JPH0314258A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、ウェハーをフルカッ１〜して複数のチ・ノブ
に分割する方法に関し フルカットでチップ表面に付着した接着剤等の除去また
はフルカットで形成した溝内のシリコン（Ｓｉ）片の除
去を良好に行うことを目的として。

ＵＶテープに貼り付けた基板をブレードによりフルカッ
トして溝を形成し、該基板の貼り付けられた面と反対の
面側から紫外線を照射し、洗浄処理を施すことにより、
またはし、該溝内にブレードを挿入移動させて該溝内に
ある基板の小片を除去することにより構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、ウェハーをフルカットして複数のチップに分
割する方法に関する。

近年ＩＣの高集積とともにＩＣの高信頼性が要求されて
いる。

このため、ウェハーをフルカントし、チップをピンクア
ンプする方法が主流になっているが　フルカットの際、
ＵＶテープの接着剤の切り屑がウェハー表面に付着して
パッドを覆ったり、ピンクアップの際、溝の中のＳｉ片
が飛び出し、パッド間のショートを引き起こすことがあ
り、このような原因になる不良チップの発生を防くこと
が要望されている。

〔従来の技術〕

第４図は従来例の工程順説明図である。

２３はＵＶテープ表面層の接着剤、２５はＵＶテープ、
２６はフレーム、２７はウェハー、２８はスピンナーテ
ーブル、２９は送水パイプ、３０は送りテーブル３１は
ランプハウス、３２は紫外線ランプ、３３はピンクアッ
プ用の針、３４はチップ、３５はコレット４１は硬化し
た接着剤、４２は溝内の接着剤、４３はＳｉ片である。

先ず、第４図（ａ）に示すように、ＵＶテープ２５をフ
レーム２６に皺の寄らないようにして貼りＵＶテープ２
５にウェハー２７の裏面を貼りイ」ける。

次に、第４図（ｂ）に示すように、フレーム２６をダイ
サーにセットして、ブレードでウェハー２７をフルカッ
トする。

フルカットしたウェハー２７は、ＵＶテープ２５に貼り
付けたまま、第４図（Ｃ）に示すように　フレーム２６
毎、スピナー洗浄機のスピンナーテーブル２８にセット
し１送水パイプ２９より噴射した洗浄水でウェハー２７
表面を洗浄する。

洗浄の済んだウェハー２７は、第４図（ｄ）に示すよう
に、紫外線照射機の上の送りテーブル３ｏに七ソトシ、
横に移動しながらランプハウス３１内の紫外線ランプ３
２を点灯して、ウェハー２７の裏面に紫外線を当てて、
ＵＶテープ２５の粘着力を失わせる。

続いて、第４図（ｅ、）に拡大して示したように。

ＵＶテープ２５を通してウェハー２７の裏面からピック
アップ用の針３３でチップ３４を−っづつ、順に押し上
げた後、第４図（ｆ）に示すように　チップ吸着のコレ
ット３５でチップ３４を順次ピックアップしていく。

このように　従来のフルカット工程は、ウェハーをフル
カットした後、スピンナー洗浄、ウェハーの裏面のＵＶ
テープ粘着部分へのＵ■照射９次にピックアップとなっ
ていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、フルカットの際、第４図（ｇ）に。

フルカット部を更に拡大して示したように、　　ＵＶテ
ープの接着剤４１等がチップ表面に付着したり。

溝内の接着剤４２に付着していたＳｉ片４３がピックア
ップの際、飛び出していチップ表面上に載るという問題
があった。

チップ表面に付着した接着剤４１．　Ｓｉ片４３等や溝
内の接着剤４２に付着したＳｉ片４３等は、従来のフル
カット工程では、十分に除去できず、電極パッドを覆っ
て不良となったり、電極パッド間が電気的に接続されて
不良となるというような問題を生じていた。

本発明はフルカットでチップ表面に付着した接着剤等の
除去またはフルカットで形成した溝内の接着剤に付着し
たＳｉ片等の除去を良好に行うことを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の第一の発明の原理説明図である。

第２回は本発明を説明するための図である。

図において、１はＵＶテープ、２はウェハー。

３はテーブル、４はブレード、５は紫外線、６は洗浄水
、７は噴射ノズル、４１は硬化した接着剤。

４２は溝内の接着剤、４３はＳｉ片である。

ＵＶテープｌに貼り付けたウェハー２は、ダイサーのテ
ーブル３に真空チャックにより固定される。その後、ダ
イヤモンド砥石のブレード４によりダイシングされてチ
ップに分割される。

ダイシングと同時またはダイシング後に、ウェハー２表
面側にダイサー上部に設けたＵＶランプより紫外線５を
照射して、ウェハー２表面に飛着した接着剤４１と、ダ
イシングによりできた溝の下にある接着剤４２を硬化さ
せる。そして１例えばノズルより洗浄水６を噴射して洗
浄処理を施し、硬化した接着剤４１または接着剤４２に
付いていたＳｉ片４３を取り除く。

また５本発明の第二の発明は、プレート４によりフルカ
ソトシて溝を形成し、ウェハー２表面側から紫外線５を
照射した後、第２図のようにブレード４を溝内に挿入移
動させて、溝内の接着剤に付着していた３４片４３を除
去する。

［作用］ 本発明の第一の発明では、第１図のようにダイシング時
にウェハーに貼り付けたテープまで切り込んだ後に、ウ
ェハー表面側から紫外線を照射するので、チップの裏面
部分には紫外線が照射されず、チップの表面及び溝内の
み紫外線の照射がされ、溝の底にある接着剤は硬化し、
チップの背面穴は等でできたＳｉ片はその接着剤から離
れ易い状態となっている。その部分にジェット水洗等の
洗浄処理を施すことにより、容易にＳｉ片は除去される
。また、この方法においては、ウェハー表面に付着した
接着剤も硬化するため、それを容易に洗い流して除去で
きる。

また９本発明の第二の発明では、ウェハー表面（ｐＨか
ら紫外線をｌｌＩ！射して、溝内のＳｉ片を離れ易い状
態にしてブレードを２１４内に挿入移動させるので。

溝内のＳｉ片は容易に除去される。

〔実施例〕

第３回は本発明の一実施例の説明図である。

図において、８はウェハー、９はフレーム、１０は搬送
部、１１はブレード、１２はダイサ一部、１３は送り出
しカセット、１４は受入カセット、１５はテーブル、１
６はブレード部、１７はＵＶランプ、１８は紫外１．％
、　１９は噴射ノズル、　２０はコントロールパネル。

２１はＵＶテープ、２２は基板テープ、２３は接着剤２
４は洗浄水、４１は接着剤、４２は接着剤、４３はＳｉ
片である。

ここで、先ず本発明の装置の構造について説明する。

本発明の装置は、第３図（ａ）に平面図で示すように、
ウェハー８を貼り付けたフレーム９の搬送部１０とウェ
ハー８をブレード１１によりフルカットするダイサ一部
１２よりなり２　フレームの搬送部１０は送り出しカセ
ット１３と受入カセット１４が設けられている。

ダイサ一部１２はフレーム９を固定する真空チャックの
テーブル１５とダイヤモンド砥石からなるブレード１１
を設置したブレード部１６より構成されブレード部１５
には覆いが掛けられ、覆いの内部には切削時の洗浄水の
噴射ノズルが付いている。又ダイサ一部１２の上方には
Ｕ■クランプ７が設置されダイシング中にウェハー８の
表面に紫外線１８を照射することが出来る。更に、ジェ
ット水洗の噴射ノズル１９が取り付けられ、ダイシング
中のウェハー８表面の洗浄に使用される。

フレーム９の搬送、テーブル１５の前後の移動ブレード
部１６の左右の移動の距離制御、速度５時間設定は装置
上面のコントロールパネル２０に設定して全自動で行わ
れる。

次に１本発明の一実施例について説明する。

ダイシング用の市販のＵＶテープ１９を使用するが、こ
のＵＶテープ２１は合成樹脂性の基板テープ２２の上に
樹脂系の接着剤２３が塗布されている。この接着剤２３
が紫外線の照射により硬化して、接着性を失うものであ
る。

ＵＶテープ２１をステンレス製のフレーム９に皺のない
ように引張ながら貼りつけ　フレーム９の枠に沿ってＵ
Ｖテープ２１の縁をカッターで切り取る。

次に、ダイシングする６インチの素子形成済のウェハー
８の裏面を上にして作業台の上に置きＵＶテープ２１の
接着面を下にして、フレーム９毎ウエハー８の」二にお
く。ローラーで静かに力を加えてＵＶテープ２１をウェ
ハー８の裏面に接着する。

この際、気泡が残らないように　ウェハー８の中央から
端に向けて、静かにローラーを掛ける。

続いて、フレーム９をダイサーのテーブル・にウェハー
８の表面を上にしてセントして　ＵＶテープ２１側を真
空チャックで固定する。

ブレード１１でウェハー８の表面から、ブレード０ １１を左右に移動させて、ダイシングラインに沿ってＵ
Ｖテープ２１の接着剤２３面下の基板テープ２２に達す
る迄切り込むで、ウェハー８をフルカットする。　　こ
の場合、ウェハー８をフルカットすると同時にＵＶテー
プ２１の厚さ８０μｍの半分の４０μｍ迄ブレード１１
で切り込む。

この時２本発明の装置の上方に設けたＵＶランプ２１で
ウェハー８を照射すると、フルカットされた溝の下部の
接着剤が紫外線により硬化され、粘着力を失って、噴射
ノズル１９よりの洗浄水２４で除去できる。

続いて、従来の方法により、ウェハ−８背面への紫外線
照射、ウェハー８表面の洗浄を行い、コレットで１個づ
づピックアップする。

なお３本発明では、洗浄処理としてジェット水洗以外に
高圧ガスを吹き付ける等の洗浄処理でも良い。

次に２本発明の別の実施例について説明する。

ウェハー２をフ゛レード４によりフルシカ・ントして溝
を形成し、そのウェハー２表面側から紫外線５を照ル］
シて溝内の接着剤４２を硬化した後、第２図のようにブ
レード４を溝内に挿入して移動させる。

この移動させたプレート４により５４片４３が良好に除
去できる。

〔発明の効果］ 以上説明したように１本発明によればダイシング時のウ
ェハー表面側からの紫外線照射により溝の下部の接着剤
を硬化させ、　Ｓｉ片等が良好に除去でき、また、チッ
プ表面に付着した接着剤を硬化させ、洗浄処理により良
好に除去できる。

このため、Ｓｉ片によるパット間のショートや接着剤の
残渣によるボンディング不良等の問題が防止でき、係る
半導体素子の歩留り１品質向上に寄与するところが大き
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第一の発明の原理説明図第２図は本発
明の第二の発明を説明するための図 １ ２ 第３図は本発明の一実施例の説明図 第４図は従来例の工程順説明図 である。 図において ■はＵＶテープ ３はテーブル ５は紫外線。 ７は水洗ノズル。 ９はフレーム １１はブレード。 Ｉ３は送り出しカセット １４は受入カセット、１５はテーブル。 １６はブレード部、１７はＵＶランプ。 １８は紫外線、１９は噴射ノズル ２０はコントロールパネル ２ばウェハー ４はブレード ６ば洗浄水 ８はウェハー ＩＯは搬送部。 １２はグイサ一部 ４１は接着剤、４２は接着剤 ４３はＳｉ片 第　づ　図 Ｊ− ト 髄

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＵＶテープ（１）に貼り付けた基板（２）をブレ
   ード（３）によりフルカットして溝を形成し、該基板（
   ２）の貼り付けられた面と反対の面側から紫外線（５）
   を照射し、洗浄処理を施すことを特徴とする半導体装置
   の製造方法。
2. （２）ＵＶテープ（１）に貼り付けた基板（２）をブレ
   ード（３）によりフルカットして溝を形成し、該基板（
   ２）の貼り付けられた面と反対の面側から紫外線（５）
   を照射し、該溝内にブレード（３）を挿入移動させて該
   溝内にある基板の小片を除去することを特徴とする半導
   体装置の製造方法。