WO2021095370A1 - ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2021095370A1
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dicing
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meth
pressure
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修一 森
強 田澤
尚弘 木村
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昭和電工マテリアルズ株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to a dicing / die bonding integrated film and a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a semiconductor device.
  • a dicing step is carried out in which an adhesive film for dicing is attached to the wafer and the wafer is fragmented into chips in that state.
  • an expanding step, a picking step, a mounting step, a die bonding step and the like are carried out.
  • a film called a dicing / die bonding integrated film is used in the manufacturing process of semiconductor devices.
  • This film has a structure in which a base material layer, an adhesive layer, and an adhesive layer are laminated in this order, and is used, for example, as follows.
  • the surface on the adhesive layer side is attached to the wafer, and the wafer is diced with the wafer fixed by the dicing ring. As a result, the wafer is fragmented into a plurality of chips.
  • the adhesive layer is weakened by irradiating the adhesive layer with active energy rays to weaken the adhesive force of the adhesive layer against the adhesive layer, and then the adhesive is attached to the chip together with the adhesive piece in which the adhesive layer is individualized. Pick up from the layer.
  • the semiconductor device is manufactured through a step of mounting the chip on a substrate or the like via an adhesive piece.
  • a laminate composed of a chip obtained through a dicing step and an adhesive piece attached to the chip is called DAF (Die Attach Film).
  • the pressure-sensitive adhesive layer (dying film) whose adhesive strength is weakened by irradiation with active energy rays is called an active energy ray-curable type.
  • a pressure-sensitive adhesive layer in which the adhesive strength remains constant without being irradiated with active energy rays in the manufacturing process of a semiconductor device is called a pressure-sensitive type.
  • the dicing / die bonding integrated film provided with the pressure-sensitive adhesive layer does not require a process of irradiating active energy rays for the user (mainly a semiconductor device manufacturer), and does not require equipment for this purpose. There is a merit that there is.
  • Patent Document 1 can be said to be an active energy ray-curable type in that the pressure-sensitive adhesive layer contains a component that is cured by active energy rays, while only a predetermined portion of the pressure-sensitive adhesive layer is preliminarily irradiated with active energy rays. Therefore, a dicing / die bonding integrated film that can be said to be pressure-sensitive in that the user does not need to irradiate active energy rays in the manufacturing process of the semiconductor device is disclosed.
  • a scribe line between chips it is necessary to set a region called a scribe line between chips because it is cut by a blade in the dicing process, and the scribe line is narrowed. It has been demanded.
  • the dicing step is carried out using a blade that rotates at high speed. Therefore, in order to narrow the scribe line, it is necessary to use a blade having a narrow width.
  • a narrow blade for example, a blade having a width of about 10 to 50 ⁇ m
  • this distance may be referred to as “calf (groove) width”.
  • double dicing a phenomenon in which two or more chips are picked up at the same time (hereinafter, this phenomenon may be referred to as “double dicing”) may occur.
  • double dies the production efficiency decreases as a result.
  • the expanding step carried out following the dicing step is a step of pulling the separated chips apart in order to expand the width of the calf.
  • the number of calf lines to be separated increases and the effect of the expanding process is dispersed, so that the effect is limited.
  • the present disclosure has been made in view of the above circumstances, and a dicing / die bonding integrated film capable of ensuring a sufficient width of a calf even when a narrow blade is used, and a production thereof.
  • the main purpose is to provide a method.
  • the method for manufacturing this semiconductor device is a pressure-sensitive adhesive composed of an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive having a base material layer, a first surface facing the base material layer, and a second surface opposite to the first surface.
  • a first step of preparing a dicing / diebonding integrated film comprising a layer and an adhesive layer provided to cover the central portion of the second surface of the adhesive layer, and a dicing / diebonding integrated film.
  • the pressure-sensitive adhesive layer has a first region corresponding to a region to which the wafer is attached in the adhesive layer and a second region to which the dicing ring is attached, and the first region is irradiated with active energy rays. As a result, this is a region in which the adhesive strength is reduced as compared with the second region.
  • the width of the calf (calf width) formed on the pressure-sensitive adhesive layer of the cut body by blade dicing is 75% or more with respect to the width of the blade (blade width).
  • the width of the blade may be 10 to 50 ⁇ m. Even when such a relatively narrow blade is used, the double die can be suppressed more sufficiently.
  • the plurality of chips may have a square or rectangular shape and have an area of 200 mm 2 or less.
  • This film has a base material layer, a first surface facing the base material layer, and a pressure-sensitive adhesive layer made of an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive having a second surface opposite to the first surface, and a first layer. It is provided with an adhesive layer provided so as to cover the central portion of the second surface.
  • the pressure-sensitive adhesive layer has a first region including at least a region corresponding to the bonding position of the wafer in the adhesive layer, and a second region located so as to surround the first region, and the first region is , This is a region in which the adhesive strength is reduced as compared with the second region by irradiation with active energy rays.
  • the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive contains a (meth) acrylic resin having a functional group capable of chain polymerization, and the functional group is at least one selected from an acryloyl group and a methacryloyl group, and the (meth) acrylic resin.
  • the content of the functional group in is 0.4 mmol / g or more.
  • the dicing / die bonding integrated film it can be suitably used in the manufacturing method of the semiconductor device, and even when a narrow blade is used, a sufficient width of the calf can be secured. It will be possible. By using such a dicing / die bonding integrated film, double dies can be suppressed, and as a result, production efficiency can be improved.
  • the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may further contain a cross-linking agent.
  • a cross-linking agent When such a cross-linking agent is further contained, the content of the cross-linking agent with respect to the total mass of the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may be 0.1 to 15% by mass.
  • the cross-linking agent may be a reaction product of a polyfunctional isocyanate having two or more isocyanate groups in one molecule and a polyhydric alcohol having three or more hydroxy groups in one molecule.
  • the adhesive layer may consist of an adhesive composition containing a reactive group-containing (meth) acrylic copolymer, a curing accelerator, and a filler.
  • the dicing / die bonding integrated film may be applied to a manufacturing process of a semiconductor device including a step of fragmenting a wafer into a plurality of chips having an area of 200 mm 2 or less.
  • the first aspect of this production method is a laminate including an adhesive layer made of an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive and an adhesive layer formed on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer on the surface of the base material layer.
  • a step of irradiating a region to be a first region of the pressure-sensitive adhesive layer contained in the laminated body with active energy rays is provided in this order.
  • a second aspect of this production method is a step of forming a pressure-sensitive adhesive layer made of a composition whose adhesive strength is reduced by irradiation with active energy rays on the surface of the base material layer, and a pressure-sensitive adhesive layer.
  • a step of irradiating the region to be the first region of the above with active energy rays and a step of laminating an adhesive layer on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer after irradiating the active energy rays are provided in this order.
  • a dicing / die bonding integrated film capable of ensuring a sufficient width of a calf even when a narrow blade is used, and a method for manufacturing the same. Further, according to the present disclosure, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device using such a dicing / die bonding integrated film. According to such a method for manufacturing a semiconductor device, it is possible to suppress a double die and improve production efficiency.
  • FIG. 1A is a plan view showing an embodiment of a dicing / diebonding integrated film
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along line BB shown in FIG. 1A. is there.
  • FIG. 2 is a schematic view showing a state in which a dicing ring is attached to the peripheral edge of the adhesive layer of the dicing / die bonding integrated film and a wafer is attached to the surface of the adhesive layer.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of a semiconductor device.
  • 4 (a), 4 (b), 4 (c), and 4 (d) are cross-sectional views schematically showing a process of manufacturing a DAF (a laminate of chips and adhesive pieces). ..
  • FIG. 5 (a) is a plan view schematically showing one embodiment of the cut body
  • FIG. 5 (b) is an enlarged view of a portion E of FIG. 5 (a).
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • (meth) acrylic means acrylic or methacrylic, as well as other similar expressions such as (meth) acrylate.
  • FIG. 1A is a plan view showing a dicing / diebonding integrated film according to the present embodiment
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line BB of FIG.
  • the dicing / die bonding integrated film 10 (hereinafter, in some cases, simply referred to as “film 10”) is a step of separating the wafer W into a plurality of chips having an area of 200 mm 2 or less (and a step of picking up the wafer W thereafter). It can be suitably used for a manufacturing process of a semiconductor device including the present invention (see FIGS. 4 (c) and 4 (d)).
  • the film 10 is a pressure-sensitive adhesive layer 3 having a base material layer 1, a first surface F1 facing the base material layer 1, and a second surface F2 opposite to the first surface F1, and the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • An adhesive layer 5 provided so as to cover the central portion of the second surface F2 is provided in this order.
  • an embodiment in which one laminate of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the adhesive layer 5 is formed on the square base material layer 1 is illustrated, but the base material layer 1 has a predetermined length.
  • the laminated body of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the adhesive layer 5 may be arranged at predetermined intervals so as to have a square (for example, 100 m or more) and line up in the longitudinal direction thereof.
  • the film 10 is a pressure-sensitive adhesive layer 3 having a base material layer 1, a first surface F1 facing the base material layer 1, and a second surface F2 opposite to the first surface F1, and the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • An adhesive layer 5 provided so as to cover the central portion of the second surface F2 is provided in this order.
  • an embodiment in which one laminate of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the adhesive layer 5 is formed on the square base material layer 1 is illustrated, but the base material layer 1 has a predetermined length.
  • the laminated body of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the adhesive layer 5 may be arranged at predetermined intervals so as to have a square (for example, 100 m or more) and line up in the longitudinal direction thereof.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 has a first region 3a including at least a region Rw corresponding to a bonding position of the wafer W in the adhesive layer 5, and a second region 3b located so as to surround the first region 3a. ..
  • the broken lines in FIGS. 1 (a) and 1 (b) indicate the boundary between the first region 3a and the second region 3b.
  • the first region 3a and the second region 3b are composed of the same composition (active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive) before irradiation with active energy rays.
  • the first region 3a is a region in which the adhesive strength is reduced as compared with the second region 3b by being irradiated with the active energy rays.
  • the second region 3b is a region to which the dicing ring DR is attached (see FIG. 2).
  • the second region 3b is a region not irradiated with active energy rays and has a high adhesive force to the dicing ring DR.
  • the active energy ray may be at least one selected from ultraviolet rays, electron beams, and visible rays, and may be ultraviolet rays.
  • the dose of the active energy ray is, for example, 10 ⁇ 1000mJ / cm 2, 100 ⁇ 700mJ / cm 2, or 100 to be a 500 mJ / cm 2.
  • the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation with the active energy ray is composed of an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive containing a (meth) acrylic resin.
  • the second region 3b, which is not irradiated with the active energy rays, may have the same composition as the pressure-sensitive adhesive layer before the irradiation with the active energy rays.
  • the components contained in the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive will be described in detail.
  • the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive contains a (meth) acrylic resin having a functional group capable of chain polymerization.
  • the functional group is at least one selected from an acryloyl group and a methacryloyl group.
  • the content of the functional group in the (meth) acrylic resin is 0.4 mmol / g or more.
  • the content of the functional group in the (meth) acrylic resin is 0.5 mmol / g or more, 0.6 mmol / g or more, 0.7 mmol / g or more, 0.8 mmol / g or more, or 0.9 mmol / g or more.
  • first region 3a in FIG. 1 When the content of the functional group is 0.4 mmol / g or more, it tends to be easy to form a region (first region 3a in FIG. 1) in which the adhesive strength is appropriately reduced by irradiation with active energy rays. Further, in the calf of the pressure-sensitive adhesive layer 3 formed by dicing, the stress due to curing shrinkage caused by curing by irradiation with active energy rays when forming the first region 3a of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is released by dicing.
  • the present inventors consider that if the amount of curing shrinkage of the (meth) acrylic resin or the like in the pressure-sensitive adhesive layer 3 is large, the width (calf width) of the adhesive layer 3 can be easily expanded. Therefore, when the content of the functional group is 0.4 mmol / g or more, the amount of curing shrinkage of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is sufficient, and a sufficient calf width is secured even when a narrow blade is used. It becomes possible to do. On the other hand, when it is 2.0 mmol / g or less, it tends to be easy to achieve excellent pick-up property.
  • the (meth) acrylic resin can be obtained by synthesizing it by a known method.
  • the synthesis method include a solution polymerization method, a suspension polymerization method, an emulsion polymerization method, a massive polymerization method, a precipitation polymerization method, a vapor phase polymerization method, a plasma polymerization method, and a supercritical polymerization method.
  • the types of polymerization reactions include radical polymerization, cationic polymerization, anionic polymerization, living radical polymerization, living cationic polymerization, living anionic polymerization, coordination polymerization, immortal polymerization, etc., as well as ATRP (atomic transfer radical polymerization) and RAFT (Atomic transfer radical polymerization).
  • the monomer used when synthesizing the (meth) acrylic resin is not particularly limited as long as it has one (meth) acryloyl group in one molecule. Specific examples thereof include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, and isoamyl (meth) acrylate.
  • Aromatic (meth) acrylate 2-tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, N- (meth) acryloyloxyethyl hexahydrophthalimide, 2- (meth) acryloyloxyethyl-N-carbazole, etc.
  • Meta acrylate, these caprolactone modified products, ⁇ -carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -ethylglycidyl (meth) acrylate, ⁇ -propyl glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -butyl glycidyl (Meta) acrylate, 2-methylglycidyl (meth) acrylate, 2-ethylglycidyl (meth) acrylate, 2-propylglycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 3,4-epoxyheptyl ( Meta) acrylate, ⁇ -ethyl-6,7-epoxyheptyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate, o-vinylbenzyl glycidy
  • the (meth) acrylic resin has at least one functional group selected from a hydroxyl group, a glycidyl group (epoxide group), an amino group and the like as a reaction point with a functional group-introducing compound or a cross-linking agent described later.
  • the monomer for synthesizing the (meth) acrylic resin having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-chloro.
  • Examples thereof include compounds having an ethylenically unsaturated group and a hydroxyl group such as -2-hydroxypropyl (meth) acrylate and 2-hydroxybutyl (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the monomer for synthesizing a (meth) acrylic resin having a glycidyl group include glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -ethylglycidyl (meth) acrylate, ⁇ -propyl glycidyl (meth) acrylate, and ⁇ -butyl glycidyl (meth).
  • the (meth) acrylic resin synthesized from these monomers contains a functional group capable of chain polymerization.
  • the chain-growthable functional group is, for example, at least one selected from an acryloyl group and a methacryloyl group.
  • the functional group capable of chain polymerization is, for example, a (meth) acrylic resin having at least one functional group selected from a hydroxyl group, a glycidyl group (epoxide group), an amino group and the like synthesized as described above, and the following. By reacting a compound (functional group-introduced compound), it can be introduced into the (meth) acrylic resin.
  • the content of the functional group in the (meth) acrylic resin can be adjusted by the amount of the functional group-introduced compound introduced.
  • the functional group-introduced compound include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate, methacryloylisocyanate, allylisocyanate, 1,1- (bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate; diisocyanate compound.
  • examples thereof include an acryloyl monoisocyanate compound obtained by reacting with acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the functional group-introduced compound may be 2-methacryloyloxyethyl isocyanate.
  • the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may further contain a photopolymerization initiator.
  • the photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it generates an active species capable of chain polymerization by irradiating with active energy rays.
  • the active energy ray may be at least one selected from ultraviolet rays, electron beams, and visible rays, and may be ultraviolet rays.
  • Examples of the photopolymerization initiator include a photoradical polymerization initiator.
  • the chain-growth-capable active species means one in which the polymerization reaction is initiated by reacting with a chain-polymerizable functional group.
  • photoradical polymerization initiator examples include benzoinketals such as 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one; 1-hydroxycyclohexylphenylketone and 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane.
  • ⁇ -Hydroxyketones such as -1-one, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propane-1-one; 2-benzyl-2-dimethylamino- ⁇ -Aminoketones such as 1- (4-morpholinophenyl) -butane-1-one, 1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one; 1- Oxime esters such as [4- (phenylthio) phenyl] -1,2-octadion-2- (benzoyl) oxime; bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) Phenyl oxides such as -2,4,4-trimethylpentylphosphenyl oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphenyl oxide; 2-
  • the content of the photopolymerization initiator in the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive is 0.1 to 30 parts by mass, 0.3 to 10 parts by mass, or 0.3 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the (meth) acrylic resin. , 0.5 to 5 parts by mass.
  • the content of the photopolymerization initiator is 0.1 parts by mass or more, the pressure-sensitive adhesive layer is sufficiently cured after irradiation with active energy rays, and pick-up defects tend to be less likely to occur.
  • the content of the photopolymerization initiator is 30 parts by mass or less, contamination on the adhesive layer (transfer of the photopolymerization initiator to the adhesive layer) tends to be prevented.
  • the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may further contain a cross-linking agent.
  • the cross-linking agent is used, for example, for the purpose of controlling the elastic modulus and / or the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the cross-linking agent may be a compound having two or more functional groups in one molecule capable of reacting with at least one functional group selected from the hydroxyl group, glycidyl group, amino group and the like possessed by the (meth) acrylic resin.
  • Examples of the bond formed by the reaction between the cross-linking agent and the (meth) acrylic resin include an ester bond, an ether bond, an amide bond, an imide bond, a urethane bond, and a urea bond.
  • the cross-linking agent may be, for example, a polyfunctional isocyanate having two or more isocyanate groups in one molecule.
  • a polyfunctional isocyanate When such a polyfunctional isocyanate is used, it can easily react with the hydroxyl group, glycidyl group, amino group and the like contained in the (meth) acrylic resin to form a strong crosslinked structure.
  • Examples of the polyfunctional isocyanate having two or more isocyanate groups in one molecule include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, and 1,4-xylene diisocyanate.
  • the cross-linking agent may be a reaction product (isocyanate group-containing oligomer) of a polyfunctional isocyanate and a polyhydric alcohol having two or more hydroxy groups in one molecule.
  • examples of polyhydric alcohols having two or more hydroxy groups in one molecule include ethylene glycol, propylene glycol, butylene glycol, 1,6-hexanediol, 1,8-octanediol, and 1,9-nonanediol.
  • the cross-linking agent is a reaction product of a polyfunctional isocyanate having two or more isocyanate groups in one molecule and a polyhydric alcohol having three or more hydroxy groups in one molecule (isocyanate group-containing oligomer). It may be.
  • isocyanate group-containing oligomer As a cross-linking agent, the pressure-sensitive adhesive layer 3 forms a dense cross-linked structure, which sufficiently suppresses the pressure-sensitive adhesive from adhering to the adhesive layer 5 in the pick-up step. Tend to be able to.
  • the content of the cross-linking agent in the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive can be appropriately set according to the cohesive force required for the pressure-sensitive adhesive layer, the elongation at break, the adhesion to the adhesive layer, and the like.
  • the content of the cross-linking agent is, for example, 3 to 30 parts by mass, 4 to 15 parts by mass, or 7 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the (meth) acrylic resin. You can.
  • By setting the content of the cross-linking agent in the above range it is possible to achieve both the characteristics required for the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing step and the characteristics required for the pressure-sensitive adhesive layer in the die bonding step in a well-balanced manner, and it is excellent.
  • the pick-up property can also be achieved.
  • the content of the cross-linking agent is 3 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the content of the (meth) acrylic resin, the formation of the cross-linked structure is unlikely to be insufficient, and the interface adhesion with the adhesive layer is likely to occur in the pickup process. The force is sufficiently reduced and defects tend to be less likely to occur during pickup.
  • the content of the cross-linking agent is 30 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic resin content, the pressure-sensitive adhesive layer is unlikely to become excessively hard, and the chips tend to be difficult to peel off in the expanding step. It is in.
  • the content of the cross-linking agent with respect to the total mass of the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may be, for example, 0.1 to 15% by mass, 3 to 15% by mass, or 5 to 15% by mass.
  • the content of the cross-linking agent is 0.1% by mass or more, it is easy to form a region (first region 3a) in which the adhesive strength is appropriately reduced by irradiation with active energy rays, while the content is 15% by mass or less. Therefore, it tends to be easy to achieve excellent pick-up property.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be appropriately set according to the conditions (temperature, tension, etc.) of the expanding step, and may be, for example, 1 to 200 ⁇ m, 5 to 50 ⁇ m, or 10 to 20 ⁇ m. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is 1 ⁇ m or more, the adhesiveness is unlikely to be insufficient, and if it is 200 ⁇ m or less, the calf width becomes wide when expanding (without relaxing the stress when pushing up the pin), and the pickup is not possible. It tends to be difficult to be sufficient.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed on the base material layer 1.
  • a method for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 a known method can be adopted.
  • a laminate of the base material layer 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be formed by a two-layer extrusion method, or an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive varnish (varnish for forming a pressure-sensitive adhesive layer) may be prepared. This may be applied to the surface of the base material layer 1, or the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be formed on the film that has been mold-released, and this may be transferred to the base material layer 1.
  • the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive varnish (varnish for forming a pressure-sensitive adhesive layer) is an organic solvent capable of dissolving a (meth) acrylic resin, a photopolymerization initiator, and a cross-linking agent, and is volatilized by heating. It may be there.
  • the organic solvent include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesityrene, cumene, and p-simene; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane; methanol, ethanol, isopropanol, butanol, ethylene glycol, and propylene.
  • Alcohols such as glycol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone, etc.
  • Carbonated esters such as ethylene carbonate and propylene carbonate; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol Polyhydric alcohol alkyl ethers such as dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether; ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono Polyhydric alcohol alkyl ether acetates such as butyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl
  • organic solvents are, for example, toluene, methanol, ethanol, isopropanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether from the viewpoint of solubility and boiling point.
  • the solid content concentration of the varnish is usually 10 to 60% by mass.
  • the base material layer 1 is not particularly limited as long as a known polymer sheet or film can be used and the expanding step can be carried out under low temperature conditions.
  • Specific examples of the base material layer 1 include polyolefins such as crystalline polypropylene, amorphous polypropylene, high-density polyethylene, medium-density polyethylene, low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, low-density linear polyethylene, polybutene, and polymethylpentene.
  • the base material layer 1 has a surface containing at least one resin selected from the group consisting of polyethylene, polypropylene, polyethylene-polypropylene random copolymer, and polyethylene-polypropylene block copolymer as a main component, and the surface thereof. It may be in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 3. These resins can be good base materials from the viewpoints of Young's modulus, stress relaxation property, characteristics such as melting point, price, and recycling of waste materials after use.
  • the base material layer 1 may be a single layer, and may have a multilayer structure in which layers made of different materials are laminated, if necessary. From the viewpoint of controlling the adhesion to the pressure-sensitive adhesive layer 3, the surface of the base material layer 1 may be subjected to a surface roughness treatment such as a matte treatment or a corona treatment.
  • the adhesive composition constituting the adhesive layer 5 may contain a reactive group-containing (meth) acrylic copolymer, a curing accelerator, and a filler. According to the adhesive layer 5 containing these components, the adhesiveness between chips / substrates and between chips / chips is excellent, electrode embedding property, wire embedding property, etc. can be imparted, and the die bonding process is performed at a low temperature. It tends to have characteristics such as being able to adhere and being able to obtain excellent curing in a short time, and having excellent reliability after being molded with a sealing agent.
  • the reactive group-containing (meth) acrylic copolymer may be, for example, an epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer.
  • the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer may be a copolymer obtained by using glycidyl (meth) acrylate as a raw material in an amount of 0.5 to 6% by mass with respect to the obtained copolymer.
  • glycidyl (meth) acrylate When the content of glycidyl (meth) acrylate is 0.5% by mass or more, high adhesive strength can be easily obtained, while when it is 6% by mass or less, gelation tends to be suppressed.
  • the monomer constituting the remainder of the reactive group-containing (meth) acrylic copolymer is, for example, an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms such as methyl (meth) acrylate, styrene, acrylonitrile, or the like. It's okay.
  • the monomer constituting the remainder of the reactive group-containing (meth) acrylic copolymer may be ethyl (meth) acrylate and / or butyl (meth) acrylate.
  • the mixing ratio can be adjusted in consideration of the Tg of the reactive group-containing (meth) acrylic copolymer. When the Tg is ⁇ 10 ° C.
  • the glass transition point (Tg) of the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer may be, for example, 30 ° C. or lower.
  • the polymerization method is not particularly limited, and examples thereof include pearl polymerization and solution polymerization. Examples of commercially available epoxy group-containing (meth) acrylic copolymers include HTR-860P-3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation).
  • the weight average molecular weight of the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer may be 100,000 or more, and may be 300,000 to 3,000,000 or 500,000 to 2,000,000 from the viewpoint of adhesiveness and heat resistance. When the weight average molecular weight is 3 million or less, it is possible to suppress a decrease in the filling property between the chip and the substrate supporting the chip.
  • the weight average molecular weight is a polystyrene-equivalent value using a calibration curve made of standard polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).
  • the curing accelerator examples include tertiary amines, imidazoles, quaternary ammonium salts and the like.
  • Specific examples of the curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimerite. One of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • the filler may be an inorganic filler.
  • the inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, and boron nitride.
  • examples include crystalline silica and amorphous silica. One of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • the adhesive composition may further contain an epoxy resin and an epoxy resin curing agent.
  • the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, and the like.
  • Bisphenol A novolak type epoxy resin diglycidyl etherified product of biphenol, diglycidyl etherified product of naphthalenediol, diglycidyl etherified product of phenols, diglycidyl etherified product of alcohols, and alkyl substituents and halides thereof.
  • Bifunctional epoxy resin such as hydrogen additive, novolak type epoxy resin and the like.
  • epoxy resins such as a polyfunctional epoxy resin and a heterocycle-containing epoxy resin may be applied. These can be used alone or in combination of two or more.
  • a component other than the epoxy resin may be contained as an impurity as long as the characteristics are not impaired.
  • Examples of the epoxy resin curing agent include a phenol resin obtained by reacting a phenol compound with a xylylene compound which is a divalent linking group in the presence of a catalyst or an acid catalyst.
  • Examples of the phenolic compound used for producing the phenolic resin include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, p-ethylphenol, on-propylphenol, and mn-propyl.
  • phenol compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • the xylylene compound which is a divalent linking group used in the production of a phenol resin the following xylylene halides, xylylene diglycols and derivatives thereof can be used. That is, specific examples of the xylene compound include ⁇ , ⁇ '-dichloro-p-xylene, ⁇ , ⁇ '-dichloro-m-xylene, ⁇ , ⁇ '-dichloro-o-xylene, ⁇ , ⁇ '-dibromo-.
  • mineral acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, and polyphosphoric acid
  • organic carboxylic acids such as dimethylsulfate, diethylsulfate, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, and ethanesulfonic acid.
  • Acids Super-strong acids such as trifluoromethanesulfonic acid; Strongly acidic ion exchange resins such as alcan sulfonic acid type ion exchange resin; Super strong acid ion exchange resins such as perfluoroalkane sulfonic acid type ion exchange resin (trade name) : Nafion, Nafion, manufactured by Du Pont, "Nafion” is a registered trademark); natural and synthetic zeolites; xylylene which is a substantially raw material at 50 to 250 ° C. using an acidic catalyst such as active white clay (acidic white clay).
  • a phenol resin can be obtained by reacting until the compound disappears and the reaction composition becomes constant.
  • the reaction time can be appropriately set depending on the raw material and the reaction temperature, for example, about 1 hour to 15 hours, and can be determined while tracking the reaction composition by GPC (gel permeation chromatography) or the like. ..
  • the thickness of the adhesive layer 5 may be, for example, 1 to 300 ⁇ m, 5 to 150 ⁇ m, or 10 to 100 ⁇ m. When the thickness of the adhesive layer 5 is 1 ⁇ m or more, the adhesiveness tends to be more excellent, while when the thickness of the adhesive layer 5 is 300 ⁇ m or less, the splitting property and the pick-up property at the time of expanding tend to be more excellent.
  • the method for producing the film 10 is to: on the surface of the base material layer 1 a pressure-sensitive adhesive layer made of an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by irradiation with active energy rays, and on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • a step of producing a laminated body including the adhesive layer 5 formed in the above, and a step of irradiating a region to be a first region 3a of the pressure-sensitive adhesive layer contained in the laminated body with active energy rays are provided in this order. ..
  • the dose of the active energy ray to the area to be the first region 3a is, for example, 10 ⁇ 1000mJ / cm 2, 100 ⁇ 700mJ / cm 2, or 100 to be a 500 mJ / cm 2.
  • a laminate of the pressure-sensitive adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer 5 is first produced, and then a specific region of the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with active energy rays.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 100 shown in this figure includes a substrate 70, four chips S1, S2, S3, S4 laminated on the surface of the substrate 70, electrodes (not shown) on the surface of the substrate 70, and four chips.
  • a wire W1, W2, W3, W4 for electrically connecting S1, S2, S3, and S4, and a sealing layer 50 for sealing these are provided.
  • the substrate 70 is, for example, an organic substrate and may be a metal substrate such as a lead frame.
  • the thickness of the substrate 70 may be, for example, 70 to 140 ⁇ m or 80 to 100 ⁇ m from the viewpoint of suppressing the warp of the semiconductor device 100.
  • the four chips S1, S2, S3, and S4 are laminated via the cured product 5C of the adhesive piece 5P.
  • the shapes of the chips S1, S2, S3, and S4 in a plan view are, for example, square or rectangular.
  • the area of the chips S1, S2, S3, S4 may be, for example, 200 mm 2 or less, 150 mm 2 or less, 100 mm 2 or less, 50 mm 2 or less, 30 mm 2 or less, 20 mm 2 or less, 10 mm 2 or less, or 9 mm 2 or less.
  • the length of one side of the chips S1, S2, S3, S4 is, for example, 0.1 to 20 mm, 0.1 to 15 mm, 0.1 to 10 mm, 0.1 to 8 mm, 0.1 to 6 mm, 0.1. It may be up to 3 mm, 0.1 to 2 mm, or 0.1 to 1 mm.
  • the thickness of the chips S1, S2, S3, S4 may be, for example, 10 to 170 ⁇ m or 25 to 100 ⁇ m.
  • the length of one side of the four chips S1, S2, S3, and S4 may be the same or different from each other, and the thickness is also the same.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 100 includes the first step of preparing the film 10 described above, the wafer W being attached to the adhesive layer 5 of the film 10, and the second surface F2 of the adhesive layer 3.
  • the wafer W is separated into a plurality of chips S together with the adhesive layer 5 and the adhesive layer 3 to form a cut body 20.
  • Step, (dicing step), and DAF8 laminated body of chip S1 and adhesive piece 5P, see FIG. 4D) are picked up from the first region 3a of the adhesive layer 3 of the cutting body 20.
  • the step 4 includes a fifth step of mounting the chip S1 on the substrate 70 via the adhesive piece 5P.
  • the above-mentioned film 10 is prepared. As shown in FIGS. 4A and 4B, the film 10 is attached so that the adhesive layer 5 is in contact with one surface of the wafer W. Further, the dicing ring DR is attached to the second surface F2 of the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • the wafer W, the adhesive layer 5, and the adhesive layer 3 are diced by blade dicing using a blade.
  • the wafer W is separated together with the adhesive layer 5 and the adhesive layer 3 into a chip S.
  • the adhesive layer 5 is also individualized to become an adhesive piece 5P. In this way, the cut body 20 is formed.
  • the wafer W may be thinned by grinding the wafer W prior to dicing the wafer W.
  • a calf is formed in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the cut body 20.
  • the calf width formed on the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the cut body 20 by blade dicing is 75% or more, and may be 78% or more or 80% or more with respect to the blade width. By providing such a calf width, double dies can be suppressed, and as a result, production efficiency can be improved.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 may shrink due to dicing, that is, it may exceed 100%.
  • the calf width formed on the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the cut body 20 by blade dicing may be 160% or less or 150% or less with respect to the blade width.
  • the calf formed by dicing is generated when the stress due to curing shrinkage caused by curing by irradiation with active energy rays when forming the first region 3a of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is released by dicing, and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed.
  • the present inventors consider that when the amount of curing shrinkage of the (meth) acrylic resin or the like in the above is large, the width (calf width) of the (meth) acrylic resin or the like is easily expanded.
  • the above-mentioned dicing / die-bonding integrated film has a sufficient amount of curing shrinkage, and by using this, it is possible to form a calf width satisfying the above requirements.
  • the distance between the adhesive layers between adjacent chips can be measured at a plurality of points (at least three points) using an optical microscope, and an average value thereof can be applied.
  • the calf width formed may differ depending on the direction of the blade dicing.
  • this point will be described with reference to FIG. 5 (b).
  • direction A the same direction as direction A is defined as direction Ch1
  • direction Ch2 the direction orthogonal to Ch1 is defined as direction Ch2.
  • the calf width WCh1 between adjacent chips in the direction Ch1 (calf width formed by dying in the direction Ch2) and the calf width WCh2 (calf width formed by dying in the direction Ch1) between adjacent chips in the direction Ch2
  • the calf width WCh1 tends to have a larger swing width than the calf width WCh2.
  • either the calf width WCh1 or the calf width WCh2 may satisfy the calf width condition, but the viewpoint of more reliably suppressing the double die. Therefore, it is preferable that both the calf width WCh1 and the calf width WCh2 satisfy the above-mentioned calf width condition.
  • the calf width formed on the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the cut body 20 by blade dicing may be, for example, 10 ⁇ m or more, 13 ⁇ m or more, 15 ⁇ m or more, or 17 ⁇ m or more.
  • the upper limit of the calf width is not particularly limited, but can be, for example, 50 ⁇ m or less.
  • the blade width may be 10 to 50 ⁇ m, 10 to 30 ⁇ m, or 10 to 25 ⁇ m. Even when such a relatively narrow blade is used, the double die can be suppressed more sufficiently.
  • an actually measured value obtained from a cut in a silicon wafer using an optical microscope can be applied.
  • the method for measuring the measured value may be, for example, the method described in Examples.
  • the adhesive layer 3 is separated from each other by expanding the base material layer 1 under normal temperature or cooling conditions as shown in FIG. 4 (d) without irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 3 with active energy rays.
  • the adhesive piece 5P is peeled from the adhesive layer 3 by pushing it up with the pin 42, and the DAF 8 is sucked and picked up by the suction collet 44.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 100 will be specifically described with reference to FIGS. 6, 7, and 8.
  • the first-stage chip S1 (chip S) is crimped to a predetermined position on the substrate 70 via the adhesive piece 5P.
  • the adhesive piece 5P is cured by heating.
  • the adhesive piece 5P is cured to become a cured product 5C.
  • the curing treatment of the adhesive piece 5P may be carried out in a pressurized atmosphere from the viewpoint of reducing voids.
  • the second-stage chip S2 is mounted on the surface of the chip S1 in the same manner as the mounting of the chip S1 on the substrate 70. Further, the structure 60 shown in FIG. 7 is manufactured by mounting the third-stage and fourth-stage chips S3 and S4. After the chips S1, S2, S3, S4 and the substrate 70 are electrically connected by wires W1, W2, W3, W4 (see FIG. 8), the semiconductor element and the wire are sealed by the sealing layer 50. The semiconductor device 100 shown in 3 is completed.
  • the present invention is not limited to the above embodiments.
  • the film 10 including the base material layer 1, the pressure-sensitive adhesive layer 3, and the adhesive layer 5 in this order has been exemplified, but the film 10 may not include the adhesive layer 5. .. Further, the film 10 may further include a cover film (not shown) that covers the adhesive layer 5.
  • the solution containing the acrylic resin (A-1) obtained as described above was vacuum dried at 60 ° C. overnight.
  • the solid content thus obtained was elementally analyzed by a fully automatic elemental analyzer (manufactured by Elemental Co., Ltd., trade name: varioEL), and the content of the functional group derived from the introduced 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was nitrogen-containing. When calculated from the amount, it was 0.50 mmol / g.
  • the polystyrene-equivalent weight average molecular weight of the acrylic resin (A-1) was determined using the following device. That is, SD-8022 / DP-8020 / RI-8020 manufactured by Tosoh Corporation was used, Gelpack GL-A150-S / GL-A160-S manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd. was used for the column, and tetrahydrofuran was used as the eluent. GPC measurement was performed. As a result, the polystyrene-equivalent weight average molecular weight was 800,000. The hydroxyl value and acid value measured according to the method described in JIS K0070 were 56.1 mgKOH / g and 6.5 mgKOH / g. These results are summarized in Table 1.
  • Example 1 [Preparation of dicing film (adhesive layer)]
  • an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive varnish (varnish for forming a pressure-sensitive adhesive layer) was prepared (see Table 2).
  • the amount of ethyl acetate (solvent) was adjusted so that the total solid content of the varnish was 25% by mass.
  • a polyethylene terephthalate film (width 450 mm, length 500 mm, thickness 38 ⁇ m) with a mold release treatment on one surface was prepared.
  • a varnish of an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive was applied to the surface subjected to the mold release treatment using an applicator, and then dried at 80 ° C. for 5 minutes.
  • a laminate (dicing film) composed of a polyethylene terephthalate film and a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 30 ⁇ m formed on the polyethylene terephthalate film was obtained.
  • a polyolefin film (width 450 mm, length 500 mm, thickness 80 ⁇ m) with corona treatment on one side was prepared.
  • the surface treated with corona and the pressure-sensitive adhesive layer of the laminated body were bonded together at room temperature.
  • the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to the polyolefin film (cover film) by moving the rubber roll in one direction and pressing it. Then, it was left at room temperature for 3 days to obtain a dicing film with a cover film.
  • a varnish for forming an adhesive layer was prepared by mixing the following components. First, cyclohexanone (solvent) was added to the mixture containing the following components, and the mixture was stirred and mixed, and then kneaded for 90 minutes using a bead mill.
  • -Epoxy resin (YDCN-700-10 (trade name), manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd., cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent: 210, molecular weight: 1200, softening point: 80 ° C.): 14 parts by mass-phenol resin ( Millex XLC-LL (trade name), manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., phenol resin, hydroxyl group equivalent: 175, water absorption: 1.8%, heating weight reduction rate at 350 ° C: 4%): 23 parts by mass, silane coupling Agent (NUC A-189 (trade name) manufactured by NUC Co., Ltd., ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane): 0.2 parts by mass ⁇ silane coupling agent (NUCA-1160 (trade name) manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., ⁇ -Ureidopropyltriethoxysilane): 0.1 part by mass ⁇ Filler (SC2050-HLG
  • a varnish for forming an adhesive layer (at least with a reactive group-containing (meth) acrylic copolymer) is subjected to the steps of stirring and mixing and vacuum degassing. , A varnish of an adhesive composition containing a curing accelerator and a filler) was obtained.
  • HTR-860P-3 (trade name), manufactured by Nagase ChemteX Corporation, weight average molecular weight 800,000): 16 parts by mass-curing accelerator (Curesol 2PZ-CN (trade name), Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, "Curesol” is a registered trademark): 0.1 parts by mass
  • a polyethylene terephthalate film (thickness 35 ⁇ m) with a mold release treatment on one surface was prepared.
  • a varnish for forming an adhesive layer was applied to the surface subjected to the mold release treatment using an applicator, and then heat-dried at 140 ° C. for 5 minutes.
  • a laminate (die bonding film) composed of a polyethylene terephthalate film (carrier film) and an adhesive layer (B stage state) having a thickness of 25 ⁇ m formed on the polyethylene terephthalate film (carrier film) was obtained.
  • a die bonding film composed of an adhesive layer and a carrier film was cut into a circle having a diameter of 335 mm together with the carrier film.
  • a dicing film from which the polyethylene terephthalate film was peeled off was attached to the cut die bonding film at room temperature, and then left at room temperature for 1 day. Then, the dicing film was cut into a circle having a diameter of 370 mm to obtain a laminated body.
  • the region (first region of the pressure-sensitive adhesive layer) corresponding to the bonding position of the wafer in the adhesive layer of the laminated body thus obtained was irradiated with ultraviolet rays as follows.
  • a pulsed xenon lamp was used to partially irradiate ultraviolet rays at an irradiation amount of 70 W and 300 mJ / cm 2.
  • the irradiation of ultraviolet rays was performed on a portion having an inner diameter of 318 mm from the center of the film using a blackout curtain. In this way, the dicing / die bonding integrated film of Example 1 was obtained for use in various evaluation tests described later.
  • Cuts are made at predetermined intervals in the same direction as the rubber roll is operated, and further cuts are made at predetermined intervals in the direction orthogonal to the direction in which the rubber roll is operated, and the chips are separated into a plurality of chips with adhesive pieces.
  • -Dicer DISCO
  • DFD-6361 -Blade ZH05-SD4000-N1-70-BB manufactured by DISCO ⁇ Blade rotation speed: 40,000 rpm ⁇
  • Dicing speed 30 mm / s -Cut depth from the surface of the adhesive layer to the base material layer: 20 ⁇ m
  • Cut mode Down cut ⁇ Chip size: 10 mm x 10 mm
  • the directions in which the rubber roll is operated when the adhesive layer is transferred to the polyolefin film (cover film) are the directions Ch1 and Ch1.
  • the direction orthogonal to each other was defined as the direction Ch2, and the calf width WCh1 between adjacent chips in the direction Ch1 and the calf width WCh2 between the adjacent chips in the direction Ch2 were measured using an optical microscope. In the measurement, three measurement points were set, and the average value of these points was calculated as the calf width. The results are shown in Table 2.
  • the dicing / die bonding integrated film of Example 1 was bonded to a wafer having a thickness of 400 ⁇ m by heating at 80 ° C. for 10 seconds. Then, the depth of cut from the surface of the wafer to the adhesive layer was set to 100 ⁇ m, and one cut was made under the same conditions as the dicing conditions for measuring the calf width described above. Next, the wafer was cut so as to be orthogonal to this cut, and the cut surface in the obtained cut was observed. The width at a height of 20 ⁇ m from the bottom of the dicing was measured as the blade width. The blade width was 20.8 ⁇ m. In the evaluation test, this value was used as the blade width to calculate the ratio of the calf width to the blade width.
  • Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 and 2 The composition and ultraviolet irradiation amount of the pressure-sensitive adhesive layer shown in Example 1 of Table 2 are changed to the composition and ultraviolet irradiation amount of the pressure-sensitive adhesive layer shown in each of Examples and Comparative Examples of Tables 2, 3 and 4. , The evaluation test was carried out in the same manner as in Example 1 except that the dicing conditions shown in Example 1 of Table 2 were changed to the dicing conditions shown in each of Examples and Comparative Examples of Tables 2, 3 and 4. Was done.
  • the photopolymerization initiator (B-2) is 2-hydroxy-1- ⁇ 4- [4- (2-hydroxy-2-methyl-propionyl) -benzyl] -phenyl ⁇ -2-methyl-propane-1. -On (manufactured by Chivas Specialty Chemicals Co., Ltd., Irgacure 127, "Irgacure” is a registered trademark). The results are shown in Tables 2, 3 and 4.

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Abstract

ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法が開示される。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、基材層と、基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備える。活性エネルギー線硬化型粘着剤は、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂を含み、官能基は、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種であり、（メタ）アクリル系樹脂における官能基の含有量は、０．４ｍｍｏｌ／ｇ以上である。

Description

ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
　本開示は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法に関する。
　半導体装置は以下の工程を経て製造される。まず、ウェハにダイシング用粘着フィルムを貼付け、その状態でウェハをチップに個片化するダイシング工程が実施される。その後、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウンティング工程、ダイボンディング工程等が実施される。
　半導体装置の製造プロセスにおいて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムと称されるフィルムが使用されている。このフィルムは、基材層と粘着剤層と接着剤層がこの順序で積層された構造を有し、例えば、次のように使用される。まず、ウェハに対して接着剤層側の面を貼付けるとともにダイシングリングでウェハを固定した状態でウェハをダイシングする。これにより、ウェハが複数のチップに個片化される。続いて、粘着剤層に対して活性エネルギー線を照射することによって接着剤層に対する粘着剤層の粘着力を弱めた後、接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともにチップを粘着剤層からピックアップする。その後、接着剤片を介してチップを基板等にマウントする工程を経て半導体装置が製造される。なお、ダイシング工程を経て得られるチップと、これに付着した接着剤片とからなる積層体はＤＡＦ（Ｄｉｅ　Ａｔｔａｃｈ　Ｆｉｌｍ）と称される。
　上述のように、活性エネルギー線の照射により粘着力が弱まる粘着剤層（ダイシングフィルム）は活性エネルギー線硬化型と称される。これに対して、半導体装置の製造プロセスにおいて活性エネルギー線が照射されることなく、粘着力が一定のままの粘着剤層は感圧型と称される。感圧型の粘着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、ユーザー（主に半導体装置メーカー）にとって、活性エネルギー線を照射する工程を実施する必要がなく、また、このための設備が不要であるというメリットがある。特許文献１には、粘着剤層が活性エネルギー線によって硬化する成分を含有する点で活性エネルギー線硬化型であるといえる一方で、粘着剤層の所定の部分のみに予め活性エネルギー線が照射されており、ユーザーは半導体装置の製造プロセスにおいて活性エネルギー線を照射する必要がない点で感圧型であるともいえるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが開示されている。
特許第４４４３９６２号公報
　ところで、半導体装置、特に、メモリと呼ばれるデバイスは、パソコン、サーバ、スマートフォン等に幅広く使用されており、回路の小型化及び高集積化が求められている。このような回路の小型化及び高集積化に伴い、ウェハ上の回路設計も配線幅及び配線間距離の狭小化が検討されている。
　一方、ウェハの設計において、チップとチップとの間には、ダイシング工程においてブレードで切削される都合上、スクライブラインと呼ばれる回路を有さない領域を設定する必要があり、スクライブラインの狭小化も求められている。ダイシング工程は、高速回転するブレードを用いて実施される。そのため、スクライブラインの狭小化を実現するためには、幅の狭いブレードを用いることが必要となる。しかし、幅の狭いブレード（例えば、幅１０～５０μｍ程度のブレード）を用いた場合、ダイシング工程後のチップとチップとの間隔（以下、この間隔を「カーフ（溝）の幅」という場合がある。）を充分に確保できないことがあり、ピックアップ工程において、２以上チップが同時にピックアップされてしまう現象（以下、この現象を「ダブルダイ」という場合がある。）が発生してしまうことがある。ダブルダイが発生すると、結果として、生産効率が低下する。
　また、ダイシング工程に続いて実施されるエキスパンド工程は、カーフの幅を拡張するために、個片化されたチップ同士を引き離す工程である。しかし、チップが小型化するにつれて、引き離すカーフラインが多くなり、エキスパンド工程の効果が分散してしまうことから、効果は限定的である。
　本開示は、上記事情に鑑みてなされたものであり、幅の狭いブレードを用いた場合であっても、カーフの幅を充分に確保することが可能なダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法を提供することを主な目的とする。
　本開示の一側面は、半導体装置の製造方法に関する。この半導体装置の製造方法は、基材層と、基材層と対面する第１の面及び第１の面の反対側の第２の面を有する、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、粘着剤層の第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する第１の工程と、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に対してウェハを貼るとともに、粘着剤層の第２の面に対してダイシングリングを貼る第２の工程と、ブレードを用いたブレードダイシングによって、接着剤層及び粘着剤層とともに、ウェハを複数のチップに個片化して切断体を形成する第３の工程と、接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともに、チップを切断体の粘着剤層からピックアップする第４の工程と、接着剤片を介してチップを、基板又は他のチップ上にマウントする第５の工程とを備える。粘着剤層は、接着剤層におけるウェハが貼り付けられる領域に対応する第１の領域と、ダイシングリングが貼り付けられる第２の領域とを有し、第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域である。第３の工程において、ブレードダイシングによって切断体の粘着剤層に形成されるカーフの幅（カーフ幅）は、ブレードの幅（ブレード幅）に対して７５％以上である。本発明者らの検討によれば、ブレードダイシングによって切断体の粘着剤層に形成されるカーフの幅がブレードの幅に対して７５％以上であると、ダブルダイを抑制できる傾向にあることを見出した。そのため、上記半導体装置の製造方法によれば、生産効率を向上させることが可能となり得る。
　ブレードの幅（ブレード幅）は、１０～５０μｍであってよい。このような比較的に幅の狭いブレードを用いた場合であっても、ダブルダイをより充分に抑制することができる。
　複数のチップは、正方形又は長方形の形状を有し、かつ面積２００ｍｍ２以下であってよい。
　本開示の一側面は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに関する。このフィルムは、基材層と、基材層と対面する第１の面及び第１の面の反対側の第２の面を有する、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備える。粘着剤層は、接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域を少なくとも含む第１の領域と、第１の領域を囲むように位置する第２の領域とを有し、第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域である。活性エネルギー線硬化型粘着剤は、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂を含み、官能基が、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種であり、（メタ）アクリル系樹脂における官能基の含有量は、０．４ｍｍｏｌ／ｇ以上である。
　上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムによれば、上記半導体装置の製造方法に好適に使用することができ、幅の狭いブレードを用いた場合であっても、カーフの幅を充分に確保することが可能となる。このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いることによって、ダブルダイを抑制することができ、結果として、生産効率を向上させることが可能となり得る。
　活性エネルギー線硬化型粘着剤は、架橋剤をさらに含んでいてもよい。このような架橋剤をさらに含む場合、活性エネルギー線硬化型粘着剤の全質量に対する架橋剤の含有量は、０．１～１５質量％であってよい。架橋剤は、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に３つ以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとの反応物であってよい。
　接着剤層は、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含む接着剤組成物からなるものであってよい。
　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、ウェハを面積２００ｍｍ２以下の複数のチップに個片化する工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用されるものであってよい。
　本開示の一側面は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法に関する。この製造方法の第１の態様は、基材層の表面上に、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、粘着剤層の表面上に形成された接着剤層とを含む積層体を作製する工程と、積層体に含まれる粘着剤層の第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程とをこの順に備える。また、この製造方法の第２の態様は、基材層の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層を形成する工程と、粘着剤層の第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、活性エネルギー線を照射した後の粘着剤層の表面上に接着剤層を積層する工程とをこの順に備える。
　本開示によれば、幅の狭いブレードを用いた場合であっても、カーフの幅を充分に確保することが可能なダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法が提供される。また、本開示によれば、このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた半導体装置の製造方法が提供される。このような半導体装置の製造方法によれば、ダブルダイを抑制することが可能となり、生産効率を向上させることが可能となり得る。
図１（ａ）は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿った模式断面図である。 図２は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの粘着剤層の周縁部にダイシングリングが貼り付けられるとともに、接着剤層の表面にウェハが貼り付けられた状態を示す模式図である。 図３は、半導体装置の一実施形態の模式断面図である。 図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）、及び図４（ｄ）は、ＤＡＦ（チップと接着剤片の積層体）を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図５（ａ）は、切断体の一実施形態を模式的に示す平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の部分Ｅにおける拡大図である。 図６は、図３に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図７は、図３に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図８は、図３に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。
　以下、図面を参照しながら本開示の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルを意味し、（メタ）アクリレート等の他の類似表現も同様である。
＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム＞
　図１（ａ）は、本実施形態に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１のＢ－Ｂ線に沿った模式断面図である。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０（以下、場合により、単に「フィルム１０」という。）は、ウェハＷを面積２００ｍｍ２以下の複数のチップに個片化する工程（及びその後のピックアップする工程）を含む半導体装置の製造プロセスに好適に用いることができる（図４（ｃ）及び図４（ｄ）参照）。
　フィルム１０は、基材層１と、基材層１と対面する第１の面Ｆ１及び第１の面Ｆ１の反対側の第２の面Ｆ２を有する粘着剤層３と、粘着剤層３の第２の面Ｆ２の中央部を覆うように設けられた接着剤層５とをこの順序で備える。本実施形態においては、正方形の基材層１の上に、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が一つ形成された態様を例示しているが、基材層１が所定の長さ（例えば、１００ｍ以上）を有し、その長手方向に並ぶように、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が所定の間隔で配置された態様であってもよい。
　フィルム１０は、基材層１と、基材層１と対面する第１の面Ｆ１及び第１の面Ｆ１の反対側の第２の面Ｆ２を有する粘着剤層３と、粘着剤層３の第２の面Ｆ２の中央部を覆うように設けられた接着剤層５とをこの順序で備える。本実施形態においては、正方形の基材層１の上に、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が一つ形成された態様を例示しているが、基材層１が所定の長さ（例えば、１００ｍ以上）を有し、その長手方向に並ぶように、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が所定の間隔で配置された態様であってもよい。
（粘着剤層）
　粘着剤層３は、接着剤層５におけるウェハＷの貼付け位置に対応する領域Ｒｗを少なくとも含む第１の領域３ａと、第１の領域３ａを囲むように位置する第２の領域３ｂとを有する。図１（ａ）及び図１（ｂ）における破線は第１の領域３ａと第２の領域３ｂの境界を示す。第１の領域３ａ及び第２の領域３ｂは、活性エネルギー線の照射前において同一の組成物（活性エネルギー線硬化型粘着剤）からなる。第１の領域３ａは、活性エネルギー線が照射されることによって、第２の領域３ｂと比較して粘着力が低下した状態の領域である。第２の領域３ｂは、ダイシングリングＤＲが貼り付けられる領域である（図２参照）。第２の領域３ｂは、活性エネルギー線が照射されていない領域であり、ダイシングリングＤＲに対する高い粘着力を有する。活性エネルギー線は、紫外線、電子線、及び可視光線から選ばれる少なくとも１種であってよく、紫外線であってよい。活性エネルギー線の照射量は、例えば、１０～１０００ｍＪ／ｃｍ２であり、１００～７００ｍＪ／ｃｍ２、又は１００～５００ｍＪ／ｃｍ２であってよい。
　活性エネルギー線の照射前の粘着剤層は、（メタ）アクリル系樹脂を含む活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる。活性エネルギー線が照射されない第２の領域３ｂは、活性エネルギー線照射前の粘着剤層と同じ組成であり得る。以下、活性エネルギー線硬化型粘着剤の含有成分について詳細に説明する。
［（メタ）アクリル系樹脂］
　活性エネルギー線硬化型粘着剤は、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂を含む。このような（メタ）アクリル系樹脂を含む場合、官能基は、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種である。（メタ）アクリル系樹脂における官能基の含有量は、０．４ｍｍｏｌ／ｇ以上である。（メタ）アクリル系樹脂における官能基の含有量は、０．５ｍｍｏｌ／ｇ以上、０．６ｍｍｏｌ／ｇ以上、０．７ｍｍｏｌ／ｇ以上、０．８ｍｍｏｌ／ｇ以上、又は０．９ｍｍｏｌ／ｇ以上であってもよく、２．０ｍｍｏｌ／ｇ以下、１．８ｍｍｏｌ／ｇ以下、１．５ｍｍｏｌ／ｇ以下、１．２ｍｍｏｌ／ｇ以下、又は１．０ｍｍｏｌ／ｇ以下であってもよい。官能基の含有量が０．４ｍｍｏｌ／ｇ以上であることで、活性エネルギー線の照射によって粘着力が適度に低下した領域（図１における第１の領域３ａ）を形成し易い傾向にある。また、ダイシングによって形成される粘着剤層３のカーフは、粘着剤層３の第１の領域３ａを形成する際の活性エネルギー線照射による硬化によって生じる硬化収縮による応力がダイシングによって開放されることによって発生し、粘着剤層３における（メタ）アクリル系樹脂等の硬化収縮量が多いと、その幅（カーフ幅）が拡張し易くなると本発明者らは考えている。そのため、官能基の含有量が０．４ｍｍｏｌ／ｇ以上であることで、粘着剤層３の硬化収縮量が充分となり、幅の狭いブレードを用いた場合であっても、カーフ幅を充分に確保することが可能となる。他方、２．０ｍｍｏｌ／ｇ以下であることで、優れたピックアップ性を達成し易い傾向にある。
　（メタ）アクリル系樹脂は、既知の方法で合成することで得ることができる。合成方法としては、例えば、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、塊状重合法、析出重合法、気相重合法、プラズマ重合法、超臨界重合法が挙げられる。また、重合反応の種類としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合、イモータル重合等の他、ＡＴＲＰ（原子移動ラジカル重合）及びＲＡＦＴ（可逆的付加開裂連鎖移動重合）といった手法も挙げられる。この中でも、溶液重合法を用いてラジカル重合により合成することは、経済性の良さ、反応率の高さ、重合制御の容易さなどの他、重合で得られた樹脂溶液をそのまま用いて配合できる等の利点を有する。
　ここで、溶液重合法を用いてラジカル重合によって、（メタ）アクリル系樹脂を得る方法を例に、（メタ）アクリル系樹脂の合成法について詳細に説明する。
　（メタ）アクリル系樹脂を合成する際に用いられるモノマーとしては、一分子中に１個の（メタ）アクリロイル基を有するものであれば特に制限はない。その具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレート等の脂環式（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ－ビフェニル（メタ）アクリレート、１－ナフチル（メタ）アクリレート、２－ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ－クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（ｏ－フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（１－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（２－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレート；２－テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ－（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、２－（メタ）アクリロイロキシエチル－Ｎ－カルバゾール等の複素環式（メタ）アクリレート、これらのカプロラクトン変性体、ω－カルボキシ－ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、α－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α－ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α－エチル－６，７－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基とを有する化合物；（２－エチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２－メチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２－（２－エチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２－（２－メチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３－（２－エチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３－（２－メチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基とを有する化合物；２－（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基とを有する化合物；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基とを有する化合物が挙げられる。これらを適宜組み合わせて目的とする（メタ）アクリル系樹脂を得ることができる。
　（メタ）アクリル系樹脂は、後述する官能基導入化合物又は架橋剤との反応点として、水酸基、グリシジル基（エポキシ基）、アミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基を有していてもよい。水酸基を有する（メタ）アクリル系樹脂を合成するためのモノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基とを有する化合物などが挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を併用してもよい。
　グリシジル基を有する（メタ）アクリル系樹脂を合成するためのモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート、α－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α－ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α－エチル－６，７－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基とを有する化合物が挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を併用してもよい。
　これらのモノマーから合成される（メタ）アクリル系樹脂は、連鎖重合可能な官能基を含む。連鎖重合可能な官能基は、例えば、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種である。連鎖重合可能な官能基は、例えば、上述のように合成された水酸基、グリシジル基（エポキシ基）、アミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂に、以下の化合物（官能基導入化合物）を反応させることにより、当該（メタ）アクリル系樹脂中に導入することができる。すなわち、（メタ）アクリル系樹脂における官能基の含有量は、官能基導入化合物の導入量によって調整することができる。官能基導入化合物の具体例として、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート又は４－ヒドロキシブチルエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物等が挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を併用してもよい。これらの中でも、官能基導入化合物は、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネートであってよい。
［光重合開始剤］
　活性エネルギー線硬化型粘着剤は、光重合開始剤をさらに含んでいてもよい。光重合開始剤は、活性エネルギー線を照射することで連鎖重合可能な活性種を発生するものであれば、特に制限はない。活性エネルギー線は、紫外線、電子線、及び可視光線から選ばれる少なくとも１種であってよく、紫外線であってよい。光重合開始剤としては、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。ここで連鎖重合可能な活性種とは、連鎖重合可能な官能基と反応することで重合反応が開始されるものを意味する。
　光ラジカル重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のベンゾインケタール；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン等のα－ヒドロキシケトン；２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタン－１－オン、１，２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン等のα－アミノケトン；１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタジオン－２－（ベンゾイル）オキシム等のオキシムエステル；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド；２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラエチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物；２－エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９－フェニルアクリジン、１，７－ビス（９、９’－アクリジニルヘプタン）等のアクリジン化合物；Ｎ－フェニルグリシン、クマリンなどが挙げられる。
　活性エネルギー線硬化型粘着剤における光重合開始剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して、０．１～３０質量部、０．３～１０質量部、又は、０．５～５質量部であってよい。光重合開始剤の含有量が０．１質量部以上であると、粘着剤層が活性エネルギー線照射後に硬化が充分となり、ピックアップ不良が起こり難い傾向にある。光重合開始剤の含有量が３０質量部以下であると、接着剤層への汚染（光重合開始剤の接着剤層への転写）を防ぐことができる傾向にある。
［架橋剤］
　活性エネルギー線硬化型粘着剤は、架橋剤をさらに含んでいてもよい。架橋剤は、例えば、粘着剤層の弾性率及び／又は粘着性の制御を目的に用いられる。架橋剤は、（メタ）アクリル系樹脂が有する水酸基、グリシジル基、アミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基と反応し得る官能基を一分子中に２つ以上有する化合物であればよい。架橋剤と（メタ）アクリル系樹脂との反応によって形成される結合としては、例えば、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合等が挙げられる。
　本実施形態においては、架橋剤は、例えば、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートであってよい。このような多官能イソシアネートを用いると、（メタ）アクリル系樹脂が有する水酸基、グリシジル基、アミノ基等と容易に反応し、強固な架橋構造を形成することができる。
　一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートとしては、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、リジンイソシアネート等のイソシアネート化合物などが挙げられる。
　架橋剤は、多官能イソシアネートと、一分子中に２つ以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとの反応物（イソシアネート基含有オリゴマー）であってもよい。一分子中に２つ以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、１，６－ヘキサンジオール、１，８－オクタンジオール、１，９－ノナンジオール、１，１０－デカンジオール、１，１１－ウンデカンジオール、１，１２－ドデカンジオール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、１，４－シクロヘキサンジオール、１，３－シクロヘキサンジオール等が挙げられる。
　これらの中でも、架橋剤は、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に３つ以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとの反応物（イソシアネート基含有オリゴマー）であってもよい。このようなイソシアネート基含有オリゴマーを架橋剤として用いることで、粘着剤層３が緻密な架橋構造を形成し、これにより、ピックアップ工程において接着剤層５に粘着剤が付着することを充分に抑制することができる傾向にある。
　活性エネルギー線硬化型粘着剤における架橋剤の含有量は、粘着剤層に対して求められる凝集力、破断伸び率、接着剤層との密着性等に応じて適宜設定することができる。具体的には、架橋剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して、例えば、３～３０質量部、４～１５質量部、又は７～１０質量部であってよい。架橋剤の含有量を上記範囲とすることで、ダイシング工程において粘着剤層に求められる特性と、ダイボンディング工程において粘着剤層に求められる特性とをバランスよく両立することが可能であるとともに、優れたピックアップ性も達成し得る。
　架橋剤の含有量が（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して３質量部以上であると、架橋構造の形成が不充分となり難く、ピックアップ工程において、接着剤層との界面密着力が充分に低下してピックアップ時に不良が発生し難い傾向にある。他方、架橋剤の含有量が（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して３０質量部以下であると、粘着剤層が過度に硬くなり難く、エキスパンド工程においてチップが剥離し難い傾向にある。
　活性エネルギー線硬化型粘着剤の全質量に対する架橋剤の含有量は、例えば、０．１～１５質量％、３～１５質量％、又は５～１５質量％であってよい。架橋剤の含有量が０．１質量％以上であることで、活性エネルギー線の照射によって粘着力が適度に低下した領域（第１の領域３ａ）を形成し易く、他方、１５質量％以下であることで、優れたピックアップ性を達成し易い傾向にある。
　粘着剤層３の厚さは、エキスパンド工程の条件（温度、張力等）に応じて適宜設定すればよく、例えば、１～２００μｍ、５～５０μｍ、又は１０～２０μｍであってよい。粘着剤層３の厚さが１μｍ以上であると、粘着性が不十分となり難く、２００μｍ以下であると、エキスパンド時にカーフ幅が広くなり（ピン突き上げ時に応力を緩和せずに）、ピックアップが不充分になり難い傾向にある。
　粘着剤層３は、基材層１上に形成されている。粘着剤層３の形成方法としては、既知の手法を採用できる。例えば、基材層１と粘着剤層３との積層体を二層押し出し法で形成してもよいし、活性エネルギー線硬化型粘着剤のワニス（粘着剤層形成用のワニス）を調製し、これを基材層１の表面に塗工する、あるいは、離型処理されたフィルム上に粘着剤層３を形成し、これを基材層１に転写してもよい。
　活性エネルギー線硬化型粘着剤のワニス（粘着剤層形成用のワニス）は、（メタ）アクリル系樹脂、光重合開始剤、及び架橋剤を溶解し得る有機溶剤であって加熱により揮発するものであってよい。有機溶剤の具体例としては、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールアルキルエーテル；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコールアルキルエーテルアセテート；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　これらの中で、有機溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、例えば、トルエン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。ワニスの固形分濃度は、通常、１０～６０質量％である。
（基材層）
　基材層１は、既知のポリマーシート又はフィルムを用いることができ、低温条件下において、エキスパンド工程を実施可能なものであれば、特に制限されない。基材層１の具体例としては、結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、又は、これらに可塑剤を混合した混合物、あるいは、電子線照射により架橋を施した硬化物が挙げられる。
　基材層１は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン－ポリプロピレンランダム共重合体、及びポリエチレン－ポリプロピレンブロック共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を主成分とする表面を有し、この表面と粘着剤層３とが接しているものであってよい。これらの樹脂は、ヤング率、応力緩和性、融点等の特性、価格面、使用後の廃材リサイクルなどの観点からも良好な基材となり得る。基材層１は、単層であってよく、必要に応じて、異なる材質からなる層が積層された多層構造を有していてもよい。粘着剤層３との密着性を制御する観点から、基材層１は、その表面に対して、マット処理、コロナ処理等の表面粗化処理を施してもよい。
（接着剤層）
　接着剤層５には、既知のダイボンディングフィルムを構成する接着剤組成物を適用できる。具体的には、接着剤層５を構成する接着剤組成物は、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含んでいてもよい。これらの成分を含む接着剤層５によれば、チップ／基板間、チップ／チップ間の接着性に優れ、また、電極埋め込み性、ワイヤ埋め込み性等も付与可能で、かつダイボンディング工程では低温で接着でき、短時間で優れた硬化が得られる、封止剤でモールド後は優れた信頼性を有する等の特徴を有する傾向にある。
　反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、例えば、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であってよい。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、原料としてグリシジル（メタ）アクリレートを、得られる共重合体に対し０．５～６質量％となる量用いて得られる共重合体であってよい。グリシジル（メタ）アクリレートの含有量が０．５質量％以上であると、高い接着力を得易くなり、他方、６質量％以下であることでゲル化を抑制できる傾向にある。反応性基含有（メタ）アクリル共重合体の残部を構成するモノマーは、例えば、メチル（メタ）アクリレート等の炭素数１～８のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート、スチレン、アクリロニトリル等であってよい。これらの中でも、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体の残部を構成するモノマーは、エチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートであってよい。混合比率は、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して調整することができる。Ｔｇが－１０℃以上であるとＢステージ状態での接着剤層５のタック性が大きくなり過ぎることを抑制できる傾向にあり、取り扱い性に優れる傾向にある。なお、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）は、例えば、３０℃以下であってよい。重合方法は、特に制限されないが、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられる。市販のエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製）が挙げられる。
　エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量は、接着性及び耐熱性の観点から、１０万以上であってよく、３０万～３００万又は５０万～２００万であってもよい。重量平均分子量が３００万以下であると、チップと、これを支持する基板との間の充填性が低下することを抑制できる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
　硬化促進剤としては、例えば、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類等が挙げられる。硬化促進剤の具体例としては、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテートが挙げられる。これらは１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　フィラーは、無機フィラーであってよい。無機フィラーの具体例としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカが挙げられる。これらは１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　接着剤組成物は、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤をさらに含んでいてもよい。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物等の二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂等の一般に知られているその他のエポキシ樹脂を適用してもよい。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。なお、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
　エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物とを、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるフェノール樹脂等が挙げられる。フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール、ｏ－ｎ－プロピルフェノール、ｍ－ｎ－プロピルフェノール、ｐ－ｎ－プロピルフェノール、ｏ－イソプロピルフェノール、ｍ－イソプロピルフェノール、ｐ－イソプロピルフェノール、ｏ－ｎ－ブチルフェノール、ｍ－ｎ－ブチルフェノール、ｐ－ｎ－ブチルフェノール、ｏ－イソブチルフェノール、ｍ－イソブチルフェノール、ｐ－イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４－キシレノール、２，６－キシレノール、３，５－キシレノール、２，４，６－トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４－メトキシフェノール、ｏ－フェニルフェノール、ｍ－フェニルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ｐ－シクロヘキシルフェノール、ｏ－アリルフェノール、ｐ－アリルフェノール、ｏ－ベンジルフェノール、ｐ－ベンジルフェノール、ｏ－クロロフェノール、ｐ－クロロフェノール、ｏ－ブロモフェノール、ｐ－ブロモフェノール、ｏ－ヨードフェノール、ｐ－ヨードフェノール、ｏ－フルオロフェノール、ｍ－フルオロフェノール、ｐ－フルオロフェノール等が挙げられる。これらのフェノール化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。フェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、キシリレン化合物の具体例としては、α，α’－ジクロロ－ｐ－キシレン、α，α’－ジクロロ－ｍ－キシレン、α，α’－ジクロロ－ｏ－キシレン、α，α’－ジブロモ－ｐ－キシレン、α，α’－ジブロモ－ｍ－キシレン、α，α’－ジブロモ－ｏ－キシレン、α，α’－ジヨード－ｐ－キシレン、α，α’－ジヨード－ｍ－キシレン、α，α’－ジヨード－ｏ－キシレン、α，α’－ジヒドロキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジヒドロキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジヒドロキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジメトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジメトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジメトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジエトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジエトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジエトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－プロポキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－プロポキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－プロポキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジイソプロポキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジイソプロポキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジイソプロポキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－ブトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－ブトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－ブトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジイソブトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジイソブトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジイソブトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｏ－キシレン等が挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を併用してもよい。
　フェノール化合物とキシリレン化合物とを反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ－トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂等の強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂等の超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、Ｄｕ　Ｐｏｎｔ社製、「ナフィオン」は登録商標）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０～２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、かつ反応組成が一定になるまで反応させることによってフェノール樹脂をえることができる。反応時間は、原料及び反応温度によって適宜設定することができ、例えば、１時間～１５時間程度とすることでき、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定することができる。
　接着剤層５の厚さは、例えば、１～３００μｍ、５～１５０μｍ、又は１０～１００μｍであってよい。接着剤層５の厚さが１μｍ以上であると、接着性がより優れ、他方、３００μｍ以下であると、エキスパンド時の分断性及びピックアップ性がより優れる傾向にある。
＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法＞
　フィルム１０の製造方法は、基材層１の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、粘着剤層の表面上に形成された接着剤層５とを含む積層体を作製する工程と、積層体に含まれる粘着剤層の第１の領域３ａとなる領域に活性エネルギー線を照射する工程とをこの順序で備える。第１の領域３ａとなる領域に対する活性エネルギー線の照射量は、例えば、１０～１０００ｍＪ／ｃｍ２であり、１００～７００ｍＪ／ｃｍ２、又は１００～５００ｍＪ／ｃｍ２であってよい。当該製造方法は、粘着剤層と接着剤層５の積層体を先に作製し、その後、粘着剤層の特定の領域に活性エネルギー線を照射するものである。
＜半導体装置及びその製造方法＞
　図３は、本実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。この図に示す半導体装置１００は、基板７０と、基板７０の表面上に積層された四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と、基板７０の表面上の電極（不図示）と、四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４とを電気的に接続するワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４と、これらを封止している封止層５０とを備える。
　基板７０は、例えば、有機基板であり、リードフレーム等の金属基板であってもよい。基板７０の厚さは、半導体装置１００の反りを抑制する観点から、例えば、７０～１４０μｍ又は８０～１００μｍであってよい。
　四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、接着剤片５Ｐの硬化物５Ｃを介して積層されている。平面視におけるチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の形状は、例えば、正方形又は長方形である。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の面積は、例えば、２００ｍｍ２以下、１５０ｍｍ２以下、１００ｍｍ２以下、５０ｍｍ２以下、３０ｍｍ２以下、２０ｍｍ２以下、１０ｍｍ２以下、又は９ｍｍ２以下であってよく、０．１～２００ｍｍ２、０．１～１５０ｍｍ２、０．１～１００ｍｍ２、０．１～５０ｍｍ２、０．１～３０ｍｍ２、０．１～２０ｍｍ２、０．１～１０ｍｍ２、又は０．１～９ｍｍ２であってよい。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の一辺の長さは、例えば、０．１～２０ｍｍ、０．１～１５ｍｍ、０．１～１０ｍｍ、０．１～８ｍｍ、０．１～６ｍｍ、０．１～３ｍｍ、０．１～２ｍｍ、又０．１～１ｍｍであってよい。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の厚さは、例えば、１０～１７０μｍ又は２５～１００μｍであってよい。なお、四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の一辺の長さは同じであっても、互いに異なっていてもよく、厚さについても同様である。
　半導体装置１００の製造方法は、上述のフィルム１０を準備する第１の工程と、フィルム１０の接着剤層５に対してウェハＷを貼るとともに、粘着剤層３の第２の面Ｆ２に対してダイシングリングＤＲを貼る第２の工程と、ブレードを用いたブレードダイシングによって、接着剤層５及び粘着剤層３とともに、ウェハＷを複数のチップＳに個片化して切断体２０を形成する第３の工程と、（ダイシング工程）と、ＤＡＦ８（チップＳ１と接着剤片５Ｐとの積層体、図４（ｄ）参照）を切断体２０の粘着剤層３の第１の領域３ａからピックアップする第４の工程と、接着剤片５Ｐを介してチップＳ１を、基板７０上にマウントする第５の工程とを備える。
　図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）、図４（ｄ）、及び図５（ａ）を参照しながら、ＤＡＦ８の作製方法の一例について説明する。まず、上述のフィルム１０を準備する。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、ウェハＷの一方の面に接着剤層５が接するようにフィルム１０を貼り付ける。また、粘着剤層３の第２の面Ｆ２に対してダイシングリングＤＲを貼り付ける。
　次に、ブレードを用いたブレードダイシングによって、ウェハＷ、接着剤層５、及び粘着剤層３をダイシングする。これにより、図４（ｃ）及び図５（ａ）に示すように、ウェハＷが接着剤層５及び粘着剤層３とともに個片化されてチップＳとなる。接着剤層５も個片化されて接着剤片５Ｐとなる。このようにして、切断体２０が形成される。なお、ウェハＷのダイシングに先立ってウェハＷを研削することによって薄膜化してもよい。
　上記ブレードダイシングによって、切断体２０の粘着剤層３において、カーフが形成される。ブレードダイシングによって切断体２０の粘着剤層３に形成されるカーフ幅は、ブレード幅に対して７５％以上であり、７８％以上又は８０％以上であってもよい。このようなカーフ幅を設けることによって、ダブルダイを抑制することができ、結果として、生産効率を向上させることが可能となり得る。粘着剤層３は、ダイシングによって収縮する、すなわち、１００％を超える場合があり得る。ブレードダイシングによって切断体２０の粘着剤層３に形成されるカーフ幅は、ブレード幅に対して１６０％以下又は１５０％以下であってよい。ダイシングによって形成されるカーフは、粘着剤層３の第１の領域３ａを形成する際の活性エネルギー線照射による硬化によって生じる硬化収縮による応力がダイシングによって開放されることによって発生し、粘着剤層３における（メタ）アクリル系樹脂等の硬化収縮量が多いと、その幅（カーフ幅）が拡張し易くなると本発明者らは考えている。上述のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、硬化収縮量が充分であり、これを用いることによって、上記要件を満たすカーフ幅を形成することが可能となる。なお、カーフ幅は、光学顕微鏡を用いて、隣接するチップ間の粘着剤層同士の距離を複数箇所（少なくとも３箇所）測定し、これらの平均値を適用することができる。
　ダイシングフィルム（粘着剤層）の作製において、粘着剤層をゴムロール等で一方向に押圧するなどの加圧処理を行った場合、ブレードダイシングの方向によって形成されるカーフ幅が異なることがあり得る。以下、図５（ｂ）を参照しながら、この点を説明する。粘着剤層をゴムロール等で一方向に押圧するなどの加圧処理を行った場合において、その一方向を方向Ａとし、方向Ａと同じ方向を方向Ｃｈ１、Ｃｈ１と直交する方向を方向Ｃｈ２とするとき、方向Ｃｈ１で隣接するチップ間のカーフ幅ＷＣｈ１（方向Ｃｈ２のダイシングによって形成されるカーフ幅）と方向Ｃｈ２で隣接するチップ間のカーフ幅ＷＣｈ２（方向Ｃｈ１のダイシングによって形成されるカーフ幅）とは異なることがあり得る。通常、カーフ幅ＷＣｈ１は、カーフ幅ＷＣｈ２よりも振れ幅が大きい傾向にある。カーフ幅ＷＣｈ１及びカーフ幅ＷＣｈ２と上記カーフ幅の条件との関係においては、カーフ幅ＷＣｈ１又はカーフ幅ＷＣｈ２のいずれか一方が上記カーフ幅の条件を満たせばよいが、ダブルダイをより確実に抑制する観点から、カーフ幅ＷＣｈ１及びカーフ幅ＷＣｈ２の両方が上記カーフ幅の条件を満たすことが好ましい。
　ブレードダイシングによって切断体２０の粘着剤層３に形成されるカーフ幅は、例えば、１０μｍ以上、１３μｍ以上、１５μｍ以上、又は１７μｍ以上であってよい。カーフ幅が１０μｍ以上であると、ダブルダイを抑制できる傾向にあり、１３μｍ以上であると、より確実にダブルダイを抑制できる傾向にある。カーフ幅の上限は、特に制限されないが、例えば、５０μｍ以下とすることができる。
　ブレード幅は、１０～５０μｍであってよく、１０～３０μｍ又は１０～２５μｍであってもよい。このような比較的幅の狭いブレードを用いた場合であっても、ダブルダイをより充分に抑制することができる。なお、ブレード幅は、例えば、シリコンウェハの切り込みから光学顕微鏡を用いて求められる実測値を適用することができる。実測値の測定方法は、例えば、実施例に記載の方法であってよい。
　ダイシング後、粘着剤層３に対して活性エネルギー線を照射することなく、図４（ｄ）に示されるように、常温又は冷却条件下において基材層１をエキスパンドすることによってチップＳを互いに離間させつつ、ピン４２で突き上げることによって粘着剤層３から接着剤片５Ｐを剥離させるとともに、ＤＡＦ８を吸引コレット４４で吸引してピックアップする。
　図６、図７、及び図８を参照しながら、半導体装置１００の製造方法について具体的に説明する。まず、図６に示すように、接着剤片５Ｐを介して一段目のチップＳ１（チップＳ）を基板７０の所定の位置に圧着する。次に、加熱によって接着剤片５Ｐを硬化させる。これにより、接着剤片５Ｐが硬化して硬化物５Ｃとなる。接着剤片５Ｐの硬化処理は、ボイドの低減の観点から、加圧雰囲気下で実施してもよい。
　基板７０に対するチップＳ１のマウントと同様にして、チップＳ１の表面上に二段目のチップＳ２をマウントする。更に、三段目及び四段目のチップＳ３，Ｓ４をマウントすることによって図７に示す構造体６０が作製される。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と基板７０とをワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４で電気的に接続した後（図８参照）、封止層５０によって半導体素子及びワイヤを封止することによって図３に示す半導体装置１００が完成する。
　以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、基材層１と、粘着剤層３と、接着剤層５とをこの順序で備えるフィルム１０を例示したが、接着剤層５を備えない態様であってもよい。また、フィルム１０は、接着剤層５を覆うカバーフィルム（不図示）を更に備えてもよい。
　以下、本開示について、実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、特に記述がない限り、薬品は全て試薬を使用した。
＜製造例１＞
［アクリル系樹脂（Ａ－１）の合成］
　スリーワンモータ、撹拌翼、及び窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍＬのフラスコに以下の成分を入れた。
・酢酸エチル（溶剤）：６３５質量部
・２－エチルヘキシルアクリレート：３９５質量部
・２－ヒドロキシエチルアクリレート：１００質量部
・メタクリル酸：５質量部
・アゾビスイソブチロニトリル：０．０８質量部
　充分に均一になるまで内容物を撹拌した後、流量５００ｍＬ／分にて６０分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。１時間かけて７８℃まで昇温し、昇温後６時間重合させた。次に、スリーワンモータ、撹拌翼、及び窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍＬの加圧釜に反応溶液を移し、１２０℃、０．２８ＭＰａの条件にて４．５時間加温後、室温（２５℃、以下同様）に冷却した。
　次に酢酸エチルを４９０質量部加えて撹拌し、内容物を希釈した。これに、ウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを０．１０質量部添加した後、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工株式会社製、カレンズＭＯＩ（商品名））を４８．６質量部加え、７０℃で６時間反応させた後、室温に冷却した。次いで、酢酸エチルをさらに加え、アクリル系樹脂溶液中の不揮発分含有量が３５質量％となるよう調整し、製造例１の連鎖重合可能な官能基を有するアクリル系樹脂（Ａ－１）を含む溶液を得た。
　上記のようにして得たアクリル系樹脂（Ａ－１）を含む溶液を６０℃で一晩真空乾燥した。これによって得られた固形分を全自動元素分析装置（エレメンタール社製、商品名：ｖａｒｉｏＥＬ）にて元素分析し、導入された２－メタクリロキシエチルイソシアネートに由来する官能基の含有量を窒素含有量から算出したところ、０．５０ｍｍｏｌ／ｇであった。
　また、以下の装置を使用して、アクリル系樹脂（Ａ－１）のポリスチレン換算の重量平均分子量を求めた。すなわち、東ソー株式会社製ＳＤ－８０２２／ＤＰ－８０２０／ＲＩ－８０２０を使用し、カラムには日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ａ１５０－Ｓ／ＧＬ－Ａ１６０－Ｓを用い、溶離液にテトラヒドロフランを用いてＧＰＣ測定を行った。その結果、ポリスチレン換算の重量平均分子量は８０万であった。ＪＩＳ　Ｋ００７０に記載の方法に準拠して測定した水酸基価及び酸価は５６．１ｍｇＫＯＨ／ｇ及び６．５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。これらの結果を表１にまとめて示す。
＜製造例２＞
［アクリル系樹脂（Ａ－２）の合成］
　表１の製造例１に示す原料モノマー組成を、表１の製造例２に示す原料モノマー組成に変更した以外は、製造例１と同様の手法で製造例２のアクリル系樹脂（Ａ－２）を含む溶液を得た。製造例２のアクリル系樹脂（Ａ－２）の性状の測定結果を表１に示す。
＜製造例３＞
［アクリル系樹脂（Ａ－３）の合成］
　表１の製造例１に示す原料モノマー組成を、表１の製造例３に示す原料モノマー組成に変更した以外は、製造例１と同様の手法で製造例３のアクリル系樹脂（Ａ－３）を含む溶液を得た。製造例３のアクリル系樹脂（Ａ－３）の性状の測定結果を表１に示す。
＜製造例４＞
［アクリル系樹脂（Ａ－４）の合成］
　表１の製造例１に示す原料モノマー組成を、表１の製造例４に示す原料モノマー組成に変更した以外は、製造例１と同様の手法で製造例２のアクリル系樹脂（Ａ－４）を含む溶液を得た。製造例４のアクリル系樹脂（Ａ－４）の性状の測定結果を表１に示す。
＜製造例５＞
［アクリル系樹脂（Ａ－５）の合成］
　表１の製造例１に示す原料モノマー組成を、表１の製造例５に示す原料モノマー組成に変更した以外は、製造例１と同様の手法で製造例５のアクリル系樹脂（Ａ－５）を含む溶液を得た。製造例５のアクリル系樹脂（Ａ－５）の性状の測定結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
＜実施例１＞
［ダイシングフィルム（粘着剤層）の作製］
　以下の成分を混合することで、活性エネルギー線硬化型粘着剤のワニス（粘着剤層形成用のワニス）を調製した（表２参照）。酢酸エチル（溶剤）の量は、ワニスの総固形分含有量が２５質量％となるように調整した。
・製造例１のアクリル系樹脂（Ａ－１）を含む溶液：１００質量部（固形分）
・光重合開始剤（Ｂ－１）（１－ヒドロキシシクロヘキシル－フェニル－ケトン（チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア１８４、「イルガキュア」は登録商標）：１．０質量部
・架橋剤（Ｃ－１）（多官能イソシアネート（トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンとの反応物）、日本ポリウレタン工業株式会社製、コロネートＬ、固形分：７５％）：８．０質量部（固形分）
・酢酸エチル（溶剤）
　一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ３８μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて活性エネルギー線硬化型粘着剤のワニスを塗布した後、８０℃で５分間乾燥した。これによって、ポリエチレンテレフタレートフィルムと、その上に形成された厚さ３０μｍの粘着剤層とからなる積層体（ダイシングフィルム）を得た。
　一方の面にコロナ処理が施されたポリオレフィンフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ８０μｍ）を準備した。コロナ処理が施された面と、上記積層体の粘着剤層とを室温にて貼り合わせた。次いで、ゴムロールを一方向に動作させて押圧することで粘着剤層をポリオレフィンフィルム（カバーフィルム）に転写した。その後、室温で３日間放置することでカバーフィルム付きのダイシングフィルムを得た。
［ダイボンディングフィルム（接着剤層）の作製］
　以下の成分を混合することで、接着剤層形成用のワニスを調製した。まず、以下の成分を含む混合物に対して、シクロヘキサノン（溶剤）を加えて撹拌混合した後、更にビーズミルを用いて９０分混練した。
・エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ－７００－１０（商品名）、新日鉄住金化学株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１０、分子量：１２００、軟化点：８０℃）：１４質量部
・フェノール樹脂（ミレックスＸＬＣ－ＬＬ（商品名）、三井化学株式会社製、フェノール樹脂、水酸基当量：１７５、吸水率：１．８％、３５０℃における加熱重量減少率：４％）：２３質量部
・シランカップリング剤（ＮＵＣ　Ａ－１８９（商品名）株式会社ＮＵＣ製、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）：０．２質量部
・シランカップリング剤（ＮＵＣＡ－１１６０（商品名）、日本ユニカー株式会社製、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）：０．１質量部
・フィラー（ＳＣ２０５０－ＨＬＧ（商品名）、アドマテックス株式会社製、シリカ、平均粒径０．５００μｍ）：３２質量部
　上記のようにして得られた混合物に以下の成分をさらに加えた後、撹拌混合及び真空脱気の工程を経て接着剤層形成用のワニス（少なくとも反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含む接着剤組成物のワニス）を得た。
・エポキシ基含有アクリル共重合体（ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名）、ナガセケムテックス株式会社製、重量平均分子量８０万）：１６質量部
・硬化促進剤（キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ（商品名）、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、「キュアゾール」は登録商標）：０．１質量部
　一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３５μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて接着剤層形成用のワニスを塗布した後、１４０℃で５分間加熱乾燥した。これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルム（キャリアフィルム）と、その上に形成された厚さ２５μｍの接着剤層（Ｂステージ状態）とからなる積層体（ダイボンディングフィルム）を得た。
［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製］
　接着剤層とキャリアフィルムとからなるダイボンディングフィルムを、キャリアフィルムごと直径３３５ｍｍの円形にカットした。カットしたダイボンディングフィルムに、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離したダイシングフィルムを室温で貼付け後、室温で１日放置した。その後、直径３７０ｍｍの円形にダイシングフィルムをカットし、積層体を得た。このようにして得た積層体の接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域（粘着剤層の第１の領域）に以下のようにして紫外線を照射した。すなわち、パルスドキセノンランプを用いて７０Ｗ、３００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で部分的に紫外線を照射した。なお、紫外線の照射は、暗幕を用いてフィルムの中心から内径３１８ｍｍの部分に対して行った。このようにして、後述の種々の評価試験に供するための実施例１のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
［評価試験］
（カーフ幅の測定）
　実施例１のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムをウェハ（シリコン、直径１２インチ、厚さ５０μｍ）に８０℃で１０秒間加熱することによって貼り合せた。その後、以下のダイシング条件で所定サイズの四角形のチップが複数得られるように、上述の「ダイシングフィルム（粘着剤層）の作製」において、粘着剤層をポリオレフィンフィルム（カバーフィルム）に転写した際にゴムロールを動作させた方向と同じ方向に所定の間隔で切り込みを入れ、当該ゴムロールを動作させた方向と直交する方向に所定の間隔でさらに切り込みを入れて、複数の接着剤片付きチップに個片化した。
・ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製、ＤＦＤ－６３６１
・ブレード：ＤＩＳＣＯ社製、ＺＨ０５－ＳＤ４０００－Ｎ１－７０－ＢＢ
・ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
・ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓ
・粘着剤層の表面から基材層への切り込み深さ：２０μｍ
・カットモード：ダウンカット
・チップサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ
　個片化されたウェハにおいて、上述の「ダイシングフィルム（粘着剤層）の作製」において、粘着剤層をポリオレフィンフィルム（カバーフィルム）に転写した際にゴムロールを動作させた方向を方向Ｃｈ１、Ｃｈ１と直交する方向を方向Ｃｈ２とし、光学顕微鏡を用いて、方向Ｃｈ１で隣接するチップ間のカーフ幅ＷＣｈ１及び方向Ｃｈ２で隣接するチップ間のカーフ幅ＷＣｈ２を測定した。測定においては、測定箇所を３箇所とし、これらの平均値をカーフ幅として求めた。結果を表２に示す。
（ブレード幅の測定）
　実施例１のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを厚さ４００μｍのウェハに８０℃で１０秒間加熱することによって貼り合せた。その後、ウェハの表面から接着剤層への切り込み深さを１００μｍとし、上述のカーフ幅の測定のダイシング条件と同じ条件で切り込みを１回入れた。次いでこの切り込みに対して直交するようにウェハを切断し、得られた切断における切断面を観察した。ダイシングの最下部から２０μｍの高さの位置の幅をブレード幅として測定した。ブレード幅は、２０．８μｍであった。評価試験では、この値をブレード幅として、ブレード幅に対するカーフ幅の比率の算出に用いた。
（ブレード幅に対するカーフ幅の比率の算出）
　得られたカーフ幅及びブレード幅から、ブレード幅に対するカーフ幅の比率を算出した。結果を表２に示す。
＜実施例２～１１及び比較例１、２＞
　表２の実施例１に示す粘着剤層の組成及び紫外線照射量を、表２、表３、及び表４の各実施例及び各比較例に示す粘着剤層の組成及び紫外線照射量に変更し、表２の実施例１に示すダイシング条件を、表２、表３、及び表４の各実施例及び各比較例に示すダイシング条件に変更した以外は、実施例１と同様にして、評価試験を行った。なお、光重合開始剤（Ｂ－２）は、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］－フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン（チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア１２７、「イルガキュア」は登録商標）である。結果を表２、表３、及び表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表２、表３、及び表４に示すとおり、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有し、（メタ）アクリル系樹脂における官能基の含有量が、０．４ｍｍｏｌ／ｇ以上である実施例１～１１のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム用いた場合は、カーフ幅がブレード幅に対して７５％以上であったのに対して、これらの要件を満たさない比較例１、２のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた場合は、カーフ幅がブレード幅に対して７５％未満であった。これらの結果から、本開示のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが、幅の狭いブレードを用いた場合であっても、カーフ幅を充分に確保することが可能であることが確認された。
１…基材層、３…粘着剤層、３ａ…第１の領域、３ｂ…第２の領域、５…接着剤層、５Ｐ…接着剤片、５Ｃ…硬化物、８…ＤＡＦ、１０…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム（フィルム）、２０…切断体、４２…ピン、４４…吸引コレット、５０…封止層、６０…構造体、７０…基板、１００…半導体装置、ＤＲ…ダイシングリング、Ｆ１…第１の面、Ｆ２…第２の面、Ｒｗ…領域、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ…チップ、Ｗ…ウェハ、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…ワイヤ、ＷＣｈ１，ＷＣｈ２…カーフ幅。

Claims (10)

  1. 　基材層と、前記基材層と対面する第１の面及び前記第１の面の反対側の第２の面を有する、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、前記粘着剤層の前記第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する第１の工程と、
    　前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層に対してウェハを貼るとともに、前記粘着剤層の前記第２の面に対してダイシングリングを貼る第２の工程と、
    　ブレードを用いたブレードダイシングによって、前記接着剤層及び前記粘着剤層とともに、前記ウェハを複数のチップに個片化して切断体を形成する第３の工程と、
    　前記接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともに、前記チップを前記切断体の前記粘着剤層からピックアップする第４の工程と、
    　前記接着剤片を介して前記チップを、基板又は他のチップ上にマウントする第５の工程と、
    を備え、
    　前記粘着剤層は、前記接着剤層における前記ウェハが貼り付けられる領域に対応する第１の領域と、前記ダイシングリングが貼り付けられる第２の領域とを有し、
    　前記第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、前記第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域であり、
    　前記第３の工程において、前記ブレードダイシングによって前記切断体の前記粘着剤層に形成されるカーフの幅が、前記ブレードの幅に対して７５％以上である、
    　半導体装置の製造方法。
  2. 　前記ブレードの幅が１０～５０μｍである、
    　請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 　前記複数のチップは、正方形又は長方形の形状を有し、かつ面積２００ｍｍ２以下である、
    　請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 　基材層と、
    　前記基材層と対面する第１の面及び前記第１の面の反対側の第２の面を有する、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、
    　前記第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層と、
    を備え、
    　前記粘着剤層は、前記接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域を少なくとも含む第１の領域と、前記第１の領域を囲むように位置する第２の領域とを有し、
    　前記第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、前記第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域であり、
    　前記活性エネルギー線硬化型粘着剤が、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂を含み、
    　前記官能基が、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種であり、
    　前記（メタ）アクリル系樹脂における前記官能基の含有量が、０．４ｍｍｏｌ／ｇ以上である、
    　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  5. 　前記活性エネルギー線硬化型粘着剤が、架橋剤をさらに含み、
    　前記活性エネルギー線硬化型粘着剤の全質量に対する前記架橋剤の含有量が、０．１～１５質量％である、
    　請求項４に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  6. 　前記架橋剤が、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に３つ以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとの反応物である、
    　請求項５に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  7. 　前記接着剤層が、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含む接着剤組成物からなる、
    　請求項４～６のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  8. 　ウェハを面積２００ｍｍ２以下の複数のチップに個片化する工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用される、
    　請求項４～７のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  9. 　請求項４～８のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法であって、
    　基材層の表面上に、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、前記粘着剤層の表面上に形成された前記接着剤層とを含む積層体を作製する工程と、
    　前記積層体に含まれる前記粘着剤層の前記第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、
    をこの順に備える、
    　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法。
  10. 　請求項４～８のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法であって、
    　基材層の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層を形成する工程と、
    　前記粘着剤層の前記第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、
    　前記活性エネルギー線を照射した後の前記粘着剤層の表面上に前記接着剤層を積層する工程と、
    をこの順に備える、
    　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法。
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