CN112219264A - 切晶粘晶一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本公开所涉及的切晶粘晶一体型膜包括：基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层，该压敏胶黏剂层具有与基材层相向的第一面及其相反侧的第二面；该胶黏剂层以覆盖第二面的中央部的方式设置。压敏胶黏剂层具有第一区域及第二区域，该第一区域至少包含与胶黏剂层中的晶片的贴附位置对应的区域，该第二区域以包围第一区域的方式配置。第一区域为通过活性能量线的照射而处于与第二区域相比胶接力下降的状态的区域，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的第一区域相对于胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。

Description

切晶粘晶一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造 方法
技术领域
本公开涉及一种切晶粘晶一体型膜及其制造方法、以及使用该膜的半导体装置的制造方法。
背景技术
半导体装置经过以下的工序而制造。首先，在将切晶用压敏胶黏剂膜(pressure-sensitive adhesive film)贴附于晶片的状态下实施切晶工序。之后，实施扩张(expand)工序、拾取(pickup)工序、安装(mounting)工序及粘晶(die bonding)工序等。
在半导体装置的制造工艺中，使用被称为切晶粘晶一体型膜的膜。该膜具有依次层叠有基材层、压敏胶黏剂(pressure-sensitive adhesive)层及胶黏剂(adhesive)层的结构，例如以如下方式使用。首先，在对晶片贴附胶黏剂层侧的面并且利用切晶环(dicingring)将晶片固定的状态下，对晶片进行切晶。由此，将晶片单片化成多个芯片(chip)。接着，通过对压敏胶黏剂层照射紫外线而减弱压敏胶黏剂层相对于胶黏剂层的胶接力(adhesive force)后，将芯片连同将胶黏剂层单片化而成的胶黏剂片从压敏胶黏剂层一并拾取。之后，经过经由胶黏剂片而将芯片安装于基板等的工序来制造半导体装置。另外，将由经过切晶工序而得到的芯片及附着于其的胶黏剂片组成的层叠体称为芯片粘附膜(DieAttach Film，DAF)。
将如上所述般通过紫外线的照射而胶接力变弱的压敏胶黏剂层(切晶膜)称为紫外线(ultraviolet，UV)固化型。相对于此，将在半导体装置的制造工艺中不照射紫外线而胶接力保持固定的压敏胶黏剂层称为感压型。具备感压型的压敏胶黏剂层的切晶粘晶一体型膜具有如下优点：无需由用户(主要为半导体装置制造商)实施照射紫外线的工序，而且不需要用于该工序的设备。专利文献1公开一种切晶粘晶膜，其从压敏胶黏剂层含有通过紫外线而固化的成分的方面考虑可称为UV固化型，另一方面，从仅对压敏胶黏剂层的规定部分预先照射紫外线，用户无需在半导体装置的制造工艺中照射紫外线的方面考虑还可称为感压型。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4443962号公报
发明内容
发明要解决的课题
切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂层要求在切晶工序中对胶黏剂层及切晶的胶接力高。若压敏胶黏剂层的胶接力不充分，则产生：伴随切晶刀片的高速旋转而在胶黏剂层与压敏胶黏剂层之间产生剥离，芯片与胶黏剂片一起飞散的现象(以下将其称为“DAF飞散”。)；或者因切削水的水流而切晶环自压敏胶黏剂层剥离的现象(以下将该现象称为“环剥落”。)。本发明人等注意到，随着应通过切晶而制作的芯片的尺寸变小，这些现象变显著。关于这些现象变显著的主要因素，本发明人等推测原因在于：随着芯片的尺寸变小，与先前相比切晶需要更长时间，从而使切断中途的晶片及切断后的芯片长时间暴露于切晶刀片的冲击及切削水中。
因此，本发明人等专注于开发一种能够应用于将晶片切晶为多个小芯片(面积为9mm2以下)的工序中的切晶粘晶一体型膜，其具备通过对特定的部分预先照射规定量的活性能量线(例如紫外线)而该部分的胶接力与其他部分相比下降的压敏胶黏剂层，且满足以下特性。即，发明人等专注于开发一种切晶粘晶一体型膜，其中贴附切晶环的区域具有可耐受切晶工序中的切削水的水流的高胶接力，另一方面，预先照射有规定量的活性能量线的区域耐受由切晶刀片等造成的外力，而且具有适于之后的拾取的胶接力。
本公开的目的在于提供一种能够应用于将晶片切晶为多个小芯片(面积为9mm2以下)的工序，且具备在切晶工序中能够充分地抑制DAF飞散并且拾取性优异的压敏胶黏剂层的切晶粘晶一体型膜及其制造方法。另外，本公开的目的在于提供一种使用该切晶粘晶一体型膜的半导体装置的制造方法。
具体实施方式
本公开的一方面涉及一种半导体装置的制造方法。该制造方法包括：准备切晶粘晶一体型膜的工序，所述切晶粘晶一体型膜包括基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层，该压敏胶黏剂层具有与基材层相向的第一面及其相反侧的第二面，该胶黏剂层以覆盖压敏胶黏剂层的第二面的中央部的方式设置；对切晶粘晶一体型膜的胶黏剂层粘贴晶片，并且对压敏胶黏剂层的第二面粘贴切晶环的工序；将晶片单片化成面积为9mm2以下的多个芯片的工序(切晶工序)；将芯片连同将胶黏剂层单片化而成的胶黏剂片从压敏胶黏剂层一并拾取的工序；及经由胶黏剂片将芯片安装于基板或者其他芯片上的工序，压敏胶黏剂层具有与胶黏剂层中的贴附晶片的区域对应的第一区域及贴附切晶环的第二区域，第一区域为通过活性能量线的照射而呈与第二区域相比胶接力下降的状态的区域，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的第一区域相对于胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。
根据上述半导体装置的制造方法，由于能够充分地抑制切晶工序中的DAF飞散，而且能够达成源自压敏胶黏剂层的优异的拾取性，从而能够以充分高的成品率制造半导体装置。
本公开的一方面涉及一种切晶粘晶一体型膜。该膜具备：基材层；压敏胶黏剂层，具有与基材层相向的第一面及其相反侧的第二面；及胶黏剂层，以覆盖第二面的中央部的方式设置，压敏胶黏剂层具有第一区域及第二区域，该第一区域至少包含与胶黏剂层中的晶片的贴附位置相对应的区域，该第二区域以包围第一区域的方式配置，第一区域为通过活性能量线的照射而处于与第二区域相比胶接力下降的状态的区域，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的第一区域相对于胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。
通过将上述切晶粘晶一体型膜用于半导体装置的制造中，由于能够充分地抑制切晶工序中的DAF飞散，而且能够达成源自压敏胶黏剂层的优异的拾取性，从而能够以充分高的成品率制造半导体装置。
从抑制切晶工序中的环剥落的观点考虑，压敏胶黏剂层中的上述第二区域相对于不锈钢基板的胶接力优选为0.2N/25mm以上。该胶接力是指在温度23℃下、剥离角度90°及剥离速度50mm/分钟的条件下所测定的剥离强度(peel strength)。
上述压敏胶黏剂层的第一区域及第二区域例如在活性能量线的照射前包含相同的组合物，第一区域经过对形成该第一区域的区域照射10mJ/cm2～1000mJ/cm2的量的活性能量线的工序而形成。
本公开的一方面涉及一种上述切晶粘晶一体型膜的制造方法。该制造方法的第一方式依次包括：在基材层的表面上制作层叠体的工序，该层叠体包含压敏胶黏剂层及胶黏剂层，该压敏胶黏剂层由通过照射活性能量线而胶接力下降的组合物组成，该胶黏剂层形成在压敏胶黏剂层的表面上；及对层叠体所包含的压敏胶黏剂层的成为第一区域的区域照射活性能量线的工序。另一方面，该制造方法的第二方式依次包括：在基材层的表面上形成压敏胶黏剂层的工序，压敏胶黏剂层由通过照射活性能量线而胶接力下降的组合物组成；对压敏胶黏剂层的成为第一区域的区域照射活性能量线的工序；及在照射活性能量线后的压敏胶黏剂层的表面上层叠胶黏剂层的工序。
发明效果
根据本公开，可提供一种能够应用于将晶片切晶为多个小芯片的工序，且具备能够充分地抑制切晶工序中的DAF飞散并且拾取性优异的压敏胶黏剂层的切晶粘晶一体型膜。另外，根据本公开，可提供一种切晶粘晶一体型膜的制造方法及使用该膜的半导体装置的制造方法。
附图说明
图1(a)为表示切晶粘晶一体型膜的一实施方式的俯视图，图1(b)为沿着图1(a)所示的B-B线的示意剖视图。
图2为表示在切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂层的周缘部贴附切晶环，并且在胶黏剂层的表面贴附晶片的状态的示意图。
图3为示意性地表示测定压敏胶黏剂层相对于胶黏剂层的30°剥离强度的样子的剖视图。
图4为半导体装置的一实施方式的示意剖视图。
图5(a)～图5(d)为示意性地表示制造DAF(芯片与胶黏剂片的层叠体)的过程的剖视图。
图6为示意性地表示制造图4所示的半导体装置的过程的剖视图。
图7为示意性地表示制造图4所示的半导体装置的过程的剖视图。
图8为示意性地表示制造图4所示的半导体装置的过程的剖视图。
实施方式
以下，参考附图对本公开的实施方式进行详细说明。在以下的说明中，对相同或相应部分标注相同符号，并省略重复说明。另外，本发明并不限定于以下的实施方式。在本说明书中，所谓(甲基)丙烯酸，是指丙烯酸或甲基丙烯酸。
<切晶粘晶一体型膜>
图1(a)为表示本实施方式所涉及的切晶粘晶一体型膜的俯视图，图1(b)为沿着图1的B-B线的示意剖视图。切晶粘晶一体型膜10(以下根据情况而简称为“膜10”。)可应用于半导体装置的制造工艺中，上述半导体装置的制造工艺包括将晶片W单片化成面积为9mm2以下的多个芯片的切晶工序及之后的拾取工序(参考图5(c)及图5(d))。
膜10依次包括：基材层1、压敏胶黏剂层3及胶黏剂层5，该压敏胶黏剂层3具有与基材层1相向的第一面F1及其相反侧的第二面F2，该胶黏剂层5以覆盖压敏胶黏剂层3的第二面F2的中央部的方式设置。在本实施方式中，例示出在正方形的基材层1上形成有一个压敏胶黏剂层3及胶黏剂层5的层叠体的方式，也可以为基材层1具有规定的长度(例如100m以上)，且以沿其长边方向排列的方式，压敏胶黏剂层3及胶黏剂层5的层叠体以规定的间隔配置的方式。
(压敏胶黏剂层)
压敏胶黏剂层3具有：第一区域3a，至少包含与胶黏剂层5中的晶片W的贴附位置对应的区域Rw；及第二区域3b，以包围第一区域3a的方式配置。图1(a)及图1(b)中的虚线表示第一区域3a与第二区域3b的边界。第一区域3a及第二区域3b在活性能量线的照射前由相同的组合物组成。第一区域3a为通过照射紫外线等活性能量线而处于与第二区域3b相比胶接力下降的状态的区域。第二区域3b为用来贴附切晶环DR的区域(参考图2)。第二区域3b为未照射活性能量线的区域，且具有对切晶环DR的高胶接力。
第一区域3a相对于胶黏剂层5的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。该胶接力为在温度23℃、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的30°剥离强度。图3为示意性地表示在将测定试样(宽度25mm×长度100mm)的胶黏剂层5固定在支撑板80的状态下，测定压敏胶黏剂层3的30°剥离强度的样子的剖视图。通过将第一区域3a相对于胶黏剂层5的胶接力(30°剥离强度)设为上述范围，能够以充分高的程度兼备切晶时的DAF飞散的抑制及优异的拾取性两者。由此，能够以充分高的成品率制造半导体装置。该胶接力的下限值可以为1.5N/25mm或2.0N/25mm，上限值可以为3.5N/25mm或2.5N/25mm。
如上所述，膜10适于将晶片单片化成面积为9mm2以下的多个小芯片的切晶工序及之后的拾取工序。本发明人等着眼于尺寸为3mm×3mm以下(面积为9mm2以下)的小芯片的拾取行为与例如尺寸8mm×6mm左右的大芯片的拾取行为不同而进行了研究，结果将第一区域3a相对于胶黏剂层5的胶接力特定为上述范围(1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下)。即，在通过利用上推夹具的销自下方对大芯片的中心部进行上推而拾取大芯片的情况下，若第一区域3a相对于胶黏剂层5的30°剥离强度为上述范围，则伴随销的上升，虽然压敏胶黏剂层与胶黏剂片的界面剥离自DAF的边缘部分向中央部分进展，但由于压敏胶黏剂层的胶接力过强，因此界面剥离无法追上销的上升，从而芯片过度变形而容易产生破裂或拾取失误。即，本发明人等发现，大芯片的拾取性主要受压敏胶黏剂层与胶黏剂片的界面剥离支配，应将压敏胶黏剂层相对于胶黏剂层的胶接力设定为比上述范围的下限值(1.2N/25mm)更小。相对于此，本发明人等发现，小芯片的拾取性主要受DAF的边缘部分的剥离支配，若因由销所致的上推而边缘部分的剥离一旦产生，则之后压敏胶黏剂层与胶黏剂片的界面剥离顺利地进展。因此，即便第一区域3a相对于胶黏剂层5的胶接力较强，在小芯片的情况下也能够达成优异的拾取性。另外，第一区域3a相对于胶黏剂层5的胶接力较强，从而能够充分地抑制切晶工序中的DAF飞散。
相对于胶黏剂层5具有上述范围的胶接力的第一区域3a通过活性能量线的照射而形成。本发明人等发现，通过活性能量线的照射来使压敏胶黏剂层的胶接力下降会对DAF的边缘部分的剥离产生影响。即，若第一区域3a的胶接力通过活性能量线的照射而过度下降，则第一区域3a相对于胶黏剂层5的30°剥离强度变低，另一方面，在拾取对象为小芯片的情况下，存在DAF的边缘部分难以剥离的倾向，从而芯片过度变形而容易产生破裂或拾取失误。第一区域3a相对于胶黏剂层5的胶接力(1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下)能够说是未使照射活性能量线前的胶接力过度下降，由此，即便为小芯片，也容易产生DAF的边缘部分的剥离。在本实施方式中，例如能够通过将压敏胶黏剂层中的交联剂的量设为较少、或减少活性能量线的照射量等来调整压敏胶黏剂层3的第一区域3a的胶接力。
第二区域3b相对于不锈钢基板的胶接力优选为0.2N/25mm以上。该胶接力为在温度23℃、剥离角度90°及剥离速度50mm/分钟的条件下所测定的90°剥离强度。通过该胶接力为0.2N/25mm以上，能够充分地抑制切晶时的环剥落。该胶接力的下限值可以为0.3N/25mm或0.4N/25mm，上限值例如可以为2.0N/25mm，也可以为1.0N/25mm。
活性能量线照射前的压敏胶黏剂层例如由含有(甲基)丙烯酸系树脂、光聚合引发剂及交联剂的压敏胶黏剂组合物组成。不照射活性能量线的第二区域3b由与活性能量线照射前的压敏胶黏剂层相同的组成组成。以下，对压敏胶黏剂组合物的含有成分进行详细说明。
[(甲基)丙烯酸系树脂]
压敏胶黏剂组合物优选为包含具有可链聚合的官能团的(甲基)丙烯酸系树脂，且官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基中的至少一种。活性能量线照射前的压敏胶黏剂层中的上述官能团的含量例如为0.1mmol/g～1.2mmol/g，也可以为0.3mmol/g～1.0mmol/g或0.5mmol/g～0.8mmol/g。通过上述官能团的含量为0.1mmol/g以上，容易通过活性能量线的照射而形成胶接力适度下降的区域(第一区域3a)，另一方面，通过为1.2mmol/g以下，容易达成优异的拾取性。
(甲基)丙烯酸系树脂能够通过利用已知的方法进行合成而得到。作为合成方法，例如可举出溶液聚合法、悬浮聚合法、乳化聚合法、块状聚合法、析出聚合法、气相聚合法、等离子体聚合法、超临界聚合法。另外，作为聚合反应的种类，除自由基聚合、阳离子聚合、阴离子聚合、活性自由基聚合、活性阳离子聚合、活性阴离子聚合、配位聚合、永生聚合(immortal polymerization)等以外，还可举出原子转移自由基聚合(atom transferradical polymerization，ATRP)及可逆加成断裂链转移聚合(reversible additionfragmentation chain transfer polymerization，RAFTP)等方法。这些中，使用溶液聚合法且通过自由基聚合来进行合成，除经济性良好、反应率高、聚合控制容易等以外，还具有能够直接使用通过聚合而得到的树脂溶液来进行调配等的优点。
在此，以使用溶液聚合法且通过自由基聚合而得到(甲基)丙烯酸系树脂的方法为例，对(甲基)丙烯酸系树脂的合成法进行详细说明。
作为合成(甲基)丙烯酸系树脂时所使用的单体，只要在一分子中具有一个(甲基)丙烯酰基，则并无特别限制。作为其具体例，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛基庚酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸山萮基酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、丁二酸单(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸环戊酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、四氢邻苯二甲酸单(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)酯、六氢邻苯二甲酸单(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)酯等脂环式(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸苯基酯、(甲基)丙烯酸邻联苯基酯、(甲基)丙烯酸1-萘基酯、(甲基)丙烯酸2-萘基酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸对枯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸邻苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(邻苯基苯氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(1-萘氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(2-萘氧基)丙酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸2-四氢糠酯、N-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酰亚胺、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基-N-咔唑等杂环式(甲基)丙烯酸酯、这些化合物的己内酯改性体；ω-羧基-聚己内酯单(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-乙基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丙基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丁基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-甲基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-乙基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-丙基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸3，4-环氧基丁酯、(甲基)丙烯酸3，4-环氧基庚酯、(甲基)丙烯酸α-乙基-6，7-环氧基庚酯、(甲基)丙烯酸3，4-环氧基环己基甲酯、邻乙烯基苄基缩水甘油醚、间乙烯基苄基缩水甘油醚、对乙烯基苄基缩水甘油醚等具有乙烯性不饱和基与环氧基的化合物；(甲基)丙烯酸(2-乙基-2-氧杂环丁基)甲酯、(甲基)丙烯酸(2-甲基-2-氧杂环丁基)甲酯、(甲基)丙烯酸2-(2-乙基-2-氧杂环丁基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲基-2-氧杂环丁基)乙酯、(甲基)丙烯酸3-(2-乙基-2-氧杂环丁基)丙酯、(甲基)丙烯酸3-(2-甲基-2-氧杂环丁基)丙酯等具有乙烯性不饱和基与氧杂环丁基的化合物；2-(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯等具有乙烯性不饱和基与异氰酸酯基的化合物；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-氯-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯等具有乙烯性不饱和基与羟基的化合物，能够将这些适当组合来得到作为目标的(甲基)丙烯酸系树脂。
从与后述的官能团导入化合物或交联剂的反应方面考虑，(甲基)丙烯酸系树脂优选为具有选自羟基、缩水甘油基及氨基等中的至少一种官能团。作为用于合成具有羟基的(甲基)丙烯酸系树脂的单体，可举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-氯-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯等具有乙烯性不饱和基与羟基的化合物，这些能够单独使用一种，或者同时使用两种以上。
作为用于合成具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸系树脂的单体，可举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-乙基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丙基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-丁基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-甲基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-乙基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-丙基缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸3，4-环氧基丁酯、(甲基)丙烯酸3，4-环氧基庚酯、(甲基)丙烯酸α-乙基-6，7-环氧基庚酯、(甲基)丙烯酸3，4-环氧基环己基甲酯、邻乙烯基苄基缩水甘油醚、间乙烯基苄基缩水甘油醚、对乙烯基苄基缩水甘油醚等具有乙烯性不饱和基与环氧基的化合物，这些能够单独使用一种，或者同时使用两种以上。
由这些单体所合成的(甲基)丙烯酸系树脂优选为包含可链聚合的官能团。可链聚合的官能团例如为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基中的至少一种。可链聚合的官能团例如能够通过使以下化合物(官能团导入化合物)与如上所述般合成的(甲基)丙烯酸系树脂反应，而导入至该(甲基)丙烯酸系树脂中。作为官能团导入化合物的具体例，可举出2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间-异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1，1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或者聚异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯或(甲基)丙烯酸4-羟基丁基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或者聚异氰酸酯化合物与多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物等。这些中，尤其优选为2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。这些化合物能够单独使用一种，还能够组合使用两种以上。
[光聚合引发剂]
作为光聚合引发剂，只要通过照射活性能量线(选自紫外线、电子束及可见光线中的至少一种)而产生可链聚合的活性种，则并无特别限制，例如可举出光自由基聚合引发剂。在此所谓可链聚合的活性种，是指通过与可链聚合的官能团反应而开始聚合反应。
作为光自由基聚合引发剂，可举出2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮等安息香缩酮；1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羟基酮；2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁烷-1-酮、1，2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基丙烷-1-酮等α-氨基酮；1-[4-(苯硫基)苯基]-1，2-辛二酮-2-(苯甲酰基)肟等肟酯；双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦、双(2，6-二甲氧基苯甲酰基)-2，4，4-三甲基戊基氧化膦、2，4，6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等氧化膦；2-(邻氯苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻氯苯基)-4，5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚体、2-(邻氟苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体、2-(对甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体等2，4，5-三芳基咪唑二聚体；二苯甲酮、N，N′-四甲基-4，4′-二氨基二苯甲酮、N，N′-四乙基-4，4′-二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4′-二甲基氨基二苯甲酮等二苯甲酮化合物；2-乙基蒽醌、菲醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1，2-苯并蒽醌、2，3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2，3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1，4-萘醌、9，10-菲醌、2-甲基-1，4-萘醌、2，3-二甲基蒽醌等醌化合物；安息香甲醚、安息香乙醚、安息香苯醚等安息香醚；安息香、甲基安息香、乙基安息香等安息香化合物；苄基二甲基缩酮等苄基化合物；9-苯基吖啶、1，7-双(9，9′-吖啶基庚烷)等吖啶化合物；N-苯基甘氨酸；香豆素。
相对于(甲基)丙烯酸系树脂的含量100质量份，压敏胶黏剂组合物中的光聚合引发剂的含量例如为0.1质量份～30质量份，优选为0.3质量份～10质量份，更优选为0.5质量份～5质量份。若光聚合引发剂的含量小于0.1质量份，则压敏胶黏剂层在活性能量线照射后发生固化不足，容易导致拾取不良。若光聚合引发剂的含量超过30质量份，则容易产生对胶黏剂层的污染(光聚合引发剂向胶黏剂层的转印)。
[交联剂]
交联剂例如为出于控制压敏胶黏剂层的弹性模量和/或胶黏性的目的而使用。交联剂只要为一分子中具有两个以上的可与上述(甲基)丙烯酸系树脂所具有的选自羟基、缩水甘油基及氨基等中的至少一种官能团反应的官能团的化合物即可。作为通过交联剂与(甲基)丙烯酸系树脂的反应而形成的键，可举出酯键、醚键、酰胺键、酰亚胺键、氨基甲酸酯键、脲键等。
在本实施方式中，作为交联剂，优选为采用一分子中具有两个以上的异氰酸酯基的化合物。若使用此种化合物，则容易与上述(甲基)丙烯酸系树脂所具有的羟基、缩水甘油基及氨基等反应，能够形成牢固的交联结构。
作为一分子中具有两个以上的异氰酸酯基的化合物，可举出2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-亚二甲苯基二异氰酸酯、1，4-亚二甲苯基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4，4′-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2，4′-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4，4′-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2，4′-二异氰酸酯、赖氨酸异氰酸酯等异氰酸酯化合物。
作为交联剂，可以采用上述异氰酸酯化合物与一分子中具有两个以上的OH基的多元醇的反应产物(含异氰酸酯基的低聚物)。作为一分子中具有两个以上的OH基的多元醇的例子，可举出乙二醇、丙二醇、丁二醇、1，6-己二醇、1，8-辛二醇、1，9-壬二醇、1，10-癸二醇、1，11-十一烷二醇、1，12-十二烷二醇、甘油、季戊四醇、二季戊四醇、1，4-环己二醇、1，3-环己二醇。
这些中，作为交联剂，更优选为一分子中具有两个以上的异氰酸酯基的多官能异氰酸酯与一分子中具有三个以上的OH基的多元醇的反应产物(含异氰酸酯基的低聚物)。通过将此种含异氰酸酯基的低聚物用作交联剂，压敏胶黏剂层3形成致密的交联结构，由此，在拾取工序中能够充分地抑制压敏胶黏剂附着于胶黏剂层5。
压敏胶黏剂组合物中的交联剂的含量只要根据对压敏胶黏剂层所要求的凝聚力及断裂伸长率、以及与胶黏剂层5的密合性等而适当设定即可。具体而言，相对于(甲基)丙烯酸系树脂的含量100质量份，交联剂的含量例如为3质量份～30质量份，优选为4质量份～15质量份，更优选为7质量份～10质量份。通过将交联剂的含量设为上述范围，能够均衡性良好地兼备在切晶工序中对压敏胶黏剂层所要求的特性及在粘晶工序中对压敏胶黏剂层3所要求的特性，并且还可达成优异的拾取性。
若相对于(甲基)丙烯酸系树脂的含量100质量份，交联剂的含量小于3质量份，则交联结构的形成容易变得不充分，由此，在拾取工序中，与胶黏剂层5的界面密合力不会充分下降而容易在拾取时产生不良。另一方面，若相对于(甲基)丙烯酸系树脂的含量100质量份，交联剂的含量超过30质量份，则压敏胶黏剂层3容易变得过硬，由此，在扩张工序中，半导体芯片容易剥离。
交联剂相对于压敏胶黏剂组合物的总质量的含量例如为0.1～20质量％，也可以为3～17质量％或5～15质量％。通过交联剂的含量为0.1质量％以上，容易通过活性能量线的照射而形成胶接力适度下降的区域(第一区域3a)，另一方面，通过为15质量％以下，容易达成优异的拾取性。
压敏胶黏剂层3的厚度只要根据扩张工序的条件(温度及张力等)而适当设定即可，例如为1μm～200μm，优选为5μm～50μm，更优选为10μm～20μm。若压敏胶黏剂层3的厚度小于1μm，则胶黏性容易变得不充分，若超过200μm，则在扩张时切口宽度窄(在销上推时缓和应力)，拾取容易变得不充分。
压敏胶黏剂层3形成在基材层1上。作为压敏胶黏剂层3的形成方法，能够采用已知的方法。例如，可以通过双层挤压法来形成基材层1与压敏胶黏剂层3的层叠体，也可以制备压敏胶黏剂层3的形成用清漆，将其涂敷于基材层1的表面，或者在经脱模处理的膜上形成压敏胶黏剂层3，将其转印至基材层1。
压敏胶黏剂层3的形成用清漆优选为使用有机溶剂来进行制备，上述有机溶剂可溶解(甲基)丙烯酸系树脂、光聚合引发剂及交联剂且通过加热而挥发。作为有机溶剂的具体例，可举出甲苯、二甲苯、均三甲苯、枯烯、对伞花烃等芳香族烃；四氢呋喃、1，4-二噁烷等环状醚；甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇等醇；丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯等酯；碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯等碳酸酯；乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚等多元醇烷基醚；乙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、乙二醇单丁醚乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、二乙二醇单甲醚乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯等多元醇烷基醚乙酸酯；N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯啶酮等酰胺。
这些中，从溶解性及沸点的观点考虑，例如优选为甲苯、甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、二乙二醇二甲醚、乙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、N，N-二甲基乙酰胺。这些有机溶剂可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上。清漆的固体成分浓度通常优选为10～60质量％。
(基材层)
作为基材层1，能够使用已知的聚合物片或膜，只要为在低温条件下能够实施扩张工序，则并无特别限制。具体而言，作为基材层1，可举出结晶性聚丙烯、非晶性聚丙烯、高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、低密度直链聚乙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子聚合物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨基甲酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯基硫醚、芳族聚酰胺(aramid)(纸)、玻璃、玻璃布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素系树脂、硅酮树脂、或在这些中混合有塑化剂的混合物、或者通过电子束照射而已实施交联的固化物。
基材层1优选为具有以选自聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯-聚丙烯无规共聚物、聚乙烯-聚丙烯嵌段共聚物中的至少一种树脂为主成分的表面，且该表面与压敏胶黏剂层3相接。这些树脂从杨氏模量、应力缓和性及熔点等特性、以及价格方面、使用后的废弃材料回收利用等观点考虑也为良好的基材。基材层1可以为单层，但根据需要也可以具有层叠由不同材质组成的层而成的多层结构。为了控制与压敏胶黏剂层3的密合性，还可以对基材层1的表面实施消光处理、电晕处理等表面粗糙化处理。
(胶黏剂层)
胶黏剂层5中能够应用已知的构成粘晶膜的胶黏剂组合物。具体而言，构成胶黏剂层5的胶黏剂组合物优选为含有含环氧基的丙烯酸共聚物、环氧树脂及环氧树脂固化剂。根据包含这些成分的胶黏剂层5，具有如下特征而优选：芯片/基板间、芯片/芯片间的黏合性优异，而且还能够赋予电极埋入性及线埋入性等，且在粘晶工序中能够以低温来粘结、以短时间得到优异的固化，在利用密封剂模塑后具有优异的可靠性等。
作为环氧树脂，例如可举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、脂环式环氧树脂、脂肪族链状环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚A酚醛清漆型环氧树脂、联苯酚的二缩水甘油醚化物、萘二醇的二缩水甘油醚化物、酚类的二缩水甘油醚化物、醇类的二缩水甘油醚化物及这些的烷基取代体、卤化物、氢化物等二官能环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂。另外，还可以应用多官能环氧树脂及含杂环的环氧树脂等通常已知的其他环氧树脂。这些能够单独使用或组合使用两种以上。另外，还可以在不损害损特性的范围内作为杂质而含有除了环氧树脂以外的成分。
作为环氧树脂固化剂，例如可举出如能够使酚化合物与作为二价连结基的亚二甲苯基化合物在无催化剂或酸催化剂的存在下进行反应而得到的酚树脂。作为用于酚树脂的制造中的酚化合物，可例示：苯酚、邻甲酚、间甲酚、对甲酚、邻乙基苯酚、对乙基苯酚、邻正丙基苯酚、间正丙基苯酚、对正丙基苯酚、邻异丙基苯酚、间异丙基苯酚、对异丙基苯酚、邻正丁基苯酚、间正丁基苯酚、对正丁基苯酚、邻异丁基苯酚、间异丁基苯酚、对异丁基苯酚、辛基苯酚、壬基苯酚、2，4-二甲酚、2，6-二甲酚、3，5-二甲酚、2，4，6-三甲基苯酚、间苯二酚(resorcin)、邻苯二酚、对苯二酚、4-甲氧基苯酚、邻苯基苯酚、间苯基苯酚、对苯基苯酚、对环己基苯酚、邻烯丙基苯酚、对烯丙基苯酚、邻苄基苯酚、对苄基苯酚、邻氯苯酚、对氯苯酚、邻溴苯酚、对溴苯酚、邻碘苯酚、对碘苯酚、邻氟苯酚、间氟苯酚、对氟苯酚等。这些酚化合物可以单独使用，也可以混合使用两种以上。用于酚树脂的制造中的作为二价连结基的亚二甲苯基化合物能够使用以下所示的亚二甲苯基二卤化物、亚二甲苯基二甘醇及其衍生物。即，能够举出α，α′-二氯-对二甲苯、α，α′-二氯-间二甲苯、α，α′-二氯-邻二甲苯、α，α′-二溴-对二甲苯、α，α′-二溴-间二甲苯、α，α′-二溴-邻二甲苯、α，α′-二碘-对二甲苯、α，α′-二碘-间二甲苯、α，α′-二碘-邻二甲苯、α，α′-二羟基-对二甲苯、α，α′-二羟基-间二甲苯、α，α′-二羟基-邻二甲苯、α，α′-二甲氧基-对二甲苯、α，α′-二甲氧基-间二甲苯、α，α′-二甲氧基-邻二甲苯、α，α′-二乙氧基-对二甲苯、α，α′-二乙氧基-间二甲苯、α，α′-二乙氧基-邻二甲苯、α，α′-二-正丙氧基-对二甲苯、α，α′-正丙氧基-间二甲苯、α，α′-二-正丙氧基-邻二甲苯、α，α′-二-异丙氧基-对二甲苯、α，α′-二-异丙氧基-间二甲苯、α，α′-二-异丙氧基-邻二甲苯、α，α′-二-正丁氧基-对二甲苯、α，α′-二-正丁氧基-间二甲苯、α，α′-二-正丁氧基-邻二甲苯、α，α′-二异丁氧基-对二甲苯、α，α′-二异丁氧基-间二甲苯、α，α′-二异丁氧基-邻二甲苯、α，α′-二-叔丁氧基-对二甲苯、α，α′-二-叔丁氧基-间二甲苯、α，α′-二-叔丁氧基-邻二甲苯。这些能够单独使用或组合使用两种以上。
使上述酚化合物与亚二甲苯基化合物反应时，使用盐酸、硫酸、磷酸、多磷酸等矿酸类；二甲基硫酸、二乙基硫酸、对甲苯磺酸、甲磺酸、乙磺酸等有机羧酸类；三氟甲磺酸等超强酸类；烷烃磺酸型离子交换树脂般的强酸性离子交换树脂类；全氟烷烃磺酸型离子交换树脂般的超强酸性离子交换树脂类(商品名：纳菲，Nafion，杜邦(DuPont)公司制造，“纳菲(Nation)”为注册商标)；天然及合成沸石类；活性白土(酸性白土)类等酸性催化剂，在50℃～250℃下反应至实质上作为原料的亚二甲苯基化合物消失，并反应至反应组成变得恒定为止而得到。反应时间还取决于原料及反应温度，大概为1小时～15小时左右，实际上，通过凝胶渗透色谱法(gel permeation chromatography，GPC)等追踪反应组成的同时确定即可。
含环氧基的丙烯酸共聚物优选为以相对于所得的共聚物成为0.5～6质量％的量，使用丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯作为原料而得到的共聚物。通过该量为0.5质量％以上而容易得到高黏合力(bond force)，另一方面，通过为6质量％以下而能够抑制凝胶化。其剩余部分能够使用丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯等具有碳数为1～8的烷基的丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯及苯乙烯、丙烯腈等的混合物。这些中，尤其优选为(甲基)丙烯酸乙酯和/或(甲基)丙烯酸丁酯。混合比率优选为考虑共聚物的Tg而进行调整。若Tg小于-10℃，则有B阶段状态下的胶黏剂层5的粘性变大的倾向，且有操作性恶化的倾向。另外，含环氧基的丙烯酸共聚物的玻璃化转变温度(Tg)的上限值例如为30℃。聚合方法并无特别限制，例如可举出珠状聚合(pearl polymerization)、溶液聚合。作为市售的含环氧基的丙烯酸共聚物，例如可举出HTR-860P-3(商品名，长濑化成(Nagase ChemteX)股份有限公司制造)。
含环氧基的丙烯酸共聚物的重均分子量为10万以上，若为该范围，则黏合性及耐热性高，优选为30万～300万，更优选为50万～200万。若重均分子量为300万以下，则能够抑制半导体芯片与对其加以支撑的基板之间的填充性下降。重均分子量是利用凝胶渗透色谱法(GPC)且使用基于标准聚苯乙烯的校准曲线而得的聚苯乙烯换算值。
胶黏剂层5根据需要还可以进一步含有叔胺、咪唑类、季铵盐类等固化促进剂。作为固化促进剂的具体例，可举出2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯。这些可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上。
胶黏剂层5根据需要还可以进一步含有无机填料。作为无机填料的具体例，可举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶质二氧化硅、非晶质二氧化硅。这些可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上。
胶黏剂层5的厚度例如为1μm～300μm，优选为5μm～150μm，更优选为10μm～100μm。若胶黏剂层5的厚度小于1μm，则黏合性容易变得不充分，另一方面，若超过300μm，则扩张时的截断性及拾取性容易变得不充分。
另外，胶黏剂层5也可以为不含热固化性树脂的方式。例如，在胶黏剂层5包含含反应性基团的(甲基)丙烯酸共聚物的情况下，胶黏剂层5只要包含含反应性基团的(甲基)丙烯酸共聚物、固化促进剂及填料即可(参考实施例4)。
<切晶粘晶一体型膜的制造方法>
膜10的制造方法依次包括：在基材层1的表面上制作层叠体的工序，上述层叠体包含压敏胶黏剂层及胶黏剂层5，该压敏胶黏剂层由通过照射活性能量线而胶接力下降的压敏胶黏剂组合物组成，该胶黏剂层5形成于压敏胶黏剂层的表面上；及对层叠体所包含的压敏胶黏剂层的成为第一区域3a的区域照射活性能量线的工序。对成为第一区域3a的区域照射的活性能量线的量例如为10～1000mJ/cm2，也可以为100～700mJ/cm2或200～500mJ/cm2。
上述制造方法中，先制作压敏胶黏剂层与胶黏剂层5的层叠体，之后，对压敏胶黏剂层的特定的区域照射活性能量线的方法。如下上述，也可以对与胶黏剂层5贴合之前的压敏胶黏剂层照射活性能量线而形成第一区域3a。即，膜10的制造方法也可以依次包括：在基材层1的表面上形成压敏胶黏剂层的工序，上述压敏胶黏剂层由通过照射活性能量线而胶接力下降的组合物组成；对压敏胶黏剂层的形成第一区域3a的区域照射活性能量线的工序；及在照射活性能量线后的压敏胶黏剂层3的表面上层叠胶黏剂层5的工序。
<半导体装置及其制造方法>
图4为示意性地表示本实施方式所涉及的半导体装置的剖视图。该图所示的半导体装置100具备：基板70；层叠在基板70的表面上的四个芯片S1、芯片S2、芯片S3、芯片S4；将基板70的表面上的电极(未图示)与四个芯片S1、芯片S2、芯片S3、芯片S4电连接的线W1、线W2、线W3、线W4；及将这些密封的密封层50。
基板70例如为有机基板，也可以为引线框架等金属基板。从抑制半导体装置100的翘曲的观点考虑，基板70的厚度例如为70μm～140μm，也可以为80μm～100μm。
四个芯片S1、芯片S2、芯片S3、芯片S4经由胶黏剂片5P的固化物5C而层叠。俯视观察时芯片S1、芯片S2、芯片S3、芯片S4的形状例如为正方形或长方形。芯片S1、芯片S2、芯片S3、芯片S4的面积为9mm2以下，也可以为0.1～4mm2或0.1～2mm2。芯片S1、芯片S2、芯片S3、芯片S4的一边的长度例如为3mm以下，也可以为0.1mm～2.0mm或0.1mm～1.0mm。芯片S1、芯片S2、芯片S3、芯片S4的厚度例如为10μm～170μm，也可以为25μm～100μm。另外，四个芯片S1、芯片S2、芯片S3、芯片S4的一边的长度可以相同，也可以彼此不同，关于厚度也同样如此。
半导体装置100的制造方法包括：准备上述膜10的工序；对膜10的胶黏剂层5粘贴晶片W，并且对压敏胶黏剂层3的第二面F2粘贴切晶环DR的工序；将晶片W单片化成面积为9mm2以下的多个芯片S的工序(切晶工序)；自压敏胶黏剂层3的第一区域3a拾取DAF8(芯片S1与胶黏剂片5P的层叠体，参考图5(d))的工序；以及经由胶黏剂片5P而将芯片S1安装于基板70上的工序。
参考图5(a)～图5(d)来对DAF8的制作方法的一例进行说明。首先，准备上述膜10。如图5(a)及图5(b)所示，以胶黏剂层5与晶片W的其中一个面相接的方式贴附膜10。另外，对压敏胶黏剂层3的第二面F2贴附切晶环DR。
对晶片W、胶黏剂层5及压敏胶黏剂层3进行切晶。由此，如图5(c)所示，将晶片W单片化而成为芯片S。胶黏剂层5也单片化而成为胶黏剂片5P。作为切晶方法，可举出使用切晶刀片或激光的方法。另外，还可以在晶片W的切晶之前通过对晶片W进行磨削而薄膜化。
在切晶后，如图5(d)所示，通过在常温或冷却条件下将基材层1扩张而使芯片S彼此分开的同时通过利用销42上推而使胶黏剂片5P自压敏胶黏剂层3剥离，并且利用抽吸夹头44抽吸并拾取DAF8，而不对压敏胶黏剂层3照射活性能量线。
参考图6～图8来对半导体封装100的制造方法进行具体说明。首先，如图6所示，经由胶黏剂片5P而将第一层的芯片S1(芯片S)压接于基板70的规定位置。其次，通过加热而使胶黏剂片5P固化。由此，胶黏剂片5P固化而成为固化物5C。从减少孔隙的观点考虑，胶黏剂片5P的固化处理也可以在加压环境下实施。
以与芯片S1对基板70的安装相同的方式，在芯片S1的表面上安装第二层的芯片S2。而且，通过安装第三层及第四层的芯片S3、芯片S4而制作图7所示的结构体60。在利用线W1、线W2、线W3、线W4将芯片S1、芯片S2、芯片S3、芯片S4与基板70电连接后(参考图8)，通过密封层50将半导体元件及线密封，由此完成图4所示的半导体装置100。
以上，对本公开的实施方式进行了详细说明，但本发明并不限定于上述实施方式。例如，在上述实施方式中，例示出依次包括基材层1、压敏胶黏剂层3及胶黏剂层5的膜10，但也可以为不包括胶黏剂层5的方式。另外，膜10还可以进一步具备覆盖胶黏剂层5的覆盖膜(未图示)。
实施例
以下，基于实施例对本公开进行更具体的说明，但本发明并不限定于这些实施例。另外，除非另有说明，则化学品全部使用了试剂。
<实施例1>
[丙烯酸树脂的合成(制造例1)]
在装备有三一马达(three-onemotor)、搅拌叶片、氮气导入管的容量2000ml的烧瓶中装入以下成分。
·乙酸乙酯(溶剂)：635g
·丙烯酸2-乙基己酯：395g
·丙烯酸2-羟基乙酯：100g
·甲基丙烯酸：5g
·偶氮双异丁腈：0.08g
将内容物充分地搅拌至均匀后，以流量500ml/分钟实施60分钟起泡(bubbling)，对体系中的溶解氧进行脱气。经1小时升温至78℃，升温后聚合6小时。其次，将反应溶液移至装备有三一马达、搅拌叶片、氮气导入管的容量2000ml的加压釜中，在120℃、0.28mPa下加温4.5小时后，冷却至室温(25℃，以下相同)。
其次，加入490g的乙酸乙酯，进行搅拌并稀释。在其中添加0.025g的作为聚合抑制剂的甲氧苯酚(methoxyphenol)、0.10g的作为氨基甲酸酯化催化剂的二月桂酸二辛基锡后，加入42.5g的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工股份有限公司制造，卡伦茨(Karenz)MOI(商品名))，在70℃下反应6小时后，冷却至室温。接着，加入乙酸乙酯，以丙烯酸树脂溶液中的不挥发成分含量成为35质量％的方式进行调整，得到了包含(A)丙烯酸树脂(制造例1)的溶液，上述(A)丙烯酸树脂具有可链聚合的官能团。
将以上述方式得到的包含(A)丙烯酸树脂的溶液在60℃下真空干燥一晚。对由此而得的固体成分，利用全自动元素分析装置(元素(Elemental)公司制造，商品名：瓦瑞奥(vario)EL)进行元素分析，并根据氮含量算出所导入的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯的含量，结果为0.50mmol/g。
另外，使用以下装置求出(A)丙烯酸树脂的聚苯乙烯换算重均分子量。即，使用东曹股份有限公司制造的SD-8022/DP-8020/RI-8020，柱使用了日立化成股份有限公司制造的凝胶组件(Gel pack)GL-A150-S/GL-A160-S，溶离液使用四氢呋喃来进行GPC测定。其结果，聚苯乙烯换算重均分子量为80万。遵照日本工业标准(Japanese IndustrialStandards，JIS)K0070中记载的方法而测定的羟价及酸价为61.1mgKOH/g及6.5mgKOH/g。将这些的结果汇总示于表1中。
[切晶膜(压敏胶黏剂层)的制作]
通过将以下成分混合而制备压敏胶黏剂层形成用清漆(参考表2)。乙酸乙酯(溶剂)的量是以清漆的总固体成分含量成为25质量％的方式进行了调整。
·(A)丙烯酸树脂溶液(制造例1)：100g(固体成分)
·(B)光聚合引发剂(1-羟基环己基苯基酮、汽巴精化(Ciba SpecialtyChemicals)股份有限公司制造，Irgacure184，“Irgacure”为注册商标)：0.8g
·(B)光聚合引发剂(双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦、汽巴精化(CibaSpecialty Chemicals)股份有限公司制造，Irgacure819，“Irgacure”为注册商标)：0.2g
·(C)交联剂(多官能异氰酸酯，日本聚氨基甲酸酯工业股份有限公司制造，克罗耐德(Coronate)L，固体成分：75％)：8.0g(固体成分)
·乙酸乙酯(溶剂)
准备对其中一个面实施了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯膜(宽度450mm、长度500mm、厚度38μm)。在已实施脱模处理的面，使用敷料器来涂布压敏胶黏剂层形成用清漆后，在80℃下干燥5了分钟。由此，得到了由聚对苯二甲酸乙二酯膜及其上所形成的厚度30μm的压敏胶黏剂层组成的层叠体(切晶膜)。
准备对其中一个面实施了电晕处理的聚烯烃膜(宽度450mm、长度500mm、厚度80μm)。将已实施电晕处理的面与上述层叠体的胶黏剂层在室温下贴合。接着，通过利用橡胶辊进行按压而将压敏胶黏剂层转印至聚烯烃膜(覆盖膜)。之后，在室温下放置3天，由此得到了带有覆盖膜的切晶膜。
[粘晶膜(胶黏剂层A)的制作]
首先，在以下组合物中加入环己酮(溶剂)并进行搅拌混合后，进而使用珠磨机混炼90分钟。
·环氧树脂(YDCN-700-10(商品名)，新日铁住金化学股份有限公司制造的甲酚酚醛清漆型环氧树脂，环氧当量210，分子量1200，软化点80℃)：14质量份·酚树脂(米莱斯(Milex)XLC-LL(商品名)，三井化学股份有限公司制造，酚树脂，羟基当量175，吸水率1.8％，350℃下的加热重量减少率4％)：23质量份
·硅烷偶合剂(NUC A-189(商品名)，NUC股份有限公司制造，γ-巯基丙基三甲氧基硅烷)：0.2质量份
·硅烷偶合剂(NUC A-1160(商品名)，日本尤尼卡(Nippon Unicar)股份有限公司制造，γ-脲基丙基三乙氧基硅烷)：0.1质量份
·填料(SC2050-HLG(商品名)，雅都玛(Admatechs)股份有限公司制造，二氧化硅，平均粒径0.500μm)：32质量份
在以上述方式得到的组合物中加入以下成分后，经过搅拌混合及真空脱气的工序而得到了胶黏剂层形成用清漆。
·含环氧基的丙烯酸共聚物(HTR-860P-3(商品名)，长濑化成股份有限公司制造，重均分子量80万)：16质量份
·固化促进剂(固唑(Curezol)2PZ-CN(商品名)，四国化成工业股份有限公司制造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑，“Curezol”为注册商标)：0.01质量份
准备对其中一个面实施了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯膜(厚度35μm)。在已实施脱模处理的面，使用敷料器来涂布胶黏剂层形成用清漆后，在140℃下加热干燥5分钟。由此，得到了由聚对苯二甲酸乙二酯膜(载体膜)及其上所形成的厚度20μm的胶黏剂层(B阶段状态)组成的层叠体(粘晶膜)。
[切晶粘晶一体型膜的制作]
将由胶黏剂层及载体膜组成的粘晶膜连带载体膜切割为直径335mm的圆形。在室温下对其贴附剥离了聚对苯二甲酸乙二酯膜的切晶膜后，在室温下放置1天。之后，将切晶膜切割为直径370mm的圆形。对于以该方式得到的切晶粘晶一体型膜的胶黏剂层中的与晶片的贴附位置对应的区域(压敏胶黏剂层的第一区域)，以如下方式照射了紫外线。即，使用脉冲氙灯(pulsed xenon lamp)，以70W、150mJ/cm2的照射量部分照射了紫外线。另外，使用遮光幕，对自膜的中心起内径为318mm的部分照射了紫外线。以该方式得到了用于供至后述的各种评价试验中的多个切晶粘晶一体型膜。
<实施例2>
替代将紫外线的照射量设为150mJ/cm2而将紫外线的照射量设为300mJ/cm2，除此以外，以与实施例1相同的方式得到了多个切晶粘晶一体型膜。
<实施例3>
替代将紫外线的照射量设为150mJ/cm2而将紫外线的照射量设为500mJ/cm2，除此以外，以与实施例1相同的方式得到了多个切晶粘晶一体型膜。
<实施例4>
作为粘晶膜，替代具有胶黏剂层A的粘晶膜而使用了具有以如下方式形成的胶黏剂层B粘晶膜，除此以外，以与实施例1相同的方式得到了多个切晶粘晶一体型膜。
[粘晶膜(胶黏剂层B)的制作]
首先，在以下成分中加入环己酮(溶剂)并进行搅拌混合后，进而使用珠磨机混炼90分钟。
·填料(SC2050-HLG(商品名)，雅都玛股份有限公司制造，二氧化硅，平均粒径0.500μm)：50质量份
在以上述方式得到的组合物中加入以下成分后，经过搅拌混合及真空脱气的工序而得到了胶黏剂层形成用清漆。
·含环氧基的丙烯酸共聚物(HTR-860P-3(商品名)，长濑化成股份有限公司制造，重均分子量80万)：100质量份
·固化促进剂(固唑(Curezol)2PZ-CN(商品名)，四国化成工业股份有限公司制造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑，“Curezol”为注册商标)：0.1质量份
<实施例5>
替代表1的制造例1所示的原料单体组成而设为制造例2所示的原料单体组成，得到了通过与制造例1相同的方法制造的制造例2所涉及的(A)丙烯酸树脂的溶液。使用该溶液，除此以外，以与实施例2相同的方式得到了多个切晶粘晶一体型膜。
<实施例6>
替代将压敏胶黏剂层中的交联剂的量设为8.0质量份而将压敏胶黏剂层中的交联剂的量设为4.0质量份，并且替代将紫外线的照射量设为300mJ/cm2而将紫外线的照射量设为500mJ/cm2，除此以外，以与实施例5相同的方式得到了多个切晶粘晶一体型膜。
<实施例7>
替代表1的制造例1所示的原料单体组成而设为制造例3所示的原料单体组成，得到了通过与制造例1相同的方法制造的制造例3所涉及的(A)丙烯酸树脂的溶液。使用该溶液，除此以外，以与实施例2相同的方式得到了多个切晶粘晶一体型膜。
<实施例8>
替代表1的制造例1所示的原料单体组成而设为制造例4所示的原料单体组成，得到了通过与制造例1相同的方法制造的制造例4所涉及的(A)丙烯酸树脂的溶液。使用该溶液，除此以外，以与实施例3相同的方式得到了多个切晶粘晶一体型膜。
<比较例1>
替代将压敏胶黏剂层中的交联剂的量设为8.0质量份而将压敏胶黏剂层中的交联剂的量设为15.0质量份，除此以外，以与实施例1相同的方式得到了多个切晶粘晶一体型膜。
<比较例2>
替代将紫外线的照射量设为300mJ/cm2而将紫外线的照射量设为500mJ/cm2，除此以外，以与实施例5相同的方式得到了多个切晶粘晶一体型膜。
<比较例3>
替代将紫外线的照射量设为500mJ/cm2而将紫外线的照射量设为150mJ/cm2，除此以外，以与实施例8相同的方式得到了多个切晶粘晶一体型膜。
<比较例4>
替代表1的制造例1所示的原料单体组成而设为制造例5所示的原料单体组成，得到了通过与制造例1相同的方法制造的制造例5所涉及的(A)丙烯酸树脂的溶液。使用该溶液，并且不照射紫外线，除此以外，以与实施例1相同的方式得到了多个切晶粘晶一体型膜。
[评价试验]
(1)压敏胶黏剂层相对于胶黏剂层的胶接力(30°剥离强度)的测定
通过测定30°剥离强度而对压敏胶黏剂层(紫外线照射区域)相对于胶黏剂层的胶接力进行了评价。即，自切晶粘晶一体型膜切出宽度25mm及长度100mm的测定试样。测定试样设为压敏胶黏剂层(紫外线照射区域)与胶黏剂层的层叠体。使用拉伸试验机来测定压敏胶黏剂层(紫外线照射区域)相对于胶黏剂层的剥离强度。测定条件设为剥离角度30°、拉伸速度60mm/分钟。另外，试样的保存及剥离强度的测定在温度23℃、相对湿度40％的环境下进行。
(2)压敏胶黏剂层相对于胶黏剂层的15°剥离强度的测定
将剥离角度设为15°并且将拉伸速度设为150mm/分钟(2.5mm/秒钟)，除此以外，以与上述30°剥离强度的测定相同的方式测定15°剥离强度。另外，该测定条件与专利文献1的权利要求1中所记载的条件相同。
(3)压敏胶黏剂层相对于不锈钢基板的胶接力(90°剥离强度)的测定
通过测定90°剥离强度而对压敏胶黏剂层(紫外线非照射区域)相对于不锈钢基板的胶接力进行了评价。即，自切晶粘晶一体型膜切出宽度25mm及长度100mm的测定试样。测定试样设为压敏胶黏剂层(紫外线非照射区域)与胶黏剂层的层叠体。将试样的压敏胶黏剂层侧的面贴附在不锈钢基板(SUS430BA)后，使用岛津制作所股份有限公司制造的自动绘图仪(Autograph)“AGS-1000”来测定压敏胶黏剂层(紫外线非照射区域)相对于不锈钢基板的剥离强度。测定条件设为剥离角度90°、剥离速度50mm/分钟。
(4)切晶性的评价
将切晶粘晶一体型膜在80℃×10秒钟的条件下贴合在晶片(直径：8英寸、厚度：50μm)。之后，在以下条件下进行晶片的切晶。
<切晶条件>
·切晶机：迪思科(DISCO)公司制造，DFD-651
·刀片：迪思科(DISCO)公司制造，27HECC
·刀片转速：40000rpm
·切晶速度：30mm/秒钟
·切晶深度：25μm
·切割模式：下切(down cutting)
·切晶尺寸：1.0mm×1.0mm
(胶黏剂片自压敏胶黏剂层的剥离的评价)
在切晶时，确认是否产生了胶黏剂片自压敏胶黏剂层的剥离。将在对一片晶片进行切晶的期间，未确认到上述层叠体的飞散及上述剥离的试样评价为“A”，将确认到上述层叠体的飞散或者即使仅为小面积也确认到上述剥离的试样评价为“B”。
(芯片自胶黏剂层的剥离的评价)
在切晶时，确认是否产生了芯片自胶黏剂层的剥离。将在对一片晶片进行切晶的期间，一次也未产生芯片的飞散的试样评价为“A”，将产生了一次以上的芯片的飞散的试样评价为“B”。
(裂纹)
利用显微镜来确认切晶后的芯片的切削截面，对是否产生了芯片的缺陷进行评价。观察25个芯片的切削截面，将完全未确认到缺陷的试样评价为“A”，将即使略微也确认到缺陷的试样评价为“B”。
(关于环剥落的有无)
关于切晶时是否产生了切晶环自压敏胶黏剂层剥离的现象(环剥落)，通过目视而进行评价。将未产生环剥落的试样评价为“A”，将产生了环剥落的试样评价为“B”。
(5)拾取性的评价
使用瑞萨东日本半导体(Renesas Eastern Japan Semiconductor)公司制造的柔性粘晶机(Flexible die bonder)“DB-730”来对切晶工序后的芯片的拾取性进行评价。拾取用夹头使用麦克机械(Micromechanics)公司制造的“橡胶头(RUBBER TIP)13-087E-33(尺寸：1mm×1mm)”，上推销使用麦克机械公司制造的“推针(EJECTORNEEDLE)SEN2-83-05(直径：0.7mm、前端形状：直径350μm的半圆)”。在中心部配置一根上推销。在拾取时销的上推速度：10mm/秒钟、上推高度：75μm的条件下对拾取性进行评价。将连续拾取100个芯片，未产生芯片破裂或拾取失误等的情况评价为“A”，将即使有一个芯片产生了芯片破裂或拾取失误的情况判定为“B”。另外，关于切晶时发生了环剥落的样品，在再次制作一体型样品后，利用压敏胶黏剂带(pressure-sensitive adhesive tape)增强环密合部并进行切晶，之后进行评价。
Figure BDA0002777083330000261
Figure BDA0002777083330000271
Figure BDA0002777083330000281
产业上的可利用性
根据本公开，可提供一种能够应用于将晶片切晶为多个小芯片的工序，且具备能够充分地抑制切晶工序中的DAF飞散并且拾取性优异的压敏胶黏剂层的切晶粘晶一体型膜。并且，根据本公开，可提供一种切晶粘晶一体型膜的制造方法及使用该膜的半导体装置的制造方法。
符号说明
1-基材层，3-压敏胶黏剂层，3a-第一区域，3b-第二区域，5-胶黏剂层，5p-胶黏剂片，5c固化物，8-DAF，10-切晶粘晶一体型膜，70-基板，100-半导体装置，DR-切晶环，F1-第一面，F2-第二面，S、S1、S2、S3、S4-芯片，W-晶片。

Claims (13)

1.一种半导体装置的制造方法，其包括如下：
准备切晶粘晶一体型膜的工序，所述切晶粘晶一体型膜包括基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层具有与所述基材层相向的第一面及其相反侧的第二面，所述胶黏剂层以覆盖所述压敏胶黏剂层的所述第二面的中央部的方式设置；
对所述切晶粘晶一体型膜的所述胶黏剂层粘贴晶片，并且对所述压敏胶黏剂层的所述第二面粘贴切晶环的工序；
将所述晶片单片化成面积为9mm2以下的多个芯片的工序；
将所述芯片连同将所述胶黏剂层单片化而成的胶黏剂片从所述压敏胶黏剂层一并拾取的工序；及
经由所述胶黏剂片将所述芯片安装于基板或者其他芯片上的工序，
所述压敏胶黏剂层具有与所述胶黏剂层中的贴附所述晶片的区域对应的第一区域及贴附所述切晶环的第二区域，
所述第一区域为通过活性能量线的照射而处于与所述第二区域相比胶接力下降的状态的区域，
在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的所述第一区域相对于所述胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在温度23℃下、剥离角度90°及剥离速度50mm/分钟的条件下所测定的所述第二区域相对于不锈钢基板的胶接力为0.2N/25mm以上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述多个芯片具有正方形或长方形形状且具有3mm以下的边。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体的制造方法，其中，
所述压敏胶黏剂层的所述第一区域及第二区域在活性能量线的照射前由相同的组合物组成，
所述第一区域经过对成为该第一区域的区域照射10～1000mJ/cm2的量的活性能量线的工序而形成。
5.一种切晶粘晶一体型膜，其具备：
基材层；
压敏胶黏剂层，具有与所述基材层相向的第一面及其相反侧的第二面；及
胶黏剂层，以覆盖所述第二面的中央部的方式设置，
所述压敏胶黏剂层具有第一区域及第二区域，所述第一区域至少包含与所述胶黏剂层中的晶片贴附位置相对应的区域，所述第二区域以包围所述第一区域的方式配置，
所述第一区域为通过活性能量线的照射而处于与所述第二区域相比胶接力下降的状态的区域，
在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的所述第一区域相对于所述胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。
6.根据权利要求5所述的切晶粘晶一体型膜，其中，
在温度23℃下、剥离角度90°及剥离速度50mm/分钟的条件下所测定的所述第二区域相对于不锈钢基板的胶接力为0.2N/25mm以上。
7.根据权利要求5或6所述的切晶粘晶一体型膜，其应用于半导体装置制造工艺中，所述半导体装置制造工艺包括将晶片单片化成面积为9mm2以下的多个芯片的工序。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的切晶粘晶一体型膜，其中，
所述第二区域含有具有可链聚合的官能团的(甲基)丙烯酸系树脂，
所述官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基中的至少一种，
所述第二区域中的所述官能团的含量为0.1mmol/g～1.2mmol/g。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的切晶粘晶一体型膜，其中，
所述第二区域含有交联剂，
所述第二区域中的所述交联剂的含量为0.1～20质量％。
10.根据权利要求9所述的切晶粘晶一体型膜，其中，
所述交联剂为一分子中具有两个以上的异氰酸酯基的多官能异氰酸酯和一分子中具有三个以上的OH基的多元醇的反应产物。
11.根据权利要求5至10中任一项所述的切晶粘晶一体型膜，其中，
所述胶黏剂层由含有含能量固化性基团的(甲基)丙烯酸系共聚物、固化促进剂及填料的组合物组成。
12.一种切晶粘晶一体型膜的制造方法，其为权利要求5至11中任一项所述的切晶粘晶一体型膜的制造方法，依次包括：
在基材层的表面上制作层叠体的工序，所述层叠体包含压敏胶黏剂层和胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层由通过照射活性能量线而胶接力下降的组合物组成，所述胶黏剂层形成在所述压敏胶黏剂层的表面上；及
对所述层叠体所包含的所述压敏胶黏剂层的成为所述第一区域的区域照射活性能量线的工序。
13.一种切晶粘晶一体型膜的制造方法，其为权利要求5至11中任一项所述的切晶粘晶一体型膜的制造方法，依次包括：
在基材层的表面上形成压敏胶黏剂层的工序，所述压敏胶黏剂层由通过照射活性能量线而胶接力下降的组合物组成；
对所述压敏胶黏剂层的成为所述第一区域的区域照射活性能量线的工序；及
在照射所述活性能量线后的所述压敏胶黏剂层的表面上层叠所述胶黏剂层的工序。
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