて、アクリル共重合体(アクリル系ポリマー1)を得た。得られたアクリル系ポリマー1の重量平均分子量は70万であり、酸価は0.86(mgKOH/g)であった。
(光重合開始剤)
イルガキュア651(チバガイギ社製)
(オリゴマー)
U324A:新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー(10官能のウレタンアクリルオリゴマー)、重量平均分子量:1,300
(実施例1)
実施例1では、図1(a),(b)に示すダイシング−ダイボンディングテープを形成した。
非粘着層の作製:
上記アクリル系ポリマー1を100重量部と、イルガキュア651を1重量部と、ウレタンアクリルオリゴマーであるU324Aを15重量部とを配合し、組成物を得た。得られた組成物を離型PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に塗工し、110℃で5分間乾燥し、溶媒を除去し、組成物層を形成した。
次に、得られた組成物層の表面が露出した状態で、組成物層の全領域に、超高圧水銀灯(オーク製作所社製「IML−4000」)を用いて、365nmの紫外線を積算光量が2500mJ/cmとなるように照射し、組成物層を硬化させた。このようにして、非粘着性を有する非粘着層(厚み50μm)を得た。
離型PETフィルム/粘接着剤層/非粘着層の積層体の作製:
G−2050M(日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Mw20万)15重量部と、HP−7200HH(DIC社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物)70重量部と、HP−4032D(DIC社製、ナフタレン型エポキシ化合物)15重量部と、YH−309(三菱化学社製、酸無水物系硬化剤)38重量部と、2MAOK−PW(四国化成社製、イミダゾール化合物)8重量部と、KBM−403(信越化学工業社製、エポキシシラン)2重量部と、MT−10(トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ)10重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物を溶剤であるメチルエチルケトン(MEK)に固形分60重量%となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。
得られた塗液を離型PETフィルム上に厚み100μmになるように塗工し、110℃のオーブン内で8分間加熱乾燥した。このようにして、離型PETフィルム上に、粘接着剤層を形成した。その後、粘接着剤層を円形に切り抜いた。
次に、粘接着剤層の離型PETフィルム側とは反対の表面上に、得られた非粘着層を60℃でラミネートした。次に、非粘着層が粘接着剤層よりも大きく、非粘着層が粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有するように、非粘着層を円形に切り抜いた。
ダイシング層の作製:
基材として、ポリオレフィン系樹脂フィルム(JSRトレーディング社製「SPM80」、厚み80μm)を用意した。
粘着部を形成するための材料として、アクリル系粘着剤(綜研化学社製「SK ダイン 1222H」)100重量部と、イソシアネート系硬化剤(日本ポリウレタン工業社製「コロネートL−45」)0.5重量部とを配合して、固形分が20重量%となるように酢酸エチルを添加して、粘着剤組成物を得た。
次に、上記ポリオレフィン系樹脂フィルムの表面上に、アプリケータを用いて、上記粘着剤組成物を塗布し、110℃で5分間乾燥して、厚み10μmの粘着部(粘着剤層)を形成した。
このようにして、ポリオレフィン系樹脂フィルム/粘着部の積層構造を有するダイシング層を得た。
ダイシング−ダイボンディングテープの作製:
得られた離型PETフィルム/粘接着剤層/非粘着層の積層体における非粘着層の表面上に、ダイシング層を粘着部側から貼り付けた。
その後、ダイシング層を切り抜いた。このようにして、離型PETフィルム/粘接着剤層/非粘着層/ダイシング層(非粘着層側に粘着部)がこの順で積層された積層構造を有する積層テープを得た。
次に、得られた積層テープのダイシング層の非粘着層側とは反対側の表面から、非粘着層に対して、超高圧水銀灯(オーク製作所社製「IML−4000」)を用いて、365nmの紫外線を積算光量が5000mJ/cmとなるように照射した。このようにして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。
(実施例2)
得られた積層テープに紫外線を照射する際に、積算光量を3000mJ/cmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、ダイシングーダイボンディングテープを得た。
(比較例1)
得られた積層テープに紫外線を照射せずに、得られた積層テープをダイシング−ダイボンディングテープとして得た。
(評価)
(1)非粘着層とダイシング層との接着性(アンカー力)評価
得られたダイシングーダイボンディングテープの離型層を剥離し、露出した粘接着剤層を、非粘着層と粘接着剤層との界面で剥離した。露出した非粘着層の表面にマクセルスリオンテック社製「ポリエステルフィルムテープNo.626001」を補強テープとして貼り付けて、幅25mm×長さ約15cmに切断して、試験片を作製した。試験片のダイシング層の表面にステンレス板を両面テープで貼り付けて、試験片とステンレス板とを接着して、評価サンプルを得た。その後、非粘着層とダイシング層との界面、又は補強テープと非粘着層との界面で剥離が生じるように、評価サンプルを固定した。この固定状態で、評価サンプル2個について、島津製作所社製「引張試験機AG−IS」を用いて、300mm/分の剥離速度で、剥離界面に対して180度方向に、剥離を行った。剥離後の状態を観察し、非粘着層とダイシング層との接着性(アンカー力)を以下の基準で評価した。
[非粘着層とダイシング層との接着性(アンカー力)の判定基準]
○:補強テープと非粘着層との界面で剥離が生じ、非粘着層とダイシング層との界面で剥離が生じていない
△:補強テープと非粘着層との界面での剥離と、非粘着層とダイシング層との界面での剥離との双方が生じる
×:非粘着層とダイシング層との界面で剥離が生じ、補強テープと非粘着層との界面で剥離が生じていない
(2)非粘着層と粘接着剤層との剥離力
得られたダイシングーダイボンディングテープの離型層を剥離し、露出した非粘着層を、ステンレス板と貼り付けて、粘接着剤層とステンレス板とを接着させ、評価サンプルを得た。その後、非粘着層と粘接着剤層との界面で剥離が生じるように、評価サンプルを固定した。この固定状態で、評価サンプル2個について、300mm/分の剥離速度で、非粘着層と粘接着剤層との界面に対して180度方向に、非粘着層を粘接着剤層から剥離した。このとき剥離に要した力を、島津製作所社製「引張試験機AG−IS」を用いて、測定幅25mmで測定し、得られた値の平均値を剥離強度とした。
(3)切削時の非粘着層と粘接着剤層との界面での浮き
得られたダイシング−ダイボンディングテープの離型層を粘接着剤層から剥離して、粘接着剤層を露出させた。露出した粘接着剤層を直径12inchのシリコンウェーハ(厚み80μm)の一方の面に60℃の温度でラミネートした。
次に、ディスコ社製「ダイシング装置DFD651」を用いて、送り速度50mm/秒で、評価サンプルを10mm×10mmのチップサイズにダイシングした。
ダイシング後に、ダイシング層側から、分割された半導体チップを観察し、非粘着層と粘接着剤層との界面での浮きを下記の基準で判定した。
[切削時の非粘着層と粘接着剤層との界面での浮きの判定基準]
無し:分割された個々のチップ表面のいずれにも、非粘着層と粘接着剤層との界面での浮きが生じていない
有り:分割された個々のチップ表面の1個以上に、非粘着層と粘接着剤層との界面での浮きが生じている
(4)ピックアップ性
ダイシング後に、キャノンマシーナリー社製「ダイボンダーbestem D−02」を用いて、コレットサイズ9mm角、突き上げ速度5mm/秒、ピックアップニードル19ピン、温度23℃の条件で、50個の粘接着剤層付き半導体チップを連続してピックアップした。ピックアップ性を下記の基準で判定した。
[ピックアップ性の判定基準]
○:ピックアップできなかったダイボンディングフィルム付き半導体チップがない
△:ピックアップできなかったダイボンディングフィルム付き半導体チップが5個未満
×:ピックアップできなかったダイボンディングフィルム付き半導体チップが5個以上
結果を下記の表1に示す。
Figure 2014212185
1…ダイシング−ダイボンディングテープ
2…離型層
3…粘接着剤層
3a…切断部分
4…非粘着層
4A…紫外線を照射する前の非粘着層
4a…切断部分
5…ダイシング層
5A…基材
5Aa…切り込み
5B…粘着部
5Ba…切断部分
5x…延長部
11…積層体
21…積層体
22…積層体
26…離型層
35…ステージ
36…ダイシングリング
37…ステージ
41…半導体ウェーハ
41a…切断部分

Claims (4)

  1. 半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得て、前記半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法であって、
    粘接着剤層と、前記粘接着剤層の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ前記粘接着剤層側の表面が非粘着性である非粘着層とを有する積層体を用意する工程と
    基材と前記基材の一方の表面に積層されている粘着部とを有するダイシング層を用いて、前記非粘着層の前記粘接着剤層側とは反対の表面に、前記ダイシング層を前記粘着部側から貼り付ける工程とを備え、
    前記積層体を用いて、前記非粘着層の前記粘接着剤層側とは反対の表面に前記ダイシング層を貼り付けた後に、前記ダイシング層の前記非粘着層側とは反対の表面側から、前記非粘着層に紫外線を照射する工程をさらに備える、ダイシング−ダイボンディングテープの製造方法。
  2. 前記非粘着層が、前記光重合性化合物としてアクリル系ポリマーを用いて、前記アクリル系ポリマーを架橋させて形成されている、請求項1に記載のダイシング−ダイボンディングテープの製造方法。
  3. 前記アクリル系ポリマーが、炭素数1〜18のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸エステルポリマーである、請求項2に記載のダイシング−ダイボンディングテープの製造方法。
  4. 前記ダイシング層が、紫外線透過性を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のダイシング−ダイボンディングテープの製造方法。
JP2013087106A 2013-04-18 2013-04-18 ダイシング−ダイボンディングテープの製造方法 Pending JP2014212185A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013087106A JP2014212185A (ja) 2013-04-18 2013-04-18 ダイシング−ダイボンディングテープの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013087106A JP2014212185A (ja) 2013-04-18 2013-04-18 ダイシング−ダイボンディングテープの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014212185A true JP2014212185A (ja) 2014-11-13

Family

ID=51931729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013087106A Pending JP2014212185A (ja) 2013-04-18 2013-04-18 ダイシング−ダイボンディングテープの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014212185A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102051271B1 (ko) 보호막 형성층이 부착된 다이싱 시트 및 칩의 제조 방법
JP5286085B2 (ja) ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法
TWI414010B (zh) Crystalline crystal / sticky ribbon and semiconductor wafer manufacturing method
KR20090031731A (ko) 다이싱·다이본딩 테이프 및 반도체 칩의 제조 방법
JP2016072546A (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
JP2009065191A5 (ja)
JP2014011273A (ja) ウェハ加工用粘着テープ
JP5580631B2 (ja) 硬化性組成物、ダイシング−ダイボンディングテープ、接続構造体及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
KR20210088767A (ko) 수지막 형성용 시트 적층체
KR101820964B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프
JP5303330B2 (ja) ダイシングテープ及び半導体チップの製造方法
JP4902812B2 (ja) 粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP2009239190A (ja) ダイシング・ダイボンディングテープ
JP5351458B2 (ja) ウェハ加工用接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2011199008A (ja) 粘接着シート、ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着シート付き半導体チップの製造方法
JP5946650B2 (ja) ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP2010287848A (ja) ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法
JP2011199015A (ja) ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP5651051B2 (ja) ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP2014212185A (ja) ダイシング−ダイボンディングテープの製造方法
JP2010067772A (ja) ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法
WO2015046069A1 (ja) ダイシング-ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP2012212816A (ja) ダイシング・ダイボンディングテープ及びその製造方法並びに半導体チップの製造方法
JP2014060201A (ja) ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP2014063896A (ja) ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法