KR20180051394A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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KR20180051394A
KR20180051394A KR1020170145951A KR20170145951A KR20180051394A KR 20180051394 A KR20180051394 A KR 20180051394A KR 1020170145951 A KR1020170145951 A KR 1020170145951A KR 20170145951 A KR20170145951 A KR 20170145951A KR 20180051394 A KR20180051394 A KR 20180051394A
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히로아키 야마다
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 이면에 금속막이 형성된 웨이퍼를 용이하게 효율적으로 칩으로 분할할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 표면을 가지며, 이면에 금속막이 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면으로부터 절삭 블레이드로 상기 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 절삭하여, 상기 금속막에 이르지 않는 절삭홈을 형성하는 절삭 단계와, 상기 절삭 단계를 실시한 후, 웨이퍼의 표면측에 수용성의 수지를 공급하여, 웨이퍼의 표면과 상기 절삭홈을 상기 수용성의 수지로 이루어지는 보호막으로 피복하는 보호막 형성 단계와, 상기 보호막 형성 단계를 실시한 후, 상기 금속막에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼의 표면측으로부터 상기 절삭홈에 조사하여 웨이퍼와 함께 상기 금속막을 분단하는 레이저 가공 단계와, 상기 레이저 가공 단계를 실시한 후, 웨이퍼를 세정하여 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}
본 발명은 이면에 금속막이 형성된 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 웨이퍼는, 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 표면을 가지며, 분할 예정 라인을 따라 절삭함으로써 개개의 디바이스 칩으로 분할된다.
이러한 웨이퍼 중에는, 디바이스의 전기적 특성을 양호하게 하기 위해서 이면에 금속막이 형성되어 있는 것이 있으며, 금속막을 절삭 블레이드로 절삭하면 절삭 블레이드에 눈 막힘(clogging)이 발생하고, 눈 막힘이 발생한 절삭 블레이드로 웨이퍼를 절삭하면 웨이퍼에 크랙이 발생하거나, 블레이드가 파손되어 버린다고 하는 문제가 있다.
한편, 웨이퍼에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔으로 웨이퍼를 풀 컷트하면, 레이저 빔이 금속막에 조사되어 발생한 금속 데브리(debris)가 칩 측면에 부착되어 버린다.
그래서, 일본 특허 공개 제2015-138857호 공보에는, 웨이퍼의 이면측으로부터 웨이퍼에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 조사하여, 금속막을 분단하고 웨이퍼에 분단홈을 형성하며, 계속해서 절삭 블레이드로 웨이퍼의 표면측으로부터 분단홈에 이르기까지 웨이퍼를 절삭하여, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 금속막을 갖는 웨이퍼의 가공 방법이 기재되어 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2015-138857호 공보
그러나, 웨이퍼의 이면측으로부터 금속막을 레이저 가공하는 경우, 웨이퍼의 이면에 금속막이 형성되어 있기 때문에 표면에 형성된 분할 예정 라인을 검출할 수 없다고 하는 문제가 있다. 특허문헌 1에서는, 웨이퍼의 이면측으로부터 분할 예정 라인을 검출하는 방법에 대해 아무런 기재도 없으나, 예컨대, 웨이퍼의 외주 부분의 금속막을 미리 제거하여 적외선 카메라로 웨이퍼의 이면측으로부터 분할 예정 라인을 검출하는 등의 고안이 필요해져, 분할 예정 라인의 검출에 매우 수고가 들게 된다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 이면에 금속막이 형성된 웨이퍼를 용이하게 효율적으로 칩으로 분할할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 표면을 가지며, 이면에 금속막이 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면으로부터 절삭 블레이드로 상기 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 절삭하여, 상기 금속막에 이르지 않는 절삭홈을 형성하는 절삭 단계와, 상기 절삭 단계를 실시한 후, 웨이퍼의 표면측에 수용성의 수지를 공급하여, 웨이퍼의 표면과 상기 절삭홈을 상기 수용성의 수지로 이루어지는 보호막으로 피복하는 보호막 형성 단계와, 상기 보호막 형성 단계를 실시한 후, 상기 금속막에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼의 표면측으로부터 상기 절삭홈에 조사하여 웨이퍼와 함께 상기 금속막을 분단하는 레이저 가공 단계와, 상기 레이저 가공 단계를 실시한 후, 웨이퍼를 세정하여 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에서는, 웨이퍼의 표면측으로부터 금속막에 이르지 않는 절삭홈을 형성하고, 계속해서 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼와 함께 금속막을 분단한다. 웨이퍼의 표면측으로부터 절삭 단계와 레이저 가공 단계를 실시하기 때문에, 분할 예정 라인의 검출이 용이하고 효율적으로 웨이퍼를 칩으로 분할할 수 있다.
절삭홈을 형성한 후, 웨이퍼의 표면과 절삭홈을 보호막으로 피복하기 때문에, 레이저 가공 단계에서 데브리가 발생해도 발생한 데브리는 보호막에 부착되고, 이후의 보호막 제거 단계에서 데브리는 제거된다. 따라서, 칩 측면에 금속 데브리를 부착시키지 않고, 이면에 금속막이 형성된 웨이퍼를 용이하게 효율적으로 칩으로 분할할 수 있다.
도 1의 (a)은 반도체 웨이퍼의 표면측 사시도, 도 1의 (b)는 그 단면도이다.
도 2는 다이싱 테이프를 통해 웨이퍼를 환형 프레임에 지지한 웨이퍼 유닛의 사시도이다.
도 3의 (a)는 절삭 단계를 도시한 일부 단면 측면도, 도 3의 (b)는 절삭 단계 실시 후의 웨이퍼의 확대 단면도이다.
도 4는 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 5는 보호막 형성 단계를 도시한 단면도이다.
도 6은 보호막 형성 단계 실시 후의 웨이퍼의 확대 단면도이다.
도 7은 레이저 가공 단계를 도시한 일부 단면 측면도이다.
도 8은 레이저 가공 단계 실시 후의 웨이퍼의 확대 단면도이다.
도 9는 보호막 제거 단계를 도시한 단면도이다.
도 10은 보호막 제거 단계 실시 후의 웨이퍼의 확대 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1의 (a)를 참조하면, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 약칭하는 경우가 있음)(11)의 표면측 사시도가 도시되어 있다. 도 1의 (b)는 반도체 웨이퍼(11)의 단면도이다.
웨이퍼(11)의 표면(11a)에는, 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(13)이 형성되어 있고, 교차하는 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 LSI 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다. 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에는 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 등으로 형성된 금속막(21)이 형성되어 있다.
본 발명 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법을 실시하기 전에, 웨이퍼(11)는 외주부가 환형 프레임(F)에 접착된 다이싱 테이프(T)에 접착되어 이루어지는 웨이퍼 유닛(17)의 형태로 가공이 실시된다.
본 발명 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법에서는, 먼저, 웨이퍼의 표면으로부터 절삭 블레이드로 분할 예정 라인을 따라 절삭하여, 금속막에 이르지 않는 절삭홈을 형성하는 절삭 단계를 실시한다.
이 절삭 단계에서는, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(11)의 이면측을 절삭 장치의 척 테이블(1)로 다이싱 테이프(T)를 통해 흡인 유지하고, 클램프(7)로 환형 프레임(F)을 클램프하여 고정한다.
절삭 단계를 실시하기 전에, 절삭 장치에 구비되어 있는 촬상 유닛으로 척 테이블(1)에 유지된 웨이퍼(11)의 표면(11a)측을 촬상하여, 스핀들(3)의 선단부에 장착되어 있는 절삭 블레이드(5)와 절삭해야 할 분할 예정 라인(13)을 위치 맞춤하는 종래 공지의 얼라인먼트를 실시한다.
얼라인먼트 실시 후, 웨이퍼(11)의 표면(11a)으로부터 고속 회전하는 절삭 블레이드(5)로 분할 예정 라인(13)을 따라 웨이퍼를 절삭하여, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 형성된 금속막(21)에 이르지 않는 절삭홈(23)을 형성하는 절삭 단계를 실시한다.
이 절삭 단계를, 분할 예정 라인(13)의 웨이퍼(11)를 피치씩 인덱싱 이송하면서, 제1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(13)을 따라 차례로 실시한다. 계속해서, 척 테이블(1)을 90° 회전시키고 나서, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(13)을 따라서도 동일한 절삭 단계를 실시한다. 절삭 단계 실시 후의 웨이퍼(11)의 확대 단면도가 도 3의 (b)에 도시되어 있다.
절삭 단계 실시 후의 절삭홈(23) 바닥부의 절삭 잔여부의 두께는 특별히 한정은 없으나, 이후의 단계에서의 핸들링성을 고려하여 30 ㎛∼50 ㎛ 정도의 절삭 잔여부를 잔존시키는 것이 바람직하다.
절삭 단계를 실시한 후, 웨이퍼의 표면측에 수용성의 수지를 공급하여, 웨이퍼의 표면과 절삭홈을 수용성의 수지로 이루어지는 보호막으로 피복하는 보호막 형성 단계를 실시한다. 보호막 형성 단계의 일례로서, 도 4에 도시된 레이저 가공 장치(2)에 구비되어 있는 보호막 형성 장치를 사용하는 것이 바람직하다. 물론, 독립된 보호막 형성 장치를 사용하도록 해도 좋다.
도 4를 참조하면, 보호막 형성 장치를 구비하고, 본 발명 실시형태의 레이저 가공 단계를 실시하는 데 적합한 레이저 가공 장치(2)의 사시도가 도시되어 있다. 레이저 가공 장치(2)의 전면측에는, 오퍼레이터가 가공 조건 등의 장치에 대한 지시를 입력하기 위한 조작 패널(4)이 설치되어 있다. 장치 상부에는, 오퍼레이터에 대한 안내 화면이나 후술하는 촬상 유닛에 의해 촬상된 화상이 표시되는 CRT 등의 표시 모니터(6)가 설치되어 있다.
카세트(8) 중에 도 2에 도시된 웨이퍼 유닛(17)이 복수 매 수용되고, 카세트(8)는 상하 이동 가능한 카세트 엘리베이터(9) 상에 배치된다. 카세트 엘리베이터(9) 상에 배치된 카세트(8)의 후방에는, 카세트(8)로부터 레이저 가공 전의 웨이퍼 유닛(17)을 반출하고, 가공 후의 웨이퍼 유닛(17)을 카세트(8)에 반입하는 반입 반출 수단(10)이 배치되어 있다.
카세트(8)와 반입 반출 수단(10) 사이에는, 반입 반출 대상인 웨이퍼 유닛(17)이 일시적으로 배치되는 영역인 임시 배치 영역(12)이 형성되어 있고, 임시 배치 영역(12)에는 웨이퍼 유닛(17)을 일정한 위치에 위치 맞춤시키는 위치 맞춤 수단(14)이 배치되어 있다.
도면 부호 30은 보호막 형성 장치이며, 이 보호막 형성 장치(30)는 가공 후의 웨이퍼를 세정하는 세정 장치를 겸용한다. 임시 배치 영역(12) 근방에는, 웨이퍼 유닛(17)의 프레임(F)을 흡착하여 반송하는 선회 아암을 갖는 반송 수단(16)이 배치되어 있다.
임시 배치 영역(12)에 반출된 웨이퍼 유닛(17)은, 반송 수단(16)에 의해 흡착되어 보호막 형성 장치(30)에 반송된다. 보호막 형성 장치(30)는, 이후에 상세히 설명하는 바와 같이 웨이퍼(11)의 가공면에 수용성의 액상 수지를 도포하여 보호막을 피복한다.
가공면에 보호막이 피복된 웨이퍼(11)는, 반송 수단(16)에 의해 흡착되어 척 테이블(18) 상에 반송되고, 척 테이블(18)에 흡인되며, 복수의 고정 수단(클램프)(19)에 의해 프레임(F)이 고정됨으로써 척 테이블(18) 상에 유지된다.
척 테이블(18)은, 회전 가능하고 또한 X축 방향으로 왕복 이동 가능하게 구성되어 있고, 척 테이블(18)의 X축 방향의 이동 경로의 상방에는, 웨이퍼(11)의 레이저 가공해야 할 스트리트를 검출하는 얼라인먼트 유닛(20)이 배치되어 있다.
얼라인먼트 유닛(20)은, 웨이퍼(11)의 표면을 촬상하는 촬상 유닛(22)을 구비하고 있고, 촬상에 의해 취득한 화상에 기초하여, 패턴 매칭 등의 화상 처리에 의해 레이저 가공해야 할 스트리트를 검출할 수 있다. 촬상 유닛(22)에 의해 취득된 화상은, 표시 유닛(6)에 표시된다.
얼라인먼트 유닛(20)의 좌측에는, 척 테이블(18)에 유지된 웨이퍼(11)에 대해 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 유닛(24)이 배치되어 있다. 레이저 빔 조사 유닛(24)은 Y축 방향으로 이동 가능하다.
도 5를 참조하면, 보호막 형성 장치(30)의 일부 단면 측면도가 도시되어 있다. 보호막 형성 장치(30)는, 스피너 테이블 기구(34)와, 스피너 테이블 기구(34)를 포위하여 배치된 액체 받이 기구(36)를 구비하고 있다.
스피너 테이블 기구(34)는, 스피너 테이블(유지 테이블)(38)과, 스피너 테이블(38)을 지지하는 지지 부재(40)와, 지지 부재(40)를 통해 스피너 테이블(38)을 회전 구동하는 전동 모터(42)로 구성된다. 전동 모터(42)를 회전 구동하면, 스피너 테이블(38)은 화살표 A 방향으로 회전된다.
스피너 테이블(38)은 다공성 재료로 형성된 흡인 유지부를 갖고 있고, 흡인 유지부가 도시하지 않은 부압 흡인 수단에 연통(連通)되어 있다. 따라서, 스피너 테이블(38)은, 흡인 유지부에 웨이퍼를 배치하고 도시하지 않은 부압 흡인 수단에 의해 부압을 작용시킴으로써, 흡인 유지부 상에 웨이퍼를 흡인 유지한다.
스피너 테이블(38)에는 진자 타입의 4개의 클램프(44)가 배치되어 있다. 스피너 테이블(38)이 회전되면 이들 클램프(44)가 원심력으로 요동하여 도 2에 도시된 환형 프레임(F)을 클램프한다.
액체 받이 기구(36)는, 액체 받이 용기(46)와, 지지 부재(40)에 장착된 커버 부재(48)로 구성된다. 액체 받이 용기(46)는, 원통형의 외측벽(46a)과, 바닥벽(46b)과, 내측벽(46c)으로 구성된다.
바닥벽(46b)의 중앙부에는, 지지 부재(40)가 삽입되는 구멍(47)이 형성되어 있고, 내측벽(46c)은 이 구멍(47) 주변으로부터 상방으로 돌출하도록 형성되어 있다. 커버 부재(48)는 원판형으로 형성되어 있고, 그 외주연(外周緣)으로부터 하방으로 돌출하는 커버부(48a)를 구비하고 있다.
이와 같이 구성된 커버 부재(48)는, 스피너 테이블(38)이 도 5에 도시된 작업 위치에 위치되면, 커버부(48a)가 액체 받이 용기(46)를 구성하는 내측벽(46c)의 외측에 간극을 갖고 중합하도록 위치된다.
보호막 형성 장치(30)는, 스피너 테이블(38)에 유지된 가공 전의 웨이퍼(11)에 수용성 수지로 이루어지는 액상 보호막제를 토출하는 보호막제 토출 수단(50)을 구비하고 있다. 보호막제 토출 수단(50)은, 대략 L형상의 아암(52)과, 아암(52)의 선단에 형성되며, 스피너 테이블(38)에 유지된 가공 전의 웨이퍼(11)의 가공면을 향해 액상 보호막제를 토출하는 액상 보호막제 공급 노즐(54)과, 아암(52)을 요동하는 정회전·역회전 가능한 전동 모터(56)로 구성된다. 보호막제 공급 노즐(54)은 아암(52)을 통해 보호막제 공급원(58)에 접속되어 있다.
보호막 형성 장치(30)는, 레이저 가공 후의 웨이퍼(11)를 세정하는 세정 장치를 겸용한다. 따라서, 보호막 형성 장치(30)는, 스피너 테이블(38)에 유지된 가공 후의 웨이퍼(11)를 세정하기 위한 세정수 공급 수단(60)을 구비하고 있다.
세정수 공급 수단(60)은, 도 9에 가장 잘 도시된 바와 같이, 대략 L형상의 아암(62)과, 아암(62)의 선단에 형성되며, 스피너 테이블(38)에 유지된 가공 후의 웨이퍼(11)의 가공면을 향해 세정수를 공급하는 세정수 노즐(64)과, 아암(62)을 요동하는 정회전·역회전 가능한 전동 모터(66)로 구성된다. 세정수 노즐(64)은 아암(62)을 통해 세정수 공급원(68)에 접속되어 있다.
절삭 단계를 실시한 후, 도 5에 도시된 보호막 형성 장치(30)로 웨이퍼(11)의 표면(11a) 및 절삭홈(23) 중에 수용성 수지를 공급하여 웨이퍼의 표면(11a) 및 절삭홈(23)을 보호막(25)으로 피복하는 보호막 형성 단계에 대해 이하에 상세히 설명한다.
웨이퍼 반송 수단(16)의 선회 동작에 의해 절삭 블레이드(5)에 의해 절삭홈(23)을 형성한 웨이퍼 유닛(17)이 보호막 형성 장치(30)의 스피너 테이블(38)에 반송되고, 웨이퍼(11)가 스피너 테이블(38)에 흡인 유지된다. 이때, 세정수 노즐(64)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 스피너 테이블(38)의 상방으로부터 격리된 대기 위치에 위치되어 있다.
스피너 테이블(38)을 화살표 A 방향으로 저속, 예컨대 30 rpm∼50 rpm으로 회전시키면서, 액상 보호막제 공급 노즐(54)을 요동시키면서, 웨이퍼(11) 상에 수용성 수지로 이루어지는 액상 보호막제를 적하한다.
스피너 테이블(38)이 회전되고 있기 때문에, 적하된 액상 보호막제는 웨이퍼(11)의 가공면으로 퍼지고, 액상 보호막제의 표면 장력을 이용하여 웨이퍼(11)의 가공면에는 보호막(25)이 형성된다.
보호막 형성 단계를 실시하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(11)의 표면(11a) 및 절삭홈(23) 중에 수용성 수지로 이루어지는 보호막(25)이 형성된다. 보호막 형성 단계를 실시한 후, 스피너 테이블(38)의 흡인 유지를 해제하고, 웨이퍼 반송 수단(16)에 의해 웨이퍼 유닛(17)을 척 테이블(18)에 반송하여, 도 7에 도시된 바와 같이, 척 테이블(18)에 의해 절삭홈(23)이 형성된 웨이퍼(11)를 흡인 유지하며, 레이저 가공 단계를 실시한다.
레이저 가공 단계를 실시하기 전에, 척 테이블(18)에 흡인 유지된 웨이퍼(11)의 가공 영역을 촬상 유닛(22) 바로 아래로 이동시키고, 촬상 유닛(22)으로 웨이퍼(11)의 가공 영역을 촬상한다.
그리고, 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 유닛(24)의 집광기(28)와 제1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(13)의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여, 레이저 빔 조사 위치의 얼라인먼트를 실시한다.
제1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(13)의 얼라인먼트가 종료되면, 척 테이블(18)을 90° 회전시키고 나서, 제1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(13)과 직교하는 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(13)에 대해서도 동일한 얼라인먼트를 실시한다.
얼라인먼트 실시 후, 척 테이블(18)을 이동시켜 제1 방향으로 신장하는 소정의 분할 예정 라인(13)의 가공 개시 위치를 집광기(28) 바로 아래에 위치시키고, 레이저 빔 조사 유닛(24)의 집광기(28)로 보호막(25)을 통해 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 형성된 절삭홈(23)의 바닥부에 집광한다.
이와 같이 집광기(28)로 펄스 레이저 빔(LB)을 보호막(25)을 통해 절삭홈(23)의 바닥부에 집광하면서, 척 테이블(18)을 소정의 이송 속도(예컨대 100 ㎜/s)로 가공 이송하여, 제1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(13)을 따라 어블레이션(ablation) 가공에 의해 웨이퍼(11)를 분단하고, 금속막(21)을 분단하는 레이저 가공 단계를 실시한다.
척 테이블(18)을 분할 예정 라인(13)의 피치씩 인덱싱 이송하면서, 레이저 가공 단계를 실시하여 웨이퍼(11)의 절삭 잔여부 및 금속막(21)을 분단한다. 제1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인을 따른 레이저 가공 단계를 종료한 후, 척 테이블(18)을 90° 회전시키고 나서, 제2 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(13)에 대해서도 동일한 어블레이션 가공에 의해, 웨이퍼(11)의 절삭 잔여부 및 금속막(21)을 분단하여, 웨이퍼(11)를 개개의 디바이스 칩으로 분할한다.
한편, 본 실시형태의 레이저 가공 단계의 레이저 가공 조건은, 예컨대 이하와 같이 설정되어 있다.
광원 : YAG 펄스 레이저
파장 : 355 ㎚(YAG 레이저의 제3 고조파)
평균 출력 : 3.0 W
반복 주파수 : 20 ㎑
이송 속도 : 100 ㎜/s
레이저 가공 단계 종료 후의 웨이퍼(11)의 확대 단면도가 도 8에 도시되어 있다. 레이저 가공 단계를 실시함으로써, 분할 예정 라인(13)을 따라 절삭 블레이드로 형성된 절삭홈(23)에 이어서 레이저 가공에 의한 분단홈(27)이 형성되고, 웨이퍼(11)는 분할 예정 라인(13)을 따라 분단된다.
레이저 가공 단계를 실시한 후, 웨이퍼(11)를 세정하여 보호막(25)을 제거하는 보호막 제거 단계를 실시한다. 레이저 가공 단계가 종료된 웨이퍼 유닛(17)은, 반송 수단(32)에 의해 보호막 형성 장치(30)의 스피너 테이블(38)에 반송되고, 스피너 테이블(38)에서 흡인 유지된다. 이때, 액상 보호막제 공급 노즐(54)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 스피너 테이블(38)의 상방으로부터 격리된 대기 위치에 위치되어 있다.
보호막 제거 단계에서는, 세정수 공급원(68)에 접속된 세정수 노즐(64)로부터 스피너 테이블(38)에 유지된 웨이퍼(11)의 보호막(25)에 세정수를 공급하면서, 웨이퍼(11)를 화살표 A 방향으로 저속 회전(예컨대 800 rpm)시킴으로써, 웨이퍼(11) 상 및 절삭홈(23) 내의 보호막(25)을 물에 녹여 제거한다. 세정수로서는, 예컨대 순수(純水)가 사용된다.
대체 실시형태로서, 보호막 제거 단계에서는, 보호막 형성 장치(30)의 스피너 테이블(38)로 보호막(25)이 형성된 웨이퍼(11)를 흡인 유지하고, 세정수 노즐(64)을 세정수 공급원(68)과 도시하지 않은 에어원에 접속하며, 세정수 노즐(64)로부터 순수와 에어로 이루어지는 2유체 세정수를 분사하면서 웨이퍼(11)를 스핀 세정하여, 보호막(25)을 제거하도록 해도 좋다. 보호막 제거 단계 실시 후의 웨이퍼(11)의 확대 단면도가 도 10에 도시되어 있다.
전술한 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법에 의하면, 먼저 웨이퍼(11)의 표면(11a)으로부터 분할 예정 라인(13)을 따라 금속막(21)에 이르지 않는 절삭홈(23)을 형성하고, 계속해서, 웨이퍼(11)에 대해 흡수성을 갖는 파장을 갖는 레이저 빔을 절삭홈(23)의 바닥부에 조사하여 웨이퍼(11)와 함께 금속막(21)을 분단한다. 웨이퍼(11)의 표면(11a)측으로부터 절삭 단계와 레이저 가공 단계를 실시하기 때문에, 분할 예정 라인(13)의 검출이 용이하고 효율적으로 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할할 수 있다.
절삭홈(23)을 형성한 후, 웨이퍼(11)의 표면과 절삭홈(23)의 바닥부 및 측부에 보호막(25)을 형성하기 때문에, 레이저 가공 단계에서 데브리가 발생해도 발생한 데브리는 보호막(25)에 부착되고, 이후의 보호막 제거 단계에서 데브리가 제거된다. 따라서, 칩 측면에 금속을 부착시키지 않고, 이면에 금속막(21)이 형성된 웨이퍼(11)를 용이하게 효율적으로 분할할 수 있다.
11: 반도체 웨이퍼 13: 분할 예정 라인
15: 디바이스 17: 웨이퍼 유닛
18: 척 테이블 21: 금속막
23: 절삭홈 24: 레이저 빔 조사 유닛
25: 보호막 27: 분단홈
28: 집광기 30: 보호막 형성 장치
38: 스피너 테이블 50: 보호막제 토출 수단
54: 보호막제 공급 노즐 60: 세정수 공급 수단
64: 세정수 노즐

Claims (1)

  1. 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 표면을 가지며, 이면에 금속막이 형성된 웨이퍼의 가공 방법에 있어서,
    웨이퍼의 표면으로부터 절삭 블레이드로 상기 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 절삭하여, 상기 금속막에 이르지 않는 절삭홈을 형성하는 절삭 단계;
    상기 절삭 단계를 실시한 후, 웨이퍼의 표면측에 수용성의 수지를 공급하여, 웨이퍼의 표면과 상기 절삭홈을 상기 수용성의 수지로 이루어지는 보호막으로 피복하는 보호막 형성 단계;
    상기 보호막 형성 단계를 실시한 후, 상기 금속막에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼의 표면측으로부터 상기 절삭홈에 조사하여 웨이퍼와 함께 상기 금속막을 분단하는 레이저 가공 단계; 및
    상기 레이저 가공 단계를 실시한 후, 웨이퍼를 세정하여 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계
    를 포함하는, 웨이퍼의 가공 방법.
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