DE102018207497A1 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Ein Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Wafers schließt einen Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut, einen Schritt eines in engen Kontakt Bringens, einen Schutzelementfixierungsschritt, einen Schleifschritt und einen Abziehschritt ein. Der Wafer weist einen Bauelementbereich und einen den Bauelementbereich umgebenden Umfangsrandbereich an der vorderen Seite auf, und Bauelemente, die jeweils Unebenheiten aufweisen, sind in dem Bauelementbereich ausgebildet. Bei dem Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut wird eine ringförmige Nut an der vorderen Seite des Wafers entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs ausgebildet. Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens werden der Bauelementbereich und die ringförmige Nut mit einem Schutzfilm bedeckt, und der Schutzfilm wird mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt gebracht.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren für eine Verwendung beim Schleifen eines Wafers, der an der vorderen Seite ausgebildete Unebenheiten aufweist.
  • BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
  • Es gibt eine steigende Tendenz einen Wafer vor einem Teilen des Wafers in Bauelementchips zu verdünnen, um so die Größe und das Gewicht von jedem Bauelementchip zu reduzieren, der eingerichtet ist, um in vielfältiger elektronischer Ausrüstung oder Ähnlichem eingebaut zu werden. Zum Beispiel kann der Wafer durch Halten der vorderen Seite des Wafers, an der Bauelemente ausgebildet sind, an einem Spanntisch, Drehen eines Schleifrads und Drücken des Schleifrads gegen die hintere Seite des Wafers, um dadurch die hintere Seite des Wafers zu schleifen, verdünnt werden.
  • Beim Schleifen des Wafers durch Verwenden des obigen Verfahrens wird normalerweise ein Schutzelement an der vorderen Seite des Wafers angebracht (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent mit der Nummer Hei 10-50642). Das Schutzelement kann dem Risiko vorbeugen, dass die an der vorderen Seite des Wafers ausgebildeten Bauelemente durch eine Kraft beschädigt werden können, die beim Schleifen des Wafers auf den Wafer aufgebracht wird. Beispiele für das Schutzelement schließen ein aus einem Harz ausgebildetes Haftband und ein Substrat mit einer hohen Härte ein.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • In vielen Fällen werden Unebenheiten, wie zum Beispiel Kontakthöcker, die an jedem Bauelement als Elektroden dienen, an der vorderen Seite des Wafers ausgebildet. Wenn jedoch solche Unebenheiten an der vorderen Seite des Wafers vorliegen, entsteht das Problem, dass eine Höhendifferenz aufgrund der Unebenheiten nicht ausreichend durch ein Haftband aufgenommen werden kann und die der jeweiligen Unebenheit entsprechende Form nach dem Schleifen an der hinteren Seite des Wafers erscheinen kann.
  • Durch Verwenden eines Substrats mit einer hohen Härte als Schutzelement, kann das obige Problem nahezu eliminiert werden. Jedoch wird dieses Substrat durch Verwenden eines Haftmittels, wie zum Beispiel eines thermoplastischen Wachses, mit dem Wafer verklebt. Dementsprechend ist es beim Abziehen des Substrats von dem Wafer nach dem Schleifen notwendig, umfangreiche dem Abziehen gewidmete Arbeiten auszuführen, wie zum Beispiel ein Eintauchen des Wafers in eine Lösung oder ein Erwärmen des Wafers auf hohe Temperaturen.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das den Einfluss der Unebenheiten, die an der vorderen Seite des Wafers vorliegen, beim Schleifen der hinteren Seite des Wafers ausreichend unterdrücken kann, und einen Abziehvorgang nach dem Schleifen auf einfache Weise ausführen kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Wafers, der einen mittigen Bauelementbereich und einen dem Bauelementbereich umgebenden Umfangsrandbereich an der vorderen Seite aufweist, bereitgestellt, wobei eine Vielzahl von Bauelementen in dem Bauelementbereich ausgebildet ist, die jeweils Unebenheiten aufweisen, wobei das Waferbearbeitungsverfahren einen Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut mit einem Ausbilden einer ringförmigen Nut an der vorderen Seite des Wafers entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs, wobei die ringförmige Nut eine Tiefe aufweist, die größer als eine fertiggestellte Dicke des Wafers ist; einen Schritt eines in engen Kontakt Bringens mit einem Bedecken des Bauelementbereichs und der ringförmigen Nut an der vorderen Seite des Wafers mit einem Schutzfilm nach dem Ausführen des Ausbildungsschritts einer ringförmigen Nut und als Nächstes einem in engen Kontakt Bringen des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers, um so den Unebenheiten jedes Bauelements zu folgen, die an der vorderen Seite des Wafers ausgebildet sind; nach dem Ausführen des Schritts eines in engen Kontakt Bringens einen Schutzelementfixierungsschritt mit einem Bedecken des Schutzfilms und eines exponierten Teils des Umfangsrandbereichs mit einem Schutzelement, das mit einem durch einen äußeren Stimulus härtbaren flüssigen Harz ausgebildet wird, um dadurch das Schutzelement über dem Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers zu fixieren; einen Schleifschritt mit einem Halten des an dem Wafer fixierten Schutzelements an einer Haltefläche eines Spanntischs in dem Zustand, in dem die hintere Seite des Wafers nach dem Ausführen des Schutzelementfixierungsschritts exponiert ist, und als Nächstes einem Schleifen der hinteren Seite des Wafers, um dadurch die Dicke des Wafers auf die fertiggestellte Dicke des Wafers zu reduzieren, sodass der Boden der ringförmigen Nut zu der hinteren Seite des Wafers exponiert wird, wodurch der Wafer entlang der ringförmigen Nut in einen ringförmigen Abschnitt einschließlich des Umfangsrandbereichs und einen kreisförmigen Abschnitt einschließlich des Bauelementbereichs in dem Zustand getrennt wird, in dem das Schutzelement an dem Wafer fixiert ist; und einen Abziehschritt mit einem Abziehen des Schutzelements und des Schutzfilms von dem Bauelementbereich des kreisförmigen Abschnitts und einem Entfernen des Schutzelements und des Schutzfilms zusammen mit dem ringförmigen Abschnitt einschließt.
  • Vorzugsweise schließt der Schritt eines in engen Kontakt Bringens den Schritt eines Zwingens des Schutzfilms in die ringförmige Nut ein, um dadurch den Schutzfilm mit der inneren Fläche der ringförmigen Nut in engen Kontakt zu bringen.
  • Vorzugsweise schließt der Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut den Schritt eines Schneidens der vorderen Seite des Wafers entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs durch Verwendung einer Schneidklinge ein, um dadurch die ringförmige Nut auszubilden.
  • Vorzugsweise schließt der Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut den Schritt eines Aufbringens eines Laserstrahls auf die vordere Seite des Wafers entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs ein, wobei der Laserstrahl eine Absorptionswellenlänge für den Wafer aufweist, wodurch die ringförmige Nut ausgebildet wird.
  • Vorzugsweise ist der äußere Umfang des Wafers an der vorderen Seite des Wafers angefast; wobei der Schutzelementfixierungsschritt den Schritt eines vollständigen Bedeckens der vorderen Seite des Wafers mit dem Schutzelement auf so eine Weise einschließt, dass ein angefaster Abschnitt des äußeren Umfangs des Wafers ebenfalls mit dem Schutzelement bedeckt wird.
  • Vorzugsweise schließt der Schutzelementfixierungsschritt die Schritte eines Aufbringens des flüssigen Harzes auf einen flachen Bogen, als Nächstes eines Drückens des Wafers über den Schutzfilm gegen das flüssige Harz, um dadurch den Schutzfilm vollständig mit dem flüssigen Harz zu bedecken, und als Nächstes eines Aufbringens des äußeren Stimulus auf das flüssige Harz ein, um dadurch das flüssige Harz zu härten, wodurch das Schutzelement mit dem flüssigen Harz ausgebildet wird und das Schutzelement an dem Wafer fixiert wird.
  • Vorzugsweise schließt der Schritt eines in engen Kontakt Bringens die Schritte eines Drückens des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers unter einem Unterdruck und als Nächstes eines Aufbringens eines atmosphärischen Drucks auf den Schutzfilm ein, um dadurch den Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt zu bringen, sodass er den Unebenheiten folgt.
  • Vorzugsweise schließt der Schritt eines in engen Kontakt Bringens die Schritte eines Gegenüberlegens des Schutzfilms an der vorderen Seite des Wafers und als Nächstes beginnend von dem Mittelpunkt des Wafers in einer Richtung radial nach außen ein Drücken des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers ein, um dadurch den Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt zu bringen, sodass er den Unebenheiten folgt.
  • Vorzugsweise schließt der Schritt eines in engen Kontakt Bringens die Schritte eines Zuführens einer Flüssigkeit zu der vorderen Seite des Wafers und als Nächstes eines Drückens des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers mit der dazwischen eingefügten Flüssigkeit ein.
  • Vorzugsweise schließt der Abziehschritt in diesem Fall den Schritt eines Erwärmens der zwischen dem Schutzfilm und der vorderen Seite des Wafers zurückgelassenen Flüssigkeit ein, um dadurch die Flüssigkeit zu verdampfen.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung wird der Bauelementbereich, in dem die Bauelemente ausgebildet sind, die jeweils die Unebenheiten aufweisen, als Erstes mit dem Schutzfilm bedeckt, und der Schutzfilm wird dann mit dem Bauelementbereich in engen Kontakt gebracht, um so den Unebenheiten zu folgen. Danach werden der Schutzfilm und ein exponierter Teil des Umfangsrandbereichs mit dem Schutzelement bedeckt, das mit dem durch einen äußeren Stimulus härtbaren flüssigen Harz ausgebildet ist, wodurch das Schutzelement über den Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers fixiert wird. Durch Ausbilden des Schutzelements mit einer ausreichenden Dicke können die an der vorderen Seite des Wafers ausgebildeten Unebenheiten dementsprechend ausreichend aufgenommen werden.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ist der Schutzfilm nicht an den Bauelementbereich des Wafers geklebt, sondern ist mit dem Bauelementbereich lediglich in engem Kontakt. Dementsprechend können das Schutzelement und der Schutzfilm auf einfache Weise von dem Bauelementbereich ohne die Notwendigkeit für umfangreiche auf das Abziehen gerichtete Arbeiten, wie zum Beispiel ein Eintauchen des Wafers in eine Lösung oder ein Erwärmen des Wafers auf hohe Temperaturen, abgezogen werden. Da kein Haftmittel in dem Bauelementbereich zurückgelassen wird, ist es ferner nicht notwendig, irgendeinen Vorgang zum Entfernen des Haftmittels auszuführen. Folglich ist es in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung möglich, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das die Effekte zeigen kann, dass der Einfluss der an der vorderen Seite des Wafers vorhandenen Unebenheiten ausreichend beim Schleifen der hinteren Seite des Wafers unterdrückt werden kann und dass der Abziehvorgang nach dem Schleifen ebenfalls auf einfache Weise ausgeführt werden kann.
  • Ferner wird bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ein exponierter Teil des Umfangsrandbereichs mit dem Schutzelement bedeckt, das mit dem durch einen äußeren Stimulus härtbaren flüssigen Harz ausgebildet wird. Dementsprechend haftet das Schutzelement in dem Umfangsrandbereich direkt an dem Wafer an, das heißt, das Schutzelement wird mit dem Umfangsrandbereich des Wafers verbunden. Obwohl der Schutzfilm keine Haftung durch ein Haftmittel (Klebstoff) aufweist, gibt es als Ergebnis keine Möglichkeit, dass der Schutzfilm und das Schutzelement beim Schleifen des Wafers von dem Wafer abgezogen werden können.
  • Darüber hinaus wird bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung die ringförmige Nut, die eine Tiefe aufweist, die größer als die fertiggestellte Dicke des Wafers ist, als Erstes an der vorderen Seite des Wafers entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs ausgebildet. Danach wird die hintere Seite des Wafers geschliffen, um den Wafer auf die fertiggestellte Dicke zu verdünnen. Dementsprechend wird der Wafer durch Schleifen des Wafers entlang der ringförmigen Nut in dem kreisförmigen Abschnitt einschließlich des Bauelementbereichs und dem ringförmigen Abschnitt einschließlich des Umfangsrandbereichs getrennt. Dementsprechend ist es nicht notwendig, das Schutzelement während des Abziehschritts von dem ringförmigen Abschnitt abzuziehen. Das heißt, dass lediglich durch ein Bewegen des ringförmigen Abschnitts weg von dem kreisförmigen Abschnitt während des Abziehschritts das Schutzelement und der Schutzfilm von dem Bauelementbereich des kreisförmigen Abschnitts abgezogen werden können.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung werden durch ein Studium der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine schematische perspektivische Ansicht, welche die Ausführung eines Wafers zeigt;
    • 1B ist eine seitliche schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Ausbildens einer ringförmigen Nut an der vorderen Seite des Wafers während eines Ausbildungsschritts einer ringförmigen Nut bei einem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 2A ist eine schematische perspektivische Ansicht, die eine Weise eines Abdeckens der vorderen Seite des Wafers mit einem Schutzfilm während eines Schritts eines in engen Kontakt Bringens bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 2B ist eine schematische perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem die vordere Seite des Wafers während des Schritts eines in engen Kontakt Bringens mit dem Schutzfilm bedeckt wird;
    • 3A ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Drückens des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers während des Schritts eines in engen Kontakt Bringens zeigt;
    • 3B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers während des Schritts eines in engen Kontakt Bringens zeigt;
    • 3C ist eine schematische vergrößerte Schnittansicht eines Teils des Wafers in dem Zustand, in dem der Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers während des Schritts eines in engen Kontakt Bringens in engen Kontakt gebracht worden ist;
    • 4A ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Weise eines Andrückens des Wafers über den Schutzfilm an ein flüssiges Harz zeigt, das während eines Schutzelementfixierungsschritts bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform aufgetragen wird;
    • 4B ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Weise eines Härtens des flüssigen Harzes zeigt, um dadurch mit dem flüssigen Harz ein Schutzelement auszubilden, wodurch das Schutzelement während des Schutzelementfixierungsschritts über dem Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers fixiert wird;
    • 4C ist eine schematische Schnittansicht, die den Wafer in dem Zustand zeigt, in dem das an dem Bogen unterstützte Schutzelement über dem Schutzfilm während des Schutzelementfixierungsschritts an der vorderen Seite des Wafers fixiert worden ist;
    • 5A ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Weise eines Schleifens der hinteren Seite des Wafers während eines Schleifschritts bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 5B ist eine schematische Schnittansicht des durch den Schleifschritt bearbeiteten Wafers;
    • 6 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms und des Schutzelements von dem Wafer während eines Abziehschritts bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 7A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem die vordere Seite des Wafers während eines Schritts eines in engen Kontakt Bringens bei einem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einer ersten Abwandlung mit dem Schutzfilm bedeckt wird;
    • Die 7B und 7C sind schematische seitliche Schnittansichten, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers während des Schritts eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung zeigen;
    • Die 8A und 8B sind schematische Schnittansichten, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers während eines Schritts eines in engen Kontakt Bringens bei einem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einer zweiten Abwandlung zeigen;
    • 9 ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers während eines Schritts eines in engen Kontakt Bringens bei einem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einer dritten Abwandlung zeigt;
    • 10 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms und des Schutzelements von dem Wafer während eines Abziehschritts bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung zeigt; und
    • 11 ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Weise eines Ausbildens einer ringförmigen Nut an der vorderen Seite des Wafers während eines Ausbildungsschritts einer ringförmigen Nut bei einem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einer vierten Abwandlung zeigt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Es wird nunmehr eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen beschrieben. Das Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform schließt einen Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut (siehe 1B), einen Schritt eines in engen Kontakt Bringens (siehe 2A, 2B, 3A, 3B und 3C), einen Schutzelementfixierungsschritt (siehe 4A, 4B und 4C), einen Schleifschritt (siehe 5A und 5B) und einen Abziehschritt (siehe 6) ein. Bei dem Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut wird eine ringförmige Nut an der vorderen Seite eines Wafers entlang des inneren Umfangs eines Umfangrandbereichs ausgebildet, der einen an der vorderen Seite des Wafers ausgebildeten Bauelementbereich umgibt, wobei die ringförmige Nut eine Tiefe aufweist, die größer als eines fertiggestellte Dicke des Wafers ist. Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens wird ein Schutzfilm, der keine Haftung durch ein Haftmittel (Klebstoff) aufweist mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt gebracht, um so den in dem Bauelementbereich des Wafers vorliegenden Unebenheiten zu folgen.
  • Bei dem Schutzelementfixierungsschritt werden der Schutzfilm und ein Teil des Umfangsrandbereichs des Wafers mit einem Schutzelement bedeckt, das mit einem flüssigen Harz ausgebildet wird, um dadurch das Schutzelement über den Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers zu fixieren. Bei dem Schleifschritt wird die hintere Seite des Wafers in dem Zustand geschliffen, in dem das an der vorderen Seite des Wafers über dem Schutzfilm fixierte Schutzelement an einer Haltefläche eines Spanntischs gehalten wird, um dadurch die Dicke des Wafers auf die fertiggestellte Dicke zu reduzieren.
  • Als Ergebnis dieses Schleifschritts wird der Wafer in einen ringförmigen Abschnitt einschließlich des Umfangrandbereichs und einen kreisförmigen Abschnitt einschließlich des Bauelementbereichs geteilt. Bei dem Abziehschritt werden das Schutzelement und der Schutzfilm zusammen von dem Bauelementbereich des kreisförmigen Abschnitts abgezogen und zusammen mit dem ringförmigen Abschnitt entfernt. Das Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform wird nunmehr im Detail beschrieben.
  • 1A ist eine schematische perspektivische Ansicht, welche den Aufbau eines Wafers 11 zeigt, der bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform zu verwenden ist. Wie in 1A gezeigt, ist der Wafer 11 ein scheibenförmiger Wafer, der zum Beispiel aus Silizium (Si) ausgebildet ist. Der Wafer 11 weist eine vordere Seite 11a, eine hintere Seite 11b und einen äußeren Umfang 11c auf. Der äußere Umfang 11c des Wafers 11 ist entlang der gegenüberliegenden Kanten sowohl an der vorderen Seite 11a als auch an der hinteren Seite 11b angefast. Die vordere Seite 11a des Wafers 11 ist mit einem mittigen Bauelementbereich 11d und einem den Bauelementbereich 11d umgebenden Umfangsrandbereich 11e aufgebaut. Der Bauelementbereich 11d ist durch eine Vielzahl sich schneidender Trennlinien (Straßen) 13 unterteilt, um dadurch eine Vielzahl getrennter Bereiche zu definieren, wo eine Vielzahl von Bauelementen 15, wie zum Beispiel integrierte Schaltkreise (ICs), respektive ausgebildet ist. Ferner ist eine Vielzahl von Kontakthöckern (Unebenheiten) 17 an der vorderen Seite von jedem Bauelement 15 vorgesehen, die als Elektroden dient. Jeder Kontakthöcker 17 ist zum Beispiel mit einem Lötmittel ausgebildet. Obwohl der Wafer 11 bei dieser bevorzugten Ausführungsform zum Beispiel ein scheibenförmiger aus Silizium hergestellter Wafer ist, ist der Wafer 11 nicht auf dieses Material, diese Form, diese Struktur, diese Größe, etc. beschränkt. Das heißt, dass der Wafer 11 ein Wafer sein kann, der aus einem beliebigen anderen Halbleiter, Keramik, Harz, Metall, etc. ausgebildet ist. Auf ähnliche Weise sind die Bauelemente 15 und die Kontakthöcker 17 nicht in ihrer Art, Anzahl, Form, Struktur, Größe, Layout, etc. beschränkt. Die Kontakthöcker 17 können durch beliebige andere Strukturen (Unebenheiten) ersetzt werden, die beliebige andere Funktionen aufweisen. Das heißt, dass die Kontakthöcker 17 nicht an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet sein müssen, sondern beliebige andere Unebenheiten an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet sein können.
  • Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird als Erstes der Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut ausgeführt, um an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 eine ringförmige Nut auszubilden, und die ringförmige Nut weist eine Tiefe auf, die größer als eine fertiggestellte Dicke des Wafers 11 ist. 1B ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Ausbildungsweise der ringförmigen Nut an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zeigt. Der Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut kann durch Verwendung einer in 1B gezeigten Schneidvorrichtung 2 ausgeführt werden. Die Schneidvorrichtung 2 schließt einen Spanntisch (Haltetisch) 4 zum Halten des Wafers 11 unter Saugkraft ein. Der Spanntisch 4 ist mit einer nicht gezeigten Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel einem Motor, verbunden. Dementsprechend ist der Spanntisch 4 eingerichtet, um durch Betätigen dieser Rotationsantriebsquelle um seine im Wesentlichen zu einer vertikalen Richtung parallelen Achse gedreht zu werden. Ferner ist ein nicht gezeigter Arbeitszuführmechanismus unter dem Spanntisch 4 vorgesehen, um so den Spanntisch 4 in einer Arbeitszuführrichtung (erste horizontale Richtung) zu bewegen.
  • Der Spanntisch 4 weist eine obere Fläche auf, von der ein Teil als eine Haltefläche 4a zum Halten der hinteren Seite 11b des Wafers 11 unter Saugkraft ausgebildet ist. Die Haltefläche 4a ist über einen nicht gezeigten Saugdurchgang mit einer nicht gezeigten Saugquelle verbunden, und der Saugdurchgang ist im inneren des Spanntischs 4 ausgebildet. Durch Aufbringen eines von der Unterdruckquelle erzeugten Unterdrucks über den Saugdurchgang auf die Haltefläche 4a in dem Zustand, in dem die hintere Seite 11b des Wafers 11 mit der Haltefläche 4a in Kontakt ist, kann der Wafer 11 dementsprechend unter Saugkraft an dem Spanntisch 4 gehalten werden. Als eine Abwandlung kann der Spanntisch 4 durch eine andere Art von Spanntisch ersetzt werden, die im Stande ist, den Wafer 11 durch Verwenden eines mechanischen Verfahrens oder eines elektrischen Verfahrens zu halten. Eine Schneideinheit 6 zum Schneiden des Wafers 11 ist über dem Spanntisch 4 vorgesehen. Die Schneideinheit 6 schließt eine Spindel 8 ein, die eine Rotationsachse aufweist, welche im Wesentlichen zu der Arbeitszuführrichtung in einer horizontalen Ebene senkrecht ist. Eine ringförmige Schneidklinge 10 ist an der Spindel 8 an einem Ende von dieser montiert. Eine nicht gezeigte Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel ein Motor, ist mit dem anderen Ende der Spindel 8 verbunden. Dementsprechend ist die an der Spindel 8 montierte Schneidklinge 10 eingerichtet, um durch eine von der Rotationsantriebsquelle übertragene Kraft gedreht zu werden. Die Schneideinheit 6 wird durch einen nicht gezeigten Hebemechanismus und einen nicht gezeigten Einteilungsmechanismus unterstützt. Der Hebemechanismus dient dazu, die Schneideinheit 6 in einer Schneidzuführrichtung (vertikale Richtung) in vertikaler Richtung zu bewegen, und der Einteilungsmechanismus dient dazu, die Schneideinheit 6 in einer Einteilungsrichtung (zweite horizontale Richtung), die zu der Arbeitszuführrichtung in einer horizontalen Ebene im Wesentlichen senkrecht ist, zu bewegen (weiterzubewegen).
  • Bei dem Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut wird der Wafer 11 als Erstes in dem Zustand an dem Spanntisch 4 platziert, in dem die hintere Seite 11b des Wafers 11 mit der Haltefläche 4a des Spanntischs 4 in Kontakt ist. Zu diesem Zeitpunkt wird der Mittelpunkt des Wafers 11 dazu gebracht, im Wesentlichen mit der Rotationsachse des Spanntischs 4, gesehen in einer Ebene, zusammenzufallen. Danach wird ein durch die Unterdruckquelle erzeugter Unterdruck auf den an der Haltefläche 4a des Spanntischs 4 gehaltenen Wafer 11 aufgebracht. Dementsprechend wird der Wafer 11 in dem Zustand unter Saugkraft an dem Spanntisch 4 gehalten, in dem die vordere Seite 11a des Wafers 11 nach oben exponiert ist. Danach wird die Schneidklinge 10 gedreht, um die vordere Seite 11a des Wafers 11 entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs 11e zu schneiden, das heißt entlang der ringförmigen Grenze zwischen dem Bauelementbereich 11d und dem Umfangsrandbereich 11e. Insbesondere wird die sich drehende Schneidklinge 10, wie in 1B gezeigt abgesenkt, um den inneren Umfang des an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildeten Umfangsrandbereichs 11e zu schneiden. Zu diesem Zeitpunkt wird der Spanntisch 4 gedreht. Die Höhe des unteren Endes der Schneidklinge 10 während des Schneidens der vorderen Seite 11a des Wafers 11 von der vorderen Seite 11a des Wafers 11 aus wird so eingestellt, das sie mit einer Tiefe korrespondiert, die größer als die fertiggestellte Dicke des Wafers 11 ist. Als Ergebnis wird eine ringförmige Nut 11f mit einer Tiefe, die größer als die fertiggestellte Dicke des Wafers 11 ist, an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs 11e ausgebildet.
  • Nach dem Ausführen des Ausbildungsschritts einer ringförmigen Nut wird der Schritt eines in engen Kontakt Bringens ausgeführt, um einen Schutzfilm, der keine Haftung durch ein Haftmittel aufweist, mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 so in engen Kontakt zu bringen, dass er den an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildeten Unebenheiten folgt. Insbesondere wird die vordere Seite 11a des Wafers 11 als Erstes mit einem Schutzfilm bedeckt, der kein Haftmittel aufweist, und dieser Schutzfilm wird als Nächstes mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht.
  • 2A ist eine schematische perspektivische Ansicht, die eine Weise eines Bedeckens der vorderen Seite 11a des Wafers 11 mit einem Schutzfilm 21 zeigt, und 2B ist eine schematische perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem die vordere Seite 11a des Wafers 21 mit dem Schutzfilm 21 bedeckt ist. Wie in den 2A und 2B gezeigt, ist der Schutzfilm 21 zum Beispiel ein aus Harz ausgebildeter flexibler Film. Der Schutzfilm 21 ist ein kreisförmiges Element, das einen Durchmesser aufweist, der größer als der Außendurchmesser der ringförmigen Nut 11f und kleiner als der Durchmesser des Wafers 11 ist. Ferner ist der Schutzfilm 21 ohne ein Haftmittel bereitgestellt. Die Dicke des Schutzfilms 21 ist nicht besonders beschränkt. Zum Beispiel kann die Dicke des Schutzfilms 21 auf in etwa 30 µm bis 150 µm festgelegt sein.
  • Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens wird der Bauelementbereich 11d des Wafers 11 als Erstes mit dem Schutzfilm 21 bedeckt. Insbesondere wird der Schutzfilm 21, wie in 2A gezeigt, an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 so aufgelegt, dass er die ringförmige Nut 11f vollständig bedeckt, die entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs 11e ausgebildet ist. In diesem Zustand ist ein Teil des Umfangsrandbereichs 11e des Wafers 11, wie in 2B gezeigt, exponiert.
  • Nach dem Bedecken des Bauelementbereichs 11d mit dem Schutzfilm 21 wird der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht. 3A ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Drückens des Schutzfilms 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 zeigt, 3B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zeigt, und 3C ist eine vergrößerte Schnittansicht eines Teils des Wafers 11 in dem Zustand, in dem der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engem Kontakt ist.
  • Wie in 3A gezeigt, wird ein Gewicht 14 über ein Dämpfungselement 12, wie zum Beispiel ein Schaumstoff, an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 platziert, das heißt an dem die vordere Seite 11a bedeckenden Schutzfilm 21, um dadurch den Schutzfilm 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 zu drücken. Mit anderen Worten wird der Schutzfilm 21 durch Aufbringen eines Drucks durch das Gewicht 14 über das Dämpfungselement 12 auf den Schutzfilm 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Als Ergebnis kommt ein Teil des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in Kontakt. Danach wird der Wafer 11, wie in 3B gezeigt, in dem in 3A gezeigten Zustand in eine Unterdruckkammer 16 geladen.
  • Die Unterdruckkammer 16 schließt ein Gehäuseelement 16a mit einer oberen Öffnung, die eine Größe aufweist, welche den Durchgang des Wafers 11 zulässt, und ein Türelement 16b zum Schließen der oberen Öffnung des Gehäuseelements 16a ein. Das Gehäuseelement 16a ist über ein Auslassrohr 18 und ein Ventil 20 mit einer nicht gezeigten Unterdruckquelle verbunden. Das Gehäuseelement 16a ist zudem mit einem Einlassrohr 22 und einem Ventil 24 zum Einführen der Außenluft (Atmosphärenluft) in die Unterdruckkammer 16 verbunden. Ein Stütztisch 26 zum Unterstützen des Wafers 11 ist in dem Gehäuseelement 16a vorgesehen. Der Stütztisch 26 weist eine im Wesentlichen flache obere Fläche auf, die als eine Stützfläche 26a zum Unterstützen des Wafers 11 dient. Die Stützfläche 26a ist mit einem vorstehenden Führungsabschnitt 26b zum Positionieren des Wafers 11 an der Stützfläche 26a vorgesehen. Eine Heizeinrichtung 28 zum Erwärmen des Schutzfilms 21 ist im inneren des Stütztischs 26 vorgesehen.
  • Der Wafer 11 wird durch die obere Öffnung des Gehäuseelements 16a in dem Zustand in die Unterdruckkammer 16 geladen, in dem das Gewicht 14 durch das Dämpfungselement 12 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 platziert ist. Danach wird der Wafer 11 an den Stütztisch 26 in dem Zustand platziert, in dem die hintere Seite 11b des Wafers 11 mit der Stützfläche 26a des Stütztischs 26 in Kontakt ist. Danach wird das Türelement 16b, wie in 3B gezeigt, geschlossen, um die obere Öffnung des Gehäuseelements 16a zu bedecken, wodurch der Innenraum der Unterdruckkammer 16 definiert wird. In diesem Zustand wird das Ventil 14 geschlossen, und als Nächstes wird das Ventil 20 geöffnet, um dadurch den Innenraum der Unterdruckkammer 16 zu evakuieren. Als Ergebnis wird der Schutzfilm 21 unter Unterdruck gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Ferner wird ein zwischen dem Schutzfilm 21 und der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zurückgelassenes Gas (Luft) entfernt.
  • Nach einem ausreichenden Evakuieren des Innenraums der Unterdruckkammer 16 wird das Ventil 20 geschlossen und als Nächstes das Ventil 24 geöffnet, um die Außenluft (Atmosphärenluft) in den Innenraum der Unterdruckkammer 16 einzuführen. Als Ergebnis wird atmosphärischer Druck auf den Schutzfilm 21 aufgebracht, sodass der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht werden kann, um so der Form jeden Kontakthöckers 17, der an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet ist, wie in 3C gezeigt, zu folgen. Zu diesem Zeitpunkt wird ein Teil des Schutzfilms 21 durch den atmosphärischen Druck in die ringförmige Nut 11f gezwungen, um mit der Innenfläche der ringförmigen Nut 11f in engen Kontakt zu kommen. Während des Aufbringens des atmosphärischen Drucks auf den Schutzfilm 21 kann die Heizeinrichtung 28 betätigt werden, um den Schutzfilm 21 zu erwärmen, wodurch der Schutzfilm 21 weicher gemacht wird. In diesem Fall kann der Schutzfilm 21 einfacher mit dem Wafer 11 in engen Kontakt gebracht werden.
  • Nach dem Ausführen des Schritts eines in engen Kontakt Bringens wird der Schutzelementfixierungsschritt ausgeführt, um den Schutzfilm 21 und einen exponierten Teil des Umfangsrandbereichs 11e mit einem aus einem flüssigen Harz ausgebildeten Schutzelement zu bedecken, wodurch das Schutzelement über den Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 fixiert wird. 4A ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Weise eines Andrückens des Wafers 11 über den Schutzfilm 21 an ein auf einen Bogen aufgetragenes flüssiges Harz zeigt, 4B ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Weise eines Härtens des flüssigen Harzes zeigt, um dadurch das Schutzelement auszubilden, wodurch das Schutzelement über den Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 fixiert wird, und 4C ist eine schematische Schnittansicht, die den Wafer 11 in dem Zustand zeigt, in dem das an dem Bogen unterstützte Schutzelement über den Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 fixiert wird. In den 4A und 4B wird ein Teil der Komponenten durch Funktionsblocks gezeigt.
  • Der Schutzelementfixierungsschritt kann durch eine in den 4A und 4B gezeigte Schutzelement-Fixierungsvorrichtung 32 ausgeführt werden. Die Schutzelement-Fixierungsvorrichtung 32 schließt einen Haltetisch 34 zum Halten eines im Wesentlichen flachen Bogens (Trägerbogen) 23 auf, der zum Beispiel mit einem Harz ausgebildet wird. Der Haltetisch 34 weist eine obere Fläche auf, die mit einer mittigen kreisförmigen Aussparung 34a ausgebildet ist, welche einen größeren Durchmesser als der Wafer 11 aufweist. Eine Quelle ultravioletten Lichts 36 ist in der Aussparung 34a vorgesehen. Die obere Endöffnung der Aussparung 34a ist mit einer Platte 38 bedeckt, die imstande ist, mindestens einen Teil ultravioletten Lichts zu übertragen, das von der Quelle ultravioletten Lichts 36 aufgebracht wird. Der Bogen 23 wird bei seinem mittigen Abschnitt durch die Platte 38 unterstützt. Ein Saugdurchgang 34b ist in einem die Aussparung 34a umgebenden Randbereich im Inneren des Haltetischs 34 ausgebildet, und ein Ende des Saugdurchgangs 34b öffnet sich in diesem Randbereich zu der oberen Fläche des Haltetischs 34, um so einen Umfangsabschnitt des Bogens 23 unter Saugkraft zu halten.
  • Das andere Ende des Saugdurchgangs 34b ist über ein Ventil 40 mit einer Unterdruckquelle 42 verbunden. Dementsprechend kann der Bogen 23 durch Aufbringen eines von der Unterdruckquelle 42 erzeugten Unterdrucks über den Saugdurchgang 34b auf den Umfangsabschnitt des Bogens 23 unter Saugkraft an dem Haltetisch 34 gehalten werden. Es ist über dem Haltetisch 34 eine Waferhalteeinheit 44 zum Halten des Wafers 11 vorgesehen. Die Waferhalteeinheit 44 weist eine untere Fläche 44a zum Halten des Wafers 11 auf. Die Waferhalteeinheit 44 ist durch einen nicht gezeigten Bewegungsmechanismus in vertikaler Richtung bewegbar unterstützt, sodass die Waferhalteeinheit 44, die den Wafer 11 hält, durch Betätigen dieses Bewegungsmechanismus in einer vertikalen Richtung bewegt werden kann. Die Waferhalteeinheit 44 kann ein Unterdruckansaugtyp sein, sodass ein Unterdruck verwendet wird, um den Wafer 11 unter Saugkraft zu halten, oder kann ein Typ mit elektrostatischer Anziehung sein, sodass eine elektrostatische Kraft verwendet wird, um den Wafer 11 zu halten.
  • Bei dem Schutzelementfixierungsschritt wird, wie in 4A gezeigt, zuvor ein flüssiges Harz 25 auf die obere Fläche des Bogens 23 aufgebracht, und die untere Fläche des Bogens 23 wird an dem Haltetisch 34 gehalten. Ferner wird die hintere Seite 11b des Wafers 11 an der unteren Fläche 44a der Waferhalteeinheit 44 gehalten. Dementsprechend liegt der Schutzfilm 21, der mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engem Kontakt gehalten wird, dem auf den Bogen 23 aufgetragenen flüssigen Harz 25 gegenüber. Das flüssige Harz 25 ist ein flüssiges Harz, das durch von der Quelle ultravioletten Lichts 36 aufgebrachtes ultraviolettes Licht härtbar ist. Zum Beispiel kann TEMPLOC (Registered Trademark) hergestellt durch Denka Co., Ltd. als flüssiges Harz 25 verwendet werden. Wie in 4A gezeigt, ist der mittige Abschnitt des flüssigen Harzes 25 vorzugsweise auf dem Bogen 23 leicht angehoben. Mit dieser Ausführung ist es möglich, dagegen vorzubeugen, dass beim Bedecken des Schutzfilms 21 mit dem flüssigen Harz 25 ein Gas (Luft) zwischen dem Schutzfilm 21 und dem flüssigen Harz 25 zurückgelassen wird.
  • Obwohl der Bogen 23 bei dieser bevorzugten Ausführungsform in dem Zustand an dem Haltetisch 34 gehalten wird, in dem das flüssige Harz 25 zuvor auf die obere Fläche des Bogens 23 aufgebracht worden ist, kann als Erstes nur der Bogen 23 an dem Haltetisch 34 gehalten werden, und das flüssige Harz 25 kann als Nächstes auf die obere Fläche des Bogens 23 aufgetragen werden.
  • Danach wird die Waferhalteeinheit 44, wie in 4B gezeigt, abgesenkt, um die vordere Seite 11a des Wafers 11 über den Schutzfilm 21 gegen das flüssige Harz 25 zu drücken. Als Ergebnis wird das flüssige Harz 25 in der radialen Richtung des Wafers 11 ausgebreitet, um so den Schutzfilm 21 vollständig zu bedecken und zudem einen exponierten Teil des Umfangsrandbereichs 11e zu bedecken. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform werden die Menge an aufzutragendem flüssigen Harz 25 und das Ausmaß des Absenkens der Waferhalteeinheit 44 so eingestellt, dass die gesamte vordere Seite 11a des Wafers 11 mit dem flüssigen Harz 25 bedeckt wird. Das heißt, das flüssige Harz 25 wird so aufgetragen, dass nicht nur der gesamte Schutzfilm 21 mit dem flüssigen Harz 25 bedeckt wird, sondern ebenso der angefaste Abschnitt des äußeren Umfangs 11c an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 mit dem flüssigen Harz 25 bedeckt wird. Danach wird von der Quelle ultravioletten Lichts ultraviolettes Licht in Richtung des flüssigen Harzes 25 aufgebracht, um dadurch das flüssige Harz 25 zu härten. Dementsprechend wird das flüssige Harz 25, wie in 4C gezeigt, zu einem Schutzelement 27 ausgebildet, das den Schutzfilm 21 vollständig bedeckt und ebenso einen exponierten Teil des Umfangsrandbereichs 11e bedeckt, und dieses Schutzelement 27 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 fixiert wird. Daraus ergibt sich, dass der Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 vollständig mit dem mit dem flüssigen Harz 25 ausgebildeten Schutzelement 27 bedeckt ist, wodurch das Schutzelement 27 über den Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 fixiert wird. Ferner wird der Bogen 23 an dem Schutzelement 27 fixiert. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird der angefaste Abschnitt des äußeren Umfangs 11c an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ebenfalls mit dem Schutzelement 27 bedeckt.
  • Nach dem Ausführen des Schutzelementfixierungsschritts wird der Schleifschritt ausgeführt, um die hintere Seite 11b des Wafers 11 zu schleifen. 5A ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Weise eines Schleifens der hinteren Seite 11b des Wafers 11 zeigt, und 5B ist eine schematische Schnittansicht des durch den Schleifschritt bearbeiteten Wafers 11.
  • Der Schleifschritt kann durch Verwendung einer in 5A gezeigten Schleifvorrichtung 52 ausgeführt werden. Die Schleifvorrichtung 52 schließt einen Spanntisch (Haltetisch) 54 zum Halten des Wafers 11 unter Saugkraft ein. Der Spanntisch 54 ist mit einer nicht gezeigten Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel ein Motor, verbunden. Dementsprechend ist der Spanntisch 54 eingerichtet, um durch Betätigen dieser Rotationsantriebsquelle um seine im Wesentlichen zu einer vertikalen Richtung parallele Achse gedreht zu werden. Ein nicht gezeigter Bewegungsmechanismus ist unter dem Spanntisch 54 vorgesehen, um den Spanntisch 54 in einer horizontalen Richtung zu bewegen. Der Spanntisch 54 weist eine obere Fläche auf, von der ein Teil als eine Haltefläche 54a zum Halten des Bogens 23 unter Saugkraft ausgebildet ist, der durch das Schutzelement 27 an dem Wafer 11 fixiert ist. Die Haltefläche 54a ist über einen nicht gezeigten Saugdurchgang mit einer nicht gezeigten Unterdruckquelle verbunden, und der Saugdurchgang ist im inneren des Spanntischs 54 ausgebildet. Durch Aufbringen eines durch die Unterdruckquelle erzeugten Unterdrucks über den Saugdurchgang auf die Haltefläche 54a in dem Zustand, in dem der Bogen 23 mit der Haltefläche 54a in Kontakt ist, kann der Wafer 11 dementsprechend über dem Bogen 23 und das Schutzelement 27 unter Saugkraft an dem Spanntisch 54 gehalten werden. Als eine Abwandlung kann der Spanntisch 54 durch einen anderen Spanntischtyp ersetzt werden, der im Stande ist, den Wafer 11 durch Verwendung eines mechanischen Verfahrens oder eines elektrischen Verfahrens zu halten.
  • Es ist eine Schleifeinheit 56 über dem Spanntisch 54 vorgesehen. Die Schleifeinheit 56 schließt ein nicht gezeigtes Spindelgehäuse ein, das an einem nicht gezeigten Hebemechanismus unterstützt wird. Eine Spindel 58 ist drehbar in dem Spindelgehäuse unterstützt. Eine scheibenförmige Halterung 60 ist an dem unteren Ende der Spindel 58 befestigt. Ein Schleifrad 62 ist an der unteren Fläche der Halterung 60 montiert, und das Schleifrad 62 weist im Wesentlichen den gleichen Durchmesser wie den der Halterung 60 auf. Das Schleifrad 62 schließt eine Radbasis 64 ein, die aus einem Metall ausgebildet ist, wie zum Beispiel rostfreiem Stahl und Aluminium. Eine Vielzahl von Schleifelementen 66 ist an der unteren Fläche der Radbasis 64 befestigt, sodass sie entlang des äußeren Umfangs der Radbasis 64 ringförmig angeordnet ist. Eine nicht gezeigte Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel ein Motor, ist mit dem oberen Ende (Basisende) der Spindel 58 verbunden. Dementsprechend ist das an der Spindel 58 befestigte Schleifrad 62 eingerichtet, um durch Betätigen dieser Rotationsantriebsquelle um seine zu einer vertikalen Richtung im Wesentlichen parallele Achse, um eine Rotationskraft zu erzeugen, gedreht zu werden. Eine nicht gezeigte Düse zum Zuführen eines Schleiffluids, wie zum Beispiel pures Wasser, zu dem Wafer 11 ist im inneren oder in der Umgebung der Schleifeinheit 56 vorgesehen.
  • Bei dem Schleifschritt wird der Wafer 11 als Erstes unter Saugkraft an dem Spanntisch 54 der Schleifvorrichtung 52 gehalten. Insbesondere wird der Wafer 11 als Erstes in dem Zustand an der Haltefläche 54a des Spanntischs 54 platziert, in dem der Bogen 23, der über das Schutzelement 27 an dem Wafer 11 fixiert ist, mit der Haltefläche 54a in Kontakt ist. Das heißt, dass die hintere Seite 11b des Wafers 11 in diesem Zustand nach oben exponiert ist. Danach wird die Unterdruckquelle betätigt, um auf die Haltefläche 54a des Spanntischs 54 einen Unterdruck aufzubringen. Dementsprechend wird der Wafer 11 über dem Bogen 23 und das Schutzelement 27 in dem Zustand unter Saugkraft an dem Spanntisch 54 gehalten, in dem die hintere Seite 11b des Wafers 11 nach oben exponiert ist. Danach wird der Spanntisch 54 zu der Position unter der Schleifeinheit 56 bewegt. In diesem Zustand werden sowohl der Spanntisch 54 als auch das Schleifrad 62 gedreht, und das Spindelgehäuse (die Spindel 58 und das Schleifrad 62) wird dann während eines Zuführens des Schleiffluids zu der hinteren Seite 11b des Wafers 11, wie in 5A gezeigt, abgesenkt.
  • Die Absenkgeschwindigkeit (Zuführgeschwindigkeit) des Spindelgehäuses wird so eingestellt, dass die untere Fläche von jedem Schleifelement 66 durch eine ausreichende Kraft gegen die hintere Seite 11b des Wafers 11 gedrückt wird. Dementsprechend kann die hintere Seite 11b des Wafers 11 durch das Schleifrad 62 geschliffen werden, um dadurch die Dicke des Wafers 11 zu reduzieren. Wenn die Dicke des Wafers 11 auf eine vorbestimmte fertiggestellte Dicke reduziert ist und der Boden der ringförmigen Nut 11f, wie in 5B gezeigt, zu der hinteren Seite 11b des Wafers 11 exponiert ist, ist der Schleifschritt abgeschlossen. Als Ergebnis dieses Schleifschritts wird der Wafer 11 entlang der ringförmigen Nut 11f in einen ringförmigen Abschnitt 11g einschließlich des Bauelementbereichs 11d und einen ringförmigen Abschnitt 11h einschließlich des Umfangsrandbereichs 11e getrennt. Obwohl bei dieser bevorzugten Ausführungsform ein Satz der Schleifeinheit 56 verwendet wird, um die hintere Seite 11b des Wafers 11 zu schleifen, können zwei oder mehr Sätze der Schleifeinheiten verwendet werden, um die hintere Seite 11b des Wafers 11 zu schleifen. Zum Beispiel kann ein erster Satz von Schleifelementen, die jeweils Schleifkörner großer Größe aufweisen, als Erstes verwendet werden, um ein Grobschleifen der hinteren Seite 11b des Wafers 11 auszuführen, und ein zweiter Satz von Schleifelementen, die jeweils Schleifkörner kleiner Größe aufweisen, kann als Nächstes verwendet werden, um ein Feinschleifen der hinteren Seite 11b des Wafers 11 auszuführen. In diesem Fall kann die Flachheit der hinteren Seite 11b des Wafers 11 ohne starkes Verlängern der zum Schleifen benötigten Zeit verbessert werden.
  • Nach dem Ausführen des Schleifschritts wird der Abziehschritt ausgeführt, um den Schutzfilm 21 und das Schutzelement 27 von dem kreisförmigen Abschnitt 11g des durch den Schleifschritt verdünnten Wafers 11 abzuziehen und den Schutzfilm 21 und das Schutzelement 27 zusammen mit dem ringförmigen Abschnitt 11h des Wafers 11 zu entfernen. 6 ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms 21 und des Schutzelements 27 von dem Wafer 11 zeigt. Bei dem Abziehschritt wird eine Waferhalteeinheit 72 mit einer Haltefläche 72a verwendet, um den Wafer 11 zu halten. Das heißt, dass die hintere Seite 11b des Wafers 11 an der Haltefläche 72a der Waferhalteeinheit 72 gehalten wird. Die Waferhalteeinheit 72 kann ein Unterdruckansaugtyp sein, sodass ein Unterdruck verwendet wird, um den Wafer 11 unter Saugkraft an der Haltefläche 72a zu halten, oder kann ein Typ mit elektrostatischer Anziehung sein, sodass eine elektrostatische Kraft verwendet wird, um den Wafer 11 an der Haltefläche 72a zu halten.
  • Nach dem Halten des Wafers 11 an der Haltefläche 72a der Waferhalteeinheit 72, wird eine Abzieheinheit 74 verwendet, um das Schutzelement 27 und den Schutzfilm 21 abzuziehen. Insbesondere wird ein Umfangsabschnitt des Bogens 23 durch die Abzieheinheit 74 gegriffen. Danach werden die Waferhalteeinheit 72 und die Abzieheinheit 74 relativ zueinander bewegt, sodass der Umfangsabschnitt des Bogens 23, wie in 6 gezeigt, von dem Wafer 11 wegbewegt wird. Zu diesem Zeitpunkt wird der Schutzfilm 21 von dem Bauelementbereich 11d des kreisförmigen Abschnitts 11g des Wafers 11 abgezogen. Dementsprechend wird der ringförmige Abschnitt 11h von dem kreisförmigen Abschnitt 11g wegbewegt, und der Schutzfilm 21, das Schutzelement 27 und der Bogen 23 können, wie in 6 gezeigt, zusammen von dem kreisförmigen Abschnitt 11g des Wafers 11 abgezogen werden. Der Schutzfilm 21, das Schutzelement 27 und der Bogen 23, die von dem kreisförmigen Abschnitt 11g abgezogen worden sind, werden zusammen mit dem ringförmigen Abschnitt 11h verworfen. Um das Entfernen des ringförmigen Abschnitts 11h von der Waferhalteeinheit 72 zu erleichtern, kann die Haltekraft (Anziehung) für den ringförmigen Abschnitt 11h durch die Waferhalteeinheit 72 zuvor kleiner eingestellt werden, als die für den kreisförmigen Abschnitt 11g.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der obigen bevorzugten Ausführungsform wird der Bauelementbereich 11d, wo die Bauelemente 15 ausgebildet sind, die jeweils die Kontakthöcker (Unebenheiten) 17 aufweisen, als Erstes mit dem Schutzfilm 21 bedeckt, und der Schutzfilm 21 wird dann mit dem Bauelementbereich 11d auf so eine Weise in engen Kontakt gebracht, dass er der Form jeden Kontakthöckers 17 folgt. Danach werden der Schutzfilm 21 und ein exponierter Teil des Umfangsrandbereichs 11e mit dem Schutzelement 27 bedeckt, das mit dem flüssigen Harz 25 ausgebildet wird, das durch ultraviolettes Licht (äußerer Stimulus) härtbar ist, wodurch das Schutzelement 27 über den Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 fixiert wird. Durch Ausbilden des Schutzelements 27 mit einer geeigneten Dicke können die Unebenheiten aufgrund der an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildeten Kontakthöcker 17 auf effiziente Weise aufgenommen werden.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Schutzfilm 21 nicht an den Bauelementbereich 11d des Wafers 11 geklebt, sondern wird mit dem Bauelementbereich 11d lediglich in engen Kontakt gebracht. Dementsprechend können das Schutzelement 27 und der Schutzfilm 21 auf einfache Weise ohne Notwendigkeit übermäßiger auf das Abziehen gerichtete Arbeit, wie zum Beispiel ein Eintauchen des Wafers 11 in eine Lösung oder ein Erwärmen des Wafers 11 auf hohe Temperaturen, von dem Bauelementbereich 11d abgezogen werden. Da in dem Bauelementbereich 11d kein Haftmittel zurückgelassen wird, ist es ferner nicht notwendig, irgendeinen Vorgang zum Entfernen des Haftmittels auszuführen. Folglich ist es in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform möglich, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, welches die Effekte zeigen kann, dass der Einfluss der Unebenheiten aufgrund der Kontakthöcker 17, die an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 vorliegen, beim Schleifen der hinteren Seite 11b des Wafers 11 ausreichend unterdrückt werden kann und dass der Abziehvorgang nach dem Schleifen ebenfalls auf einfache Weise ausgeführt werden kann.
  • Ferner wird bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform auch ein exponierter Teil des Umfangsrandbereichs 11e mit dem Schutzelement 27 bedeckt, das mit dem durch ultraviolettes Licht härtbaren flüssigen Harz 25 ausgebildet wird. Dementsprechend haftet das Schutzelement 27 in dem Umfangsrandbereich 11e direkt an dem Wafer 11, das heißt, das Schutzelement 27 wird mit dem Umfangsrandbereich 11e des Wafers 11 verbunden. Obwohl der Schutzfilm 21 bei dieser bevorzugten Ausführungsform keine Haftung durch ein Haftmittel (Klebstoff) aufweist, gibt es keine Möglichkeit, dass der Schutzfilm 21 und das Schutzelement 27 beim Schleifen des Wafers 11 von dem Wafer 11 abgezogen werden können.
  • Zudem wird bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform die ringförmige Nut 11f mit einer Tiefe, die größer als die fertiggestellte Dicke des Wafers 11 ist, als Erstes an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs 11e ausgebildet. Danach wird die hintere Seite 11b des Wafers 11 geschliffen, um den Wafer 11 auf die fertiggestellte Dicke zu verdünnen. Dementsprechend wird der Wafer 11 durch Schleifen des Wafers 11 entlang der ringförmigen Nut 11f in den kreisförmigen Abschnitt 11g einschließlich des Bauelementbereichs 11d und den ringförmigen Abschnitt 11h einschließlich des Umfangsrandbereichs 11e getrennt. Als Ergebnis ist es nicht notwendig, das Schutzelement 27 bei dem Abziehschritt von dem ringförmigen Abschnitt 11h abzuziehen. Das heißt, dass während des Abziehschritts nur durch Wegbewegen des ringförmigen Abschnitts 11h von dem kreisförmigen Abschnitt 11g das Schutzelement 27 und der Schutzfilm 21 von dem Bauelementbereich 11d des kreisförmigen Abschnitts 11g abgezogen werden können.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obige bevorzugte Ausführungsform beschränkt, sondern es können vielfältige Abwandlungen ausgeführt werden. Obwohl das flüssige Harz 25 bei dieser bevorzugten Ausführungsform ein flüssiges Harz ist, das durch ultraviolettes Licht als äußeren Stimulus härtbar ist, kann zum Beispiel ein anderer Typ eines flüssigen Harzes als das flüssige Harz 25 verwendet werden, der durch einen anderen äußeren Stimulus (zum Beispiel Wärme) als ultraviolettes Licht härtbar ist.
  • Ferner wird der Wafer 11 bei dieser bevorzugten Ausführungsform über den Schutzfilm 21 gegen das auf den Bogen 23 aufgetragene flüssige Harz 25 gedrückt, um dadurch das Schutzelement 27 an dem Wafer 11 zu fixieren. Als eine Abwandlung kann das flüssige Harz 25 ohne Verwendung des Bogens 23 auf den Wafer 11 oder den Schutzfilm 21 getropft werden, um dadurch das Schutzelement 27 an dem Wafer 11 zu fixieren. In diesem Fall wird die exponierte Fläche des Schutzelements 27 vorzugsweise durch Verwenden einer Flächenplanarisierungseinrichtung oder Ähnlichem flacher gemacht. Durch flacher machen beziehungsweise Abflachen der exponierten Fläche des an dem Spanntisch 54 zu haltenden Schutzelements 27 beim Schleifen des Wafers 11 kann die hintere Seite 11b des Wafers 11 als Arbeitsfläche während des Schleifschritts flach geschliffen werden.
  • Ferner wird bei der obigen bevorzugten Ausführungsform das Gewicht 14 über das Dämpfungselement 12 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 platziert (das heißt an dem Schutzfilm 21, der die vordere Seite 11a bedeckt), um so den Schutzfilm 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 zu drücken. In diesem Zustand wird der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht. Jedoch können beliebige andere Verfahren verwendet werden, um den Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt zu bringen.
  • 7A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem die vordere Seite 11a des Wafers 11 während eines Schritts eines in engen Kontakt Bringens bei einem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung mit dem Schutzfilm 21 bedeckt wird, und die 7B und 7C sind schematische seitliche Schnittansichten, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 während des Schritts eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung zeigen. Die anderen Schritte bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung können die gleichen sein wie jene bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der obigen bevorzugten Ausführungsform.
  • Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung wird der Schutzfilm 21 als Erstes auf die vordere Seite 11a des Wafers 11 (dem Bauelementbereich 11d) aufgelegt, um dadurch die vordere Seite 11a des Wafers 11, wie in 7A gezeigt, mit dem Schutzfilm 21 zu bedecken. Diese Prozedur ist ähnlich zu der bei der obigen bevorzugten Ausführungsform. Danach wird der Wafer 11, wie in 7B gezeigt, in eine Unterdruckkammer 16 geladen. Die Grundausführung der Unterdruckkammer 16, die während des Schutz eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung zu verwenden ist, ist die gleiche, wie jene der in 7B gezeigten Unterdruckkammer in Übereinstimmung mit der obigen bevorzugten Ausführungsform, mit Ausnahme, dass die Unterdruckkammer 16 in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung eine Andruckeinheit (Druckelement) 82 zum Drücken des Schutzfilms 21 gegen den Wafer 11 einschließt und die Andruckeinheit 82, wie in 7B gezeigt, an der inneren Wandfläche des Türelements 16b vorgesehen ist. Ferner wird ein Dämpfungselement 84, wie zum Beispiel ein Schaum, an der unteren Fläche der Andruckeinheit 82 vorgesehen, sodass er dem Stütztisch 26 gegenüberliegt. Wie in den 7B und 7C gezeigt, wird der Wafer 11 an dem Stütztisch 26 der Unterdruckkammer 16 platziert, und das Türelement 16b wird geschlossen, sodass der Schutzfilm 21 durch die Andruckeinheit 82 über das Dämpfungselement 84 gedrückt wird. Dementsprechend wird der Schutzfilm 21 durch die Andruckeinheit 82 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Das heißt, dass ein Teil des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in Kontakt kommt.
  • Danach wird das Ventil 24, wie in 7C gezeigt, geschlossen, und das Ventil 20 wird als Nächstes geöffnet, um dadurch den Innenraum der Unterdruckkammer 16 zu evakuieren.
  • Als Ergebnis wird der Schutzfilm 21 unter Unterdruck gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Ferner wird ein Gas (Luft), das zwischen dem Schutzfilm 21 und der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zurückgelassen wird, entfernt. Nach einem ausreichenden Evakuieren des Innenraums der Unterdruckkammer 16 wird das Ventil 20 geschlossen, und das Ventil 24 wird als Nächstes geöffnet, um die Außenluft (Atmosphärenluft) in den Innenraum der Unterdruckkammer 16 einzuführen. Als Ergebnis wird atmosphärischer Druck auf den Schutzfilm 21 aufgebracht, sodass der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht werden kann, um so der Form jeden Kontakthöckers 17 zu folgen, der an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet ist. Zu diesem Zeitpunkt wird ein Teil des Schutzfilms 21 durch den atmosphärischen Druck in die ringförmige Nut 11f gezwungen, um mit der Innenfläche der ringförmigen Nut 11f in engen Kontakt zu kommen. Beim Aufbringen des atmosphärischen Drucks auf den Schutzfilm 21 kann die Heizeinrichtung 28 betätigt werden, um den Schutzfilm 21 zu erwärmen, wodurch der Schutzfilm 21 weicher gemacht wird. In diesem Fall kann der Schutzfilm 21 auf einfachere Weise mit dem Wafer 11 in engen Kontakt gebracht werden.
  • Die 8A und 8B sind schematische Schnittansichten, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 während eines Schritts eines in engen Kontakt Bringens bei einem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einer zweiten Abwandlung zeigen. Die anderen Schritte des Waferbearbeitungsverfahrens in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung können die gleichen sein wie jene bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der obigen bevorzugten Ausführungsform.
  • Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung wird die hintere Seite 11b des Wafers 11 an einer Stützfläche 92a eines Stütztischs 92 unterstützt. Die Grundausführung des Stütztischs 92 kann die gleiche sein wie jene des Stütztischs 26. Danach wird der Schutzfilm 21, der zuvor an der unteren Fläche eines Abziehbogens 29 gehalten wird, der vorderen Seite 11a des Wafers 11 (dem Bauelementbereich 11d) gegenübergelegt. Danach wird eine Druckwalze 96 verwendet, um einen abwärts gerichteten Druck auf die obere Fläche des Abziehbogens 29 auszuüben, um dadurch den Schutzfilm 21, wie in 8A gezeigt, gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 zu drücken. Zu diesem Zeitpunkt wird vorzugsweise eine im inneren des Stütztischs 92 vorgesehene Heizeinrichtung 94 betätigt, um den Schutzfilm 21 zu erwärmen, wodurch der Schutzfilm 21 weicher gemacht wird. Dementsprechend kann der Schutzfilm 21 mit dem Bauelementbereich 11d des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht werden. Als Letztes wird der Abziehbogen beziehungsweise der Abziehbogen 29, wie in 8B gezeigt, von dem Schutzfilm 21 abgezogen. Als Abwandlung kann dieser Schritt eines in engen Kontakt Bringens unter Verwendung der Druckwalze 96 wie bei der obigen bevorzugten Ausführungsform oder der ersten Abwandlung in der Unterdruckkammer 16 ausgeführt werden.
  • 9 ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 während eines Schritts eines in engen Kontakt Bringens bei einem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einer dritten Abwandlung zeigt. Die anderen Schritte bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung können die gleichen sein wie jene bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der obigen bevorzugten Ausführungsform. Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung wird als Erstes eine Flüssigkeit 31, wie in 9 gezeigt, der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zugeführt. Danach wird der Schutzfilm 21 mit der Flüssigkeit 31 dazwischen eingefügt gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt.
  • Insbesondere wird die hintere Seite 11b des Wafers 11 an einer Stützfläche 102a eines Stütztischs 102 unterstützt. Die Grundausführung des Stütztischs 102 kann die gleiche sein wie jene des Stütztischs 26 oder Ähnliches. Wie in 9 gezeigt, ist die Stützfläche 102a mit einem hervorstehenden Führungsabschnitt 102b zum Positionieren des Wafers 11 an der Stützfläche 102a versehen. Danach wird die Flüssigkeit 31 der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zugeführt. Die dem Wafer 11 zuzuführende Flüssigkeit 31 ist nicht besonders in ihrer Art beschränkt, jedoch wird bevorzugt, eine bei Raumtemperatur (20 °C) schwer zu verdampfende Flüssigkeit zu verwenden, die einen nicht so hohen Siedepunkt aufweist (zum Beispiel 100 °C oder weniger). Zum Beispiel kann Wasser als Flüssigkeit 31 verwendet werden. Bei dieser Abwandlung wird die Flüssigkeit 31 dem Mittelpunkt der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zugeführt. Danach wird der Schutzfilm 21 der vorderen Seite 11a des Wafers 11 gegenübergelegt. Insbesondere wird der Schutzfilm 21 der vorderen Seite 11a des Wafers 11 über die Flüssigkeit 31 so aufgelegt, dass er die ringförmige Nut 11f vollständig bedeckt, die an der vorderen Seite 11a entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs 11e ausgebildet ist. Danach wird eine über dem Stütztisch 102 vorgesehene Andruckeinheit 104 verwendet, um den Schutzfilm 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 zu drücken.
  • Die Andruckeinheit 104 weist eine im Wesentlichen flache untere Fläche auf, die einen größeren Durchmesser als der Wafer 11 aufweist. Ein Dämpfungselement 106, wie zum Beispiel ein Schaum, ist an der unteren Fläche der Andruckeinheit 104 vorgesehen. Das Dämpfungselement 106 weist einen größeren Durchmesser als der Wafer 11 auf. Das Dämpfungselement 106 weist eine Dicke auf, die in der radialen Richtung von dem äußeren Umfang zu dem Mittelpunkt graduell bzw. schrittweise ansteigt. Wenn die Andruckeinheit 104 graduell abgesenkt wird, kommt der Mittelpunkt des Dämpfungselements 106 dementsprechend als Erstes mit der oberen Fläche des Schutzfilms 21 in Kontakt. Wenn die Andruckeinheit 104 weiter abgesenkt wird, wird ein Kontaktbereich zwischen dem Dämpfungselement 106 und dem Schutzfilm 21 graduell erhöht, sodass der Schutzfilm 21 beginnend von dem Mittelpunkt des Wafers 11 in einer Richtung radial nach außen gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt wird. Das Absenken der Andruckeinheit 104 wird fortgeführt, bis der gesamte Schutzfilm 21 gegen den Wafer 11 gedrückt wird.
  • Dementsprechend kann der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht werden, um so der Form jeden Kontakthöckers 17 zu folgen, der an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet ist. Bei dieser Abwandlung wird die Flüssigkeit 31 als Erstes der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zugeführt, sodass der Schutzfilm 21 mit einem Film der Flüssigkeit 31 dazwischen eingefügt mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht wird. Beim Drücken des Schutzfilms 21 gegen den Wafer 11 kann eine nicht gezeigte Heizeinrichtung betätigt werden, um den Schutzfilm 21 zu erwärmen, wodurch der Schutzfilm 21 weicher gemacht wird. In diesem Fall kann der Schutzfilm 21 auf einfachere Weise mit dem Wafer 11 in engen Kontakt gebracht werden. Dieser Schritt eines in engen Kontakt Bringens unter Verwendung der Andruckeinheit 104 kann wie bei der obigen bevorzugten Ausführungsform oder der ersten Abwandlung in der Unterdruckkammer 16 ausgeführt werden.
  • Nach dem Ausführen des Schritts eines in engen Kontakt Bringens werden ein Schutzelementfixierungsschritt und ein Schleifschritt mit einer Prozedur ausgeführt, die der der obigen bevorzugten Ausführungsform ähnlich ist, und dann wird ein Abziehschritt ausgeführt.
  • 10 ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms 21 und des Schutzelements 27 von dem Wafer 11 während des Abziehschritts bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung zeigt. Bei dem Abziehschritt in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung wird die hintere Seite 11b des Wafers 11 als Erstes an einer Haltefläche 72a einer in 10 gezeigten Waferhalteeinheit 72 gehalten. Bei dieser Abwandlung ist eine Heizeinrichtung 76 im inneren der Waferhalteeinheit 72 vorgesehen.
  • Nach dem Halten des Wafers 11 an der Haltefläche 72a der Waferhalteeinheit 72 wird eine Abzieheinheit 74 verwendet, um einen Umfangsabschnitt des Bogens 23 zu greifen. Danach werden die Waferhalteeinheit 72 und die Abzieheinheit 74 relativ zueinander bewegt, um so den Schutzfilm 21 von dem Bauelementbereich 11d des kreisförmigen Abschnitts 11g des Wafers 11 weg abzuziehen. Zu diesem Zeitpunkt wird vorzugsweise die Heizeinrichtung 76 betätigt, um die zwischen dem Schutzfilm 21 und dem kreisförmigen Abschnitt 11g zurückgelassene Flüssigkeit 31 zu erwärmen, wodurch die Flüssigkeit 31 verdampft wird. Dementsprechend wird der ringförmige Abschnitt 11h von dem kreisförmigen Abschnitt 11g wegbewegt, und der Schutzfilm 21, das Schutzelement 27 und der Bogen 23 können, wie in 10 gezeigt, zusammen von dem kreisförmigen Abschnitt 11g des Wafers 11 abgezogen werden. Der Schutzfilm 21, das Schutzelement 27 und der Bogen 23, die von dem kreisförmigen Abschnitt 11g abgezogen werden, werden zusammen mit dem ringförmigen Abschnitt 11h verworfen. Um das Entfernen des ringförmigen Abschnitts 11h von der Waferhalteeinheit 72 zu erleichtern, kann die Haltekraft (Anziehung) für den ringförmigen Abschnitt 11h durch die Waferhalteeinheit 72 zuvor kleiner eingestellt werden als die für den kreisförmigen Abschnitt 11g.
  • Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung wird der Schutzfilm 21 beginnend von dem Mittelpunkt des Wafers 11 in einer Richtung radial nach außen gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Dementsprechend ist es möglich, dagegen vorzubeugen, dass ein Gas (Luft) zwischen dem Wafer 11 und dem Schutzfilm 21 zurückgelassen werden kann, um dadurch den Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zuverlässig in engen Kontakt zu bringen. Obwohl der Schutzfilm 21 keine Haftung durch ein Haftmittel (Klebstoff) aufweist, besteht dementsprechend als Ergebnis keine Möglichkeit, dass der Schutzfilm 21 und das Schutzelement 27 beim Schleifen des Wafers 11 von dem Wafer 11 abgezogen werden können.
  • Ferner wird die Flüssigkeit 31 bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung bewegt, um beim Drücken des Schutzfilms 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 ein Gas (Luft) heraus zu drücken. Dementsprechend wird dagegen vorgebeugt, dass das Gas zwischen dem Wafer 11 und dem Schutzfilm 21 zurückgelassen wird, wodurch der Schutzfilm 21 zuverlässiger mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht wird. Ferner wird bei dem Abziehschritt in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung ein Film der Flüssigkeit 31, der zwischen dem Schutzfilm 21 und dem Wafer 11 zurückgelassen wird, durch Erwärmen verdampft, sodass der Schutzfilm 21 auf einfachere Weise abgezogen werden kann.
  • Die Waferhalteeinheit 72 und die Abzieheinheit 74, die in 10 gezeigt werden, können in einer Unterdruckkammer angeordnet sein. In diesem Fall kann der Abziehschritt unter Unterdruck ausgeführt werden, sodass der Siedepunkt der Flüssigkeit 31 abgesenkt werden kann, um dadurch das Verdampfen der Flüssigkeit 31 zu erleichtern.
  • 11 ist eine schematische seitliche Schnittansicht, die eine Ausbildungsweise einer ringförmigen Nut 11f an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 während eines Ausbildungsschritts einer ringförmigen Nut bei einem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einer vierten Abwandlung zeigt. Die anderen Schritte bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vierten Abwandlung können die gleichen sein, wie jene bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der obigen bevorzugten Ausführungsform. Der Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut in Übereinstimmung mit der vierten Abwandlung kann durch Verwendung einer in 11 gezeigten Laserbearbeitungsvorrichtung 112 ausgeführt werden. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 112 schließt einen Spanntisch (Haltetisch 114) zum Halten des Wafers 11 unter Saugkraft ein. Der Spanntisch 114 ist mit einer nicht gezeigten Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel einem Motor, verbunden. Dementsprechend ist der Spanntisch 114 eingerichtet, um durch Betätigen dieser Rotationsantriebsquelle um seine im Wesentlichen zu einer vertikalen Richtung parallelen Achse gedreht zu werden. Ferner ist ein nicht gezeigter sich in horizontaler Richtung bewegender Mechanismus unter dem Spanntisch 114 vorgesehen, um so den Spanntisch 114 in einer Zuführrichtung (erste horizontale Richtung) und in einer Einteilungsrichtung (zweite horizontale Richtung) senkrecht zu der Zuführrichtung in einer horizontalen Ebene zu bewegen.
  • Der Spanntisch 114 weist eine obere Fläche auf, von der ein Teil als eine Haltefläche 114a zum Halten der hinteren Seite 11b des Wafers 11 unter Saugkraft ausgebildet ist. Die Haltefläche 114a ist über einen nicht gezeigten Saugdurchgang mit einer nicht gezeigten Unterdruckquelle verbunden, und der Saugdurchgang ist im inneren des Spanntischs 114 ausgebildet. Durch Aufbringen eines Unterdrucks, der durch die Unterdruckquelle erzeugt wird, über den Saugdurchgang auf die Haltefläche 114a in dem Zustand, in dem die hintere Seite 11b des Wafers 11 mit der Haltefläche 114a in Kontakt ist, kann der Wafer 11 dementsprechend unter Saugkraft an dem Spanntisch 114 gehalten werden. Als eine Abwandlung kann der Spanntisch 114 durch einen anderen Spanntischtyp ersetzt werden, der im Stande ist, den Wafer 11 durch Verwenden eines mechanischen Verfahrens oder eines elektrischen Verfahrens zu halten. Eine Laseraufbringeinheit 116 ist über dem Spanntisch 114 vorgesehen, um so einen Laserstrahl 116a auf den an dem Spanntisch 114 gehaltenen Wafer aufzubringen, und der Laserstrahl 116a ist ein gepulster Laserstrahl, der eine Absorptionswellenlänge für den Wafer 11 aufweist, das heißt eine in dem Wafer 11 einfach zu absorbierende Wellenlänge.
  • Bei dem Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut in Übereinstimmung mit der vierten Abwandlung wird der Wafer 11 als Erstes in dem Zustand an dem Spanntisch 114 platziert, in dem die hintere Seite 11b des Wafers 11 mit der Haltefläche 114a des Spanntischs 114 in Kontakt ist. Zu diesem Zeitpunkt wird der Mittelpunkt des Wafers 11 dazu gebracht, in Draufsicht gesehen im Wesentlichen mit der Rotationsachse des Spanntischs 114 zusammen zu fallen. Danach wird ein durch die Unterdruckquelle erzeugter Unterdruck auf den Wafer 11 aufgebracht, der an der Haltefläche 114a des Spanntischs 114 platziert ist. Dementsprechend wird der Wafer 11 in dem Zustand an dem Spanntisch 114 unter Saugkraft gehalten, in dem die vordere Seite 11a des Wafers 11 nach oben exponiert ist.
  • Danach wird der Laserstrahl 116a von der Laseraufbringeinheit 116 auf die vordere Seite 11a des Wafers 11 entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs 11e aufgebracht. Insbesondere wird der Laserstrahl 116a, wie in 11 gezeigt, auf den inneren Umfang des Umfangsrandbereichs 11e aufgebracht, der an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet ist, und gleichzeitig wird der Spanntisch 114 gedreht. Die Laserbearbeitungsbedingungen durch den Laserstrahl 116a werden eingestellt, um eine ringförmige Nut 11f mit einer Tiefe auszubilden, die größer als die fertiggestellte Dicke des Wafers 11 ist. Als Ergebnis kann die ringförmige Nut 11f mit einer Tiefe, die größer als die fertiggestellte Dicke des Wafers 11 ist, an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs 11e ausgebildet werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.

Claims (10)

  1. Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Wafers, der einen mittigen Bauelementbereich und einen den Bauelementbereich an der vorderen Seite umgebenden Umfangsrandbereich aufweist, wobei in dem Bauelementbereich eine Vielzahl von Bauelementen ausgebildet ist, die jeweils Unebenheiten aufweisen, wobei das Waferbearbeitungsverfahren umfasst: einen Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut mit einem Ausbilden einer ringförmigen Nut an der vorderen Seite des Wafers entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs, wobei die ringförmige Nut eine Tiefe aufweist, die größer als eine fertiggestellte Dicke des Wafers ist; nach dem Ausführen eines Ausbildungsschritts einer ringförmigen Nut einen Schritt eines in engen Kontakt Bringens mit einem Bedecken des Bauelementbereichs und der ringförmigen Nut an der vorderen Seite des Wafers mit einem Schutzfilm und als Nächstes einem in engen Kontakt Bringen des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers, um den Unebenheiten jeden Bauelements zu folgen, das an der vorderen Seite des Wafers ausgebildet ist; nach dem Ausführen des Schritts eines in engen Kontakt Bringens einen Schutzelementfixierungsschritt mit einem Bedecken des Schutzfilms und eines exponierten Teils des Umfangsrandbereichs mit einem Schutzelement, das mit einem durch einen äußeren Stimulus härtbaren flüssigen Harz ausgebildet wird, um dadurch das Schutzelement über dem Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers zu fixieren; nach dem Ausführen des Schutzelementfixierungsschritts einen Schleifschritt mit einem Halten des an dem Wafer fixierten Schutzelements an einer Haltefläche eines Spanntischs in dem Zustand, in dem die hintere Seite des Wafers exponiert ist, und als Nächstes einem Schleifen der hinteren Seite des Wafers, um dadurch die Dicke des Wafers auf eine fertiggestellte Dicke des Wafers zu reduzieren, sodass der Boden der ringförmigen Nut an der hinteren Seite des Wafers exponiert ist, wodurch der Wafer entlang der ringförmigen Nut in einen ringförmigen Abschnitt einschließlich des Umfangsrandbereichs und einen kreisförmigen Abschnitt einschließlich des Bauelementbereichs in dem Zustand getrennt wird, in dem das Schutzelement an dem Wafer fixiert ist; und einen Abziehschritt mit einem Abziehen des Schutzelements und des Schutzfilms von dem Bauelementbereich des kreisförmigen Abschnitts und einem Entfernen des Schutzelements und des Schutzfilms zusammen mit dem ringförmigen Abschnitt.
  2. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt eines in engen Kontakt Bringens den Schritt eines Zwingens des Schutzfilms in die ringförmige Nut einschließt, um dadurch den Schutzfilm mit der Innenfläche der ringförmigen Nut in engen Kontakt zu bringen.
  3. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut den Schritt eines Schneidens der vorderen Seite des Wafers entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs durch Verwenden einer Schneidklinge einschließt, um dadurch die ringförmige Nut auszubilden.
  4. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Ausbildungsschritt einer ringförmigen Nut den Schritt eines Aufbringens eines Laserstrahls auf die vordere Seite des Wafers entlang des inneren Umfangs des Umfangsrandbereichs einschließt, wobei der Laserstrahl eine Absorptionswellenlänge für den Wafer aufweist, um dadurch die ringförmige Nut auszubilden.
  5. Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der äußere Umfang des Wafers an der vorderen Seite des Wafers angefast ist; wobei der Schutzelementfixierungsschritt den Schritt eines vollständigen Bedeckens der vorderen Seite des Wafers mit dem Schutzelement auf so eine Weise einschließt, dass ein angefaster Abschnitt des äußeren Umfangs des Wafers ebenfalls mit dem Schutzelement bedeckt wird.
  6. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schutzelementfixierungsschritt die Schritte eines Aufbringens des flüssigen Harzes auf einen flachen Bogen, als Nächstes eines Drückens des Wafers gegen das flüssige Harz über dem Schutzfilm, um dadurch den Schutzfilm vollständig mit dem flüssigen Harz zu bedecken, und als Nächstes eines Aufbringens des äußeren Stimulus auf das flüssige Harz, um dadurch das flüssige Harz zu härten, einschließt, wodurch das Schutzelement mit dem flüssigen Harz ausgebildet wird und das Schutzelement an dem Wafer fixiert wird.
  7. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schritt eines in engen Kontakt Bringens die Schritte eines Drückens des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers unter einem Unterdruck und als Nächstes eines Aufbringens eines atmosphärischen Drucks auf den Schutzfilm einschließt, um dadurch den Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt zu bringen, um so den Unebenheiten zu folgen.
  8. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schritt eines in engen Kontakt Bringens die Schritte eines Gegenüberlegens des Schutzfilms an der vorderen Seite des Wafers und als Nächstes ein Drücken des Schutzfilms in einer Richtung radial nach außen beginnend von dem Mittelpunkt des Wafers gegen die vordere Seite des Wafers einschließt, um dadurch den Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt zu bringen, um den Unebenheiten zu folgen.
  9. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schritt eines in engen Kontakt Bringens die Schritte eines Zuführens einer Flüssigkeit zu der vorderen Seite des Wafers und als Nächstes eines Drückens des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers mit der dazwischen eingefügten Flüssigkeit einschließt.
  10. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 9, bei dem der Abziehschritt den Schritt eines Erwärmens der zwischen dem Schutzfilm und der vorderen Seite des Wafers zurückgelassenen Flüssigkeit einschließt, um dadurch die Flüssigkeit zu verdampfen.
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