TW202123326A - 切晶黏晶一體型膜及其製造方法和半導體裝置的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種切晶黏晶一體型膜及其製造方法。切晶黏晶一體型膜具備基材層、黏著劑層、及接著劑層，前述黏著劑層係具有與基材層相向之第1面及與其相反側的第2面之、由活性能量射線硬化型黏著劑組成之黏著劑層，前述接著劑層係以覆蓋第2面的中央部之方式設置之接著劑層。活性能量射線硬化型黏著劑包含具有可鏈聚合之官能基之（甲基）丙烯酸系樹脂，官能基係選自丙烯醯基及甲基丙烯醯基之至少一種，（甲基）丙烯酸系樹脂中之官能基的含量為0.4mmol/g以上。

Description

切晶黏晶一體型膜及其製造方法和半導體裝置的製造方法

本揭示是關於一種切晶黏晶一體型膜及其製造方法和半導體裝置的製造方法。

半導體裝置經過以下步驟而製造。首先，將切晶用黏著膜貼附於晶圓，於該狀態下實施將晶圓單片化為晶片之切晶步驟。其後，實施擴張步驟、拾取步驟、安裝步驟、黏晶步驟等。

在半導體裝置的製造製程中，使用被稱為切晶黏晶一體型膜之膜。該膜具有依序積層有基材層、黏著劑層、接著劑層之結構，例如，如下使用。首先，將接著劑層側的表面貼附於晶圓，並且，於用切晶環來固定晶圓之狀態下，對晶圓進行切晶。藉此，晶圓被單片化為複數個晶片。繼而，藉由對黏著劑層照射活性能量射線而減弱黏著劑層對接著劑層之黏著力，其後，將晶片連同接著劑層被單片化而成之接著劑片一併，從黏著劑層進行拾取。其後，經過經由接著劑片將晶片安裝於基板等之步驟而製造半導體裝置。再者，將由經過切晶步驟而得到之晶片和附著於其上之接著劑片組成之積層體稱為DAF（Die Attach Film：晶片黏附膜）。

如上所述，將藉由活性能量射線的照射而黏著力減弱之黏著劑層（切晶膜）稱為活性能量射線硬化型。與此相對，將於半導體裝置的製造製程中不照射活性能量射線而黏著力保持恆定之黏著劑層稱為感壓型。對用戶（主要為半導體裝置製造商）而言，具備感壓型黏著劑層之切晶黏晶一體型膜有如下優點：無需實施照射活性能量射線之步驟，又，無需用於該步驟的設備。專利文獻1中揭示一種切晶黏晶一體型膜，其就黏著劑層含有藉由活性能量射線而硬化之成分的方面而言可謂活性能量射線硬化型，另一方面，就僅對黏著劑層的規定部分預先照射活性能量射線，用戶無需在半導體裝置的製造製程中照射活性能量射線的方面而言亦可謂感壓型。

[專利文獻1]日本專利第4443962號公報

半導體裝置，尤其被稱為記憶體之器件廣泛使用於個人計算機、伺服器、智慧型手機等，並且要求電路的小型化及高積體化。隨著這種電路的小型化及高積體化，對晶圓上的電路設計亦正在研究配線寬度及配線之間距離的狹窄化。

另一方面，在晶圓設計中，為了便於在切晶步驟中被刀片切削，在晶片與晶片之間需要設定被稱為劃線之不具有電路之區域，亦要求劃線的狹窄化。切晶步驟係使用高速旋轉之刀片來實施。因此，為了實現劃線的狹窄化，需要使用寬度窄的刀片。然而，在使用寬度窄的刀片（例如，寬度10～50μm左右的刀片）之情況下，有時無法充分確保切晶步驟之後的晶片與晶片的間隔（以下，有時將該間隔稱為“切口（溝槽）的寬度”。），在拾取步驟中，有時導致產生兩個以上晶片同時被拾取之現象（以下，有時將該現象稱為“雙模”。）。若產生雙模，則導致生產率降低。

又，切晶步驟之後實施之擴張步驟係，為了擴張切口寬度而將被單片化之晶片彼此之間分離之步驟。然而，隨著晶片的小型化，分離之切口線增多，導致擴張步驟的效果分散，因此效果受到限制。

本揭示係鑑於上述情況而完成者，其主要目的在於提供一種即使在使用寬度窄的刀片之情況下，亦可充分確保切口寬度之切晶黏晶一體型膜及其製造方法。

本揭示的一側面是關於一種半導體裝置的製造方法。該半導體裝置的製造方法具備：準備切晶黏晶一體型膜之第1步驟，前述切晶黏晶一體型膜具備基材層、黏著劑層、及接著劑層，前述黏著劑層係具有與基材層相向之第1面及與第1面相反側的第2面之、由活性能量射線硬化型黏著劑組成之黏著劑層，前述接著劑層係以覆蓋黏著劑層的第2面的中央部之方式設置之接著劑層；將晶圓貼附於切晶黏晶一體型膜的接著劑層，並且將切晶環貼附於黏著劑層的第2面之第2步驟；藉由使用刀片之刀片切晶，將晶圓連同接著劑層及黏著劑層一併單片化為複數個晶片而形成切斷體之第3步驟；將晶片連同接著劑層被單片化而成之接著劑片一併，從切斷體的黏著劑層進行拾取之第4步驟；及經由接著劑片將晶片安裝於基板或其他晶片上之第5步驟。黏著劑層具有與接著劑層中之貼附有晶圓的區域對應之第1區域和貼附有切晶環之第2區域，第1區域係因活性能量射線的照射而呈與第2區域相比黏著力降低之狀態的區域。在第3步驟中，藉由刀片切晶而形成於切斷體的黏著劑層上之切口的寬度（切口寬度）相對於刀片的寬度（刀片寬度）為75%以上。依本發明人等的研究，發現了若藉由刀片切晶而形成於切斷體的黏著劑層上的切口的寬度相對於刀片的寬度為75%以上，則趨於能夠抑制雙模。因此，依上述半導體裝置的製造方法，可以提高生產率。

刀片的寬度（刀片寬度）為10～50μm即可。即使在使用了這種寬度較窄的刀片之情況下，亦可更充分抑制雙模。

複數個晶片具有正方形或矩形形狀，並且面積為200mm² 以下即可。

本揭示的一側面是關於一種切晶黏晶一體型膜。該膜具備基材層、黏著劑層、及接著劑層，前述黏著劑層係具有與基材層相向之第1面及與第1面相反側的第2面之、由活性能量射線硬化型黏著劑組成之黏著劑層、前述接著劑層係以覆蓋第2面的中央部之方式設置之接著劑層。黏著劑層具有第1區域和第2區域，前述第1區域至少包括與接著劑層中之晶圓的貼附位置對應之區域，前述第2區域以包圍第1區域之方式設置，第1區域係因活性能量射線的照射而呈與第2區域相比黏著力降低之狀態的區域。活性能量射線硬化型黏著劑包含具有可鏈聚合之官能基之（甲基）丙烯酸系樹脂，官能基係選自丙烯醯基及甲基丙烯醯基之至少一種，（甲基）丙烯酸系樹脂中之官能基的含量為0.4mmol/g以上。

依上述切晶黏晶一體型膜，能夠適當使用於上述半導體裝置的製造方法，即使在使用寬度窄的刀片之情況下，亦可充分確保切口的寬度。藉由使用這種切晶黏晶一體型膜，能夠抑制雙模，其結果，可提高生產率。

活性能量射線硬化型黏著劑還可以包含交聯劑。在還包含這種交聯劑之情況下，交聯劑之含量相對於活性能量射線硬化型黏著劑的總質量為0.1～15質量%即可。交聯劑係在一個分子中具有兩個以上的異氰酸酯基之多官能異氰酸酯與在一個分子中具有三個以上的羥基之多元醇的反應物即可。

接著劑層係由接著劑組成物組成即可，前述接著劑組成物包括含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物、硬化促進劑及填料。

切晶黏晶一體型膜係適用於包括將晶圓單片化為200mm² 面積以下的複數個晶片之步驟之半導體裝置的製造製程者即可。

本揭示的一側面是關於一種切晶黏晶一體型膜的製造方法。該製造方法的第1態樣依序具備：在基材層的表面上製作積層體之步驟，前述積層體包括由活性能量射線硬化型黏著劑組成之黏著劑層和形成於黏著劑層的表面上之接著劑層；及對積層體中所包括之黏著劑層的成為第1區域之區域照射活性能量射線之步驟。又，該製造方法的第2態樣依序具備：在基材層的表面上形成黏著劑層之步驟，前述黏著劑層由因照射活性能量射線而黏著力降低之組成物組成之黏著劑層；對黏著劑層的成為第1區域之區域照射活性能量射線之步驟；及在照射活性能量射線之後的黏著劑層的表面上積層接著劑層之步驟。 [發明效果]

依本揭示，提供一種即使在使用寬度窄的刀片之情況下亦可充分確保切口的寬度之切晶黏晶一體型膜及其製造方法。又，依本揭示，提供一種使用這種切晶黏晶一體型膜之半導體裝置的製造方法。依這種半導體裝置的製造方法，可抑制雙模，亦可提高生產率。

以下，參閱圖式對本揭示的實施形態進行詳細說明。在以下說明中，對相同或對應部分標註相同符號，並省略重複說明。再者，本發明並不限定於以下實施形態。在本說明書中，（甲基）丙烯酸係指丙烯酸或甲基丙烯酸，（甲基）丙烯酸酯等其他類似表現亦相同。

＜切晶黏晶一體型膜＞ 圖1（a）係表示本實施形態之切晶黏晶一體型膜之俯視圖，圖1（b）係沿著圖1的B-B線之示意性剖面圖。切晶黏晶一體型膜10（以下，有時簡稱為“膜10”。）能夠適當使用於包括將晶圓W單片化為200mm² 以下面積的複數個晶片之步驟（及其後的拾取步驟）之半導體裝置的製造製程（參閱圖4（c）及圖4（d））。

膜10依序具備基材層1、具有與基材層1相向之第1面F1及與第1面F1相反側的第2面F2之黏著劑層3、以覆蓋黏著劑層3的第2面F2的中央部之方式設置之接著劑層5。在本實施形態中例示出在正方形基材層1上形成有一個黏著劑層3及接著劑層5的積層體之態樣，但亦可為基材層1具有規定長度（例如100m以上），黏著劑層3及接著劑層5的積層體以沿著其長邊方向排列之方式以規定間隔配置之態樣。

膜10依序具備基材層1、具有與基材層1相向之第1面F1及與第1面F1相反側的第2面F2之黏著劑層3、以覆蓋黏著劑層3的第2面F2的中央部之方式設置之接著劑層5。在本實施形態中例示出在正方形基材層1上形成有一個黏著劑層3及接著劑層5的積層體之態樣，但亦可為基材層1具有規定長度（例如100m以上），黏著劑層3及接著劑層5的積層體以沿著其長邊方向排列之方式以規定間隔配置之態樣。

（黏著劑層） 黏著劑層3具有第1區域3a和第2區域3b，前述第1區域3a至少包括與接著劑層5中之晶圓W的貼附位置對應之區域Rw，前述第2區域3b以包圍第1區域3a之方式設置。圖1（a）及圖1（b）中之虛線表示第1區域3a和第2區域3b的邊界。第1區域3a及第2區域3b在照射活性能量射線之前由相同組成物（活性能量射線硬化型黏著劑）組成。第1區域3a係因照射活性能量射線而呈與第2區域相比黏著力降低之狀態的區域。第2區域3b係貼附有切晶環DR之區域（參閱圖2）。第2區域3b係未被照射活性能量射線之區域，對切晶環DR具有高黏著力。活性能量射線可以係選自紫外線、電子束及可見光之至少一種，紫外線即可。活性能量射線的照射量例如為10～1000mJ/cm² ，100～700mJ/cm² 或100～500mJ/cm² 即可。

照射活性能量射線之前的黏著劑層由包含（甲基）丙烯酸系樹脂之活性能量射線硬化型黏著劑組成。未照射活性能量射線之第2區域3b可以係與照射活性能量射線之前的黏著劑層相同的組成。以下，對活性能量射線硬化型黏著劑的含有成分進行詳細說明。

[（甲基）丙烯酸系樹脂] 活性能量射線硬化型黏著劑包含具有可鏈聚合之官能基之（甲基）丙烯酸系樹脂。在包含這種（甲基）丙烯酸系樹脂之情況下，官能基係選自丙烯醯基及甲基丙烯醯基之至少一種。（甲基）丙烯酸系樹脂中之官能基的含量為0.4mmol/g以上。（甲基）丙烯酸系樹脂中之官能基的含量可以為0.5mmol/g以上，0.6mmol/g以上，0.7mmol/g以上，0.8mmol/g以上或0.9mmol/g以上，亦可為2.0mmol/g以下，1.8mmol/g以下，1.5mmol/g以下，1.2mmol/g以下或1.0mmol/g以下。由於官能基的含量為0.4mmol/g以上，因此趨於容易形成因活性能量射線的照射而黏著力適當降低之區域（圖1中之第1區域3a）。又，藉由切晶而形成之黏著劑層3的切口係因由硬化收縮所致之應力藉由切晶被釋放而產生，前述硬化收縮係藉由形成黏著劑層3的第1區域3a時的活性能量射線照射所致之硬化而產生，本發明人等認為，若黏著劑層3中之（甲基）丙烯酸系樹脂等的硬化收縮量多，則其寬度（切口寬度）容易擴張。因此，由於官能基的含量為0.4mmol/g以上，因此黏著劑層3的硬化收縮量變得充分，即使在使用寬度窄的刀片之情況下，亦可充分確保切口寬度。另一方面，由於官能基的含量為2.0mmol/g以下，因此趨於容易實現優異的拾取性。

（甲基）丙烯酸系樹脂能夠藉由已知方法進行合成而得到。作為合成方法，可列舉例如溶液聚合法、懸浮聚合法、乳化聚合法、塊狀聚合法、析出聚合法、氣相聚合法、電漿聚合法、超臨界聚合法。又，作為聚合反應的種類，除了自由基聚合、陽離子聚合、陰離子聚合、活性自由基聚合、活性陽離子聚合、活性陰離子聚合、配位聚合、永生聚合等以外，亦可列舉ATRP（原子轉移自由基聚合）及RAFT（可逆加成斷裂鏈轉移聚合）等方法。其中，關於使用溶液聚合法藉由自由基聚合而合成，除了經濟性良好、反應率高、聚合控制容易等以外，還具有能夠直接使用藉由聚合而得到之樹脂溶液進行調配等優點。

在此，以使用溶液聚合法藉由自由基聚合而得到（甲基）丙烯酸系樹脂之方法為例，對（甲基）丙烯酸系樹脂的合成方法進行詳細說明。

作為合成（甲基）丙烯酸系樹脂時使用之單體，若係在一個分子中具有1個（甲基）丙烯醯基者，則並不受特別限制。作為其具體例，可列舉（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸三級丁酯、（甲基）丙烯酸丁氧基乙酯、（甲基）丙烯酸異戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛基庚酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸十一烷基酯、（甲基）丙烯酸月桂基酯、（甲基）丙烯酸十三烷基酯、（甲基）丙烯酸十四烷基酯、（甲基）丙烯酸十五烷基酯、（甲基）丙烯酸十六烷基酯、（甲基）丙烯酸硬脂基酯、（甲基）丙烯酸山嵛基酯、甲氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、丁二酸單（2-（甲基）丙烯醯氧基乙基）酯等脂肪族（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸環戊酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸二環戊酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯酯、（甲基）丙烯酸異冰片酯、四氫鄰苯二甲酸單（2-（甲基）丙烯醯氧基乙基）酯、六氫鄰苯二甲酸單（2-（甲基）丙烯醯氧基乙基）酯等脂環式（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸芐基酯、（甲基）丙烯酸苯基酯、（甲基）丙烯酸鄰聯苯基酯、（甲基）丙烯酸1-萘基酯、（甲基）丙烯酸2-萘基酯、（甲基）丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸對枯基苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸鄰苯基苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸1-萘氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（鄰苯基苯氧基）丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（1-萘氧基）丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基-3-（2-萘氧基）丙酯等芳香族（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸2-四氫糠基酯、N-（甲基）丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲醯亞胺、2-（甲基）丙烯醯氧基乙基-N-咔唑等雜環式（甲基）丙烯酸酯、該等的己內酯改性體、ω-羧基-聚己內酯單（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸α-乙基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸α-丙基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸α-丁基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸2-甲基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸2-乙基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸2-丙基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸3,4-環氧基丁酯、（甲基）丙烯酸3,4-環氧基庚酯、（甲基）丙烯酸α-乙基-6,7-環氧基庚酯、（甲基）丙烯酸3,4-環氧基環己基甲酯、鄰乙烯基芐基縮水甘油基醚、間乙烯基芐基縮水甘油基醚、對乙烯基芐基縮水甘油基醚等具有乙烯性不飽和基和環氧基之化合物；（甲基）丙烯酸（2-乙基-2-氧雜環丁烷基）甲酯、（甲基）丙烯酸（2-甲基-2-氧雜環丁烷基）甲酯、（甲基）丙烯酸2-（2-乙基-2-氧雜環丁烷基）乙酯、（甲基）丙烯酸2-（2-甲基-2-氧雜環丁烷基）乙酯、（甲基）丙烯酸3-（2-乙基-2-氧雜環丁烷基）丙酯、（甲基）丙烯酸3-（2-甲基-2-氧雜環丁烷基）丙酯等具有乙烯性不飽和基和氧雜環丁烷基之化合物；2-（甲基）丙烯醯氧基乙基異氰酸酯等具有乙烯性不飽和基和異氰酸酯基之化合物；（甲基）丙烯酸2-羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥丁酯、（甲基）丙烯酸3-氯-2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丁酯等具有乙烯性不飽和基和羥基之化合物。能夠適當組合該等而得到作為目標之（甲基）丙烯酸系樹脂。

作為與後述官能基導入化合物或交聯劑的反應點，（甲基）丙烯酸系樹脂可以具有選自羥基、縮水甘油基（環氧基）、胺基等之至少一種官能基。作為用於合成具有羥基之（甲基）丙烯酸系樹脂的單體，例如可列舉（甲基）丙烯酸2-羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥丁酯、（甲基）丙烯酸3-氯-2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丁酯等具有乙烯性不飽和基和羥基之化合物等。該等可以單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

作為用於合成具有縮水甘油基之（甲基）丙烯酸系樹脂的單體，可列舉（甲基）丙烯酸縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸α-乙基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸α-丙基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸α-丁基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸2-甲基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸2-乙基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸2-丙基縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸3,4-環氧基丁酯、（甲基）丙烯酸3,4-環氧基庚酯、（甲基）丙烯酸α-乙基-6,7-環氧基庚酯、（甲基）丙烯酸3,4-環氧基環己基甲酯、鄰乙烯基芐基縮水甘油基醚、間乙烯基芐基縮水甘油基醚、對乙烯基芐基縮水甘油基醚等具有乙烯性不飽和基和環氧基之化合物。該等可以單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

由該等單體合成之（甲基）丙烯酸系樹脂包含可鏈聚合之官能基。可鏈聚合之官能基例如係選自丙烯醯基及甲基丙烯醯基之至少一種。可鏈聚合之官能基例如藉由使如上所述合成之、具有選自羥基、縮水甘油基（環氧基）、胺基等之至少一種官能基之（甲基）丙烯酸系樹脂與以下化合物（官能基導入化合物）反應而能夠導入到該（甲基）丙烯酸系樹脂中。亦即，（甲基）丙烯酸系樹脂中之官能基的含量能夠藉由官能基導入化合物的導入量而調整。作為官能基導入化合物的具體例，可列舉2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基芐基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-（雙丙烯醯氧基甲基）乙基異氰酸酯；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物和（甲基）丙烯酸羥乙酯或（甲基）丙烯酸4-羥丁乙酯的反應而得到之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、多元醇化合物、（甲基）丙烯酸羥乙酯的反應而得到之丙烯醯基單異氰酸酯化合物等。該等可以單獨使用一種，亦可併用兩種以上。該等之中，官能基導入化合物係2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯即可。

[光聚合起始劑] 活性能量射線硬化型黏著劑還可以包含光聚合起始劑。光聚合起始劑若係藉由照射活性能量射線而產生可鏈聚合之活性種者，則並不受特別限制。活性能量射線可以係選自紫外線、電子束及可見光之至少一種，紫外線即可。作為光聚合起始劑，例如可列舉光自由基聚合起始劑等。在此，可鏈聚合之活性種係指藉由與可鏈聚合之官能基反應而開始聚合反應者。

作為光自由基聚合起始劑，例如可列舉2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等安息香縮酮；1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-（2-羥基乙氧基）苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羥基酮；2-芐基-2-二甲基胺基-1-（4-口末啉基苯基）-丁烷-1-酮、1,2-甲基-1-[4-（甲硫基）苯基]-2-口末啉基丙烷-1-酮等α-胺基酮；1-[4-（苯硫基）苯基]-1,2-辛二酮-2-（苯甲醯基）肟等肟酯；雙（2,4,6-三甲基苯甲醯基）苯基氧化膦、雙（2,6-二甲氧基苯甲醯基）-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等氧化膦；2-（鄰氯苯基）-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-（鄰氯苯基）-4,5-二（甲氧基苯基）咪唑二聚體、2-（鄰氟苯基）-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-（鄰甲氧基苯基）-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-（對甲氧基苯基）-4,5-二苯基咪唑二聚體等2,4,5-三芳基咪唑二聚體；二苯甲酮、N,N,N’,N’-四甲基-4,4’-二胺基二苯甲酮、N,N,N’,N’-四乙基-4,4’-二胺基二苯甲酮、4-甲氧基-4’-二甲基胺基二苯甲酮等二苯甲酮化合物；2-乙基蒽醌、菲醌、2-三級丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等醌化合物；安息香甲醚、安息香乙醚、安息香苯醚等安息香醚；安息香、甲基安息香、乙基安息香等安息香化合物；芐基二甲基縮酮等芐基化合物；9-苯基吖啶、1,7-雙（9,9’-吖啶基庚烷）等吖啶化合物；N-苯基甘胺酸、香豆素等。

活性能量射線硬化型黏著劑中之光聚合起始劑的含量相對於（甲基）丙烯酸系樹脂的含量100質量份為0.1～30質量份、0.3～10質量份或0.5～5質量份即可。若光聚合起始劑的含量為0.1質量份以上，則黏著劑層在活性能量射線照射之後充分硬化，趨於不易產生拾取不良。若光聚合起始劑的含量為30質量份以下，則趨於能夠防止對接著劑層的污染（光聚合起始劑轉印到接著劑層）。

[交聯劑] 活性能量射線硬化型黏著劑還可以包含交聯劑。交聯劑例如以控制黏著劑層的彈性模數和/或黏著性為目的而使用。交聯劑係在一個分子中具有兩個以上的可與（甲基）丙烯酸系樹脂所具有之選自羥基、縮水甘油基、胺基等之至少一種官能基進行反應之官能基之化合物即可。作為藉由交聯劑與（甲基）丙烯酸系樹脂的反應而形成之鍵，例如可列舉酯鍵、醚鍵、醯胺鍵、醯亞胺鍵、胺基甲酸酯鍵、脲鍵等。

在本實施形態中，交聯劑例如係在一個分子中具有兩個以上的異氰酸酯基之多官能異氰酸酯即可。若使用這種多官能異氰酸酯，則能夠與（甲基）丙烯酸系樹脂所具有之羥基、縮水甘油基、胺基等容易反應而形成牢固之交聯結構。

作為在一個分子中具有兩個以上的異氰酸酯基之多官能異氰酸酯，例如可列舉2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、1,3-伸二甲苯基二異氰酸酯、1,4-二甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、離胺酸異氰酸酯等異氰酸酯化合物等。

交聯劑可以係多官能異氰酸酯與在一個分子中具有兩個以上羥基之多元醇的反應物（含有異氰酸酯基之寡聚物）。作為在一個分子中具有兩個以上羥基之多元醇，例如可列舉乙二醇、丙二醇、丁二醇、1,6-己二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇、1,11-十一烷二醇、1,12-十二烷二醇、甘油、三甲基丙烷、季戊四醇、二季戊四醇、1,4-環己二醇、1,3-環己二醇等。

該等之中，交聯劑可以係在一個分子中具有兩個以上的異氰酸酯基之多官能異氰酸酯與在一個分子中具有三個以上羥基之多元醇的反應物（含有異氰酸酯基之寡聚物）。藉由將這種含有異氰酸酯基之寡聚物用作交聯劑而形成黏著劑層3緻密之交聯結構，藉此，趨於能夠充分抑制在拾取步驟中黏著劑附著於接著劑層5。

活性能量射線硬化型黏著劑中之交聯劑的含量能夠根據對黏著劑層要求之凝聚力、斷裂伸長率、與接著劑層的密接性等適當設定。具體而言，交聯劑的含量相對於（甲基）丙烯酸系樹脂的含量100質量份例如為3～30質量份、4～15質量份或7～10質量份即可。藉由將交聯劑的含量設為上述範圍，而能夠均衡地良好地兼具於切晶步驟中對黏著劑層要求之特性、及於黏晶步驟中對黏著劑層要求之特性，並且亦可達成優異的拾取性。

若交聯劑的含量相對於（甲基）丙烯酸系樹脂的含量100質量份為3質量份以上，則交聯結構的形成不易變得不充分，在拾取步驟中，與接著劑層的界面密接力充分降低，從而趨於拾取時不易產生不良情況。另一方面，若交聯劑的含量相對於（甲基）丙烯酸系樹脂的含量100質量份為30質量份以下，則黏著劑層趨於不易變得過硬，在擴張步驟中晶片趨於不易剝離。

交聯劑之含量相對於活性能量射線硬化型黏著劑的總質量例如為0.1～15質量%，3～15質量%或5～15質量%即可。由於交聯劑的含量為0.1質量%以上，因此容易形成因活性能量射線的照射而黏著力適當降低之區域（第1區域3a），另一方面，由於交聯劑的含量為15質量%以下，因此趨於容易實現優異的拾取性。

黏著劑層3的厚度根據擴張步驟的條件（溫度、張力等）適當設定即可，例如為1～200μm，5～50μm或10～20μm即可。若黏著劑層3的厚度為1μm以上，則黏著性不易變得不充分，若為200μm以下，則擴張時切口寬度趨於變寬（銷上推時不緩解應力），拾取趨於不易變得不充分。

黏著劑層3形成於基材層1上。作為黏著劑層3的形成方法，能夠採用已知方法。例如，可以藉由雙層共擠法而形成基材層1與黏著劑層3的積層體，亦可製備活性能量射線硬化型黏著劑的清漆（黏著劑層形成用清漆），將其塗佈於基材層1的表面，或者在經過脫模處理之膜上形成黏著劑層3，並將其轉印於基材層1。

活性能量射線硬化型黏著劑的清漆（黏著劑層形成用清漆）係可溶解（甲基）丙烯酸系樹脂、光聚合起始劑及交聯劑之有機溶劑，且藉由加熱而揮發者即可。作為有機溶劑的具體例，可列舉甲苯、二甲苯、對稱三甲苯、枯烯、對異丙基甲苯等芳香族烴；四氫呋喃、1,4-二㗁烷等環狀醚；甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇等醇；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯等酯；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等碳酸酯；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚等多元醇烷基醚；乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯等多元醇烷基醚乙酸酯；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮等醯胺等。該等有機溶劑可以單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

該等之中，從溶解性及沸點的觀點考慮，有機溶劑例如係選自由甲苯、甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚、乙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯及N,N-二甲基乙醯胺組成之群組中之至少一種即可。清漆的固體成分濃度通常為10～60質量%。

（基材層） 基材層1能夠使用已知的聚合物片或膜，在低溫條件下，若係可實施擴張步驟者，則並不受特別限制。作為基材層1的具體例，可列舉結晶性聚丙烯、非晶性聚丙烯、高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、低密度直鏈聚乙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-（甲基）丙烯酸酯（無規、交替）共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯基硫醚、芳族聚醯胺（紙）、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、聚矽氧樹脂或對該等混合塑化劑而成之混合物、或者藉由電子束照射而進行了交聯之硬化物。

基材層1具有以選自由聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯-聚丙烯無規共聚物及聚乙烯-聚丙烯嵌段共聚物組成之群組中之至少一種樹脂作為主要成分之表面，該表面與黏著劑層3接觸即可。從楊氏模數、應力緩和性、熔點等特性、價格、使用後的廢料回收等觀點考慮，該等樹脂亦可成為良好之基材。基材層1係單層即可，根據需要，可以具有由不同材質組成之層積層而成之多層結構。從控制與黏著劑層3的密接性之觀點考慮，基材層1可以對其表面實施消光處理、電暈處理等表面粗糙化處理。

（接著劑層） 在接著劑層5中能夠適用構成已知黏晶膜之接著劑組成物。具體而言，構成接著劑層5之接著劑組成物可以包含含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物、硬化促進劑及填料。根據包含該等成分之接著劑層5，趨於具有如下特徵：晶片/基板之間、晶片/晶片之間的接著性優異，又，亦可賦予電極埋入性、導線埋入性等，並且在黏晶步驟中能夠在低溫下進行接著，在短時間內獲得優異之硬化，以及在用密封劑成型之後具有優異之可靠性等。

含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物例如可以係含有環氧基之（甲基）丙烯酸共聚物。含有環氧基之（甲基）丙烯酸共聚物係相對於所得到之共聚物使用0.5～6質量%量之（甲基）丙烯酸縮水甘油酯作為原料而得到之共聚物即可。若（甲基）丙烯酸縮水甘油酯的含量為0.5質量%以上，則容易獲得高接著力，另一方面，藉由設為6質量%以下而趨於能夠抑制凝膠化。構成含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物的殘餘部分之單體例如係（甲基）丙烯酸甲酯等具有碳數1～8的烷基之（甲基）丙烯酸烷基酯、苯乙烯、丙烯腈等即可。該等之中，構成含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物的殘餘部分之單體係（甲基）丙烯酸乙酯和/或（甲基）丙烯酸丁酯即可。混合比率能夠考慮含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物的Tg進行調整。若Tg為-10℃以上，則趨於能夠抑制B階段狀態下的接著劑層5的黏性變得過大，並趨於操作性優異。再者，含有環氧基之（甲基）丙烯酸共聚物的玻璃轉移點（Tg）例如為30℃以下即可。聚合方法並不受特別限制，例如可列舉珠狀聚合、溶液聚合等。作為市售的含有環氧基之（甲基）丙烯酸共聚物，例如可列舉HTR-860P-3（商品名稱，Nagase ChemteX Corporation.製）。

從接著性及耐熱性的觀點考慮，含有環氧基之（甲基）丙烯酸共聚物的重量平均分子量可以為10萬以上，亦可為30萬～300萬或50萬～200萬。若重量平均分子量為300萬以下，則能夠抑制晶片與支撐晶片之基板之間的填充性降低。重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法（GPC）並使用了標準聚苯乙烯的校準曲線之聚苯乙烯換算值。

作為硬化促進劑，例如可列舉三級胺、咪唑類、四級銨鹽類等。作為硬化促進劑的具體例，可舉出2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯。該等可以單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

填料可以係無機填料。作為無機填料的具體例，可列舉氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽。該等可以單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

接著劑組成物還可以包含環氧樹脂及環氧樹脂硬化劑。作為環氧樹脂，例如可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯酚的二縮水甘油醚化物、萘二醇的二縮水甘油醚化物、酚類的二縮水甘油醚化物、醇類的二縮水甘油醚化物及該等的烷基取代體、鹵化物、氫化物等二官能環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂等。又，可以適用多官能環氧樹脂、含有雜環之環氧樹脂等通常已知之其他環氧樹脂。該等能夠單獨或組合兩種以上而使用。再者，在不損害特性之範圍內，可以包含除了環氧樹脂以外的成分作為雜質。

作為環氧樹脂硬化劑，例如可列舉如可以使酚化合物與作為2價連結基的伸二甲苯基化合物於無觸媒或酸觸媒的存在下進行反應而得到的酚樹脂般者。作為用於製造酚樹脂的酚化合物，例如可列舉苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、鄰乙基苯酚、對乙基苯酚、鄰正丙基苯酚、間正丙基苯酚、對正丙基苯酚、鄰異丙基苯酚、間異丙基苯酚、對異丙基苯酚、鄰正丁基苯酚、間正丁基苯酚、對正丁基苯酚、鄰異丁基苯酚、間異丁基苯酚、對異丁基苯酚、辛基苯酚、壬基苯酚、2,4-二甲苯酚、2,6-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、2,4,6-三甲基苯酚、間苯二酚、鄰苯二酚、對苯二酚、4-甲氧基苯酚、鄰苯基苯酚、間苯基苯酚、對苯基苯酚、對環己基苯酚、鄰烯丙基苯酚、對烯丙基苯酚、鄰芐基苯酚、對芐基苯酚、鄰氯苯酚、對氯苯酚、鄰苯二酚、對苯二酚、鄰碘苯酚、對碘苯酚、鄰氟苯酚、間氟苯酚、對氟苯酚等。該等酚化合物可以單獨使用，亦可混合使用兩種以上。作為用於製造酚樹脂之2價連結基亦即伸二甲苯基化合物，能夠使用以下所示伸二甲苯基二鹵化物、伸二甲苯基二醇及其衍生物。亦即，作為伸二甲苯基化合物的具體例，可列舉α,α’-二氯-對二甲苯、α,α’-二氯-間二甲苯、α,α’-二氯-鄰二甲苯、α,α’-二溴-對二甲苯、α,α’-二溴-間二甲苯、α,α’-二溴-鄰二甲苯、α,α’-二碘-對二甲苯、α,α’-二碘-間二甲苯、α,α’-二碘-鄰二甲苯、α,α’-二羥基-對二甲苯、α,α’-二羥基-間二甲苯、α,α’-二羥基-鄰二甲苯、α,α’-二甲氧基-對二甲苯、α,α’-二甲氧基-間二甲苯、α,α’-二甲氧基-鄰二甲苯、α,α’-二乙氧基-對二甲苯、α,α’-二乙氧基-間二甲苯、α,α’-二乙氧基-鄰二甲苯、α,α’-二正丙氧基-對二甲苯、α,α’-二正丙氧基-間二甲苯、α,α’-二正丙氧基-鄰二甲苯、α,α’-二異丙氧基-對二甲苯、α,α’-二異丙氧基-間二甲苯、α,α’-二異丙氧基-鄰二甲苯、α,α’-二正丁氧基-對二甲苯、α,α’-二正丁氧基-間二甲苯、α,α’-二正丁氧基-鄰二甲苯、α,α’-二異丁氧基-對二甲苯、α,α’-二異丁氧基-間二甲苯、α,α’-二異丁氧基-鄰二甲苯、α,α’-二三級丁氧基-對二甲苯、α,α’-二三級丁氧基-間二甲苯、α,α’-二三級丁氧基-鄰二甲苯等。該等可以單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

當使酚化合物與伸二甲苯基化合物反應時，使用鹽酸、硫酸、磷酸、多磷酸等礦酸類；二甲基硫酸、二乙基硫酸、對甲苯磺酸、甲磺酸、乙磺酸等有機羧酸類；三氟甲磺酸等超強酸類；烷烴磺酸型離子交換樹脂等強酸性離子交換樹脂類；全氟烷烴磺酸型離子交換樹脂等超強酸性離子交換樹脂類（商品名稱：納菲、Nafion、DuPont公司製、“納菲（Nafion）”為註冊商標）；天然及合成沸石類；活性白土（酸性白土）類等酸性觸媒，在50～250℃下反應至實質上作為原料之伸二甲苯基化合物消失，並且反應組成成為恆定，藉此能夠得到酚樹脂。反應時間能夠根據原料及反應溫度適當設定，例如能夠設為1小時～15小時左右，能夠一邊藉由GPC（凝膠滲透層析法）等追蹤反應組成，一邊進行確定。

接著劑層5的厚度例如為1～300μm、5～150μm或10～100μm即可。若接著劑層5的厚度為1μm以上，則接著性趨於更優異，另一方面，若為300μm以下，則擴張時的分割性及拾取性趨於更優異。

＜切晶黏晶一體型膜的製造方法＞ 膜10的製造方法依序具備：在基材層1的表面上製作積層體之步驟，前述積層體包括由因照射活性能量射線而黏著力降低之活性能量射線硬化型黏著劑組成之黏著劑層和形成於黏著劑層的表面上之接著劑層5；及對積層體中所包括之黏著劑層的成為第1區域3a之區域照射活性能量射線之步驟。活性能量射線對成為第1區域3a之區域之照射量例如為10～1000mJ/cm² ，100～700mJ/cm² 或100～500mJ/cm² 即可。該製造方法係首先製作黏著劑層和接著劑層5的積層體，其後，對黏著劑層的特定區域照射活性能量射線者。

＜半導體裝置及其製造方法＞ 圖3係示意性地表示本實施形態之半導體裝置之剖面圖。該圖所示之半導體裝置100具備基板70、積層於基板70的表面上之四個晶片S1、S2、S3、S4、將基板70的表面上的電極（未圖示）與四個晶片S1、S2、S3、S4電連接之導線W1、W2、W3、W4、以及將該等進行密封之密封層50。

基板70例如係有機基板，亦可以係引線框架等金屬基板。從抑制半導體裝置100的翹曲之觀點考慮，基板70的厚度例如為70～140μm或80～100μm即可。

四個晶片S1、S2、S3、S4經由接著劑片5P的硬化物5C而積層。俯視下之晶片S1、S2、S3、S4的形狀例如為正方形或矩形。晶片S1、S2、S3、S4的面積例如為200mm² 以下，150mm² 以下，100mm² 以下，50mm² 以下，30mm² 以下，20mm² 以下，10mm² 以下或9mm² 以下即可，0.1～200mm² ，0.1～150mm² ，0.1～100mm² ，0.1～50mm² ，0.1～30mm² ，0.1～20mm² ，0.1～10mm² 或0.1～9mm² 即可。晶片S1、S2、S3、S4的一邊的長度例如為0.1～20mm，0.1～15mm，0.1～10mm，0.1～8mm，0.1～6mm，0.1～3mm，0.1～2mm或0.1～1mm即可。晶片S1、S2、S3、S4的厚度例如為10～170μm或25～100μm即可。再者，四個晶片S1、S2、S3、S4的一邊的長度可相同，亦可彼此不同，關於厚度亦同樣如此。

半導體裝置100的製造方法具備：準備上述膜10之第1步驟；將晶圓W貼附於膜10的接著劑層5，並且將切晶環DR貼附於黏著劑層3的第2面F2之第2步驟；藉由使用刀片之刀片切晶，將接著劑層5及黏著劑層3和晶圓W單片化為複數個晶片S而形成切斷體20之第3步驟（切晶步驟）；將DAF8（晶片S1與接著劑片5P的積層體，參閱圖4（d））從切斷體20的黏著劑層3的第1區域3a進行拾取之第4步驟；及經由接著劑片5P將晶片S1安裝於基板70上之第5步驟。

參閱圖4（a）、圖4（b）、圖4（c）、圖4（d）及圖5（a），對DAF8的製作方法的一例進行說明。首先，準備上述膜10。如圖4（a）及圖4（b）所示，以接著劑層5與晶圓W的一個表面接觸之方式貼附膜10。又，將切晶環DR貼附於黏著劑層3的第2面F2。

其次，藉由使用刀片之刀片切晶而切晶晶圓W、接著劑層5及黏著劑層3。藉此，如圖4（c）及圖5（a）所示，晶圓W連同接著劑層5及黏著劑層3一併被單片化而成為晶片S。接著劑層5亦被單片化而成為接著劑片5P。如此形成切斷體20。再者，亦可於晶圓W的切晶之前藉由對晶圓W進行磨削而膜化。

藉由上述刀片切晶，在切斷體20的黏著劑層3上形成切口。藉由刀片切晶而形成於切斷體20的黏著劑層3上之切口寬度相對於刀片寬度為75%以上，78%以上或80%以上即可。藉由設置這種切口寬度而能夠抑制雙模，其結果，可以提高生產率。黏著劑層3有時因切晶而收縮，亦即，超過100%。藉由刀片切晶而形成於切斷體20的黏著劑層3上之切口寬度相對於刀片寬度為160%以下或150%以下即可。藉由切晶而形成之切口係因由硬化收縮所致之應力藉由切晶被釋放而產生，前述硬化收縮係藉由形成黏著劑層3的第1區域3a時的活性能量射線照射所致之硬化而產生，本發明人等認為，若黏著劑層3中之（甲基）丙烯酸系樹脂等的硬化收縮量多，則其寬度（切口寬度）容易擴張。上述切晶黏晶一體型膜的硬化收縮量充分，藉由使用該膜可以形成滿足上述要件之切口寬度。再者，切口寬度係使用光學顯微鏡在複數個部位（至少3個部位）測定相鄰晶片之間的黏著劑層彼此的距離，能夠適用該等的平均值。

在製作切晶膜（黏著劑層）中，在進行了用橡膠輥等在一個方向上按壓黏著劑層等加壓處理之情況下，根據刀片切晶方向形成之切口寬度可能不同。以下，參閱圖5（b）對這一點進行說明。在進行了用橡膠輥等在一個方向上按壓黏著劑層等加壓處理之情況下，將該一個方向設為方向A，將與方向A相同之方向設為方向Ch1，將與Ch1正交之方向設為方向Ch2時，在方向Ch1上相鄰之晶片之間的切口寬度WCh1（藉由方向Ch2的切晶而形成之切口寬度）與在方向Ch2上相鄰之晶片之間的切口寬度WCh2（藉由方向Ch1的切晶而形成之切口寬度）可能不同。通常，切口寬度WCh1趨於寬度大於切口寬度WCh2。在切口寬度WCh1及切口寬度WCh2與上述切口寬度的條件的關係中，切口寬度WCh1或切口寬度WCh2中的任一個滿足上述切口寬度的條件即可，但從更確實地抑制雙模之觀點考慮，切口寬度WCh1及切口寬度WCh2兩者滿足上述切口寬度的條件為較佳。

藉由刀片切晶而形成於切斷體20的黏著劑層3之切口寬度例如為10μm以上，13μm以上，15μm以上或17μm以上即可。若切口寬度為10μm以上，則趨於能夠抑制雙模，若為13μm以上。則趨於更確實地抑制雙模。切口寬度的上限並不受特別限制，例如能夠設為50μm以下。

刀片寬度可以為10～50μm，亦可為10～30μm或10～25μm。即使在使用這種寬度較窄的刀片之情況下，亦能夠更充分抑制雙模。再者，刀片寬度例如能夠適用使用光學顯微鏡根據矽晶圓的切槽求出之實測值。實測值的測定方法例如係記載於實施例中之方法即可。

在切晶之後，對黏著劑層3不照射活性能量射線，如圖4（d）所示，在常溫或冷卻條件下，藉由使基材層1擴張而使晶片S彼此分開，同時藉由用銷42上推而從黏著劑層3剝離接著劑片5P，並且用抽吸夾頭44抽吸並拾取DAF8。

參閱圖6、圖7及圖8，對半導體裝置100的製造方法進行具體說明。首先，如圖6所示，經由接著劑片5P將第一級晶片S1（晶片S）壓接於基板70的規定位置。其次，藉由加熱而使接著劑片5P硬化。藉此，接著劑片5P硬化而成為硬化物5C。從減少孔隙的觀點考慮，可以在加壓環境下實施接著劑片5P的硬化處理。

以與對基板70安裝晶片S1相同之方式，在晶片S1的表面上安裝第二級晶片S2。此外，藉由安裝第三級及第四級晶片S3、S4而製作圖7所示結構體60。在用導線W1、W2、W3、W4來電連接晶片S1、S2、S3、S4和基板70之後（參閱圖8），由密封層50來密封半導體元件及導線，藉此完成圖3所示半導體裝置100。

以上，對本揭示的實施形態進行了詳細說明，但是本發明並不限定於上述實施形態。例如，在上述實施形態中，例示出依序具備基材層1、黏著劑層3及接著劑層5之膜10，但是亦可為不具備接著劑層5之態樣。又，膜10還可以具備覆蓋接著劑層5之覆蓋膜（未圖示）。 [實施例]

以下，基於實施例對本揭示進行更具體的說明，但本發明並不限定於該等實施例。再者，除非另有說明，否則化學品全部使用了試劑。

＜製造例1＞ [丙烯酸系樹脂（A-1）的合成] 在配備三合一馬達、攪拌翼及氮氣導入管之容量2000mL燒瓶中加入了以下成分。 ・乙酸乙酯（溶劑）：635質量份 ・丙烯酸2-乙基己酯：395質量份 ・丙烯酸2-羥基乙酯：100質量份 ・甲基丙烯酸：5質量份 ・偶氮雙異丁腈：0.08質量份

攪拌內容物直至變得充分均勻之後，以流量500mL/分鐘經60分鐘實施起泡，使系統中的溶氧脫氣。經1小時升溫至78℃，在升溫之後聚合了6小時。其次，將反應溶液轉移到配備三合一馬達、攪拌翼及氮氣導入管之容量2000mL的加壓釜中，在120℃、0.28MPa的條件下加熱4.5小時之後，冷卻至室溫（25℃，下同）。

其次，添加乙酸乙酯490質量份進行攪拌而稀釋了內容物。對此添加作為胺基甲酸酯化觸媒之二月桂酸二辛基錫0.10質量份之後，添加2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯（SHOWA DENKO K.K.製、Karenz MOI（商品名稱））48.6質量份，在70℃下使其反應6小時之後，冷卻至室溫。繼而，進而添加乙酸乙酯，以丙烯酸系樹脂溶液中的不揮發成分含量成為35質量%之方式進行調整，得到了包含具有製造例1的可鏈聚合之官能基之丙烯酸系樹脂（A-1）之溶液。

將如上所述得到之包含丙烯酸系樹脂（A-1）之溶液在60℃下真空乾燥了一夜。藉由全自動元素分析裝置（Elementar Analysensysteme GmbH. 製、商品名稱：varioEL）對由此得到之固體成分進行元素分析，由氮含量算出源自所導入的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯之官能基的含量之結果為0.50mmol/g。

又，使用以下裝置求出丙烯酸系樹脂（A-1）的聚苯乙烯換算的重量平均分子量。亦即，使用Tosoh Corporation製SD-8022/DP-8020/RI-8020，並將Hitachi Chemical Co.,Ltd.製Gelpack GL-A150-S/GL-A160-S用作管柱，並且將四氫呋喃用作溶離液而進行了GPC測定。其結果，聚苯乙烯換算的重量平均分子量為80萬。依據JIS K0070中所記載的方法測定之羥價及酸價為56.1mgKOH/g及6.5mgKOH/g。將該等結果匯總示於表1中。

＜製造例2＞ [丙烯酸系樹脂（A-2）的合成] 除了將表1的製造例1所示原料單體組成變更為表1的製造例2所示原料單體組成以外，以與製造例1相同的方法得到了包含製造例2的丙烯酸系樹脂（A-2）之溶液。將製造例2的丙烯酸系樹脂（A-2）的性狀的測定結果示於表1中。

＜製造例3＞ [丙烯酸系樹脂（A-3）的合成] 除了將表1的製造例1所示原料單體組成變更為表1的製造例3所示原料單體組成以外，以與製造例1相同的方法得到了包含製造例3的丙烯酸系樹脂（A-3）之溶液。將製造例3的丙烯酸系樹脂（A-3）的性狀的測定結果示於表1中。

＜製造例4＞ [丙烯酸系樹脂（A-4）的合成] 除了將表1的製造例1所示原料單體組成變更為表1的製造例4所示原料單體組成以外，以與製造例1相同的方法得到了包含製造例4的丙烯酸系樹脂（A-4）之溶液。將製造例4的丙烯酸系樹脂（A-4）的性狀的測定結果示於表1中。

＜製造例5＞ [丙烯酸系樹脂（A-5）的合成] 除了將表1的製造例1所示原料單體組成變更為表1的製造例5所示原料單體組成以外，以與製造例1相同的方法得到了包含製造例5的丙烯酸系樹脂（A-5）之溶液。將製造例5的丙烯酸系樹脂（A-5）的性狀的測定結果示於表1中。

【表1】

丙烯酸系樹脂	製造例1	製造例2	製造例3	製造例4	製造例5
（A-1）	（A-2）	（A-3）	（A-4）	（A-5）
原料單體 （質量份）	丙烯酸2-乙基己酯	79	79	80	79	79
丙烯酸2-羥基乙酯	20	20	19	20	20
甲基丙烯酸2-羥基乙酯	-	-	-	-	-
甲基丙烯酸	1	1	1	1	1
（合計）	（100）	（100）	（100）	（100）	（100）
2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯	9.7	16.2	16.2	4.9	3.2
重量平均分子量	80×104	80×104	40×104	80×104	80×104
羥價（mgKOH/g）	56.1	32.8	29.3	75.5	82.5
酸價（mgKOH/g）	6.5	6.5	6.5	6.5	6.5
可鏈聚合之官能基的含量（mmol/g）	0.5	0.9	0.9	0.3	0.2

＜實施例1＞ [切晶膜（黏著劑層）的製作] 藉由混合以下成分而製備了活性能量射線硬化型黏著劑的清漆（黏著劑層形成用清漆）（參閱表2）。乙酸乙酯（溶劑）的量係以清漆的總固體成分含量成為25質量%的方式進行了調整。 ・包含製造例1的丙烯酸系樹脂（A-1）之溶液：100質量份（固體成分） ・光聚合起始劑（B-1）（1-羥基環己基苯基酮（Ciba Japan K.K.製、Irgacure184、“Irgacure”為註冊商標）：1.0質量份 ・交聯劑（C-1）（多官能異氰酸酯（甲伸苯基二異氰酸酯與三甲基丙烷的反應物）、Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製、CORONATE L、固體成分：75%）：8.0質量份（固體成分） ・乙酸乙酯（溶劑）

準備了對一個表面實施了脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯膜（寬度450mm、長度500mm、厚度38μm）。對實施了脫模處理之表面，使用敷料器塗佈活性能量射線硬化型黏著劑的清漆之後，在80℃下乾燥了5分鐘。藉此，得到了由聚對苯二甲酸乙二酯膜和形成於其上之厚度為30μm的黏著劑層組成之積層體（切晶膜）。

準備了對一個表面實施了電暈處理之聚烯烴膜（寬度450mm、長度500mm、厚度80μm）。將實施了電暈處理之表面和上述積層體的黏著劑層在室溫下進行了貼合。繼而，使橡膠輥在一個方向上移動並按壓，藉此將黏著劑層轉印到聚烯烴膜（覆蓋膜）。其後，藉由在室溫下放置3天而得到了附覆蓋膜之切晶膜。

[黏晶膜（接著劑層）的製作] 藉由混合以下成分而製備了接著劑層形成用清漆。首先，對包含以下成分之混合物添加環己酮（溶劑）進行攪拌混合之後，進而使用珠磨機混煉了90分鐘。 ・環氧樹脂（YDCN-700-10（商品名稱）、NIPPON STEEL Chemical & Material Co.,Ltd.製、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、環氧當量：210、分子量：1200、軟化點：80℃）：14質量份 ・酚樹脂（MILEX XLC-LL（商品名稱）、Mitsui Chemicals, Inc.製、酚樹脂、羥基當量：175、吸水率：1.8%、350℃下之加熱重量減少率：4%）：23質量份 ・矽烷偶合劑（NUC A-189（商品名稱）NUC CO.,LTD.製、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷）：0.2質量份 ・矽烷偶合劑（NUCA-1160（商品名稱）、NUC CO.,LTD.製、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷）：0.1質量份 ・填料（SC2050-HLG（商品名稱）、 Admatechs公司製、二氧化矽、平均粒徑0.500μm）：32質量份

在如上所述得到之混合物中進而加入以下成分之後，經過攪拌混合及真空脫氣的步驟而得到了包含接著劑層形成用清漆（至少包含含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物、硬化促進劑及填料之接著劑組成物清漆）。 ・含有環氧基之丙烯酸共聚物（HTR-860P-3（商品名稱）、Nagase ChemteX Corporation.製、重量平均分子量80萬）：16質量份 ・硬化促進劑（CUREZOL 2PZ-CN（商品名稱）、 SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION. 製、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、“CUREZOL”為註冊商標）：0.1質量份

準備了對一個表面實施了脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯膜（厚度35μm）。對實施了脫模處理之表面，使用敷料器塗佈接著劑層形成用清漆之後，在140℃下加熱乾燥了5分鐘。藉此，得到了由聚對苯二甲酸乙二酯膜（載體膜）和形成於其上之厚度為25μm的接著劑層（B階段狀態）組成之積層體（黏晶膜）。

[切晶黏晶一體型膜的製作] 將由接著劑層和載體膜組成之黏晶膜連同載體膜一併切割為直徑335mm的圓形。將剝離了聚對苯二甲酸乙二酯膜之切晶膜在室溫下貼附於切割之黏晶膜之後，在室溫下放置了1天。其後，將切晶膜切割為直徑370mm的圓形而得到了積層體。對如此得到之積層體的與接著劑層中之晶圓的貼附位置對應之區域（黏著劑層的第1區域），如下照射了紫外線。亦即，使用脈衝氙燈，以70W、300mJ/cm² 的照射量局部照射了紫外線。再者，使用遮光幕對從膜中心至內徑318mm的部分進行了紫外線照射。如此得到了供後述各種評價試驗之實施例1的切晶黏晶一體型膜。

[評價試驗] （切口寬度的測定） 將實施例1的切晶黏晶一體型膜藉由在80℃下加熱10秒鐘而貼合於晶圓（矽、直徑12英吋、厚度50μm）。其後，為了在以下切晶條件下得到複數個規定尺寸的四邊形晶片，在上述“切晶膜（黏著劑層）的製作”中，當將黏著劑層轉印到聚烯烴膜（覆蓋膜）時，在與橡膠輥移動之方向相同之方向上以規定間隔切入切槽，在與該橡膠輥移動之方向正交之方向上以規定間隔進而切入切槽，從而單片化為複數個附接著劑片之晶片。 ・切晶機：DISCO Corporation製、DFD-6361 ・刀片：DISCO Corporation製、ZH05-SD4000-N1-70-BB ・刀片轉速：40000rpm ・切晶速度：30mm/s ・從黏著劑層的表面到基材層的切槽深度：20μm ・切割模式：下切 ・晶片尺寸：10mm×10mm

在被單片化之晶圓中，在上述“切晶膜（黏著劑層）的製作”中，當將黏著劑層轉印到聚烯烴膜（覆蓋膜）時，將橡膠輥移動之方向設為方向Ch1，將與Ch1正交之方向設為方向Ch2，使用光學顯微鏡來測定了在方向Ch1上相鄰之晶片之間的切口寬度WCh1、及在方向Ch2上相鄰之晶片之間的切口寬度WCh2。在測定中，將測定部位設為三個部位，並求出該等的平均值作為切口寬度。將結果示於表2中。

（刀片寬度的測定） 將實施例1的切晶黏晶一體型膜藉由在80℃下加熱10秒鐘而貼合於厚度為400μm的晶圓。其後，將從晶圓表面到接著劑層的切入深度設為100μm，在與測定上述切口寬度的切晶條件相同之條件下切入一次切槽。繼而，以與該切槽正交之方式切斷晶圓，並觀察了所得到之切斷中之切斷面。測定從切晶的最下部起20μm高度位置的寬度作為刀片寬度。刀片寬度為20.8μm。在評價試驗中，將該值作為刀片寬度，並用於計算切口寬度相對於刀片寬度之比率。

（切口寬度相對於刀片寬度之比率的計算） 根據所得到之切口寬度及刀片寬度計算出切口寬度相對於刀片寬度之比率。將結果示於表2中。

＜實施例2～11及比較例1、2＞ 將表2的實施例1所示黏著劑層的組成及紫外線照射量變更為表2、表3及表4的各實施例及各比較例所示黏著劑層的組成及紫外線照射量，並將表2的實施例1所示切晶條件變更為表2、表3及表4的各實施例及各比較例所示切晶條件，除此以外，以與實施例1相同之方式進行了評價試驗。再者，光聚合起始劑（B-2）係2-羥基-1-｛4-[4-（2-羥基-2-甲基-丙醯基）-芐基]-苯基｝-2-甲基-丙烷-1-酮（Ciba Japan K.K.製、Irgacure127、“Irgacure”為註冊商標）。將結果示表2、表3及表4中。

【表2】

	單位	實施例1	實施例2	實施例3	實施例4	實施例5	實施例6
黏著劑層的組成	丙烯酸系樹脂	（A-1）	質量份	100	100	-	-	-	-
（A-2）	質量份	-	-	100	100	-	-
（A-3）	質量份	-	-	-	-	100	100
（A-4）	質量份	-	-	-	-	-	-
（A-5）	質量份	-	-	-	-	-	-
光聚合起始劑	（B-1）	質量份	1	1	-	-	1	1
（B-2）	質量份	-	-	1	1	-	-
交聯劑	（C-1）	質量份	8	8	6	6	6	6
紫外線的照射量	mJ/cm2	300	300	300	300	300	300
晶片尺寸	mm	10×10	3×3	10×10	3×3	10×10	3×3
切口寬度		WCh1	WCh2	WCh1	WCh2	WCh1	WCh2	WCh1	WCh2	WCh1	WCh2	WCh1	WCh2
μm	17.7	17.4	16.8	17.4	28.8	27.0	24.6	22.4	30.3	29.6	26.5	25.2
切口寬度相對於刀片寬度之比率	%	85	84	81	83	138	130	118	108	146	142	127	121

【表3】

	單位	實施例7	實施例8	實施例9	實施例10	實施例11
黏著劑層的組成	丙烯酸系樹脂	（A-1）	質量份	100	100	100	100	100
（A-2）	質量份	-	-	-	-	-
（A-3）	質量份	-	-	-	-	-
（A-4）	質量份	-	-	-	-	-
（A-5）	質量份	-	-	-	-	-
光聚合起始劑	（B-1）	質量份	-	-	-	-	-
（B-2）	質量份	1	1	1	1	1
交聯劑	（C-1）	質量份	6	6	6	6	8
紫外線的照射量	mJ/cm2	100	100	200	300	300
晶片尺寸	mm	6×8	3×3	3×3	3×3	6×8
切口寬度		WCh1	WCh2	WCh1	WCh2	WCh1	WCh2	WCh1	WCh2	WCh1	WCh2
μm	23.0	17.9	20.2	17.3	22.7	17.6	23.5	18.2	22.3	21.0
切口寬度相對於刀片寬度之比率	%	111	86	97	83	109	84	113	88	107	101

【表4】

	單位	比較例1	比較例2
黏著劑層的組成	丙烯酸系樹脂	（A-1）	質量份	-	-
（A-2）	質量份	-	-
（A-3）	質量份	-	-
（A-4）	質量份	100	-
（A-5）	質量份	-	100
光聚合起始劑	（B-1）	質量份	-	-
（B-2）	質量份	1	1
交聯劑	（C-1）	質量份	6	6
紫外線的照射量	mJ/cm2	300	300
晶片尺寸	mm	3×3	3×3
切口寬度		WCh1	WCh2	WCh1	WCh2
μm	13.9	11.8	13.8	12.7
切口寬度相對於刀片寬度之比率	%	67	57	67	61

如表2、表3及表4所示，在使用了具有由活性能量射線硬化型黏著劑組成之黏著劑層，並且（甲基）丙烯酸系樹脂中之官能基的含量為0.4mmol/g以上之實施例1～11的切晶黏晶一體型膜之情況下，切口寬度相對於刀片寬度為75%以上，與此相對，在使用了不滿足該等要件之比較例1、2的切晶黏晶一體型膜之情況下，切口寬度相對於刀片寬度為小於75%。由該等結果確認到，即使在本揭示的切晶黏晶一體型膜使用了寬度窄的刀片之情況下，亦可充分確保切口寬度。

1:基材層 3:黏著劑層 3a:第1區域 3b:第2區域 5:接著劑層 5P:接著劑片 5C:硬化物 8:DAF 10:切晶黏晶一體型膜（膜） 20:切斷體 42:銷 44:抽吸夾頭 50:密封層 60:結構體 70:基板 100:半導體裝置 DR:切晶環 F1:第1面 F2:第2面 Rw:區域 S1,S2,S3,S4,S:晶片 W:晶圓 W1,W2,W3,W4:導線 WCh1,WCh2:切口寬度

圖1中，圖1（a）係表示切晶黏晶一體型膜的一實施形態之俯視圖，圖1（b）係沿著圖1（a）所示B-B線之示意性剖面圖。 圖2係表示切晶環貼附於切晶黏晶一體型膜的黏著劑層的周緣部，並且晶圓貼附於接著劑層的表面之狀態之示意圖。 圖3係半導體裝置的一實施形態的示意性剖面圖。 圖4中，圖4（a）、圖4（b）、圖4（c）及圖4（d）係示意性地表示製造DAF（晶片和接著劑片的積層體）之過程之剖面圖。 圖5中，圖5（a）係示意性地表示切斷體的一實施形態之俯視圖，圖5（b）係圖5（a）的部分E中之放大圖。 圖6係示意性地表示製造圖3所示半導體裝置之過程之剖面圖。 圖7係示意性地表示製造圖3所示半導體裝置之過程之剖面圖。 圖8係示意性地表示製造圖3所示半導體裝置之過程之剖面圖。

1:基材層

3:黏著劑層

3a:第1區域

3b:第2區域

5:接著劑層

10:切晶黏晶一體型膜(膜)

W:晶圓

Rw:區域

F1:第1面

F2:第2面

Claims (10)

1. 一種半導體裝置的製造方法，其係具備： 準備切晶黏晶一體型膜之第1步驟，前述切晶黏晶一體型膜具備基材層、黏著劑層、及接著劑層，前述黏著劑層係具有與前述基材層相向之第1面及與前述第1面相反側的第2面之、由活性能量射線硬化型黏著劑組成之黏著劑層，前述接著劑層係以覆蓋前述黏著劑層的前述第2面的中央部之方式設置之接著劑層； 將晶圓貼附於前述切晶黏晶一體型膜的前述接著劑層，並且將切晶環貼附於前述黏著劑層的前述第2面之第2步驟； 藉由使用刀片之刀片切晶，將前述晶圓連同前述接著劑層及前述黏著劑層一併單片化為複數個晶片而形成切斷體之第3步驟； 將前述晶片連同前述接著劑層被單片化而成之接著劑片一併，從前述切斷體的前述黏著劑層進行拾取之第4步驟；及 經由前述接著劑片將前述晶片安裝於基板或其他晶片上之第5步驟， 前述黏著劑層具有與前述接著劑層中之貼附有前述晶圓的區域對應之第1區域和貼附有前述切晶環之第2區域， 前述第1區域係因活性能量射線的照射而呈與前述第2區域相比黏著力降低之狀態的區域， 在前述第3步驟中，藉由前述刀片切晶而形成於前述切斷體的前述黏著劑層上之切口的寬度相對於前述刀片的寬度為75%以上。
2. 如請求項1所述之半導體裝置的製造方法，其中 前述刀片的寬度為10～50μm。
3. 如請求項1或請求項2所述之半導體裝置的製造方法，其中 前述複數個晶片係具有正方形或矩形形狀，並且面積為200mm² 以下。
4. 一種切晶黏晶一體型膜，其係具備： 基材層； 黏著劑層，係具有與前述基材層相向之第1面及與前述第1面相反側的第2面，且由活性能量射線硬化型黏著劑組成；及 接著劑層，係以覆蓋前述第2面的中央部之方式設置， 前述黏著劑層係具有第1區域和第2區域，前述第1區域至少包括與前述接著劑層中之晶圓的貼附位置對應之區域，前述第2區域以包圍前述第1區域之方式設置， 前述第1區域係因活性能量射線的照射而呈與前述第2區域相比黏著力降低之狀態的區域， 前述活性能量射線硬化型黏著劑係包含具有可鏈聚合之官能基之（甲基）丙烯酸系樹脂， 前述官能基係選自丙烯醯基及甲基丙烯醯基之至少一種， 前述（甲基）丙烯酸系樹脂中之前述官能基的含量為0.4mmol/g以上。
5. 如請求項4所述之切晶黏晶一體型膜，其中 前述活性能量射線硬化型黏著劑係還包含交聯劑， 前述交聯劑之含量相對於前述活性能量射線硬化型黏著劑的總質量為0.1～15質量%。
6. 如請求項5所述之切晶黏晶一體型膜，其中 前述交聯劑係在一個分子中具有兩個以上的異氰酸酯基之多官能異氰酸酯與在一個分子中具有三個以上的羥基之多元醇的反應物。
7. 如請求項4至請求項6之任一項所述之切晶黏晶一體型膜，其中 前述接著劑層係由接著劑組成物組成，前述接著劑組成物包括含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物、硬化促進劑及填料。
8. 如請求項4至請求項7之任一項所述之切晶黏晶一體型膜，其適用於包括將晶圓單片化為200mm² 以下面積的複數個晶片之步驟之半導體裝置的製造製程。
9. 一種切晶黏晶一體型膜的製造方法，其係請求項4至請求項8之任一項所述之切晶黏晶一體型膜的製造方法，前述製造方法依序具備： 在基材層的表面上製作積層體之步驟，前述積層體包括由活性能量射線硬化型黏著劑組成之黏著劑層和形成於前述黏著劑層的表面上之前述接著劑層；及 對前述積層體中所包括之前述黏著劑層的成為前述第1區域之區域照射活性能量射線之步驟。
10. 一種切晶黏晶一體型膜的製造方法，其係請求項4至請求項8之任一項所述之切晶黏晶一體型膜的製造方法，前述製造方法依序具備： 在基材層的表面上形成黏著劑層之步驟，前述黏著劑層由因照射活性能量射線而黏著力降低之組成物組成； 對前述黏著劑層的成為前述第1區域之區域照射活性能量射線之步驟；及 在照射前述活性能量射線之後的前述黏著劑層的表面上積層前述接著劑層之步驟。

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