JPS629914A - 半導体素子の分離方法 - Google Patents
半導体素子の分離方法Info
- Publication number
- JPS629914A JPS629914A JP60149251A JP14925185A JPS629914A JP S629914 A JPS629914 A JP S629914A JP 60149251 A JP60149251 A JP 60149251A JP 14925185 A JP14925185 A JP 14925185A JP S629914 A JPS629914 A JP S629914A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor element
- cutting
- dicing
- separating
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- Pending
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体素子の分離方法即ちダイシング工程の改
良に関する。
良に関する。
最近の半導体素子は超ＬＳＩにみられるように高性能化
ならびに高集積化が著るしく、このため各素子に必要な
配線間距離は極めて狭く形成し、このため純水中にもし
バクテリヤ等が存在していた場合にはこの配線を短絡す
る原因となる程である。
ならびに高集積化が著るしく、このため各素子に必要な
配線間距離は極めて狭く形成し、このため純水中にもし
バクテリヤ等が存在していた場合にはこの配線を短絡す
る原因となる程である。
一方、よく知られているように半導体ウェーハには多数
の半導体素子を形成後個別に分割して得られた半導体素
子をいわゆる後工程である組立工程に移行する方式が賞
用されている。
の半導体素子を形成後個別に分割して得られた半導体素
子をいわゆる後工程である組立工程に移行する方式が賞
用されている。
この半導体素子の分離方法としてはダイヤモンドスクラ
イビング、レーザスクライビングならびにブレードダイ
シングが良く知られているが、ブレードダイシングは他
の手法にくらべて比較的安価であり、更には半導体基板
の結晶方位と無関係に垂直な切削面が得られるので取扱
いが容易であるなどの利点がある。その手法としては半
導体素子に形成したパッド間に設定するいわゆるダイシ
ングラインに沿ってダイヤモンドブレードによる切削工
程を実施するのが一般的である。この切削時には切削方
向に冷却純水をぶつけて切削屑を排除する方式が採用さ
れている。
イビング、レーザスクライビングならびにブレードダイ
シングが良く知られているが、ブレードダイシングは他
の手法にくらべて比較的安価であり、更には半導体基板
の結晶方位と無関係に垂直な切削面が得られるので取扱
いが容易であるなどの利点がある。その手法としては半
導体素子に形成したパッド間に設定するいわゆるダイシ
ングラインに沿ってダイヤモンドブレードによる切削工
程を実施するのが一般的である。この切削時には切削方
向に冷却純水をぶつけて切削屑を排除する方式が採用さ
れている。
このダイヤモンドブレード法では高速回転による機械的
切削工程によっているため、切削屑が半導体素子上に具
体的にはその一部がボンディングバットに、他の一部が
配線として機能する導電性金属層間にＷｅ成する絶縁物
」二に残る。このためにこの切削屑を除去するには純水
からなる流水による洗滌工程が不可避であった。しかし
完全には仲々除去できずこのポンディングパッド上に残
っていた場合にはその位置によってはボンディング強度
が充分でない難点を生ずるし、この切削屑に付着した水
分は完全に蒸発せずその残存位置によっては電気的リー
クの基になる。
切削工程によっているため、切削屑が半導体素子上に具
体的にはその一部がボンディングバットに、他の一部が
配線として機能する導電性金属層間にＷｅ成する絶縁物
」二に残る。このためにこの切削屑を除去するには純水
からなる流水による洗滌工程が不可避であった。しかし
完全には仲々除去できずこのポンディングパッド上に残
っていた場合にはその位置によってはボンディング強度
が充分でない難点を生ずるし、この切削屑に付着した水
分は完全に蒸発せずその残存位置によっては電気的リー
クの基になる。
更に又、前述の絶縁物上に残存した際にも同様な理由か
ら電気的な短絡現象が発生することがあった・ これらの現象を避けるにはポンディングパッド面積や配
線間距離を大きくすることが考えられるがウェーハ当り
の半導体素子収量低下をもたらすし、更には半導体素子
の集積度低下となり現在到底採り得ない。
ら電気的な短絡現象が発生することがあった・ これらの現象を避けるにはポンディングパッド面積や配
線間距離を大きくすることが考えられるがウェーハ当り
の半導体素子収量低下をもたらすし、更には半導体素子
の集積度低下となり現在到底採り得ない。
〔発明の目的〕
本発明は上記欠点を除去した新規な半導体素子の分離方
法を提供するもので、特にダイヤモンドブレードによる
切削手段を使用して切削屑によるガＬ点を除去した。
法を提供するもので、特にダイヤモンドブレードによる
切削手段を使用して切削屑によるガＬ点を除去した。
」二記目的を達成するために本発明方法では高速回転す
るダイヤモンドブレードによって切削される半心体基板
に超音波振動を与えた純水からなる流水を付加すること
により切削屑の残存を防止する手法を採用した。
るダイヤモンドブレードによって切削される半心体基板
に超音波振動を与えた純水からなる流水を付加すること
により切削屑の残存を防止する手法を採用した。
図を参照して本発明を詳述する。
先ず、被切削対象物である半導体素子について説明する
と、シリコン半導体基板にはＭＯ５型集積回路素子もし
くはバイポーラ型集積回路等を形成する。これらの素子
は、通常の製法によって形成されるが、バイポーラ型素
子について概略説明すると、ある導電型を示すシリコン
半導体基板に拡散法もしくはイオン注入法によって反対
導電型不純物を導入してこのバイポーラ素子の埋込領域
を形成する。次いでこの埋込領域を含むシリコン半導体
基板表面にはエピタキシャル成長層を形成し、こ＼には
この成長層と逆導電型を示すＤｅｅｐ拡散層を設けて埋
込領域と接続して島領域を設置する。
と、シリコン半導体基板にはＭＯ５型集積回路素子もし
くはバイポーラ型集積回路等を形成する。これらの素子
は、通常の製法によって形成されるが、バイポーラ型素
子について概略説明すると、ある導電型を示すシリコン
半導体基板に拡散法もしくはイオン注入法によって反対
導電型不純物を導入してこのバイポーラ素子の埋込領域
を形成する。次いでこの埋込領域を含むシリコン半導体
基板表面にはエピタキシャル成長層を形成し、こ＼には
この成長層と逆導電型を示すＤｅｅｐ拡散層を設けて埋
込領域と接続して島領域を設置する。
この島領域内に半導体素子を形成するが、この島領域を
複数個形成して単一の半導体素子とする場合もある。
複数個形成して単一の半導体素子とする場合もある。
単一のウェーハにはこれらの機能素子を複数個形成し、
これを各素子間に設けるダイシングラインに沿って分割
して得られる単一の半導体素子を組立工程に移行する。
これを各素子間に設けるダイシングラインに沿って分割
して得られる単一の半導体素子を組立工程に移行する。
一方ウエーハに造り込まれる半導体素子ではダイシング
ラインに沿ってその配線層を外部リード端子と導電的に
接続可能にするポンディングパッドを設ける。
ラインに沿ってその配線層を外部リード端子と導電的に
接続可能にするポンディングパッドを設ける。
従って各半導体素子のポンディングパッドはダイシング
ラインを挟んで互に隣接配置する形状となる。このダイ
シングラインとしては通常は拡散層を利用する。次いで
ダイシング工程に移行するが、この半導体素子としては
配線層ならびにこの間に形成する表面安定化層即ち絶縁
層更に半導体基板内に設けるＰＮ接合をすべて造り込ん
だものである。
ラインを挟んで互に隣接配置する形状となる。このダイ
シングラインとしては通常は拡散層を利用する。次いで
ダイシング工程に移行するが、この半導体素子としては
配線層ならびにこの間に形成する表面安定化層即ち絶縁
層更に半導体基板内に設けるＰＮ接合をすべて造り込ん
だものである。
ところで、このダイシング工程を実施する装置としては
図に示すように水槽（１）内にバキュームチャックテー
ブル（２）ならびに槽外に配置した超音波発振器（３）
に接続した振動板（４）を設け、バキュームチャックテ
ーブル（２）にセットする半導体ウェーハ（５）に純水
を流す噴出用ノズル（６）を配置する。ダイシング工程
では半導体ウェーハ（５）をバキュームチャックテーブ
ル（２）にセットしてから、そのダイシングラインに沿
ってダイヤモンドブレード（７）を高速回転して切削す
るが、この時超音波発振器を（３）を稼動して振動板（
４）の振動により水槽（１）内に乱流を発生させる。勿
論噴出用ノズル（６）からダイヤモンドブレード（７）
に流水を付加して振動と相まって半導体ウェーハ（５）
の切削表面部分には乱流域が形成される。゛切削屑が仮
置半導体ウェーへのダイシングライン外に飛散しても振
動に伴う乱流域によって確実に除去される。
図に示すように水槽（１）内にバキュームチャックテー
ブル（２）ならびに槽外に配置した超音波発振器（３）
に接続した振動板（４）を設け、バキュームチャックテ
ーブル（２）にセットする半導体ウェーハ（５）に純水
を流す噴出用ノズル（６）を配置する。ダイシング工程
では半導体ウェーハ（５）をバキュームチャックテーブ
ル（２）にセットしてから、そのダイシングラインに沿
ってダイヤモンドブレード（７）を高速回転して切削す
るが、この時超音波発振器を（３）を稼動して振動板（
４）の振動により水槽（１）内に乱流を発生させる。勿
論噴出用ノズル（６）からダイヤモンドブレード（７）
に流水を付加して振動と相まって半導体ウェーハ（５）
の切削表面部分には乱流域が形成される。゛切削屑が仮
置半導体ウェーへのダイシングライン外に飛散しても振
動に伴う乱流域によって確実に除去される。
この実施例はバイポーラ型集積回路素子について説明し
たが、ＭＯ３型集積回路素子及び個別半導体素子の分離
方法に適用可能なことは勿論である。
たが、ＭＯ３型集積回路素子及び個別半導体素子の分離
方法に適用可能なことは勿論である。
本発明方法によると、超音波振動に伴なう純水に乱流域
が生じ、更に噴出ノズルから流水が添加されるためにダ
イヤモンドブレードによって発生する切削屑は半導体ウ
ェー八に滞留することなく除去できる。
が生じ、更に噴出ノズルから流水が添加されるためにダ
イヤモンドブレードによって発生する切削屑は半導体ウ
ェー八に滞留することなく除去できる。
従って、ポンディングパッドならびに配線層間に形成す
る絶縁層にも切削屑が残留することが防止できるために
ボンディング不良及び電気的なリークが殆んど無くし、
ひいては歩溜り向」二を達成した。
る絶縁層にも切削屑が残留することが防止できるために
ボンディング不良及び電気的なリークが殆んど無くし、
ひいては歩溜り向」二を達成した。
しかも、切削層の残留防止が達成できたので、切削工程
後の洗滌工程が不要となり工数削減によるコストダウン
が図れた。
後の洗滌工程が不要となり工数削減によるコストダウン
が図れた。
更に流水添加によりダイヤモン１くブレー１〜の目づま
りも防止できる等実用上の効果は極めて大きい。
りも防止できる等実用上の効果は極めて大きい。
図は本発明方法を適用する装置の概略を示す断面図であ
る。
る。
Claims (1)
- パッドのある複数の半導体素子を形成した半導体基板を
各素子毎に分離するにあたり、互に隣接して設けた半導
体素子毎のパッド間に超音波振動を付与した、純水を流
しながら機械的な切削工程を実施することを特徴とする
半導体素子の分離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149251A JPS629914A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 半導体素子の分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149251A JPS629914A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 半導体素子の分離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629914A true JPS629914A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15471176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60149251A Pending JPS629914A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 半導体素子の分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629914A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04180651A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5475910A (en) * | 1993-09-28 | 1995-12-19 | Yamamoto; Katsumi | Jewel setting method |
| JP2001110773A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-04-20 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置、洗浄システム、処理装置及び洗浄方法 |
| JP2006344630A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2007232724A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Blancpain Sa | 支持要素に石を嵌め込む方法 |
| JP2017094455A (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP60149251A patent/JPS629914A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04180651A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5475910A (en) * | 1993-09-28 | 1995-12-19 | Yamamoto; Katsumi | Jewel setting method |
| JP2001110773A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-04-20 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置、洗浄システム、処理装置及び洗浄方法 |
| JP2006344630A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2007232724A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Blancpain Sa | 支持要素に石を嵌め込む方法 |
| JP2017094455A (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
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