WO2021095369A1 - ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 Download PDF

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dicing
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meth
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尚弘 木村
修一 森
強 田澤
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昭和電工マテリアルズ株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to a dicing / die bonding integrated film and a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a semiconductor device.
  • the dicing step is carried out with the adhesive film for dicing attached to the wafer.
  • an expanding step, a picking step, a mounting step, a die bonding step and the like are carried out.
  • a film called a dicing / die bonding integrated film is used in the manufacturing process of semiconductor devices.
  • This film has a structure in which a base material layer, an adhesive layer, and an adhesive layer are laminated in this order, and is used, for example, as follows.
  • the surface on the adhesive layer side is attached to the wafer, and the wafer is diced with the wafer fixed by the dicing ring. As a result, the wafer is fragmented into a plurality of chips.
  • the adhesive layer is weakened by irradiating the adhesive layer with active energy rays to weaken the adhesive force of the adhesive layer against the adhesive layer, and then the adhesive is attached to the chip together with the adhesive piece in which the adhesive layer is individualized. Pick up from the layer.
  • the semiconductor device is manufactured through a step of mounting the chip on a substrate or the like via an adhesive piece.
  • a laminate composed of a chip obtained through a dicing step and an adhesive piece attached to the chip is called DAF (Die Attach Film).
  • the pressure-sensitive adhesive layer (dying film) whose adhesive strength is weakened by irradiation with active energy rays is called an active energy ray-curable type.
  • a pressure-sensitive adhesive layer in which the adhesive strength remains constant without being irradiated with active energy rays in the manufacturing process of a semiconductor device is called a pressure-sensitive type.
  • the dicing / die bonding integrated film provided with the pressure-sensitive adhesive layer does not require a process of irradiating active energy rays for the user (mainly a semiconductor device manufacturer), and does not require equipment for this purpose. There is a merit that there is.
  • Patent Document 1 can be said to be an active energy ray-curable type in that the pressure-sensitive adhesive layer contains a component that is cured by active energy rays.
  • a dicing die that can be said to be a pressure-sensitive type in that the active energy ray is irradiated in advance only on a predetermined portion of the pressure-sensitive adhesive layer, and the user does not need to irradiate the active energy ray in the manufacturing process of the semiconductor device.
  • a bonding integrated film is disclosed.
  • the pressure-sensitive adhesive layer of a dicing-die bonding integrated film is required to have a low adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer. If the adhesive strength is too high, a pickup error may occur in the chip pick-up process, and the yield may decrease.
  • the present inventors have reduced the size of the chip to be produced by dicing (for example, an area of 0.1 to 9 mm 2 in a plan view), and the pick-up property of the chip is between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer. It has been found that the adhesive force is not necessarily dominant, and the peeling of the edge of the chip from the pressure-sensitive adhesive layer (hereinafter referred to as "edge peeling") is the dominant factor of the pick-up property.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is cured in advance before the dicing process, there is no such effect because it is not necessary to carry out the step of irradiating the active energy rays, but at the interface of the adhesive layer due to curing shrinkage of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the anchor effect may increase the edge peeling strength.
  • the present inventors have described the difference between the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation with the active energy ray and the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer after irradiation with the active energy ray (in other words, the non-irradiated portion of the active energy ray). It is considered that the edge peeling strength can be reduced by adjusting the adhesive force of the adhesive layer and the adhesive force of the adhesive layer of the irradiated portion of the active energy ray), and the dying has excellent pick-up property. Worked on the development of die bonding integrated film.
  • the present disclosure is applicable to a manufacturing process of a semiconductor device including a step of individualizing a wafer into a plurality of small chips (area 0.1 to 9 mm 2), and includes an adhesive layer having excellent pick-up property.
  • the main purpose is to provide a dicing / die bonding integrated film and a method for producing the same.
  • One aspect of the present disclosure relates to a dicing / die bonding integrated film.
  • This film has a base material layer, a first surface facing the base material layer, and a pressure-sensitive adhesive layer made of an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive having a second surface opposite to the first surface, and a first layer. It is provided with an adhesive layer provided so as to cover the central portion of the second surface.
  • the pressure-sensitive adhesive layer has a first region including at least a region corresponding to the bonding position of the wafer in the adhesive layer, and a second region located so as to surround the first region, and the first region is , This is a region in which the adhesive strength is reduced as compared with the second region by irradiation with active energy rays.
  • the adhesive strength of the first region of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to the adhesive layer measured under the conditions of a peeling angle of 30 ° and a peeling speed of 60 mm / min at a temperature of 23 ° C. is f1 (N / 25 mm), temperature.
  • the adhesive force of the second region of the adhesive layer with respect to the adhesive layer measured under the conditions of a peeling angle of 30 ° and a peeling speed of 60 mm / min at 23 ° C. is f2 (N / 25 mm), f2 and f1
  • the difference (f2-f1) is 6.5 to 9.0 N / 25 mm.
  • This film is applied to a manufacturing process of a semiconductor device including a step of fragmenting a wafer into a plurality of chips having an area of 0.1 to 9 mm 2.
  • f2 and f1 may be 7.0 to 9.0 N / 25 mm.
  • f1 adheresive strength of the first region to the adhesive layer, measured under conditions of a peeling angle of 30 ° and a peeling speed of 60 mm / min at a temperature of 23 ° C.
  • it may be 1.1 to 4.5 N / 25 mm or 1.1 to 3.0 N / 25 mm.
  • the adhesive strength of the second region of the pressure-sensitive adhesive layer to the stainless steel substrate may be 0.2 N / 25 mm or more from the viewpoint of suppressing ring peeling in the dicing step.
  • This adhesive strength means the peel strength measured under the conditions of a peeling angle of 90 ° and a peeling speed of 50 mm / min at a temperature of 23 ° C.
  • the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may further contain a cross-linking agent.
  • a cross-linking agent When such a cross-linking agent is further contained, the content of the cross-linking agent with respect to the total mass of the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may be 0.1 to 15% by mass.
  • the cross-linking agent may be a reaction product of a polyfunctional isocyanate having two or more isocyanate groups in one molecule and a polyhydric alcohol having three or more hydroxy groups in one molecule.
  • the adhesive layer may consist of an adhesive composition containing a reactive group-containing (meth) acrylic copolymer, a curing accelerator, and a filler.
  • One aspect of the present disclosure relates to a method for manufacturing a dicing / die bonding integrated film.
  • This production method includes a step of producing a laminate containing an adhesive layer made of an active energy ray-curable adhesive and an adhesive layer formed on the surface of the adhesive layer on the surface of the base material layer. In this order, a step of irradiating a region to be a first region of the pressure-sensitive adhesive layer contained in the laminated body with active energy rays is provided.
  • an adhesive layer that can be applied to a manufacturing process of a semiconductor device including a step of individualizing a wafer into a plurality of small chips (area 0.1 to 9 mm 2) and has excellent pick-up property.
  • a dicing / die bonding integrated film comprising the above and a method for producing the same are provided. Further, according to the present disclosure, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device using such a dicing / die bonding integrated film.
  • FIG. 1A is a plan view showing an embodiment of a dicing / diebonding integrated film
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along line BB shown in FIG. 1A. is there.
  • FIG. 2 is a schematic view showing a state in which a dicing ring is attached to the peripheral edge of the adhesive layer of the dicing / die bonding integrated film and a wafer is attached to the surface of the adhesive layer.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing how the 30 ° peel strength of the pressure-sensitive adhesive layer with respect to the pressure-sensitive adhesive layer is measured.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of a semiconductor device.
  • FIG. 5 (a), 5 (b), 5 (c), and 5 (d) are cross-sectional views schematically showing a process of manufacturing a DAF (a laminate of chips and adhesive pieces).
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 9 (a), 9 (b), and 9 (c) are cross-sectional views schematically showing a step of measuring the edge peeling strength.
  • FIG. 10 is a graph showing an example of the relationship between the displacement (mm) due to pushing and the pushing force (N).
  • FIG. 11 is a plan view schematically showing a state in which a mark is added at a position corresponding to the central portion of the chip to be measured.
  • (meth) acrylic means acrylic or methacrylic, as well as other similar expressions such as (meth) acrylate.
  • FIG. 1A is a plan view showing a dicing / diebonding integrated film according to the present embodiment
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line BB of FIG.
  • the dicing / die bonding integrated film 10 (hereinafter, in some cases, simply referred to as “film 10”) is a step of separating the wafer W into a plurality of chips having an area of 0.1 to 9 mm 2 (and subsequent pick-up). It can be used in a manufacturing process of a semiconductor device including a step) (see FIGS. 5 (c) and 5 (d)).
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 has a first region 3a including at least a region Rw corresponding to a bonding position of the wafer W in the adhesive layer 5, and a second region 3b located so as to surround the first region 3a. ..
  • the broken lines in FIGS. 1 (a) and 1 (b) indicate the boundary between the first region 3a and the second region 3b.
  • the first region 3a and the second region 3b are composed of the same composition (active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive) before irradiation with active energy rays.
  • the first region 3a is a region in which the adhesive strength is reduced as compared with the second region 3b by being irradiated with the active energy rays.
  • the adhesive force of the first region 3a of the adhesive layer 3 to the adhesive layer 5 is f1 (N / 25 mm), and the adhesive force of the second region 3b of the adhesive layer 3 to the adhesive layer 5 is f2 (N / 25 mm). ),
  • the difference (f2-f1) between f2 and f1 is 6.5 to 9.0 N / 25 mm, and may be 7.0 to 9.0 N / 25 mm.
  • f1 and f2 are 30 ° peel intensities measured under the conditions of a peeling angle of 30 ° and a peeling speed of 60 mm / min at a temperature of 23 ° C.
  • FIG. 3 is a cross section schematically showing how the 30 ° peel strength of the adhesive layer 3 is measured with the adhesive layer 5 of the measurement sample (width 25 mm ⁇ length 100 mm) fixed to the support plate 80. It is a figure.
  • FIG. 3 may show that f1 is being measured.
  • the second region 3b of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is a region in the same state as the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation with active energy rays, and can be said to be a region not irradiated with active energy rays. Therefore, f2 can be measured by replacing the pressure-sensitive adhesive layer 3 in FIG. 3 with a pressure-sensitive adhesive layer 3 that does not have the first region 3a.
  • the film 10 can also be suitably used in a manufacturing process of a semiconductor device including a step of fragmenting a wafer into a plurality of small chips having an area of 0.1 to 9 mm 2 (and a step of picking up the wafer thereafter). It can.
  • the present inventors have focused on the difference between the pickup behavior of a small chip having a size of 3 mm ⁇ 3 mm or less (area 9 mm 2 or less) and the pickup behavior of a large chip having a size of, for example, about 8 mm ⁇ 6 mm.
  • the difference (f2-f1) between the adhesive force of the second region 3b of the adhesive layer 3 with respect to the adhesive layer 5 and the adhesive force of the first region 3a of the adhesive layer 3 with respect to the adhesive layer 5 is 6 It was specified to be .5-9.0 N / 25 mm.
  • the present inventors have previously found that edge peeling is a dominant factor in pick-up property in small chips, and that the main cause of an increase in edge peeling strength is hardening shrinkage (f2-f1). It was further found that by setting the thickness to 6.5 to 9.0 N / 25 mm, curing shrinkage can be suppressed and excellent pick-up property from the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be achieved. This makes it possible to manufacture a semiconductor device with a sufficiently high yield by using the film 10.
  • the adhesive force (f1) of the first region 3a of the adhesive layer 3 to the adhesive layer 5 may be, for example, 1.1 to 4.5 N / 25 mm or 1.1 to 3.0 N / 25 mm.
  • f1 may be 1.2N / 25mm or more, 1.5N / 25mm or more, or 2.0N / 25mm or more, 4.0N / 25mm or less, 3.7N / 25mm or less, 3.5N / 25mm or less. It may be 3.2 N / 25 mm or less, or 3.0 N / 25 mm or less.
  • the edge portion of the DAF tends to be difficult to peel off, and the chip is excessively deformed, and cracks or pickup mistakes are likely to occur.
  • the lower limit of the adhesive force of the first region 3a with respect to the adhesive layer 5 does not excessively reduce the adhesive force before irradiation with the active energy ray. This makes it easier for the edge portion of the DAF to peel off even with a small chip.
  • the adhesive force of the first region 3a to the adhesive layer 5 is excessively high, the pick-up property tends to decrease.
  • the upper limit of the adhesive force of the first region 3a with respect to the adhesive layer 5 reduces the adhesive force before irradiation with the active energy ray to the extent that excellent pick-up property is exhibited. It can be said that it is a thing.
  • the content of chain-growth-polymerizable functional groups in the (meth) acrylic resin (content of the functional group-introduced compound), the content of the cross-linking agent in the pressure-sensitive adhesive layer, and the irradiation amount of active energy rays.
  • other resins acrylic monomer or oligomer, urethane monomer or oligomer, etc.
  • tackifier tack fire, etc.
  • the adhesive strength of the second region 3b of the pressure-sensitive adhesive layer 3 to the stainless steel substrate may be 0.2 N / 25 mm or more. This adhesive strength is a 90 ° peel strength measured under the conditions of a peeling angle of 90 ° and a peeling speed of 50 mm / min at a temperature of 23 ° C. When this adhesive force is 0.2 N / 25 mm or more, peeling of the ring during dicing can be sufficiently suppressed.
  • the adhesive strength of the second region 3b of the pressure-sensitive adhesive layer 3 to the stainless steel substrate may be 0.25 N / 25 mm or more or 0.3 N / 25 mm or more, 2.0 N / 25 mm or less, 1.0 N / 25 mm or less. , 0.8N / 25mm or less, or 0.6N / 25mm or less.
  • the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation with the active energy ray is composed of, for example, an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive containing a (meth) acrylic resin, a photopolymerization initiator, and a cross-linking agent.
  • the second region 3b, which is not irradiated with the active energy rays, may have the same composition as the pressure-sensitive adhesive layer before the irradiation with the active energy rays.
  • the components contained in the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive will be described in detail.
  • It may be / g or less, 0.6 mmol / g or less, or 0.5 mmol / g or less.
  • the content of the functional group is 0.1 mmol / g or more, it tends to easily form a region (first region 3a) in which the adhesive strength is appropriately reduced by irradiation with active energy rays, while 1.
  • it is 2 mmol / g or less, it tends to be easy to achieve excellent pick-up property.
  • the monomer used when synthesizing the (meth) acrylic resin is not particularly limited as long as it has one (meth) acryloyl group in one molecule. Specific examples thereof include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, and isoamyl (meth) acrylate.
  • Meta acrylate, these caprolactone modified products, ⁇ -carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -ethylglycidyl (meth) acrylate, ⁇ -propyl glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -butyl glycidyl (Meta) acrylate, 2-methylglycidyl (meth) acrylate, 2-ethylglycidyl (meth) acrylate, 2-propylglycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 3,4-epoxyheptyl ( Meta) acrylate, ⁇ -ethyl-6,7-epoxyheptyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate, o-vinylbenzyl glycidy
  • Examples thereof include compounds having an ethylenically unsaturated group and a hydroxyl group such as -2-hydroxypropyl (meth) acrylate and 2-hydroxybutyl (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the monomer for synthesizing a (meth) acrylic resin having a glycidyl group include glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -ethylglycidyl (meth) acrylate, ⁇ -propyl glycidyl (meth) acrylate, and ⁇ -butyl glycidyl (meth).
  • the (meth) acrylic resin synthesized from these monomers contains a functional group capable of chain polymerization.
  • the chain-growthable functional group is, for example, at least one selected from an acryloyl group and a methacryloyl group.
  • the functional group capable of chain polymerization is, for example, a (meth) acrylic resin having at least one functional group selected from a hydroxyl group, a glycidyl group (epoxide group), an amino group and the like synthesized as described above, and the following. By reacting a compound (functional group-introduced compound), it can be introduced into the (meth) acrylic resin.
  • the functional group-introduced compound examples include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate, methacryloylisocyanate, allylisocyanate, 1,1- (bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate; diisocyanate compound.
  • examples thereof include an acryloyl monoisocyanate compound obtained by reacting with acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the functional group-introduced compound may be 2-methacryloyloxyethyl isocyanate.
  • photoradical polymerization initiator examples include benzoinketals such as 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one; 1-hydroxycyclohexylphenylketone and 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane.
  • the content of the photopolymerization initiator in the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive is 0.1 to 30 parts by mass, 0.3 to 10 parts by mass, or 0.3 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the (meth) acrylic resin. It may be 0.5 to 5 parts by mass.
  • the content of the photopolymerization initiator is 0.1 parts by mass or more, the pressure-sensitive adhesive layer is sufficiently cured after irradiation with active energy rays, and pick-up defects tend to be less likely to occur.
  • the content of the photopolymerization initiator is 30 parts by mass or less, contamination on the adhesive layer (transfer of the photopolymerization initiator to the adhesive layer) tends to be prevented.
  • the cross-linking agent is used, for example, for the purpose of controlling the elastic modulus and / or the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the cross-linking agent may be a compound having two or more functional groups in one molecule capable of reacting with at least one functional group selected from the hydroxyl group, glycidyl group, amino group and the like possessed by the (meth) acrylic resin.
  • Examples of the bond formed by the reaction between the cross-linking agent and the (meth) acrylic resin include an ester bond, an ether bond, an amide bond, an imide bond, a urethane bond, and a urea bond.
  • Examples of the polyfunctional isocyanate having two or more isocyanate groups in one molecule include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, and 1,4-xylene diisocyanate.
  • the cross-linking agent may be a reaction product (isocyanate group-containing oligomer) of a polyfunctional isocyanate and a polyhydric alcohol having two or more hydroxy groups in one molecule.
  • examples of polyhydric alcohols having two or more hydroxy groups in one molecule include ethylene glycol, propylene glycol, butylene glycol, 1,6-hexanediol, 1,8-octanediol, and 1,9-nonanediol.
  • the cross-linking agent is a reaction product of a polyfunctional isocyanate having two or more isocyanate groups in one molecule and a polyhydric alcohol having three or more hydroxy groups in one molecule (isocyanate group-containing oligomer). It may be.
  • isocyanate group-containing oligomer As a cross-linking agent, the pressure-sensitive adhesive layer 3 forms a dense cross-linked structure, which sufficiently suppresses the pressure-sensitive adhesive from adhering to the adhesive layer 5 in the pick-up step. Tend to be able to.
  • the content of the cross-linking agent in the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive can be appropriately set according to the cohesive force required for the pressure-sensitive adhesive layer, the elongation at break, the adhesion to the adhesive layer, and the like.
  • the content of the cross-linking agent is, for example, 3 to 30 parts by mass, 4 to 15 parts by mass, or 7 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the (meth) acrylic resin. You can.
  • By setting the content of the cross-linking agent in the above range it is possible to achieve both the characteristics required for the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing step and the characteristics required for the pressure-sensitive adhesive layer in the die bonding step in a well-balanced manner, and it is excellent.
  • the pick-up property can also be achieved.
  • the content of the cross-linking agent is 3 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the content of the (meth) acrylic resin, the formation of the cross-linked structure is unlikely to be insufficient, and the interface adhesion with the adhesive layer is likely to occur in the pickup process. The force is sufficiently reduced and defects tend to be less likely to occur during pickup.
  • the content of the cross-linking agent is 30 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic resin content, the pressure-sensitive adhesive layer is unlikely to become excessively hard, and the chips tend to be difficult to peel off in the expanding step. It is in.
  • the content of the cross-linking agent with respect to the total mass of the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may be, for example, 0.1 to 15% by mass, 3 to 15% by mass, or 5 to 15% by mass.
  • the content of the cross-linking agent is 0.1% by mass or more, it is easy to form a region (first region 3a) in which the adhesive strength is appropriately reduced by irradiation with active energy rays, while the content is 15% by mass or less. Therefore, it tends to be easy to achieve excellent pick-up property.
  • Alcohols such as glycol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone, etc.
  • Carbonated esters such as ethylene carbonate and propylene carbonate; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol Polyhydric alcohol alkyl ethers such as dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether; ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono Polyhydric alcohol alkyl ether acetates such as butyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl
  • organic solvents are, for example, toluene, methanol, ethanol, isopropanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether from the viewpoint of solubility and boiling point.
  • the solid content concentration of the varnish is usually 10 to 60% by mass.
  • the base material layer 1 is not particularly limited as long as a known polymer sheet or film can be used and the expanding step can be carried out under low temperature conditions.
  • Specific examples of the base material layer 1 include polyolefins such as crystalline polypropylene, amorphous polypropylene, high-density polyethylene, medium-density polyethylene, low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, low-density linear polyethylene, polybutene, and polymethylpentene.
  • the base material layer 1 has a surface containing at least one resin selected from the group consisting of polyethylene, polypropylene, polyethylene-polypropylene random copolymer, and polyethylene-polypropylene block copolymer as a main component, and the surface thereof. It may be in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 3. These resins can be good base materials from the viewpoints of Young's modulus, stress relaxation property, characteristics such as melting point, price, and recycling of waste materials after use.
  • the base material layer 1 may be a single layer, and may have a multilayer structure in which layers made of different materials are laminated, if necessary. From the viewpoint of controlling the adhesion to the pressure-sensitive adhesive layer 3, the surface of the base material layer 1 may be subjected to a surface roughness treatment such as a matte treatment or a corona treatment.
  • the adhesive composition constituting the adhesive layer 5 may contain a reactive group-containing (meth) acrylic copolymer, a curing accelerator, and a filler. According to the adhesive layer 5 containing these components, the adhesiveness between chips / substrates and between chips / chips is excellent, electrode embedding property, wire embedding property, etc. can be imparted, and the die bonding process is performed at a low temperature. It tends to have characteristics such as being able to adhere and being able to obtain excellent curing in a short time, and having excellent reliability after being molded with a sealing agent.
  • the reactive group-containing (meth) acrylic copolymer may be, for example, an epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer.
  • the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer may be a copolymer obtained by using glycidyl (meth) acrylate as a raw material in an amount of 0.5 to 6% by mass with respect to the obtained copolymer.
  • glycidyl (meth) acrylate When the content of glycidyl (meth) acrylate is 0.5% by mass or more, high adhesive strength can be easily obtained, while when it is 6% by mass or less, gelation tends to be suppressed.
  • the monomer constituting the remainder of the reactive group-containing (meth) acrylic copolymer is, for example, an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms such as methyl (meth) acrylate, styrene, acrylonitrile, or the like. It's okay.
  • the monomer constituting the remainder of the reactive group-containing (meth) acrylic copolymer may be ethyl (meth) acrylate and / or butyl (meth) acrylate.
  • the mixing ratio can be adjusted in consideration of the Tg of the reactive group-containing (meth) acrylic copolymer. When the Tg is ⁇ 10 ° C.
  • the glass transition point (Tg) of the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer may be, for example, 30 ° C. or lower.
  • the polymerization method is not particularly limited, and examples thereof include pearl polymerization and solution polymerization. Examples of commercially available epoxy group-containing (meth) acrylic copolymers include HTR-860P-3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation).
  • the weight average molecular weight of the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer may be 100,000 or more, and may be 300,000 to 3,000,000 or 500,000 to 2,000,000 from the viewpoint of adhesiveness and heat resistance. When the weight average molecular weight is 3 million or less, it is possible to suppress a decrease in the filling property between the chip and the substrate supporting the chip.
  • the weight average molecular weight is a polystyrene-equivalent value using a calibration curve made of standard polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).
  • the curing accelerator examples include tertiary amines, imidazoles, quaternary ammonium salts and the like.
  • Specific examples of the curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimerite. One of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • the filler may be an inorganic filler.
  • the inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, and boron nitride.
  • examples include crystalline silica and amorphous silica. One of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • Examples of the epoxy resin curing agent include a phenol resin obtained by reacting a phenol compound with a xylylene compound which is a divalent linking group in the presence of a catalyst or an acid catalyst.
  • Examples of the phenolic compound used for producing the phenolic resin include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, p-ethylphenol, on-propylphenol, and mn-propyl.
  • phenol compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • the xylylene compound which is a divalent linking group used in the production of a phenol resin the following xylylene halides, xylylene diglycols and derivatives thereof can be used. That is, specific examples of the xylene compound include ⁇ , ⁇ '-dichloro-p-xylene, ⁇ , ⁇ '-dichloro-m-xylene, ⁇ , ⁇ '-dichloro-o-xylene, ⁇ , ⁇ '-dibromo-.
  • Acids Super-strong acids such as trifluoromethanesulfonic acid; Strongly acidic ion exchange resins such as alcan sulfonic acid type ion exchange resin; Super strong acid ion exchange resins such as perfluoroalkane sulfonic acid type ion exchange resin (trade name) : Nafion, Nafion, manufactured by Du Pont, "Nafion” is a registered trademark); natural and synthetic zeolites; xylylene which is a substantially raw material at 50 to 250 ° C. using an acidic catalyst such as active white clay (acidic white clay).
  • a phenol resin can be obtained by reacting until the compound disappears and the reaction composition becomes constant.
  • the reaction time can be appropriately set depending on the raw material and the reaction temperature, for example, about 1 hour to 15 hours, and can be determined while tracking the reaction composition by GPC (gel permeation chromatography) or the like. ..
  • the thickness of the adhesive layer 5 may be, for example, 1 to 300 ⁇ m, 5 to 150 ⁇ m, or 10 to 100 ⁇ m. When the thickness of the adhesive layer 5 is 1 ⁇ m or more, the adhesiveness tends to be more excellent, while when the thickness of the adhesive layer 5 is 300 ⁇ m or less, the splitting property and the pick-up property at the time of expanding tend to be more excellent.
  • the method for producing the film 10 is to: on the surface of the base material layer 1 a pressure-sensitive adhesive layer made of an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by irradiation with active energy rays, and on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • a step of producing a laminated body including the adhesive layer 5 formed in the above, and a step of irradiating a region to be a first region 3a of the pressure-sensitive adhesive layer contained in the laminated body with active energy rays are provided in this order. ..
  • the dose of the active energy ray to the area to be the first region 3a is, for example, 10 ⁇ 1000mJ / cm 2, 100 ⁇ 700mJ / cm 2, or 200 to be a 500 mJ / cm 2.
  • a laminate of the pressure-sensitive adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer 5 is first produced, and then a specific region of the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with active energy rays.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 100 shown in this figure includes a substrate 70, four chips S1, S2, S3, S4 laminated on the surface of the substrate 70, electrodes (not shown) on the surface of the substrate 70, and four chips.
  • a wire W1, W2, W3, W4 for electrically connecting S1, S2, S3, and S4, and a sealing layer 50 for sealing these are provided.
  • the substrate 70 is, for example, an organic substrate and may be a metal substrate such as a lead frame.
  • the thickness of the substrate 70 may be, for example, 70 to 140 ⁇ m or 80 to 100 ⁇ m from the viewpoint of suppressing the warp of the semiconductor device 100.
  • the four chips S1, S2, S3, and S4 are laminated via the cured product 5C of the adhesive piece 5P.
  • the shapes of the chips S1, S2, S3, and S4 in a plan view are, for example, square or rectangular.
  • the area of the chips S1, S2, S3, S4 is 0.1 to 9 mm 2 , and may be 0.1 to 4 mm 2 or 0.1 to 2 mm 2.
  • the length of one side of the chips S1, S2, S3, and S4 may be, for example, 0.1 to 3 mm, 0.1 to 2 mm, or 0.1 to 1 mm.
  • the thickness of the chips S1, S2, S3, S4 may be, for example, 10 to 170 ⁇ m or 25 to 100 ⁇ m.
  • the length of one side of the four chips S1, S2, S3, and S4 may be the same or different from each other, and the thickness is also the same.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 100 includes the step of preparing the film 10 described above, attaching the wafer W to the adhesive layer 5 of the film 10, and dicing ring DR on the second surface F2 of the adhesive layer 3.
  • the adhesive layer 3 includes a step of attaching the wafer W, a step of separating the wafer W into a plurality of chips S (dicing step), and a DAF8 (a laminate of the chip S1 and the adhesive piece 5P, see FIG. 5D).
  • a step of picking up from the first region 3a of the above and a step of mounting the chip S1 on the substrate 70 via the adhesive piece 5P are provided.
  • the above-mentioned film 10 is prepared. As shown in FIGS. 5A and 5B, the film 10 is attached so that the adhesive layer 5 is in contact with one surface of the wafer W. Further, the dicing ring DR is attached to the second surface F2 of the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • the wafer W is fragmented into chips S.
  • the adhesive layer 5 is also individualized to become an adhesive piece 5P.
  • Examples of the dicing method include a method using a dicing blade or a laser.
  • the wafer W may be thinned by grinding the wafer W prior to dicing the wafer W.
  • the adhesive layer 3 is separated from each other by expanding the base material layer 1 under normal temperature or cooling conditions as shown in FIG. 5D without irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 3 with active energy rays.
  • the adhesive piece 5P is peeled from the adhesive layer 3 by pushing it up with the pin 42, and the DAF 8 is sucked and picked up by the suction collet 44.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 100 will be specifically described with reference to FIGS. 6, 7, and 8.
  • the first-stage chip S1 (chip S) is crimped to a predetermined position on the substrate 70 via the adhesive piece 5P.
  • the adhesive piece 5P is cured by heating.
  • the adhesive piece 5P is cured to become a cured product 5C.
  • the curing treatment of the adhesive piece 5P may be carried out in a pressurized atmosphere from the viewpoint of reducing voids.
  • the second-stage chip S2 is mounted on the surface of the chip S1 in the same manner as the mounting of the chip S1 on the substrate 70. Further, the structure 60 shown in FIG. 7 is manufactured by mounting the third-stage and fourth-stage chips S3 and S4. After the chips S1, S2, S3, S4 and the substrate 70 are electrically connected by wires W1, W2, W3, W4 (see FIG. 8), the semiconductor element and the wire are sealed by the sealing layer 50. The semiconductor device 100 shown in 4 is completed.
  • the present invention is not limited to the above embodiments.
  • the film 10 including the base material layer 1, the pressure-sensitive adhesive layer 3, and the adhesive layer 5 in this order has been exemplified, but the film 10 may not include the adhesive layer 5. .. Further, the film 10 may further include a cover film (not shown) that covers the adhesive layer 5.
  • the solution containing the acrylic resin (A-1) obtained as described above was vacuum dried at 60 ° C. overnight.
  • the solid content thus obtained was elementally analyzed by a fully automatic elemental analyzer (manufactured by Elemental Co., Ltd., trade name: varioEL), and the content of the functional group derived from the introduced 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was nitrogen-containing. When calculated from the amount, it was 0.50 mmol / g.
  • the polystyrene-equivalent weight average molecular weight of the acrylic resin (A-1) was determined using the following device. That is, SD-8022 / DP-8020 / RI-8020 manufactured by Tosoh Corporation was used, Gelpack GL-A150-S / GL-A160-S manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd. was used for the column, and tetrahydrofuran was used as the eluent. GPC measurement was performed. As a result, the polystyrene-equivalent weight average molecular weight was 800,000. The hydroxyl value and acid value measured according to the method described in JIS K0070 were 56.1 mgKOH / g and 6.5 mgKOH / g. These results are summarized in Table 1.
  • Example 1 [Preparation of dicing film (adhesive layer)]
  • an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive varnish (varnish for forming a pressure-sensitive adhesive layer) was prepared (see Table 2).
  • the amount of ethyl acetate (solvent) was adjusted so that the total solid content of the varnish was 25% by mass.
  • a polyethylene terephthalate film (width 450 mm, length 500 mm, thickness 38 ⁇ m) with a mold release treatment on one surface was prepared.
  • a varnish of an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive was applied to the surface subjected to the mold release treatment using an applicator, and then dried at 80 ° C. for 5 minutes.
  • a laminate (dicing film) composed of a polyethylene terephthalate film and a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 30 ⁇ m formed on the polyethylene terephthalate film was obtained.
  • a varnish for forming an adhesive layer was prepared by mixing the following components. First, cyclohexanone (solvent) was added to the mixture containing the following components, and the mixture was stirred and mixed, and then kneaded for 90 minutes using a bead mill.
  • -Epoxy resin (YDCN-700-10 (trade name), manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd., cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent: 210, molecular weight: 1200, softening point: 80 ° C.): 14 parts by mass-phenol resin ( Millex XLC-LL (trade name), manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., phenol resin, hydroxyl group equivalent: 175, water absorption: 1.8%, heating weight reduction rate at 350 ° C: 4%): 23 parts by mass, silane coupling Agent (NUC A-189 (trade name) manufactured by NUC Co., Ltd., ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane): 0.2 parts by mass ⁇ silane coupling agent (NUCA-1160 (trade name) manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., ⁇ -Ureidopropyltriethoxysilane): 0.1 part by mass ⁇ Filler (SC2050-HLG
  • a varnish for forming an adhesive layer (at least with a reactive group-containing (meth) acrylic copolymer) is subjected to the steps of stirring and mixing and vacuum degassing. , A varnish of an adhesive composition containing a curing accelerator and a filler) was obtained.
  • HTR-860P-3 (trade name), manufactured by Nagase ChemteX Corporation, weight average molecular weight: 800,000): 16 parts by mass-curing accelerator (Curesol 2PZ-CN (trade name)) , Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, "Curesol” is a registered trademark) 0.1 parts by mass
  • a polyethylene terephthalate film (thickness 35 ⁇ m) with a mold release treatment on one surface was prepared.
  • a varnish for forming an adhesive layer was applied to the surface subjected to the mold release treatment using an applicator, and then heat-dried at 140 ° C. for 5 minutes.
  • a laminate (die bonding film) composed of a polyethylene terephthalate film (carrier film) and an adhesive layer (B stage state) having a thickness of 25 ⁇ m formed on the polyethylene terephthalate film (carrier film) was obtained.
  • a pulsed xenon lamp was used to partially irradiate ultraviolet rays at an irradiation amount of 70 W and 300 mJ / cm 2.
  • the irradiation of ultraviolet rays was performed on a portion having an inner diameter of 318 mm from the center of the film using a blackout curtain. In this way, a plurality of dicing / die bonding integrated films of Example 1 were obtained for use in various evaluation tests described later.
  • Example 2 A plurality of dicing / die bonding integrated films of Example 2 were obtained in the same manner as in Example 1 except that the irradiation amount of ultraviolet rays was changed from 300 mJ / cm 2 to 200 mJ / cm 2.
  • Example 3 A plurality of dicing / die bonding integrated films of Example 3 were obtained in the same manner as in Example 1 except that the irradiation amount of ultraviolet rays was changed from 300 mJ / cm 2 to 500 mJ / cm 2.
  • Example 4 The photopolymerization initiator (B-1) used in producing the dicing film was used as the photopolymerization initiator (B-2) (2-hydroxy-1- ⁇ 4- [4- (2-hydroxy-2-methyl)]. -Propionyl) -benzyl] -phenyl ⁇ -2-methyl-propane-1-one, manufactured by Tivas Specialty Chemicals Co., Ltd., Irgacure 127, "Irgacure” is a registered trademark)), except that it is the same as in Example 1. Therefore, a plurality of dicing / die bonding integrated films of Example 4 were obtained.
  • Example 5 A plurality of dicing dies of Example 5 are carried out in the same manner as in Example 3 except that the acrylic resin (A-1) used for producing the dicing film is changed to the acrylic resin (A-2). A bonding integrated film was obtained.
  • Comparative example 1 A plurality of dicing dies of Comparative Example 1 were obtained in the same manner as in Example 1 except that the acrylic resin (A-1) used for producing the dicing film was changed to the acrylic resin (A-3). A bonding integrated film was obtained.
  • f1 uses the dicing / diebonding integrated film after irradiation with ultraviolet rays in [Preparation of dicing / diebonding integrated film] and f2 uses the laminated body before irradiation with ultraviolet rays to obtain adhesive strength (adhesive strength). 30 ° peel strength) was measured.
  • the measurement sample was obtained by preparing a dicing / die bonding integrated film and a laminate, and cutting them into a width of 25 mm and a length of 100 mm, respectively.
  • the peel strength and adhesive in the first region of the adhesive layer after irradiation of the adhesive layer with ultraviolet rays from each measurement sample was measured.
  • the measurement conditions were a peeling angle of 30 ° and a peeling speed of 60 mm / min.
  • the sample was stored and the peel strength was measured in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 40%. The results are shown in Table 2.
  • the adhesive strength of the second region of the adhesive layer to the stainless substrate was evaluated by measuring 90 ° peel strength.
  • the adhesive strength corresponds to the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation with ultraviolet rays on the stainless steel substrate. Therefore, the adhesive strength (90 ° peel strength) was measured using the laminated body before irradiation with ultraviolet rays in [Preparation of dicing / die bonding integrated film].
  • the measurement sample was obtained by preparing a laminate, cutting it into a width of 25 mm and a length of 100 mm, and attaching the surface on the adhesive layer side to a stainless steel substrate (SUS430BA).
  • the peel strength of the pressure-sensitive adhesive layer on the stainless steel substrate was measured from the measurement sample using a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corporation, Autograph "AGS-1000").
  • the measurement conditions were a peeling angle of 90 ° and a peeling speed of 50 mm / min. The results are shown in Table 2.
  • the obtained laminate was punched to 10 mm ⁇ , the polyethylene terephthalate film was peeled off on both sides, and placed on a slide glass so that voids did not enter.
  • a sample was obtained by punching an aluminum foil having a black side to 10 mm ⁇ in the same manner and arranging it on the upper surface of the adhesive layer on the opposite side to the slide glass.
  • the obtained sample is irradiated with ultraviolet rays under the same conditions as in [Preparation of dicing / die bonding integrated film], and the ultraviolet rays are exposed using a resin curing shrinkage measuring device (Custron, manufactured by Acroedge Co., Ltd.).
  • the curing shrinkage rate was measured from the difference in thickness excluding the slide glass and aluminum foil before and after irradiation. The results are shown in Table 2.
  • the edge peeling strength is measured through the following steps.
  • 9 (a), 9 (b), and 9 (c) are cross-sectional views schematically showing a step of measuring the edge peeling strength.
  • a step of attaching a silicon wafer Ws having a thickness of 50 ⁇ m to the adhesive layer 5 and attaching a dicing ring DR to the second surface F2 of the adhesive layer 3 (see FIG. 9A).
  • -A step of individualizing the silicon wafer Ws and the adhesive layer 5 into a plurality of chips Ta with adhesive pieces (a laminate of chips Ts and adhesive pieces 5p) see FIG. 9B).
  • a dicing / dicing-bonding integrated film was attached to a silicon wafer (diameter: 12 inches, thickness: 50 ⁇ m) and a dicing ring under the following conditions (see FIG. 9A).
  • the elongation of the dicing / die bonding integrated film in the MD direction after the silicon wafer and the dicing ring were attached was about 1.0 to 1.3%.
  • the silicon wafer with the dicing / die bonding integrated film was separated into a plurality of chips with adhesive pieces (size 2 mm ⁇ 2 mm) by blade dicing (see FIG. 9 (b)).
  • FIG. 10 is a graph showing an example of the relationship between the displacement (mm) due to pushing and the pushing force (N).
  • the pushing force temporarily decreases, and a change point occurs in the graph.
  • the value of the pushing force at this change point is defined as the edge peeling strength.
  • FIG. 11 is a plan view schematically showing a state in which a mark is added at a position corresponding to the central portion of the chip to be measured.
  • the mark M at the center of the chip was identified by measuring with a ruler.
  • the dicing / die bonding integrated films of Examples 1 to 5 had better pick-up performance than the dicing / die bonding integrated films of Comparative Example 1. Specifically, in Comparative Example 1, since the difference in (f2-f1) is larger than in Examples 1 to 5, the curing shrinkage rate and the edge peeling strength are also higher than in Examples 1 to 5, and the pick-up property is sufficient. It wasn't. From the above results, the dicing / die bonding integrated film of the present disclosure can be applied to a manufacturing process of a semiconductor device including a step of fragmenting a wafer into a plurality of small chips (area 0.1 to 9 mm 2). It was confirmed that the adhesive layer had an excellent pick-up property.

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Abstract

ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが開示される。当該ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、基材層と、基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する粘着剤層と、第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備える。粘着剤層は、接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域を含む第１の領域と、それを囲むように位置する第２の領域とを有し、第１の領域は、第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域である。粘着剤層において、所定の条件で測定される、接着剤層に対する粘着剤層の第１の領域の粘着力と接着剤層に対する粘着剤層の第２の領域の粘着力との差は、６．５～９．０Ｎ／２５ｍｍである。

Description

ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
　本開示は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法に関する。
　半導体装置は以下の工程を経て製造される。まず、ウェハにダイシング用粘着フィルムを貼付けた状態でダイシング工程が実施される。その後、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウンティング工程、ダイボンディング工程等が実施される。
　半導体装置の製造プロセスにおいて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムと称されるフィルムが使用されている。このフィルムは、基材層と粘着剤層と接着剤層がこの順序で積層された構造を有し、例えば、次のように使用される。まず、ウェハに対して接着剤層側の面を貼付けるとともにダイシングリングでウェハを固定した状態でウェハをダイシングする。これにより、ウェハが複数のチップに個片化される。続いて、粘着剤層に対して活性エネルギー線を照射することによって接着剤層に対する粘着剤層の粘着力を弱めた後、接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともにチップを粘着剤層からピックアップする。その後、接着剤片を介してチップを基板等にマウントする工程を経て半導体装置が製造される。なお、ダイシング工程を経て得られるチップと、これに付着した接着剤片とからなる積層体はＤＡＦ（Ｄｉｅ　Ａｔｔａｃｈ　Ｆｉｌｍ）と称される。
　上述のように、活性エネルギー線の照射により粘着力が弱まる粘着剤層（ダイシングフィルム）は活性エネルギー線硬化型と称される。これに対して、半導体装置の製造プロセスにおいて活性エネルギー線が照射されることなく、粘着力が一定のままの粘着剤層は感圧型と称される。感圧型の粘着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、ユーザー（主に半導体装置メーカー）にとって、活性エネルギー線を照射する工程を実施する必要がなく、また、このための設備が不要であるというメリットがある。特許文献１には、粘着剤層が活性エネルギー線によって硬化する成分を含有する点で活性エネルギー線硬化型であるといえる。一方で、粘着剤層の所定の部分のみに予め活性エネルギー線が照射されており、ユーザーは半導体装置の製造プロセスにおいて活性エネルギー線を照射する必要がない点で感圧型であるともいえるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが開示されている。
特許第４４４３９６２号公報
　一般的に、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの粘着剤層には、粘着剤層と接着剤層との間の粘着力が低いことが求められている。粘着力が高すぎると、チップのピックアップ工程において、ピックアップエラーが発生し、歩留まりが低下するおそれがある。しかしながら、本発明者らは、ダイシングによって作製すべきチップが小さくなる（例えば、平面視における面積０．１～９ｍｍ２）と、チップのピックアップ性が、粘着剤層と接着剤層との間の粘着力に必ずしも支配的でなく、チップのエッジの粘着剤層からの剥離（以下、「エッジ剥離」という。）がピックアップ性の支配的因子であることを見出した。すなわち、小さいチップのピックアップ性は、接着剤片付きチップのエッジ剥離強度に主に支配され、ピンによる突き上げによってエッジ剥離が一旦生じれば、その後、粘着剤層と接着剤層との界面剥離はスムーズに進展すると推測される。
　エッジ剥離強度の影響因子としては、例えば、粘着剤層の硬化収縮が挙げられる。通常、ダイシング工程後には、ダイシングラインにおいて、接着剤層、粘着剤層、ウェハ等が混合して発生するバリ（切削屑）が発生する。粘着剤層が活性エネルギー線硬化型であると、活性エネルギー線の照射により、バリ（切削屑）とともに粘着剤層が硬化してエッジ剥離強度が大幅に増加してしまうおそれがある。あらかじめ、ダイシング工程前に粘着剤層を硬化した場合、活性エネルギー線を照射する工程を実施する必要がないため、そのような影響はないが、粘着剤層の硬化収縮による接着剤層界面でのアンカー効果によって、エッジ剥離強度が増加してしまうおそれがある。本発明者らが粘着剤層の硬化収縮について鋭意検討したところ、硬化収縮の大きさは、接着剤層に対する活性エネルギー線の照射前後の粘着剤層の粘着力の差が大きいほど高くなる傾向にあることを見出した。そこで、本発明者らは、活性エネルギー線の照射前の粘着剤層の粘着力と活性エネルギー線の照射後の粘着剤層の粘着力との差（言い換えると、活性エネルギー線の非照射部分の粘着剤層の粘着力と活性エネルギー線の照射部分の粘着剤層の粘着力との差）を調整することによって、エッジ剥離強度を低減することができると考え、優れたピックアップ性を有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの開発に取り組んだ。
　本開示は、ウェハを複数の小さいチップ（面積０．１～９ｍｍ２）へと個片化する工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用可能であり、優れたピックアップ性を有する粘着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法を提供することを主な目的とする。
　本開示の一側面は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに関する。このフィルムは、基材層と、基材層と対面する第１の面及び第１の面の反対側の第２の面を有する、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備える。粘着剤層は、接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域を少なくとも含む第１の領域と、第１の領域を囲むように位置する第２の領域とを有し、第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域である。粘着剤層において、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する粘着剤層の第１の領域の粘着力をｆ１（Ｎ／２５ｍｍ）、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する粘着剤層の第２の領域の粘着力をｆ２（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、ｆ２とｆ１との差（ｆ２－ｆ１）は、６．５～９．０Ｎ／２５ｍｍである。このフィルムは、ウェハを面積０．１～９ｍｍ２の複数のチップに個片化する工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用される。
　上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムによれば、粘着剤層の硬化収縮を抑制してエッジ剥離強度を低減することができることから、ウェハを複数の小さいチップ（面積０．１～９ｍｍ２）へと個片化する工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用可能であり、粘着剤層からの優れたピックアップ性を達成することができる。
　ｆ２とｆ１との差（ｆ２－ｆ１）は、７．０～９．０Ｎ／２５ｍｍであってよい。
　ｆ１（温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する第１の領域の粘着力）は、粘着剤層からのより優れたピックアップ性を達成できる観点から、１．１～４．５Ｎ／２５ｍｍ又は１．１～３．０Ｎ／２５ｍｍであってよい。
　ステンレス基板に対する粘着剤層の第２の領域の粘着力は、ダイシング工程におけるリング剥がれを抑制する観点から、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であってよい。なお、この粘着力は、温度２３℃において剥離角度９０°及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定されるピール強度を意味する。
　活性エネルギー線硬化型粘着剤は、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂を含んでいてもよい。このような（メタ）アクリル系樹脂を含む場合、官能基は、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種であってよく、（メタ）アクリル系樹脂における官能基の含有量は、０．１～１．２ｍｍｏｌ／ｇであってよい。
　活性エネルギー線硬化型粘着剤は、架橋剤をさらに含んでいてもよい。このような架橋剤をさらに含む場合、活性エネルギー線硬化型粘着剤の全質量に対する架橋剤の含有量は、０．１～１５質量％であってよい。架橋剤は、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に３つ以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとの反応物であってよい。
　活性エネルギー線の照射量は、１０～１０００ｍＪ／ｃｍ２であってよい。
　接着剤層は、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含む接着剤組成物からなるものであってよい。
　本開示の一側面は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法に関する。この製造方法は、基材層の表面上に、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、粘着剤層の表面上に形成された接着剤層とを含む積層体を作製する工程と、積層体に含まれる粘着剤層の第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程とをこの順に備える。
　本開示の一側面は、半導体装置の製造方法に関する。この製造方法は、上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に対してウェハを貼るとともに、粘着剤層の第２の面に対してダイシングリングを貼る工程と、ウェハを複数のチップに個片化する工程と、接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともに、チップを粘着剤層からピックアップする工程と、接着剤片を介してチップを、基板又は他のチップ上にマウントする工程とを備える。
　すなわち、この製造方法は、基材層と、基材層と対面する第１の面及び第１の面の反対側の第２の面を有する、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、粘着剤層の第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に対してウェハを貼るとともに、粘着剤層の第２の面に対してダイシングリングを貼る工程と、ウェハを複数のチップに個片化する工程と、接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともに、チップを粘着剤層からピックアップする工程と、接着剤片を介してチップを、基板又は他のチップ上にマウントする工程とを備える。粘着剤層は、接着剤層におけるウェハが貼付けられる領域に対応する第１の領域と、ダイシングリングが貼付けられる領域に対応する第２の領域とを有し、第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域である。粘着剤層において、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する粘着剤層の第１の領域の粘着力をｆ１（Ｎ／２５ｍｍ）、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、接着剤層に対する粘着剤層の第２の領域の粘着力をｆ２（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、ｆ２とｆ１との差（ｆ２－ｆ１）は、６．５～９．０Ｎ／２５ｍｍである。
　本開示によれば、ウェハを複数の小さいチップ（面積０．１～９ｍｍ２）へと個片化する工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用可能であり、優れたピックアップ性を有する粘着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法が提供される。また、本開示によれば、このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
図１（ａ）は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿った模式断面図である。 図２は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの粘着剤層の周縁部にダイシングリングが貼り付けられるとともに、接着剤層の表面にウェハが貼り付けられた状態を示す模式図である。 図３は、接着剤層に対する粘着剤層の３０°ピール強度を測定している様子を模式的に示す断面図である。 図４は、半導体装置の一実施形態の模式断面図である。 図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）、及び図５（ｄ）は、ＤＡＦ（チップと接着剤片の積層体）を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図６は、図４に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図７は、図４に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図８は、図４に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図９は、図９（ａ）、図９（ｂ）、及び図９（ｃ）は、エッジ剥離強度を測定する工程を模式的に示す断面図である。 図１０は、押し込みによる変位（ｍｍ）と押し込み力（Ｎ）との関係の一例を示すグラフである。 図１１は、測定対象のチップの中央部に相当する位置にマークを付した状態を模式的に示す平面図である。
　以下、図面を参照しながら本開示の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルを意味し、（メタ）アクリレート等の他の類似表現も同様である。
＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム＞
　図１（ａ）は、本実施形態に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１のＢ－Ｂ線に沿った模式断面図である。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０（以下、場合により、単に「フィルム１０」という。）は、ウェハＷを面積０．１～９ｍｍ２の複数のチップに個片化する工程（及びその後のピックアップする工程）を含む半導体装置の製造プロセスに用いることができる（図５（ｃ）及び図５（ｄ）参照）。
　フィルム１０は、基材層１と、基材層１と対面する第１の面Ｆ１及び第１の面Ｆ１の反対側の第２の面Ｆ２を有する粘着剤層３と、粘着剤層３の第２の面Ｆ２の中央部を覆うように設けられた接着剤層５とをこの順序で備える。本実施形態においては、正方形の基材層１の上に、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が一つ形成された態様を例示しているが、基材層１が所定の長さ（例えば、１００ｍ以上）を有し、その長手方向に並ぶように、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が所定の間隔で配置された態様であってもよい。
（粘着剤層）
　粘着剤層３は、接着剤層５におけるウェハＷの貼付け位置に対応する領域Ｒｗを少なくとも含む第１の領域３ａと、第１の領域３ａを囲むように位置する第２の領域３ｂとを有する。図１（ａ）及び図１（ｂ）における破線は第１の領域３ａと第２の領域３ｂの境界を示す。第１の領域３ａ及び第２の領域３ｂは、活性エネルギー線の照射前において同一の組成物（活性エネルギー線硬化型粘着剤）からなる。第１の領域３ａは、活性エネルギー線が照射されることによって、第２の領域３ｂと比較して粘着力が低下した状態の領域である。第２の領域３ｂは、ダイシングリングＤＲが貼り付けられる領域である（図２参照）。第２の領域３ｂは、活性エネルギー線が照射されていない領域であり、ダイシングリングＤＲに対する高い粘着力を有する。活性エネルギー線は、紫外線、電子線、及び可視光線から選ばれる少なくとも１種であってよく、紫外線であってよい。活性エネルギー線の照射量は、例えば、１０～１０００ｍＪ／ｃｍ２、１００～７００ｍＪ／ｃｍ２、又は２００～５００ｍＪ／ｃｍ２であってよい。
　接着剤層５に対する粘着剤層３の第１の領域３ａの粘着力をｆ１（Ｎ／２５ｍｍ）、接着剤層５に対する粘着剤層３の第２の領域３ｂの粘着力をｆ２（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、ｆ２とｆ１との差（ｆ２－ｆ１）は、６．５～９．０Ｎ／２５ｍｍであり、７．０～９．０Ｎ／２５ｍｍであってもよい。ここで、ｆ１及びｆ２は、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される３０°ピール強度である。図３は、支持板８０に測定試料（幅２５ｍｍ×長さ１００ｍｍ）の接着剤層５を固定した状態で、粘着剤層３の３０°ピール強度を測定している様子を模式的に示す断面図である。図３は、ｆ１を測定している様子であり得る。粘着剤層３の第２の領域３ｂは、活性エネルギー線の照射前の粘着剤層と同様の状態の領域であり、活性エネルギー線非照射領域ともいえる。そのため、ｆ２は、図３における粘着剤層３を、第１の領域３ａを有しない粘着剤層３に置き換えて測定されるものであり得る。第１の領域３ａを有しない粘着剤層３の状態は、粘着剤層に対して活性エネルギー線を照射する前の状態であることから、ｆ２は、例えば、基材層１の表面上に、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、粘着剤層の表面上に形成された接着剤層５とを含む積層体を用いて、活性エネルギー線の照射前に、接着剤層５に対する粘着剤層（第１の領域３ａを有しない粘着剤層３）の粘着力を測定することによって求めることができる。（ｆ２－ｆ１）をこのような範囲にすることによって、粘着剤層の硬化収縮を抑制してエッジ剥離強度を低減することができることから、ウェハを複数の小さいチップ（面積０．１～９ｍｍ２）へと個片化する工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用可能であり、粘着剤層３からの優れたピックアップ性を達成することができる。（ｆ２－ｆ１）は、６．６Ｎ／２５ｍｍ以上、６．８Ｎ／２５ｍｍ以上、７．０Ｎ／２５ｍｍ以上、又は７．２Ｎ／２５ｍｍ以上であってもよく、８．８Ｎ／２５ｍｍ以下、８．６Ｎ／２５ｍｍ以下、８．４Ｎ／２５ｍｍ以下、又は８．２Ｎ／２５ｍｍ以下であってもよい。
　上述のとおり、フィルム１０は、ウェハを面積０．１～９ｍｍ２の複数の小チップに個片化する工程（及びその後のピックアップする工程）を含む半導体装置の製造プロセスにも好適に用いることができる。本発明者らは、サイズが３ｍｍ×３ｍｍ以下（面積９ｍｍ２以下）の小チップのピックアップ挙動と、例えば、サイズ８ｍｍ×６ｍｍ程度の大チップのピックアップ挙動とが異なることを着目して検討を行った結果、接着剤層５に対する粘着剤層３の第２の領域３ｂの粘着力と接着剤層５に対する粘着剤層３の第１の領域３ａの粘着力との差（ｆ２－ｆ１）を６．５～９．０Ｎ／２５ｍｍに特定した。本発明者らは、これまでに、小チップではエッジ剥離がピックアップ性の支配的因子であること、及びエッジ剥離強度の増加の主原因が硬化収縮であることを見出し、（ｆ２－ｆ１）を６．５～９．０Ｎ／２５ｍｍにすることによって、硬化収縮を抑えることができ、粘着剤層３からの優れたピックアップ性を達成することができることをさらに見出した。これによって、フィルム１０を用いることによって、充分に高い歩留まりで半導体装置を製造することが可能となる。
　接着剤層５に対する粘着剤層３の第１の領域３ａの粘着力（ｆ１）は、例えば、１．１～４．５Ｎ／２５ｍｍ又は１．１～３．０Ｎ／２５ｍｍであってよい。ｆ１は、１．２Ｎ／２５ｍｍ以上、１．５Ｎ／２５ｍｍ以上、又は２．０Ｎ／２５ｍｍ以上であってもよく、４．０Ｎ／２５ｍｍ以下、３．７Ｎ／２５ｍｍ以下、３．５Ｎ／２５ｍｍ以下、３．２Ｎ／２５ｍｍ以下、又は３．０Ｎ／２５ｍｍ以下であってもよい。
　接着剤層５に対して上記範囲の粘着力を有する第１の領域３ａは、活性エネルギー線の照射によって形成されるものであり、活性エネルギー線照射領域ともいえる。本発明者らは、活性エネルギー線の照射によって粘着剤層の粘着力を低下させることが、ＤＡＦのエッジ部分の剥離に影響を与えることも見出した。すなわち、第１の領域３ａの粘着力が活性エネルギー線の照射によって過度に低下したものであると、接着剤層５に対する第１の領域３ａの３０°ピール強度は低くなる一方、ピックアップ対象が小チップである場合、ＤＡＦのエッジ部分が剥離しにくくなる傾向にあり、チップが過度に変形して割れ又はピックアップミスが生じ易くなる。接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力の下限（例えば、１．１Ｎ／２５ｍｍ）は、活性エネルギー線を照射する前の粘着力を過度に低下させていないものであるともいうことができ、これにより、小チップであってもＤＡＦのエッジ部分の剥離が生じ易くしている。一方で、接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力が過度に高いものであると、ピックアップ性が低下する傾向にある。接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力の上限（例えば、４．５Ｎ／２５ｍｍ）は、活性エネルギー線を照射する前の粘着力を優れたピックアップ性が発現する程度に低下させているものであるといえる。
　接着剤層５に対する粘着剤層３の第２の領域３ｂの粘着力（ｆ２）は、例えば、８．０～１１．５Ｎ／２５ｍｍであってよい。ｆ２は、８．５Ｎ／２５ｍｍ以上、９．０Ｎ／２５ｍｍ以上、又は９．５Ｎ／２５ｍｍ以上であってもよく、１１．０Ｎ／２５ｍｍ以下、１０．８Ｎ／２５ｍｍ以下、又は１０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であってもよい。
　本実施形態においては、例えば、（メタ）アクリル系樹脂における連鎖重合可能な官能基の含有量（官能基導入化合物の含有量）、粘着剤層における架橋剤の含有量、活性エネルギー線の照射量を調整することによって、又は、例えば、その他の樹脂（アクリルモノマー又はオリゴマー、ウレタンモノマー又はオリゴマー等）若しくは粘着性付与剤（タッキファイヤ等）を添加することによって、ｆ１、ｆ２、及び（ｆ２－ｆ１）を調整することができる。
　ステンレス基板に対する粘着剤層３の第２の領域３ｂの粘着力は、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であってよい。この粘着力は、温度２３℃において剥離角度９０°及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定される９０°ピール強度である。この粘着力が０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることで、ダイシング時におけるリング剥がれを充分に抑制することができる。ステンレス基板に対する粘着剤層３の第２の領域３ｂの粘着力は、０．２５Ｎ／２５ｍｍ以上又は０．３Ｎ／２５ｍｍ以上であってもよく、２．０Ｎ／２５ｍｍ以下、１．０Ｎ／２５ｍｍ以下、０．８Ｎ／２５ｍｍ以下、又は０．６Ｎ／２５ｍｍ以下であってよい。
　活性エネルギー線の照射前の粘着剤層は、例えば、（メタ）アクリル系樹脂と、光重合開始剤と、架橋剤とを含む活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる。活性エネルギー線が照射されない第２の領域３ｂは、活性エネルギー線照射前の粘着剤層と同じ組成であり得る。以下、活性エネルギー線硬化型粘着剤の含有成分について詳細に説明する。
［（メタ）アクリル系樹脂］
　活性エネルギー線硬化型粘着剤は、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂を含んでいてもよい。このような（メタ）アクリル系樹脂を含む場合、官能基は、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種であってよい。（メタ）アクリル系樹脂における官能基の含有量は、０．１～１．２ｍｍｏｌ／ｇであってよい。（メタ）アクリル系樹脂における官能基の含有量は、０．２ｍｍｏｌ／ｇ以上又は０．３ｍｍｏｌ／ｇ以上であってもよく、１．０ｍｍｏｌ／ｇ以下、０．８ｍｍｏｌ／ｇ以下、０．７ｍｍｏｌ／ｇ以下、０．６ｍｍｏｌ／ｇ以下、又は０．５ｍｍｏｌ／ｇ以下であってもよい。官能基の含有量が０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上であることで、活性エネルギー線の照射によって粘着力が適度に低下した領域（第１の領域３ａ）を形成し易い傾向にあり、他方、１．２ｍｍｏｌ／ｇ以下であることで、優れたピックアップ性を達成し易い傾向にある。
　（メタ）アクリル系樹脂は、既知の方法で合成することで得ることができる。合成方法としては、例えば、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、塊状重合法、析出重合法、気相重合法、プラズマ重合法、超臨界重合法が挙げられる。また、重合反応の種類としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合、イモータル重合等の他、ＡＴＲＰ（原子移動ラジカル重合）及びＲＡＦＴ（可逆的付加開裂連鎖移動重合）といった手法も挙げられる。この中でも、溶液重合法を用いてラジカル重合により合成することは、経済性の良さ、反応率の高さ、重合制御の容易さなどの他、重合で得られた樹脂溶液をそのまま用いて配合できる等の利点を有する。
　ここで、溶液重合法を用いてラジカル重合によって、（メタ）アクリル系樹脂を得る方法を例に、（メタ）アクリル系樹脂の合成法について詳細に説明する。
　（メタ）アクリル系樹脂を合成する際に用いられるモノマーとしては、一分子中に１個の（メタ）アクリロイル基を有するものであれば特に制限はない。その具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレート等の脂環式（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ－ビフェニル（メタ）アクリレート、１－ナフチル（メタ）アクリレート、２－ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ－クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（ｏ－フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（１－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（２－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレート；２－テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ－（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、２－（メタ）アクリロイロキシエチル－Ｎ－カルバゾール等の複素環式（メタ）アクリレート、これらのカプロラクトン変性体、ω－カルボキシ－ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、α－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α－ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α－エチル－６，７－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基とを有する化合物；（２－エチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２－メチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２－（２－エチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２－（２－メチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３－（２－エチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３－（２－メチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基とを有する化合物；２－（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基とを有する化合物；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基とを有する化合物が挙げられる。これらを適宜組み合わせて目的とする（メタ）アクリル系樹脂を得ることができる。
　（メタ）アクリル系樹脂は、後述する官能基導入化合物又は架橋剤との反応点として、水酸基、グリシジル基（エポキシ基）、アミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基を有していてもよい。水酸基を有する（メタ）アクリル系樹脂を合成するためのモノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基とを有する化合物などが挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を併用してもよい。
　グリシジル基を有する（メタ）アクリル系樹脂を合成するためのモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート、α－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α－ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α－エチル－６，７－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基とを有する化合物が挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を併用してもよい。
　これらのモノマーから合成される（メタ）アクリル系樹脂は、連鎖重合可能な官能基を含む。連鎖重合可能な官能基は、例えば、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種である。連鎖重合可能な官能基は、例えば、上述のように合成された水酸基、グリシジル基（エポキシ基）、アミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂に、以下の化合物（官能基導入化合物）を反応させることにより、当該（メタ）アクリル系樹脂中に導入することができる。官能基導入化合物の具体例として、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート又は４－ヒドロキシブチルエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物等が挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を併用してもよい。これらの中でも、官能基導入化合物は、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネートであってよい。
［光重合開始剤］
　光重合開始剤は、活性エネルギー線を照射することで連鎖重合可能な活性種を発生するものであれば、特に制限はない。活性エネルギー線は、紫外線、電子線、及び可視光線から選ばれる少なくとも１種であってよく、紫外線であってよい。光重合開始剤としては、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。ここで連鎖重合可能な活性種とは、連鎖重合可能な官能基と反応することで重合反応が開始されるものを意味する。
　光ラジカル重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のベンゾインケタール；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン等のα－ヒドロキシケトン；２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタン－１－オン、１，２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン等のα－アミノケトン；１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタジオン－２－（ベンゾイル）オキシム等のオキシムエステル；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド；２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラエチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物；２－エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９－フェニルアクリジン、１，７－ビス（９、９’－アクリジニルヘプタン）等のアクリジン化合物；Ｎ－フェニルグリシン、クマリンなどが挙げられる。
　活性エネルギー線硬化型粘着剤における光重合開始剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して、０．１～３０質量部、０．３～１０質量部、又は０．５～５質量部であってよい。光重合開始剤の含有量が０．１質量部以上であると、粘着剤層が活性エネルギー線照射後に硬化が充分となり、ピックアップ不良が起こり難い傾向にある。光重合開始剤の含有量が３０質量部以下であると、接着剤層への汚染（光重合開始剤の接着剤層への転写）を防ぐことができる傾向にある。
［架橋剤］
　架橋剤は、例えば、粘着剤層の弾性率及び／又は粘着性の制御を目的に用いられる。架橋剤は、（メタ）アクリル系樹脂が有する水酸基、グリシジル基、アミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基と反応し得る官能基を一分子中に２つ以上有する化合物であればよい。架橋剤と（メタ）アクリル系樹脂との反応によって形成される結合としては、例えば、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合等が挙げられる。
　本実施形態においては、架橋剤は、例えば、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートであってよい。このような多官能イソシアネートを用いると、（メタ）アクリル系樹脂が有する水酸基、グリシジル基、アミノ基等と容易に反応し、強固な架橋構造を形成することができる。
　一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートとしては、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、リジンイソシアネート等のイソシアネート化合物などが挙げられる。
　架橋剤は、多官能イソシアネートと、一分子中に２つ以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとの反応物（イソシアネート基含有オリゴマー）であってもよい。一分子中に２つ以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、１，６－ヘキサンジオール、１，８－オクタンジオール、１，９－ノナンジオール、１，１０－デカンジオール、１，１１－ウンデカンジオール、１，１２－ドデカンジオール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、１，４－シクロヘキサンジオール、１，３－シクロヘキサンジオール等が挙げられる。
　これらの中でも、架橋剤は、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に３つ以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとの反応物（イソシアネート基含有オリゴマー）であってもよい。このようなイソシアネート基含有オリゴマーを架橋剤として用いることで、粘着剤層３が緻密な架橋構造を形成し、これにより、ピックアップ工程において接着剤層５に粘着剤が付着することを充分に抑制することができる傾向にある。
　活性エネルギー線硬化型粘着剤における架橋剤の含有量は、粘着剤層に対して求められる凝集力、破断伸び率、接着剤層との密着性等に応じて適宜設定することができる。具体的には、架橋剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して、例えば、３～３０質量部、４～１５質量部、又は７～１０質量部であってよい。架橋剤の含有量を上記範囲とすることで、ダイシング工程において粘着剤層に求められる特性と、ダイボンディング工程において粘着剤層に求められる特性とをバランスよく両立することが可能であるとともに、優れたピックアップ性も達成し得る。
　架橋剤の含有量が（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して３質量部以上であると、架橋構造の形成が不充分となり難く、ピックアップ工程において、接着剤層との界面密着力が充分に低下してピックアップ時に不良が発生し難い傾向にある。他方、架橋剤の含有量が（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して３０質量部以下であると、粘着剤層が過度に硬くなり難く、エキスパンド工程においてチップが剥離し難い傾向にある。
　活性エネルギー線硬化型粘着剤の全質量に対する架橋剤の含有量は、例えば、０．１～１５質量％、３～１５質量％、又は５～１５質量％であってよい。架橋剤の含有量が０．１質量％以上であることで、活性エネルギー線の照射によって粘着力が適度に低下した領域（第１の領域３ａ）を形成し易く、他方、１５質量％以下であることで、優れたピックアップ性を達成し易い傾向にある。
　粘着剤層３の厚さは、エキスパンド工程の条件（温度、張力等）に応じて適宜設定すればよく、例えば、１～２００μｍ、５～５０μｍ、又は１０～２０μｍであってよい。粘着剤層３の厚さが１μｍ以上であると、粘着性が不十分となり難く、２００μｍ以下であると、エキスパンド時にカーフ幅が広くなり（ピン突き上げ時に応力を緩和せずに）、ピックアップが不充分になり難い傾向にある。
　粘着剤層３は、基材層１上に形成されている。粘着剤層３の形成方法としては、既知の手法を採用できる。例えば、基材層１と粘着剤層３との積層体を二層押し出し法で形成してもよいし、活性エネルギー線硬化型粘着剤のワニス（粘着剤層形成用のワニス）を調製し、これを基材層１の表面に塗工する、あるいは、離型処理されたフィルム上に粘着剤層３を形成し、これを基材層１に転写してもよい。
　活性エネルギー線硬化型粘着剤のワニス（粘着剤層形成用のワニス）は、（メタ）アクリル系樹脂、光重合開始剤、及び架橋剤を溶解し得る有機溶剤であって加熱により揮発するものであってよい。有機溶剤の具体例としては、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールアルキルエーテル；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコールアルキルエーテルアセテート；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　これらの中で、有機溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、例えば、トルエン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。ワニスの固形分濃度は、通常、１０～６０質量％である。
（基材層）
　基材層１は、既知のポリマーシート又はフィルムを用いることができ、低温条件下において、エキスパンド工程を実施可能なものであれば、特に制限されない。基材層１の具体例としては、結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、又は、これらに可塑剤を混合した混合物、あるいは、電子線照射により架橋を施した硬化物が挙げられる。
　基材層１は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン－ポリプロピレンランダム共重合体、及びポリエチレン－ポリプロピレンブロック共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を主成分とする表面を有し、この表面と粘着剤層３とが接しているものであってよい。これらの樹脂は、ヤング率、応力緩和性、融点等の特性、価格面、使用後の廃材リサイクルなどの観点からも良好な基材となり得る。基材層１は、単層であってよく、必要に応じて、異なる材質からなる層が積層された多層構造を有していてもよい。粘着剤層３との密着性を制御する観点から、基材層１は、その表面に対して、マット処理、コロナ処理等の表面粗化処理を施してもよい。
（接着剤層）
　接着剤層５には、既知のダイボンディングフィルムを構成する接着剤組成物を適用できる。具体的には、接着剤層５を構成する接着剤組成物は、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含んでいてもよい。これらの成分を含む接着剤層５によれば、チップ／基板間、チップ／チップ間の接着性に優れ、また、電極埋め込み性、ワイヤ埋め込み性等も付与可能で、かつダイボンディング工程では低温で接着でき、短時間で優れた硬化が得られる、封止剤でモールド後は優れた信頼性を有する等の特徴を有する傾向にある。
　反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、例えば、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であってよい。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、原料としてグリシジル（メタ）アクリレートを、得られる共重合体に対し０．５～６質量％となる量用いて得られる共重合体であってよい。グリシジル（メタ）アクリレートの含有量が０．５質量％以上であると、高い接着力を得易くなり、他方、６質量％以下であることでゲル化を抑制できる傾向にある。反応性基含有（メタ）アクリル共重合体の残部を構成するモノマーは、例えば、メチル（メタ）アクリレート等の炭素数１～８のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート、スチレン、アクリロニトリル等であってよい。これらの中でも、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体の残部を構成するモノマーは、エチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートであってよい。混合比率は、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して調整することができる。Ｔｇが－１０℃以上であるとＢステージ状態での接着剤層５のタック性が大きくなり過ぎることを抑制できる傾向にあり、取り扱い性に優れる傾向にある。なお、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）は、例えば、３０℃以下であってよい。重合方法は、特に制限されないが、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられる。市販のエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製）が挙げられる。
　エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量は、接着性及び耐熱性の観点から、１０万以上であってよく、３０万～３００万又は５０万～２００万であってもよい。重量平均分子量が３００万以下であると、チップと、これを支持する基板との間の充填性が低下することを抑制できる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
　硬化促進剤としては、例えば、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類等が挙げられる。硬化促進剤の具体例としては、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテートが挙げられる。これらは１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　フィラーは、無機フィラーであってよい。無機フィラーの具体例としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカが挙げられる。これらは１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　接着剤組成物は、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤をさらに含んでいてもよい。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物等の二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂等の一般に知られているその他のエポキシ樹脂を適用してもよい。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。なお、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
　エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物とを、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるフェノール樹脂等が挙げられる。フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール、ｏ－ｎ－プロピルフェノール、ｍ－ｎ－プロピルフェノール、ｐ－ｎ－プロピルフェノール、ｏ－イソプロピルフェノール、ｍ－イソプロピルフェノール、ｐ－イソプロピルフェノール、ｏ－ｎ－ブチルフェノール、ｍ－ｎ－ブチルフェノール、ｐ－ｎ－ブチルフェノール、ｏ－イソブチルフェノール、ｍ－イソブチルフェノール、ｐ－イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４－キシレノール、２，６－キシレノール、３，５－キシレノール、２，４，６－トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４－メトキシフェノール、ｏ－フェニルフェノール、ｍ－フェニルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ｐ－シクロヘキシルフェノール、ｏ－アリルフェノール、ｐ－アリルフェノール、ｏ－ベンジルフェノール、ｐ－ベンジルフェノール、ｏ－クロロフェノール、ｐ－クロロフェノール、ｏ－ブロモフェノール、ｐ－ブロモフェノール、ｏ－ヨードフェノール、ｐ－ヨードフェノール、ｏ－フルオロフェノール、ｍ－フルオロフェノール、ｐ－フルオロフェノール等が挙げられる。これらのフェノール化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。フェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、キシリレン化合物の具体例としては、α，α’－ジクロロ－ｐ－キシレン、α，α’－ジクロロ－ｍ－キシレン、α，α’－ジクロロ－ｏ－キシレン、α，α’－ジブロモ－ｐ－キシレン、α，α’－ジブロモ－ｍ－キシレン、α，α’－ジブロモ－ｏ－キシレン、α，α’－ジヨード－ｐ－キシレン、α，α’－ジヨード－ｍ－キシレン、α，α’－ジヨード－ｏ－キシレン、α，α’－ジヒドロキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジヒドロキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジヒドロキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジメトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジメトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジメトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジエトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジエトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジエトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－プロポキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－プロポキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－プロポキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジイソプロポキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジイソプロポキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジイソプロポキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－ブトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－ブトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－ブトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジイソブトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジイソブトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジイソブトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｏ－キシレン等が挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を併用してもよい。
　フェノール化合物とキシリレン化合物とを反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ－トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂等の強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂等の超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、Ｄｕ　Ｐｏｎｔ社製、「ナフィオン」は登録商標）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０～２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、かつ反応組成が一定になるまで反応させることによってフェノール樹脂をえることができる。反応時間は、原料及び反応温度によって適宜設定することができ、例えば、１時間～１５時間程度とすることでき、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定することができる。
　接着剤層５の厚さは、例えば、１～３００μｍ、５～１５０μｍ、又は１０～１００μｍであってよい。接着剤層５の厚さが１μｍ以上であると、接着性がより優れ、他方、３００μｍ以下であると、エキスパンド時の分断性及びピックアップ性がより優れる傾向にある。
＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法＞
　フィルム１０の製造方法は、基材層１の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、粘着剤層の表面上に形成された接着剤層５とを含む積層体を作製する工程と、積層体に含まれる粘着剤層の第１の領域３ａとなる領域に活性エネルギー線を照射する工程とをこの順序で備える。第１の領域３ａとなる領域に対する活性エネルギー線の照射量は、例えば、１０～１０００ｍＪ／ｃｍ２であり、１００～７００ｍＪ／ｃｍ２、又は２００～５００ｍＪ／ｃｍ２であってよい。当該製造方法は、粘着剤層と接着剤層５の積層体を先に作製し、その後、粘着剤層の特定の領域に活性エネルギー線を照射するものである。
＜半導体装置及びその製造方法＞
　図４は、本実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。この図に示す半導体装置１００は、基板７０と、基板７０の表面上に積層された四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と、基板７０の表面上の電極（不図示）と、四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４とを電気的に接続するワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４と、これらを封止している封止層５０とを備える。
　基板７０は、例えば、有機基板であり、リードフレーム等の金属基板であってもよい。基板７０の厚さは、半導体装置１００の反りを抑制する観点から、例えば、７０～１４０μｍ又は８０～１００μｍであってよい。
　四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、接着剤片５Ｐの硬化物５Ｃを介して積層されている。平面視におけるチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の形状は、例えば、正方形又は長方形である。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の面積は、０．１～９ｍｍ２であり、０．１～４ｍｍ２又は０．１～２ｍｍ２であってよい。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の一辺の長さは、例えば、０．１～３ｍｍ、０．１～２ｍｍ、又０．１～１ｍｍであってよい。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の厚さは、例えば、１０～１７０μｍ又は２５～１００μｍであってよい。なお、四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の一辺の長さは同じであっても、互いに異なっていてもよく、厚さについても同様である。
　半導体装置１００の製造方法は、上述のフィルム１０を準備する工程と、フィルム１０の接着剤層５に対してウェハＷを貼るとともに、粘着剤層３の第２の面Ｆ２に対してダイシングリングＤＲを貼る工程と、ウェハＷを複数のチップＳに個片化する工程（ダイシング工程）と、ＤＡＦ８（チップＳ１と接着剤片５Ｐとの積層体、図５（ｄ）参照）を粘着剤層３の第１の領域３ａからピックアップする工程と、接着剤片５Ｐを介してチップＳ１を、基板７０上にマウントする工程とを備える。
　図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）、及び図５（ｄ）を参照しながら、ＤＡＦ８の作製方法の一例について説明する。まず、上述のフィルム１０を準備する。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、ウェハＷの一方の面に接着剤層５が接するようにフィルム１０を貼り付ける。また、粘着剤層３の第２の面Ｆ２に対してダイシングリングＤＲを貼り付ける。
　ウェハＷ、接着剤層５、及び粘着剤層３をダイシングする。これにより、図５（ｃ）に示すように、ウェハＷが個片化されてチップＳとなる。接着剤層５も個片化されて接着剤片５Ｐとなる。ダイシング方法としては、ダイシングブレード又はレーザを用いる方法が挙げられる。なお、ウェハＷのダイシングに先立ってウェハＷを研削することによって薄膜化してもよい。
　ダイシング後、粘着剤層３に対して活性エネルギー線を照射することなく、図５（ｄ）に示されるように、常温又は冷却条件下において基材層１をエキスパンドすることによってチップＳを互いに離間させつつ、ピン４２で突き上げることによって粘着剤層３から接着剤片５Ｐを剥離させるとともに、ＤＡＦ８を吸引コレット４４で吸引してピックアップする。
　図６、図７、及び図８を参照しながら、半導体装置１００の製造方法について具体的に説明する。まず、図６に示すように、接着剤片５Ｐを介して一段目のチップＳ１（チップＳ）を基板７０の所定の位置に圧着する。次に、加熱によって接着剤片５Ｐを硬化させる。これにより、接着剤片５Ｐが硬化して硬化物５Ｃとなる。接着剤片５Ｐの硬化処理は、ボイドの低減の観点から、加圧雰囲気下で実施してもよい。
　基板７０に対するチップＳ１のマウントと同様にして、チップＳ１の表面上に二段目のチップＳ２をマウントする。さらに、三段目及び四段目のチップＳ３，Ｓ４をマウントすることによって図７に示す構造体６０が作製される。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と基板７０とをワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４で電気的に接続した後（図８参照）、封止層５０によって半導体素子及びワイヤを封止することによって図４に示す半導体装置１００が完成する。
　以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、基材層１と、粘着剤層３と、接着剤層５とをこの順序で備えるフィルム１０を例示したが、接着剤層５を備えない態様であってもよい。また、フィルム１０は、接着剤層５を覆うカバーフィルム（不図示）をさらに備えてもよい。
　以下、本開示について、実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、特に記述がない限り、薬品は全て試薬を使用した。
＜製造例１＞
［アクリル系樹脂（Ａ－１）の合成］
　スリーワンモータ、撹拌翼、及び窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍＬのフラスコに以下の成分を入れた。
・酢酸エチル（溶剤）：６３５質量部
・２－エチルヘキシルアクリレート：３９５質量部
・２－ヒドロキシエチルアクリレート：１００質量部
・メタクリル酸：５質量部
・アゾビスイソブチロニトリル：０．０８質量部
　充分に均一になるまで内容物を撹拌した後、流量５００ｍＬ／分にて６０分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。１時間かけて７８℃まで昇温し、昇温後６時間重合させた。次に、スリーワンモータ、撹拌翼、及び窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍＬの加圧釜に反応溶液を移し、１２０℃、０．２８ＭＰａの条件にて４．５時間加温後、室温（２５℃、以下同様）に冷却した。
　次に酢酸エチルを４９０質量部加えて撹拌し、内容物を希釈した。これに、ウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを０．１０質量部添加した後、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工株式会社製、カレンズＭＯＩ（商品名））を４８．６質量部加え、７０℃で６時間反応させた後、室温に冷却した。次いで、酢酸エチルをさらに加え、アクリル系樹脂溶液中の不揮発分含有量が３５質量％となるよう調整し、製造例１の連鎖重合可能な官能基を有するアクリル系樹脂（Ａ－１）を含む溶液を得た。
　上記のようにして得たアクリル系樹脂（Ａ－１）を含む溶液を６０℃で一晩真空乾燥した。これによって得られた固形分を全自動元素分析装置（エレメンタール社製、商品名：ｖａｒｉｏＥＬ）にて元素分析し、導入された２－メタクリロキシエチルイソシアネートに由来する官能基の含有量を窒素含有量から算出したところ、０．５０ｍｍｏｌ／ｇであった。
　また、以下の装置を使用して、アクリル系樹脂（Ａ－１）のポリスチレン換算の重量平均分子量を求めた。すなわち、東ソー株式会社製ＳＤ－８０２２／ＤＰ－８０２０／ＲＩ－８０２０を使用し、カラムには日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ａ１５０－Ｓ／ＧＬ－Ａ１６０－Ｓを用い、溶離液にテトラヒドロフランを用いてＧＰＣ測定を行った。その結果、ポリスチレン換算の重量平均分子量は８０万であった。ＪＩＳ　Ｋ００７０に記載の方法に準拠して測定した水酸基価及び酸価は５６．１ｍｇＫＯＨ／ｇ及び６．５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。これらの結果を表１にまとめて示す。
＜製造例２＞
［アクリル系樹脂（Ａ－２）の合成］
　表１の製造例１に示す原料モノマー組成を、表１の製造例２に示す原料モノマー組成に変更した以外は、製造例１と同様の手法で製造例２のアクリル系樹脂（Ａ－２）を含む溶液を得た。製造例２のアクリル系樹脂（Ａ－２）の性状の測定結果を表１に示す。
＜製造例３＞
［アクリル系樹脂（Ａ－３）の合成］
　表１の製造例１に示す原料モノマー組成を、表１の製造例３に示す原料モノマー組成に変更した以外は、製造例１と同様の手法で製造例３のアクリル系樹脂（Ａ－３）を含む溶液を得た。製造例３のアクリル系樹脂（Ａ－３）の性状の測定結果を表１に示す。
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＜実施例１＞
［ダイシングフィルム（粘着剤層）の作製］
　以下の成分を混合することで、活性エネルギー線硬化型粘着剤のワニス（粘着剤層形成用のワニス）を調製した（表２参照）。酢酸エチル（溶剤）の量は、ワニスの総固形分含有量が２５質量％となるように調整した。
・製造例１のアクリル系樹脂（Ａ－１）を含む溶液：１００質量部（固形分）
・光重合開始剤（Ｂ－１）（１－ヒドロキシシクロヘキシル－フェニル－ケトン（チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア１８４、「イルガキュア」は登録商標）：１．０質量部
・架橋剤（Ｃ－１）（多官能イソシアネート（トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンとの反応物）、日本ポリウレタン工業株式会社製、コロネートＬ、固形分：７５％）：８．０質量部（固形分）
・酢酸エチル（溶剤）
　一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ３８μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて活性エネルギー線硬化型粘着剤のワニスを塗布した後、８０℃で５分間乾燥した。これによって、ポリエチレンテレフタレートフィルムと、その上に形成された厚さ３０μｍの粘着剤層とからなる積層体（ダイシングフィルム）を得た。
　一方の面にコロナ処理が施されたポリオレフィンフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ８０μｍ）を準備した。コロナ処理が施された面と、上記積層体の粘着剤層とを室温にて貼り合わせた。次いで、ゴムロールで押圧することで粘着剤層をポリオレフィンフィルム（カバーフィルム）に転写した。その後、室温で３日間放置することでカバーフィルム付きのダイシングフィルムを得た。
［ダイボンディングフィルム（接着剤層）の作製］
　以下の成分を混合することで、接着剤層形成用のワニスを調製した。まず、以下の成分を含む混合物に対して、シクロヘキサノン（溶剤）を加えて撹拌混合した後、さらにビーズミルを用いて９０分混練した。
・エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ－７００－１０（商品名）、新日鉄住金化学株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１０、分子量：１２００、軟化点：８０℃）：１４質量部
・フェノール樹脂（ミレックスＸＬＣ－ＬＬ（商品名）、三井化学株式会社製、フェノール樹脂、水酸基当量：１７５、吸水率：１．８％、３５０℃における加熱重量減少率：４％）：２３質量部
・シランカップリング剤（ＮＵＣ　Ａ－１８９（商品名）株式会社ＮＵＣ製、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）：０．２質量部
・シランカップリング剤（ＮＵＣＡ－１１６０（商品名）、日本ユニカー株式会社製、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）：０．１質量部
・フィラー（ＳＣ２０５０－ＨＬＧ（商品名）、アドマテックス株式会社製、シリカ、平均粒径０．５００μｍ）：３２質量部
　上記のようにして得られた混合物に以下の成分をさらに加えた後、撹拌混合及び真空脱気の工程を経て接着剤層形成用のワニス（少なくとも反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含む接着剤組成物のワニス）を得た。
・エポキシ基含有アクリル共重合体（ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名）、ナガセケムテックス株式会社製、重量平均分子量：８０万）：１６質量部
・硬化促進剤（キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ（商品名）、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、「キュアゾール」は登録商標）０．１質量部
　一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３５μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて接着剤層形成用のワニスを塗布した後、１４０℃で５分間加熱乾燥した。これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルム（キャリアフィルム）と、その上に形成された厚さ２５μｍの接着剤層（Ｂステージ状態）とからなる積層体（ダイボンディングフィルム）を得た。
［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製］
　接着剤層とキャリアフィルムとからなるダイボンディングフィルムを、キャリアフィルムごと直径３３５ｍｍの円形にカットした。カットしたダイボンディングフィルムに、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離したダイシングフィルムを室温で貼付け後、室温で１日放置した。その後、直径３７０ｍｍの円形にダイシングフィルムをカットし、積層体を得た。このようにして得た積層体の接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域（粘着剤層の第１の領域）に以下のようにして紫外線を照射した。すなわち、パルスドキセノンランプを用いて７０Ｗ、３００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で部分的に紫外線を照射した。なお、紫外線の照射は、暗幕を用いてフィルムの中心から内径３１８ｍｍの部分に対して行った。このようにして、後述の種々の評価試験に供するための複数の実施例１のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
＜実施例２＞
　紫外線の照射量を３００ｍＪ／ｃｍ２から２００ｍＪ／ｃｍ２に変更した以外は、実施例１と同様にして、複数の実施例２のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
＜実施例３＞
　紫外線の照射量を３００ｍＪ／ｃｍ２から５００ｍＪ／ｃｍ２に変更した以外は、実施例１と同様にして、複数の実施例３のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
＜実施例４＞
　ダイシングフィルムを作製する際に用いた光重合開始剤（Ｂ－１）を、光重合開始剤（Ｂ－２）（２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］－フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン、チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア１２７、「イルガキュア」は登録商標））に変更した以外は、実施例１と同様にして、複数の実施例４のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
＜実施例５＞
　ダイシングフィルムを作製する際に用いたアクリル系樹脂（Ａ－１）を、アクリル系樹脂（Ａ－２）に変更した以外は、実施例３と同様にして、複数の実施例５のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
＜比較例１＞
　ダイシングフィルムを作製する際に用いたアクリル系樹脂（Ａ－１）を、アクリル系樹脂（Ａ－３）に変更した以外は、実施例１と同様にして、複数の比較例１のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
［評価試験］
（１）接着剤層に対する粘着剤層の粘着力（３０°ピール強度）の測定
　接着剤層に対する粘着剤層の第１の領域の粘着力（ｆ１）及び接着剤層に対する粘着剤層の第２の領域の粘着力（ｆ２）を、３０°ピール強度を測定することによって評価した。なお、ｆ１は、接着剤層に対する紫外線の照射後の粘着剤層の第１の領域の粘着力に相当し、ｆ２は、接着剤層に対する紫外線の照射前の粘着剤層の第１の領域となる領域の粘着力に相当する。そのため、ｆ１は、［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製］における紫外線の照射後のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いて、ｆ２は、紫外線の照射前の積層体を用いて、粘着力（３０°ピール強度）の測定を行った。測定試料は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及び積層体を準備し、これらを幅２５ｍｍ及び長さ１００ｍｍにそれぞれ切り出すことによって得た。引張試験機（株式会社島津製作所製、オートグラフ「ＡＧＳ－１０００」）を用いて、それぞれの測定試料から接着剤層に対する紫外線の照射後の粘着剤層の第１の領域のピール強度及び接着剤層に対する紫外線の照射前の粘着剤層の第１の領域となる領域のピール強度（接着剤層に対する粘着剤層の第２の領域のピール強度）を測定した。測定条件は、剥離角度３０°、剥離速度６０ｍｍ／分とした。なお、試料の保存及びピール強度の測定は、温度２３℃、相対湿度４０％の環境下で行った。結果を表２に示す。
（２）ステンレス基板に対する粘着剤層の粘着力（９０°ピール強度）の測定
　ステンレス基板に対する粘着剤層の第２の領域の粘着力を９０°ピール強度を測定することによって評価した。なお、当該粘着力は、ステンレス基板に対する紫外線の照射前の粘着剤層の粘着力に相当する。そのため、当該粘着力は、［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製］における紫外線の照射前の積層体を用いて、粘着力（９０°ピール強度）の測定を行った。測定試料は、積層体を準備し、これを幅２５ｍｍ及び長さ１００ｍｍに切り出し、粘着剤層側の面をステンレス基板（ＳＵＳ４３０ＢＡ）に貼り付けることによって得た。引張試験機（株式会社島津製作所製、オートグラフ「ＡＧＳ－１０００」）を用いて、測定試料からステンレス基板に対する粘着剤層のピール強度を測定した。測定条件は、剥離角度９０°、剥離速度５０ｍｍ／分とした。結果を表２に示す。
（３）粘着剤層の硬化収縮率の測定
　一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ３８μｍ）を２枚準備した。１枚のポリエチレンテレフタレートフィルムの離型処理が施された面に、アプリケータを用いて活性エネルギー線硬化型粘着剤のワニスを塗布した後、８０℃で５分間乾燥し、粘着剤層を形成した。次いで、もう１枚のポリエチレンテレフタレートフィルムの離型処理が施された面と、粘着剤層とを室温にて貼り合わせ、ゴムロールで押圧することによって、ポリエチレンテレフタレートフィルムと、厚さ３０μｍの粘着剤層と、ポリエチレンテレフタレートフィルムとからなる積層体を得た。このような積層体を複数作製した。次に、積層体のポリエチレンテレフタレートフィルムを片面剥離し、粘着剤層同士をボイドが入らないようにラミネートし、これを粘着剤層の厚さが約１ｍｍとなるまで他の積層体を用いて粘着剤層をラミネートすることを繰り返すことで、２枚のポリエチレンテレフタレートフィルムと、これらに挟まれた厚さ約１ｍｍの粘着剤層とからなる積層体を得た。
　得られた積層体を１０ｍｍφに打ち抜き、ポリエチレンテレフタレートフィルムを両面剥離し、ボイドが入らないようにスライドガラス上に配置した。次いで、片面が黒色のアルミホイルを同様に１０ｍｍφに打ち抜き、スライドガラスとは反対側の粘着剤層の上面に配置することによってサンプルを得た。得られたサンプルに対して、［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製］と同様の条件で紫外線の照射を行い、樹脂硬化収縮測定装置（株式会社アクロエッジ製、Ｃｕｓｔｒｏｎ）を用いて、紫外線の照射前後のスライドガラス及びアルミホイルを除いた厚みの差から硬化収縮率を測定した。結果を表２に示す。
（４）チップのエッジ剥離強度の測定
　エッジ剥離強度は、以下の工程を経て測定される。図９（ａ）、図９（ｂ）、及び図９（ｃ）は、エッジ剥離強度を測定する工程を模式的に示す断面図である。
・接着剤層５に対して厚さ５０μｍのシリコンウェハＷｓを貼るとともに、粘着剤層３の第２の面Ｆ２に対してダイシングリングＤＲを貼る工程（図９（ａ）参照）
・シリコンウェハＷｓ及び接着剤層５を複数の接着剤片付きチップＴａ（チップＴｓと接着剤片５ｐの積層体）に個片化する工程（図９（ｂ）参照）
・温度２３℃において基材層１側から接着剤片付きチップＴａの中央部を速度６０ｍｍ／分で押し込み（図９（ｃ）参照）、接着剤片付きチップＴａのエッジが粘着剤層３から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する工程
　まず、シリコンウェハ（直径：１２インチ、厚さ：５０μｍ）及びダイシングリングにダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを以下条件で貼付けた（図９（ａ）参照）。シリコンウェハ及びダイシングリングを貼付けた後のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのＭＤ方向の伸びは、１．０～１．３％程度であった。
＜貼付条件＞
・貼付装置：ＤＦＭ２８００（株式会社ディスコ製）
・貼付温度：７０℃
・貼付速度：１０ｍｍ／ｓ
・貼付テンションレベル：レベル６
　次いで、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム付きシリコンウェハをブレードダイシングによって複数の接着剤片付きチップ（サイズ２ｍｍ×２ｍｍ）に個片化した（図９（ｂ）参照）。
＜ダイシング条件＞
・ダイサー：ＤＦＤ６３６１（株式会社ディスコ製）
・ブレード：ＺＨ０５－ＳＤ４０００－Ｎ１－７０－ＢＢ（株式会社ディスコ製）
・ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
・ダイシング速度：３０ｍｍ／秒
・ブレードハイト：９０μｍ
・粘着剤層の表面から基材層への切り込み深さ：２０μｍ
・ダイシング時の水量
　ブレードクーラー：１．５Ｌ／分
　シャワー：１．０Ｌ／分
　スプレー：１．０Ｌ／分
　ダイシングしてから１日後、以下の測定条件で、基材層側から接着剤片付きチップを押し込み冶具Ｐで押し込み、接着剤片付きチップのエッジ剥離強度を測定した（図９（ｃ）参照）。図１０は、押し込みによる変位（ｍｍ）と押し込み力（Ｎ）との関係の一例を示すグラフである。チップのエッジが剥離した時、図１０に示すように、一時的に押し込み力が低下し、グラフに変化点が生じる。この変化点における押し込み力の値をエッジ剥離強度と定義する。なお、測定前に、チップの中央部に相当する基材層の表面に、油性ペンでマーキングを行った。図１１は、測定対象のチップの中央部に相当する位置にマークを付した状態を模式的に示す平面図である。チップの中央部のマークＭは定規で計測して特定した。測定はＮ＝１０で行った。一つのチップについて測定した後、間隔をチップ３個分空けて次の測定を行った（図１１参照）。結果を表２に示す。
＜測定条件＞
・測定装置：小型卓上試験機ＥＺ－ＳＸ（株式会社島津製作所製）
・ロードセル：５０Ｎ
・押し込み冶具：ＺＴＳシリーズ付属アタッチメント（形状：円錐型、株式会社イマダ製）
・押し込み速度：６０ｍｍ／分
・温度：２３℃
・湿度：４５±１０％
（５）ピックアップ性の評価
　上記のエッジ剥離強度の測定後、以下の条件で１００個の接着剤片付きチップをピックアップした。
＜ピックアップ条件＞
・ダイボンダ装置：ＤＢ８００－ＨＳＤ（株式会社日立ハイテクノロジーズ製）
・突上げピン：ＥＪＥＣＴＯＲ　ＮＥＥＤＬＥ　ＳＥＮ２－８３－０５（直径：０．７ｍｍ、先端形状：半径３５０μｍの半球、マイクロメカニクス社製）
・突き上げ高さ：２００μｍ
・突き上げ速度：１ｍｍ／秒
　なお、突上げピンは、チップの中央部に１本配置した。ピックアップの成功率が１００％であったものを「Ａ」、７０％以上１００％未満であったものを「Ｂ」、７０％未満であったものを「Ｃ」とした。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、実施例１～５のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、比較例１のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムよりもピックアップ性が良好であった。具体的には、比較例１は、（ｆ２－ｆ１）の差が実施例１～５よりも大きいことから、硬化収縮率及びエッジ剥離強度も実施例１～５よりも高く、ピックアップ性が充分ではなかった。以上の結果から、本開示のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが、ウェハを複数の小さいチップ（面積０．１～９ｍｍ２）へと個片化する工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用可能であり、優れたピックアップ性を有する粘着剤層を備えていることが確認された。
１…基材層、３…粘着剤層、３ａ…第１の領域、３ｂ…第２の領域、５…接着剤層、５Ｐ，５ｐ…接着剤片、５Ｃ…硬化物、８…ＤＡＦ、１０…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム（フィルム）、４２…ピン、４４…吸引コレット、５０…封止層、６０…構造体、７０…基板、８０…支持板、１００…半導体装置、ＤＲ…ダイシングリング、Ｆ１…第１の面、Ｆ２…第２の面、Ｍ…マーク、Ｐ…押し込み冶具、Ｒｗ…領域、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ，Ｔｓ…チップ、Ｔａ…接着剤片付きチップ、Ｗ…ウェハ、Ｗｓ…シリコンウェハ、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…ワイヤ。

Claims (12)

  1. 　基材層と、
    　前記基材層と対面する第１の面及び前記第１の面の反対側の第２の面を有する、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、
    　前記第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層と、
    を備え、
    　前記粘着剤層は、前記接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域を少なくとも含む第１の領域と、前記第１の領域を囲むように位置する第２の領域とを有し、
    　前記第１の領域は、活性エネルギー線の照射により、前記第２の領域と比較して粘着力が低下した状態の領域であり、
    　温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、前記接着剤層に対する前記粘着剤層の前記第１の領域の粘着力をｆ１（Ｎ／２５ｍｍ）、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される、前記接着剤層に対する前記粘着剤層の前記第２の領域の粘着力をｆ２（Ｎ／２５ｍｍ）としたとき、ｆ２とｆ１との差（ｆ２－ｆ１）が、６．５～９．０Ｎ／２５ｍｍであり、
    　ウェハを面積０．１～９ｍｍ２の複数のチップに個片化する工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用される、
    　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  2. 　前記ｆ２とｆ１との差（ｆ２－ｆ１）が、７．０～９．０Ｎ／２５ｍｍである、
    　請求項１に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  3. 　前記ｆ１が、１．１～４．５Ｎ／２５ｍｍである、
    　請求項１又は２に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  4. 　前記ｆ１が、１．１～３．０Ｎ／２５ｍｍである、
    　請求項１～３のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  5. 　温度２３℃において剥離角度９０°及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定される、ステンレス基板に対する前記粘着剤層の前記第２の領域の粘着力が、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上である、
    　請求項１～４のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  6. 　前記活性エネルギー線硬化型粘着剤が、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂を含み、
    　前記官能基が、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種であり、
    　前記（メタ）アクリル系樹脂における前記官能基の含有量が、０．１～１．２ｍｍｏｌ／ｇである、
    　請求項１～５のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  7. 　前記活性エネルギー線硬化型粘着剤が、架橋剤をさらに含み、
    　前記活性エネルギー線硬化型粘着剤の全質量に対する前記架橋剤の含有量が、０．１～１５質量％である、
    　請求項６に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  8. 　前記架橋剤が、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に３つ以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとの反応物である、
    　請求項７に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  9. 　前記活性エネルギー線の照射量が、１０～１０００ｍＪ／ｃｍ２である、
    　請求項１～８のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  10. 　前記接着剤層が、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含む接着剤組成物からなる、
    　請求項１～９のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  11. 　請求項１～１０のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法であって、
    　基材層の表面上に、活性エネルギー線硬化型粘着剤からなる粘着剤層と、前記粘着剤層の表面上に形成された前記接着剤層とを含む積層体を作製する工程と、
    　前記積層体に含まれる前記粘着剤層の前記第１の領域となる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、
    をこの順に備える、
    　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法。
  12. 　請求項１～１０のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、
    　前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層に対してウェハを貼るとともに、前記粘着剤層の前記第２の面に対してダイシングリングを貼る工程と、
    　前記ウェハを複数のチップに個片化する工程と、
    　前記接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともに、前記チップを前記粘着剤層からピックアップする工程と、
    　前記接着剤片を介して前記チップを、基板又は他のチップ上にマウントする工程と、
    を備える、
    　半導体装置の製造方法。
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