JPH03230546A - ダイシング装置 - Google Patents
ダイシング装置Info
- Publication number
- JPH03230546A JPH03230546A JP2026276A JP2627690A JPH03230546A JP H03230546 A JPH03230546 A JP H03230546A JP 2026276 A JP2026276 A JP 2026276A JP 2627690 A JP2627690 A JP 2627690A JP H03230546 A JPH03230546 A JP H03230546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- semiconductor wafer
- blade
- supply nozzles
- cutting solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 claims description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007786 electrostatic charging Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（産業上の利用分野］
本発明は半導体ウェーハ、特にｉＣ回路及びボンディン
グパット等がパターンニングされた半導体ウェーハを、
そのストリートに沿って切削液を供給しながらブレード
にて切削するダイシング装置に関するものである。
グパット等がパターンニングされた半導体ウェーハを、
そのストリートに沿って切削液を供給しながらブレード
にて切削するダイシング装置に関するものである。
この種の半導体ウェーハを切削又は切断する手段として
、特開昭５６−１２６９３８号公報に開示された発明が
従来例として周知である。この従来例の発明は、パター
ンニングされた半導体つ工−ハの表面を直接ブレードで
切削する際に、切削刃の高速回転に伴って発生する静電
気や、半導体ウェーハに形成された素子のジャンクショ
ン等にできる熱電池の電気によって切削屑が半導体・ウ
ェーハに付着して汚染、即ちコンタミネーションするの
を防止しようとするものであり、そのために切削液自体
を改良したものである。 即ち、半導体ウェーハの素子に悪影響を与えないように
するために、切削液の比抵抗が１０〜１００ＫＱｃｊＩ
、導伝率が１０〜１００μ 咳４Ωの炭酸水を使用する
ことを明らかにしている。 【発明が解決しようとする課題］ しかしながら、この種のパターンニングされた半導体ウ
ェーハを切削する際に、導電性の低い純水で切削したい
場合がある。このような場合に、前記従来例の発明であ
ると、］ンタミネーションが生じ不良品になる虞が大で
ある。従って、前記従来例では純水で切削する場合に、
コンタミネーションが生ずる点で、解決しなければなら
ない課題を有している。 （課題を解決するための手段１ 前記従来例の課題を解決する具体的手段として本発明は
、少なくとも半導体ウェーハを載置するテーブルと、半
導体ウェーハのストリートに沿って切削するブレードと
、その切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズルと
を備えたダイシング装置であって、前記切削液供給ノズ
ルは前記ブレードを挟んで両側に配設し、その切削液供
給ノズルの間隔を１６履以下とし、且つ切削しようとす
る半導体ウェーハとの間隔を３．０Ｍ以下にして配設し
たことを特徴とするダイシング装置を提供するものであ
り、そして、前記切削液供給ノズルから噴射される切削
液は、その水圧が２．０〜５．ＯＫｙ／ｃｄ、水量が略
１．６β／分とすることにより、切削液が例えその比抵
抗が２ＭＱａ＋以上の純水であっても、コンタミネーシ
ョンが生ずることなく、切削が遂行できるのである。 （実施例］ 次に本発明を図示の実施例により更に詳しく説明すると
、本発明のダイシング装置は、少なくともテーブル１と
、ブレード２と、切削液供給ノズル３とを有するもので
あり、前記テーブル１は被切削物、即ちパターンニング
された半導体ウェーハ４が載置され、例えば吸着手段に
より保持すると共に、所定の角度範囲において適宜回転
できる脚部５を有する構成になっている。そして、前記
切削液供給ノズル３はブレード２の両側、即ち、ブレー
ド２で半導体ウェーハ４を切削する部位の両側から、冷
却用の切削液を略均等に供給するために、左右一対の切
削液供給ノズル３が配設されている。 この切削液供給ノズル３は、第３図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）
にそれぞれ示した種々の構成を有している。 即ち、（Ａ）図はそのノズル孔３ａの構成が、縦方向の
スリット状を呈し、所定の間隔をもって複数個穿設した
ものであり、（Ｂ）図のノズル孔３ｂは、丸孔で所定の
間隔をもって複数個穿設し、（Ｃ）図のノズル孔３Ｃは
、横方向のスリット孔で一連に穿設されたものである。 これ等の構成のものから選択して使用される。 又、被切削物であるパターンニングされた半導体ウェー
ハ４は、第４図にその一部を拡大して小したように、例
えば多数のＩＣ回路４ａ及びワイヤーボンディングのた
めのボンディングパット４ｂが設けられ、前記ＩＣ回路
４ａ間に切削のためのストリート４Ｃが設けられたもの
である。 本発明においては、前記した半導体ウェーハ４を前記ブ
レード２でそのストリート４Ｃに沿って切削し、且つそ
の切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズル３を配
設するものであるが、この配設される一対の切削液供給
ノズル３に関し、相互にそのノズル孔を対峙させて位置
させ、その対峙させる間隔、即ち切削液供給ノズル３の
配設間隔Ｘと、半導体ウェーハ４に対する配設間隔Ｙと
を特定した範囲に設定することにより、コンタミネーシ
ョンの発生が防止できることを発見したのである。 即ち、切削液供給ノズル３の配設に関し、前記配設間隔
Ｘを１６ｌ１１Ｉ！以下、好ましくは１０〜１５Ｉ＋Ｉ
ＩＩ＋の範囲にし、前記配設間隔Ｙを３．０ｍ以下、好
ましくは１．５〜２．５ｆｉの範囲にして配設すること
により、切削液として純水を使用して切削しても、ボン
ディングパット４ｂ等にコンタミネーションが生じない
。その理由は明確ではないが、切削によって生じた静電
気が、著しく近接した切削液供給ノズル３によってアー
スされるものと考えられ、それによって静電気が帯電し
ないので、切削屑の付着が抑制され、コンタミネーショ
ンが生ずることなく、切削が遂行できるものと思料され
る。 更に、前記切削液供給ノズル３から噴射される切削液は
、その水圧が２．０〜５．０に９ ／ ｃＪｉ、、水量
が略１．６β／分とすることにより、切削液が例えその
比抵抗が２ＭΩｃＩＩ以上の純水であっても、ブレード
２による切削屑が効率良く除去され、前記と相俟ってコ
ンタミネーションが生ずることなく、切削が遂行できる
のである。尚、この場合に使用されるブレードは、例え
ばその直径が２〜３ ｒｒφ、周速度が７０〜１４０ｍ
／秒である。尚、切削液として純水にＣ０２を混入して
比抵抗を下げたものも使用できることは言うまでもない
。 （発明の効果１ 以上説明したように本発明に係るダイシング装置は、少
なくとも半導体ウェーハを載置するテブルと、半導体ウ
ェーハのストリートに沿って切削するブレードと、その
切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズルとを備え
たダイシング装置であって、前記切削液供給ノズルは前
記ブレードを挟んで両側に配設し、その切削液供給ノズ
ルの間隔を１６厘以下とし、且つ切削しようとする半導
体ウェーハとの間隔を３．０ａ＋以下にして配設した構
成とすることにより、特に切削液供給ノズルが従来より
も著しく接近した状態で配設されることにより、切削液
として純水を使用しても、半導体ウェーハ側にお（ブる
静電気の帯電が緩和され、且つ切削屑を効率良く除去す
ることになり、コンタミネーションが生ずることなく、
切削が遂行できると言う優れた効果を秦する。 又、前記切削液供給ノズルから噴射される切削液はは、
その水圧が２．０〜５．０に９ ／ ｃｍ、水量が略り
６℃／分とすることにより、切削液が例えその比抵抗が
２ＭΩｃｍ以上の純水であっても、前記と相俟ってより
一層切削屑の付着が抑制され、コンタミネーションが生
ずることなく、切削が遂行できると言う優れた効果を奏
する。
、特開昭５６−１２６９３８号公報に開示された発明が
従来例として周知である。この従来例の発明は、パター
ンニングされた半導体つ工−ハの表面を直接ブレードで
切削する際に、切削刃の高速回転に伴って発生する静電
気や、半導体ウェーハに形成された素子のジャンクショ
ン等にできる熱電池の電気によって切削屑が半導体・ウ
ェーハに付着して汚染、即ちコンタミネーションするの
を防止しようとするものであり、そのために切削液自体
を改良したものである。 即ち、半導体ウェーハの素子に悪影響を与えないように
するために、切削液の比抵抗が１０〜１００ＫＱｃｊＩ
、導伝率が１０〜１００μ 咳４Ωの炭酸水を使用する
ことを明らかにしている。 【発明が解決しようとする課題］ しかしながら、この種のパターンニングされた半導体ウ
ェーハを切削する際に、導電性の低い純水で切削したい
場合がある。このような場合に、前記従来例の発明であ
ると、］ンタミネーションが生じ不良品になる虞が大で
ある。従って、前記従来例では純水で切削する場合に、
コンタミネーションが生ずる点で、解決しなければなら
ない課題を有している。 （課題を解決するための手段１ 前記従来例の課題を解決する具体的手段として本発明は
、少なくとも半導体ウェーハを載置するテーブルと、半
導体ウェーハのストリートに沿って切削するブレードと
、その切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズルと
を備えたダイシング装置であって、前記切削液供給ノズ
ルは前記ブレードを挟んで両側に配設し、その切削液供
給ノズルの間隔を１６履以下とし、且つ切削しようとす
る半導体ウェーハとの間隔を３．０Ｍ以下にして配設し
たことを特徴とするダイシング装置を提供するものであ
り、そして、前記切削液供給ノズルから噴射される切削
液は、その水圧が２．０〜５．ＯＫｙ／ｃｄ、水量が略
１．６β／分とすることにより、切削液が例えその比抵
抗が２ＭＱａ＋以上の純水であっても、コンタミネーシ
ョンが生ずることなく、切削が遂行できるのである。 （実施例］ 次に本発明を図示の実施例により更に詳しく説明すると
、本発明のダイシング装置は、少なくともテーブル１と
、ブレード２と、切削液供給ノズル３とを有するもので
あり、前記テーブル１は被切削物、即ちパターンニング
された半導体ウェーハ４が載置され、例えば吸着手段に
より保持すると共に、所定の角度範囲において適宜回転
できる脚部５を有する構成になっている。そして、前記
切削液供給ノズル３はブレード２の両側、即ち、ブレー
ド２で半導体ウェーハ４を切削する部位の両側から、冷
却用の切削液を略均等に供給するために、左右一対の切
削液供給ノズル３が配設されている。 この切削液供給ノズル３は、第３図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）
にそれぞれ示した種々の構成を有している。 即ち、（Ａ）図はそのノズル孔３ａの構成が、縦方向の
スリット状を呈し、所定の間隔をもって複数個穿設した
ものであり、（Ｂ）図のノズル孔３ｂは、丸孔で所定の
間隔をもって複数個穿設し、（Ｃ）図のノズル孔３Ｃは
、横方向のスリット孔で一連に穿設されたものである。 これ等の構成のものから選択して使用される。 又、被切削物であるパターンニングされた半導体ウェー
ハ４は、第４図にその一部を拡大して小したように、例
えば多数のＩＣ回路４ａ及びワイヤーボンディングのた
めのボンディングパット４ｂが設けられ、前記ＩＣ回路
４ａ間に切削のためのストリート４Ｃが設けられたもの
である。 本発明においては、前記した半導体ウェーハ４を前記ブ
レード２でそのストリート４Ｃに沿って切削し、且つそ
の切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズル３を配
設するものであるが、この配設される一対の切削液供給
ノズル３に関し、相互にそのノズル孔を対峙させて位置
させ、その対峙させる間隔、即ち切削液供給ノズル３の
配設間隔Ｘと、半導体ウェーハ４に対する配設間隔Ｙと
を特定した範囲に設定することにより、コンタミネーシ
ョンの発生が防止できることを発見したのである。 即ち、切削液供給ノズル３の配設に関し、前記配設間隔
Ｘを１６ｌ１１Ｉ！以下、好ましくは１０〜１５Ｉ＋Ｉ
ＩＩ＋の範囲にし、前記配設間隔Ｙを３．０ｍ以下、好
ましくは１．５〜２．５ｆｉの範囲にして配設すること
により、切削液として純水を使用して切削しても、ボン
ディングパット４ｂ等にコンタミネーションが生じない
。その理由は明確ではないが、切削によって生じた静電
気が、著しく近接した切削液供給ノズル３によってアー
スされるものと考えられ、それによって静電気が帯電し
ないので、切削屑の付着が抑制され、コンタミネーショ
ンが生ずることなく、切削が遂行できるものと思料され
る。 更に、前記切削液供給ノズル３から噴射される切削液は
、その水圧が２．０〜５．０に９ ／ ｃＪｉ、、水量
が略１．６β／分とすることにより、切削液が例えその
比抵抗が２ＭΩｃＩＩ以上の純水であっても、ブレード
２による切削屑が効率良く除去され、前記と相俟ってコ
ンタミネーションが生ずることなく、切削が遂行できる
のである。尚、この場合に使用されるブレードは、例え
ばその直径が２〜３ ｒｒφ、周速度が７０〜１４０ｍ
／秒である。尚、切削液として純水にＣ０２を混入して
比抵抗を下げたものも使用できることは言うまでもない
。 （発明の効果１ 以上説明したように本発明に係るダイシング装置は、少
なくとも半導体ウェーハを載置するテブルと、半導体ウ
ェーハのストリートに沿って切削するブレードと、その
切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズルとを備え
たダイシング装置であって、前記切削液供給ノズルは前
記ブレードを挟んで両側に配設し、その切削液供給ノズ
ルの間隔を１６厘以下とし、且つ切削しようとする半導
体ウェーハとの間隔を３．０ａ＋以下にして配設した構
成とすることにより、特に切削液供給ノズルが従来より
も著しく接近した状態で配設されることにより、切削液
として純水を使用しても、半導体ウェーハ側にお（ブる
静電気の帯電が緩和され、且つ切削屑を効率良く除去す
ることになり、コンタミネーションが生ずることなく、
切削が遂行できると言う優れた効果を秦する。 又、前記切削液供給ノズルから噴射される切削液はは、
その水圧が２．０〜５．０に９ ／ ｃｍ、水量が略り
６℃／分とすることにより、切削液が例えその比抵抗が
２ＭΩｃｍ以上の純水であっても、前記と相俟ってより
一層切削屑の付着が抑制され、コンタミネーションが生
ずることなく、切削が遂行できると言う優れた効果を奏
する。
第１図は本発明に係るダイシング装置の要部を承す略示
的正面図、第２図は同装置の要部を示す略示的側面図、
第３図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は同装置に使用される３種類
の切削液供給ノズルの略示的側面図、第４図は被切削物
の一例を示す要部の拡大平面図である。 １・・・・・・テーブル ２・・・・・・ブレード
３・・・・・・切削液供給ノズル ３ａ、３ｂ、３ Ｇ ・／ Ｘル孔
的正面図、第２図は同装置の要部を示す略示的側面図、
第３図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は同装置に使用される３種類
の切削液供給ノズルの略示的側面図、第４図は被切削物
の一例を示す要部の拡大平面図である。 １・・・・・・テーブル ２・・・・・・ブレード
３・・・・・・切削液供給ノズル ３ａ、３ｂ、３ Ｇ ・／ Ｘル孔
Claims (3)
- （１）少なくとも半導体ウェーハを載置するテーブルと
、半導体ウェーハのストリートに沿つて切削するブレー
ドと、その切削部位に切削液を供給する切削液供給ノズ
ルとを備えたダイシング装置であって、前記切削液供給
ノズルは前記ブレードを挟んで両側に配設し、その切削
液供給ノズルの間隔を１６ｍｍ以下とし、且つ切削しよ
うとする半導体ウエーハとの間隔を３．０ｍｍ以下にし
て配設したことを特徴とするダイシング装置。 - （２）供給される切削液は、その水圧が２．０〜５．０
ｋｇ／ｃｍ＾２、水量が略１．６ｌ／分である請求項（
１）記載のダイシング装置。 - （３）切削される半導体ウェーハは、ＩＣ等の回路及び
ボンディングパットが複数形成されたものである請求項
（１）、（２）記載のダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2627690A JP2860131B2 (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | ダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2627690A JP2860131B2 (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | ダイシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03230546A true JPH03230546A (ja) | 1991-10-14 |
| JP2860131B2 JP2860131B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=12188764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2627690A Expired - Fee Related JP2860131B2 (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | ダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2860131B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013033802A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2015043471A (ja) * | 2010-07-13 | 2015-03-05 | 日立化成株式会社 | 半導体チップの製造方法及び半導体ウェハの切断方法 |
| JP2018117037A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
-
1990
- 1990-02-06 JP JP2627690A patent/JP2860131B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015043471A (ja) * | 2010-07-13 | 2015-03-05 | 日立化成株式会社 | 半導体チップの製造方法及び半導体ウェハの切断方法 |
| JP2013033802A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2018117037A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2860131B2 (ja) | 1999-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5632667A (en) | No coat backside wafer grinding process | |
| KR20180051394A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| JP4210462B2 (ja) | 切削装置 | |
| JP6837859B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JPH03230546A (ja) | ダイシング装置 | |
| JP2006187834A (ja) | 切削装置 | |
| JP6271129B2 (ja) | 切削装置 | |
| US10703016B2 (en) | Semiconductor sawing method and system | |
| WO2007049921A1 (en) | Spin chuck | |
| JP2016128202A (ja) | 切削方法及び切削装置 | |
| JP2001168067A (ja) | ダイシング装置 | |
| JP2006237206A (ja) | 切削装置 | |
| JP2006289509A (ja) | 切削装置 | |
| JPS61121870A (ja) | 脆性材料の切断方法 | |
| JPH03157954A (ja) | 半導体ウェハのダイシング方法及びダイシング装置 | |
| JPH0517887Y2 (ja) | ||
| JPH03181148A (ja) | ダイシング方法 | |
| JPS629914A (ja) | 半導体素子の分離方法 | |
| JPH11345787A (ja) | ダイシング装置 | |
| JPS6331927Y2 (ja) | ||
| JP2943212B2 (ja) | 半導体ウェハのダイシング方法及びダイシング装置 | |
| KR20120022590A (ko) | 바이트 휠 | |
| JPS61148004A (ja) | ダイシング装置 | |
| JP6227985B2 (ja) | 切削装置 | |
| JP2003243333A (ja) | スプレーチップ及び洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081204 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091204 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |