JP2861960B2 - ダイシング方法 - Google Patents
ダイシング方法Info
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- JP2861960B2 JP2861960B2 JP22892596A JP22892596A JP2861960B2 JP 2861960 B2 JP2861960 B2 JP 2861960B2 JP 22892596 A JP22892596 A JP 22892596A JP 22892596 A JP22892596 A JP 22892596A JP 2861960 B2 JP2861960 B2 JP 2861960B2
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- Japan
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- dicing
- adhesive
- chip
- sheet
- dust
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はダイシング方法に関
し、特に半導体ウエハーのダイシング方法に関する。
し、特に半導体ウエハーのダイシング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ウエハーをチップ状に完全に分割するフ
ルカットダイシング工程では、ウエハーをダイシングシ
ート(以下、シートと記す)に固定してダイシングを行
う。
ルカットダイシング工程では、ウエハーをダイシングシ
ート(以下、シートと記す)に固定してダイシングを行
う。
【0003】図2(a),(b)は、従来のダイシング
装置の平面図と側面図である。図2(a),(b)に示
すように、従来のダイシング装置は、シート8に固定さ
れたウエハー10はテーブル7の移動により、ブレード
6で切断される。ダイシング中はノズル11より切削水
12を切削点に吹き付けている。又、ウエハー10の周
辺のSiクズを除去する公知例としてパイプ15から洗
浄水17をウエハー10に噴出して、洗浄水17ごとS
i屑を洗い流す方法がある。
装置の平面図と側面図である。図2(a),(b)に示
すように、従来のダイシング装置は、シート8に固定さ
れたウエハー10はテーブル7の移動により、ブレード
6で切断される。ダイシング中はノズル11より切削水
12を切削点に吹き付けている。又、ウエハー10の周
辺のSiクズを除去する公知例としてパイプ15から洗
浄水17をウエハー10に噴出して、洗浄水17ごとS
i屑を洗い流す方法がある。
【0004】図3(a)〜(d)は従来のダイシング工
程とマウント工程のチップピックアップ方法を説明する
断面図である。チップ1のサイズが大型化した今日、マ
ウントでのチップ1のピックアップ性をよくするため
に、UV硬化性粘着材を使用し、UV光照射にて粘着材
を硬化させてシート8とチップ1の粘着力を弱める方法
がとられており、その処理フローは次の通りである。ま
ず図3(a)に示すように、リング9にシート8を張り
付けウエハー10を固定する。次に、図3(b)に示す
ように、切削水12を吹き付けながらブレード6でチッ
プIの状態に切断する。次に、図3(c)に示すよう
に、チップ1の裏面からUV光照射を行う。次に、図3
(d)に示すように次工程のマウント工程でコレット1
8を用いてチップIをピックアップする。
程とマウント工程のチップピックアップ方法を説明する
断面図である。チップ1のサイズが大型化した今日、マ
ウントでのチップ1のピックアップ性をよくするため
に、UV硬化性粘着材を使用し、UV光照射にて粘着材
を硬化させてシート8とチップ1の粘着力を弱める方法
がとられており、その処理フローは次の通りである。ま
ず図3(a)に示すように、リング9にシート8を張り
付けウエハー10を固定する。次に、図3(b)に示す
ように、切削水12を吹き付けながらブレード6でチッ
プIの状態に切断する。次に、図3(c)に示すよう
に、チップ1の裏面からUV光照射を行う。次に、図3
(d)に示すように次工程のマウント工程でコレット1
8を用いてチップIをピックアップする。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、従来
の技術において、ダイシング中にSi屑が発生しこのS
i屑が完全に除去できない為、マウント工程でのチップ
ピックアップ時に周辺のチップ上にSi屑が付着するこ
とである。その理由は、ダイシングの原理上図4
(a),(b)に示すように5μm以下のSi屑4が発
生するが、そのSi屑4はシート2上の粘着材5に付着
し切削水では除去することができないからである。
の技術において、ダイシング中にSi屑が発生しこのS
i屑が完全に除去できない為、マウント工程でのチップ
ピックアップ時に周辺のチップ上にSi屑が付着するこ
とである。その理由は、ダイシングの原理上図4
(a),(b)に示すように5μm以下のSi屑4が発
生するが、そのSi屑4はシート2上の粘着材5に付着
し切削水では除去することができないからである。
【0006】ダイシング時に発生しシート上の粘着材に
付着したSi屑を除去し、マウント工程へのSi屑の持
ち込みを防止することを目的とする。
付着したSi屑を除去し、マウント工程へのSi屑の持
ち込みを防止することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のダイシング方法
は、可溶性粘着材を有するダイシングシートを使用し、
ダイシング中に前記切削水によりチップ周辺近傍の前記
粘着材を除去することを特徴とする。
は、可溶性粘着材を有するダイシングシートを使用し、
ダイシング中に前記切削水によりチップ周辺近傍の前記
粘着材を除去することを特徴とする。
【0008】本発明によれば、ダイシング中切削面に吹
き付けられる切削水は、チップ間に入り込み粘着材に達
する。粘着材は可溶性のため、ダイシング中に発生した
粘着材に付着しているSi屑を粘着材と共に切削水によ
り洗い流す。
き付けられる切削水は、チップ間に入り込み粘着材に達
する。粘着材は可溶性のため、ダイシング中に発生した
粘着材に付着しているSi屑を粘着材と共に切削水によ
り洗い流す。
【0009】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【0010】図1は本発明の一実施の形態のダイシング
方法を説明する断面図である。図1に示すように、本発
明の一実施の形態のダイシングに用いるシート2は、従
来のシートと構造的には同じであるが、シート2上の粘
着材3が可溶性であることが異る点である。このように
粘着材3を可溶性にすることにより、ダイシングすると
きに吹きつける切削水12が切削面の細部まで入り込む
ため、切削水12は、ダイシング時に発生したSi屑を
粘着材3ごと洗い流しSi屑を完全に除去することが可
能となる。
方法を説明する断面図である。図1に示すように、本発
明の一実施の形態のダイシングに用いるシート2は、従
来のシートと構造的には同じであるが、シート2上の粘
着材3が可溶性であることが異る点である。このように
粘着材3を可溶性にすることにより、ダイシングすると
きに吹きつける切削水12が切削面の細部まで入り込む
ため、切削水12は、ダイシング時に発生したSi屑を
粘着材3ごと洗い流しSi屑を完全に除去することが可
能となる。
【0011】本発明の一実施の形態のシート2を使用し
た場合、約2mm2 以下の小チップでは、ダイシング中
にチップ1がシート2から剥離する可能性があるため、
チップ1のサイズを限定する必要がある。しかし、5m
m2 以上のチップ1では、チップ1周辺の粘着材3が除
去され、ピックアップが容易になる。
た場合、約2mm2 以下の小チップでは、ダイシング中
にチップ1がシート2から剥離する可能性があるため、
チップ1のサイズを限定する必要がある。しかし、5m
m2 以上のチップ1では、チップ1周辺の粘着材3が除
去され、ピックアップが容易になる。
【0012】
【発明の効果】第1の効果は、ダイシング時にSi屑が
除去されるということである。これにより、マウント工
程へのSi屑の持ち込みを防ぐことができる。その理由
は、ダイシングでの切削水により、Si屑を可溶性の粘
着剤ごと除去できるからである。
除去されるということである。これにより、マウント工
程へのSi屑の持ち込みを防ぐことができる。その理由
は、ダイシングでの切削水により、Si屑を可溶性の粘
着剤ごと除去できるからである。
【0013】第2の効果は、マウント工程でのピックア
ップが容易になるということである。これによりUV光
硬化粘着材を使用する必要がなくなる。その理由は、ダ
イシング時にチップ周辺の粘着材が切削水により除去さ
れ、チップとシートの接着力が弱くなるからである。
ップが容易になるということである。これによりUV光
硬化粘着材を使用する必要がなくなる。その理由は、ダ
イシング時にチップ周辺の粘着材が切削水により除去さ
れ、チップとシートの接着力が弱くなるからである。
【図1】本発明の一実施の形態のダイシング方法を説明
する断面図である。
する断面図である。
【図2】(a),(b)は従来のダイシング装置の平面
図と側面図である。
図と側面図である。
【図3】(a)〜(d)は従来のダイシング工程とマウ
ント工程のチップピックアップ方法を説明する断面図で
ある。
ント工程のチップピックアップ方法を説明する断面図で
ある。
【図4】(a),(b)はSi屑の発生原理を説明する
断面図である。
断面図である。
1 チップ 2 シート 3 粘着材 4 Si屑 5 粘着材 6 ブレード 7 テーブル 8 シート 9 リング 10 ウエハー 11 ノズル 12 切削水 13 ブレードカバー 14 スピンドルカバー 15 パイプ 16 噴出孔 17 洗浄水 18 コレット
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体ウエーハをダイシングシート上の
粘着材にて固定し、切削水を切削点に吹き付けてチップ
状に完全に切断するフルカットダイシング方法におい
て、前記粘着材が可溶性のものを使用し、ダイシング中
に前記切削水によりチップ周辺近傍の前記粘着材を除去
することを特徴とするダイシング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22892596A JP2861960B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | ダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22892596A JP2861960B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | ダイシング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1074713A JPH1074713A (ja) | 1998-03-17 |
JP2861960B2 true JP2861960B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=16884014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22892596A Expired - Lifetime JP2861960B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | ダイシング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2861960B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6012239B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2016-10-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2014225519A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP22892596A patent/JP2861960B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1074713A (ja) | 1998-03-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981110 |