KR102024390B1 - 표면 보호 부재 및 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 웨이퍼 표면으로부터의 보호 부재의 박리가 용이하며, 디바이스 표면에 접착제가 잔존하는 일이 없는 표면 보호 부재 및 이 표면 보호 부재를 이용한 웨이퍼의 가공 방법을 제공한다.
이 가공 방법은, 웨이퍼(1)의 디바이스 영역(3)과 표면 보호 부재(10)의 오목부(12)에 배치한 요철 흡수 부재(14)를 대응시켜 웨이퍼(1)를 표면 보호 부재(10) 상에 배치하며, 디바이스 영역(3)의 외측에 접착제(20)를 배치하여 표면 보호 부재(10)와 웨이퍼(1)를 고정하고(고정 단계), 표면 보호 부재(10)측을 유지 테이블(21)로 유지하여 웨이퍼(1)의 이면(1b)을 연삭 수단(22)으로 연삭하여 소정 두께로 박화하며(연삭 단계), 계속해서 표면 보호 부재(10)를 웨이퍼(1) 상으로부터 제거한다(제거 단계). 접착제(20)를 디바이스 영역(3)의 외측에 국소적으로 배치함으로써, 박리를 용이하게 하며, 디바이스 표면에 접착제를 잔존시키지 않는다.

Description

표면 보호 부재 및 가공 방법{SURFACE PROTECTIVE MEMBER AND MACHINING METHOD}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 웨이퍼의 표면을 보호하는 표면 보호 부재 및 그 표면 보호 부재를 이용한 연삭 가공 등의 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 전자 회로를 갖는 다수의 디바이스가 표면에 형성된 반도체 웨이퍼의 이면측을 연삭하여 얇게 가공하고 나서 각 디바이스로 분할하는 것이 행해진다. 웨이퍼의 이면 연삭은, 일반적으로, 유지 테이블 상에 웨이퍼를 유지하고, 노출되는 이면을 연삭 수단인 지석으로 연삭한다고 하는 방법이 채용되지만, 표면을 유지 테이블에 직접 접촉시키면 디바이스가 손상되기 때문에, 표면에 보호 부재를 점착하여 보호하고 있다.
보호 부재는, 보호 테이프(특허문헌 1)나 웨이퍼 서포트 시스템(특허문헌 2)으로 불리는 것이 알려져 있다. 보호 테이프는, 기재의 한쪽면에 점착층을 형성한 것으로, 점착층을 매개로 하여 웨이퍼의 표면에 점착된다. 또한, 웨이퍼 서포트 시스템은, 통상, 접착제를 이용하여 웨이퍼에 점착된다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 평성05-198542호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2004-207606호 공보
이면 연삭이 이루어진 웨이퍼는, 보호 부재를 박리하여 다음 분할 공정 등으로 옮겨지지만, 예컨대 표면측으로부터 절삭 블레이드를 절입시켜 다수의 디바이스로 분할하는 경우에는, 이면에 핸들링용의 다이싱 테이프를 점착하여, 표면측의 보호 부재를 박리하는 것이 행해진다. 그러나, 연삭에 의해 박화(薄化)한 웨이퍼의 표면으로부터 웨이퍼를 파손시키지 않고 보호 부재를 박리하는 것은 어렵고, 특히 최근에는 웨이퍼의 대구경화나 마무리 두께의 추가적인 박화의 경향이 있기 때문에, 보호 부재를 박리시킬 때의 곤란성이 현저해져 있다. 또한, 웨이퍼를 보호 부재로부터 박리시킨 후에는, 디바이스 표면에 풀이나 접착제가 잔존하여 버린다고 하는 문제도 생긴다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는, 웨이퍼 표면으로부터의 보호 부재의 박리가 용이하고, 디바이스 표면에 풀이나 접착제가 잔존하는 일이 없는 표면 보호 부재 및 이 표면 보호 부재를 이용한 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 표면 보호 부재는, 표면에 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 구비한 웨이퍼의 표면을 보호하는 표면 보호 부재로서, 웨이퍼의 상기 디바이스 영역보다 크며 웨이퍼 사이즈보다 작은 사이즈의 오목부를 표면에 갖고, 웨이퍼의 직경을 포함하는 직경을 갖는 원판형 베이스와 상기 오목부에 배치된 요철 흡수 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다(청구항 1).
또한, 본 발명의 가공 방법은, 청구항 1에 기재된 표면 보호 부재를 이용하여, 표면에 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 구비한 웨이퍼를 가공하는 가공 방법으로서, 웨이퍼의 상기 디바이스 영역과 상기 표면 보호 부재의 상기 요철 흡수 부재를 대응시켜 웨이퍼를 상기 표면 보호 부재 상에 배치하며 상기 디바이스 영역의 외측에 접착제를 배치하여 상기 표면 보호 부재와 웨이퍼를 고정하는 고정 단계와, 상기 고정 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 부재측을 유지 테이블로 유지하여 웨이퍼의 이면을 노출시키며 웨이퍼를 연삭 수단으로 연삭하여 소정의 두께로 박화하는 연삭 단계와, 상기 연삭 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 부재를 웨이퍼 상에서 제거하는 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 디바이스 영역의 외측 등의 국소적인 부분에 배치하는 접착제에 의해 표면 보호 부재와 웨이퍼를 고정하기 때문에, 웨이퍼 연삭 후에 표면 보호 부재를 웨이퍼 상으로부터 박리하여 제거하는 작업이 용이하며, 접착제는 디바이스 표면에 잔존하지 않는다.
본 발명의 가공 방법에서는, 상기 접착제는, 외적 자극에 의해 접착력이 저하되는 접착제이며, 상기 제거 단계에서는, 상기 접착제에 외적 자극을 부여하여 상기 접착제의 접착력을 저하시킨 후, 상기 표면 보호 부재를 웨이퍼 상으로부터 제거하는 형태를 포함한다.
또한, 본 발명의 가공 방법에서는, 상기 제거 단계에서는, 상기 디바이스 영역과 상기 접착제 사이에서 적어도 웨이퍼를 완전 절단한 후, 상기 표면 보호 부재를 웨이퍼 상으로부터 제거하는 형태를 포함한다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 표면으로부터의 보호 부재의 박리가 용이하며, 디바이스 표면에 풀이나 접착제가 잔존하는 일이 없는 표면 보호 부재 및 이 표면 보호 부재를 이용한 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼의 (a) 사시도, (b) 측면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 표면 보호 부재의 (a) 사시도, (b) 측면도, (c) 다른 형태의 측면도이다.
도 3은 일 실시형태의 고정 단계에서 표면 보호 부재에 접착제를 배치한 상태를 보여주는 측면도이다.
도 4는 일 실시형태의 고정 단계를 보여주는 측면도이다.
도 5는 일 실시형태의 고정 단계가 완료된 상태를 보여주는 측면도이다.
도 6은 일 실시형태의 연삭 단계를 보여주는 측면도이다.
도 7은 접착제를 가열하는 형태의 제거 단계를 보여주는 측면도이다.
도 8은 일 실시형태의 제거 단계가 완료된 상태를 보여주는 측면도이다.
도 9는 웨이퍼를 절단하는 형태의 제거 단계를 보여주는 측면도로서, (a) 웨이퍼 절단 중, (b) 웨이퍼를 절단하여 제거 단계가 완료된 상태를 보여준다.
도 10은 자외선 조사로 접착력이 저하되는 접착제에 의한 (a) 고정 단계를 보여주는 측면도, (b) 제거 단계를 보여주는 측면도이다.
도 11은 자외선 조사로 접착력이 저하되는 접착제를 외주측면에 배치한 후, 웨이퍼를 절단하는 형태의 제거 단계를 보여주는 측면도로서, (a) 웨이퍼 절단 중, (b) 웨이퍼를 절단하여 제거 단계가 완료된 상태를 보여준다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시형태를 설명한다.
(1) 웨이퍼
도 1은 일 실시형태에 따른 반도체 웨이퍼 등의 웨이퍼(1)를 나타내고 있다. 웨이퍼(1)는 예컨대 700 ㎛ 정도의 일정 두께를 갖고, 그 표면(1a)에는 복수의 디바이스(2)가 형성되어 있다. 이들 디바이스(2)는, 표면(1a)에 격자형으로 설정된 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 복수의 직사각형 영역에, LSI 등의 전자 회로를 마련함으로써 형성되어 있다.
이들 디바이스(2)는, 표면(1a)의 외주부 이외의 대부분을 차지하는 영역인 디바이스 영역(3)에 형성되어 있다. 디바이스 영역(3)은, 웨이퍼(1)의 외측 둘레 가장자리와 동심형의 원형상의 영역으로 된다. 웨이퍼(1)의 표면(1a)은, 디바이스 영역(3)의 외주측에 있어서 디바이스(2)가 형성되지 않고 디바이스 영역(3)을 둘러싸는 대략 환형의 외주 잉여 영역(4)을 구비하고 있다. 도 1의 (b)에 나타내는 바와 같이, 각 디바이스(2)는 웨이퍼(1)의 표면(1a)으로부터 약간 돌출해 있으며, 이 때문에 웨이퍼(1)의 표면(1a)은 요철면으로 되어 있다.
(2) 표면 보호 부재
도 2는 일 실시형태에 따른 표면 보호 부재(10)를 나타내고 있다. 표면 보호 부재(10)는, 두께 및 직경이 웨이퍼(1)와 동일한 정도인 원판형의 베이스(11)를 주체로 하는 것이다. 베이스(11)의 표면측에는, 웨이퍼(1)의 디바이스 영역(3)보다는 크면서 웨이퍼(1)의 사이즈(직경)보다는 작은 사이즈를 갖는 원형상의 일정 깊이의 오목부(12)가 형성되어 있다. 오목부(12)는 베이스(11)의 외측 둘레 가장자리와 동심형으로 형성되어 있고, 오목부(12)의 주위에는, 환형의 외주 볼록부(13)가 형성되어 있다. 베이스(11)의 재료로서는, 예컨대 실리콘, 유리, 세라믹 등의 하드 부재 외에, 시트형의 수지 등이 이용된다.
도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 오목부(12)에는, 요철 흡수 부재(14)가, 외주 볼록부(13)의 표면과 동일 높이가 되도록 매립되어 배치되어 있다. 요철 흡수 부재(14)는, 베이스(11)의 표면을 연삭하여 오목부(12)를 형성한 후, 그 오목부(12)에 시트형으로 형성된 요철 흡수 부재(14)를 수용하거나, 액상 수지를 도포하여 경화시켜 요철 흡수 부재(14)를 형성하는 등의 방법으로 배치된다.
요철 흡수 부재(14)의 재료로서는, 유연성 및 반발성이 있는 수지나 세라믹 등으로서, 상면 평탄도가 높은 것이 바람직하고, 내열성이 있는 것이면 더욱 좋다. 구체적인 상품으로서, 어시스트 테이프(신에츠폴리머 가부시키가이샤), 플렉스 캐리어(가부시키가이샤 유엠아이), 겔 베이스 11(가부시키가이샤 엑스시일코포레이션), KERATHERM(등록 상표 KERAFOL Keramische Folien Gmbh) 등이 이용된다.
또한, 오목부(12)에 배치되는 요철 흡수 부재(14)는, 도 2의 (c)에 나타내는 바와 같이, 외주 볼록부(13)의 높이보다 낮은 상태로 배치되는 경우도 있다. 이와 같이 요철 흡수 부재(14)의 표면이 외주 볼록부(13)에 달하지 않고 표면에 오목부(15)가 형성되는 표면 보호 부재(10)는, 예컨대 웨이퍼(1)의 디바이스(2)의 표면으로부터 범프라고 불리는 전극 돌기 등이 돌출되어 있는 경우, 이 전극 돌기 등이 오목부(15) 내에 들어가는 상태로 사용된다.
(3) 표면 보호 부재를 이용한 가공 방법
다음에, 상기 표면 보호 부재(10)를 이용하여 웨이퍼(1)의 이면(1b)을 연삭하는 일 실시형태의 가공 방법에 대해서 설명한다.
(3-1) 고정 단계
도 3에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 부재(10)의 베이스(11)에 있어서 환형의 외주 볼록부(13)의 표면에, 접착제(20)를 배치한다. 접착제(20)는, 베이스(11)가 웨이퍼(1)에 접착하여 고정되는 특성을 갖는 것이 이용되고, 외주 볼록부(13)의 표면의 전체 둘레에 걸쳐 도포되거나, 혹은 파선(波線)형, 혹은 소정 간격을 둔 복수 개소(예컨대 4개소, 8개소 등)에 도포되어 배치된다.
또한, 접착제(20)는, 외적 자극이 부여됨으로써 접착력이 저하되는 특성을 갖는 것이면, 이후의 제거 단계에서 웨이퍼(1)로부터 표면 보호 부재(10)를 박리하는 제거 단계가 용이해지기 때문에 바람직하다. 이 경우의 외적 자극이란, 예컨대 소정 온도로 가열되는 것이나, 자외선 조사 등을 들 수 있다.
다음에, 도 4∼도 5에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 디바이스 영역(3)과 표면 보호 부재(10)의 요철 흡수 부재(14)를 대응시켜 웨이퍼(1)를 표면 보호 부재(10) 상에 배치하며, 접착제(20)에 의해 표면 보호 부재(10)와 웨이퍼(1)를 고정한다. 접착제(20)는 오목부(12)를 둘러싸는 외주 볼록부(13)의 표면에 배치되어 있고, 오목부(12)는 웨이퍼(1)의 디바이스 영역(3)보다 크기 때문에, 접착제(20)는 웨이퍼(1)의 디바이스 영역(3)의 외측에 배치되어 있다. 또한, 웨이퍼(1)의 디바이스 영역(3)은 오목부(12) 내의 요철 흡수 부재(14)에 대면하며, 웨이퍼(1)의 표면(1a)으로부터 약간 돌출하는 각 디바이스(2)는, 요철 흡수 부재(14)에 묻히는 상태가 된다.
전술한 바와 같이, 웨이퍼(1)가, 디바이스(2)로부터 범프라고 불리는 전극 돌기 등이 돌출되어 있는 것인 경우에는, 도 2의 (c)에 나타낸 오목부(15)가 형성된 표면 보호 부재(10)를 이용하고, 그 오목부(15)에 전극 돌기 등을 들어가게 하여 표면 보호 부재(10)를 웨이퍼(1)에 고정한다.
(3-2) 연삭 단계
다음에, 도 6에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 부재(10)측을 유지 테이블(21)로 유지하여 웨이퍼(1)의 이면(1b)을 노출시키며, 웨이퍼(1)를 연삭 수단(22)으로 연삭하여 웨이퍼(1)를 소정의 두께(예컨대 50 ㎛∼100 ㎛ 정도)로 박화하는 연삭 단계를 행한다.
유지 테이블(21)은, 다공질 재료에 의해 형성된 원형상의 수평인 유지면(21a) 상에, 공기 흡인에 의한 부압(負壓) 작용에 의해 피가공물을 흡착하여 유지하는 일반 주지의 부압 척 테이블이며, 도시하지 않는 회전 구동 기구에 의해 축 둘레로 회전된다. 연삭 수단(22)은, 연직 방향으로 연장되고, 도시하지 않는 모터에 의해 회전 구동되는 스핀들(23)의 선단에, 플랜지(24)를 통해 연삭 휠(25)이 고정된 것으로, 유지 테이블(21)의 상방으로 상하 이동 가능하게 배치되어 있다. 연삭 휠(25)의 하면 외주부에는, 다수의 지석(26)이 환형으로 배열되어 고착되어 있다. 지석(26)은 피가공물인 웨이퍼(1)의 재질에 따른 것이 이용되며, 예컨대 다이아몬드의 지립을 메탈 본드나 레진 본드 등의 결합제로 굳혀 성형한 다이아몬드 지석 등이 이용된다.
연삭 단계에서는, 표면 보호 부재(10)측을 유지면(21a)에 맞추어 웨이퍼(1)를 유지 테이블(21) 상에 배치하고, 부압 척에 의해 표면 보호 부재(10)를 통해 웨이퍼(1)를 흡착 유지한다. 그리고, 유지 테이블(21)을 소정 속도로 일방향으로 회전시킨 상태로부터 연삭 수단(22)을 하강시켜, 회전하는 연삭 휠(25)의 지석(26)을 웨이퍼(1)의 이면(1b)에 압박하여, 이면(1b) 전면(全面)을 연삭한다. 이 경우, 도 7에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(1)의 이면(1a) 전면을 평탄하게 연삭하는 것으로 하고 있지만, 웨이퍼(1)로부터 표면 보호 부재(10)를 제거한 후의 웨이퍼(1)의 파손 억제나 핸들링성을 확보하는 점에서, 이면(1b)의 외주 잉여 영역(4)에 대응하는 외주부를 남겨, 디바이스 영역(3)에 대응하는 부분에만 오목부를 형성하도록 연삭하여도 좋다.
(3-3) 제거 단계
다음에, 표면 보호 부재(10)를 웨이퍼(1) 상으로부터 제거하는 제거 단계를 행한다. 예컨대 접착제(20)가, 가열됨으로써 접착력이 저하되는 열연화 타입이었던 경우에는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 부재(10)측을 핫 플레이트(30) 상에 배치함으로써 접착제(20)를 가열하여 연화시키고, 접착력이 저하되면, 도 8에 나타내는 바와 같이 연삭 단계에서 이면(1b)측이 연삭되어 박화된 웨이퍼(1)를, 표면 보호 부재(10)로부터 박리시킨다. 이에 의해, 표면 보호 부재(10)를 웨이퍼(1) 상으로부터 제거하여, 이면 연삭 후의 웨이퍼(1)를 얻는다.
접착제(20)의 접착력이 외적 자극에 의해 저하되는 타입이 아닌 경우에는, 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이 절삭 블레이드(40)로 웨이퍼(1)를 완전 절단하여 디바이스 영역(3)만을 취출한다. 이 경우, 표면 보호 부재(10)측을, 회전 가능한 유지 테이블(45)로 유지하여 웨이퍼(1)의 이면(1b)을 노출시키고, 유지 테이블(45)을 회전시켜 웨이퍼(1)를 자전시키면서, 절삭 블레이드(40)를 디바이스 영역(3)과 접착제(20) 사이의 환형의 경계에 절입시켜, 웨이퍼(1)를 그 경계에서 완전 절단한다.
절삭 블레이드(40)는, 유지 테이블(45) 상에서, 축방향을 따라 이동 가능하면서 승강 가능하게 배치된 수평한 스핀들(41)의 선단에 부착되어 있다. 웨이퍼(1)는 접착제(20)의 내측에서 절단되고, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 접착되어 있지 않으며 요철 흡수 부재(14)에 맞추어진 디바이스 영역(3)의 부분을, 접착제(20)로 표면 보호 부재(10)에 접착되어 있는 외주 잉여 영역(4)의 부분으로부터 이탈시켜, 이면 연삭 후의 웨이퍼(1)를 얻는다. 또한, 웨이퍼(1)의 절단은 절삭 블레이드(40) 외에, 레이저 빔 조사에 의해서도 가능하다.
(3-4) 고정 단계의 다른 형태
고정 단계의 다른 형태로서, 접착제(20)를 외주 볼록부(13)의 표면이 아니라, 도 10의 (a)에 나타내는 바와 같이, 중첩한 웨이퍼(1)와 표면 보호 부재(10), 쌍방의 외주측면에 접착제(20)를 도포하여 배치하고, 양자를 고정하는 형태를 들 수 있다. 이 경우, 접착제(20)는, 필요에 따라 외주면의 전체 둘레에 걸쳐 도포되거나, 둘레 방향에 간격을 두고 간헐적으로 배치된다.
(3-5) 제거 단계의 다른 형태
도 10의 (a)에 도시한 접착제(20)가 자외선 조사에 의해 접착력이 저하되는 타입의 것인 경우에는, 연삭 단계 후의 제거 단계에 있어서는, 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이 외주측면의 접착제(20)에 자외선 조사 수단(50)으로부터 자외선(외적 자극)(51)을 조사함으로써 접착제(20)의 접착력을 저하시키고, 웨이퍼(1)를 표면 보호 부재(10)로부터 박리시켜 표면 보호 부재(10)를 웨이퍼(1) 상으로부터 제거하여, 이면 연삭 후의 웨이퍼(1)를 얻을 수 있다.
또한, 도 10의 (a)에 도시한 접착제(20)가, 외적 자극에 의해 접착력이 저하되는 타입이 아닌 경우에는, 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이 표면 보호 부재(10)측을 유지 테이블(45)로 유지하고, 유지 테이블(45)을 회전시켜 웨이퍼(1)를 자전시키면서, 절삭 블레이드(40)를 디바이스 영역(3)과 접착제(20) 사이의 환형의 경계에 절입시켜, 웨이퍼(1)를 완전 절단한다. 이에 의해 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이, 접착되어 있지 않고 요철 흡수 부재(14)에 맞추어진 디바이스 영역(3)의 부분을, 접착제(20)로 표면 보호 부재(10)에 접착되어 있는 외주 잉여 영역(4)으로부터 이탈시켜, 이면 연삭 후의 웨이퍼(1)를 얻을 수 있다. 또한, 이 경우에는, 접착제(20)를 레이저 빔 조사에 의해 증발 비산시켜 제거함으로써, 표면 보호 부재(10)를 웨이퍼(1)로부터 박리할 수도 있다.
(4) 일 실시형태의 작용 효과
상기 일 실시형태에 따르면, 디바이스 영역(3)의 외측 등의 국소적인 부분에 배치하는 접착제(20)에 의해 표면 보호 부재(10)와 웨이퍼(1)를 고정하고, 이 고정 상태에 있어서 디바이스 영역(3)은 요철 흡수 부재(14)에 대면시키고 있다. 이 때문에, 웨이퍼(1)의 이면 연삭 후에 표면 보호 부재(10)를 웨이퍼(1) 상으로부터 박리하여 제거하는 작업이 용이하며, 접착제(20)는 디바이스(1)의 표면(1a)에 잔존하지 않는다.
또한, 전술한 웨이퍼 서포트 시스템에 있어서는, 웨이퍼에의 접착 장치 및 웨이퍼로부터의 박리 장치가 일반적으로 대형이며 고가인데다가, 접합이나 박리에 요하는 공정의 시간이 길게 걸린다고 하는 문제점이 있었다. 이에 비하여 본 실시형태에서는, 표면 보호 부재(10)를 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 대하여 접착하거나 박리하거나 하기 위한 대형이며 고가인 전용 장치는 불필요하고, 공정에 요하는 시간도 단축할 수 있다고 하는 이점을 얻을 수 있다.
1 : 웨이퍼 1a : 웨이퍼의 표면
1b : 웨이퍼의 이면 2 : 디바이스
3 : 디바이스 영역 4 : 외주 잉여 영역
10 : 표면 보호 부재 11 : 원판형 베이스
12 : 오목부 14 : 요철 흡수 부재
20 : 접착제 21 : 유지 테이블
22 : 연삭 수단 51 : 자외선(외적 자극)

Claims (4)

  1. 표면 보호 부재를 이용하여, 표면에 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 구비한 웨이퍼를 가공하는 가공 방법으로서,
    상기 표면 보호 부재는,
    웨이퍼의 상기 디바이스 영역보다 크며 웨이퍼 사이즈보다 작은 사이즈의 오목부를 표면에 갖고, 웨이퍼의 직경을 포함하는 직경을 갖는 원판형 베이스와,
    상기 오목부에 배치된 요철 흡수 부재를 구비하고,
    상기 웨이퍼를 가공하는 가공 방법은,
    웨이퍼의 상기 디바이스 영역과 상기 표면 보호 부재의 상기 요철 흡수 부재를 대응시켜 웨이퍼를 상기 표면 보호 부재 상에 배치하며 상기 디바이스 영역의 외측에 접착제를 배치하여 상기 표면 보호 부재와 웨이퍼를 고정하는 고정 단계와,
    상기 고정 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 부재측을 유지 테이블로 유지하여 웨이퍼의 이면을 노출시키며 웨이퍼를 연삭 수단으로 연삭하여 정해진 두께로 박화(薄化)하는 연삭 단계와,
    상기 연삭 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 부재를 웨이퍼 상으로부터 제거하는 제거 단계
    를 포함하고,
    상기 접착제는, 외적 자극에 의해 접착력이 저하되는 접착제이며,
    상기 제거 단계에서는, 상기 접착제에 외적 자극을 부여하여 상기 접착제의 접착력을 저하시킨 후, 상기 표면 보호 부재를 웨이퍼 상으로부터 제거하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제거 단계에서는, 상기 디바이스 영역과 상기 접착제 사이에서 적어도 웨이퍼를 완전 절단한 후, 상기 표면 보호 부재를 웨이퍼 상으로부터 제거하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
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