JP2860131B2 - ダイシング装置 - Google Patents
ダイシング装置Info
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- JP2860131B2 JP2860131B2 JP2627690A JP2627690A JP2860131B2 JP 2860131 B2 JP2860131 B2 JP 2860131B2 JP 2627690 A JP2627690 A JP 2627690A JP 2627690 A JP2627690 A JP 2627690A JP 2860131 B2 JP2860131 B2 JP 2860131B2
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- Japan
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- cutting fluid
- cutting
- semiconductor wafer
- fluid supply
- supply nozzle
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Description
本発明は半導体ウエーハ、特にIC回路及びボンディン
グパット等がパターンニングされた半導体ウエーハを、
そのストリートに沿って切削液を供給しながらブレード
にて切削するダイシング装置に関するものである。
グパット等がパターンニングされた半導体ウエーハを、
そのストリートに沿って切削液を供給しながらブレード
にて切削するダイシング装置に関するものである。
この種の半導体ウエーハを切削又は切断する手段とし
て、特開昭56-126938号公報に開示された発明が従来例
として周知である。この従来例の発明は、パターンニン
グされた半導体ウエーハの表面を直接ブレードで切削す
る際に、切削刃の高速回転に伴って発生する静電気や、
半導体ウエーハに形成された素子のジャンクション等に
できる熱電池の電気によって切削屑が半導体ウエーハに
付着して汚染、即ちコンタミネーションするのを防止し
ようとするものであり、そのために切削液自体を改良し
たものである。 即ち、半導体ウエーハの素子に悪影響を与えないよう
にするために、切削液の比抵抗が10〜100KΩcm、導伝率
が10〜100μ咳４Ωの炭酸水を使用することを明らかに
している。
て、特開昭56-126938号公報に開示された発明が従来例
として周知である。この従来例の発明は、パターンニン
グされた半導体ウエーハの表面を直接ブレードで切削す
る際に、切削刃の高速回転に伴って発生する静電気や、
半導体ウエーハに形成された素子のジャンクション等に
できる熱電池の電気によって切削屑が半導体ウエーハに
付着して汚染、即ちコンタミネーションするのを防止し
ようとするものであり、そのために切削液自体を改良し
たものである。 即ち、半導体ウエーハの素子に悪影響を与えないよう
にするために、切削液の比抵抗が10〜100KΩcm、導伝率
が10〜100μ咳４Ωの炭酸水を使用することを明らかに
している。
しかしながら、この種のパターンニングされた半導体
ウエーハを切削する際に、導電性の低い純水で切削した
い場合がある。このような場合に、前記従来例の発明で
あると、コンタミネーションが生じ不良品になる虞が大
である。従って、前記従来例では純水で切削する場合
に、コンタミネーションが生ずる点で、解決しなければ
ならない課題を有している。
ウエーハを切削する際に、導電性の低い純水で切削した
い場合がある。このような場合に、前記従来例の発明で
あると、コンタミネーションが生じ不良品になる虞が大
である。従って、前記従来例では純水で切削する場合
に、コンタミネーションが生ずる点で、解決しなければ
ならない課題を有している。
前記従来例の課題を解決する具体的手段として本発明
は、少なくとも半導体ウエーハを載置するテーブルと、
半導体ウエーハのストリートに沿って切削するブレード
と、その切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズル
とを備えたダイシング装置であって、前記切削液供給ノ
ズルは前記ブレードを挟んで両側に配設し、その切削液
供給ノズルの間隔を16mm以下とし、且つ切削しようとす
る半導体ウエーハとの間隔を3.0mm以下にして配設した
ことを特徴とするダイシング装置を提供するものであ
り、そして、前記切削液供給ノズルから噴射される切削
液は、その水圧が2.0〜5.0kg/cm2、水量が略1.6l/分と
することにより、切削液が例えその比抵抗が2MΩcm以上
の純水であっても、コンタミネーションが生ずることな
く、切削が遂行できるのである。
は、少なくとも半導体ウエーハを載置するテーブルと、
半導体ウエーハのストリートに沿って切削するブレード
と、その切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズル
とを備えたダイシング装置であって、前記切削液供給ノ
ズルは前記ブレードを挟んで両側に配設し、その切削液
供給ノズルの間隔を16mm以下とし、且つ切削しようとす
る半導体ウエーハとの間隔を3.0mm以下にして配設した
ことを特徴とするダイシング装置を提供するものであ
り、そして、前記切削液供給ノズルから噴射される切削
液は、その水圧が2.0〜5.0kg/cm2、水量が略1.6l/分と
することにより、切削液が例えその比抵抗が2MΩcm以上
の純水であっても、コンタミネーションが生ずることな
く、切削が遂行できるのである。
次に本発明を図示の実施例により更に詳しく説明する
と、本発明のダイシング装置は、少なくともテーブル１
と、ブレード２と、切削液供給ノズル３とを有するもの
であり、前記テーブル１は被切削物、即ちパターンニン
グされた半導体ウエーハ４が載置され、例えば吸着手段
により保持すると共に、所定の角度範囲において適宜回
転できる脚部５を有する構成になっている。そして、前
記切削液供給ノズル３はブレード２の両側、即ち、ブレ
ード２で半導体ウエーハ４を切削する部位の両側から、
冷却用の切削液を略均等に供給するために、左右一対の
切削液供給ノズル３が配設されている。 この切削液供給ノズル３は、第３図（Ａ）（Ｂ）
（Ｃ）にそれぞれ示した種々の構成を有している。即
ち、（Ａ）図はそのノズル孔3aの構成が、縦方向のスリ
ット状を呈し、所定の間隔をもって複数個穿設したもの
であり、（Ｂ）図のノズル孔3bは、丸孔で所定の間隔を
もって複数個穿設し、（Ｃ）図のノズル孔3cは、横方向
のスリット孔で一連に穿設されたものである。これ等の
構成のものから選択して使用される。 又、被切削物であるパターンニングされた半導体ウエ
ーハ４は、第４図にその一部を拡大して示したように、
例えば多数のIC回路4a及びワイヤーボンディングのため
のボンディングパット4bが設けられ、前記IC回路4a間に
切削のためのストリート4cが設けられたものである。 本発明においては、前記した半導体ウエーハ４を前記
ブレード２でそのストリート4cに沿って切削し、且つそ
の切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズル３を配
設するものであるが、この配設される一対の切削液供給
ノズル３に関し、相互にそのノズル孔を対峙させて位置
させ、その対峙させる間隔、即ち切削液供給ノズル３の
配設間隔Ｘと、半導体ウエーハ４に対する配設間隔Ｙと
を特定した範囲に設定することにより、コンタミネーシ
ョンの発生が防止できることを発見したのである。 即ち、切削液供給ノズル３の配設に関し、前記配設間
隔Ｘを16mm以下、好ましくは10〜15mmの範囲にし、前記
配設間隔Ｙを3.0mm以下、好ましくは1.5〜2.5mmの範囲
にして配設することにより、切削液として純水を使用し
て切削しても、ボンディングパット4b等にコンタミネー
ションが生じない。その理由は明確ではないが、切削に
よって生じた静電気が、著しく近接した切削液供給ノズ
ル３によってアースされるものと考えられ、それによっ
て静電気が帯電しないので、切削屑の付着が抑制され、
コンタミネーションが生ずることなく、切削が遂行でき
るものと思料される。 更に、前記切削液供給ノズル３から噴射される切削液
は、その水圧が2.0〜5.0kg/cm2、水量が略1.6l/分とす
ることにより、切削液が例えその比抵抗が2MΩcm以上の
純水であっても、ブレード２による切削屑が効率良く除
去され、前記と相俟ってコンタミネーションが生ずるこ
となく、切削が遂行できるのである。尚、この場合に使
用されるブレードは、例えばその直径が２〜３〃φ、周
速度が70〜140m/秒である。尚、切削液として純水にCo2
を混入して比抵抗を下げたものも使用できることは言う
までもない。
と、本発明のダイシング装置は、少なくともテーブル１
と、ブレード２と、切削液供給ノズル３とを有するもの
であり、前記テーブル１は被切削物、即ちパターンニン
グされた半導体ウエーハ４が載置され、例えば吸着手段
により保持すると共に、所定の角度範囲において適宜回
転できる脚部５を有する構成になっている。そして、前
記切削液供給ノズル３はブレード２の両側、即ち、ブレ
ード２で半導体ウエーハ４を切削する部位の両側から、
冷却用の切削液を略均等に供給するために、左右一対の
切削液供給ノズル３が配設されている。 この切削液供給ノズル３は、第３図（Ａ）（Ｂ）
（Ｃ）にそれぞれ示した種々の構成を有している。即
ち、（Ａ）図はそのノズル孔3aの構成が、縦方向のスリ
ット状を呈し、所定の間隔をもって複数個穿設したもの
であり、（Ｂ）図のノズル孔3bは、丸孔で所定の間隔を
もって複数個穿設し、（Ｃ）図のノズル孔3cは、横方向
のスリット孔で一連に穿設されたものである。これ等の
構成のものから選択して使用される。 又、被切削物であるパターンニングされた半導体ウエ
ーハ４は、第４図にその一部を拡大して示したように、
例えば多数のIC回路4a及びワイヤーボンディングのため
のボンディングパット4bが設けられ、前記IC回路4a間に
切削のためのストリート4cが設けられたものである。 本発明においては、前記した半導体ウエーハ４を前記
ブレード２でそのストリート4cに沿って切削し、且つそ
の切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズル３を配
設するものであるが、この配設される一対の切削液供給
ノズル３に関し、相互にそのノズル孔を対峙させて位置
させ、その対峙させる間隔、即ち切削液供給ノズル３の
配設間隔Ｘと、半導体ウエーハ４に対する配設間隔Ｙと
を特定した範囲に設定することにより、コンタミネーシ
ョンの発生が防止できることを発見したのである。 即ち、切削液供給ノズル３の配設に関し、前記配設間
隔Ｘを16mm以下、好ましくは10〜15mmの範囲にし、前記
配設間隔Ｙを3.0mm以下、好ましくは1.5〜2.5mmの範囲
にして配設することにより、切削液として純水を使用し
て切削しても、ボンディングパット4b等にコンタミネー
ションが生じない。その理由は明確ではないが、切削に
よって生じた静電気が、著しく近接した切削液供給ノズ
ル３によってアースされるものと考えられ、それによっ
て静電気が帯電しないので、切削屑の付着が抑制され、
コンタミネーションが生ずることなく、切削が遂行でき
るものと思料される。 更に、前記切削液供給ノズル３から噴射される切削液
は、その水圧が2.0〜5.0kg/cm2、水量が略1.6l/分とす
ることにより、切削液が例えその比抵抗が2MΩcm以上の
純水であっても、ブレード２による切削屑が効率良く除
去され、前記と相俟ってコンタミネーションが生ずるこ
となく、切削が遂行できるのである。尚、この場合に使
用されるブレードは、例えばその直径が２〜３〃φ、周
速度が70〜140m/秒である。尚、切削液として純水にCo2
を混入して比抵抗を下げたものも使用できることは言う
までもない。
以上説明したように本発明に係るダイシング装置は、
少なくとも半導体ウエーハを載置するテーブルと、半導
体ウエーハのストリートに沿って切削するブレードと、
その切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズルとを
備えたダイシング装置であって、前記切削液供給ノズル
は前記ブレードを挟んで両側に配設し、その切削液供給
ノズルの間隔を16mm以下とし、且つ切削しようとする半
導体ウエーハとの間隔を3.0mm以下にして配設した構成
とすることにより、特に切削液供給ノズルが従来よりも
著しく接近した状態で配設されることにより、切削液と
して純水を使用しても、半導体ウエーハ側における静電
気の帯電が緩和され、且つ切削屑を効率良く除去するこ
とになり、コンタミネーションが生ずることなく、切削
が遂行できると言う優れた効果を奏する。 又、前記切削液供給ノズルから噴射される切削液は
は、その水圧が2.0〜5.0kg/cm2、水量が略1.6l/分とす
ることにより、切削液が例えその比抵抗が2MΩcm以上の
純水であっても、前記と相俟ってより一層切削屑の付着
が抑制され、コンタミネーションが生ずることなく、切
削が遂行できると言う優れた効果を奏する。
少なくとも半導体ウエーハを載置するテーブルと、半導
体ウエーハのストリートに沿って切削するブレードと、
その切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズルとを
備えたダイシング装置であって、前記切削液供給ノズル
は前記ブレードを挟んで両側に配設し、その切削液供給
ノズルの間隔を16mm以下とし、且つ切削しようとする半
導体ウエーハとの間隔を3.0mm以下にして配設した構成
とすることにより、特に切削液供給ノズルが従来よりも
著しく接近した状態で配設されることにより、切削液と
して純水を使用しても、半導体ウエーハ側における静電
気の帯電が緩和され、且つ切削屑を効率良く除去するこ
とになり、コンタミネーションが生ずることなく、切削
が遂行できると言う優れた効果を奏する。 又、前記切削液供給ノズルから噴射される切削液は
は、その水圧が2.0〜5.0kg/cm2、水量が略1.6l/分とす
ることにより、切削液が例えその比抵抗が2MΩcm以上の
純水であっても、前記と相俟ってより一層切削屑の付着
が抑制され、コンタミネーションが生ずることなく、切
削が遂行できると言う優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係るダイシング装置の要部を示す略示
的正面図、第２図は同装置の要部を示す略示的側面図、
第３図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は同装置に使用される３種類
の切削液供給ノズルの略示的側面図、第４図は被切削物
の一例を示す要部の拡大平面図である。 １……テーブル、２……ブレード ３……切削液供給ノズル 3a、3b、3c……ノズル孔 ４……被切削物（半導体ウエーハ） 4a……IC回路、4b……ボンディングパット 4c……ストリート、５……脚部
的正面図、第２図は同装置の要部を示す略示的側面図、
第３図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は同装置に使用される３種類
の切削液供給ノズルの略示的側面図、第４図は被切削物
の一例を示す要部の拡大平面図である。 １……テーブル、２……ブレード ３……切削液供給ノズル 3a、3b、3c……ノズル孔 ４……被切削物（半導体ウエーハ） 4a……IC回路、4b……ボンディングパット 4c……ストリート、５……脚部
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも半導体ウエーハを載置するテー
ブルと、半導体ウエーハのストリートに沿って切削する
ブレードと、その切削部位に切削液を供給する切削液供
給ノズルとを備えたダイシング装置であって、前記切削
液供給ノズルは前記ブレードを挟んで両側に配設し、そ
の切削液供給ノズルの間隔を16mm以下とし、且つ切削し
ようとする半導体ウエーハとの間隔を3.0mm以下にして
配設したことを特徴とするダイシング装置。 - 【請求項２】供給される切削液は、その水圧が2.0〜5.0
kg/cm2、水量が略1.6l/分である請求項（１）記載のダ
イシング装置。 - 【請求項３】切削される半導体ウエーハは、IC等の回路
及びボンディングパットが複数形成されたものである請
求項（１）、（２）記載のダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2627690A JP2860131B2 (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | ダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2627690A JP2860131B2 (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | ダイシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03230546A JPH03230546A (ja) | 1991-10-14 |
| JP2860131B2 true JP2860131B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=12188764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2627690A Expired - Fee Related JP2860131B2 (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | ダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2860131B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5833005B2 (ja) * | 2010-07-13 | 2015-12-16 | 日立化成株式会社 | ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム |
| JP2013033802A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP6817822B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2021-01-20 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
-
1990
- 1990-02-06 JP JP2627690A patent/JP2860131B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03230546A (ja) | 1991-10-14 |
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Legal Events
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