TWI778263B - 切晶黏晶一體型膜及其製造方法以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

切晶黏晶一體型膜及其製造方法以及半導體裝置的製造方法 Download PDF

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矢羽田達也
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Abstract

本揭示的切晶黏晶一體型膜包括：基材層、具有與基材層相向的第一面及其相反側的第二面的黏著劑層、及以覆蓋第二面的中央部的方式設置的接著劑層。黏著劑層具有：第一區域，至少包含與接著劑層中的晶圓的貼附位置對應的區域；以及第二區域，以包圍第一區域的方式定位。第一區域為藉由活性能量線的照射而呈與第二區域相比黏著力下降的狀態的區域，且於溫度23℃下於剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下所測定的、第一區域相對於接著劑層的黏著力為1.2 N/25 mm以上且4.5 N/25 mm以下。

Description

切晶黏晶一體型膜及其製造方法以及半導體裝置的製造方法
本揭示是有關於一種切晶黏晶一體型膜及其製造方法以及使用該膜的半導體裝置的製造方法。
半導體裝置是經過以下的步驟而製造。首先，於將切晶用黏著膜貼附於晶圓的狀態下實施切晶步驟。其後，實施擴張（expand）步驟、拾取（pickup）步驟、安裝（mounting）步驟及黏晶（die bonding）步驟等。
於半導體裝置的製造製程中，使用被稱為切晶黏晶一體型膜的膜。該膜具有依序積層有基材層、黏著劑層及接著劑層的結構，例如以如下方式使用。首先，於對晶圓貼附接著劑層側的面並且利用切晶環（dicing ring）將晶圓固定的狀態下，對晶圓進行切晶。藉此，將晶圓單片化為多個晶片（chip）。繼而，藉由對黏著劑層照射紫外線而減弱黏著劑層相對於接著劑層的黏著力後，自黏著劑層，連同將接著劑層單片化而成的接著劑片一併拾取晶片。其後，經過經由接著劑片而將晶片安裝於基板等的步驟來製造半導體裝置。再者，將包含經過切晶步驟而獲得的晶片、及附著於其的接著劑片的積層體稱為晶片黏附膜（Die Attach Film，DAF）。
將如上所述般藉由紫外線的照射而黏著力變弱的黏著劑層（切晶膜）稱為紫外線（ultraviolet，UV）硬化型。與此相對，將於半導體裝置的製造製程中不照射紫外線而黏著力保持固定的黏著劑層稱為感壓型。具備感壓型的黏著劑層的切晶黏晶一體型膜具有如下優點：無需由用戶（主要為半導體裝置製造商）來實施照射紫外線的步驟，而且不需要用於該步驟的設備。專利文獻1揭示一種切晶黏晶膜，其就黏著劑層含有藉由紫外線而硬化的成分的方面而言可謂UV硬化型，另一方面，就僅對黏著劑層的規定部分預先照射紫外線，用戶無需於半導體裝置的製造製程中照射紫外線的方面而言亦可謂感壓型。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利第4443962號公報
[發明所欲解決之課題] 切晶黏晶一體型膜的黏著劑層要求於切晶步驟中對接著劑層及切晶的黏著力高。若黏著劑層的黏著力不充分，則產生：伴隨切晶刀片的高速旋轉而於接著劑層與黏著劑層之間產生剝離，晶片與接著劑片一起飛散的現象（以下將其稱為「DAF飛散」）；或者因切削水的水流而切晶環自黏著劑層剝離的現象（以下將該現象稱為「環剝落」）。本發明者等人注意到，隨著應藉由切晶而製作的晶片的尺寸變小，該些現象變顯著。關於該些現象變顯著的主要因素，本發明者等人推測原因在於：隨著晶片的尺寸變小，與先前相比切晶需要更長時間，從而使切斷中途的晶圓及切斷後的晶片長時間暴露於切晶刀片的衝擊及切削水中。
因此，本發明者等人專注於開發一種能夠應用於將晶圓切晶為多個小晶片（面積為9 mm2 以下）的步驟中的切晶黏晶一體型膜，其具備藉由對特定的部分預先照射規定量的活性能量線（例如紫外線）而該部分的黏著力與其他部分相比下降的黏著劑層，且滿足以下特性。即，發明者等人專注於開發一種切晶黏晶一體型膜，其中供貼附切晶環的區域具有可耐受切晶步驟中的切削水的水流的高黏著力，另一方面，預先照射有規定量的活性能量線的區域耐受由切晶刀片等造成的外力，而且具有適於之後的拾取的黏著力。
本揭示的目的在於提供一種能夠應用於將晶圓切晶為多個小晶片（面積為9 mm2 以下）的步驟，且具備於切晶步驟中可充分地抑制DAF飛散而且拾取性優異的黏著劑層的切晶黏晶一體型膜及其製造方法。另外，本揭示的目的在於提供一種使用該切晶黏晶一體型膜的半導體裝置的製造方法。 [解決課題之手段]
本揭示的一側面是有關於一種半導體裝置的製造方法。該製造方法包括：準備切晶黏晶一體型膜的步驟，所述切晶黏晶一體型膜包括基材層、具有與基材層相向的第一面及其相反側的第二面的黏著劑層、及以覆蓋黏著劑層的第二面的中央部的方式設置的接著劑層；對切晶黏晶一體型膜的接著劑層黏貼晶圓，並且對黏著劑層的第二面黏貼切晶環的步驟；將晶圓單片化為面積為9 mm2 以下的多個晶片的步驟（切晶步驟）；自黏著劑層，連同將接著劑層單片化而成的接著劑片一併拾取晶片的步驟；以及經由接著劑片而將晶片安裝於基板或者其他晶片上的步驟，黏著劑層具有與接著劑層中的貼附晶圓的區域對應的第一區域、及貼附切晶環的第二區域，第一區域為藉由活性能量線的照射而呈與第二區域相比黏著力下降的狀態的區域，且於溫度23℃下於剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下所測定的、第一區域相對於接著劑層的黏著力為1.2 N/25 mm以上且4.5 N/25 mm以下。
根據所述半導體裝置的製造方法，由於可充分地抑制切晶步驟中的DAF飛散、並且可達成源自黏著劑層的優異的拾取性，而可以足夠高的良率製造半導體裝置。
本揭示的一方面是有關於一種切晶黏晶一體型膜。該膜包括：基材層、具有與基材層相向的第一面及其相反側的第二面的黏著劑層、及以覆蓋第二面的中央部的方式設置的接著劑層，黏著劑層具有：至少包含與接著劑層中的晶圓的貼附位置對應的區域的第一區域、及以包圍第一區域的方式定位的第二區域，第一區域為藉由活性能量線的照射而呈與第二區域相比黏著力下降的狀態的區域，且於溫度23℃下於剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下所測定的、第一區域相對於接著劑層的黏著力為1.2 N/25 mm以上且4.5 N/25 mm以下。
藉由將所述切晶黏晶一體型膜用於半導體裝置的製造中，由於可充分地抑制切晶步驟中的DAF飛散、並且可達成源自黏著劑層的優異的拾取性，而可以足夠高的良率製造半導體裝置。
就抑制切晶步驟中的環剝落的觀點而言，黏著劑層中的所述第二區域相對於不鏽鋼基板的黏著力較佳為0.2 N/25 mm以上。該黏著力是指於溫度23℃下於剝離角度30°及剝離速度50 mm/分鐘的條件下所測定的剝離強度（peel strength）。
所述黏著劑層的第一區域及第二區域例如於活性能量線的照射前包含相同的組成物，第一區域為經過對形成該第一區域的區域照射10 mJ/cm2 ～1000 mJ/cm2 的量的活性能量線的步驟而形成者。
本揭示的一方面是有關於一種所述切晶黏晶一體型膜的製造方法。該製造方法的第一態樣依序包括：於基材層的表面上製作積層體的步驟，所述積層體包含黏著劑層及接著劑層，所述黏著劑層含有藉由照射活性能量線而黏著力下降的組成物，所述接著劑層形成於黏著劑層的表面上；以及對積層體所包含的黏著劑層的形成第一區域的區域照射活性能量線的步驟。另一方面，該製造方法的第二態樣依序包括：於基材層的表面上形成黏著劑層的步驟，所述黏著劑層含有藉由照射活性能量線而黏著力下降的組成物；對黏著劑層的形成第一區域的區域照射活性能量線的步驟；以及於照射活性能量線後的黏著劑層的表面上積層接著劑層的步驟。 [發明的效果]
根據本揭示，可提供一種能夠應用於將晶圓切晶為多個小晶片的步驟，且具備可充分地抑制切晶步驟中的DAF飛散而且拾取性優異的黏著劑層的切晶黏晶一體型膜。另外，根據本揭示，可提供一種切晶黏晶一體型膜的製造方法、以及使用該膜的半導體裝置的製造方法。
以下，參照圖式來對本揭示的實施形態進行詳細說明。於以下的說明中，對相同或相當部分標註相同符號，並省略重覆的說明。再者，本發明並不限定於以下的實施形態。於本說明書中，所謂(甲基)丙烯酸，是指丙烯酸或甲基丙烯酸。
＜切晶黏晶一體型膜＞ 圖1（a）是表示本實施形態的切晶黏晶一體型膜的平面圖，圖1（b）是沿著圖1（a）的B-B線的示意剖面圖。切晶黏晶一體型膜10（以下視情況而簡稱為「膜10」）為可應用於半導體裝置的製造製程中者，所述半導體裝置的製造製程包括將晶圓W單片化為面積為9 mm2 以下的多個晶片的切晶步驟及其後的拾取步驟（參照圖5（c）及圖5（d））。
膜10依序包括：基材層1、具有與基材層1相向的第一面F1及其相反側的第二面F2的黏著劑層3、及以覆蓋黏著劑層3的第二面F2的中央部的方式設置的接著劑層5。於本實施形態中，例示出於正方形的基材層1之上，形成有一個黏著劑層3及接著劑層5的積層體的態樣，亦可為基材層1具有規定的長度（例如100 m以上），且以沿其長邊方向排列的方式，黏著劑層3及接著劑層5的積層體以規定的間隔配置的態樣。
（黏著劑層） 黏著劑層3具有：第一區域3a，至少包含與接著劑層5中的晶圓W的貼附位置對應的區域Rw；以及第二區域3b，以包圍第一區域3a的方式定位。圖1（a）及圖1（b）中的虛線表示第一區域3a與第二區域3b的邊界。第一區域3a及第二區域3b於活性能量線的照射前包含相同的組成物。第一區域3a為藉由照射紫外線等活性能量線而呈與第二區域3b相比黏著力下降的狀態的區域。第二區域3b為用來貼附切晶環DR的區域（參照圖2）。第二區域3b為未照射活性能量線的區域，且具有對切晶環DR的高黏著力。
第一區域3a相對於接著劑層5的黏著力為1.2 N/25 mm以上且4.5 N/25 mm以下。該黏著力為於溫度23℃下於剝離角度30°及剝離速度60 mm/分鐘的條件下所測定的30°剝離強度。圖3是示意性表示於將測定試樣（寬度25 mm×長度100 mm）的接著劑層5固定於支撐板80的狀態下，測定黏著劑層3的30°剝離強度的樣子的剖面圖。藉由將第一區域3a相對於接著劑層5的黏著力（30°剝離強度）設為所述範圍，可以足夠高的程度兼具切晶時的DAF飛散的抑制及優異的拾取性兩者。藉此，能夠以足夠高的良率製造半導體裝置。該黏著力的下限值可為1.5 N/25 mm或2.0 N/25 mm，上限值可為3.5 N/25 mm或2.5 N/25 mm。
如上所述，膜10為適於將晶圓單片化為面積為9 mm2 以下的多個小晶片的切晶步驟及其後的拾取步驟者。本發明者等人著眼於尺寸為3 mm×3 mm以下（面積為9 mm2 以下）的小晶片的拾取行為、與例如尺寸8 mm×6 mm左右的大晶片的拾取行為不同而進行研究，結果將第一區域3a相對於接著劑層5的黏著力特定為所述範圍（1.2 N/25 mm以上且4.5 N/25 mm以下）。即，於藉由利用上推夾具的銷自下方對大晶片的中心部進行上推而拾取大晶片的情況下，若第一區域3a相對於接著劑層5的30°剝離強度為所述範圍，則伴隨銷的上升，雖然黏著劑層與接著劑片的界面剝離自DAF的邊緣部分向中央部分進展，但由於黏著劑層的黏著力過強，故界面剝離無法追上銷的上升，從而晶片過度變形而容易產生破裂或拾取失誤。即，本發明者等人發現，大晶片的拾取性主要受黏著劑層與接著劑片的界面剝離支配，應將黏著劑層相對於接著劑層的黏著力設定為較所述範圍的下限值（1.2 N/25 mm）更小。與此相對，本發明者等人發現，小晶片的拾取性主要受DAF的邊緣部分的剝離支配，若因由銷所致的上推而邊緣部分的剝離一旦產生，則其後黏著劑層與接著劑片的界面剝離順利地進展。因此，即便第一區域3a相對於接著劑層5的黏著力較強，於小晶片的情況下亦可達成優異的拾取性。另外，藉由第一區域3a相對於接著劑層5的黏著力較強，而可充分地抑制切晶步驟中的DAF飛散。
相對於接著劑層5而具有所述範圍的黏著力的第一區域3a為藉由活性能量線的照射而形成者。本發明者等人發現，藉由活性能量線的照射來使黏著劑層的黏著力下降會對DAF的邊緣部分的剝離產生影響。即，若第一區域3a的黏著力為藉由活性能量線的照射而過度下降者，則第一區域3a相對於接著劑層5的30°剝離強度變低，另一方面，於拾取對象為小晶片的情況下，存在DAF的邊緣部分難以剝離的傾向，從而晶片過度變形而容易產生破裂或拾取失誤。第一區域3a相對於接著劑層5的黏著力（1.2 N/25 mm以上且4.5 N/25 mm以下）亦可謂之為不使照射活性能量線前的黏著力過度下降者，藉此，即便為小晶片，亦容易產生DAF的邊緣部分的剝離。於本實施形態中，例如可藉由使黏著劑層中的交聯劑的量較少、或減少活性能量線的照射量等，來調整黏著劑層3的第一區域3a的黏著力。
第二區域3b相對於不鏽鋼基板的黏著力較佳為0.2 N/25 mm以上。該黏著力為於溫度23℃下於剝離角度90°及剝離速度50 mm/分鐘的條件下所測定的90°剝離強度。藉由該黏著力為0.2 N/25 mm以上，可充分地抑制切晶時的環剝落。該黏著力的下限值可為0.3 N/25 mm或0.4 N/25 mm，上限值例如可為2.0 N/25 mm，亦可為1.0 N/25 mm。
活性能量線照射前的黏著劑層例如包含含有(甲基)丙烯酸系樹脂、光聚合起始劑及交聯劑的黏著劑組成物。不照射活性能量線的第二區域3b包含與活性能量線照射前的黏著劑層相同的組成。以下，對黏著劑組成物的含有成分進行詳細說明。
[(甲基)丙烯酸系樹脂] 黏著劑組成物較佳為包含具有鏈可聚合的官能基的(甲基)丙烯酸系樹脂，且官能基為選自丙烯醯基及甲基丙烯醯基中的至少一種。活性能量線照射前的黏著劑層中的所述官能基的含量例如為0.1 mmol/g～1.2 mmol/g，亦可為0.3 mmol/g～1.0 mmol/g或0.5 mmol/g～0.8 mmol/g。藉由所述官能基的含量為0.1 mmol/g以上，容易藉由活性能量線的照射而形成黏著力適度下降的區域（第一區域3a），另一方面，藉由為1.2 mmol/g以下，容易達成優異的拾取性。
(甲基)丙烯酸系樹脂可藉由利用已知的方法進行合成而獲得。作為合成方法，例如可列舉：溶液聚合法、懸浮聚合法、乳化聚合法、塊狀聚合法、析出聚合法、氣相聚合法、電漿聚合法、超臨界聚合法。另外，作為聚合反應的種類，除自由基聚合、陽離子聚合、陰離子聚合、活性自由基聚合、活性陽離子聚合、活性陰離子聚合、配位聚合、永生聚合（immortal polymerization）等以外，亦可列舉原子轉移自由基聚合（atom transfer radical polymerization，ATRP）及可逆加成斷裂鏈轉移聚合（reversible addition fragmentation chain transfer polymerization，RAFTP）等方法。該些中，使用溶液聚合法且藉由自由基聚合來進行合成，除經濟性良好、反應率高、聚合控制容易等以外，亦具有以下優點：可直接使用藉由聚合而獲得的樹脂溶液來進行調配等。
此處，以使用溶液聚合法且藉由自由基聚合而獲得(甲基)丙烯酸系樹脂的方法為例，對(甲基)丙烯酸系樹脂的合成法進行詳細說明。
作為合成(甲基)丙烯酸系樹脂時所使用的單體，若為一分子中具有一個(甲基)丙烯醯基者，則並無特別限制。作為其具體例，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛基庚酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸山萮基酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、丁二酸單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、四氫鄰苯二甲酸單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯、六氫鄰苯二甲酸單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯等脂環式(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸苯基酯、(甲基)丙烯酸鄰聯苯基酯、(甲基)丙烯酸1-萘基酯、(甲基)丙烯酸2-萘基酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸對枯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸鄰苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-(鄰苯基苯氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-(1-萘氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-(2-萘氧基)丙酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸2-四氫糠酯、N-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲醯亞胺、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基-N-咔唑等雜環式(甲基)丙烯酸酯、該些化合物的己內酯改質體；ω-羧基-聚己內酯單(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-乙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丁基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-甲基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-乙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-丙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基丁酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基庚酯、(甲基)丙烯酸α-乙基-6,7-環氧基庚酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基環己基甲酯、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚、間乙烯基苄基縮水甘油醚、對乙烯基苄基縮水甘油醚等具有乙烯性不飽和基與環氧基的化合物；(甲基)丙烯酸(2-乙基-2-氧雜環丁基)甲酯、(甲基)丙烯酸(2-甲基-2-氧雜環丁基)甲酯、(甲基)丙烯酸2-(2-乙基-2-氧雜環丁基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲基-2-氧雜環丁基)乙酯、(甲基)丙烯酸3-(2-乙基-2-氧雜環丁基)丙酯、(甲基)丙烯酸3-(2-甲基-2-氧雜環丁基)丙酯等具有乙烯性不飽和基與氧雜環丁基的化合物；2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯等具有乙烯性不飽和基與異氰酸酯基的化合物；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯等具有乙烯性不飽和基與羥基的化合物，可將該些適當組合來獲得目標(甲基)丙烯酸系樹脂。
就與後述的官能基導入化合物或交聯劑的反應方面而言，(甲基)丙烯酸系樹脂較佳為具有選自羥基、縮水甘油基及胺基等中的至少一種官能基。作為用於合成具有羥基的(甲基)丙烯酸系樹脂的單體，可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯等具有乙烯性不飽和基與羥基的化合物，該些可單獨使用一種，或者併用兩種以上。
作為用於合成具有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸系樹脂的單體，可列舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-乙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丁基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-甲基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-乙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-丙基縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基丁酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基庚酯、(甲基)丙烯酸α-乙基-6,7-環氧基庚酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基環己基甲酯、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚、間乙烯基苄基縮水甘油醚、對乙烯基苄基縮水甘油醚等具有乙烯性不飽和基與環氧基的化合物，該些可單獨使用一種，或者併用兩種以上。
由該些單體所合成的(甲基)丙烯酸系樹脂較佳為包含鏈可聚合的官能基。鏈可聚合的官能基例如為選自丙烯醯基及甲基丙烯醯基中的至少一種。鏈可聚合的官能基例如可藉由使以下化合物（官能基導入化合物）與如上所述般合成的(甲基)丙烯酸系樹脂反應，而導入至該(甲基)丙烯酸系樹脂中。作為官能基導入化合物的具體例，可列舉：2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙基異氰酸酯；藉由二異氰酸酯化合物或者聚異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯或(甲基)丙烯酸4-羥基丁基乙酯的反應而獲得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或者聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應而獲得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物等。該些中，特佳為2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。該些化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
[光聚合起始劑] 作為光聚合起始劑，若為藉由照射活性能量線（選自紫外線、電子束及可見光線中的至少一種）而產生鏈可聚合的活性種者，則並無特別限制，例如可列舉光自由基聚合起始劑。此處所謂鏈可聚合的活性種，是指藉由與鏈可聚合的官能基反應而開始聚合反應者。
作為光自由基聚合起始劑，可列舉：2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等安息香縮酮；1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羥基酮；2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮、1,2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮等α-胺基酮；1-[4-(苯硫基)苯基]-1,2-辛二酮-2-(苯甲醯基)肟等肟酯；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等氧化膦；2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚體、2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(鄰甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(對甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體等2,4,5-三芳基咪唑二聚體；二苯甲酮、N,N'-四甲基-4,4'-二胺基二苯甲酮、N,N'-四乙基-4,4'-二胺基二苯甲酮、4-甲氧基-4'-二甲基胺基二苯甲酮等二苯甲酮化合物；2-乙基蒽醌、菲醌、2-第三丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等醌化合物；安息香甲醚、安息香乙醚、安息香苯醚等安息香醚；安息香、甲基安息香、乙基安息香等安息香化合物；苄基二甲基縮酮等苄基化合物；9-苯基吖啶、1,7-雙(9,9'-吖啶基庚烷)等吖啶化合物；N-苯基甘胺酸；香豆素。
相對於(甲基)丙烯酸系樹脂的含量100質量份，黏著劑組成物中的光聚合起始劑的含量例如為0.1質量份～30質量份，較佳為0.3質量份～10質量份，更佳為0.5質量份～5質量份。若光聚合起始劑的含量小於0.1質量份，則黏著劑層於活性能量線照射後發生硬化不足，容易導致拾取不良。若光聚合起始劑的含量超過30質量份，則容易產生對接著劑層的污染（光聚合起始劑向接著劑層的轉印）。
[交聯劑] 交聯劑例如是出於控制黏著劑層的彈性係數及/或黏著性的目的而使用。交聯劑只要為於一分子中具有兩個以上的可與所述(甲基)丙烯酸系樹脂所具有的選自羥基、縮水甘油基及胺基等中的至少一種官能基反應的官能基的化合物即可。作為藉由交聯劑與(甲基)丙烯酸系樹脂的反應而形成的鍵，可列舉酯鍵、醚鍵、醯胺鍵、醯亞胺鍵、胺基甲酸酯鍵、脲鍵等。
於本實施形態中，作為交聯劑，較佳為採用一分子中具有兩個以上的異氰酸酯基的化合物。若使用此種化合物，則容易與所述(甲基)丙烯酸系樹脂所具有的羥基、縮水甘油基及胺基等反應，可形成牢固的交聯結構。
作為一分子中具有兩個以上的異氰酸酯基的化合物，可列舉：2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、1,3-伸二甲苯基二異氰酸酯、1,4-伸二甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、離胺酸異氰酸酯等異氰酸酯化合物。
作為交聯劑，亦可採用所述異氰酸酯化合物、與一分子中具有兩個以上的OH基的多元醇的反應產物（含異氰酸酯基的寡聚物）。作為一分子中具有兩個以上的OH基的多元醇的例子，可列舉：乙二醇、丙二醇、丁二醇、1,6-己二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇、1,11-十一烷二醇、1,12-十二烷二醇、甘油、季戊四醇、二季戊四醇、1,4-環己二醇、1,3-環己二醇。
該些中，作為交聯劑，更理想為一分子中具有兩個以上的異氰酸酯基的多官能異氰酸酯、與一分子中具有三個以上的OH基的多元醇的反應產物（含異氰酸酯基的寡聚物）。藉由將此種含異氰酸酯基的寡聚物用作交聯劑，黏著劑層3形成緻密的交聯結構，藉此，於拾取步驟中可充分地抑制黏著劑附著於接著劑層5。
黏著劑組成物中的交聯劑的含量只要根據對黏著劑層所要求的凝聚力及斷裂伸長率、以及與接著劑層5的密接性等而適當設定即可。具體而言，相對於(甲基)丙烯酸系樹脂的含量100質量份，交聯劑的含量例如為3質量份～30質量份，較佳為4質量份～15質量份，更佳為7質量份～10質量份。藉由將交聯劑的含量設為所述範圍，而能夠均衡性良好地兼具於切晶步驟中對黏著劑層所要求的特性、及於黏晶步驟中對黏著劑層3所要求的特性，並且亦可達成優異的拾取性。
若相對於(甲基)丙烯酸系樹脂的含量100質量份而交聯劑的含量小於3質量份，則交聯結構的形成容易不充分，由此，於拾取步驟中，與接著劑層5的界面密接力不會充分下降而容易於拾取時產生不良。另一方面，若相對於(甲基)丙烯酸系樹脂的含量100質量份而交聯劑的含量超過30質量份，則黏著劑層3容易變得過硬，由此，於擴張步驟中，半導體晶片容易剝離。
交聯劑相對於黏著劑組成物的總質量的含量例如為0.1質量%～20質量%，亦可為3質量%～17質量%或5質量%～15質量%。藉由交聯劑的含量為0.1質量%以上，容易藉由活性能量線的照射而形成黏著力適度下降的區域（第一區域3a），另一方面，藉由為15質量%以下，容易達成優異的拾取性。
黏著劑層3的厚度只要根據擴張步驟的條件（溫度及張力等）而適當設定即可，例如為1 μm～200 μm，較佳為5 μm～50 μm，更佳為10 μm～20 μm。若黏著劑層3的厚度小於1 μm，則黏著性容易變得不充分，若超過200 μm，則於擴張時切口寬度窄（於銷上推時緩和應力），拾取容易不充分。
黏著劑層3形成於基材層1上。作為黏著劑層3的形成方法，可採用已知的方法。例如，可藉由雙層擠壓法來形成基材層1與黏著劑層3的積層體，亦可製備黏著劑層3的形成用清漆，將其塗敷於基材層1的表面，或者於經脫模處理的膜上形成黏著劑層3，將其轉印至基材層1。
黏著劑層3的形成用清漆較佳為使用有機溶劑來進行製備，所述有機溶劑可溶解(甲基)丙烯酸系樹脂、光聚合起始劑及交聯劑且藉由加熱而揮發。作為有機溶劑的具體例，可列舉：甲苯、二甲苯、1,3,5-三甲苯、枯烯、對枯烯等芳香族烴；四氫呋喃、1,4-二噁烷等環狀醚；甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇等醇；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯等酯；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等碳酸酯；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚等多元醇烷基醚；乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯等多元醇烷基醚乙酸酯；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺。
該些中，就溶解性及沸點的觀點而言，例如較佳為甲苯、甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚、乙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、N,N-二甲基乙醯胺。該些有機溶劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。清漆的固體成分濃度通常較佳為10質量%～60質量%。
（基材層） 作為基材層1，可使用已知的聚合物片或膜，若為於低溫條件下能夠實施擴張步驟者，則並無特別限制。具體而言，作為基材層1，可列舉：結晶性聚丙烯、非晶性聚丙烯、高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、低密度直鏈聚乙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯（無規、交替）共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯基硫醚、芳族聚醯胺（aramid）（紙）、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、矽酮樹脂、或於該些中混合有塑化劑的混合物、或者藉由電子束照射而已實施交聯的硬化物。
基材層1較佳為具有以選自聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯-聚丙烯無規共聚物、聚乙烯-聚丙烯嵌段共聚物中的至少一種樹脂為主成分的表面，且該表面與黏著劑層3相接。該些樹脂就楊氏係數、應力緩和性及熔點等特性、以及價格方面、使用後的廢棄材料循環等觀點而言亦為良好的基材。基材層1可為單層，視需要亦可具有積層包含不同材質的層而成的多層結構。為了控制與黏著劑層3的密接性，亦可對基材層1的表面實施消光處理、電暈處理等表面粗糙化處理。
（接著劑層） 接著劑層5中可應用已知的構成黏晶膜的接著劑組成物。具體而言，構成接著劑層5的接著劑組成物較佳為含有含環氧基的丙烯酸共聚物、環氧樹脂及環氧樹脂硬化劑。根據包含該些成分的接著劑層5，具有如下特徵而較佳：晶片/基板間、晶片/晶片間的接著性優異，而且亦能夠賦予電極埋入性及線埋入性等，且於黏晶步驟中可以低溫來接著、以短時間獲得優異的硬化，於利用密封劑模塑後具有優異的可靠性等。
作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯酚的二縮水甘油醚化物、萘二醇的二縮水甘油醚化物、酚類的二縮水甘油醚化物、醇類的二縮水甘油醚化物、及該些的烷基取代體、鹵化物、氫化物等二官能環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂。另外，亦可應用多官能環氧樹脂及含雜環的環氧樹脂等通常已知的其他環氧樹脂。該些可單獨使用或將兩種以上組合使用。再者，亦可以無損特性的範圍作為雜質而包含環氧樹脂以外的成分。
作為環氧樹脂硬化劑，例如可列舉如可使酚化合物與作為二價連結基的伸二甲苯基化合物於無觸媒或酸觸媒的存在下進行反應而獲得的酚樹脂般者。作為用於酚樹脂的製造中的酚化合物，可例示：苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、鄰乙基苯酚、對乙基苯酚、鄰正丙基苯酚、間正丙基苯酚、對正丙基苯酚、鄰異丙基苯酚、間異丙基苯酚、對異丙基苯酚、鄰正丁基苯酚、間正丁基苯酚、對正丁基苯酚、鄰異丁基苯酚、間異丁基苯酚、對異丁基苯酚、辛基苯酚、壬基苯酚、2,4-二甲酚、2,6-二甲酚、3,5-二甲酚、2,4,6-三甲基苯酚、間苯二酚（resorcin）、鄰苯二酚、對苯二酚、4-甲氧基苯酚、鄰苯基苯酚、間苯基苯酚、對苯基苯酚、對環己基苯酚、鄰烯丙基苯酚、對烯丙基苯酚、鄰苄基苯酚、對苄基苯酚、鄰氯苯酚、對氯苯酚、鄰溴苯酚、對溴苯酚、鄰碘苯酚、對碘苯酚、鄰氟苯酚、間氟苯酚、對氟苯酚等。該些酚化合物可單獨使用，亦可混合使用兩種以上。用於酚樹脂的製造中的作為二價連結基的伸二甲苯基化合物可使用以下所示的伸二甲苯基二鹵化物、伸二甲苯基二甘醇及其衍生物。即，可列舉：α,α'-二氯-對二甲苯、α,α'-二氯-間二甲苯、α,α'-二氯-鄰二甲苯、α,α'-二溴-對二甲苯、α,α'-二溴-間二甲苯、α,α'-二溴-鄰二甲苯、α,α'-二碘-對二甲苯、α,α'-二碘-間二甲苯、α,α'-二碘-鄰二甲苯、α,α'-二羥基-對二甲苯、α,α'-二羥基-間二甲苯、α,α'-二羥基-鄰二甲苯、α,α'-二甲氧基-對二甲苯、α,α'-二甲氧基-間二甲苯、α,α'-二甲氧基-鄰二甲苯、α,α'-二乙氧基-對二甲苯、α,α'-二乙氧基-間二甲苯、α,α'-二乙氧基-鄰二甲苯、α,α'-二-正丙氧基-對二甲苯、α,α'-正丙氧基-間二甲苯、α,α'-二-正丙氧基-鄰二甲苯、α,α'-二-異丙氧基-對二甲苯、α,α'-二-異丙氧基-間二甲苯、α,α'-二-異丙氧基-鄰二甲苯、α,α'-二-正丁氧基-對二甲苯、α,α'-二-正丁氧基-間二甲苯、α,α'-二-正丁氧基-鄰二甲苯、α,α'-二異丁氧基-對二甲苯、α,α'-二異丁氧基-間二甲苯、α,α'-二異丁氧基-鄰二甲苯、α,α'-二-第三丁氧基-對二甲苯、α,α'-二-第三丁氧基-間二甲苯、α,α'-二-第三丁氧基-鄰二甲苯。該些可單獨使用或將兩種以上組合使用。
使所述酚化合物與伸二甲苯基化合物反應時，可使用鹽酸、硫酸、磷酸、多磷酸等礦酸類；二甲基硫酸、二乙基硫酸、對甲苯磺酸、甲磺酸、乙磺酸等有機羧酸類；三氟甲磺酸等超強酸類；烷烴磺酸型離子交換樹脂般的強酸性離子交換樹脂類；全氟烷烴磺酸型離子交換樹脂般的超強酸性離子交換樹脂類（商品名：納菲，Nafion，杜邦（DuPont）公司製造，「納菲（Nafion）」為註冊商標）；天然及合成沸石類；活性白土（酸性白土）類等酸性觸媒，於50℃～250℃下反應至實質上作為原料的伸二甲苯基化合物消失，且反應組成成為固定為止而獲得。反應時間亦取決於原料及反應溫度，大概為1小時～15小時左右，實際上，藉由凝膠滲透層析法（gel permeation chromatography，GPC）等一面追蹤反應組成一面決定即可。
含環氧基的丙烯酸共聚物較佳為以相對於所得的共聚物而為0.5質量%～6質量%的量，使用丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯作為原料而獲得的共聚物。藉由該量為0.5質量%以上而容易獲得高接著力，另一方面，藉由為6質量%以下而可抑制凝膠化。其剩餘部分可使用丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯等具有碳數為1～8的烷基的丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、及苯乙烯、丙烯腈等的混合物。該些中，特佳為(甲基)丙烯酸乙酯及/或(甲基)丙烯酸丁酯。混合比率較佳為考慮共聚物的Tg而進行調整。若Tg小於-10℃，則有B階段狀態下的接著劑層5的黏性變大的傾向，且有操作性惡化的傾向。再者，含環氧基的丙烯酸共聚物的玻璃轉移溫度（Tg）的上限值例如為30℃。聚合方法並無特別限制，例如可列舉珠狀聚合（pearl polymerization）、溶液聚合。作為市售的含環氧基的丙烯酸共聚物，例如可列舉：HTR-860P-3（商品名，長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造）。
含環氧基的丙烯酸共聚物的重量平均分子量為10萬以上，若為該範圍，則接著性及耐熱性高，較佳為30萬～300萬，更佳為50萬～200萬。若重量平均分子量為300萬以下，則可抑制半導體晶片與對其加以支撐的基板之間的填充性下降。重量平均分子量是利用凝膠滲透層析法（GPC）且使用基於標準聚苯乙烯的校準曲線而得的聚苯乙烯換算值。
接著劑層5視需要亦可更含有三級胺、咪唑類、四級銨鹽類等硬化促進劑。作為硬化促進劑的具體例，可列舉：2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
接著劑層5視需要亦可更含有無機填料。作為無機填料的具體例，可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
接著劑層5的厚度例如為1 μm～300 μm，較佳為5 μm～150 μm，更佳為10 μm～100 μm。若接著劑層5的厚度小於1 μm，則接著性容易變得不充分，另一方面，若超過300 μm，則擴張時的截斷性及拾取性容易變得不充分。
再者，接著劑層5亦可為不含熱硬化性樹脂的態樣。例如，於接著劑層5包含含反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物的情況下，接著劑層5只要為包含含反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物、硬化促進劑及填料者即可（參照實施例4）。
＜切晶黏晶一體型膜的製造方法＞ 膜10的製造方法依序包括：於基材層1的表面上製作積層體的步驟，所述積層體包含黏著劑層及接著劑層5，所述黏著劑層含有藉由照射活性能量線而黏著力下降的黏著劑組成物，所述接著劑層5形成於黏著劑層的表面上；以及對積層體所包含的黏著劑層的形成第一區域3a的區域照射活性能量線的步驟。對形成第一區域3a的區域照射的活性能量線的量例如為10 mJ/cm2 ～1000 mJ/cm2 ，亦可為100 mJ/cm2 ～700 mJ/cm2 或200 mJ/cm2 ～500 mJ/cm2 。
所述製造方法是先製作黏著劑層與接著劑層5的積層體，其後，對黏著劑層的特定的區域照射活性能量線的方法。如下所述，亦可對與接著劑層5貼合之前的黏著劑層照射活性能量線而形成第一區域3a。即，膜10的製造方法亦可依序包括：於基材層1的表面上形成黏著劑層的步驟，所述黏著劑層含有藉由照射活性能量線而黏著力下降的組成物；對黏著劑層的形成第一區域3a的區域照射活性能量線的步驟；以及於照射活性能量線後的黏著劑層3的表面上積層接著劑層5的步驟。
＜半導體裝置及其製造方法＞ 圖4是示意性表示本實施形態的半導體裝置的剖面圖。該圖所示的半導體裝置100包括：基板70；積層於基板70的表面上的四個晶片S1、晶片S2、晶片S3、晶片S4；將基板70的表面上的電極（未圖示）與四個晶片S1、晶片S2、晶片S3、晶片S4電性連接的線W1、線W2、線W3、線W4；以及將該些密封的密封層50。
基板70例如為有機基板，亦可為引線框架等金屬基板。就抑制半導體裝置100的翹曲的觀點而言，基板70的厚度例如為70 μm～140 μm，亦可為80 μm～100 μm。
四個晶片S1、晶片S2、晶片S3、晶片S4是經由接著劑片5P的硬化物5C而積層。俯視時晶片S1、晶片S2、晶片S3、晶片S4的形狀例如為正方形或長方形。晶片S1、晶片S2、晶片S3、晶片S4的面積為9 mm2 以下，亦可為0.1 mm2 ～4 mm2 或0.1 mm2 ～2 mm2 。晶片S1、晶片S2、晶片S3、晶片S4的一邊的長度例如為3 mm以下，亦可為0.1 mm～2.0 mm或0.1 mm～1.0 mm。晶片S1、晶片S2、晶片S3、晶片S4的厚度例如為10 μm～170 μm，亦可為25 μm～100 μm。再者，四個晶片S1、晶片S2、晶片S3、晶片S4的一邊的長度可相同，亦可彼此不同，關於厚度亦同樣如此。
半導體裝置100的製造方法包括：準備所述膜10的步驟；對膜10的接著劑層5黏貼晶圓W，並且對黏著劑層3的第二面F2黏貼切晶環DR的步驟；將晶圓W單片化為面積為9 mm2 以下的多個晶片S的步驟（切晶步驟）；自黏著劑層3的第一區域3a拾取DAF8（晶片S1與接著劑片5P的積層體，參照圖5（d））的步驟；以及經由接著劑片5P而將晶片S1安裝於基板70上的步驟。
參照圖5（a）～圖5（d）來對DAF8的製作方法的一例進行說明。首先，準備所述膜10。如圖5（a）及圖5（b）所示，以接著層5與晶圓W的其中一個面相接的方式貼附膜10。另外，對黏著劑層3的第二面F2貼附切晶環DR。
對晶圓W、接著劑層5及黏著劑層3進行切晶。藉此，如圖5（c）所示，將晶圓W單片化而形成晶片S。接著劑層5亦單片化而形成接著劑片5P。作為切晶方法，可列舉使用切晶刀片或雷射的方法。再者，亦可於晶圓W的切晶之前藉由對晶圓W進行磨削而薄膜化。
於切晶後，不對黏著劑層3照射活性能量線，而是如圖5（d）所示，藉由於常溫或冷卻條件下將基材層1擴張而使晶片S彼此分開，同時藉由利用銷42上推而使接著劑片5P自黏著劑層3剝離，並且利用抽吸夾頭44抽吸並拾取DAF8。
參照圖6～圖8來對半導體封裝100的製造方法進行具體說明。首先，如圖6所示，經由接著劑片5P而將第一層的晶片S1（晶片S）壓接於基板70的規定位置。其次，藉由加熱而使接著劑片5P硬化。藉此，接著劑片5P硬化而成為硬化物5C。就減少孔隙的觀點而言，接著劑片5P的硬化處理亦可於加壓環境下實施。
以與晶片S1對基板70的安裝相同的方式，於晶片S1的表面上安裝第二層的晶片S2。進而，藉由安裝第三層及第四層的晶片S3、晶片S4而製作圖7所示的結構體60。於利用線W1、線W2、線W3、線W4將晶片S1、晶片S2、晶片S3、晶片S4與基板70電性連接後（參照圖8），藉由密封層50來將半導體元件及線密封，藉此完成圖4所示的半導體裝置100。
以上，對本揭示的實施形態進行了詳細說明，但本發明並不限定於所述實施形態。例如，於所述實施形態中，例示出依序包括基材層1、黏著劑層3及接著劑層5的膜10，但亦可為不包括接著劑層5的態樣。另外，膜10亦可更包括覆蓋接著劑層5的覆蓋膜（未圖示）。 [實施例]
以下，基於實施例來對本揭示進行更具體的說明，但本發明並不限定於該些實施例。再者，只要無特別記載，則化學品全部使用試劑。
＜實施例1＞ [丙烯酸樹脂的合成（製造例1）] 於裝備有三一馬達（three-one motor）、攪拌翼、氮氣導入管的容量2000 ml的燒瓶中裝入以下成分。 ·乙酸乙酯（溶劑）：635 g ·丙烯酸2-乙基己酯：395 g ·丙烯酸2-羥基乙酯：100 g ·甲基丙烯酸：5 g ·偶氮雙異丁腈：0.08 g
將內容物充分地攪拌至均勻後，以流量500 ml/分鐘實施60分鐘起泡（bubbling），對體系中的溶氧進行脫氣。歷時1小時升溫至78℃，升溫後聚合6小時。其次，將反應溶液移至裝備有三一馬達、攪拌翼、氮氣導入管的容量2000 ml的加壓釜中，於120℃、0.28 MPa下加溫4.5小時後，冷卻至室溫（25℃，以下相同）。
其次，加入490 g的乙酸乙酯，進行攪拌、稀釋。於其中添加0.025 g的作為聚合抑制劑的甲氧苯酚（methoxyphenol）、0.10 g的作為胺基甲酸酯化觸媒的二月桂酸二辛基錫後，加入42.5 g的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯（昭和電工股份有限公司製造，卡倫茨（Karenz）MOI（商品名）），於70℃下反應6小時後，冷卻至室溫。繼而，加入乙酸乙酯，以丙烯酸樹脂溶液中的不揮發成分含量成為35質量%的方式進行調整，獲得包含（A）丙烯酸樹脂（製造例1）的溶液，所述（A）丙烯酸樹脂具有鏈可聚合的官能基。
將以所述方式獲得的包含（A）丙烯酸樹脂的溶液於60℃下真空乾燥一晚。對藉此而得的固體成分，利用全自動元素分析裝置（元素（Elemental）公司製造，商品名：瓦瑞奧（vario）EL）進行元素分析，並根據氮含量算出所導入的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯的含量，結果為0.50 mmol/g。
另外，使用以下裝置求出（A）丙烯酸樹脂的聚苯乙烯換算重量平均分子量。即，使用東曹股份有限公司製造的SD-8022/DP-8020/RI-8020，管柱使用日立化成股份有限公司製造的凝膠組件（Gel pack）GL-A150-S/GL-A160-S，溶離液使用四氫呋喃來進行GPC測定。結果，聚苯乙烯換算重量平均分子量為80萬。依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K0070中記載的方法而測定的羥價及酸價為61.1 mgKOH/g及6.5 mgKOH/g。將該些的結果匯總示於表1中。
[切晶膜（黏著劑層）的製作] 藉由將以下成分混合而製備黏著劑層形成用清漆（參照表2）。乙酸乙酯（溶劑）的量是以清漆的總固體成分含量成為25質量%的方式進行調整。 ·（A）丙烯酸樹脂溶液（製造例1）：100 g（固體成分） ·（B）光聚合起始劑（1-羥基環己基苯基酮、汽巴精化（Ciba Specialty Chemicals）股份有限公司製造，豔佳固（Irgacure）184，「Irgacure」為註冊商標）：0.8 g ·（B）光聚合起始劑（雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦、汽巴精化（Ciba Specialty Chemicals）股份有限公司製造，豔佳固（Irgacure）819，「Irgacure」為註冊商標）：0.2 g ·（C）交聯劑（多官能異氰酸酯，日本聚胺基甲酸酯工業股份有限公司製造，克羅耐德（Coronate）L，固體成分：75%）：8.0 g（固體成分） ·乙酸乙酯（溶劑）
準備對其中一個面實施了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜（寬度450 mm、長度500 mm、厚度38 μm）。於已實施脫模處理的面，使用敷料器來塗佈黏著劑層形成用清漆後，於80℃下乾燥5分鐘。藉此，獲得包含聚對苯二甲酸乙二酯膜及其上所形成的厚度30 μm的黏著劑層的積層體（切晶膜）。
準備對其中一個面實施了電暈處理的聚烯烴膜（寬度450 mm、長度500 mm、厚度80 μm）。將已實施電暈處理的面、與所述積層體的接著劑層於室溫下貼合。繼而，藉由利用橡膠輥進行按壓而將黏著劑層轉印至聚烯烴膜（覆蓋膜）。其後，於室溫下放置3日，藉此獲得帶有覆蓋膜的切晶膜。
[黏晶膜（接著劑層A）的製作] 首先，於以下組成物中加入環己酮（溶劑）並進行攪拌混合後，進而使用珠磨機混煉90分鐘。 ·環氧樹脂（YDCN-700-10（商品名），新日鐵住金化學股份有限公司製造的甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，環氧當量210，分子量1200，軟化點80℃）：14質量份 ·酚樹脂（米萊斯（Milex）XLC-LL（商品名），三井化學股份有限公司製造，酚樹脂，羥基當量175，吸水率1.8%，350℃下的加熱重量減少率4%）：23質量份 ·矽烷偶合劑（NUC A-189（商品名），NUC股份有限公司製造，γ-巰基丙基三甲氧基矽烷）：0.2質量份 ·矽烷偶合劑（NUC A-1160（商品名），日本尤尼卡（Nippon Unicar）股份有限公司製造，γ-脲基丙基三乙氧基矽烷）：0.1質量份 ·填料（SC2050-HLG（商品名），雅都瑪（Admatechs）股份有限公司製造，二氧化矽，平均粒徑0.500 μm）：32質量份
於以所述方式獲得的組成物中加入以下成分後，經過攪拌混合及真空脫氣的步驟而獲得接著劑層形成用清漆。 ·含環氧基的丙烯酸共聚物（HTR-860P-3（商品名），長瀨化成股份有限公司製造，重量平均分子量80萬）：16質量份 ·硬化促進劑（固唑（Curezol）2PZ-CN（商品名），四國化成工業股份有限公司製造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑，「Curezol」為註冊商標）：0.01質量份
準備對其中一個面實施了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜（厚度35 μm）。於已實施脫模處理的面，使用敷料器來塗佈接著劑層形成用清漆後，於140℃下加熱乾燥5分鐘。藉此，獲得包含聚對苯二甲酸乙二酯膜（載體膜）及其上所形成的厚度20 μm的接著劑層（B階段狀態）的積層體（黏晶膜）。
[切晶黏晶一體型膜的製作] 將包含接著劑層及載體膜的黏晶膜，連帶載體膜而切割為直徑335 mm的圓形。於室溫下對其貼附剝離了聚對苯二甲酸乙二酯膜的切晶膜後，於室溫下放置1日。其後，將切晶膜切割為直徑370 mm的圓形。對於以該方式獲得的切晶黏晶一體型膜的接著劑層中的與晶圓的貼附位置對應的區域（黏著劑層的第一區域），以如下方式照射紫外線。即，使用脈衝氙燈（pulsed xenon lamp），以70 W、150 mJ/cm2 的照射量部分地照射紫外線。再者，使用遮光幕，對自膜的中心起內徑為318 mm的部分照射紫外線。以該方式獲得用於供至後述的各種評價試驗中的多個切晶黏晶一體型膜。
＜實施例2＞ 將紫外線的照射量設為300 mJ/cm2 來代替設為150 mJ/cm2 ，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得多個切晶黏晶一體型膜。
＜實施例3＞ 將紫外線的照射量設為500 mJ/cm2 來代替設為150 mJ/cm2 ，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得多個切晶黏晶一體型膜。
＜實施例4＞ 作為黏晶膜，使用具有以如下方式形成的接著劑層B者來代替具有接著劑層A者，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得多個切晶黏晶一體型膜。 [黏晶膜（接著劑層B）的製作] 首先，於以下成分中加入環己酮（溶劑）並進行攪拌混合後，進而使用珠磨機混煉90分鐘。 ·填料（SC2050-HLG（商品名），雅都瑪股份有限公司製造，二氧化矽，平均粒徑0.500 μm）：50質量份 於以所述方式獲得的組成物中加入以下成分後，經過攪拌混合及真空脫氣的步驟而獲得接著劑層形成用清漆。 ·含環氧基的丙烯酸共聚物（HTR-860P-3（商品名），長瀨化成股份有限公司製造，重量平均分子量80萬）：100質量份 ·硬化促進劑（固唑（Curezol）2PZ-CN（商品名），四國化成工業股份有限公司製造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑，「Curezol」為註冊商標）：0.1質量份
＜實施例5＞ 設為製造例2所示的原料單體組成來代替表1的製造例1所示的原料單體組成，且藉由與製造例1相同的方法進行製造，獲得製造例2的（A）丙烯酸樹脂的溶液。使用該溶液，除此以外，以與實施例2相同的方式獲得多個切晶黏晶一體型膜。
＜實施例6＞ 將黏著劑層中的交聯劑的量設為4.0質量份來代替設為8.0質量份，並且將紫外線的照射量設為500 mJ/cm2 來代替設為300 mJ/cm2 ，除此以外，以與實施例5相同的方式獲得多個切晶黏晶一體型膜。
＜實施例7＞ 設為製造例3所示的原料單體組成來代替表1的製造例1所示的原料單體組成，且藉由與製造例1相同的方法進行製造，獲得製造例3的（A）丙烯酸樹脂的溶液。使用該溶液，除此以外，以與實施例2相同的方式獲得多個切晶黏晶一體型膜。
＜實施例8＞ 設為製造例4所示的原料單體組成來代替表1的製造例1所示的原料單體組成，且藉由與製造例1相同的方法進行製造，獲得製造例4的（A）丙烯酸樹脂的溶液。使用該溶液，除此以外，以與實施例3相同的方式獲得多個切晶黏晶一體型膜。
＜比較例1＞ 將黏著劑層中的交聯劑的量設為15.0質量份來代替設為8.0質量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得多個切晶黏晶一體型膜。
＜比較例2＞ 將紫外線的照射量設為500 mJ/cm2 來代替設為300 mJ/cm2 ，除此以外，以與實施例5相同的方式獲得多個切晶黏晶一體型膜。
＜比較例3＞ 將紫外線的照射量設為150 mJ/cm2 來代替設為500 mJ/cm2 ，除此以外，以與實施例8相同的方式獲得多個切晶黏晶一體型膜。
＜比較例4＞ 設為製造例5所示的原料單體組成來代替表1的製造例1所示的原料單體組成，且藉由與製造例1相同的方法進行製造，獲得製造例5的（A）丙烯酸樹脂的溶液。使用該溶液，並且不照射紫外線，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得多個切晶黏晶一體型膜。
[評價試驗] （1）黏著劑層相對於接著劑層的黏著力（30°剝離強度）的測定 藉由測定30°剝離強度而對黏著劑層（紫外線照射區域）相對於接著劑層的黏著力進行評價。即，自切晶黏晶一體型膜切出寬度25 mm及長度100 mm的測定試樣。測定試樣設為黏著劑層（紫外線照射區域）與接著劑層的積層體。使用拉伸試驗機來測定黏著劑層（紫外線照射區域）相對於接著劑層的剝離強度。測定條件設為剝離角度30°、拉伸速度60 mm/分鐘。再者，試樣的保存及剝離強度的測定是於溫度23℃、相對濕度40%的環境下進行。
（2）黏著劑層相對於接著劑層的15°剝離強度的測定 將剝離角度設為15°並且將拉伸速度設為150 mm/分鐘（2.5 mm/秒），除此以外，以與所述30°剝離強度的測定相同的方式測定15°剝離強度。再者，該測定條件與專利文獻1的第一發明中所記載的條件相同。
（3）黏著劑層相對於不鏽鋼基板的黏著力（90°剝離強度）的測定 藉由測定90°剝離強度而對黏著劑層（紫外線非照射區域）相對於不鏽鋼基板的黏著力進行評價。即，自切晶黏晶一體型膜切出寬度25 mm及長度100 mm的測定試樣。測定試樣設為黏著劑層（紫外線非照射區域）與接著劑層的積層體。將試樣的黏著劑層側的面貼附於不鏽鋼基板（SUS430BA）後，使用島津製作所股份有限公司製造的自顯影（Autograph）「AGS-1000」來測定黏著劑層（紫外線非照射區域）相對於不鏽鋼基板的剝離強度。測定條件設為剝離角度90°、剝離速度50 mm/分鐘。
（4）切晶性的評價 將切晶黏晶一體型膜於80℃×10秒的條件下貼合於晶圓（直徑：8吋、厚度：50 μm）。其後，於以下條件下進行晶圓的切晶。 ＜切晶條件＞ ·切晶機：迪思科（DISCO）公司製造，DFD-651 ·刀片：迪思科（DISCO）公司製造，27HECC ·刀片轉速：40000 rpm ·切晶速度：30 mm/秒 ·切晶深度：25 μm ·切割模式：下切（down cutting） ·切晶尺寸：1.0 mm×1.0 mm
（接著劑片自黏著劑層的剝離的評價） 於切晶時，確認是否產生了接著劑片自黏著劑層的剝離。將在對一片晶圓進行切晶的期間，未確認到所述積層體的飛散及所述剝離的試樣評價為「A」，將確認到所述積層體的飛散或者即使僅為小面積亦確認到所述剝離者評價為「B」。
（晶片自接著劑層的剝離的評價） 於切晶時，確認是否產生了晶片自接著劑層的剝離。將在對一片晶圓進行切晶的期間，一次亦未產生晶片的飛散的試樣評價為「A」，將即使有一次亦產生晶片的飛散的試樣評價為「B」。
（裂紋） 利用顯微鏡來確認切晶後的晶片的切削剖面，對是否產生了晶片的缺陷進行評價。觀察25個晶片的切削剖面，將完全未確認到缺陷的試樣評價為「A」，將即使略微亦確認到缺陷的試樣評價為「B」。
（關於環剝落的有無） 關於切晶時是否產生了切晶環自黏著劑層剝離的現象（環剝落），藉由目視而進行評價。將未產生環剝落的試樣評價為「A」，將產生了環剝落的試樣評價為「B」。
（5）拾取性的評價 使用瑞薩東日本半導體（Renesas Eastern Japan Semiconductor）公司製造的柔性黏晶機（Flexible die bonder）「DB-730」來對切晶步驟後的晶片的拾取性進行評價。拾取用夾頭使用麥克機械（Micromechanics）公司製造的「橡膠頭（RUBBER TIP）13-087E-33（尺寸：1 mm×1 mm）」，上推銷使用麥克機械公司製造的「推針（EJECTOR NEEDLE）SEN2-83-05（直徑：0.7 mm、前端形狀：直徑350 μm的半圓）」。在中心部配置一根上推銷。於拾取時銷的上推速度：10 mm/秒、上推高度：75 μm的條件下對拾取性進行評價。將連續拾取100個晶片，未產生晶片破裂或拾取失誤等的情況評價為「A」，將即使有一個晶片產生了晶片破裂或拾取失誤的情況判定為「B」。再者，關於切晶時發生了環剝落的樣品，於再次製作一體型樣品後，利用黏著帶來增強環密接部並進行切晶，之後進行評價。
[表1]
Figure 108117038-A0304-0001
[表2]
Figure 108117038-A0304-0002
[表3]
Figure 108117038-A0304-0003
 [產業上之可利用性]
根據本揭示，可提供一種能夠應用於將晶圓切晶為多個小晶片的步驟，且具備可充分地抑制切晶步驟中的DAF飛散而且拾取性優異的黏著劑層的切晶黏晶一體型膜。另外，根據本揭示，可提供一種切晶黏晶一體型膜的製造方法、以及使用該膜的半導體裝置的製造方法。
1:基材層 3:黏著劑層 3a:第一區域 3b:第二區域 5:接著劑層 5P:接著劑片 5C:硬化物 8:DAF 10:切晶黏晶一體型膜 42:銷 44:抽吸夾頭 50:密封層 60:結構體 70:基板 80:支撐板 100:半導體裝置 DR:切晶環 F1:第一面 F2:第二面 Rw:區域 S、S1、S2、S3、S4:晶片 W:晶圓 W1、W2、W3、W4:線 B-B:剖線
圖1（a）是表示切晶黏晶一體型膜的一實施形態的平面圖，圖1（b）是沿著圖1（a）所示的B-B線的示意剖面圖。 圖2是表示於切晶黏晶一體型膜的黏著劑層的周緣部貼附切晶環，並且於接著劑層的表面貼附晶圓的狀態的示意圖。 圖3是示意性表示測定黏著劑層相對於接著劑層的30°剝離強度的樣子的剖面圖。 圖4是半導體裝置的一實施形態的示意剖面圖。 圖5（a）～圖5（d）是示意性表示製造DAF（晶片與接著劑片的積層體）的過程的剖面圖。 圖6是示意性表示製造圖4所示的半導體裝置的過程的剖面圖。 圖7是示意性表示製造圖4所示的半導體裝置的過程的剖面圖。 圖8是示意性表示製造圖4所示的半導體裝置的過程的剖面圖。
1:基材層
3:黏著劑層
3a:第一區域
3b:第二區域
5:接著劑層
10:切晶黏晶一體型膜
F1:第一面
F2:第二面
Rw:區域
W:晶圓
B-B:剖線

Claims (13)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，其包括：準備切晶黏晶一體型膜的步驟，所述切晶黏晶一體型膜包括基材層、黏著劑層及接著劑層，所述黏著劑層具有與所述基材層相向的第一面及其相反側的第二面，所述接著劑層以覆蓋所述黏著劑層的所述第二面的中央部的方式設置；對所述切晶黏晶一體型膜的所述接著劑層黏貼晶圓，同時對所述黏著劑層的所述第二面黏貼切晶環的步驟；將所述晶圓單片化為面積為9mm2以下的多個晶片的步驟；將所述晶片連同所述接著劑層單片化而成的接著劑片，從所述黏著劑層一併拾取的步驟；以及經由所述接著劑片而將所述晶片安裝於基板或者其他晶片上的步驟，所述黏著劑層具有與所述接著劑層中的貼附所述晶圓的區域對應的第一區域、及貼附所述切晶環的第二區域，所述第一區域為藉由活性能量線的照射而呈與所述第二區域相比黏著力下降的狀態的區域，且於溫度23℃下、剝離角度30°及剝離速度60mm/分鐘的條件下進行測定，所述第一區域對於所述接著劑層的黏著力為1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置的製造方法，其中於溫度23℃下、剝離角度90°及剝離速度50mm/分鐘的 條件下進行測定，所述第二區域對於不鏽鋼基板的黏著力為0.2N/25mm以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中所述多個晶片具有正方形或長方形的形狀且具有3mm以下的邊。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中所述黏著劑層的所述第一區域及所述第二區域於活性能量線的照射前包含相同的組成物，所述第一區域是經過對將形成所述第一區域的區域照射10mJ/cm2~1000mJ/cm2的量的活性能量線的步驟而形成者。
  5. 一種切晶黏晶一體型膜，其包括：基材層；黏著劑層，具有與所述基材層相向的第一面及其相反側的第二面；以及接著劑層，以覆蓋所述第二面的中央部的方式設置，所述黏著劑層具有：第一區域，至少包含與所述接著劑層中的晶圓的貼附位置對應的區域；以及第二區域，以包圍所述第一區域的方式定位，所述第一區域為藉由活性能量線的照射而呈與所述第二區域相比黏著力下降的狀態的區域，且於溫度23℃下、剝離角度30°及剝離速度60mm/分鐘的條件下進行測定，所述第一區域對於所述接著劑層的黏著力為1.2N/25 mm以上且4.5N/25mm以下。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的切晶黏晶一體型膜，其中於溫度23℃下、剝離角度90°及剝離速度50mm/分鐘的條件下進行測定，所述第二區域對於不鏽鋼基板的黏著力為0.2N/25mm以上。
  7. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的切晶黏晶一體型膜，其應用於半導體裝置製造製程中，所述半導體裝置製造製程包括將晶圓單片化為面積為9mm2以下的多個晶片的步驟。
  8. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的切晶黏晶一體型膜，其中所述第二區域包含具有可進行鏈聚合的官能基的(甲基)丙烯酸系樹脂，所述官能基為選自丙烯醯基及甲基丙烯醯基中的至少一種，所述第二區域中的所述官能基的含量為0.1mmol/g~1.2mmol/g。
  9. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的切晶黏晶一體型膜，其中所述第二區域包含交聯劑，且所述第二區域中的所述交聯劑的含量為0.1質量%~20質量%。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的切晶黏晶一體型膜，其中所述交聯劑為一分子中具有兩個以上的異氰酸酯基的多官能異氰酸酯、與一分子中具有三個以上的OH基的多元醇的反應生成物。
  11. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的切晶黏晶一體型膜，其中所述接著劑層含有組成物，所述組成物包含含能量硬化性基的(甲基)丙烯酸系共聚物、硬化促進劑及填料。
  12. 一種切晶黏晶一體型膜的製造方法，其為製造如申請專利範圍第5項至第11項中任一項所述的切晶黏晶一體型膜的方法，其依序包括：於基材層的表面上製作積層體的步驟，所述積層體包含黏著劑層及所述接著劑層，所述黏著劑層含有藉由照射活性能量線而黏著力下降的組成物，所述接著劑層形成於所述黏著劑層的表面上；以及對所述積層體所包括的所述黏著劑層的將形成所述第一區域的區域照射活性能量線的步驟。
  13. 一種切晶黏晶一體型膜的製造方法，其為製造如申請專利範圍第5項至第11項中任一項所述的切晶黏晶一體型膜的方法，其依序包括：於基材層的表面上形成黏著劑層的步驟，所述黏著劑層含有藉由照射活性能量線而黏著力下降的組成物；對所述黏著劑層的將形成所述第一區域的區域照射活性能量線的步驟；以及於照射所述活性能量線後的所述黏著劑層的表面上積層所述接著劑層的步驟。
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