JPWO2019221246A1 - ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

本開示に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、基材層と、基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する粘着剤層と、第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備える。粘着剤層は、接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域を少なくとも含む第１の領域と、第１の領域を囲むように位置する第２の領域とを有する。第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域であり、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する第１の領域の粘着力が１．２Ｎ／２５ｍｍ以上４．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。

Description

本開示はダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに、このフィルムを用いた半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置は以下の工程を経て製造される。まず、ウェハにダイシング用粘着フィルムを貼り付けた状態でダイシング工程を実施する。その後、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウンティング工程及びダイボンディング工程等が実施される。

半導体装置の製造プロセスにおいて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムと称されるフィルムが使用されている。このフィルムは、基材層と粘着剤層と接着剤層がこの順序で積層された構造を有し、例えば、次のように使用される。まず、ウェハに対して接着剤層側の面を貼り付けるとともにダイシングリングでウェハを固定した状態でウェハをダイシングする。これにより、ウェハが多数のチップに個片化される。続いて、粘着剤層に対して紫外線を照射することによって接着剤層に対する粘着剤層の粘着力を弱めた後、接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともにチップを粘着剤層からピックアップする。その後、接着剤片を介してチップを基板等にマウントする工程を経て半導体装置が製造される。なお、ダイシング工程を経て得られるチップと、これに付着した接着剤片とからなる積層体はＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）と称される。

上述のように、紫外線の照射によって粘着力が弱まる粘着剤層（ダイシングフィルム）はＵＶ硬化型と称される。これに対し、半導体装置の製造プロセスにおいて紫外線が照射されることなく、粘着力が一定のままの粘着剤層は感圧型と称される。感圧型の粘着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、ユーザー（主に半導体装置メーカー）にとって、紫外線を照射する工程を実施する必要がなく、また、このための設備が不要であるというメリットがある。特許文献１は、粘着剤層が紫外線によって硬化する成分を含有する点でＵＶ硬化型であると言える一方、粘着剤層の所定の部分のみに予め紫外線が照射されており、ユーザーは半導体装置の製造プロセスにおいて紫外線を照射する必要がない点で感圧型であるとも言えるダイシング・ダイボンドフィルムを開示する。

特許第４４４３９６２号公報

ダイシングダイボンド一体型フィルムの粘着剤層は、ダイシング工程において接着剤層及びダイシングリングに対する高い粘着力が求められる。粘着剤層の粘着力が不十分であると、ダイシングブレードの高速回転に伴って接着剤層と粘着剤層の間で剥離が生じてチップが接着剤片とともに飛ぶ現象（以下、これを「ＤＡＦ飛び」という。）、あるいは、切削水の水流によってダイシングリングが粘着剤層から剥離する現象（以下、この現象を「リング剥がれ」という。）が生じる。本発明者らは、ダイシングによって作製すべきチップのサイズが小さくなるに伴って、これらの現象が顕著になることに着目した。本発明者らは、これらの現象が顕著になる主因について、チップのサイズが小さくなるに伴い、従来と比較してダイシングに長時間を要するようになり、切断途中のウェハ及び切断後のチップがダイシングブレードの衝撃及び切削水に長時間にわたって曝されることによるものであると推察する。

そこで、本発明者らは、ウェハを多数の小さいチップ（面積９ｍｍ^２以下）へとダイシングする工程に適用可能であって、所定量の活性エネルギー線（例えば紫外線）が特定の部分に予め照射されていることで当該部分の粘着力が他の部分と比較して低下している粘着剤層を備え、以下の特性を満たすダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの開発に取り組んだ。すなわち、ダイシングリングが貼り付けられる領域はダイシング工程における切削水の水流に耐え得る高い粘着力を有し、他方、所定量の活性エネルギー線が予め照射されている領域はダイシングブレード等による外力に耐え、他方、その後のピックアップに適した粘着力を有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの開発に発明者らは取り組んだ。

本開示は、ウェハを多数の小さいチップ（面積９ｍｍ^２以下）へとダイシングする工程に適用可能であり、ダイシング工程においてＤＡＦ飛びを十分に抑制できるとともに、ピックアップ性に優れた粘着剤層を備えたダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本開示は、このダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一側面は半導体装置の製造方法に関する。この製造方法は、基材層と、基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する粘着剤層と、粘着剤層の第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に対してウェハを貼るとともに、粘着剤層の第２の面に対してダイシングリングを貼る工程と、ウェハを面積９ｍｍ^２以下の複数のチップに個片化する工程（ダイシング工程）と、接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともにチップを粘着剤層からピックアップする工程と、接着剤片を介してチップを、基板又は他のチップ上にマウントする工程とを含み、粘着剤層は、接着剤層におけるウェハが貼り付けられる領域に対応する第１の領域と、ダイシングリングが貼り付けられる第２の領域とを有し、第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域であり、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する第１の領域の粘着力が１．２Ｎ／２５ｍｍ以上４．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。

上記半導体装置の製造方法によれば、ダイシング工程におけるＤＡＦ飛びを十分に抑制できること、並びに、粘着剤層からの優れたピックアップ性を達成できること起因して十分に高い歩留まりで半導体装置を製造できる。

本開示の一側面はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに関する。このフィルムは、基材層と、基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する粘着剤層と、第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備え、粘着剤層は、接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域を少なくとも含む第１の領域と、第１の領域を囲むように位置する第２の領域とを有し、第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域であり、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する第１の領域の粘着力が１．２Ｎ／２５ｍｍ以上４．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。

上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを半導体装置の製造に使用することで、ダイシング工程におけるＤＡＦ飛びを十分に抑制できること、並びに、粘着剤層からの優れたピックアップ性を達成できること起因して十分に高い歩留まりで半導体装置を製造できる。

ダイシング工程におけるリング剥がれを抑制する観点から、粘着剤層における上記第２の領域のステンレス基板に対する粘着力は０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。この粘着力は、温度２３℃において剥離角度９０°及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定されるピール強度を意味する。

上記粘着剤層の第１及び第２の領域は、例えば、活性エネルギー線の照射前において同一の組成物からなり、第１の領域は当該第１の領域となる領域に対して１０〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２の量の活性エネルギー線を照射する工程を経て形成されたものである。

本開示の一側面は上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法に関する。この製造方法の第１の態様は、基材層の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層と、粘着剤層の表面上に形成された接着剤層とを含む積層体を作製する工程と、積層体に含まれる粘着剤層の第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程とをこの順序で含む。他方、この製造方法の第２の態様は、基材層の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層を形成する工程と、粘着剤層の第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、活性エネルギー線を照射した後の粘着剤層の表面上に接着剤層を積層する工程とをこの順序で含む。

本開示によれば、ウェハを多数の小さいチップへとダイシングする工程に適用可能であり、ダイシング工程におけるＤＡＦ飛びを十分に抑制できるとともに、ピックアップ性に優れた粘着剤層を備えたダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが提供される。また、本開示によれば、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法、及び、当該フィルムを用いた半導体装置の製造方法が提供される。

図１（ａ）はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。 図２はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの粘着剤層の周縁部にダイシングリングが貼り付けられるとともに、接着剤層の表面にウェハが貼り付けられた状態を示す模式図である。 図３は接着剤層に対する粘着剤層の３０°ピール強度を測定している様子を模式的に示す断面図である。 図４は半導体装置の一実施形態の模式断面図である。 図５（ａ）〜図５（ｄ）は、ＤＡＦ（チップと接着剤片の積層体）を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図６は図４に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図７は図４に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図８は図４に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。

以下、図面を参照しながら本開示の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルを意味する。

＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム＞
図１（ａ）は、本実施形態に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０（以下、場合により、単に「フィルム１０」という。）は、ウェハＷを面積９ｍｍ^２以下の複数のチップに個片化するダイシング工程及びその後のピックアップ工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用されるものである（図５（ｃ）及び図５（ｄ）参照）。

フィルム１０は、基材層１と、基材層１と対面する第１の面Ｆ１及びその反対側の第２の面Ｆ２を有する粘着剤層３と、粘着剤層３の第２の面Ｆ２の中央部を覆うように設けられた接着剤層５とをこの順序で備える。本実施形態においては、正方形の基材層１の上に、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が一つ形成された態様を例示したが、基材層１が所定の長さ（例えば、１００ｍ以上）を有し、その長手方向に並ぶように、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が所定の間隔で配置された態様であってもよい。

（粘着剤層）
粘着剤層３は、接着剤層５におけるウェハＷの貼付け位置に対応する領域Ｒｗを少なくとも含む第１の領域３ａと、第１の領域３ａを囲むように位置する第２の領域３ｂとを有する。図１（ａ）及び図１（ｂ）における破線は第１の領域３ａと第２の領域３ｂの境界を示す。第１の領域３ａ及び第２の領域３ｂは、活性エネルギー線の照射前において同一の組成物からなる。第１の領域３ａは、紫外線等の活性エネルギー線が照射されることによって、第２の領域３ｂと比較して粘着力が低下した状態の領域である。第２の領域３ｂはダイシングリングＤＲが貼り付けられる領域である（図２参照）。第２の領域３ｂは活性エネルギー線が照射されていない領域であり、ダイシングリングＤＲに対する高い粘着力を有する。

接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力は１．２Ｎ／２５ｍｍ以上４．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。この粘着力は、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される３０°ピール強度である。図３は支持板８０に測定試料（幅２５ｍｍ×長さ１００ｍｍ）の接着剤層５を固定した状態で、粘着剤層３の３０°ピール強度を測定している様子を模式的に示す断面図である。接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力（３０°ピール強度）を上記範囲とすることで、ダイシング時におけるＤＡＦ飛びの抑制及び優れたピックアップ性の両方を十分高度に両立することができる。これにより、十分に高い歩留まりで半導体装置を製造することが可能となる。この粘着力の下限値は１．５Ｎ／２５ｍｍ又は２．０Ｎ／２５ｍｍであってもよく、上限値は３．５Ｎ／２５ｍｍ又は２．５Ｎ／２５ｍｍであってもよい。

上述のとおり、フィルム１０は、ウェハを面積９ｍｍ^２以下の複数の小チップに個片化するダイシング工程及びその後のピックアップ工程に適したものである。本発明者らは、サイズが３ｍｍ×３ｍｍ以下（面積９ｍｍ^２以下）の小チップのピックアップ挙動と、例えば、サイズ８ｍｍ×６ｍｍ程度の大チップのピックアップ挙動が異なることを着目して検討を行った結果、接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力を上記範囲（１．２Ｎ／２５ｍｍ以上４．５Ｎ／２５ｍｍ以下）に特定した。すなわち、大チップの中心部を突上げ治具のピンで下方から突き上げることによって大チップをピックアップする場合、接着剤層５に対する第１の領域３ａの３０°ピール強度が上記範囲であると、ピンの上昇に伴って、ＤＡＦのエッジ部分から中央部分に向けて粘着剤層と接着剤片の界面剥離が進展するものの、粘着剤層の粘着力が強すぎるために、界面剥離がピンの上昇に追いつかず、チップが過度に変形して割れ又はピックアップミスが生じやすい。つまり、大チップのピックアップ性は粘着剤層と接着剤片の界面剥離に主に支配され、接着剤層に対する粘着剤層の粘着力は上記範囲の下限値（１．２Ｎ／２５ｍｍ）よりも小さく設定すべきことを本発明者らは見出した。これに対し、小チップのピックアップ性はＤＡＦのエッジ部分の剥離に主に支配され、ピンによる突き上げによってエッジ部分の剥離が一旦生じれば、その後、粘着剤層と接着剤片の界面剥離はスムーズに進展することを本発明者らは見出した。このため、接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力が比較的強くても、小チップの場合は優れたピックアップ性を達成できる。また、接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力が比較的強いことで、ダイシング工程におけるＤＡＦ飛びを十分に抑制できる。

接着剤層５に対して上記範囲の粘着力を有する第１の領域３ａは、活性エネルギー線の照射によって形成されるものである。本発明者らは、活性エネルギー線の照射によって粘着剤層の粘着力を低下させることが、ＤＡＦのエッジ部分の剥離に影響を与えることを見出した。すなわち、第１の領域３ａの粘着力が活性エネルギー線の照射によって過度に低下したものであると、接着剤層５に対する第１の領域３ａの３０°ピール強度は低くなる一方、ピックアップ対象が小チップである場合、ＤＡＦのエッジ部分が剥離しにくくなる傾向にあり、チップが過度に変形して割れ又はピックアップミスが生じやすい。接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力（１．２Ｎ／２５ｍｍ以上４．５Ｎ／２５ｍｍ以下）は、活性エネルギー線を照射する前の粘着力を過度に低下させていないものであるとも言うことができ、これにより、小チップであってもＤＡＦのエッジ部分の剥離が生じやすくしている。本実施形態においては、例えば、粘着剤層における架橋剤の量を比較的少なくしたり、活性エネルギー線の照射量を低減するなどすることにより、粘着剤層３の第１の領域３ａの粘着力を調整することができる。

第２の領域３ｂのステンレス基板に対する粘着力は０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。この粘着力は、温度２３℃において剥離角度９０°及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定される９０°ピール強度である。この粘着力が０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることで、ダイシング時におけるリング剥がれを十分に抑制することができる。この粘着力の下限値は０．３Ｎ／２５ｍｍ又は０．４Ｎ／２５ｍｍであってもよく、上限値は、例えば、２．０Ｎ／２５ｍｍであり、１．０Ｎ／２５ｍｍであってもよい。

活性エネルギー線照射前の粘着剤層は、例えば、（メタ）アクリル系樹脂と、光重合開始剤と、架橋剤とを含む粘着剤組成物からなる。活性エネルギー線が照射されない第２の領域３ｂは活性エネルギー線照射前の粘着剤層と同じ組成からなる。以下、粘着剤組成物の含有成分について詳細に説明する。

［（メタ）アクリル系樹脂］
粘着剤組成物は、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂を含み、官能基がアクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。活性エネルギー線照射前の粘着剤層における上記官能基の含有量は、例えば、０．１〜１．２ｍｍｏｌ／ｇであり、０．３〜１．０ｍｍｏｌ／ｇ又は０．５〜０．８ｍｍｏｌ／ｇであってもよい。上記官能基の含有量が０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上であることで、活性エネルギー線の照射によって粘着力が適度に低下した領域（第１の領域３ａ）を形成しやすく、他方、１．２ｍｍｏｌ／ｇ以下であることで、優れたピックアップ性を達成しやすい。

（メタ）アクリル系樹脂は、既知の方法で合成することで得ることができる。合成方法としては、例えば、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、塊状重合法、析出重合法、気相重合法、プラズマ重合法、超臨界重合法が挙げられる。また、重合反応の種類としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合、イモーダル重合等の他、ＡＴＲＰ（原子移動ラジカル重合）及びＲＡＦＴ（可逆的付加開裂連鎖移動重合）といった手法も挙げられる。この中でも、溶液重合法を用いてラジカル重合により合成することは、経済性の良さ、反応率の高さ、重合制御の容易さなどの他、重合で得られた樹脂溶液をそのまま用いて配合できる等の利点を有する。

ここで、溶液重合法を用いてラジカル重合によって、（メタ）アクリル系樹脂を得る方法を例に、（メタ）アクリル系樹脂の合成法について詳細に説明する。

（メタ）アクリル系樹脂を合成する際に用いられるモノマーとしては、一分子中に１個の（メタ）アクリロイル基を有するものであれば特に制限はない。その具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレート等の脂環式（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ−ビフェニル（メタ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレート、２−ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ−クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（ｏ−フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（１−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（２−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレート；２−テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、２−（メタ）アクリロイロキシエチル−Ｎ−カルバゾール等の複素環式（メタ）アクリレート、これらのカプロラクトン変性体、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、α−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α−ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α−エチル−６，７−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物；（２−エチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２−メチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２−（２−エチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２−（２−メチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３−（２−エチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３−（２−メチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物；２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物が挙げられ、これらを適宜組み合わせて目的とする（メタ）アクリル系樹脂を得ることができる。

（メタ）アクリル系樹脂は、後述する官能基導入化合物又は架橋剤との反応点として、水酸基、グリシジル基及びアミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基を有することが好ましい。水酸基を有する（メタ）アクリル系樹脂を合成するためのモノマーとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物が挙げられ、これらは１種を単独で、あるいは、２種以上を併用することができる。

グリシジル基を有する（メタ）アクリル系樹脂を合成するためのモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート、α−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α−ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α−エチル−６，７−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物が挙げられ、これらは１種を単独で、あるいは、２種以上を併用することができる。

これらのモノマーから合成される（メタ）アクリル系樹脂は、連鎖重合可能な官能基を含むことが好ましい。連鎖重合可能な官能基は、例えば、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種である。連鎖重合可能な官能基は、例えば、上述のように合成された（メタ）アクリル系樹脂に以下の化合物（官能基導入化合物）を反応させることにより、当該（メタ）アクリル系樹脂中に導入することができる。官能基導入化合物の具体例として、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１−（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートもしくは４−ヒドロキシブチルエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物などが挙げられる。これらの中でも、特に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが好ましい。これらの化合物は、１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。

［光重合開始剤］
光重合開始剤としては、活性エネルギー線（紫外線、電子線及び可視光線から選ばれる少なくとも１種）を照射することで連鎖重合可能な活性種を発生するものであれば、特に制限はなく、例えば、光ラジカル重合開始剤が挙げられる。ここで連鎖重合可能な活性種とは、連鎖重合可能な官能基と反応することで重合反応が開始されるものを意味する。

光ラジカル重合開始剤としては、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン等のベンゾインケタール；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン等のα−ヒドロキシケトン；２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、１，２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン等のα−アミノケトン；１−［４−（フェニルチオ）フェニル］−１，２−オクタジオン−２−（ベンゾイル）オキシム等のオキシムエステル；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ´−テトラメチル−４，４´−ジアミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ´−テトラエチル−４，４´−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４´−ジメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９、９´−アクリジニルヘプタン）等のアクリジン化合物：Ｎ−フェニルグリシン、クマリンが挙げられる。

粘着剤組成物における光重合開始剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対し、例えば、０．１〜３０質量部であり、０．３〜１０質量部であることが好ましく、０．５〜５質量部であることがより好ましい。光重合開始剤の含有量が０．１質量部未満であると粘着剤層が活性エネルギー線照射後に硬化不足となり、ピックアップ不良が起こりやすい。光重合開始剤の含有量が３０質量部を超えると接着剤層への汚染（光重合開始剤の接着剤層への転写）が生じやすい。

［架橋剤］
架橋剤は、例えば、粘着剤層の弾性率及び／又は粘着性の制御を目的に用いられる。架橋剤は、上記（メタ）アクリル系樹脂が有する水酸基、グリシジル基及びアミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基と反応し得る官能基を一分子中に２つ以上有する化合物であればよい。架橋剤と（メタ）アクリル系樹脂との反応によって形成される結合としては、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合等が挙げられる。

本実施形態においては、架橋剤として、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する化合物を採用することが好ましい。このような化合物を用いると、上記（メタ）アクリル系樹脂が有する水酸基、グリシジル基及びアミノ基等と容易に反応し、強固な架橋構造を形成することができる。

一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する化合物としては、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４´−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４´−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４´−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４´−ジイソシアネート、リジンイソシアネート等のイソシアネート化合物が挙げられる。

架橋剤として、上述のイソシアネート化合物と、一分子中に２つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの反応物（イソシアナート基含有オリゴマー）を採用してもよい。一分子中に２つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオールが挙げられる。

これらの中でも、架橋剤として、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に３つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの反応物（イソシアナート基含有オリゴマー）であることが更に望ましい。このようなイソシアネート基含有オリゴマーを架橋剤として用いることで、粘着剤層３が緻密な架橋構造を形成し、これにより、ピックアップ工程において接着剤層５に粘着剤が付着することを十分に抑制できる。

粘着剤組成物における架橋剤の含有量は、粘着剤層に対して求められる凝集力及び破断伸び率、並びに、接着剤層５との密着性等に応じて適宜設定すればよい。具体的には、架橋剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対し、例えば、３〜３０質量部であり、４〜１５質量部であることが好ましく、７〜１０質量部であることがより好ましい。架橋剤の含有量を上記範囲とすることで、ダイシング工程において粘着剤層に求められる特性と、ダイボンディング工程において粘着剤層３に求められる特性とをバランスよく両立することが可能であるとともに、優れたピックアップ性も達成し得る。

架橋剤の含有量が（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して３質量部未満であると、架橋構造の形成が不十分となりやすく、これに起因して、ピックアップ工程において、接着剤層５との界面密着力が十分に低下せずにピックアップ時に不良が発生しやすい。他方、架橋剤の含有量が（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して３０質量部を超えると、粘着剤層３が過度に硬くなりやすく、これに起因して、エキスパンド工程において半導体チップが剥離しやすい。

粘着剤組成物の全質量に対する架橋剤の含有量は、例えば、０．１〜２０質量％であり、３〜１７質量％又は５〜１５質量％であってもよい。架橋剤の含有量が０．１質量％以上であることで、活性エネルギー線の照射によって粘着力が適度に低下した領域（第１の領域３ａ）を形成しやすく、他方、１５質量％以下であることで、優れたピックアップ性を達成しやすい。

粘着剤層３の厚さは、エキスパンド工程の条件（温度及び張力等）に応じて適宜設定すればよく、例えば、１〜２００μｍであり、５〜５０μｍであることが好ましく、１０〜２０μｍであることがより好ましい。粘着剤層３の厚さが１μｍ未満であると粘着性が不十分となりやすく、２００μｍを超えると、エキスパンド時にカーフ幅が狭く（ピン突き上げ時に応力を緩和してしまい）ピックアップが不十分になりやすい。

粘着剤層３は基材層１上に形成されている。粘着剤層３の形成方法としては、既知の手法を採用できる。例えば、基材層１と粘着剤層３との積層体を二層押し出し法で形成してもよいし、粘着剤層３の形成用ワニスを調製し、これを基材層１の表面に塗工する、あるいは、離型処理されたフィルム上に粘着剤層３を形成し、これを基材層１に転写してもよい。

粘着剤層３の形成用ワニスは、（メタ）アクリル系樹脂、光重合開始剤及び架橋剤を溶解し得る有機溶剤であって加熱により揮発するものを使用して調製することが好ましい。有機溶剤の具体例としては、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ−シメン等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等の環状エーテル；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールアルキルエーテル；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコールアルキルエーテルアセテート；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミドが挙げられる。

これらの中で、溶解性及び沸点の観点から、例えば、トルエン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドであることが好ましい。これらの有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。ワニスの固形分濃度は、通常１０〜６０質量％であることが好ましい。

（基材層）
基材層１としては、既知のポリマーシート又はフィルムを用いることができ、低温条件下において、エキスパンド工程を実施可能なものであれば、特に制限はない。具体的には、基材層１として、結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、又は、これらに可塑剤を混合した混合物、あるいは、電子線照射により架橋を施した硬化物が挙げられる。

基材層１は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン−ポリプロピレンランダム共重合体、ポリエチレン−ポリプロピレンブロック共重合体から選ばれる少なくとも１種の樹脂を主成分とする表面を有し、この表面と粘着剤層３が接していることが好ましい。これらの樹脂は、ヤング率、応力緩和性及び融点等の特性、並びに、価格面、使用後の廃材リサイクル等の観点からも良好な基材である。基材層１は、単層でも構わないが、必要に応じて異なる材質からなる層が積層された多層構造を有していてもよい。粘着剤層３との密着性を制御するため、基材層１の表面に対して、マット処理、コロナ処理等の表面粗化処理を施してもよい。

（接着剤層）
接着剤層５には、既知のダイボンディングフィルムを構成する接着剤組成物を適用できる。具体的には、接着剤層５を構成する接着剤組成物は、エポキシ基含有アクリル共重合体、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有することが好ましい。これらの成分を含む接着剤層５によれば、チップ／基板間、チップ／チップ間の接着性に優れ、また電極埋め込み性及びワイヤ埋め込み性等も付与可能で、かつダイボンディング工程では低温で接着でき、短時間で優れた硬化が得られる、封止剤でモールド後は優れた信頼性を有する等の特徴があり好ましい。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物等の二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂及び複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているその他のエポキシ樹脂を適用してもよい。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。なお、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。

エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるフェノール樹脂のようなものが挙げられる。フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ｎ−プロピルフェノール、ｍ−ｎ−プロピルフェノール、ｐ−ｎ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｎ−ブチルフェノール、ｍ−ｎ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ−ブチルフェノール、ｏ−イソブチルフェノール、ｍ−イソブチルフェノール、ｐ−イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、２，４，６−トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４−メトキシフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−アリルフェノール、ｐ−アリルフェノール、ｏ−ベンジルフェノール、ｐ−ベンジルフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｏ−ヨードフェノール、ｐ−ヨードフェノール、ｏ−フルオロフェノール、ｍ−フルオロフェノール、ｐ−フルオロフェノール等が例示される。これらのフェノール化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。フェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、α，α´−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α´−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α´−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α´−ジブロモ−ｐ−キシレン、α，α´−ジブロモ−ｍ−キシレン、α，α´−ジブロモ−ｏ−キシレン、α，α´−ジヨード−ｐ−キシレン、α，α´−ジヨード−ｍ−キシレン、α，α´−ジヨード−ｏ−キシレン、α，α´−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジヒドロキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジメトキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジメトキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジエトキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジエトキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジエトキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−プロポキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−プロポキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−プロポキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジ−イソプロポキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジイソプロポキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジイソプロポキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジ−ｎ−ブトキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジイソブトキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジイソブトキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジイソブトキシ−ｏ−キシレン、α，α´−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α´−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α´−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｏ−キシレンを挙げることができる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。

上記したフェノール化合物とキシリレン化合物を反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂の様な、超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、Ｄｕ Ｐｏｎｔ社製、「ナフィオン」は登録商標）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０〜２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させて得られる。反応時間は原料及び反応温度にもよるが、おおむね１時間〜１５時間程度であり、実際には、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。

エポキシ基含有アクリル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、得られる共重合体に対し０．５〜６質量％となる量用いて得られた共重合体であることが好ましい。この量が０．５質量％以上であることで高い接着力を得やすく、他方、６質量％以下であることでゲル化を抑制できる。その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレート等の炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、及びスチレン、アクリロニトリル等の混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮して調整することが好ましい。Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステージ状態での接着剤層５のタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化する傾向にある。なお、エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）の上限値は、例えば、３０℃である。重合方法は特に制限がなく、例えば、パール重合、溶液重合が挙げられる。市販のエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製）が挙げられる。

エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は１０万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量が３００万以下であると、半導体チップと、これを支持する基板との間の充填性が低下することを抑制できる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。

接着剤層５は、必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類等の硬化促進剤を更に含有してもよい。硬化促進剤の具体例としては、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテートが挙げられる。これらは１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

接着剤層５は、必要に応じて、無機フィラーを更に含有してもよい。無機フィラーの具体例としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが挙げられる。これらは１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

接着剤層５の厚さは、例えば、１〜３００μｍであり、５〜１５０μｍであることが好ましく、１０〜１００μｍであることがより好ましい。接着剤層５の厚さが１μｍ未満であると接着性が不十分となりやすく、他方、３００μｍを超えるとエキスパンド時の分断性及びピックアップ性が不十分となりやすい。

なお、接着剤層５は熱硬化性樹脂を含まない態様であってもよい。例えば、接着剤層５が反応性基含有（メタ）アクリル共重合体を含む場合、接着剤層５は、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含むものであればよい（実施例４参照）。

＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法＞
フィルム１０の製造方法は、基材層１の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する粘着剤組成物からなる粘着剤層と、粘着剤層の表面上に形成された接着剤層５とを含む積層体を作製する工程と、積層体に含まれる粘着剤層の第１の領域３ａとなる領域に活性エネルギー線を照射する工程とをこの順序で含む。第１の領域３ａとなる領域に対する活性エネルギー線の照射量は、例えば、１０〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２であり、１００〜７００ｍＪ／ｃｍ^２又は２００〜５００ｍＪ／ｃｍ^２であってもよい。

上記製造方法は、粘着剤層と接着剤層５の積層体を先に作製し、その後、粘着剤層の特定の領域に活性エネルギー線を照射するものである。以下のとおり、接着剤層５と貼り合わせる前の粘着剤層に対して活性エネルギー線を照射して第１の領域３ａを形成してもよい。すなわち、フィルム１０の製造方法は、基材層１の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層を形成する工程と、粘着剤層の第１の領域３ａとなる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、活性エネルギー線を照射した後の粘着剤層３の表面上に接着剤層５を積層する工程とをこの順序で含むものであってよい。

＜半導体装置及びその製造方法＞
図４は本実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。この図に示す半導体装置１００は、基板７０と、基板７０の表面上に積層された四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と、基板７０の表面上の電極（不図示）と四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４とを電気的に接続するワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４と、これらを封止している封止層５０とを備える。

基板７０は、例えば、有機基板であり、リードフレーム等の金属基板であってもよい。基板７０は、半導体装置１００の反りを抑制する観点から、基板７０の厚さは、例えば、７０〜１４０μｍであり、８０〜１００μｍであってもよい。

四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、接着剤片５Ｐの硬化物５Ｃを介して積層されている。平面視におけるチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の形状は、例えば正方形又は長方形である。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の面積は９ｍｍ^２以下であり、０．１〜４ｍｍ^２又は０．１〜２ｍｍ^２であってもよい。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の一辺の長さは、例えば、３ｍｍ以下であり、０．１〜２．０ｍｍ又０．１〜１．０ｍｍであってもよい。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の厚さは、例えば、１０〜１７０μｍであり、２５〜１００μｍであってもよい。なお、四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の一辺の長さは同じであっても、互いに異なっていてもよく、厚さについても同様である。

半導体装置１００の製造方法は、上述のフィルム１０を準備する工程と、フィルム１０の接着剤層５に対してウェハＷを貼るとともに、粘着剤層３の第２の面Ｆ２に対してダイシングリングＤＲを貼る工程と、ウェハＷを面積９ｍｍ^２以下の複数のチップＳに個片化する工程（ダイシング工程）と、ＤＡＦ８（チップＳ１と接着剤片５Ｐの積層体、図５（ｄ）参照）を粘着剤層３の第１の領域３ａからピックアップする工程と、接着剤片５Ｐを介してチップＳ１を、基板７０上にマウントする工程とを含む。

図５（ａ）〜図５（ｄ）を参照しながら、ＤＡＦ８の作製方法の一例について説明する。まず、上述のフィルム１０を準備する。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、ウェハＷの一方の面に接着剤層５が接するようにフィルム１０を貼り付ける。また、粘着剤層３の第２の面Ｆ２に対してダイシングリングＤＲを貼り付ける。

ウェハＷ、接着剤層５及び粘着剤層３をダイシングする。これにより、図５（ｃ）に示すように、ウェハＷが個片化されてチップＳとなる。接着剤層５も個片化されて接着剤片５Ｐとなる。ダイシング方法としては、ダイシングブレード又はレーザを用いる方法が挙げられる。なお、ウェハＷのダイシングに先立ってウェハＷを研削することによって薄膜化してもよい。

ダイシング後、粘着剤層３に対して活性エネルギー線を照射することなく、図５（ｄ）に示されるように、常温又は冷却条件下において基材層１をエキスパンドすることによってチップＳを互いに離間させつつ、ピン４２で突き上げることによって粘着剤層３から接着剤片５Ｐを剥離させるとともに、ＤＡＦ８を吸引コレット４４で吸引してピックアップする。

図６〜図８を参照しながら、半導体装置１００の製造方法について具体的に説明する。まず、図６に示すように、接着剤片５Ｐを介して一段目のチップＳ１（チップＳ）を基板７０の所定の位置に圧着する。次に、加熱によって接着剤片５Ｐを硬化させる。これにより、接着剤片５Ｐが硬化して硬化物５Ｃとなる。接着剤片５Ｐの硬化処理は、ボイドの低減の観点から、加圧雰囲気下で実施してもよい。

基板７０に対するチップＳ１のマウントと同様にして、チップＳ１の表面上に二段目のチップＳ２をマウントする。更に、三段目及び四段目のチップＳ３，Ｓ４をマウントすることによって図７に示す構造体６０が作製される。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と基板７０とをワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４で電気的に接続した後（図８参照）、封止層５０によって半導体素子及びワイヤを封止することによって図４に示す半導体装置１００が完成する。

以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、基材層１と、粘着剤層３と、接着剤層５とをこの順序で備えるフィルム１０を例示したが、接着剤層５を備えない態様であってもよい。また、フィルム１０は、接着剤層５を覆うカバーフィルム（不図示）を更に備えてもよい。

以下、本開示ついて、実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、特に記述がない限り、薬品は全て試薬を使用した。

＜実施例１＞
［アクリル樹脂の合成（製造例１）］
スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍｌのフラスコに以下の成分を入れた。
・酢酸エチル（溶剤）：６３５ｇ
・２−エチルヘキシルアクリレート：３９５ｇ
・２−ヒドロキシエチルアクリレート：１００ｇ
・メタクリル酸：５ｇ
・アゾビスイソブチロニトリル：０．０８ｇ

十分に均一になるまで内容物を撹拌した後、流量５００ｍｌ／分にて６０分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。１時間かけて７８℃まで昇温し、昇温後６時間重合させた。次に、スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍｌの加圧釜に反応溶液を移し、１２０℃、０．２８ＭＰａにて４．５時間加温後、室温（２５℃、以下同様）に冷却した。

次に酢酸エチルを４９０ｇ加えて撹拌し希釈した。これに重合禁止剤としてメトキノンを０．０２５ｇ、ウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを０．１０ｇ添加した後、２−メタクリロキシエチルイソシアネート（昭和電工株式会社製、カレンズＭＯＩ（商品名））を４２．５ｇ加え、７０℃で６時間反応させた後、室温に冷却した。次いで、酢酸エチルを加え、アクリル樹脂溶液中の不揮発分含有量が３５質量％となるよう調整し、連鎖重合可能な官能基を有する（Ａ）アクリル樹脂（製造例１）を含む溶液を得た。

上記のようにして得た（Ａ）アクリル樹脂を含む溶液を６０℃で一晩真空乾燥した。これによって得られた固形分を全自動元素分析装置（エレメンタール社製、商品名：ｖａｒｉｏＥＬ）にて元素分析し、導入された２−メタクリロキシエチルイソシアネートの含有量を窒素含有量から算出したところ、０．５０ｍｍｏｌ／ｇであった。

また、以下の装置を使用して（Ａ）アクリル樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量を求めた。すなわち、東ソー株式会社製ＳＤ−８０２２／ＤＰ−８０２０／ＲＩ−８０２０を使用し、カラムには日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ／ＧＬ−Ａ１６０−Ｓを用い、溶離液にテトラヒドロフランを用いてＧＰＣ測定を行った。その結果、ポリスチレン換算重量平均分子量は８０万であった。ＪＩＳ Ｋ００７０に記載の方法に準拠して測定した水酸基価及び酸価は６１．１ｍｇＫＯＨ／ｇ及び６．５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。これらの結果を表１にまとめて示す。

［ダイシングフィルム（粘着剤層）の作製］
以下の成分を混合することで、粘着剤層形成用のワニスを調製した（表２参照）。酢酸エチル（溶剤）の量は、ワニスの総固形分含有量が２５質量％となるように調整した。
・（Ａ）アクリル樹脂溶液（製造例１）：１００ｇ（固形分）
・（Ｂ）光重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア１８４、「イルガキュア」は登録商標）：０．８ｇ
・（Ｂ）光重合開始剤（ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア８１９、「イルガキュア」は登録商標）：０．２ｇ
・（Ｃ）架橋剤（多官能イソシアネート、日本ポリウレタン工業株式会社製、コロネートＬ、固形分：７５％）：８．０ｇ（固形分）
・酢酸エチル（溶剤）

一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ３８μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて粘着剤層形成用のワニスを塗布した後、８０℃で５分間乾燥した。これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルムと、その上に形成された厚さ３０μｍの粘着剤層とからなる積層体（ダイシングフィルム）を得た。

一方の面にコロナ処理が施されたポリオレフィンフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ８０μｍ）を準備した。コロナ処理が施された面と、上記積層体の接着剤層とを室温にて貼り合わせた。次いで、ゴムロールで押圧することで粘着剤層をポリオレフィンフィルム（カバーフィルム）に転写した。その後、室温で３日間放置することでカバーフィルム付きのダイシングフィルムを得た。

［ダイボンディングフィルム（接着剤層Ａ）の作製］
まず、以下の組成物にシクロヘキサノン（溶剤）を加えて攪拌混合した後、更にビーズミルを用いて９０分混練した。
・エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−７００−１０（商品名）、新日鉄住金化学株式会社製クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０、分子量１２００、軟化点８０℃）：１４質量部・フェノール樹脂（ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（商品名）、三井化学株式会社製、フェノール樹脂、水酸基当量１７５、吸水率１．８％、３５０℃における加熱重量減少率４％）：２３質量部
・シランカップリング剤（ＮＵＣ Ａ−１８９（商品名）株式会社ＮＵＣ製、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）：０．２質量部
・シランカップリング剤（ＮＵＣＡ−１１６０（商品名）、日本ユニカー株式会社製、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）：０．１質量部
・フィラー（「ＳＣ２０５０−ＨＬＧ（商品名）、アドマテックス株式会社製、シリカ、平均粒径０．５００μｍ）：３２質量部

上記のようにして得た組成物に以下の成分を加えた後、攪拌混合及び真空脱気の工程を経て接着剤層形成用のワニスを得た。
・エポキシ基含有アクリル共重合体（ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）、ナガセケムテックス株式会社製、重量平均分子量８０万）：１６質量部
・硬化促進剤（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（商品名）、四国化成工業株式会社製、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、「キュアゾール」は登録商標）０．０．１質量部

一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３５μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて接着剤層形成用のワニスを塗布した後、１４０℃で５分間加熱乾燥した。これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルム（キャリアフィルム）と、その上に形成された厚さ２０μｍの接着剤層（Ｂステージ状態）とからなる積層体（ダイボンディングフィルム）を得た。

［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製］
接着剤層とキャリアフィルムとからなるダイボンディングフィルムを、キャリアフィルムごと直径３３５ｍｍの円形にカットした。これにポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離したダイシングフィルムを室温で貼り付け後、室温で１日放置した。その後、直径３７０ｍｍの円形にダイシングフィルムをカットした。このようにして得たダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域（粘着剤層の第１の領域）に以下のようにして紫外線を照射した。すなわち、パルスドキセノンランプを用いて７０Ｗ、１５０ｍＪ／ｃｍ^２の照射量で部分的に紫外線を照射した。なお、暗幕を用いてフィルムの中心から内径３１８ｍｍの部分に紫外線を照射した。このようにして、後述の種々の評価試験に供するための複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜実施例２＞
紫外線の照射量を１５０ｍＪ／ｃｍ^２とする代わりに、３００ｍＪ／ｃｍ^２としたことの他は実施例１と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜実施例３＞
紫外線の照射量を１５０ｍＪ／ｃｍ^２とする代わりに、５００ｍＪ／ｃｍ^２としたことの他は実施例１と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜実施例４＞
ダイボンディングフィルムとして、接着剤層Ａを有するものの代わりに、以下のようにして形成した接着剤層Ｂを有するものを使用したことの他は実施例１と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
［ダイボンディングフィルム（接着剤層Ｂ）の作製］
まず、以下の成分にシクロヘキサノン（溶剤）を加えて攪拌混合した後、更にビーズミルを用いて９０分混練した。
・フィラー（「ＳＣ２０５０−ＨＬＧ（商品名）、アドマテックス株式会社製、シリカ、平均粒径０．５００μｍ）：５０質量部
上記のようにして得た組成物に以下の成分を加えた後、攪拌混合及び真空脱気の工程を経て接着剤層形成用のワニスを得た。
・エポキシ基含有アクリル共重合体（ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）、ナガセケムテックス株式会社製、重量平均分子量８０万）：１００質量部
・硬化促進剤（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（商品名）、四国化成工業株式会社製、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、「キュアゾール」は登録商標）０．１質量部

＜実施例５＞
表１の製造例１に示す原料モノマー組成の代わりに、製造例２に示す原料モノマー組成とし、製造例１と同じ手法で製造した製造例２に係る（Ａ）アクリル樹脂の溶液を得た。この溶液を使用したことの他は実施例２と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜実施例６＞
粘着剤層における架橋剤の量を８．０質量部とする代わりに４．０質量部とするとともに、紫外線の照射量を３００ｍＪ／ｃｍ^２とする代わりに５００ｍＪ／ｃｍ^２としたことの他は実施例５と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜実施例７＞
表１の製造例１に示す原料モノマー組成の代わりに、製造例３に示す原料モノマー組成とし、製造例１と同じ手法で製造した製造例３に係る（Ａ）アクリル樹脂の溶液を得た。この溶液を使用したことの他は実施例２と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜実施例８＞
表１の製造例１に示す原料モノマー組成の代わりに、製造例４に示す原料モノマー組成とし、製造例１と同じ手法で製造した製造例４に係る（Ａ）アクリル樹脂の溶液を得た。この溶液を使用したことの他は実施例３と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜比較例１＞
粘着剤層における架橋剤の量を８．０質量部とする代わりに１５．０質量部としたことの他は実施例１と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜比較例２＞
紫外線の照射量を３００ｍＪ／ｃｍ^２とする代わりに５００ｍＪ／ｃｍ^２としたことの他は実施例５と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜比較例３＞
紫外線の照射量を５００ｍＪ／ｃｍ^２とする代わりに１５０ｍＪ／ｃｍ^２としたことの他は実施例８と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

＜比較例４＞
表１の製造例１に示す原料モノマー組成の代わりに、製造例５に示す原料モノマー組成とし、製造例１と同じ手法で製造した製造例５に係る（Ａ）アクリル樹脂の溶液を得た。この溶液を使用するとともに、紫外線を照射しなかったことの他は実施例１と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。

［評価試験］
（１）接着剤層に対する粘着剤層の粘着力（３０°ピール強度）の測定
接着剤層に対する粘着剤層（紫外線照射領域）の粘着力を３０°ピール強度を測定することによって評価した。すなわち、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムから幅２５ｍｍ及び長さ１００ｍｍの測定試料を切り出した。測定試料は、粘着剤層（紫外線照射領域）と、接着剤層の積層体とした。引張試験機を用いて接着剤層に対する粘着剤層（紫外線照射領域）のピール強度を測定した。測定条件は、剥離角度３０°、引張速度６０ｍｍ／分とした。なお、試料の保存及びピール強度の測定は、温度２３℃、相対湿度４０％の環境下で行った。

（２）接着剤層に対する粘着剤層の１５°ピール強度の測定
剥離角度を１５°とするとともに引張速度を１５０ｍｍ／分（２．５ｍｍ／秒）としたことの他は、上記の３０°ピール強度の測定と同様にして１５°ピール強度を測定した。なお、この測定条件は特許文献１の請求項１に記載された条件と同じである。

（３）ステンレス基板に対する粘着剤層の粘着力（９０°ピール強度）の測定
ステンレス基板に対する粘着剤層（紫外線非照射領域）の粘着力を９０°ピール強度を測定することによって評価した。すなわち、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムから幅２５ｍｍ及び長さ１００ｍｍの測定試料を切り出した。測定試料は、粘着剤層（紫外線非照射領域）と、接着剤層の積層体とした。試料の粘着剤層側の面をステンレス基板（ＳＵＳ４３０ＢＡ）に貼り付けた後、株式会社島津製作所製オートグラフ「ＡＧＳ−１０００」を用いてステンレス基板に対する粘着剤層（紫外線非照射領域）のピール強度を測定した。測定条件は、剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／分とした。

（４）ダイシング性の評価
ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを８０℃×１０秒の条件でウェハ（直径：８インチ、厚さ：５０μｍ）に貼り合わせた。その後、以下の条件でウェハのダイシングを行った。
＜ダイシング条件＞
・ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製、ＤＦＤ−６５１
・ブレード：ＤＩＳＣＯ社製、２７ＨＥＣＣ
・ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
・ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
・ダイシング深さ：２５μｍ
・カットモード：ダウンカット
・ダイシングサイズ：１．０ｍｍ×１．０ｍｍ

（粘着剤層からの接着剤片の剥離の評価）
ダイシング時において、粘着剤層からの接着剤片の剥離が生じたか否かを確認した。一枚のウェハをダイシングする間に、上記積層体の飛び及び上記剥離が認められなかった試料を「Ａ」と評価し、上記積層体の飛び又はわずかな面積でも上記剥離が認められたものを「Ｂ」と評価した。

（接着剤層からのチップの剥離の評価）
ダイシング時において、接着剤層からのチップの剥離が生じたか否かを確認した。一枚のウェハをダイシングする間に、チップの飛びが一回も生じなかった試料を「Ａ」と評価し、チップの飛びが一回でも生じた試料を「Ｂ」と評価した。

（クラック）
ダイシング後のチップの切削断面を顕微鏡にて確認し、チップの欠けが生じているか否かを評価した。２５個のチップの切削断面を観察し、まったく欠けが認められなかった試料を「Ａ」と評価し、わずかでも欠けが認められる試料を「Ｂ」と評価した。

（リング剥がれの有無について）
ダイシング時にダイシングリングが粘着剤層から剥離する現象（リング剥がれ）が生じたか否かについて目視により評価した。リング剥がれが生じなかった試料を「Ａ」と評価し、リング剥がれが生じた試料を「Ｂ」と評価した。

（５）ピックアップ性の評価
ダイシング工程後のチップのピックアップ性をルネサス東日本セミコンダクタ社製レキシブルダイボンダー「ＤＢ−７３０」を使用して評価した。ピックアップ用コレットには、マイクロメカニクス社製「ＲＵＢＢＥＲ ＴＩＰ １３−０８７Ｅ−３３（サイズ：１×１ｍｍ）」を用い、突上げピンには、マイクロメカニクス社製の「ＥＪＥＣＴＯＲ ＮＥＥＤＬＥ ＳＥＮ２−８３−０５（直径：０．７ｍｍ、先端形状：直径３５０μｍの半円）」を用いた。突上げピンは、中心部に１本配置した。ピックアップ時のピンの突上げ速度：１０ｍｍ／秒、突上げ高さ：７５μｍの条件でピックアップ性を評価した。連続して１００個のチップをピックアップし、チップ割れ又はピックアップミス等が発生しなかった場合を「Ａ」と評価し、一つのチップでもチップ割れ又はピックアップミスが発生した場合を「Ｂ」と判定した。なお、ダイシング時にリング剥がれが発生したサンプルについては、再度一体型サンプルを作製後、リング密着部を粘着テープで補強しダイシングをした後、評価を行った。

本開示によれば、ウェハを多数の小さいチップへとダイシングする工程に適用可能であり、ダイシング工程におけるＤＡＦ飛びを十分に抑制できるとともに、ピックアップ性に優れた粘着剤層を備えたダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが提供される。また、本開示によれば、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法、及び、当該フィルムを用いた半導体装置の製造方法が提供される。

１…基材層、３…粘着剤層、３ａ…第１の領域、３ｂ…第２の領域、５…接着剤層、５Ｐ…接着剤片、５Ｃ…硬化物、８…ＤＡＦ、１０…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、７０…基板、１００…半導体装置、ＤＲ…ダイシングリング、Ｆ１…第１の面、Ｆ２…第２の面、Ｓ，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４…チップ、Ｗ…ウェハ

Claims (13)

1. 基材層と、前記基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する粘着剤層と、前記粘着剤層の前記第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、
   前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層に対してウェハを貼るとともに、前記粘着剤層の前記第２の面に対してダイシングリングを貼る工程と、
   前記ウェハを面積９ｍｍ^２以下の複数のチップに個片化する工程と、
   前記接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともに前記チップを前記粘着剤層からピックアップする工程と、
   前記接着剤片を介して前記チップを、基板又は他のチップ上にマウントする工程と、
   を含み、
   前記粘着剤層は、前記接着剤層における前記ウェハが貼り付けられる領域に対応する第１の領域と、前記ダイシングリングが貼り付けられる第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、前記第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域であり、
   温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、前記接着剤層に対する前記第１の領域の粘着力が１．２Ｎ／２５ｍｍ以上４．５Ｎ／２５ｍｍ以下である、半導体装置の製造方法。
2. 温度２３℃において剥離角度９０°及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定される、前記第２の領域のステンレス基板に対する粘着力が０．２Ｎ／２５ｍｍ以上である、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記複数のチップは、正方形又は長方形の形状を有し且つ３ｍｍ以下の辺を有する、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記粘着剤層の前記第１及び第２の領域は、活性エネルギー線の照射前において同一の組成物からなり、
   前記第１の領域は、当該第１の領域となる領域に対して１０〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２の量の活性エネルギー線を照射する工程を経て形成されたものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 基材層と、
   前記基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する粘着剤層と、
   前記第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層と、
   を備え、
   前記粘着剤層は、前記接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域を少なくとも含む第１の領域と、前記第１の領域を囲むように位置する第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、前記第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域であり、
   温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、前記接着剤層に対する前記第１の領域の粘着力が１．２Ｎ／２５ｍｍ以上４．５Ｎ／２５ｍｍ以下である、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
6. 温度２３℃において剥離角度９０°及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定される、前記第２の領域のステンレス基板に対する粘着力が０．２Ｎ／２５ｍｍ以上である、請求項５に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
7. ウェハを面積９ｍｍ^２以下の複数のチップに個片化する工程を含む半導体装置製造プロセスに適用される、請求項５又は６に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
8. 前記第２の領域が連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂を含み、
   前記官能基がアクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種であり、
   前記第２の領域における前記官能基の含有量が０．１ｍｍｏｌ／ｇ〜１．２ｍｍｏｌ／ｇである、請求項５〜７のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
9. 前記第２の領域が架橋剤を含み、
   前記第２の領域における前記架橋剤の含有量が０．１〜２０質量％である、請求項５〜８のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
10. 前記架橋剤が、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に３つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの反応物である、請求項９に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
11. 前記接着剤層が、エネルギー硬化性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含む組成物からなる、請求項５〜１０のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
12. 請求項５〜１１のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法であって、
    基材層の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層と、前記粘着剤層の表面上に形成された前記接着剤層とを含む積層体を作製する工程と、
    前記積層体に含まれる前記粘着剤層の前記第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、
    をこの順序で含む、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法。
13. 請求項５〜１１のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法であって、
    基材層の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層を形成する工程と、
    前記粘着剤層の前記第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、
    前記活性エネルギー線を照射した後の前記粘着剤層の表面上に前記接着剤層を積層する工程と、
    をこの順序で含む、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法。
    
    

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