DE102019212100B4 - Ablöseverfahren für trägerplatte - Google Patents

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Abstract

Ablöseverfahren für eine Trägerplatte (3) zum Entfernen einer Trägerplatte von einem Werkstück (7) , das an einer vorderen Oberfläche (3a) der Trägerplatte (3) mit einer vorläufigen Verbindungsschicht (5) angeordnet ist, die zwischen der Trägerplatte (3) und dem Werkstück (7) eingefügt ist, wobei das Ablöseverfahren für eine Trägerplatte (3) umfasst:einen ersten Halteschritt zum Halten der Trägerplatte (3) durch eine erste Halteeinheit, sodass das Werkstück (7) freiliegt;nach dem Durchführen des ersten Halteschritts, einen Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt (3c) zum Ausbilden eines Stufenabschnitts (3c), bei dem eine hintere Oberflächenseite nach außen von einer vorderen Oberflächenseite an einer äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte (3) durch Bearbeiten der Trägerplatte (3) von der Werkstückseite (7) entlang der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte (3) hervor steht;nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für einen Stufenabschnitt (3c), einen zweiten Halteschritt zum Halten des Werkstücks durch eine zweite Halteeinheit, sodass die Trägerplatte (3) freiliegt; undeinen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte (3) zum Entfernen der Trägerplatte (3) von dem Werkstück (7) durch Aufbringen einer Kraft auf den Stufenabschnitt (3c) und Entfernen der Trägerplatte (3) in einer Richtung, sodass sie von dem Werkstück (7) durch eine Entfernungseinheit (3) nach dem Durchführen des zweiten Halteschritts getrennt wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Ablöseverfahren für eine Trägerplatte zum Entfernen der Trägerplatte von einem Werkstück, das mit einer vorläufigen Verbindungsschicht dazwischen eingefügt an der Trägerplatte überlagernd angebracht ist.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Ein Bauelementchip, der ein Bauelement wie eine elektronische Schaltung oder dergleichen beinhaltet, ist ein wesentliches ausbildendes Element einer elektronischen Vorrichtung, wie einem Mobiltelefon oder einem Personalcomputer. Bauelementchips werden zum Beispiel durch Aufteilen einer vorderen Oberfläche eines Wafers, der aus einem Halbleitermaterial wie Silizium oder dergleichen ausgebildet ist, in mehrere Bereiche durch geplante Teilungslinien (Straßen), Ausbilden von Bauelementen in jeweiligen Bereichen und danach Teilen des Wafers entlang der geplanten Teilungslinie erhalten.
  • Ein Bauelementchip, der durch das oben beschriebene Verfahren erhalten wird, wird zum Beispiel an einem Muttersubstrat für ein Chip-Size-Package (CSP) fixiert, elektrisch durch ein Verfahren wie Wire-bonding oder dergleichen verbunden und danach durch einen Gusskunststoff versiegelt. Folglich kann ein Ausbilden eines verpackten Bauelements durch Versiegeln des Bauelementchips durch den Gusskunststoff das Bauelement vor äußeren Einflüssen wie Stößen, Licht, Wärme, Wasser oder dergleichen schützen.
  • Eine Verpackungstechnologie, die als Fan-out-Wafer-Level-Packaging (FOWLP) bezeichnet wird, wurde kürzlich angepasst, dass die Packungsanschlüsse außerhalb des Bereichs eines Bauelementchips unter Verwendung einer Wafer-Level-Verdrahtungstechnik ausbildet (siehe zum Beispiel japanische Offenlegungsschrift Nr. JP 2016- 201 519 A ). Zusätzlich wurde auch eine Verpackungstechnologie, die als Fan-out-Wafer-Level-Packaging (FOWLP)bezeichnet wurde, vorgeschlagen, welche verpackte Bauelemente eingegossen auf dem Level einer Platte (typischerweise ein Glassubstrat, das zum Herstellen eines Flüssigkristallpaneels verwendet wird) herstellt, das eine Größe größer als der Wafer aufweist.
  • Beim FOPLP ist zum Beispiel eine Verdrahtungsschicht (Verteilungsschicht (RDL)) an der vorderen Oberfläche einer Trägerplatte als ein vorläufiges Substrat mit einer vorläufigen Verbindungsschicht dazwischen eingefügt und Bauelementchips sind mit der Verdrahtungsschicht verbunden. Als nächstes werden die Bauelementchips durch einen Gusskunststoff versiegelt und dadurch wird ein verpacktes Paneel erhalten. Danach werden die verpackten Bauelemente vervollständigt, indem das Verpackungspaneel durch ein Verfahren wie Schleifen oder dergleichen dünn ausgestaltet wird und danach das Verpackungspaneel geteilt wird.
  • DE 10 2014 207 012 A1 betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Werkstücks.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Beim oben beschriebenen FOWLP wird zum Beispiel das Packungspaneel in die verpackten Bauelemente geteilt und danach wird die Trägerplatte von dem verpackten Bauelement entfernt. Insbesondere wird jedes der verpackten Bauelemente von der Trägerplatte abgenommen. Jedoch, wenn die verpackten Bauelemente eine kleine Größe aufweisen, ist es schwierig, die verpackten Bauelemente von der Trägerplatte zu nehmen.
  • Andererseits ist verständlich, dass die Trägerplatte von dem verpackten Paneel abgelöst und entfernt werden kann, bevor das verpackte Paneel in die verpackten Bauelemente aufgeteilt wird. Jedoch weist die vorläufige Verbindungsschicht eine feste haftvermittelnde Kraft auf. Es ist darum schwierig, die Trägerplatte von dem verpackten Paneel abzulösen, ohne das verpackte Paneel oder die Trägerplatte zu beschädigen.
  • Es ist entsprechend ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Ablöseverfahren für eine Trägerplatte bereitzustellen, welches eine Trägerplatte einfach von einem Werkstück wie einem verpackten Paneel oder dergleichen entfernen kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Ablöseverfahren für eine Trägerplatte zum Entfernen einer Trägerplatte von einem Werkstück, das an einer vorderen Seite der Trägerplatte mit einer vorläufigen Verbindungsschicht zwischen der Trägerplatte und dem Werkstück angeordnet ist, bereitgestellt, wobei das Ablöseverfahren eine Trägerplatte beinhaltet: einen ersten Halteschritt zum Halten der Trägerplatte durch eine erste Halteeinheit und Freilegen des Werkstücks; einen Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt zum Ausbilden eines Stufenabschnitts, bei dem eine hintere Oberflächenseite nach außen von einer vorderen Oberflächenseite einer äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte hervorsteht, indem die Trägerplatte von der Werkstückseite entlang der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte nach dem Durchführen des ersten Halteschritts bearbeitet wird; einen zweiten Halteschritt zum Halten des Werkstücks durch eine zweite Halteeinheit und Freilegen der Trägerplatte nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für einen Stufenabschnitt; und einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte zum Entfernen der Trägerplatte von dem Werkstück durch Aufbringen einer Kraft auf den Stufenabschnitt und Bewegen der Trägerplatte in einer Richtung, sodass *sie von dem Werkstück durch eine Entfernungseinheit getrennt wird, nach dem Durchführen des zweiten Halteschritts.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bei dem Entfernungsschritt für eine Trägerplatte wird ein Fluid vorzugsweise zwischen das Werkstück und die Trägerplatte geblasen, während die Kraft auf dem Stufenabschnitt durch die Entfernungseinheit aufgebracht wird.
  • Bei dem Ablöseverfahren für eine Trägerplatte entsprechend dem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Stufenabschnitt ausgebildet, bei dem eine hintere Oberflächenseite nach außen von einer vorderen Oberflächenseite an der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte hervorsteht, indem die Trägerplatte von der Werkstückseite entlang der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte bearbeitet wird. Folglich kann die Trägerplatte von dem Werkstück einfach durch Aufbringen einer Kraft auf dem Stufenabschnitt in einem Zustand entfernt werden, indem das Werkstück gehalten wird und die Trägerplatte in einer Richtung bewegt wird, in der sie von dem Werkstück getrennt wird.
  • Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren verstanden, die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel eines Verbundsubstrats darstellt, das eine Trägerplatte und ein Werkstück beinhaltet;
    • 1B ist eine Schnittansicht, die einen ersten Halteschritt darstellt;
    • 2A ist eine Schnittansicht, die einen Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt darstellt;
    • 2B ist eine Schnittansicht, die einen Zustand darstellt, in dem ein Stufenabschnitt in der Trägerplatte ausgebildet ist;
    • 3A ist eine Schnittansicht, die einen zweiten Halteschritt darstellt;
    • 3B ist eine partielle seitliche Schnittansicht, die einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte darstellt;
    • 4A ist eine partielle seitliche Schnittansicht, die einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entsprechend einer ersten Modifikation darstellt;
    • 4B ist eine partielle seitliche Schnittansicht, die einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entsprechend einer zweiten Modifikation darstellt;
    • 5A ist eine partielle seitliche Schnittansicht, die einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entsprechend einer dritten Modifikation darstellt; und
    • 5B ist eine partielle seitliche Schnittansicht, die einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entsprechend einer vierten Modifikation darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine Ausführungsform entsprechend einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird mit Bezug zu den begleitenden Figuren beschrieben. Ein Ablöseverfahren für eine Trägerplatte entsprechend der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet einen ersten Halteschritt (siehe 1B), einen Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt (siehe 2A und 2B), einen zweiten Halteschritt (siehe 3A) und einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte (siehe 3B).
  • In dem ersten Halteschritt wird die Trägerplattenseite eines Verbundsubstrats, das eine Trägerplatte und ein Werkstück beinhaltet, gehalten und die Werkstückseite des Verbundsubstrats liegt frei. In dem Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt wird ein Stufenabschnitt in einer äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte ausgebildet, indem eine Schneidklinge dazu gebracht wird, entlang der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte zu schneiden. In dem zweiten Halteschritt wird die Werkstückseite des Verbundsubstrats gehalten und die Trägerplattenseite liegt frei. In dem Entfernungsschritt für eine Trägerplatte wird die Trägerplatte von dem Werkstück durch Aufbringen einer Kraft auf dem Stufenabschnitt der Trägerplatte und Bewegen der Trägerplatte in einer Richtung, sodass sie von dem Werkstück getrennt wird, entfernt. Das Ablöseverfahren für eine Trägerplatte entsprechenden der vorliegenden Ausführungsform wird detailliert im Folgenden beschrieben.
  • 1A ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel einer Zusammensetzung eines Verbundsubstrats 1 darstellt, das in dem Ablöseverfahren für eine Trägerplatte entsprechend der ersten Ausführungsform verwendet wird. Das Verbundsubstrat 1 beinhaltet zum Beispiel eine Trägerplatte 3, die aus einem Isolationsmaterial wie Kalk-Natron-Glas, Borosilikatglas, Quarzglas oder dergleichen ausgebildet ist. Die Trägerplatte 3 weist zum Beispiel eine im Wesentlichen flache erste Oberfläche (vordere Oberfläche) 3a und eine zweite Oberfläche (hintere Oberfläche) 3b an einer der ersten Oberfläche 3a gegenüberliegenden Seite auf. Die Trägerplatte 3 ist in einer rechteckigen Form, wenn in einer Aufsicht von der ersten Oberflächenseite 3a oder der zweiten Oberflächenseite 3b betrachtet, ausgebildet. Die Dicke der Trägerplatte 3 ist zum Beispiel 2 mm oder weniger typischerweise 1,1 mm.
  • Es sei angemerkt, dass, während die Trägerplatte 3, die aus einem Isolationsmaterial wie Kalk-Natron-Glas, Borosilikatglas, Quarzglas oder dergleichen ausgebildet ist, in der vorliegenden Ausführungsform verwendet wird, keine bestimmte Beschränkung bezüglich des Materials, der Form, der Struktur, der Größe und dergleichen der Trägerplatte 3 existiert. Zum Beispiel kann eine Platte oder dergleichen, die aus einem Material wie einem Halbleiter, einer Keramik, einem Kunststoff, einem Metall oder dergleichen ausgebildet ist, auch als die Trägerplatte 3 verwendet werden. Ein scheibenförmiger Halbleiter-Wafer oder dergleichen kann auch als die Trägerplatte 3 gesetzt sein.
  • Ein Werkstück 7 ist an der ersten Oberflächenseite 3a der Trägerplatte 3 mit einer vorläufigen Verbindungsschicht 5 dazwischen eingefügt angeordnet. Die vorläufige Verbindungsschicht 5 ist zum Beispiel im Wesentlichen über die gesamte erste Oberfläche 3a durch Überlagern eines Metallfilms, Installationsfilms oder dergleichen angeordnet. Die vorläufige Verbindungsschicht 5 weist eine Funktion zum miteinander Verbinden der Trägerplatte 3 und des Werkstücks 7 auf. Die Dicke der vorläufigen Verbindungsschicht 5 ist zum Beispiel 20 um oder weniger, typischerweise 5 um. Wenn die Trägerplatte 3 von einem Werkstück 7, in dem später beschriebenen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte abgelöst und entfernt wird, wird die vorläufige Verbindungsschicht 5 in einen ersten Teil, der an der Trägerplatte 3 anhaftet, und einen zweiten Teil, der an der Werkstückseite 7 anhaftet, aufgeteilt.
  • Das Werkstück 7 wird zum Beispiel als ein verpacktes Paneel, ein verpackter Wafer oder dergleichen bezeichnet. Das Werkstück 7 beinhaltet eine Verdrahtungsschicht (RDL) in Kontakt mit der vorläufigen Verbindungsschicht 5, mehrere Bauelementchips, die mit der Verdrahtungsschicht verbunden sind, und eine Gusskunststoffschicht, die jeden der Bauelementchips versiegelt. Das Werkstück 7 ist zum Beispiel im Wesentlichen in der gleichen Größe und Form wie die Trägerplatte 3, in einer Aufsicht betrachtet, ausgebildet. Die Dicke des Werkstücks 7 ist zum Beispiel 1,5 mm oder weniger oder typischerweise 0,6 mm.
  • Im Übrigen kann die erste Oberfläche (vordere Oberfläche) 7a des Werkstücks 7 durch ein Verfahren wie Schleifen oder dergleichen bearbeitet werden. Zusätzlich sind die geplanten Teilungslinien (geplante Schnittlinien) an Bereichen zwischen Bauelementchips benachbart zueinander in dem Werkstück 7 gesetzt. Mehrere verpackte Bauelemente entsprechend den jeweiligen Bauelementchips werden durch Schneiden des Werkstücks 7 entlang der geplanten Teilungslinien erhalten. Jedoch existiert keine bestimmte Beschränkung bezüglich des Materials, der Form, der Struktur, der Größe und dergleichen des Werkstücks 7.
  • Bei dem Ablöseverfahren für eine Trägerplatte entsprechend vorliegenden Ausführungsform wird der erste Halteschritt zuerst durchgeführt, bei dem die Trägerplattenseite 3 des oben beschriebenen Verbundsubstrats 1 gehalten ist und die Werkstückseite 7 freiliegt. 1B ist eine Schnittansicht, die den ersten Halteschritt darstellt. Im Übrigen sind in 1B einige ausbildende Elemente als funktionale Blöcke dargestellt.
  • Der erste Halteschritt wird unter Verwendung einer Schneidvorrichtung 2, die in 1B dargestellt ist, und dergleichen durchgeführt. Die Schneidvorrichtung 2 beinhaltet einen Einspanntisch (erstes Haltemittel oder eine erste Halteeinheit) 4 zum Halten des Verbundsubstrats 1. Der Einspanntisch 4 beinhaltet zum Beispiel einen zylindrischen Rahmenkörper 6, der aus einem metallischen Material ausgebildet ist (wie zum Beispiel einem Edelstahl), und eine Halteplatte 8, die aus einem porösen Material ausgebildet ist und in einem oberen Abschnitt des Rahmenkörpers 6 angeordnet ist.
  • Die obere Oberfläche der Halteplatte 8 ist eine Halteoberfläche 8a zum Ansaugen und Halten der Trägerplatte 3 des Verbundsubstrats 1. Die Unterflächenseite der Halteplatte 8 ist mit einer Saugquelle 12 durch einen Flussdurchgang 6a, ein Ventil 10 und dergleichen verbunden und der Flussdurchgang 6a ist in dem Rahmenkörper 6 bereitgestellt. Darum, wenn das Ventil 10 geöffnet ist, kann ein negativer Druck der Saugquelle 12 dazu gebracht werden, an der Halteoberfläche 8a zu wirken.
  • Der Einspanntisch 4 (Rahmenkörper 6) ist mit einer Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) wie einem Motor oder dergleichen verbunden und wird vorzugsweise um eine Drehachse im Wesentlichen senkrecht zu der oben beschriebenen Halteoberfläche 8a gedreht. Zusätzlich wird der Einspanntisch 4 (Rahmenkörper 6) durch einen Bearbeitungszufuhrmechanismus (nicht dargestellt) getragen, und wird dadurch in einer Bearbeitungszufuhrrichtung im Wesentlichen parallel zu der oben beschriebenen Halteoberfläche 8a bewegt.
  • In dem ersten Halteschritt, wie in 1B zum Beispiel dargestellt, wird die zweite Oberfläche 3b der Trägerplatte 3 in Kontakt mit der Halteoberfläche 8a des Einspanntischs 4 gebracht. Dann wird das Ventil 10 geöffnet, um einen negativen Druck der Saugquelle 12 dazu zu bringen, an der Halteoberfläche 8a zu wirken. Die Trägerplattenseiten 3 des Verbundsubstrats 1 wird dadurch angesaugt und durch den Einspanntisch 4 gehalten. D. h., dass das Werkstück 7 des Verbundsubstrats 1 nach oben freiliegt.
  • Nach dem ersten Halteschritt wird der Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt durchgeführt, bei dem ein Stufenabschnitt an der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 ausgebildet wird. 2A ist eine Schnittansicht, die den Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt darstellt. 2B ist eine Schnittansicht, die einen Zustand darstellt, in dem der Stufenabschnitt 3c in der Trägerplatte 3 ausgebildet ist. Im Übrigen werden in 2A einige ausbildende Elemente als funktionale Blöcke dargestellt.
  • Der Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt wird durch fortsetzende Verwendung der Schneidvorrichtung 2 durchgeführt. Wie in 2A dargestellt, ist eine Schneideinheit 14 oberhalb des Einspanntischs 4 angeordnet. Die Schneideinheit 14 beinhaltet eine Spindel 16 als eine Drehachse im Wesentlichen parallel zu der Halteoberfläche 8a. Eine ringförmige Schneidklinge 18, die durch Dispergieren abrasiver Körner in einem Verbindungsmaterial ausgebildet ist, ist an einer Endseite der Spindel 16 angebracht.
  • Eine Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) wie ein Motor oder dergleichen ist mit einer anderen Endseite der Spindel 16 verbunden. Die Schneidklinge 18, die an einer Endseite der Spindel 16 angebracht ist, wird durch eine Kraft gedreht, die von der Drehantriebsquelle übertragen wird. Die Saugeinheit 14 ist zum Beispiel durch einen Anhebe- und Absenkmechansimus (nicht dargestellt) und einen Index-Zufuhrmechanismus (nicht dargestellt) getragen und wird folglich in einer vertikalen Richtung im Wesentlichen senkrecht zu der Halteoberfläche 8a und einer Index-Zufuhrrichtung im Wesentlichen senkrecht zu der vertikalen Richtung und der Bearbeitungszufuhrrichtung bewegt.
  • Bei dem Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt wird zuerst ein Teil der umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 als ein Bearbeitungsziel (Teil entsprechend einer Seite eines Rechtecks wenn in einer Aufsicht betrachtet) im Wesentlichen parallel zu der Bearbeitungszufuhrrichtung durch Drehen des Einspanntischs 4, der das Verbundsubstrat 1 hält, gesetzt. Als nächstes wird die Schneidklinge 18 oberhalb einer Erstreckung des oben beschriebenen Teils der äußeren umfänglichen Kante durch Bewegen des Einspanntischs 4 und der Schneideinheit 14 relativ zueinander positioniert.
  • Zusätzlich ist das untere Ende der Schneidklinge 18 in einer Position unterhalb der ersten Oberfläche 3a der Trägerplatte 3 und höher als die zweite Oberfläche 3b der Trägerplatte 3 positioniert. Danach wird der Einspanntisch 4 in der Bearbeitungszufuhrrichtung bewegt, während die Schneidklinge 18 gedreht wird. Folglich wird die Schneidklinge 18 dazu gebracht, von der ersten Oberflächenseite 3a (Werkstückseite 7) bis zu einer Tiefe einzuschneiden, welche die zweite Oberfläche 3b entlang der umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 nicht erreicht, sodass ein Stufenabschnitt 3c, bei dem die zweite Oberflächenseite 3b nach außen von der ersten Oberflächenseite 3a hervorsteht (nach außen in einer Richtung parallel zu der ersten Oberfläche 3a oder der zweiten Oberfläche 3b) ausgebildet wird.
  • Eine überlappende Breite der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 und der Schneidklinge 18 (d. h. die Breite oder die Vorsprungsmenge des ausgebildeten Stufenabschnitts 3c) ist in einem Bereich ausgebildet, sodass dieser die verpackten Bauelemente, die aus dem Werkstück 7 oder dergleichen ausgeschnitten werden, nicht betrifft. Zum Beispiel kann in einem Fall, in dem ein überbleibender Bereich (umfänglicher überbleibender Bereich), der an der Umgebung des Werkstücks 7 gesetzt ist, eine große Breite aufweist, auch die überlappende Breite der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 und der Schneidklinge 18 (Breite des Stufenabschnitts 3c) groß gesetzt sein. Unter Beachtung eines einfachen Entfernens der Trägerplatte 3 und dergleichen, ist die Breite des Stufenabschnitts 3c vorzugsweise zwischen 0,2 mm und 3 mm beides eingeschlossen zum Beispiel gesetzt.
  • Wie oben beschrieben, sind die vorläufige Verbindungsschicht 5 und das Werkstück 7 im Wesentlichen in der gleichen Größe und Form wie die Trägerplatte 3 in einer Aufsicht betrachtet ausgebildet. Darum, wenn die Schneidklinge 18 dazu gebracht wird, in die erste Oberflächenseite 3a (Werkstückseite 7) zu der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 einzuschneiden, werden entsprechende Bereiche der vorläufigen Verbindungsschicht 5 und des Werkstücks 7 geschnitten und gleichzeitig entfernt. Nachdem der Stufenabschnitt 3c in einem Teil der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 ausgebildet wurde, wird eine ähnliche Prozedur wiederholt, um den Stufenabschnitt 3c auch in einem anderen Teil der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 auszubilden. Der Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt ist abgeschlossen, wenn der Stufenabschnitt 3c an der gesamten äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 ausgebildet ist.
  • Im Übrigen, während der Stufenabschnitt 3c in dem Gesamten der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 in der vorliegenden Ausführungsform ausgebildet ist, ist es für den Stufenabschnitt 3c, ausreichend, mindestens in einem Teil der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 ausgebildet zu sein. Zusätzlich in einem Fall, in dem die Trägerplatte 3 und das Werkstück 7 zum Beispiel eine kreisförmige Form aufweisen, (d. h. eine Scheibenform) in einer Aufsicht, kann der Stufenabschnitt 3c entlang der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 durch Drehen des Einspanntischs 4 ausgebildet werden, während die Schneidklinge 18 dazu gebracht wird, die umfängliche Kante der Trägerplatte 3 einzuschneiden.
  • Nach dem Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt wird der zweite Halteschritt durchgeführt, bei dem die Werkstückseite 7 des Verbundsubstrats 1 gehalten wird und die Trägerplattenseite 3 freiliegt. 3A ist eine Schnittansicht, welche den zweiten Halteschritt darstellt. Im Übrigen sind in 3A einige ausbildende Elemente durch funktionale Blöcke dargestellt.
  • Der zweite Halteschritt wird unter Verwendung einer Ablösevorrichtung 22, die in 3A dargestellt ist, und dergleichen durchgeführt. Die Entfernungsvorrichtung 22 beinhaltet einen Einspanntisch (zweites Haltemittel oder zweite Halteeinheit) 24 zum Halten des Verbundsubstrats 1. Die Struktur und dergleichen des Einspanntischs 24 ist im Wesentlichen die gleiche wie die des Einspanntischs 4 der oben beschriebenen Schneidvorrichtung 2.
  • Insbesondere beinhaltet der Einspanntisch 24 einen zylindrischen Rahmenkörper 26, die aus einem metallischen Material ausgebildet ist (zum Beispiel ein Edelstahl), und eine Halteplatte 28, die aus einem porösen Material ausgebildet ist und in einem oberen Abschnitt des Rahmenkörpers 26 angeordnet ist. Die obere Oberfläche der Halteplatte 28 ist eine Halteoberfläche 28a zum Ansaugen und Halten der Werkstückseite 7 des Verbundsubstrats 1. Die Unterflächenseite der Halteplatte 28 ist mit einer Saugquelle 32 durch einen Flussdurchgang 26a, ein Ventil 30 und dergleichen verbunden und der Flussdurchgang 26a ist in dem Rahmenkörper 26 bereitgestellt. Darum, wenn das Ventil 30 geöffnet ist, kann ein negativer Druck der Saugquelle 32 dazu gebracht werden, an der Halteoberfläche 28a zu wirken.
  • In dem zweiten Halteschritt, wie in 3A dargestellt, wird zum Beispiel die erste Oberfläche 7Aa des Werkstücks 7 in Kontakt mit der Halteoberfläche 28a des Einspanntischs 24 gebracht. Dann wird das Ventil 30 geöffnet, um einen negativen Druck der Saugquelle 32 dazu zu bringen, an der Halteoberfläche 28a zu wirken. Die Werkstückseite 7 des Verbundsubstrats 1 wird dadurch durch den Einspanntisch 24 angesaugt und gehalten. D. h., dass die Trägerplatte des Verbundsubstrats 1 nach oben frei liegt.
  • Im Übrigen, während die erste Oberfläche 7a des Werkstücks 7 in direkten Kontakt mit der Halteoberfläche 28a des Einspanntischs 24 in dem zweiten Halteschritt der vorliegenden Ausführungsform gebracht wird, kann eine poröse Folie oder dergleichen zwischen der ersten Oberfläche 7a des Werkstücks 7 und der Halteoberfläche 28a des Einspanntischs 24 eingefügt sein. Es ist dadurch möglich eine Beschädigung, Verschmutzung oder dergleichen des Werkstücks 7 aufgrund des Kontakts mit der Halteoberfläche 28a zu verhindern.
  • Nach dem zweiten Halteschritt wird der Entfernungsschritt für eine Trägerplatte durchgeführt, bei dem die Trägerplatte 3 von dem Werkstück 7 entfernt wird. 3B ist eine partielle seitliche Schnittansicht, welche den Entfernungsschritt für eine Trägerplatte darstellt. Im Übrigen sind in 3B einige ausbildende Elemente durch funktionale Blöcke dargestellt.
  • Der Entfernungsschritt für eine Trägerplatte wird unter fortsetzender Verwendung der Entfernungsvorrichtung 22 durchgeführt. Wie in 3B dargestellt sind mehrere Entfernungsarme (Entfernungsmittel oder Entfernungseinheit) 34 zum Entfernen der Trägerplatte 3 oberhalb des Einspanntischs 24 angeordnet. Jeder der Entfernungsarme 34 weist an einem Endabschnitt davon eine klauenförmige Struktur auf, die dazu geeignet ist, den Stufenabschnitt 3c der Trägerplatte 3 zu greifen. Zusätzlich ist ein Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt), der jeden Bewegungsarm 34 bewegt, mit der Basisendseite von jedem Bewegungsarm 34 gekoppelt.
  • Bei dem Entfernungsschritt für eine Trägerplatte wird zuerst jeder Bewegungsarm 34 zu einer solchen Position bewegt, dass er dazu geeignet ist, den Stufenabschnitt 3c der Trägerplatte 3 von unterhalb durch den klauenförmigen Endabschnitt von jedem Entfernungsarm 34 zu tragen. Dann, wie in 3B dargestellt, wird jeder Entfernungsarm 34 durch den Bewegungsmechanismus angehoben. D. h. dass jeder Entfernungsarm 34 eine aufwärtige Kraft auf dem Stufenabschnitt 3c der Trägerplatte 3 aufbringt.
  • Wie oben beschrieben wird die Werkstückseite 7 des Verbundsubstrats 1 durch den Einspanntisch 24 angesaugt und gehalten. Darum, wenn eine aufwärtige Kraft auf den Stufenabschnitt 3c der Trägerplatte 3 durch jeden Bewegungsarm 34 aufgebracht wird, wird die Trägerplatte 3 von dem Werkstück 7 mit der vorläufigen Verbindungsschicht 5 als eine Grenze abgelöst und dann angehoben. D. h. dass die Trägerplatte 3 sich in einer Richtung bewegt, in der sie von dem Werkstück 7 getrennt wird. Der Entfernungsschritt für eine Trägerplatte ist abgeschlossen, wenn die gesamte Trägerplatte 3 von dem Werkstück 7 getrennt und entfernt ist.
  • Im Übrigen wird die Trägerplatte 3, die von dem Werkstück 7 getrennt ist, von dem Einspanntisch 24 so wie sie ist durch jeden Bewegungsarm 34 entfernt. Auch kann die Trägerplatte 3 nach der Trennung von dem Einspanntisch 24 unter Verwendung einer anderen Fördereinheit, die ein Saugpad oder dergleichen beinhaltet, entfernt werden.
  • Wie oben beschrieben wird in dem Ablöseverfahren für eine Trägerplatte entsprechend der vorliegenden Ausführungsform der Stufenabschnitt 3c, bei dem die zweite Oberfläche (hintere Oberfläche 3b) (zweiter Oberflächenseitenteil 3b) nach außen von der ersten Oberfläche (vordere Oberfläche 3a (erstes Oberflächenseitenteil 3a) hervorsteht, in der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 ausgebildet, indem die Schneidklinge 18 dazu gebracht wird, von der Werkstückseite 7 bis zu einer Tiefe einzuschneiden, welche die hintere Oberfläche der Trägerplatte 3 nicht erreicht, entlang der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3. Folglich kann die Trägerplatte 3 von dem Werkstück 7 durch einfaches Aufbringen einer Kraft auf dem Stufenabschnitt 3c in einem Zustand des Haltens des Werkstücks 7 und Bewegen der Trägerplatte 3 in einer Richtung, sodass sie von dem Werkstück 7 getrennt wird, entfernt werden.
  • Es sei angemerkt, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die Beschreibung der vorhergehenden Ausführungsform beschränkt ist, sondern in verschiedenen Weisen geändert und ausgeführt werden kann. Zum Beispiel, während die Trägerplatte 3 von dem Werkstück 7 unter Verwendung der Schneidvorrichtung 2 und der Entfernungsvorrichtung 20 in der vorliegenden Ausführungsform entfernt wurde, kann die Trägerplatte 3 von dem Werkstück 7 unter Verwendung einer Vorrichtung, welche die Funktion der Schneidvorrichtung 2 und der Entfernungsvorrichtung 22 kombiniert, entfernt werden.
  • Genauer gesagt, können zum Beispiel die Entfernungsarme 34 und dergleichen der Entfernungsvorrichtung 22 in die Schneidvorrichtung 2 integriert werden. Auch kann die Schneideinheit 14 und dergleichen der Schneidvorrichtung 2 in die Entfernungsvorrichtung 22 integriert werden. Gleichzeitig werden in diesem Fall der erste Halteschritt und der zweite Halteschritt unter Verwendung des gleichen Einspanntischs (Einspanntisch 4 oder der Einspanntisch 24) durchgeführt.
  • Zusätzlich, während der Stufenabschnitt 3c in der vorhergehenden Ausführungsform ausgebildet wird, indem die Schneidklinge 18 dazu gebracht wird, von der Werkstückseite 7 entlang der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 einzuschneiden, kann der Stufenabschnitt 3c zum Beispiel durch Aufbringen eines Laserstrahls von der Werkstückseite 7 entlang der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte 3 ausgebildet werden. In diesem Fall wird eine Laserbearbeitungsvorrichtung (Laserbearbeitungseinheit), die dazu geeignet ist, einen Laserstrahl einer solchen Wellenlänge aufzubringen, dass er zumindest durch die Trägerplatte 3 absorbiert wird, anstelle der Schneidvorrichtung 2 (Schneideinheit 14) verwendet.
  • Zusätzlich ist es möglich, ein Fluid zwischen der Trägerplatte 3 und dem Werkstück 7 (Bereich entsprechend der vorläufigen Verbindungsschicht 5) einzublasen, wenn die Trägerplatte 3 in dem Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entfernt wird. 4A ist eine partielle seitliche Schnittansicht, welche einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entsprechend einer ersten Modifikation darstellt. Wie in 4A dargestellt wird ein Flussdurchgang 34a zum Zuführen eines Fluides in die Entfernungsarme 34, die in dem Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entsprechende ersten Modifikation verwendet werden, bereitgestellt.
  • Die Stromaufseiten der Flussdurchgänge 34a sind mit einer Fluidzufuhrquelle (nicht dargestellt) durch ein Ventil (nicht dargestellt) oder dergleichen verbunden. Andererseits sind die Stromabenden der Flussdurchgänge 34a an Endabschnitten der Entfernungsarme 34 offen. Darum kann das Fluid zwischen der Trägerplatte 3 und dem Werkstück 7 eingeblasen werden, wenn das Ventil offen ist, während der Endabschnitt von jedem Bewegungsarm 34 den Stufenabschnitt 3c der Trägerplatte 3 von unten trägt.
  • Die Trägerplatte 3 kann von dem Werkstück einfach zum Beispiel durch Aufbringen einer Kraft auf dem Stufenabschnitt 3c durch die Entfernungsarme 34 abgelöst werden, während das Fluid zwischen der Trägerplatte 3 und dem Werkstück 7 eingeblasen wird. Ein verwendbares Fluid, das zwischen der Trägerplatte 3 und dem Werkstück 7 eingeblasen wird, ist zum Beispiel Luft, Wasser oder dergleichen. Jedoch existiert keine besondere Beschränkung bezüglich der Art des Fluides oder dergleichen.
  • Zusätzlich, während die mehreren Entfernungsarme 34 verwendet werden, um die Trägerplatte 3 von dem Werkstück 7 in der vorhergehenden Ausführungsform oder dergleichen abzulösen und zu entfernen, kann die Trägerplatte 3 auch durch das Werkstück 7 unter Verwendung eines Bewegungsarms 34 abgelöst und entfernt werden. 4B ist eine partielle seitliche Schnittansicht, die einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entsprechend einer zweiten Modifikation darstellt, bei welcher die Trägerplatte 3 von dem Werkstück 7 abgelöst und entfernt wird unter Verwendung eines Entfernungsarms 34.
  • Zusätzlich existiert keine bestimmte Beschränkung bezüglich der Position oder dergleichen des Stufenabschnitts 3c, der durch die Entfernungsarme 34 in dem Entfernungsschritt für eine Trägerplatte getragen ist. 4A ist eine partielle seitliche Schnittansicht, die einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entsprechend einer dritten Modifikation darstellt. 5B ist eine partielle seitliche Schnittansicht, die einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entsprechend einer vierten Modifikation darstellt.
  • In dem Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entsprechend einer dritten Modifikation, wie in 5A dargestellt, ist der Stufenabschnitt 3c an einer Position entsprechend der Ecke 3d der Trägerplatte 3 durch einen Entfernungsarm 34 getragen und die Trägerplatte 3 wird abgelöst. In diesem Fall wird die Trägerplatte 3 graduell entlang der Richtung der diagonalen Linie von der Position entsprechend der Ecke 3d abgelöst.
  • Andererseits in dem Entfernungsschritt für eine Trägerplatte entsprechend der vierten Modifikation, wie in 5B dargestellt, ist jeder Stufenabschnitt 3c an Positionen entsprechend der vier Ecken 3d, 3e, 3f und 3g der Trägerplatte 3 durch Entfernungsarme 34 getragen und die Trägerplatte 3 wird abgelöst. In diesem Fall wird die Trägerplatte 3 graduell entlang der Richtungen diagonaler Linien von den Positionen entsprechend den Ecken 3d, 3e, 3f und 3g abgelöst.

Claims (2)

  1. Ablöseverfahren für eine Trägerplatte (3) zum Entfernen einer Trägerplatte von einem Werkstück (7) , das an einer vorderen Oberfläche (3a) der Trägerplatte (3) mit einer vorläufigen Verbindungsschicht (5) angeordnet ist, die zwischen der Trägerplatte (3) und dem Werkstück (7) eingefügt ist, wobei das Ablöseverfahren für eine Trägerplatte (3) umfasst: einen ersten Halteschritt zum Halten der Trägerplatte (3) durch eine erste Halteeinheit, sodass das Werkstück (7) freiliegt; nach dem Durchführen des ersten Halteschritts, einen Ausbildungsschritt für einen Stufenabschnitt (3c) zum Ausbilden eines Stufenabschnitts (3c), bei dem eine hintere Oberflächenseite nach außen von einer vorderen Oberflächenseite an einer äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte (3) durch Bearbeiten der Trägerplatte (3) von der Werkstückseite (7) entlang der äußeren umfänglichen Kante der Trägerplatte (3) hervor steht; nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für einen Stufenabschnitt (3c), einen zweiten Halteschritt zum Halten des Werkstücks durch eine zweite Halteeinheit, sodass die Trägerplatte (3) freiliegt; und einen Entfernungsschritt für eine Trägerplatte (3) zum Entfernen der Trägerplatte (3) von dem Werkstück (7) durch Aufbringen einer Kraft auf den Stufenabschnitt (3c) und Entfernen der Trägerplatte (3) in einer Richtung, sodass sie von dem Werkstück (7) durch eine Entfernungseinheit (3) nach dem Durchführen des zweiten Halteschritts getrennt wird.
  2. Ablöseverfahren für eine Trägerplatte (3) nach Anspruch 1, wobei bei dem Entfernungsschritt für eine Trägerplatte (3) ein Fluid zwischen dem Werkstück (7) und der Trägerplatte (3) eingeblasen wird, während die Kraft auf dem Stufenabschnitt (3c) durch die Entfernungseinheit (34) aufgebracht wird.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7262903B2 (ja) * 2019-08-26 2023-04-24 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014207012A1 (de) 2013-04-11 2014-10-16 Disco Corporation Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück
JP2016201519A (ja) 2015-04-14 2016-12-01 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5307593B2 (ja) 2009-03-25 2013-10-02 株式会社ディスコ 積層ウェーハの分割方法
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
JP2012222310A (ja) 2011-04-14 2012-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2015505164A (ja) 2011-12-22 2015-02-16 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 可撓性の基板保持装置、第１の基板を剥離する装置及び方法
JP5999972B2 (ja) * 2012-05-10 2016-09-28 株式会社ディスコ 保持テーブル
JP6061590B2 (ja) * 2012-09-27 2017-01-18 株式会社ディスコ 表面保護部材および加工方法
KR101460034B1 (ko) * 2013-03-27 2014-11-11 주식회사 심텍 캐리어 기판을 이용하는 박형 인쇄회로기판의 제조 방법
JP6216727B2 (ja) 2014-05-08 2017-10-18 東京応化工業株式会社 支持体分離方法
JP2016096295A (ja) * 2014-11-17 2016-05-26 株式会社ディスコ ２層構造ウェーハの加工方法
JP2016127232A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6486176B2 (ja) * 2015-04-15 2019-03-20 株式会社ディスコ 被加工物の切削加工方法
JP6546783B2 (ja) 2015-05-21 2019-07-17 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法及び支持体分離方法
JP2017204555A (ja) 2016-05-11 2017-11-16 株式会社ディスコ 切削方法
JP6695227B2 (ja) * 2016-07-19 2020-05-20 東京応化工業株式会社 支持体分離装置および支持体分離方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014207012A1 (de) 2013-04-11 2014-10-16 Disco Corporation Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück
JP2016201519A (ja) 2015-04-14 2016-12-01 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法

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