CN103109353B - 切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法 - Google Patents

切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103109353B
CN103109353B CN201180034409.XA CN201180034409A CN103109353B CN 103109353 B CN103109353 B CN 103109353B CN 201180034409 A CN201180034409 A CN 201180034409A CN 103109353 B CN103109353 B CN 103109353B
Authority
CN
China
Prior art keywords
bond layer
cutting
film
semiconductor wafer
diameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201180034409.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103109353A (zh
Inventor
加藤理绘
松崎隆行
加藤慎也
古谷凉士
作田龙弥
小森田康二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lishennoco Co ltd
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of CN103109353A publication Critical patent/CN103109353A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103109353B publication Critical patent/CN103109353B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/304—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being heat-activatable, i.e. not tacky at temperatures inferior to 30°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y10T156/1062—Prior to assembly
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

本发明的目的在于，抑制半导体晶片(W)的切割工序中粘接剂层(2)的周边部(E)从粘合剂层(3b)剥离。本发明的切割-芯片焊接一体型膜具备：基材膜(3a)、形成在基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环(R)的压敏型的粘合剂层、和形成在粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层，粘接剂层的平面形状为圆形，粘接剂层的面积比半导体晶片的面积大、且比基材膜及粘合剂层的各自的面积都小，粘接剂层的直径比半导体晶片的直径大且比晶片环的内径小，粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。

Description

切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及刀片切割用的切割-芯片焊接(diebonding)一体型膜、切割-芯片焊接一体型膜的制造方法、及半导体芯片的制造方法。
背景技术
以往，在半导体芯片与半导体芯片用的支撑构件的接合中主要使用糊状的粘接剂。但是，在使用糊状的粘接剂时，存在粘接剂从半导体芯片的被挤出、半导体芯片被倾斜地粘接等不良、控制膜厚的困难性等问题。
为了解决这样的问题，近年来，代替糊状粘接剂的膜状粘接剂备受瞩目(例如，参照下述专利文献1～3)。作为该膜状的粘接剂的使用方法，有晶片背面贴附的方式。在晶片背面贴附方式中，首先，将膜状粘接剂层贴附于半导体晶片的背面后，使形成有粘合剂层的切割用基材片贴合于粘接剂层的另一面。之后，切割半导体晶片，得到单片化的半导体芯片。单片化的半导体芯片被拾取(pickup)后，移至焊接(bonding)工序。因此，要求切割用基材片的粘合剂层具有粘接剂层不会因随切断半导体晶片所产生的负荷而飞溅的程度的粘合力，但在拾取半导体芯片时，要求能够容易地拾取带粘接剂层的半导体芯片而在各半导体芯片上无粘合剂残留。
此外，用于晶片背面贴附方式的切割带具有UV型和压敏型。为UV型的切割带时，能够在UV照射前具有切割时所要求的粘合力，在UV照射后达到能够容易地拾取半导体芯片的粘合力而脱落。另一方面，为压敏型的切割带时，虽然不需要UV照射工序，但要求具有兼顾切割时所需的粘合力和能够容易地拾取半导体芯片的粘合力这样的相反特性的粘合力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-226796号公报
专利文献2：日本特开2002-158276号公报
专利文献3：日本特开平2-32181号公报
发明内容
发明要解决的问题
已知有使上述的膜状的粘接剂层和切割用基材片一体化而成的切割-芯片焊接一体型膜。在该切割-芯片焊接一体型膜中，例如，在长条的剥离性基材上依次形成有粘接剂层、粘合剂层、及切割用基材片，粘接剂层以大于半导体晶片的方式进行预切割(预切断)。
然而，在切割工序中，为了使在高速旋转的切割刀片和半导体晶片之间产生的摩擦热冷却，而向切割刀片及半导体晶片上吹送切削水。但是，在粘接剂层与粘合剂层的密接力弱的情况下，存在如下问题：不耐受由该切削水所致的负荷和水压而导致如上述那样以大于半导体晶片的方式预切割的粘接剂层的周边部发生剥离。这样剥离的粘接剂层可能会污染半导体晶片。
本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供抑制在半导体晶片的切割工序中粘接剂层的周边部从粘合剂层剥离的切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、以及半导体芯片的制造方法。
用于解决问题的手段
为了解决上述课题，本发明所涉及的切割-芯片焊接一体型膜，其特征在于，其具备：基材膜、形成在基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环的压敏型的粘合剂层、和形成在粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层，粘接剂层的平面形状为圆形，粘接剂层的面积比半导体晶片的面积大、且比基材膜及粘合剂层的各自的面积都小，粘接剂层的直径比半导体晶片的直径大且比晶片环的内径小，粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。
在该切割-芯片焊接一体型膜中，粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。一般而言，晶片环的内径比半导体晶片的直径大35mm以上，因此，粘接剂层收纳于晶片环的孔的内侧。此外，在半导体晶片被贴附在粘接剂层的中央部时，粘接剂层的周边在半导体晶片的外侧大于10mm地露出。因此，在切割半导体晶片时，能够抑制吹送到切割刀片及半导体晶片上的切削水直接碰触到粘接剂层的周边部。因此，能够抑制切割中切削水的负荷和水压所引起的粘接剂层的周边部的剥离。
此外，本发明所涉及的切割-芯片焊接一体型膜的制造方法，其特征在于，具备：准备在基材膜上形成有粘合剂层的切割膜的切割膜准备工序，准备在剥离性基材上形成有粘接剂层的芯片焊接膜的芯片焊接膜准备工序，以粘接剂层的面积比将要贴附在粘接剂层的中央部的半导体晶片的面积大且比粘合剂层及基材膜的各自的面积都小的方式将粘接剂层切断成圆形的粘接剂层切断工序，以及将切割膜的形成有粘合剂层的面贴附于芯片焊接膜的剥离性基材及切断成圆形的粘接剂层的膜贴附工序，在粘接剂层切断工序中，以粘接剂层的直径比半导体晶片的直径大、且比用于刀片切割的晶片环的内径小，并且粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm的方式，对粘接剂层进行切断。
在切割膜准备工序中，优选的是准备在基材膜上形成有压敏型粘合剂层的切割膜。
根据该切割-芯片焊接一体型膜的制造方法，粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。一般而言，晶片环的内径比半导体晶片的直径大35mm以上，因此粘接剂层收纳于晶片环的孔的内侧。此外，在半导体晶片贴附在粘接剂层的中央部时，粘接剂层的周边在半导体晶片的外侧露出10mm以上。因此，在切割半导体晶片时，能够抑制吹送到切割刀片及半导体晶片上的切削水直接碰触到粘接剂层的周边部。因此，能够抑制切割中切削水的负荷和水压所引起的粘接剂层的周边部的剥离。
此外，本发明所涉及的半导体芯片的制造方法，其特征在于，具备：在基材膜上形成有粘合剂层且粘合剂层上形成有粘接剂层的切割-芯片焊接一体型膜的粘接剂层上，以粘接剂层的周边在整个半导体晶片周围大于10mm以上地露出的方式贴附半导体晶片的半导体晶片贴附工序，在粘接剂层的周边的外侧将晶片环贴附于粘合剂层的半导体晶片贴附工序，以及用刀片切割半导体晶片而得到单片化的多个半导体芯片的芯片化工序。
根据该半导体芯片的制造方法，粘接剂层收纳于晶片环的孔的内侧，并且粘接剂层的周边在整个半导体晶片的外侧露出10mm以上。因此，在切割半导体晶片时，能够抑制吹送到切割刀片及半导体晶片上的切削水直接碰触粘接剂层的周边部。因此，能够抑制在切割中切削水的水压所引起的粘接剂层的周边部的剥离。因此，能够得到较少受到粘接剂层的剥离所致的污染的半导体芯片。
发明效果
根据本发明，能够提供抑制半导体晶片的切割工序中粘接剂层的周边部从粘合剂层剥离的切割-芯片焊接一体型膜、切割-芯片焊接一体型膜的制造方法、及半导体芯片的制造方法。
附图说明
图1是表示本发明所涉及的切割-芯片焊接一体型膜的一个实施方式的图。
图2是表示沿图1的II-II线的剖面的图。
图3(a)是表示切割膜的图。图3(b)是表示芯片焊接膜的图。
图4(a)是表示粘接剂层的预切割后的状态的图。图4(b)是表示将切割膜贴附于芯片焊接膜后的状态的图。
图5是表示基材膜及粘合剂层的预切割后的状态的图。
图6是表示半导体晶片贴附工序的图。
图7是表示粘接剂层上贴附有半导体晶片的状态的图。
图8是表示使用本发明所涉及的切割-芯片焊接一体型膜进行切割的状态的图。
图9是表示单片化的半导体芯片搭载于芯片垫(diepad)上的状态的图。
图10是表示使用以往的切割-芯片焊接一体型膜进行切割的状态的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明所涉及的半导体芯片的制造方法及加工用膜的优选的实施方式进行详细地说明。
图1是表示本发明所涉及的切割-芯片焊接一体型膜1的一个实施方式的图。图2是表示沿图1的II-II线的剖面的图。
切割-芯片焊接一体型膜1是一体化地具有作为使半导体晶片单片化为半导体芯片的切割用膜的功能和在使单片化的半导体芯片连接于芯片垫时的对半导体芯片赋予的粘接剂层的功能的膜。该切割-芯片焊接一体型膜1具备基材膜3a、粘合剂层3b、及粘接剂层2。
基材膜3a是切割时支撑半导体晶片的部分。基材膜3a具有圆形的平面形状，基材膜3a的直径α1比切割所使用的环状晶片环的内径大。作为基材膜3a，可以使用例如聚四氟乙烯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、由聚醋酸乙烯酯-聚乙烯共聚物形成的膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯等塑料膜以及将它们层叠而成的膜等。
粘合剂层3b是贴附和固定晶片环的部分。粘合剂层3b具有圆形的平面形状，粘合剂层3b的直径α1比切割所使用的环状晶片环的内径大。粘合剂层3b的厚度，例如为1μm～50μm左右。粘合剂层3b是压敏型的，例如为以丙烯酸系、橡胶系、硅酮系、聚氨酯系、或聚酯系等为主成分的粘合剂层。另外，压敏型的粘合剂层是指即使不照射能量射线也能使被粘物剥离的粘合剂层。在粘合剂层3b为压敏型时，难以产生粘合剂层3b上各部位的粘合力的偏差。
粘接剂层2具有将要同心状地贴附作为切割对象的半导体晶片的中央部，且为用于将切割后单片化的半导体芯片粘接并连接于芯片垫的粘接剂层。作为粘接剂层2中所含的粘接剂，可列举出例如环氧树脂等热固化性粘接剂、光固化性粘接剂、热塑性粘接剂或氧反应性粘接剂等。粘接剂层2具有圆形的平面形状。粘接剂层2的面积比半导体晶片的面积大。粘接剂层2的膜厚，例如为1μm以上且250μm以下左右。在粘接剂层2的膜厚比1μm薄时，难以在芯片焊接时确保充分的粘接力，在比250μm厚时，不经济，且特性上的优点也少。
粘接剂层2的直径α2比半导体晶片的直径大，粘接剂层2的直径α2与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。刀片切割用的晶片环的内径需要大到刀片切割时刀片不接触晶片环的程度。因此，晶片环的内径，例如比半导体晶片的直径大45mm以上。粘接剂层2优选为可靠地收纳于晶片环的孔的内侧的大小。例如，在考虑配置晶片环的装置定位精度时，粘接剂层2的直径优选比晶片环的孔的内径小10mm左右。此外，在将切割后单片化的半导体芯片粘接并连接于芯片垫的工序中，切割-芯片焊接一体型膜1被扩张(expand)。通过切割-芯片焊接一体型膜1被扩张，由此使半导体芯片的间隔变宽，变得容易将其拾取。为了充分传递该扩张应力，粘接剂层2还优选比晶片环的孔的内径小10mm左右。因此，在粘接剂层2的直径与半导体晶片的直径之差小于35mm时，粘接剂层2可靠地收纳于晶片环的孔的内侧，并且能够充分地传递扩张的应力。尤其在粘接剂层2的直径与半导体晶片的直径之差小于32mm时，粘接剂层2可靠地收纳于晶片环的孔的内侧，并且能够充分传递扩张的应力。
例如，在作为切割对象的半导体晶片的直径为8英寸(203mm)、晶片环的内径为248mm时，粘接剂层2的直径，例如为223mm以上且小于248mm，优选为228mm以上且小于238mm。此外，例如，在作为切割对象的半导体晶片的直径为12英寸(305mm)、晶片环的内径为350mm时，粘接剂层2的直径，例如为325mm以上且小于350mm，优选为330mm以上且小于340mm。
切割-芯片焊接一体型膜1通过依次层叠基材膜3a、粘合剂层3b、及粘接剂层2而构成。即，粘合剂层3b相接地形成在基材膜3a上，粘接剂层2相接地形成在粘合剂层3b上。彼此具有圆形的平面形状的基材膜3a、粘合剂层3b、及粘接剂层2以各自的圆的中心相重叠的方式进行层叠。此外，基材膜3a及粘合剂层3b与粘接剂层2配置成同心状。基材膜3a及粘合剂层3b的直径α1彼此相同，粘合剂层3b的面积与基材膜3a的面积相同。粘接剂层2的面积比粘合剂层3b及基材膜3a的各自的面积都小。
上述切割-芯片焊接一体型膜1中，粘接剂层2的直径α2与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm，在粘接剂层2的中央部同心状地贴附半导体晶片时(即在以粘接剂层2的中心与半导体晶片的中心相重叠的方式进行贴附时)，粘接剂层2的周边自整个半导体晶片的外侧大于10mm地露出。因此，如图8所示那样，在用切割装置的切割刀片30切割半导体晶片时，能够抑制从切削水供给喷嘴40吹送的切削水直接碰触粘接剂层2的周边部E。因此，能够抑制切割中切削水的水压所引起的粘接剂层2的周边部E的剥离，并且能够抑制粘接剂层2的剥离所引起的半导体晶片的污染。尤其是在粘接剂层2的直径α2与半导体晶片的直径之差为25mm以上时，能够更可靠地抑制切割中切削水的水压所引起的粘接剂层2的周边部E的剥离，并且能够更可靠地抑制粘接剂层2的剥离所引起的半导体晶片的污染。在此，粘接剂层2的周边部E是指自粘接剂层2的外周的端部的距离为约10mm以下的外周部分。
另外，虽然特别优选使粘接剂层2的周边自整个半导体晶片的外侧大于10mm地露出，但是只要在切削水容易碰触的方向上大于10mm地露出，则也无需在整个半导体晶片大于10mm地露出。
另外，作为切削水，标准装备有例如刀片冷却器(bladecooler)、喷淋器、喷雾器。刀片冷却器、喷淋器、喷雾器的各自的供给压力，例如为0.2MPa～0.6MPa左右。刀片冷却器、喷淋器、喷雾器的各自的流量，例如为0.5L/分钟～2.0L/分钟左右。
与此相对，像以往的切割-芯片焊接一体型膜那样，在粘接剂层2的直径与半导体晶片的直径之差为20mm以下时，在粘接剂层2的中央部同心状地贴附半导体晶片的情况下，粘接剂层2的周边自整个半导体晶片的外侧露出的量为10mm以下。此时，如图10所示那样，在用切割刀片30切割半导体晶片时，切削水直接碰触粘接剂层2的周边部E。因此，会发生切割中切削水的水压所引起的粘接剂层2的周边部E的剥离，导致剥离的粘接剂层2的碎片B附着在半导体晶片上。
此外，在上述切割-芯片焊接一体型膜1中，基材膜3a及粘合剂层3b的各自的直径α1比切割所使用的晶片环的内径大，粘接剂层2的直径α2比晶片环的内径小，由此能够将切割中所使用的晶片环容易地贴附在基材膜3a上所层叠的粘合剂层3b上。
此外，本发明并不限于上述切割-芯片焊接一体型膜1。例如，优选粘接剂层2的平面形状具有与半导体晶片的平面形状相似的关系，例如圆的外周的一部分可以为直线形状等。此外，基材膜3a及粘合剂层3b的平面形状可以为圆形以外，例如可以为矩形。此外，粘合剂层3b的直径只要比切割中所使用的环状的晶片环的内径大即可，可以为基材膜3a的直径以下。在粘合剂层3b为压敏型时，本发明的效果特别显著，即使粘合剂层3b为UV型(能够通过UV照射来改变粘合力)，也能够得到本发明的效果。此外，上述切割-芯片焊接一体型膜1的粘接剂层2及粘合剂层3b优选被剥离性基材支撑和保护。作为这样的剥离性基材，可以使用具有比作为贴附对象的半导体晶片的直径大的宽度的长条片。剥离性基材的厚度可以在不损害操作性的范围进行适当选择，例如可以为1μm以上且1000μm以下左右。作为剥离性基材，可以使用聚酯系膜、聚烯烃系膜、塑料膜等。
以下，用图3～图5说明切割-芯片焊接一体型膜1的制造方法的一个例子。首先，如图3(a)所示，准备在基材膜3a上形成有粘合剂层3b的切割膜(切割膜准备工序)。此外，如图3(b)所示，准备在剥离性基材10上形成有粘接剂层2的芯片焊接膜(芯片焊接膜准备工序)。
接着，如图4(a)所示，将粘接剂层2切断成圆形(粘接剂层切断工序)。在粘接剂层切断工序中，以粘接剂层2的面积比同心状地贴附在粘接剂层2的中央部的半导体晶片的面积大、且比粘合剂层3b及基材膜3a的面积都小的方式，对粘接剂层2进行切断。此时，以粘接剂层2的直径比半导体晶片的直径大且比切割时所使用的晶片环的内径小、并且粘接剂层2的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm的方式，将粘接剂层2切断成圆形。
接着，如图4(b)所示，将形成有切割膜的粘合剂层3b的面贴附于剥离性基材10及切断成圆形的粘接剂层2上(膜贴附工序)。由此，一体地形成切割膜和芯片焊接膜。
在膜贴附工序后，将基材膜3a及粘合剂层3b切断成圆形(基材膜及粘合剂层切断工序)。在基材膜及粘合剂层切断工序中，以基材膜3a及粘合剂层3b的各自的直径比切割中所使用的晶片环的内径大的方式，将基材膜3a及粘合剂层3b切断成圆形。另外，在预先使基材膜3a及粘合剂层3b的平面形状的大小比晶片环大时，可以省略基材膜及粘合剂层切断工序。
根据该切割-芯片焊接一体型膜1的制造方法，粘接剂层2的直径α2与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。因此，在如上述那样用切割刀片切割半导体晶片时，能够抑制切削水直接碰触粘接剂层2的周边部E。因此，能够抑制切割中切削水的负荷和水压所引起的粘接剂层2的周边部E的剥离。
以下，对本发明所涉及的半导体芯片的制造方法的一个例子进行说明。首先，准备利用上述切割-芯片焊接一体型膜1的制造方法制造的切割-芯片焊接一体型膜1(准备工序)。在该例中，使用在长条的剥离性基材10上形成有粘接剂层2、粘合剂层3b、及基材膜3a的切割-芯片焊接一体型膜1。最初，切割-芯片焊接一体型膜1如图6所示那样卷绕在导出装置11上。
在准备工序后，剥离剥离性基材10(基材剥离工序)。接着，对通过将剥离性基材10剥离而露出的粘接剂层2，在粘接剂层2的中央部同心状地贴附半导体晶片W半导体晶片贴附工序)。由此，粘接剂层2的周边在整个半导体晶片W的外侧大于10mm地露出。另外，虽然特别优选粘接剂层2的周边自整个半导体晶片的外侧大于10mm地露出，但是只要在切削水易碰触的方向上大于10mm地露出，则也无需在整个半导体晶片大于10mm地露出。接着，在粘接剂层2的周边的外侧将晶片环R贴附于粘合剂层3b上(晶片环贴附工序)。
具体而言，首先，利用送出辊13从导出装置11将切割-芯片焊接一体型膜1送出，利用分离板15对剥离性基材10进行剥离。由此，从剥离性基材10分离粘接剂层2、粘合剂层3b、及基材膜3a。利用挤压辊14将所分离的粘接剂层2、粘合剂层3b、及基材膜3a挤压于平台(stage)S上的半导体晶片W及晶片环R上。由此，如图7所示那样在粘接剂层2上贴附半导体晶片W，在粘合剂层3b上贴附晶片环R。另外，所剥离的剥离性基材10通过卷取辊16卷取到卷取装置12上。
接着，如图8所示那样，切割粘接剂层2上所贴附的半导体晶片W，得到单片化的多个半导体芯片W1(芯片化工序)。切割中，从切割装置的切削水供给喷嘴40向切割刀片30及半导体晶片W上吹送切削水。通过切削水，使半导体晶片W与切割刀片30之间的摩擦热被冷却，并且清洗并除去半导体晶片W的切屑等。
该切割时，作为切削水而标准装备的刀片冷却器、喷淋器、喷雾器的各自的供给压力为0.2MPa～0.6MPa左右，流量为0.5L/分钟～2.0L/分钟左右。
之后，拾取单片化的半导体芯片W1，如图9所示那样，以W1和芯片垫7之间隔着粘接剂层2a的方式，将W1搭载于芯片垫7上(芯片焊接工序)。然后，将芯片垫7上的半导体芯片W1接于引线框的引线(引线接合工序)。最后，用树脂等成形搭载有半导体芯片W1的引线框(模压工序)。
如以上说明的那样，根据该半导体芯片的制造方法，使粘接剂层2的直径α2与半导体晶片W的直径之差大于20mm且小于35mm。因此，如上述那样，在用切割刀片30切割半导体晶片W时，能够抑制切削水直接碰触粘接剂层2的周边部E。因此，能够抑制切割中切削水的水压所引起的粘接剂层2的周边部E的剥离。因此，能够得到由粘接剂层2所引起的污染较少的半导体芯片W1。
以下，对实施例1～8及比较例1～2进行说明，本发明不限于以下的实施例。
(实施例1)
实施例1中，示出使用厚75μm且直径203mm(8英寸)的硅晶片、直径248mm以上的晶片环的例子。首先，准备在基材膜上形成有粘合剂层的宽300mm的切割膜(例如，日立化成工业株式会社制SD-3001Series)。此外，准备在剥离性基材上形成有粘接剂层的芯片焊接膜(例如，日立化成工业株式会社制FH-900Series)。
接着，对粘接剂层进行预切割(预切断)，以使芯片焊接膜的粘接剂层的平面形状为直径223mm的圆形。此时，以粘接剂层的面积比作为切割对象的硅晶片的面积大、且比粘合剂层及基材膜的面积小的方式，对粘接剂层进行预切割。
接着，将切割膜的形成有粘合剂层的面贴附于剥离性基材及预切割后的粘接剂层。然后，对基材膜及粘合剂层进行预切割(预切断)，以使基材膜及粘合剂层的平面形状为直径270mm的圆形，从而制作切割-芯片焊接一体型膜。此时，圆形的基材膜及粘合剂层与圆形的粘接剂层同心状地配置。
接着，剥离切割-芯片焊接一体型膜的剥离性基材，在所露出的粘接剂层上层压硅晶片。此外，将晶片环固着于粘合剂层。在该状态下，边吹送切削水边使用切割刀片(例如，株式会社DISCO制的全自动划片机DFD-6361)切割硅晶片。利用依次使用厚度不同的2片切割刀片进行加工的阶梯型切割(stepcut)方式进行切割。作为第1片较厚的切割刀片，使用株式会社DISCO制的切割刀片NBC-ZH204J-SE27HDDD，作为第2片较薄的切割刀片，使用株式会社DISCO制的切割刀片NBC-ZH127F-SE27HDBB。刀片旋转数为40000rpm，切断速度为30mm/秒。此外，切断硅晶片时刀片的输送间距、即进行切割的间隔为5mm。此外，切割时，作为切削水而标准装配的刀片冷却器、喷淋器、喷射器的各自的供给压力为0.4MPa左右，刀片冷却器、喷淋器、喷雾器的各自的流量为1.5L/分钟、1.0L/分钟、1.0L/分钟。
(实施例2～8)
在实施例2～8中，芯片焊接膜的粘接剂层的直径分别为225mm、228mm、230mm、233mm、235mm、238mm、240mm，除此以外，与实施例1为相同的条件。
(比较例1)
在比较例1中，芯片焊接膜的粘接剂层的直径为220mm，除此以外，与实施例1为相同的条件。
(实施例9～16)
在实施例9中，使用厚75μm且直径305mm(12英寸)的硅晶片、直径350mm以上的晶片环、宽400mm的切割膜，芯片焊接膜的粘接剂层的直径分别为325mm、327mm、330mm、332mm、335mm、337mm、340mm、342mm，除此以外，与实施例1为相同的条件。
(比较例2)
在比较例2中，使用厚75μm且直径305mm(12英寸)的硅晶片、直径350mm以上的晶片环、宽400mm的切割膜，芯片焊接膜的粘接剂层的直径为320mm，除此以外，与实施例1为相同的条件。
(评价)
作为评价方法，对利用切割时的切削水使切割-芯片焊接一体型膜的粘接剂层的端部从粘合剂层剥离的量进行观测。通过目视来确认有无粘接剂层的端部的剥离。其结果如表1及表2所示。在表1及表2中，以利用切割刀片对硅晶片切割80条线时无剥离的情况为“○”，以发生剥离的情况为“×”。
[表1]
[表2]
根据表1及表2，比较例1及2中观察到发生粘接剂层的端部的剥离，与此相对，实施例1～16中未观察到发生粘接剂层的端部的剥离，结果为良好。综上可知，为了使切割-芯片焊接一体型膜的粘接剂层的周边部不会因切割时的切削水而从粘合剂层剥离，而在粘接剂层的中央部同心状地贴附半导体晶片时，只要使粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm即可。
产业上的可利用性
根据本发明，能够提供抑制在半导体晶片的切割工序中粘接剂层的周边部从粘合剂层剥离的切割-芯片焊接一体型膜、切割-芯片焊接一体型膜的制造方法、及半导体芯片的制造方法。
附图标记说明
1...切割-芯片焊接一体型膜
2，2a...粘接剂层
3a...基材膜
3b...粘合剂层
7...芯片垫
10...剥离性基材
E...周边部
W...半导体晶片
W1...半导体芯片
R...晶片环

Claims (4)

1.一种切割-芯片焊接一体型膜，其特征在于，其具备
基材膜、
形成在所述基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环的压敏型的粘合剂层、
形成在所述粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层，
所述粘接剂层的平面形状为圆形，
所述粘接剂层的面积比所述半导体晶片的面积大，并且比所述基材膜及所述粘合剂层的各自的面积都小，
所述粘接剂层的直径比所述半导体晶片的直径大，并且比所述晶片环的内径小，所述粘接剂层的直径与所述半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm，以使得在所述刀片切割时喷射到切割刀片上的切削水不直接碰触到所述粘接剂层的周边部。
2.一种切割-芯片焊接一体型膜的制造方法，其特征在于，其具备
准备在基材膜上形成有粘合剂层的切割膜的切割膜准备工序，
准备在剥离性基材上形成有粘接剂层的芯片焊接膜的芯片焊接膜准备工序，
以所述粘接剂层的面积比将要贴附在所述粘接剂层的中央部的半导体晶片的面积大且比所述粘合剂层及所述基材膜的各自的面积都小的方式将所述粘接剂层切断成圆形的粘接剂层切断工序，
将所述切割膜的形成有所述粘合剂层的面贴附于所述芯片焊接膜的所述剥离性基材及切断成所述圆形的粘接剂层的膜贴附工序，
在所述粘接剂层切断工序中，
以所述粘接剂层的直径比所述半导体晶片的直径大、且比用于刀片切割的晶片环的内径小，并且所述粘接剂层的直径与所述半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm，以使得在所述刀片切割时喷射到切割刀片上的切削水不直接碰触到所述粘接剂层的周边部的方式，对所述粘接剂层进行切断。
3.根据权利要求2所述的切割-芯片焊接一体型膜的制造方法，其特征在于，在所述切割膜准备工序中，准备在基材膜上形成有压敏型的粘合剂层的切割膜。
4.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，其具备
在基材膜上形成有粘合剂层、且以在刀片切割时喷射到切割刀片上的切削水不直接碰触到粘接剂层的周边部的方式在所述粘合剂层上形成有粘接剂层的切割-芯片焊接一体型膜的所述粘接剂层上，以所述粘接剂层的周边在整个半导体晶片周围都大于10mm以上地露出的方式贴附半导体晶片的半导体晶片贴附工序；
在所述粘接剂层的周边的外侧将晶片环贴附于所述粘合剂层的晶片环贴附工序；
用刀片切割所述半导体晶片而得到单片化的多个半导体芯片的芯片化工序。
CN201180034409.XA 2010-07-13 2011-07-13 切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法 Active CN103109353B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010159030 2010-07-13
JP2010-159030 2010-07-13
PCT/JP2011/065986 WO2012008491A1 (ja) 2010-07-13 2011-07-13 ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法、及び半導体チップの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103109353A CN103109353A (zh) 2013-05-15
CN103109353B true CN103109353B (zh) 2015-11-25

Family

ID=45469488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180034409.XA Active CN103109353B (zh) 2010-07-13 2011-07-13 切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8975161B2 (zh)
JP (2) JP5833005B2 (zh)
KR (1) KR101521727B1 (zh)
CN (1) CN103109353B (zh)
TW (1) TWI460779B (zh)
WO (1) WO2012008491A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014192462A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Lintec Corp 樹脂膜形成用シート
KR102029861B1 (ko) * 2013-07-24 2019-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 제조 방법, 발광 소자 제조 장치 및 이에 의해 제조된 발광 소자
US9299614B2 (en) * 2013-12-10 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method and carrier for dicing a wafer
US20170213765A1 (en) * 2014-05-23 2017-07-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Die bonding/dicing sheet
JP7281873B2 (ja) * 2018-05-14 2023-05-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7130323B2 (ja) 2018-05-14 2022-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
WO2019220599A1 (ja) * 2018-05-17 2019-11-21 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法
JP7139047B2 (ja) * 2018-07-06 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
SG11202112348PA (en) * 2019-05-10 2021-12-30 Showa Denko Materials Co Ltd Method for evaluating pickup performance, integrated dicing/die-bonding film, method for evaluating and selecting integrated dicing/die-bonding film, and method for manufacturing semiconductor device
KR102412771B1 (ko) * 2019-05-10 2022-06-27 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 픽업성의 평가 방법, 다이싱·다이본딩 일체형 필름, 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 평가 방법과 선별 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2022024408A1 (ja) * 2020-07-30 2022-02-03 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ
CN112201600B (zh) * 2020-10-14 2024-03-08 北京中科镭特电子有限公司 一种晶圆劈裂扩片装置及晶圆裂片扩片方法
CN114479705B (zh) * 2022-01-20 2023-11-07 三星半导体(中国)研究开发有限公司 晶圆贴合膜及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008211224A (ja) * 2008-03-17 2008-09-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
CN101523561A (zh) * 2006-10-06 2009-09-02 住友电木株式会社 半导体用膜、半导体用膜的制造方法及半导体装置
CN101627465A (zh) * 2007-02-28 2010-01-13 住友电木株式会社 用于半导体的粘合膜和使用该粘合膜的半导体器件
WO2009131405A3 (ko) * 2008-04-25 2010-01-21 (주)Lg화학 에폭시계 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59177942A (ja) * 1983-03-28 1984-10-08 Nitto Electric Ind Co Ltd ウエハ固定方法
JPH0715087B2 (ja) 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
JP2860131B2 (ja) * 1990-02-06 1999-02-24 株式会社ディスコ ダイシング装置
JP3521099B2 (ja) * 1994-11-29 2004-04-19 リンテック株式会社 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート
JP3592018B2 (ja) * 1996-01-22 2004-11-24 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルム
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JPH10335271A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Texas Instr Japan Ltd ウェハ貼着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP3578592B2 (ja) 1997-06-03 2004-10-20 住友ベークライト株式会社 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト
JP4240711B2 (ja) * 1999-12-27 2009-03-18 日立化成工業株式会社 ダイボンディング用接着フィルム及び半導体装置の製造方法
JP2002158276A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
JP4283596B2 (ja) * 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP2005060435A (ja) * 2003-08-14 2005-03-10 Three M Innovative Properties Co 両面粘着シート
JP4691365B2 (ja) 2005-02-04 2011-06-01 株式会社巴川製紙所 半導体装置用接着剤組成物および半導体装置用接着シート
JP4839629B2 (ja) 2005-02-18 2011-12-21 日立化成工業株式会社 フィルム状接着剤、接着シート及びそれを使用した半導体装置
JP2006232985A (ja) 2005-02-24 2006-09-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 非ハロゲン系接着剤組成物ならびにそれを用いたカバーレイフィルムおよび接着シート
JP4650024B2 (ja) 2005-02-28 2011-03-16 住友ベークライト株式会社 ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。
JP2007019151A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープおよびそれを用いたチップの製造方法
KR100593814B1 (ko) * 2005-12-06 2006-06-28 에이스 인더스트리 주식회사 반도체 다이본딩용 점착테이프
JP5157208B2 (ja) * 2006-03-20 2013-03-06 日立化成株式会社 ダイボンドダイシングシート
JP4822532B2 (ja) 2006-11-27 2011-11-24 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
TW200842174A (en) * 2006-12-27 2008-11-01 Cheil Ind Inc Composition for pressure sensitive adhesive film, pressure sensitive adhesive film, and dicing die bonding film including the same
JP2009032799A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Lintec Corp ウェハ加工用テープ
JP2009094127A (ja) * 2007-10-04 2009-04-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用フィルム
JP5438522B2 (ja) * 2010-01-07 2014-03-12 積水化学工業株式会社 ダイシング−ダイボンディングテープ及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101523561A (zh) * 2006-10-06 2009-09-02 住友电木株式会社 半导体用膜、半导体用膜的制造方法及半导体装置
CN101627465A (zh) * 2007-02-28 2010-01-13 住友电木株式会社 用于半导体的粘合膜和使用该粘合膜的半导体器件
JP2008211224A (ja) * 2008-03-17 2008-09-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
WO2009131405A3 (ko) * 2008-04-25 2010-01-21 (주)Lg화학 에폭시계 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TWI460779B (zh) 2014-11-11
JP2015043471A (ja) 2015-03-05
JP5979207B2 (ja) 2016-08-24
US20130143390A1 (en) 2013-06-06
JPWO2012008491A1 (ja) 2013-09-09
KR101521727B1 (ko) 2015-05-19
WO2012008491A1 (ja) 2012-01-19
JP5833005B2 (ja) 2015-12-16
KR20130051475A (ko) 2013-05-20
TW201205662A (en) 2012-02-01
CN103109353A (zh) 2013-05-15
US8975161B2 (en) 2015-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103109353B (zh) 切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法
JP4447280B2 (ja) 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP5196838B2 (ja) 接着剤付きチップの製造方法
TWI385767B (zh) 晶粒選別用薄片及具有接著劑層之晶片的移送方法
KR101817408B1 (ko) 적층 필름의 제조 방법, 적층 필름 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR102535477B1 (ko) 다이본드 다이싱 시트
JP5598866B2 (ja) ウエハ加工用テープ、ウエハ加工用テープの製造方法および打抜き刃
CN102959688A (zh) 粘接片
JP2010027686A (ja) 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2009188323A (ja) ウエハ加工用テープ
JP2013021109A (ja) 粘着シート及び粘着シートを用いた円板状被加工物の加工方法
JP5323331B2 (ja) ウェハ加工用シート
JP4785080B2 (ja) ウエハ加工用テープ
JP2017139409A (ja) ダイボンドダイシングシート
JP2013236098A (ja) ウェハ加工用シート
JP5598865B2 (ja) ウエハ加工用テープ
JP2003324080A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003324112A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2011198797A (ja) ダイボンドダイシングシート及び半導体チップの製造方法
JP2011187595A (ja) ウエハ加工用テープの長尺体
JP2015076422A (ja) 粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP2001329236A (ja) テープ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Showa electrical materials Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd.

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Showa electrical materials Co.,Ltd.