JP2016072546A - 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】先ダイシング法および先ステルス法においてカーフシフトを抑制すること、および、半導体ウエハを破損や汚染することなく剥離可能な半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供する。【解決手段】本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、基材樹脂フィルム２と、前記基材樹脂フィルム２の少なくとも片面側に形成された粘着剤層４とを有し、前記基材樹脂フィルム２は、引張弾性率が１〜１０ＧＰａである剛性層を少なくとも1層有し、前記粘着剤層４が放射線硬化型である場合は放射線硬化させた後、感圧型である場合は５０℃に加熱したときにおける剥離角度３０°での剥離力が、０．１〜３．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法に関する。さらに詳しくは、半導体ウエハの薄膜研削工程に適用できる半導体ウエハ表面保護用粘着テープとこの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた半導体ウエハの加工方法に関する。

半導体ウエハの製造工程においては、パターン形成後の半導体ウエハは、通常、その厚さを薄くするため、半導体ウエハ裏面に裏面研削加工、エッチング等の処理を施す。この際、半導体ウエハ表面のパターンを保護する目的で該パターン面に半導体ウエハ表面保護用粘着テープが貼り付けられる。半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、一般的に、基材樹脂フィルムに粘着剤層が積層されてなり、半導体ウエハの裏面に粘着剤層を貼付して用いるようになっている。

近年の高密度実装技術の進歩に伴い、半導体ウエハの薄厚化の要求があり、場合によっては５０μｍ以下の厚さまで薄厚加工することが求められている。このような加工方法の一つとして、半導体ウエハの裏面研削加工の前に、半導体ウエハ表面に所定深さの溝を形成し、次いで裏面研削を行うことでチップを個片化する先ダイシング法がある（例えば、特許文献１参照）。また、裏面研削加工の前に、半導体ウエハ内部にレーザーを照射することで改質領域を形成し、次いで裏面研削を行うことでチップを個片化する先ステルス法がある（例えば、特許文献２参照）。

しかしながら、先ダイシング法および先ステルス法においては個片化後のチップずれ（カーフシフト）を抑制するため、用いる半導体ウエハ表面保護用粘着テープの弾性率が高いことが求められるが、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの弾性率を高めると、曲がりにくくなるため、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを半導体ウエハの表面から剥離する際の剥離角度が鋭角になり、半導体ウエハが破損したり、半導体ウエハの表面に半導体ウエハ表面保護用粘着テープの粘着剤の残渣が付着する糊残りなどの半導体ウエハ汚染が起きたりしやすいという問題点があった。

また、先ダイシング法や先ステルス法においては、研削加工の途中でチップが個片化されるため、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの剥離性が悪いと、剥離時に半導体ウエハの裏面に貼合されているダイシングテープまたはダイシングダイボンディングフィルムからチップをもいでしまう現象（以下、チップ剥離という）が生じる。

よって、先ダイシング法および先ステルス法に適用する半導体ウエハ表面保護用粘着テープにおいては、カーフシフトを抑制すること、および、チップ剥離を含めたウエハの破損や汚染がないことが求められる。

特開平０５−３３５４１１号公報 特開２００４−００１０７６号公報

そこで、本発明は、先ダイシング法または先ステルス法を適用した場合においてカーフシフトを抑制すること、および、半導体ウエハを破損や汚染することなく剥離可能な半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供することを目的とする。

上記課題について鋭意検討した結果、基材樹脂フィルムに剛性層を設けるとともに、剥離角度が低い状態における剥離力を下げることで、上記課題を解決できることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。

上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、基材樹脂フィルムと、前記基材樹脂フィルムの少なくとも片面側に形成された放射線硬化性の粘着剤層とを有し、前記基材樹脂フィルムは、引張弾性率が１〜１０ＧＰａである剛性層を少なくとも1層有し、前記粘着剤層を放射線硬化させた後における剥離角度３０°での剥離力が、０．１〜３．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする。

また、上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、基材樹脂フィルムと、前記基材樹脂フィルムの少なくとも片面側に形成され、放射線の照射により硬化することのない粘着剤層とを有し、前記基材樹脂フィルムは、引張弾性率が１〜１０ＧＰａである剛性層を少なくとも1層有し、５０℃における剥離角度３０°での剥離力が、０．１〜３．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする。

上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、下記条件（ａ）〜（ｄ）で測定したループスティフネスの負荷荷重から求められた、単位幅当りの反発力が２〜１５ｍＮ／ｍｍであることが好ましい。
（ａ）装置
ループステフネステスタ（商品名、株式会社東洋精機製作所製）
（ｂ）ループ（試験片）形状
長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、試験片方向はテープＭＤ方向
（ｃ）圧子の押し込み速度
３．３ｍｍ／ｓｅｃ
（ｄ）圧子の押し込み量
圧子がループと接触した時点から５ｍｍ押し込む

また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記剛性層と前記粘着剤層との間の層が、引張弾性率が１ＧＰａ未満の層のみからなり、前記粘着剤層の厚さと前記引張弾性率が１ＧＰａ未満の層の厚さの合計が６０μｍ以下であることが好ましい。

また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記粘着剤層は、ｐＨ１２の水酸化ナトリウム水溶液に平均粒径５０ｎｍのコロイダルシリカを１４重量％分散させた化学的機械研磨用のスラリーに２４時間浸漬後の不溶分の前記スラリーに浸漬する前に対する割合が７５％以上であることが好ましい。

また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記粘着剤層が側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射性反応性樹脂を含有し、放射線を照射することにより、前記放射性反応性樹脂と反応し剥離力を低下させるための改質剤を含むことが好ましい。

また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記改質剤が、非シリコーン系であることが好ましい。

また、上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハの製造方法は、(ａ)半導体ウエハの分断予定ラインに、前記半導体ウエハの表面から前記半導体ウエハの厚さ未満の溝を形成する工程と、 (ｂ)前記溝が形成された前記半導体ウエハ表面に、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合する工程と、 (ｃ)前記半導体ウエハ裏面を研削することで、前記半導体ウエハを個片化する工程とを含むことを特徴とする。

また、上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハの製造方法は、(ａ)半導体ウエハの分断予定ラインにおける前記半導体ウエハ内部に、レーザーを照射することで改質領域を形成する工程と、(ｂ)前記（ａ)の工程の前または後に、半導体ウエハ表面に請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合する工程と、(ｃ)前記半導体ウエハ裏面を研削することで、前記半導体ウエハを個片化する工程を含むことを特徴とする。

また、上記半導体ウエハの製造方法は、前記（ｃ）の工程に、化学的研磨を行う工程を含んでいてもよい。

本発明に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープによれば、先ダイシング法または先ステルス法を適用した半導体ウエハの裏面研削工程において、個片化された半導体チップのカーフシフトを抑制するとともに、半導体ウエハを破損や汚染することなく加工することができる。

本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープの構造を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のダイシング工程を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のダイシング工程を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のエキスパンド工程を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のピックアップ工程を模式的に示す断面図である。 実施例および比較例の評価に用いた半導体ウエハの回路パターンおよび切断予定部位に設けられた溝を模した疑似段差の位置、形状、大きさを示す断面図である。 実施例および比較例の評価におけるカーフ幅の観察地点を示す説明図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープの剥離角度３０°での剥離力の測定方法について説明するための説明図である。

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の構造を模式的に示す断面図である。

図１に示すように、本実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、基材樹脂フィルム２を有しており、基材樹脂フィルム２の少なくとも片面側には粘着剤層４が設けられている。粘着剤層４上には、必要に応じて、表面が離型処理された剥離フィルム（図示せず）の離型処理面が粘着剤層４側に来るように積層されていてもよい。

（基材樹脂フィルム２）
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の基材樹脂フィルム２として、公知のプラスチック、ゴム等を用いることができる。基材樹脂フィルム２は、特に、粘着剤層４に放射線硬化性の組成物を使用する場合には、その組成物が硬化する波長の放射線の透過性の良いものを選択するのがよい。なお、ここで、放射線とは、例えば、紫外線のような光、あるいはレーザー光、または電子線のような電離性放射線を総称して言うものであり、以下、これらを総称して放射線と言う。

このような基材樹脂フィルム２として選択し得る例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物がある。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。

本実施の形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の基材樹脂フィルム２は、先ダイシング法および先ステルス法に用いた場合においてはカーフシフト量を低減し、通常の裏面研削工程に用いた場合においては半導体ウエハ５（図２参照）の反りを抑制するため、引張弾性率が１〜１０ＧＰａである剛性層を必須要素として含む。この剛性層を構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル系フィルムなどが挙げられる。

ただし、剛性層を有すると、曲げ性が低下するため、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を剥離しにくくなり、剥離する際に半導体ウエハ５の破損や糊残りを引き起こしやすくなる。この点から、剛性フィルムの厚みは、１０〜１００μｍが適当であり、１０〜５０μｍであることが好ましく、２０〜４０ｕｍであることがより好ましい。さらに、曲げ性の指標であるループスティフネスにおける反発力が、２〜１５ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、５〜１３ｍＮ／２５ｍｍであることがより好ましい。ここで、ループスティフネスにおける反発力は、下記条件（ａ）〜（ｄ）で測定したループスティフネスの負荷荷重から求められた単位幅当りの反発力である。
（ａ）装置
ループステフネステスタ（商品名、株式会社東洋精機製作所製）
（ｂ）ループ（試験片）形状
長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、試験片方向はテープＭＤ方向
（ｃ）圧子の押し込み速度
３．３ｍｍ／ｓｅｃ
（ｄ）圧子の押し込み量
圧子がループと接触した時点から５ｍｍ押し込む

また、剛性層の片面もしくは両面にポリオレフィン層を積層した基材樹脂フィルム２を用いることも、半導体ウエハ５の裏面研削時におけるクッション性の付与、半導体ウエハ５表面の凹凸の粘着剤層４への埋め込み性の向上、更には半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を剥離する際に用いられるヒートシールとの密着性の向上といった観点から好ましい。積層するポリオレフィン層に適用する樹脂としては、低密度ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレンなどが好ましい。

各層を積層して基材樹脂フィルム２を形成する方法としては、例えば、粘着剤、接着剤などを用いた貼合や共押出し等、公知のものを適用することができる。

基材樹脂フィルム２の粘着剤層４が設けられる側の表面には、粘着剤層４との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。なお、基材樹脂フィルム２の粘着剤層４が設けられない側の表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすることも好ましく、これによって、本発明の表面保護用粘着テープ保管時のブロッキング防止等の効果を得ることができる。

（粘着剤層４）
図１に示すように、本実施の形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、基材樹脂フィルム２上に粘着剤層４が形成されている。

粘着剤層４を構成する粘着剤組成物は、半導体ウエハ５の研削時に半導体ウエハ５との密着性を十分保持でき、表半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剥離時に半導体ウエハ５の破損を発生させないものであれば特に限定されないが、下記に記載するような低角度での剥離力が低くなるものを選択することが好ましい。主成分のポリマー（粘着剤ベース樹脂）は、（メタ）アクリル樹脂であることが好ましい。主成分のポリマーとして（メタ）アクリル樹脂を用いることにより、粘着力の制御が容易になり、弾性率等をコントロールできる。

粘着剤層４を構成する粘着剤組成物としては、剥離性の観点から、放射線硬化型の粘着剤を用いることが好ましい。放射線の照射で硬化させるには、粘着剤ベース樹脂等の樹脂がエチレン性不飽和基（非芳香族性の炭素−炭素二重結合）を有するか、粘着剤ベース樹脂にエチレン性不飽和基を有する化合物を併用する。本発明においては、粘着剤ベース樹脂等の樹脂が側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂を使用することも剥離性の観点から特に好ましい。また、粘着剤組成物に光重合開始剤および架橋剤を含有することが好ましく、粘着剤層４の弾性率や粘着力を調整するのに架橋剤を含有することが好ましい。

粘着剤層４を構成する粘着剤組成物として、放射線の照射により硬化することのない、いわゆる感圧型の粘着剤を用いる場合、放射線の照射に代えて、剥離時に例えば５０℃程度の熱を加えることで剥離力の低下をさせることも可能である。このような感圧型の粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位と、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレートおよび／または２−ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位とを含み、該（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が含まれる共重合体が、イソシアネート化合物により架橋されたものを使用することができる。

［エチレン性不飽和基を有する樹脂］
エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようなものでも構わないが、（メタ）アクリル樹脂が好ましい。樹脂中に含有する二重結合の量の指標であるヨウ素価は０．５〜２０であるものが好ましい。このヨウ素価はより好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、過度の放射線硬化を防ぐことができる。また、エチレン性不飽和基を有する樹脂は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が−７０℃〜０℃であることが好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）が−７０℃以上であれば、半導体ウエハ５の加工工程に伴う熱に対する耐熱性が増す。

エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようにして製造されたものでもよいが、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させ、（メタ）アクリル樹脂の側鎖にエチレン性不飽和基を導入する方法が好ましい。

エチレン性不飽和基としては、とのような基でも構わないが、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、アリル基、１−プロペニル基、ビニル基（スチレンもしくは置換スチレンを含む）が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましい。官能基（α）と反応する官能基（β）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。

ここで、官能基（α）と官能基（β）のうちの一方の官能基が、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、または環状酸無水基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、一方の官能基が環状酸無水基の場合、他方の官能基はカルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよい。

側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂は、官能基（α）を有する、（メタ）アクリル酸エステル、アクリル酸または（メタ）アクリルアミドを重合させることで得られる。官能基（α）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられ、カルボキシル基、水酸基が好ましく、水酸基が特に好ましい。

このようなモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を挙げられる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がさらに好ましい。

エチレン性不飽和基を有する樹脂は、上記のモノマーとともに、（メタ）アクリル酸エステル等の他のモノマーとの共重合体が好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレートヘキシルアクリレート、およびこれらに対応するメタクリレートが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルは１種でも２種以上でも構わないが、アルコール部の炭素数が５以下のものと炭素数が６〜１２のものを併用することが好ましい。エチレン性不飽和基を有する樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに加えて、（メタ）アクリル酸をさらに共重合したものが好ましい。

エチレン性不飽和基を有する樹脂、特に、エチレン性不飽和基を有する樹脂の重合反応は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合のいずれであってもよい。側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させる場合、一方を過剰にして、反応させ、未反応の官能基を残すことにより、所望の粘着物性および弾性率に調整することができる。

重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリル等のアゾビス系、ベンゾイルペルオキシド等の有機過酸化物系等のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の樹脂を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。

エチレン性不飽和基を有する樹脂の平均分子量は、２０万〜１５０万程度が好ましく、７０万〜１２０万がより好ましい。低分子量成分を少なくすることで、半導体ウエハ５表面汚染を抑制することができ、例えば分子量１０万以下の分子が全体の１０％以下とすることなどが好ましい。分子量が１５０万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、エチレン性不飽和基を有する樹脂が、水酸基価５〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇとなるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりテープ剥離不良の危険性を更に低減することができるので好ましい。

エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を説明する。エチレン性不飽和基は先に説明した基が好ましく、好ましい範囲も同じである。官能基（α）と反応する官能基（β）は先に説明した基が挙げられる。官能基（β）としては、イソシアネート基が得に好ましい。

エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物としては、官能基（α）を有するモノマーの化合物、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、アルコール部の末端にイソシアネート基を有するものが好ましく、アルコール部のイソシアネート基以外の炭素数は２〜８が好ましく、アルコール部は直鎖アルキルのものが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−イソシアナトエチルアクリレート、２−イソシアナトエチルメタクリレートが好ましく挙げられる。

［架橋剤］
架橋剤としては、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂または２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物が好ましく、ポリイソシアネート類が特に好ましい。架橋剤は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。架橋剤は樹脂ポリマーを架橋することにより、粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。

ポリイソシアネート類としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製）等を用いることができる。

メラミン・ホルムアルデヒド樹脂は、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（株式会社三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業株式会社製）等を用いることができる。更に、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製）等を用いることができる。

架橋剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１〜２０質量部とすることが好ましく、１．０〜１０質量部とすることが更に好ましく、エチレン性不飽和基を有する樹脂の官能基数に合わせて、また、所望の粘着物性や弾性率を得るために適宜その量が調整される。架橋剤の量が０．１質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、２０質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成される傾向があるため、作業性が損なわれるおそれがある。

［光重合開始剤］
粘着剤層４として放射線硬化型粘着剤を選定した場合には、必要に応じて光重合開始剤を含むことができる。光重合開始剤には基材を透過する放射線により反応するものであれば、特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド類、等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 光重合開始剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。

［その他の添加物］
粘着剤層４には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいは改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。本発明においては、改質剤を添加することも剥離性の観点から好ましい。改質剤はシリコーン化合物、フッ素系化合物、長鎖アルキル基含有化合物などを挙げることができ、添加により低角度における剥離力を低下させること、および、水に対する接触角が上がることにより、ダスト浸入抑制を抑制することが可能となる。改質剤の半導体ウエハ５表面への移行を防ぐため、改質剤はエチレン性不飽和基を有する化合物であることが望ましく、更に、粘着剤ベース樹脂が側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂であることがより好ましい。エチレン性不飽和基を有する改質剤として、具体的には市販品として、シリコーンアクリレートであるＥｂｅｃｒｙｌ ３６０（ダイセル・オルネクス株式会社製）やフッ素系表面改質剤であるメガファックＲＳ−７２−Ｋ（ＤＩＣ株式会社製）などが挙げられる。半導体ウエハ５表面への影響の観点から、フッ素系化合物であることがより好ましい。

粘着剤層４は、例えば、上述の粘着剤組成物を剥離フィルム上に塗布、乾燥させて基材樹脂フィルム２上に転写することで形成することができる。粘着剤層４の厚さは、１〜６０μｍであることが好ましい。

ここで、先ダイシング法および先ステルス法においては、半導体ウエハの裏面研削中に、チップ間に空隙ができるため、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing、化学機械研磨）やエッチングといった研削後の研磨処理を行うと、スラリーにより半導体ウエハが汚染されたり、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの粘着剤がスラリーに浸食され、脆くなった粘着剤によって半導体ウエハが汚染されることが懸念される。さらに、先ダイシング法および先ステルス法においては、研削の途中で半導体ウエハ５がチップ１１化されるため、通常の研削に比べ研削ダストによる半導体ウエハ５表面への汚染が発生しやすい。

そのため、半導体ウエハ５表面への表面保護テープの密着性がより求められる。しかし、一般的に知られているような密着性を上げるために粘着剤層４を厚くするという手法では、先ダイシング法や先ステルス法においてはチップ１１が研削中に深さ方向に振動することにより、かえってダスト浸入を発生しやすい状態にさせてしまうことが分かった。よって、粘着剤層４はむしろ薄いほうが適しており、５〜３０μｍであるものがより好ましく、剛性層と粘着剤層４との間に形成される層が、引張弾性率が１ＧＰａ未満の層のみからなる場合は、粘着剤層４の厚さと引張弾性率が１ＧＰａ未満の層の厚さの合計が５〜６０μｍであることが好ましく、５〜３０μｍであることがより好ましい。剛性層と粘着剤層４との間に形成される層が、引張弾性率が１ＧＰａ未満の層のみからなる場合であるから、剛性層を複数有する場合は、最も粘着剤層４に近い剛性層と粘着剤層４との間に形成される層が、引張弾性率が１ＧＰａ未満の層のみからなる場合ということになる。引張弾性率が１ＧＰａ未満の層としては、剛性層以外の基材樹脂フィルムを構成する層や、基材樹脂フィルムを構成する複数の層を貼り合わせるための接着剤層等が挙げられる。

また、粘着剤の貯蔵弾性率は２５℃において０．０１〜０．１ＭＰａが好ましく、５０℃において０．０２〜０．１ＭＰａであることがより好ましい。粘着剤層４の貯蔵弾性率をこの範囲とすることで、粘着剤層４の厚みが小さくてもダスト浸入を防止しやすく、また剥離時の糊残りやチップ剥離も起きにくい。また、粘着剤層４は複数の粘着剤層４が積層された構成であってもよい。

また、粘着剤層４は、半導体ウエハ５の裏面の化学的研磨に用いられるスラリーに２４時間浸漬後の不溶分のスラリーに浸漬する前に対する割合（ゲル分率）が７５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。粘着剤層４のスラリーに対するゲル分率を７５％以上とすることで、個片化されたチップ１１間から浸入したスラリーにより粘着剤が浸食され、ウエハ表面を汚染することを抑制することが可能となる。スラリーは、例えばｐＨ１２の水酸化ナトリウム水溶液に平均粒径５０ｎｍのコロイダルシリカを１４重量％分散させた化学機械研磨用のスラリーとすることができる。

また、本発明による半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、粘着剤層４が放射線硬化型の粘着剤層４である場合は放射線照射後において、粘着剤層４が感圧型の粘着剤層４である場合は５０℃加熱条件下において、剥離角度３０°、引張速度２０ｍｍ／ｍｉｎにおける剥離力が、０．１〜３ .０Ｎ／２５ｍｍであることを必須とし、好ましくは０．５〜１．８Ｎ／２５ｍｍである。粘着剤層４として放射線硬化型の粘着剤層４を用いた場合でも、放射線硬化後に５０℃加熱条件で剥離することで剥離力を低下させることもでき、その場合は、５０℃加熱条件下での剥離力を指すものとする。剥離力が０．１Ｎ／２５ｍｍ未満であると、半導体ウエハ５の裏面を研削してチップ１１に個片化した後、次の工程への搬送中にチップ１１がずれる可能性があり、３．０Ｎ／２５ｍｍ超であると、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を剥離する際に、半導体ウエハ５の裏面に貼合されているダイシングテープ６またはダイシングダイボンディングフィルムからチップ１１がもぎとられてしまうチップ剥離や半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の粘着剤の残渣が半導体ウエハ５の表面に付着する糊残りが発生しやすくなる。

半導体ウエハ５からの半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剥離は、粘着タイプもしくはヒートシールタイプの剥離用テープを半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の端部に接着し、端部より剥離する。剥離の初期においては半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１と半導体ウエハ５の剥離は鋭角なため、面での剥離に近く、９０°剥離などに比べ非常に大きな剥離力となってしまう。例えば、後述の比較例１の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１では９０°剥離での剥離力は０．２Ｎ／２５ｍｍであるにも関わらず、３０°剥離での剥離力は６．５Ｎ／２５ｍｍであり、この状態で研削後の薄い半導体ウエハ５やチップ１１化された半導体ウエハ５からの剥離を行うと、ウエハ割れやチップ剥離を引き起こすリスクが非常に高い。特に、基材樹脂フィルム２が剛性層を有するため、曲げ性が劣るため、剥離きっかけが掴みづらいためウエハ割れ等がより起こりやすい。

ここで、本発明における剥離角度３０°とは、被着体に対する引張方向の角度であり、実際の被着体と半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剥離角度は半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剛性によって変化する。

剥離角度３０°での剥離力は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１から幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を採取し、その試料を、ＪＩＳ Ｒ ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ Ｇ ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍのステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）板上に、上記試験片を２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着し、粘着剤が放射線硬化型である場合は放射線により硬化させて１時間放置後、粘着剤が感圧型である場合はＳＵＳ板を５０℃に加熱した状態で、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳ Ｂ ７７２１に適合する引張試験機を用いて、引張速度２０ｍｍ／ｍｉｎ、雰囲気温度２５℃、相対湿度５０％の条件で引きはがし、剥離角度θが３０°（図１０参照）における剥離力を測定することで得られる。

剥離角度３０°での剥離力を下げるには、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の曲げ性を下げること、被着体との粘着部分において局所的に伸びないことなどが重要である。具体的には、曲げ性については上述のように、基材樹脂フィルム２の剛性および厚さを調整すること、局所的な伸びについては、剛性層上の厚さや改質層の添加、その他粘着剤組成構成などにより調整することが可能である。

（剥離フィルム）
また、本発明の表面保護用粘着テープには、必要に応じて剥離フィルムが粘着剤層４上に設けられる。剥離フィルムは、セパレータや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、粘着剤層４を保護する目的のため、また粘着剤を平滑にする目的のために、設けられる。剥離フィルムの構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルムの表面には粘着剤層４からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着剤層４が環境紫外線等意図しない紫外線の暴露によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施すことも好ましい。剥離フィルムの厚みは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。

＜用途＞
本発明のウエハ加工用テープ１の使用用途としては、先ダイシング法または先ステルス法を用いた半導体ウエハ５の製造方法、例えば、以下の半導体ウエハ５の製造方法（Ａ）〜（Ｂ）において好適に使用できる。

半導体ウエハ５の製造方法（Ａ）
(ａ)半導体ウエハ５の分断予定ラインに、前記半導体ウエハ５の表面から前記半導体ウエハ５の厚さ未満の溝７を形成する工程と、
(ｂ)前記溝７が形成された前記半導体ウエハ５表面に、上述の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を貼合する工程と、
(ｃ)前記半導体ウエハ５裏面を研削することで、前記半導体ウエハ５を個片化する工程とを含む半導体ウエハ５の製造方法。

半導体ウエハ５の製造方法（Ｂ）
(ａ)半導体ウエハ５の分断予定ラインにおける前記半導体ウエハ５内部に、レーザーを照射することで改質領域を形成する工程と、
(ｂ)前記（ａ)の工程の前または後に、半導体ウエハ５表面に上述の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を貼合する工程と、
(ｃ)前記半導体ウエハ５裏面を研削することで、前記半導体ウエハ５を個片化する工程を含むことを特徴とする半導体ウエハ５の製造方法。

＜使用方法＞
次に、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の使用方法、すなわち半導体ウエハ５の加工方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ブレード（図示しない）やレーザーを用いて半導体ウエハ５の表面側より半導体ウエハ５に最終製品厚さと同等以上の深さの溝７を形成した（溝切り工程）後、回路パターンが形成された半導体ウエハ５の表面に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の粘着剤層４を貼合する（保護テープ貼合工程）。

次に、図３（Ａ）に示すように、溝７を形成した半導体ウエハ５について、研削装置８で裏面を研削する研削工程により、図３（Ｂ）に示すように、溝７に到達するまで研削を行う。これにより、半導体ウエハ５がチップ１１に個片化される。必要に応じて、研削工程の後に半導体ウエハ５の抗折強度向上などを目的として研磨やエッチング処理を行う。研磨としては、化学機械的研磨（ＣＭＰ）を用いることができる。このとき、粘着剤層４のスラリーに対するゲル分率が７５％であれば、個片化されたチップ１１間から浸入したスラリーにより粘着剤が浸食され、ウエハ表面を汚染することを抑制することが可能となる。

研削、研磨工程が終了した後は、図４に示すように、ダイシングテープ６もしくはダイシングダイボンディングフィルムを半導体ウエハ５の裏面に貼り合せるとともに、ダイシングテープ６の外周部にリングフレーム９を貼り合せる。その後、図５に示すように、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を剥離する。このとき、本実施の形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、剥離角度３０°、引張速度２０ｍｍ／ｍｉｎにおける剥離力が、０．１〜３ .０Ｎ／２５ｍｍであるため、半導体ウエハ５の裏面を研削してチップ１１に個片化した後、次の工程への搬送中にチップ１１がずれるの（カーフシフト）を低減することができるとともに、チップ剥離を含めたウエハの破損の発生を低減することができる。

その後は、例えば、図６に示すように、半導体ウエハ５及びリングフレーム９が貼り合わされたダイシングテープ６をエキスパンド装置のステージ（図示しない）上に載置し、リングフレーム９を固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材１０を上昇させ、ダイシングテープ６をエキスパンドする。

そして、図７に示すように、ダイシングテープ６の裏面側から突き上げピン１２でチップ１１を突上げてコレット１３により吸着してピックアップすることにより、半導体チップ１１を得ることができる。

上記では、先ダイシング法を用いた半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の使用方法について説明したが、先ダイシング法に替えて先ステルス法を用いてもよい。先ステルス法を用いる場合、溝切り工程に替えて、半導体ウエハ５内部にレーザーを照射することで改質領域を形成する改質領域形成工程を実施する。改質領域形成工程は、保護テープ貼合工程の後に実施してもよい。

＜実施例＞
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
下記のように粘着剤組成物を調製し、以下の方法で半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製し、その性能を評価した。

〔粘着剤層組成物の調製〕
［粘着剤層組成物２Ａ］
２−エチルヘキシルアクリレート８３質量部、２−ヒドロキシアクリレート１６質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、放射線反応基としてメタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０質量部を反応させ、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）０．８質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社製）５．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ａを得た。

［粘着剤層組成物２Ｂ］
フッ素系改質剤としてメガファックＲＳ−７２−Ｋ（商品名、ＤＩＣ株式会社製）を２質量部添加した以外は粘着剤組成物２Ａと同様にして、粘着剤組成物２Ｂを得た。

［粘着剤層組成物２Ｃ］
シリコーン系改質剤としてＥｂｅｃｒｙｌ ３６０（商品名、ダイセル・オルネクス株式会社製）を０．２質量部添加した以外は粘着剤組成物２Ａと同様にして、粘着剤組成物２Ｃを得た。

［粘着剤層組成物２Ｄ］
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシアクリレート１９質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、５官能のウレタンアクリレートオリゴマー８０質量部、３官能のウレタンアクリレートオリゴマー２０質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）５．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社製）４．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ｄを得た。

［粘着剤層組成物２Ｅ］
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシアクリレート１９質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、５官能のウレタンアクリレートオリゴマー１００質量部、３官能のウレタンアクリレートオリゴマー３０質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）５．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社製）４．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ｄを得た。

［粘着剤層組成物２Ｆ］
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシアクリレート１９質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）３．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ｅを得た。

［半導体ウエハ表面保護用粘着テープの作製］
［実施例１］
厚さ３８μｍ、引張弾性率２ＧＰａの両面コロナ処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムと、厚さ４０μｍのポリプロピレンフィルムを２μｍの接着剤を用いて貼り合せ、合計８０μｍの積層基材樹脂フィルムを得た。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｂを塗布し、乾燥させた後、上記８０μｍの積層基材樹脂フィルムのポリエチレンテレフタレート面と貼りあわせ、厚さ１１０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。

［実施例２］
粘着剤組成物として２Ｃを用いた以外は実施例１と同様の方法にて、厚さ１１０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。

［実施例３］
粘着剤組成物として２Ａを用いた以外は実施例１と同様の方法にて、厚さ１１０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。

［実施例４］
粘着剤組成物として２Ｄを用いた以外は実施例１と同様の方法にて、厚さ１１０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。

［実施例５］
厚さ５０μｍ、引張弾性率２ＧＰａのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面に、厚さ３０μｍとなるように低密度ポリエチレンフィルムを押出し成型し、低密度ポリエチレンの片面にコロナ処理を行い、合計１１０μｍの積層基材フ樹脂ィルムを得た。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ａを塗布し、乾燥させた後、上記１１０μｍの積層基材樹脂フィルムのコロナ処理された低密度ポリエチレン面と貼りあわせ、厚さ１３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。

［実施例６］
積層基材樹脂フィルムのポリエチレンテレフタレートフィルムを、厚さを２５μｍ、引張弾性率２ＧＰａのポリエチレンテレフタレートフィルムにした以外は実施例５と同様の方法にて、厚さ１０５μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。

［実施例７］
厚さ５０μｍ、引張弾性率２ＧＰａの両面コロナ処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、厚さ１０μｍとなるように低密度ポリエチレンフィルムを押出し成型し、厚さ６０μｍの積層基材樹脂フィルムを得た。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が５０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｆを塗布し、乾燥させた後、上記６０μｍの積層基材樹脂フィルムのポリエチレンテレフタレート面と貼りあわせた。更に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｃを塗布し、乾燥させた後、上記中間体のセパレータを剥離した粘着剤組成物２Ｆ面に貼り合せ、厚さ１３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。

［比較例１］
厚さ１００μｍ、引張弾性率２ＧＰａの両面コロナ処理されたポリエチレンテレフタレート基材樹脂フィルムの片面に、厚さ１０μｍとなるように低密度ポリエチレンフィルム押出し成型し、厚さ１１０μｍの積層基材樹脂フィルムを得た。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｆを塗布し、乾燥させた後、上記１１０μｍの積層基材フィルムのポリエチレンテレフタレート面と貼りあわせた。更に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｃを塗布し、乾燥させた後、上記中間体のセパレータを剥離した粘着剤組成物２Ｆ面に貼り合せ、厚さ１５０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。

［比較例２］
共押し出し製膜により、低密度ポリエチレン樹脂３０μｍとエチレン−酢酸ビニル共重合体８０μｍとの厚さ１１０μｍ、引張弾性率０．２ＧＰａの積層基材樹脂フィルムを作製し、エチレン−酢酸ビニル共重合体面にコロナ処理を行った。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｃを塗布し、乾燥させた後、上記１１０μｍの積層基材フィルムのコロナ処理されたエチレン−酢酸ビニル共重合体面と貼りあわせ、厚さ１３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。

［比較例３］
共押し出し製膜により、高密度ポリエチレン樹脂３０μｍとエチレン−酢酸ビニル共重合体８０μｍとの厚さ１１０μｍ、引張弾性率０．４ＧＰａの積層基材樹脂フィルムを作製し、エチレン−酢酸ビニル共重合体面にコロナ処理を行った。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｅを塗布し、乾燥させた後、上記１１０μｍの積層基材樹脂フィルムのコロナ処理されたエチレン−酢酸ビニル共重合体面と貼りあわせ、厚さ１３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。

［特性評価試験］
上記実施例及び比較例の半導体ウエハ表面保護用粘着テープについて、特性評価試験を下記のように行った。その結果を表１及び表２に示す。

（１）剥離力
各実施例及び各比較例で作製した半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いて、剥離角度３０°における剥離力を測定した。
半導体ウエハ表面保護用粘着テープをから幅２５ｍｍ、長さ３００ｍｍの試験片１４（図１０参照）を切り出した。ＪＩＳ Ｒ ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ Ｇ ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍのステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）板上に、上記試験片１４を２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着した。１時間放置後、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ貼合面の基材樹脂フィルム背面より５００ｍＪ／ｃｍ²（照度４０ｍＷ／ｃｍ²）の紫外線を照射し、更に１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳ Ｂ ７７２１に適合するインストロン社製の引張試験機（ツインコラム卓上モデル５５６７）を用いて剥離力を測定した。詳細には、ＳＵＳ板は図１０のように、３０°の傾斜をつけた土台１５上に固定し、試験片１４の端部をつかみ具１６で把持して、引張速度２０ｍｍ／ｍｉｎ、２５℃、相対湿度５０％の条件で引っ張って測定した。各半導体ウエハ表面保護用粘着テープそれぞれに対して３回実施し、その算術平均値を求め、これを３０°剥離力とした。ＳＵＳ板を固定する土台１５は剥離に合わせ駆動するよう調整し、常に剥離角度θが３０°となるようにした。土台１５が駆動式でない場合、３０°よりも鋭角で測定を初め、剥離角度θが３０°となった点の剥離力を読み取っても構わない。さらに、ＳＵＳ板を傾斜のない土台に固定し、９０°引きはがし法により剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで剥離した以外は上記と同様にして剥離角度９０°における９０°剥離力も求めた。粘着剤が感圧型の場合は、紫外線照射および照射後の１時間放置に替えて、ＳＵＳ板を５０℃に加熱した状態で同様に３０°剥離力を測定した。

（２）反発力（ループスティフネス）
株式会社東洋精機製作所製のループステフネステスタ（商品名）を用いて、反発力αを測定した。各実施例及び各比較例で作製した半導体ウエハ表面保護用粘着テープを幅１０ｍｍにカットし試験片を作成し、セパレータを剥離した状態で、ループステフネステスタに設置した。その際、ループ長５０ｍｍ以上の帯状の試験片の中央付近で、ループ長５０ｍｍの円形ループを粘着剤層が内側となるよう作り、この円形ループを外側から５ｍｍ押し込んだときにかかる荷重を測定した。このとき得られた荷重を幅当たりに換算し、ｍＮ／ｍｍ単位で表示した値を反発力αとした。各実施例及び各比較例で作製した半導体ウエハ表面保護用粘着テープについて、３サンプル評価を行い、算術平均した値を用いた。

（３）スラリーに対するゲル分率
各実施例及び各比較例で作製した半導体ウエハ表面保護用粘着テープを５０ｍｍ×５０ｍｍに切り出した。切り出したサンプルからセパレータを剥がし、重量を測定した（浸漬前重量）。粘着剤を塗布していない基材樹脂フィルムも同様に５０ｍ×５０ｍｍに切り出し重量を測定した（基材重量）。重量測定後、カットサンプルをＰｈ１２の水酸化ナトリウム水溶液に平均粒径５０ｎｍのコロイダルシリカを１４重量％分散させたＣＭＰスラリーで満たされた５００ｍｌのポリプロピレン製容器に浸漬させ、２４時間放置後、サンプルを容器から取り出し、純水で十分にスラリーを洗い流した。乾燥のため３日放置した後、サンプル重量を測定した（乾燥後重量）。ゲル分率は下記の計算式により求める。
ゲル分率＝（乾燥後重量−基材重量）／（浸漬前重量−基材重量）×１００ （％）
なお、基材重量は実測に代えて、密度×体積から計算で求めてもよい。

（４）先ダイシング法による評価
［カーフシフト］
厚さが７２５μｍの８インチ径の半導体ウエハに、図９に示すように、半導体ウエハの回路パターンおよび切断予定部位に設けられた溝を模した疑似段差を、ダイサーを用いて形成した。具体的には、回路パターンの段差を疑似的に形成するために、６０μｍ幅で１０μｍ深さのラインを５ｍｍ間隔で格子状に設けた。さらに、切断予定部位に設けられた溝として、上記ライン幅の中央にさらに３０μｍ幅で６０μｍ深さの溝を設けた。

各実施例及び各比較例の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを、貼合機として日東精機株式会社製のＤＲ８５００ＩＩ（商品名）を用いて、上記擬似段差を形成した半導体ウエハの表面に、表面保護テープＭＤ方向と半導体ウエハノッチ方向が一致するよう貼合した。その後、グラインダーとして株式会社東京精密製のＰＧ３０００ＲＭ（商品名）を用いて、半導体ウエハの裏面を半導体ウエハの厚さが３０μｍとなるまで研削し、ＣＭＰスラリーを用いて研磨して、擬似段差ウエハを個片化させた。

裏面研削後の半導体ウエハについて、図９に示すように、半導体ウエハ中心部および周辺部２点の計３点においてカーフ（溝）を光学顕微鏡により観察し、カーフ幅を測定した。カーフ幅の観察は、半導体ウエハ研削後1時間以内に実施し、表面保護テープが貼られた状態で、表面保護テープが貼られていない半導体ウエハ裏面側より行った。カーフシフト量については、研削後のウエハのカーフ幅を光学顕微鏡により測定し、研削前のカーフ幅（３０μｍ）からの変化量の絶対値をＸ方向およびＹ方向で測定し、測定した３点におけるＸ方向の平均値ＫｘおよびＹ方向の平均値Ｋｙで評価した。ＫｘとＫｙの平均値が５μｍ未満かつ０．８ ≦（Ｋｙ／Ｋｘ）≦ １．１の場合を、良品として○、ＫｘとＫｙの平均値が５μｍ以上もしくは、Ｋｙ／Ｋｘ＜０．８または１．１＜Ｋｙ／Ｋｘの場合を、不良品として×とした。

［チップ剥離］
カーフ幅を観察後に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの基材フィルム側より５００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を照射させた。その後、半導体ウエハの研磨面にダイシングダイボンディングフィルムを貼合した。その後、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの表面にヒートシールを接着し、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した。目視によりチップ剥離の有無を確認し、全くチップ剥離が見られなかったものを良品として◎、最端部の正方形でないチップは剥離したが、内部の正方形チップは剥離しなかったものを良品として〇、正方形チップの一部もしくは全部が剥離したものを不良品として×とした。

［糊残り］
更に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した後の半導体ウエハの擬似段差面を光学顕微鏡により観察した。半導体ウエハの擬似段差面に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの粘着剤の残渣が確認できなかったものを良品として○、一箇所でも残渣があったものを不良品として×とした。なお、比較例３については、ダスト浸入が多く見られたため、糊残りの判定が行なわなかった。

［ダスト侵入］
また、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した後の半導体ウエハの擬似段差面及び半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した後の半導体ウエハ表面保護用粘着テープのウエハ貼合面を光学顕微鏡により観察し、擬似段差面、ウエハ貼合面ともダストが確認されず、ウエハ貼合面の貼合時にカーフに対応していた部分の変色も見られなかったものを良品として◎、ウエハ貼合面の貼合時にカーフに対応していた部分の変色が見られたものの、擬似段差面、ウエハ貼合面ともダストが確認されなかったものを良品として〇、擬似段差面またはウエハ貼合面にダストが確認されたものを不良品として×とした。

（５）通常研削による評価
［ウエハの反り］
ポリイミドを５μｍコーティングした厚さ７８０μｍの８ｉｎｃｈのウエハに、貼合機として日東精機株式会社製のＤＲ８５００ＩＩ（商品名）を用いて、各実施例及び各比較例の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合し、グラインダーとして株式会社ディスコ社製のＤＧＰ８７６０（商品名）を用いて、ウエハ厚さ５０μｍまで研削した。各半導体ウエハ表面保護用粘着テープにつきウエハ４枚を研削し、グラインダー装置内での搬送過程においてウエハの反りに起因する搬送エラーが１枚も発生しなかったものを良品として〇、ウエハの反りに起因する搬送エラーが１枚でも発生したものを不良品として×とした。

表１に示すように、基材樹脂フィルムに剛性層を有し、剥離角度３０°における剥離力が、０．１〜３．０Ｎ／２５ｍｍである実施例１〜７については、半導体ウエハを汚染や破損することなく半導体ウエハを加工することができた。一方、表２に示すように、剛性層を有さない比較例２，３については、カーフシフトが大きく、個片化されたチップが接触することによるチップの割れも見られた。また、剥離角度３０°におけるが３．０Ｎ／２５ｍｍより大きい比較例１についてはチップ剥離および糊残りが発生した。

これらの実施例及び比較例からわかるように、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、カーフシフト量を少なくし、ウエハの汚染や破損することなく加工および剥離可能であるという効果を奏する。

１：半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
２：基材樹脂フィルム
４：粘着剤層
５：半導体ウエハ
６：ダイシングテープ
７：溝
８：研削装置
９：リングフレーム
１１：チップ

Claims (10)

1. 基材樹脂フィルムと、前記基材樹脂フィルムの少なくとも片面側に形成された放射線硬化性の粘着剤層とを有し、
   前記基材樹脂フィルムは、引張弾性率が１〜１０ＧＰａである剛性層を少なくとも1層有し、
   前記粘着剤層を放射線硬化させた後における剥離角度３０°での剥離力が、０．１〜３．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
2. 基材樹脂フィルムと、前記基材樹脂フィルムの少なくとも片面側に形成され、放射線の照射により硬化することのない粘着剤層とを有し、
   前記基材樹脂フィルムは、引張弾性率が１〜１０ＧＰａである剛性層を少なくとも1層有し、
   ５０℃における剥離角度３０°での剥離力が、０．１〜３．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
3. 下記条件（ａ）〜（ｄ）で測定したループスティフネスの負荷荷重から求められた、単位幅当りの反発力が２〜１５ｍＮ／ｍｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
   （ａ）装置
   ループステフネステスタ（商品名、株式会社東洋精機製作所製）
   （ｂ）ループ（試験片）形状
   長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、試験片方向はテープＭＤ方向
   （ｃ）圧子の押し込み速度
   ３．３ｍｍ／ｓｅｃ
   （ｄ）圧子の押し込み量
   圧子がループと接触した時点から５ｍｍ押し込む
4. 前記剛性層と前記粘着剤層との間の層が、引張弾性率が１ＧＰａ未満の層のみからなり、前記粘着剤層の厚さと前記引張弾性率が１ＧＰａ未満の層の厚さの合計が６０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
5. 前記粘着剤層は、ｐＨ１２の水酸化ナトリウム水溶液に平均粒径５０ｎｍのコロイダルシリカを１４重量％分散させた化学機械研磨用のスラリーに２４時間浸漬後の不溶分の前記スラリーに浸漬する前に対する割合が７５％以上であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
6. 前記粘着剤層が側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射性反応性樹脂を含有し、放射線を照射することにより、前記放射性反応性樹脂と反応し剥離力を低下させるための改質剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
7. 前記改質剤が、非シリコーン系であることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
8. (ａ)半導体ウエハの分断予定ラインに、前記半導体ウエハの表面から前記半導体ウエハの厚さ未満の溝を形成する工程と、(ｂ)前記溝が形成された前記半導体ウエハ表面に、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合する工程と、 (ｃ)前記半導体ウエハ裏面を研削することで、前記半導体ウエハを個片化する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
9. (ａ)半導体ウエハの分断予定ラインにおける前記半導体ウエハ内部に、レーザーを照射することで改質領域を形成する工程と、(ｂ)前記（ａ)の工程の前または後に、半導体ウエハ表面に請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合する工程と、(ｃ)前記半導体ウエハ裏面を研削することで、前記半導体ウエハを個片化する工程を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
10. 前記（ｃ）の工程は、化学的研磨を行う工程を含むことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体ウエハの製造方法。

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