JPH04180651A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH04180651A
JPH04180651A JP2309704A JP30970490A JPH04180651A JP H04180651 A JPH04180651 A JP H04180651A JP 2309704 A JP2309704 A JP 2309704A JP 30970490 A JP30970490 A JP 30970490A JP H04180651 A JPH04180651 A JP H04180651A
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JP
Japan
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wafer
pure water
dicing
semiconductor elements
semiconductor device
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JP2309704A
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English (en)
Inventor
Takashi Okumura
奥村　敬司
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NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体素
子が多数個つくり込まれたウェーハを個々の半導体素子
に分離するカッティング（以降ダイシングとする）の方
法に関する。
〔従来の技術〕
従来のダイシングの方法としては、ウェーハをダイシン
グする際、ウェーハ上面部に位置する純水吹出し口から
純水を吹きつけ、ブレードの冷却、シリコン屑等の除去
を行なう機構となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のダイシング方式は純水の供給がウェハー
上面部のみからとなっているので、ダイシングにより生
じたシリコン屑等は半導体素子表面上を流される状態と
なる為、電極パッドなどウェハー表面の段部にひっがか
り、付着するという欠点がある。
本発明の目的は、ダイシング時に発生するシリコン屑等
を押し流し、半導体素子上への付着を防ぐことができる
半導体装置の製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のダイシング方法は、ウェーハを純水中に浸し、
ウェーハ表面上の純水を水圧により循環させ、ダイシン
グ時に発生するシリコン屑を押し流すという特徴を有し
ている。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための断面概略図
である。ウェーハ吸着テーブル６に固定されたウェーハ
３が純水層７の中にあり、ブレード４にてダイシングす
る際に発生するシリコン屑を純水吹き出しノズル１によ
り吹き出された純水でウェーハ３表面上に流れを作るこ
とで押し流し、半導体素子上へのシリコン屑付着を防止
する。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は、ウェーハを純水に浸しウェ
ーハ上の純水を循環させることによりダイシング時に発
生するシリコン屑等を押し流し、半導体素子上への付着
を防ぐ効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を説明するための断面概略図
である。 １・・・純水吹き出しノズル、２・・・純水排水管、３
・・・シリコンウェーハ、４・・・ブレード、５・・・
純水槽底部排水管、６・・・ウェーハバキュームテーブ
ル、７・・・純水槽。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体素子が多数個つくり込まれたウェーハを個々の
    半導体素子に分離するダイシングの方法において、ダイ
    シング時にウェーハ表面上の純水を循環させながらダイ
    シングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2309704A 1990-11-15 1990-11-15 半導体装置の製造方法 Pending JPH04180651A (ja)

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