DE102013219271B4 - Schutzelement und Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Schutzelement (10) zum Schützen einer Vorderseite (1a) eines Wafers (1), der einen Baugruppenbereich (3), in dem mehrere Baugruppen (2) ausgebildet sind und einen an der Außenseite befindlichen Randbereich (4) aufweist, der den Baugruppenbereich (3) umgibt, wobei das Schutzelement (10) aufweist:eine kreisförmige Basis (11), mit einem Durchmesser der größer oder gleich dem Durchmesser des Wafers (1) ist, wobei eine Vorderseite der kreisförmigen Basis (11) mit einer Ausnehmung (12) ausgebildet ist, die in ihren Abmessungen größer ist, als der Baugruppenbereich (3) und in ihren Abmessungen kleiner ist, als der Wafer (1); undein Unebenheit-Aufnahmeelement (14), das in der Ausnehmung (12) vorgesehen ist, wobei das Unebenheit-Aufnahmeelement (14) mit einer an der Außenseite befindlichen Ausbuchtung (13) fluchtet oder im Niveau niedriger als die an der Außenseite befindliche Ausbuchtung (13) ist.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schutzelement zum Schützen der Vorderseite eines Wafers, wie etwa eines Halbleiterwafers, und auch ein das Schutzelement verwendende Waferbearbeitungsverfahren, wie etwa Schleifen des Wafers.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • In einem Halbleiterbaugruppenherstellungsprozess werden mehrere Baugruppen (engl.: devices) mit elektronischen Schaltkreisen auf der Vorderseite eines Halbleiterwafers ausgebildet, und die Rückseite des Halbleiterwafers wird geschliffen, um die Dicke des Halbleiterwafers zu reduzieren. Danach wird der Halbleiterwafer in die einzelnen Baugruppen zerteilt. Im Allgemeinen wird ein Rückseitenschleifen des Wafers durch ein Verfahren ausgeführt, das die Schritte aufweist: Halten des Wafers auf einem Haltetisch in dem Zustand, in dem die Rückseite des Wafers exponiert ist, und als nächstes Schleifen der Rückseite des auf dem Haltetisch gehaltenen Wafers durch verwenden von Schleifelementen von Schleifeinrichtungen. Falls die Vorderseite bei Ausführung dieses Verfahrens mit dem Haltetisch in direkten Kontakt kommt, können die auf der Vorderseite des Wafers ausgebildeten Baugruppen beschädigt werden. Deshalb wird ein Schutzelement auf der Vorderseite des Wafers angebracht, um die Baugruppen vor Halten des Wafers auf dem Haltetisch zu schützen.
  • Beispiele für aus dem Stand der Technik bekannte Schutzelemente beinhalten ein Schutzband, das in der japanischen Offenlegungsschrift mit der Veröffentlichungsnummer JP H05- 198 542 A offenbart ist, und ein Waferunterstützungssystem, das in der japanischen Offenlegungsschrift mit der Veröffentlichungsnummer JP 2004- 207 606 A offenbart ist. Das Schutzband wird von einer Grundschicht und einer Haftschicht gebildet, die auf einer Seite der Grundschicht ausgebildet ist. Das Schutzband ist mittels seiner Haftschicht auf der Vorderseite des Wafers angebracht. Auf der anderen Seite ist das Waferunterstützungssystem üblicherweise durch Verwenden eines Haftmittels an dem Wafer angebracht.
  • JP 2008- 60 361 A betrifft ein Bearbeitungsverfahren für Halbleiterwafer und eine druckempfindliche, haftvermittelnde Folie.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Nach Ausführen des Rückseitenschleifens des Wafers wird das Schutzelement vom Wafer abgezogen und der Wafer wird als nächstes einem Unterteilungsschritt unterzogen. Zum Beispiel ist, falls der Wafer von dessen Vorderseite aus, unter Verwendung eines Schneidmessers, geschnitten wird, um dadurch den Wafer in die einzelnen Baugruppen zu zerteilen, eine Sägefolie (engl.: dicing tape) zum Handhaben des Wafers an der Rückseite des Wafers angebracht, und ein Schutzelement wird von der Vorderseite des Wafers abgezogen. Allerdings ist es schwierig, das Schutzelement von der Vorderseite des durch das Schleifen in der Dicke reduzierten Wafers abzuziehen, ohne den Wafer zu beschädigen. Insbesondere gibt es jüngst Tendenzen, die Abmessungen des Wafers weiter zu vergrößern, und die Fertigdicke des Wafers weiter zu verkleinern, sodass die Schwierigkeiten bei Abziehen des Schutzelements beachtlich werden. Ferner gibt es ein weiteres Problem dahingehend, dass nach Abziehen des Schutzelements vom Wafer, eine Paste oder Haftmittel auf der Vorderseite jeder Baugruppe verbleibt.
  • Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Schutzelement bereitzustellen, das einfach von der Vorderseite eines Wafers abgezogen werden kann, ohne eine Paste oder Haftmittel auf der Vorderseite jeder Baugruppe zu hinterlassen. Es ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, dass dieses Schutzelement verwendet.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Schutzelement zum Schützen der Vorderseite eines Wafers bereitgestellt, der einen Baugruppenbereich, in dem mehrere Baugruppen ausgebildet sind, und einen an der Außenseite befindlichen Randbereich aufweist, der den Baugruppenbereich umgibt, wobei das Schutzelement eine kreisförmige Basis mit einem Durchmesser, der größer oder gleich dem Durchmesser des Wafers ist, wobei die Vorderseite der kreisförmigen Basis mit einer Ausnehmung ausgebildet ist, die in ihren Abmessungen größer ist als der Baugruppenbereich und in ihren Abmessungen kleiner ist als der Wafer, und ein Unebenheit-Aufnahmeelement aufweist, das in der Ausnehmung vorgesehen ist, wobei das Unebenheit-Aufnahmeelement mit einer an der Außenseite befindlichen Ausbuchtung fluchtet oder im Niveau niedriger als die an der Außenseite befindliche Ausbuchtung ist.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren des Bearbeitens eines Wafers bei Verwenden eines Schutzelements bereitgestellt, wobei die Vorderseite des Wafers einen Baugruppenbereich, in dem mehrere Baugruppen ausgebildet sind, und einen an der Außenseite befindlichen Randbereich aufweist, der den Baugruppenbereich umgibt, das Schutzelement eine kreisförmige Basis mit einem Durchmesser, der größer oder gleich dem Durchmesser des Wafers ist, wobei die Vorderseite der kreisförmigen Basis mit einer Ausnehmung ausgebildet ist, die in ihren Abmessungen größer ist als der Baugruppenbereich und in ihren Abmessungen kleiner ist als der Wafer, und ein Unebenheit-Aufnahmeelement aufweist, das in der Ausnehmung vorgesehen ist, wobei das Waferbearbeitungsverfahren die folgenden Schritte umfasst: einen Befestigungsschritt des Vorsehens des Wafers auf dem Schutzelement derart, dass der Baugruppenbereich des Wafers zum Unebenheit-Aufnahmeelement, des Schutzelements gerichtet ist, und des Vorsehens eines Haftmittels lokal außerhalb des Baugruppenbereichs, um dadurch das Schutzelement und den Wafer zu befestigen; einen Schleifschritt nach Ausführen des Befestigungsschritts, des Haltens des Schutzelements auf einem Haltetisch in dem Zustand, in dem die Rückseite des Wafers exponiert ist, und des anschließenden Schleifens der Rückseite des Wafers unter Verwendung von Schleifeinrichtungen, um dadurch die Dicke des Wafers auf eine vorbestimmte Dicke zu reduzieren; und einen Entfernungsschritt des Entfernens des Schutzelements von dem Wafer nach Ausführen des Schleifschritts.
  • Um das Schutzelement und den Wafer aneinander zu befestigen, ist gemäß der vorliegenden Erfindung das Haftmittel lokal außerhalb des Baugruppenbereichs vorgesehen. Entsprechend kann, nach Schleifen der Rückseite des Wafers, die Schutzschicht einfach vom Wafer entfernt werden. Darüber hinaus verbleibt nach Entfernen des Schutzelements das Haftmittel nicht auf der Vorderseite jeder Baugruppe. Bevorzugt weist das Haftmittel eine Eigenschaft dahingehend auf, dass seine Haftkraft durch einen externen Stimulus reduziert wird, und der Entfernungsschritt beinhaltet die Schritte des Applizierens des externen Stimulus auf das Haftmittel, um dadurch die Haftkraft des Haftmittels zu reduzieren und des anschließenden Entfernens des Schutzelements von dem Wafer. Bevorzugt beinhaltet der Entfernungsschritt die Schritte des vollständigen Schneidens zumindest des Wafers entlang der Grenze zwischen dem Baugruppenbereich und dem Haftmittel, und des anschließenden Entfernens des Schutzelements von dem Wafer.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, ein Schutzelement bereitzustellen, das einfach von einem Wafer entfernt werden kann, ohne ein Paste oder ein Haftmittel auf der Vorderseite jeder Baugruppe zu hinterlassen. Es ist ebenfalls möglich, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das dieses Schutzelement verwendet.
  • Durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angefügten Ansprüche in Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen, werden obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise diese zu realisieren, deutlicher werden, und die Erfindung selbst wird bestmöglich verstanden werden.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
    • 1B ist eine Seitenansicht des in 1A gezeigten Wafers;
    • 2A ist eine perspektivische Ansicht eines Schutzelements gemäß der bevorzugten Ausführungsform;
    • 2B ist eine Schnittansicht des in 2A gezeigten Schutzelements;
    • 2C ist eine Schnittansicht, die eine Abwandlung des Schutzelements zeigt;
    • 3 ist eine Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem ein Haftmittel auf dem Schutzelement in einem Befestigungsschritt gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehen ist;
    • 4 ist eine partielle Seitenansicht im Schnitt, die den Befestigungsschritt zeigt;
    • 5 ist eine partielle Seitenansicht im Schnitt, die einen Zustand zeigt, in dem der Befestigungsschritt abgeschlossen ist;
    • 6 ist eine partielle Seitenansicht im Schnitt, die einen Schleifschritt gemäß der bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 7 ist eine partielle Seitenansicht im Schnitt, die einen Entfernungsschritt in dem Fall zeigt, in dem das Haftmittel erwärmt wird;
    • 8 ist eine partielle Seitenansicht im Schnitt, die einen Zustand zeigt, in dem der Entfernungsschritt abgeschlossen ist;
    • 9A ist eine partielle Seitenansicht im Schnitt, die eine Abwandlung des Entfernungsschritts in dem Fall zeigt, in dem der Wafer durch eine Schneidklinge geschnitten wird;
    • 9B ist eine partielle Seitenansicht im Schnitt, die einen Zustand zeigt, in dem der in 9A gezeigte Entfernungsschritt abgeschlossen ist;
    • 10A ist eine partielle Seitenansicht im Schnitt, die eine Abwandlung des Befestigungsschritts in dem Fall zeigt, in dem ein Haftmittel verwendet wird, das eine Eigenschaft dahingehend aufweist, dass dessen Haftkraft durch UV-Strahlung reduziert wird;
    • 10B ist eine partielle Seitenansicht im Schnitt, die eine Abwandlung des Entfernungsschritts in dem in 10A gezeigten Fall zeigt;
    • 11A ist eine partielle Seitenansicht im Schnitt, die eine weitere Abwandlung des Entfernungsschritts in dem Fall zeigt, in dem ein Haftmittel verwendet wird, das eine Eigenschaft dahingehend aufweist, dass dessen Haftkraft nicht durch UV-Strahlung reduziert wird, und eine Schneidklinge zum Schneiden des Wafers verwendet wird; und
    • 11B ist eine partielle Seitenansicht im Schnitt, die einen Zustand zeigt, in dem der in 11A gezeigte Entfernungsschritt abgeschlossen ist.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun in Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben werden.
  • (1) Wafer
  • 1A ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers 1, wie etwa eines Halbleiterwafer, gemäß der bevorzugten Ausführungsform. Der Wafer 1 weist eine festgelegte Dicke von zum Beispiel ungefähr 700 µm auf. Mehrere Baugruppen 2 sind auf der Vorderseite 1a des Wafers 1 ausgebildet. Mehrere sich schneidente Trennlinien sind auf der Vorderseite 1a des Wafers 1 derart eingerichtet, dass sie dadurch mehrere rechteckige Bereiche abteilen, und mehrere elektronische Schaltkreise, wie LSIs, sind jeweils in diesen rechteckigen Bereichen ausgebildet, wodurch die mehreren Baugruppen 2 ausgebildet sind.
  • Diese Baugruppen 2 sind in einem Baugruppenbereich 3 als ein Bereich ausgebildet, der einen großen Teil der Vorderseite 1a mit Ausnahme ihres an der Außenseite befindlichen Bereichs einnimmt. Der Baugruppenbereich 3 befindet sind in einem kreisförmigen Bereich, der mit dem Außenumfang des Wafers 1 konzentrisch ist. Die Vorderseite 1a des Wafers 1 weist ferner einen im Wesentlichen ringförmigen, an der Außenseite befindlichen Randbereich 4 auf, der den Baugruppenbereich 3 umgibt. Das heißt, die Baugruppen 2 sind in dem an der Außenseite befindlichen Randbereich 4 nicht ausgebildet. Wie in 1B gezeigt, steht jede Baugruppe 2 leicht von der Vorderseite 1a des Wafers 1 vor, sodass die Vorderseite 1a des Wafers 1 als unebene Fläche ausgebildet ist.
  • (2) Schutzelement
  • 2A ist eine perspektivische Ansicht eines Schutzelements 10 gemäß der bevorzugten Ausführungsform. Das Schutzelement 10 wird im Wesentlichen von einer kreisförmigen Basis 11 gebildet, die im Wesentlichen die gleiche Dicke und den gleichen Durchmesser wie jene des Wafers 1 aufweist. Wie in 2B gezeigt, ist eine kreisförmige Ausnehmung 12, die eine gegebene Tiefe aufweist, auf der Vorderseite der Basis 11 ausgebildet. Die kreisförmige Ausnehmung 12 weist einen Durchmesser auf, der größer ist als der Durchmesser des Baugruppenbereichs 3 des Wafers 1, und kleiner ist als der Durchmesser des Wafers 1. Die kreisförmige Ausnehmung 12 ist mit dem Außenumfang der Basis 11 konzentrisch, und eine ringförmige an der Außenseite befindliche Ausbuchtung 13 ist um die kreisförmige Ausnehmung 12 ausgebildet. Die Basis ist aus hartem Material, wie etwa Silikon, Glas und Keramik, oder einem Schichtmaterial, wie etwa Harz, ausgebildet.
  • Wie in 2B gezeigt, ist die Ausnehmung 12 mit einem Unebenheit-Aufnahmeelement 14 derart gefüllt, dass das Unebenheit-Aufnahmeelement 14 mit der an der Außenseite befindlichen Ausbuchtung 13 fluchtet. Das Unebenheit-Aufnahmeelement 14 ist in der folgenden Art vorgesehen. Zum Beispiel ist, nach Schleifen der Vorderseite der Basis 11, um die Ausnehmung 12 auszubilden, ein Schichtelement als das Unebenheit-Aufnahmeelement 14 in die Ausnehmung eingepasst, oder ein flüssiges Harz wird in die Ausnehmung 12 eingebracht und als nächstes derart ausgehärtet, dass es das Unebenheit-Aufnahmeelement 14 ausbildet.
  • Das Unebenheit-Aufnahmeelement 14 ist aus einem flexiblen und elastischen Material, wie Harz und Keramik ausgebildet. Die obere Fläche des Unebenheit-Aufnahmeelements 14 weist bevorzugt eine hohe Ebenheit auf. Stärker bevorzugt weist das Material des Unebenheit-Aufnahmeelements 14 eine Hitzebeständigkeit auf. Spezifische Produkte für das Unebenheit-Aufnahmeelement 14 können Assist Tape (hergestellt durch Shin-Etsu Polymer Co., Ltd.), Flex Carrier (hergestellt durch UMI Inc.), Gel Base (hergestellt durch Exseal Corporation, Ltd.) und KERATHERM (eingetragenes Markenzeichen von KERAFOL Keramische Folien GmbH) beinhalten.
  • Wie in 2C gezeigt, gibt es einen Fall, bei dem das Unebenheit-Aufnahmeelement 14, das in der Ausnehmung 12 vorgesehen ist, im Niveau niedriger ist, als die an der Außenseite befindliche Ausbuchtung 13. Wegen dem Niveauunterschied zwischen dem Unebenheit-Aufnahmeelement 14 und der an der Außenseite befindlichen Ausbuchtung 13 ist, wie in 2C gezeigt, in diesem Fall eine Ausnehmung 15 an der Vorderseite des Schutzelements 10 ausgebildet. In dem Fall, dass die vorstehenden Kontaktierungsabschnitte (engl. bumps) genannten Elektrodenvorsprünge, von der Vorderseite jeder Baugruppe des Wafers vorstehen, wird das Schutzelement 10, wie in 2C gezeigt, in einem Zustand verwendet, bei dem die Elektrodenvorsprünge in der Ausnehmung 15 aufgenommen sind.
  • (3) Wafer Bearbeitungsverfahren unter Verwendung des Schutzelements
  • Nun wird eine bevorzugte Ausführungsform des Waferbearbeitungsverfahrens des Schleifens der Rückseite 1b des Wafers 1 unter Verwendung des Schutzelements 10 beschrieben werden.
  • (3-1) Befestigungsschritt
  • Wie in 3 gezeigt, ist ein Haftmittel 20 auf der Vorderseite der ringförmigen, an der Außenseite befindlichen Ausbuchtung 13 der Basis 11 des Schutzelements 10 vorgesehen. Das Haftmittel 20 weist eine Eigenschaft dahingehend auf, dass es die Basis 11 an den Wafer 10 derart bindet, dass es das Schutzelement 10 an dem Wafer 1 befestigt. Das Haftmittel 20 ist durchgängig auf die Vorderseite der an der Außenseite befindlichen Ausbuchtung über deren Umfang aufgebracht. Als eine Abwandlung kann das Haftmittel 20 nicht durchgängig, wie etwa in einer unterbrochenen Linie oder in gegebenen Intervallen (z.B. an vier Positionen oder an acht Positionen) aufgebracht sein.
  • Bevorzugt weist das Haftmittel 20 eine Eigenschaft dahingehend auf, dass es seine Haftkraft reduziert ist, wenn ein externer Stimulus auf das Haftmittel 20 appliziert wird. In dem Fall, dass das Haftmittel 20 diese Eigenschaft aufweist, kann ein Entfernungsschritt des Entfernens des Schutzelements 10 vom Wafer 1 wie hernach beschrieben, einfach ausgeführt werden. Der externe Stimulus kann Erwärmen auf eine vorbestimmte Temperatur und Bestrahlen mit ultraviolettem Licht beinhalten.
  • Wie in den 4 und 5 gezeigt, ist der Wafer 1 auf dem Schutzelement 10 derart vorgesehen, dass der Baugruppenbereich 3 des Wafers zum Unebenheit-Aufnahmeelement 14 des Schutzelements 10 zeigt. In diesem Zustand ist der Wafer 1 durch das Haftmittel 20 an dem Schutzelement 10 befestigt. Das Haftmittel 20 ist auf der Vorderseite der an der Außenseite befindlichen Ausbuchtung 13, welche die Ausnehmung 12 umgibt, vorläufig vorgesehen. Da die Ausnehmung 12 im Durchmesser größer ist als der Baugruppenbereich 3 des Wafers 1, ist das Haftmittel in dem in 5 gezeigten Zustand außerhalb des Baugruppenbereichs 3 des Wafers 1 angeordnet. Ferner zeigt der Baugruppenbereich 3 des Wafers 1 zum in der Ausnehmung 12 befestigten Unebenheit-Aufnahmeelement 14 hin, und jede Baugruppe 2, die leicht von der Vorderseite 1a des Wafers 1 hervorsteht, ist in dem in 5 gezeigten Zustand in dem Unebenheit-Aufnahmeelement 14 eingebettet.
  • In dem Zustand, in dem die vorstehende Kontaktierungsabschnitte genannten Elektrodenvorsprünge von jeder Baugruppe 2 des Wafers 1, wie oben erwähnt, vorstehen, wird das Schutzelement 10 mit der in 2C gezeigten Ausnehmung 15 verwendet, um den Wafer 10 an dem Schutzelement in dem Zustand zu befestigen, in dem die Elektrodenvorsprünge in der Ausnehmung 15 aufgenommen sind.
  • (3-2) Schleifschritt
  • Nach Ausführen des Befestigungsschritts wie oben erwähnt, wird ein Schleifschritt in der folgenden Art und Weise ausgeführt. Wie in 6 gezeigt, wird die Einheit aus dem Wafer 1 und dem Schutzelement 10 auf einem Haltetisch 21 in dem Zustand gehalten, in dem das Schutzelement 10 mit dem Haltetisch 21 in Kontakt kommt, und die Rückseite 1b des Wafers exponiert ist. In diesem Zustand wird die Rückseite 1b des Wafers 1 durch Schleifeinrichtungen 22 geschliffen, um dadurch die Dicke des Wafers 1 auf eine vorbestimmte Dicke (z.B. ungefähr 50 bis 100 um) zu reduzieren.
  • Der Haltetisch 21 ist ein allgemein aus dem Stand der Technik bekannter Tisch mit Unterdruckspanneinrichtung. Das heißt, der Haltetisch 21 weist eine kreisförmige horizontale Haltefläche 21a auf, die aus einem porösen Material zum Halten eines Werkstücks unter Saugeinwirkung durch Saugen von Luft gehalten wird. Der Haltetisch 21 ist um seine Achse durch einen Drehantriebsmechanismus (nicht gezeigt) rotierbar. Die Schleifeinrichtung 22 beinhaltet eine Drehachse 23, die sich in eine vertikale Richtung erstreckt, und angepasst ist, durch einen Motor (nicht gezeigt) drehend angetrieben zu werden, einen an das untere Ende der Drehachse 23 befestigten Kragen 24 und ein Schleifrad 25, das an einer unteren Fläche des Kragens 24 befestigt ist. Die Schleifeinrichtung 22 ist über dem Haltetisch 21 derart vorgesehen, dass sie vertikal bewegbar ist. Mehrere Schleifelemente 26 sind an der unteren Fläche des Schleifrads 25 entlang dessen äußeren Umfangs derart befestigt, dass sie ringförmig in gegebenen Abständen angeordnet sind. Entsprechend des Materials des Wafers 1 als Werkstück sind die Schleifelemente 26 geeignet ausgewählt. Zum Beispiel sind die Schleifelemente 26 als Diamantschleifelemente vorgesehen, die durch Binden von Diamantschleifkörnern, etwa mit einem Bindemittel wie Metallbindemittel und Harzbindemittel, ausgebildet sind.
  • Im Schleifschritt wird die Einheit aus dem Wafer 1 und dem Schutzelement 10 auf dem Haltetisch 21 in dem Zustand platziert, in dem die Schutzschicht 10 in Kontakt mit der Haltefläche 21a des Haltetischs 21 ist. Danach wird die Vakuumspannvorrichtung betätigt, um den Wafer 1 durch das Schutzelement 10 auf der Haltefläche 21a des Haltetischs 21 unter Saugeinwirkung zu halten. Danach wird der Haltetisch 21 mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit in eine Richtung gedreht, und das Schleifrad wird ebenfalls in die gleiche Richtung wie die Drehrichtung des Haltetischs 21 gedreht. In diesem Drehzustand wird die Schleifeinrichtung 22 abgelassen, um die auf dem Schleifrad 25 befestigten Schleifelemente 26 mit der Rückseite 1b des Wafers 1 in Kontakt zu bringen, und dann nach unten vorzuschieben, um die gesamte Fläche der Rückseite 1b des Wafers 1 zu schleifen. In dieser bevorzugten Ausführungsform wird die gesamte Fläche der Rückseite 1b des Wafers 1, wie in 7 gezeigt, flach geschliffen. Aus den Blickwinkeln des Vermeidens von Beschädigungen am Wafer 1 und des Sicherstellens der Handhabbarkeit des Wafers 1 nach Entfernen des Schutzelements 10 vom Wafer 1 kann, als eine Abwandlung, ein Außenumfangsabschnitt der Rückseite 1b, welcher dem an der Außenseite befindlichen, an der Vorderseite 1a ausgebildten Randbereich 4 entspricht, beim Schleifen derart belassen werden, dass eine Ausnehmung auf der Rückseite 1b in einem Bereich ausgebildet wird, der dem Baugruppenbereich 3 entspricht.
  • (3-3) Entfernungsschritt
  • Nach Ausführen des Schleifschritts wie oben erwähnt, wird ein Entfernungsschritt des Entfernens des Schutzelements 10 vom Wafer 1 in der folgenden Art und Weise ausgeführt. In dem Fall, dass das Haftmittel 20 dergestalt ist, dass es unter Wärme derart erweicht, dass seine Haftkraft durch Wärme reduziert wird, wird die Einheit aus dem Wafer 1 und dem Schutzelement 10 auf eine Heizplatte 30 in dem Zustand gelegt, in dem das Schutzelement 10 mit der Heizplatte 30 wie in 10 gezeigt, in Kontakt kommt, wodurch das Haftmittel erwärmt wird, um es zu erweichen. Als ein Ergebnis ist die Haftkraft des Haftmittels 20 reduziert. Danach wird der Wafer 1 mit einer durch Schleifen der Rückseite 1b im Schleifschritt reduzierten Dicke von dem Schutzelement 10, wie in 8 gezeigt, getrennt. Auf diese Art wird das Schutzelement 10 vom Wafer 1 entfernt, wodurch der durch den Schleifschritt bearbeitete Wafer 1 erhalten wird.
  • In dem Fall, dass das Haftmittel 20 dergestalt ist, dass seine Haftkraft nicht durch den externen Stimulus reduziert wird, wird der Wafer 1, wie in 9A gezeigt, durch ein Schneidmesser 40 derart vollständig geschnitten, dass nur der Baugruppenbereich 3 erhalten wird. In diesem Fall wird die Einheit aus dem Wafer 1 und dem Schutzelement 10 auf einem drehbaren Haltetisch 45 in dem Zustand gehalten, in dem das Schutzelement 10 mit dem Haltetisch 45 in Kontakt kommt, und die Rückseite 1b des Wafers 1 deshalb, wie in 9A gezeigt, exponiert ist. In diesem Zustand wird der Haltetisch 45 gedreht, um den Wafer 1 zu drehen, und das Schneidmesser 40 wird direkt oberhalb der ringförmigen Grenze zwischen dem Baugruppenbereich 3 und dem Haftmittel 20 positioniert und dann in dem Wafer 1 entlang dieser ringförmigen Grenze eingeschnitten, wodurch der Wafer entlang dieser ringförmigen Grenze vollständig geschnitten wird. Das Schneidmesser 40 ist an dem Vorderende einer sich horizontal erstreckenden Drehachse 41 angebracht. Die Drehachse 41 erstreckt sich oberhalb des Haltetischs 45 derart, dass sie axial bewegbar ist und vertikal bewegbar ist. Der Wafer 1 wird entlang der ringförmigen Grenze innerhalb des Haftmittels 20 geschnitten. Entsprechend kann, wie in 9B gezeigt, der Baugruppenbereich 3, der nicht mit dem Schutzelement 10 verbunden ist, und der zum Unebenheit-Aufnahmeelement 14 zeigt, von dem an der Außenseite befindlichen Randbereich 4, der mit dem Schutzelement 10 durch das Haftmittel 20 verbunden ist, getrennt werden, wodurch der Wafer 1 (Baugruppenbereich 3), der durch den Schleifschritt bearbeitet wurde, erhalten wird. Während in dieser bevorzugten Ausführungsform der Wafer 1 durch das Schneidmesser 40 geschnitten wird, kann ein Laserstrahl auf den Wafer 1 appliziert werden, um den Wafer 1 zu schneiden.
  • (3-4) Abwandlung des Befestigungsschritts
  • Wie in 10A gezeigt, kann das Haftmittel 20 auf die Außenumfangsflächen des Wafers 1 und des Schutzelements 10, welche zusammengeschichtet sind, appliziert werden, anstatt auf die Vorderseite des an der Außenseite befindlichen Vorsprungs 13 des Schutzelements 10 appliziert zu werden, wodurch der Wafer 1 und das Schutzelement 10 befestigt werden. In diesem Fall wird das Haftmittel 20 gleichmäßig über den gesamten Umfang des Wafers 1 und des Schutzelements 10 appliziert oder, wie benötigt, in vorgegebenen Abständen in der Umfangsrichtung des Wafers 1 und des Schutzelements 10 ungleichmäßig appliziert.
  • (3-5) Abwandlung des Entfernungsschritts
  • In dem Fall, dass das in 10A gezeigte Haftmittel dergestalt ist, dass seine Haftkraft durch Bestrahlung mit ultraviolettem Licht reduziert wird, wird eine UV-Strahlungsapplizierungseinheit 50, wie in 10B gezeigt, verwendet, um ultraviolette Strahlung (externer Stimulus) 51 auf das Haftmittel 20 in dem Entfernungsschritt nach dem Schleifschritt zu applizieren, wodurch die Haftkraft des Haftmittels 20 reduziert wird. Entsprechend kann der Wafer 1 von dem Schutzelement 10 getrennt werden. Auf diese Art kann das Schutzelement 10 vom Wafer 1 entfernt werden, wodurch der durch den Schleifschritt bearbeitete Wafer 1 erhalten wird.
  • In dem Fall, dass das in 10A gezeigte Haftmittel 20 dergestalt ist, dass seine Haftkraft nicht durch den externen Stimulus reduziert wird, wird der Wafer durch das Schneidmesser 40, wie in 11A gezeigt, vollständig derart geschnitten, dass nur der Baugruppenbereich 3 erhalten wird. In diesem Fall wird die Einheit aus dem Wafer 1 und dem Schutzelement 10 auf dem Haltetisch 45 in dem Zustand gehalten, in dem das Schutzelement 10 mit dem Haltetisch 45, wie in 11A gezeigt, in Kontakt kommt. In diesem Zustand wird der Haltetisch 45 gedreht, um den Wafer 1 zu drehen, und das Schneidmesser 40 wird in den Wafer 1 entlang der ringförmigen Grenze zwischen dem Baugruppenbereich 3 und dem Haftmittel 20 eingeschnitten, wodurch der Wafer entlang dieser ringförmigen Grenze vollständig geschnitten wird. Entsprechend kann, wie in 11B gezeigt, der Baugruppenbereich 3, der nicht mit dem Schutzelement 10 verbunden ist und zum Unebenheit-Aufnahmeelement 14 zeigt, von dem an der Außenseite befindlichen Randbereich 4, der durch das Haftmittel mit dem Schutzelement 10 verbunden ist, getrennt werden, wodurch der durch den Schleifschritt bearbeitete Wafer 1 (Baugruppenbereich 3) erhalten wird. Als eine Abwandlung kann ein Laserstrahl auf das Haftmittel 20 appliziert werden, um das Haftmittel 20 zu verdampfen, wodurch das Haftmittel 20 entfernt wird. Entsprechend kann das Schutzelement 10 vom Wafer 1 entfernt werden.
  • (4) Wirkungen dieser bevorzugten Ausführungsform
  • Gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform ist das Haftmittel lokal außerhalb des Baugruppenbereichs 3 vorgesehen, um das Schutzelement 10 und den Wafer 1 zu befestigen. In diesem befestigten Zustand zeigt der Baugruppenbereich 3 zum Unebenheit-Aufnahmeelement 14 hin. Entsprechend kann, nach Schleifen der Rückseite 1b des Wafers 1 das Schutzelement 10 einfach vom Wafer 1 entfernt werden. Darüber hinaus verbleibt das Haftmittel 20 nach Entfernen des Schutzelements 10 nicht an der Vorderseite 1a des Wafers 1.
  • Ferner wird das oben erwähnte Waferunterstützungssystem an einem Wafer unter Verwendung einer Anbringvorrichtung angebracht und von dem Wafer unter Verwendung einer Entfernungsvorrichtung entfernt. Allerdings weisen diese dezidierten Vorrichtungen große Ausmaße auf und sind im Allgemeinen teuer. Zusätzlich wird viel Zeit benötigt, um die Schritte des Anbringens und Entfernens des Waferunterstützungssytems unter Verwendung dieser dezidierten Vorrichtungen auszuführen. Im Gegensatz dazu weist diese bevorzugte Ausführungsform einen Vorteil dergestalt auf, dass diese dezidierten Vorrichtungen nicht benötigt werden, um das Schutzelement 10 an der Vorderseite 1a des Wafers 1 anzubringen, und das Schutzelement 10 von der Vorderseite 1a des Wafers 1 zu entfernen. Darüber hinaus kann die Zeit, die für die Schritte des Anbringens und Entfernens des Schutzelements 10 benötigt wird, verkürzt werden.

Claims (4)

  1. Schutzelement (10) zum Schützen einer Vorderseite (1a) eines Wafers (1), der einen Baugruppenbereich (3), in dem mehrere Baugruppen (2) ausgebildet sind und einen an der Außenseite befindlichen Randbereich (4) aufweist, der den Baugruppenbereich (3) umgibt, wobei das Schutzelement (10) aufweist: eine kreisförmige Basis (11), mit einem Durchmesser der größer oder gleich dem Durchmesser des Wafers (1) ist, wobei eine Vorderseite der kreisförmigen Basis (11) mit einer Ausnehmung (12) ausgebildet ist, die in ihren Abmessungen größer ist, als der Baugruppenbereich (3) und in ihren Abmessungen kleiner ist, als der Wafer (1); und ein Unebenheit-Aufnahmeelement (14), das in der Ausnehmung (12) vorgesehen ist, wobei das Unebenheit-Aufnahmeelement (14) mit einer an der Außenseite befindlichen Ausbuchtung (13) fluchtet oder im Niveau niedriger als die an der Außenseite befindliche Ausbuchtung (13) ist.
  2. Waferbearbeitungsverfahren des Bearbeitens eines Wafers (1) unter Verwendung eines Schutzelements (10), wobei eine Vorderseite (1a) des Wafers (1) einen Baugruppenbereich (3), in dem mehrere Baugruppen (2) ausgebildet sind, und einen an der Außenseite befindlichen Randbereich (4) aufweist, der den Baugruppenbereich (3) umgibt, wobei das Schutzelement (10) aufweist: eine kreisförmige Basis (11), mit einem Durchmesser, der größer oder gleich dem Durchmesser des Wafers (1) ist, wobei eine Vorderseite der kreisförmigen Basis (11) mit einer Ausnehmung (12) ausgebildet ist, die in ihren Abmessungen größer ist, als der Baugruppenbereich (3) und in ihren Abmessungen kleiner ist, als der Wafer (1), und ein Unebenheit-Aufnahmeelement (14), das in der Ausnehmung (12) vorgesehen ist, wobei das Waferbearbeitungsverfahren umfasst: einen Befestigungsschritt des Vorsehens des Wafers (1) auf dem Schutzelement (10) derart, dass der Baugruppenbereich (3) des Wafers (1) zum Unebenheit-Aufnahmeelement (14) des Schutzelements (10) zeigt, und des Vorsehens eines Haftmittels lokal außerhalb des Baugruppenbereichs (3), um dadurch das Schutzelement (10) und den Wafer (1) zu befestigen; einen Schleifschritt des Haltens des Schutzelements (10) auf einem Haltetisch (21) nach Ausführen des Befestigungsschritts in einem Zustand, in dem die Rückseite (1b) des Wafers (1) exponiert ist, und des anschließenden Schleifens der Rückseite (1b) des Wafers (1) durch Verwenden von Schleifeinrichtungen (22), um dadurch die Dicke des Wafers (1) auf eine vorbestimmte Dicke zu reduzieren; und ein Entfernungsschritt des Entfernens des Schutzelements (10) von dem Wafer (1) nach Ausführen des Schleifschritts.
  3. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 2, wobei das Haftmittel eine derartige Eigenschaft aufweist, dass seine Haftkraft durch einen externen Stimulus reduziert wird; und der Entfernungsschritt die Schritte des Applizierens des externen Stimulus auf das Haftmittel (20), um dadurch die Haftkraft des Haftmittels (20) zu reduzieren, und des anschließenden Entfernens des Schutzelements (10) von dem Wafer (1) umfasst.
  4. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 2, wobei der Entfernungsschritt die Schritte des vollständigen Schneidens zumindest des Wafers (1) entlang der Grenze zwischen dem Baugruppenbereich (3) und dem Haftmittel (20), und des anschließenden Entfernens des Schutzelements (20) von dem Wafer (1) umfasst.
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5921473B2 (ja) * 2013-03-21 2016-05-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
WO2014188879A1 (ja) * 2013-05-24 2014-11-27 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015119085A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法
JP6344971B2 (ja) * 2014-05-16 2018-06-20 株式会社ディスコ サポートプレート、サポートプレートの形成方法及びウェーハの加工方法
JP6385133B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び中間部材
JP2016051779A (ja) * 2014-08-29 2016-04-11 株式会社ディスコ ウエーハの貼り合わせ方法及び貼り合わせワークの剥離方法
FR3030880B1 (fr) 2014-12-19 2018-05-11 Commissariat Energie Atomique Procede de transformation d'un dispositif electronique
KR102341732B1 (ko) 2015-01-30 2021-12-23 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP6313251B2 (ja) * 2015-03-12 2018-04-18 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
DE102015216619B4 (de) * 2015-08-31 2017-08-10 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
WO2017036512A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-09 Karl Heinz Priewasser Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method
GB2551732B (en) * 2016-06-28 2020-05-27 Disco Corp Method of processing wafer
JP6906843B2 (ja) * 2017-04-28 2021-07-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6925714B2 (ja) * 2017-05-11 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6837717B2 (ja) * 2017-05-11 2021-03-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
DE102017208405B4 (de) * 2017-05-18 2024-05-02 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzfolie
JP6914587B2 (ja) * 2017-05-25 2021-08-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7157301B2 (ja) * 2017-11-06 2022-10-20 株式会社東京精密 ウェーハの加工方法
KR102595728B1 (ko) 2017-12-28 2023-10-27 온투 이노베이션 아이엔씨. 순응형 스테이지
DE102018200656A1 (de) * 2018-01-16 2019-07-18 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
JP2019212803A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 信越ポリマー株式会社 ウェーハ用スペーサ
JP7187112B2 (ja) * 2018-08-13 2022-12-12 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
CN110890306A (zh) * 2018-09-10 2020-03-17 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种简便的半导体器件用衬底减薄后的下片方法
FR3085957B1 (fr) * 2018-09-14 2021-01-29 Commissariat Energie Atomique Procede de collage temporaire avec adhesif thermoplastique incorporant une couronne rigide

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198542A (ja) 1991-09-02 1993-08-06 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハの裏面研削方法および該方法に用いる粘着テープ
JP2004207606A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハサポートプレート
JP2008060361A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Nitto Denko Corp 半導体ウェハの加工方法、及びそれに用いる半導体ウェハ加工用粘着シート

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01268131A (ja) * 1988-04-20 1989-10-25 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの保護部材
JPH0562950A (ja) * 1991-08-29 1993-03-12 Nitto Denko Corp 半導体ウエハへの保護テープ貼り付けおよび剥離方法
JP2001196404A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6520844B2 (en) * 2000-08-04 2003-02-18 Sharp Kabushiki Kaisha Method of thinning semiconductor wafer capable of preventing its front from being contaminated and back grinding device for semiconductor wafers
JP3906962B2 (ja) * 2000-08-31 2007-04-18 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP4447280B2 (ja) * 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2005109433A (ja) * 2004-03-31 2005-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの切削方法および研削用のバンプ保護部材
US20060046433A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Sterrett Terry L Thinning semiconductor wafers
SG126885A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-29 Disco Corp Semiconductor wafer and processing method for same
FR2935536B1 (fr) * 2008-09-02 2010-09-24 Soitec Silicon On Insulator Procede de detourage progressif
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
JP5508108B2 (ja) * 2010-04-15 2014-05-28 株式会社ディスコ 半導体装置の製造方法
JP5997477B2 (ja) * 2012-03-30 2016-09-28 リンテック株式会社 表面保護用シート

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198542A (ja) 1991-09-02 1993-08-06 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハの裏面研削方法および該方法に用いる粘着テープ
JP2004207606A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハサポートプレート
JP2008060361A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Nitto Denko Corp 半導体ウェハの加工方法、及びそれに用いる半導体ウェハ加工用粘着シート

Also Published As

Publication number Publication date
KR102024390B1 (ko) 2019-09-23
JP6061590B2 (ja) 2017-01-18
US9006085B2 (en) 2015-04-14
CN103700584A (zh) 2014-04-02
CN103700584B (zh) 2018-06-29
US20140084423A1 (en) 2014-03-27
DE102013219271A1 (de) 2014-03-27
JP2014067970A (ja) 2014-04-17
KR20140041338A (ko) 2014-04-04

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