DE102014226050A1 - Bauelementwafer-Bearbeitungsverfahren - Google Patents

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Abstract

In einem Plattenanbringschritt wird eine Platte an einer Vorderseite eines Bauelementwafers durch ein Haftmittel angebracht. In einem Schleifschritt wird der Bauelementwafer mit einem Haltetisch durch die Platte gehalten und eine freigelegte Rückseite des Bauelementwafers durch ein Schleifmittel geschliffen, um die Dicke des Bauelementwafers auf eine vorgegebene Dicke zu verringern. In einem Zerteilungsschritt wird der Bauelementwafer entlang von Trennlinien von der Seite der Rückseite desselben aus geteilt, um mehrere Chips auszubilden. In einem Aufnehmschritt werden die Chips einzeln von der Platte aufgenommen. Die Platte weist im Wesentlichen die gleiche Größe wie der Bauelementwafer auf und deshalb kann eine Zunahme der Größe einer Zerteilungsvorrichtung unterdrückt werden, sogar wenn die Durchmesser der zu bearbeitenden Bauelementwafer vergrößert werden.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Bauelementwafers, der mehrere an einer Vorderseite desselben ausgebildete Bauelemente aufweist.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Zu dem Zeitpunkt des Zerteilens eines Bauelementwafers wird ein Zerteilungsband, das an einem ringförmigen Rahmen angebracht ist, der eine Öffnung mit einem Innendurchmesser aufweist, der größer als ein Außendurchmesser des Bauelementwafers ist, der mehrere an dessen Vorderseite ausgebildete Bauelemente aufweist, an einer Rückseite des Bauelementwafers angebracht, wodurch der Bauelementwafer durch das Zerteilungsband an dem Rahmen angebracht wird. Danach wird der Bauelementwafer in Chips geteilt, die auf einer Bauelementgrundlage aufgebaut sind. Auf diese Weise wird verhindert, dass die bei der Teilung ausgebildeten einzelnen Chips verteilt werden, und werden eine einfache Handhabung des Bauelementwafers vor der Teilung und eine einfache Handhabung der Chips nach der Teilung verwirklicht (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Patent Nr. 2003-243483 ).
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Bei einer konventionellen Zerteilungsvorrichtung wird jedoch ein Rahmen, der größer als ein Bauelementwafer ist, gehalten und durch ein Beförderungsmittel befördert, wodurch eine Zunahme der Vorrichtungsgröße bewirkt wird. Insbesondere wird der Rahmen weiter vergrößert, wenn der Bauelementwafer einen großen Durchmesser (zum Beispiel einen Durchmesser von 450 mm) aufweist, was zu einer größeren Zerteilungsvorrichtung führt. Andererseits besteht ein Bedarf an einer kleineren Zerteilungsvorrichtung.
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Bauelementwafer-Bearbeitungsverfahren bereitzustellen, das eine Bearbeitung von Bauelementwafern ermöglicht, während eine kleine Zerteilungsvorrichtung verwendet wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Bauelementwafers bereitgestellt, der Bauelemente aufweist, die jeweils in Bereichen, die durch mehrere sich schneidende Trennlinien abgeteilt sind, an einer Vorderseite desselben ausgebildet sind, wobei das Verfahren beinhaltet: einen Plattenanbringschritt zum Anbringen einer Platte an der Vorderseite des Bauelementwafers durch ein Haftmittel; einen Schleifschritt zum Halten des Bauelementwafers mit einem Haltetisch durch die Platte, so dass eine Rückseite des Bauelementwafers freigelegt wird, und zum Schleifen der freigelegten Rückseite des Bauelementwafers durch ein Schleifmittel, um die Dicke des Bauelementwafers auf eine vorgegebene Dicke zu verringern; einen Zerteilungsschritt zum Zerteilen des Bauelementwafers entlang der Trennlinien von der Rückseite des Bauelementwafers aus, um so mehrere Chips auszubilden, nachdem der Schleifschritt durchgeführt wurde; und einen Aufnehmschritt zum einzelnen Aufnehmen der Chips von der Platte nachdem der Zerteilungsschritt durchgeführt wurde.
  • Vorzugsweise ist das Haftmittel ein Haftmittel mit einer Haftkraft, die verringert wird, wenn ein äußerer Auslöseimpuls auf dieses aufgebracht wird, und werden die Chips in dem Aufnehmschritt aufgenommen, nachdem der äußere Auslöseimpuls auf das Haftmittel aufgebracht wurde.
  • Vorzugsweise wird in dem Aufnehmschritt ein erster der Chips durch Aufbringen des äußeren Auslöseimpulses auf den Bereich des Haftmittels, der dem ersten der Chips entspricht, aufgenommen und wird danach ein zweiter der Chips, der als nächstes aufzunehmen ist, durch Aufbringen des äußeren Auslöseimpulses auf den Bereich des Haftmittels, der dem zweiten der Chips entspricht, aufgenommen.
  • Gemäß dem Verfahren zum Bearbeiten eines Bauelementwafers entsprechend dem beschriebenen Aspekt der Erfindung wird der Bauelementwafer nicht an einem Zerteilungsband sondern an einer Platte angebracht und das Zerteilen in diesem Zustand durchgeführt. Während ein ringförmiger Rahmen bei der gewöhnlichen Verwendung eine größere Größe als der Bauelementwafer aufweist, weist die Platte im Wesentlichen die gleiche Größe wie der Bauelementwafer auf. Deshalb kann eine Zunahme der Größe einer Zerteilungsvorrichtung unterdrückt werden, sogar wenn die Durchmesser der zu bearbeitenden Bauelementwafer vergrößert werden. Zusätzlich dient die Platte als ein Schutzelement zum Schützen der Bauelemente während des Rückseitenschleifens. Deshalb ist es nicht erforderlich, eigens ein Oberflächenschutzelement an dem Bauelementwafer anzubringen, wenn der Bauelementwafer einem Schleifschritt unterzogen wird. Dies ermöglicht es, die Produktivität zu erhöhen und die Bearbeitungskosten zu senken.
  • Ein Haftmittel mit einer Haftkraft, die verringert wird, wenn ein äußerer Auslöseimpuls auf dieses aufgebracht wird, wird als das Haftmittel verwendet und das Aufnehmen jedes der Chips wird in dem Aufnehmschritt durchgeführt, nachdem der äußere Auslöseimpuls aufgebracht wurde. Dies erleichtert den Aufnehmvorgang.
  • In dem Aufnehmschritt wird ein erster Chip durch das Aufbringen eines äußeren Auslöseimpulses auf den Bereich des Haftmittels, der dem ersten Chip entspricht, aufgenommen und danach ein als nächster aufzunehmender zweiter Chip durch Aufbringen des äußeren Auslöseimpulses auf den Bereich des Haftmittels, der dem zweiten Chip entspricht, aufgenommen. Daher wird der äußere Auslöseimpuls nur auf den Chip aufgebracht, der anschließend aufgenommen wird. Dies ermöglicht es, zu verhindern, dass die Chips, die noch aufgenommen werden müssen, abgezogen und verteilt werden.
  • Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, werden offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, studiert werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Bauelementwafers;
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Weise zeigt, in der ein Haftmittel auf eine Platte aufgebracht wird;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Bauelementwafers mit der an diesem angebrachten Platte;
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Schleifschritt veranschaulicht;
  • 5 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zerteilungsschritt veranschaulicht;
  • 6 ist eine Seitenschnittdarstellung, die den Zerteilungsschritt veranschaulicht;
  • 7 ist eine Seitenschnittdarstellung, die einen weiteren Zerteilungsschritt veranschaulicht;
  • 8 ist eine Seitenschnittdarstellung, die eine Weise zeigt, in der die Haftkraft eines Haftmittels in einem Aufnehmschritt verringert wird; und
  • 9 ist eine Seitenschnittdarstellung, die eine Weise zeigt, in der ein Chip in dem Aufnehmschritt aufgenommen wird.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ein in 1 dargestellter Bauelementwafer 10 ist in einer Scheibenform ausgebildet und weist mehrere an einer Vorderseite 101 desselben ausgebildete Bauelemente 12 auf. Die Bauelemente 12 sind in Bereichen, die durch mehrere sich schneidende Trennlinien 13 abgeteilt sind, an der Vorderseite 101 ausgebildet. Der Bauelementwafer 10 wird entlang der Trennlinien 13 geschnitten, wodurch der Bauelementwafer 10 auf Grundlage jedes der Bauelemente 12 geteilt wird, um mehrere Chips auszubilden.
  • (1) Plattenanbringschritt
  • Wie in 2 dargestellt ist, wird ein Haftmittel 31 tropfenweise einer Vorderseite 201 einer scheibenförmigen Platte 20 durch ein Haftmittelaufbringmittel 30 zugeführt und wird zum Beispiel durch Rotationsbeschichtung bewirkt, dass dieses die Vorderseite 201 beschichtet. Die Platte 20 ist aus einem Material (zum Beispiel Glas) ausgebildet, das sich nicht leicht verformt und für UV(Ultraviolett)-Strahlen durchlässig ist. Als das Haftmittel 31 wird ein Haftmittel verwendet, dessen Haftkraft bei Bestrahlung mit UV-Strahlen verringert wird, wodurch ein einfaches Abziehen des angehafteten Gegenstands ermöglicht wird. Zum Beispiel wird ein Haftmittel 31 verwendet, das darin vermischt Mikrokapseln oder ein Schaummittel zur Expansion oder zum Schäumen bei Bestrahlung mit UV-Strahlen enthält. Das Haftmittelaufbringmittel 30 kann dafür eingerichtet sein, ein flüssiges oder geliertes Haftmittel 31 tropfenweise der Platte 20 zuzuführen, oder dafür eingerichtet sein, ein blattförmiges Stück eines Haftmittels 31 an der Vorderseite 201 der Platte 20 anzubringen.
  • Anschließend wird, wie in 3 veranschaulicht ist, der Bauelementwafer 10 umgedreht und die Vorderseite 101 des Bauelementwafers 10 der Vorderseite 201 der Platte 20 zugewandt und an dieser angebracht, wodurch eine Rückseite 102 des Bauelementwafers 10 freigelegt wird. Dementsprechend wird die Platte 20 durch das Haftmittel 31 an der Vorderseite 201 des Bauelementwafers 10 angebracht.
  • (2) Schleifschritt
  • Anschließend wird, wie in 4 gezeigt ist, die Rückseite 102 des Bauelementwafers 10 unter Verwendung einer Schleifvorrichtung 40 geschliffen, die einen Haltetisch 41 zum Halten des Bauelementwafers 10 und ein Schleifmittel 42 zum Schleifen des durch den Haltetisch 41 gehaltenen Bauelementwafers 10 beinhaltet, um die Dicke des Bauelementwafers 10 auf eine vorgegebene Dicke zu verringern. Der Bauelementwafer 10 wird an einer Halteoberfläche 411 des Haltetischs 41 in einer solchen Weise angebracht, dass die Seite der Platte 20 an der unteren Seite liegt und die Rückseite 102 des Bauelementwafers 10 freigelegt ist, wodurch der Bauelementwafer 10 mit dem Haltetisch 41 durch die Platte 20 gehalten wird.
  • Andererseits beinhaltet das Schleifmittel 42 einen Schaftabschnitt 421, eine an einem unteren Ende des Schaftabschnitts 421 angebrachte Anbringung 422 und eine Schleifscheibe 423, die an der Anbringung 422 angebracht ist und mehrere in einem ringförmigen Muster befestigte Schleifsteine 43 aufweist. Während der Haltetisch 41 um eine Drehachse 419 gedreht wird und die an dem Schleifmittel 42 angebrachten Schleifsteine 43 um eine Drehachse 429 gedreht werden, werden die Schleifsteine 43 mit der Rückseite 102 des Bauelementwafers 10 in Kontakt gebracht, wodurch die Rückseite 102 des Bauelementwafers 10 geschliffen wird. Dadurch wird die Dicke des Bauelementwafers 10 verringert. Die Schleifvorrichtung 40 beendet das Schleifen, wenn der Bauelementwafer 10 eine vorgegebene Dicke erreicht hat.
  • (3) Zerteilungsschritt
  • Nachdem der Schleifschritt durchgeführt wurde, wird das Zerteilen des Bauelementwafers 10 in einzelne Chips unter Verwendung einer in 5 dargestellten Schneidvorrichtung 50 durchgeführt. Die Schneidvorrichtung 50 beinhaltet ein Schneidmittel 51 mit einer Schneidklinge 52, die um eine in einer Y-Achsenrichtung ausgerichtete Drehachse 519 gedreht werden kann. Eine der an der Vorderseite 101 des Bauelementwafers 10 ausgebildeten Trennlinien 13 wird erfasst, indem sie zum Beispiel von der Seite der Rückseite 102 des Bauelementwafers 10 aus durch eine Infrarotkamera abgebildet wird, und ein Positionsabgleich zwischen der erfassten Trennlinie 13 und der Schneidklinge 52 in der Y-Achsenrichtung wird durchgeführt. Danach wird, während der Bauelementwafer 10 in einer X-Achsenrichtung bewegt und die Schneidklinge 52 gedreht wird, das Schneidmittel 51 abgesenkt, um den Bauelementwafer 10 von der Seite der Rückseite 102 des Bauelementwafers 10 aus zu schneiden, wodurch eine Nut 55 ausgebildet wird.
  • Wie in 6 veranschaulicht ist, wird die Nut 55 entlang der Trennlinie 13 des Bauelementwafers 10 bis zu einer solchen Tiefe ausgebildet, dass der Bauelementwafer 10 vollständig geschnitten wird. Wenn das Schneiden in der gleichen Weise in den sich kreuzenden Richtungen der Trennlinien für alle Trennlinien durchgeführt wird, wird der Bauelementwafer 10 in die mehreren Chips 15 geteilt (zerteilt). Jeder der Chips 15 weist ein Bauelement 12 auf.
  • Falls die Platte 20 aus Glas ausgebildet ist, kann ein Aufbau verwendet werden, bei dem der Bauelementwafer 10 von der Seite der Vorderseite 101 aus durch die Platte 20 abgebildet wird, um das Muster an der Vorderseite 101 zu erfassen, wodurch die Schneidklinge 52 an der Trennlinie 13 angeordnet wird. Während der ringförmige Rahmen bei der gewöhnlichen Verwendung beim Zerteilen eine größere Größe als der Bauelementwafer 10 aufweist, weist die Platte 20 im Wesentlichen die gleiche Größe wie der Bauelementwafer 10 auf. Deshalb kann eine Zunahme der Größe einer Zerteilungsvorrichtung unterdrückt werden, sogar wenn die Durchmesser der zu bearbeitenden Bauelementwafer 10 vergrößert werden. Zusätzlich dient die Platte 20 als ein Schutzelement zum Schützen der Bauelemente 12 während des Schleifschritts. Deshalb ist es nicht erforderlich, in dem Vorgang des Schleifschritts eigens ein weiteres Oberflächenschutzelement an dem Bauelementwafer 10 anzubringen. Dies ermöglicht es, die Produktivität zu erhöhen und die Bearbeitungskosten zu senken.
  • Anstelle der Schneidvorrichtung 50 kann eine wie in 7 dargestellte Laserbestrahlvorrichtung 60 verwendet werden, um den Bauelementwafer 10 zu teilen. Zum Beispiel bringt die Laserbestrahlvorrichtung 60 einen Laserstrahl 63 entlang der Trennlinien 13 von der Seite der Rückseite 102 des Bauelementwafers 10 aus auf den Bauelementwafer 10 auf, um eine Ablation zu bewirken, wodurch der Bauelementwafer 10 vollständig geschnitten wird. Das Aufbringen des Laserstrahls 63 kann wie erforderlich in mehreren Durchgängen durchgeführt werden.
  • (4) Aufnehmschritt
  • Nachdem der Zerteilungsschritt durchgeführt wurde, wird eine Vorrichtung 70 zum Aufbringen eines äußeren Auslöseimpulses verwendet, wie zum Beispiel eine UV-Bestrahlvorrichtung, bei der eine Lichtquelle 72, wie zum Beispiel eine Leuchtdiode zum Abstrahlen von UV-Strahlen, innerhalb einer Maske 71 vorgesehen ist, um so einen äußeren Auslöseimpuls auf das Haftmittel 31 aufzubringen und dadurch die Haftkraft des Haftmittels 31 zu verringern, wie in 8 veranschaulicht ist.
  • Die Vorrichtung 70 zum Aufbringen eines äußeren Auslöseimpulses bestrahlt den Bereich des Haftmittels 31, der einem der Chips (zum Beispiel einem ersten Chip 15a) entspricht, mit UV-Strahlen. Die Maske 71 fängt die von der Lichtquelle 72 abgestrahlten UV-Strahlen ab, so dass der äußere Auslöseimpuls nicht auf die Bereiche des Haftmittels 31 aufgebracht wird, die den anderen Chips (zum Beispiel einem zweiten Chip 15b, einem dritten Chip 15c usw.) entsprechen. Die Vorrichtung 70 zum Aufbringen eines äußeren Auslöseimpulses kann so aufgebaut sein, dass sie eine Linse zum Verdichten der von der Lichtquelle 72 abgestrahlten UV-Strahlen in den Bereich des Haftmittels 31, der einem der Chips entspricht, aufweist.
  • Nachdem der Bereich des Haftmittels 31, der dem ersten Chip 15a entspricht, mit UV-Strahlen bestrahlt wurde, wird eine Aufnehmvorrichtung 80 mit einer Aufnahme 81 verwendet, um den Chip 15a von der Platte 20 aufzunehmen, wobei die Haftkraft des Haftmittels 31 in dem Bereich, der diesem entspricht, verringert wurde, wie in 9 gezeigt ist. Danach werden die Vorrichtung 70 zum Aufbringen eines äußeren Auslöseimpulses und der Bauelementwafer 10 relativ bewegt und bringt die Vorrichtung 70 zum Aufbringen eines äußeren Auslöseimpulses einen äußeren Auslöseimpuls auf den Bereich des Haftmittels 31 auf, der dem als nächstes aufzunehmenden zweiten Chip 15b entspricht. Nachdem der zweite Chip 15b durch die Aufnehmvorrichtung 80 aufgenommen wurde, bringt die Vorrichtung 70 zum Aufbringen eines äußeren Auslöseimpulses den äußeren Auslöseimpuls auf den Bereich des Haftmittels 31 auf, der dem als nächstes aufzunehmenden dritten Chip 15c entspricht.
  • In dieser Weise werden die Chips aufeinander folgend einer nach dem anderen aufgenommen. Der äußere Auslöseimpuls wird nur auf den Bereich des Haftmittels 31 aufgebracht, der einem Chip entspricht, der Chip, auf dessen entsprechenden Bereich der äußere Auslöseimpuls aufgebracht wurde, wird aufgenommen und dieser Vorgang wird wiederholt. Dies erleichtert nicht nur den Aufnehmvorgang, sondern gewährleistet außerdem Folgendes. Zu dem Zeitpunkt des Aufnehmens eines Chips wurde die Haftkraft des Haftmittels 31, das an dem Chip, der aufgenommen werden soll, anhaftet, verringert, so dass der Chip leicht aufgenommen werden kann. Zusätzlich kann, da die Haftkraft des Haftmittels 31, das an den anderen Chips anhaftet, noch nicht verringert wurde, das Risiko vermieden werden, dass diese Chips, die noch nicht aufgenommen werden sollen, versehentlich abgezogen und verteilt werden.
  • Während in dem oben beschriebenen Plattenanbringschritt das Haftmittel 31 auf die Platte 20 aufgebracht wird und der Bauelementwafer 10 an der mit dem Haftmittel beschichteten Platte angebracht wird, kann das Haftmittel in der Form eines Blatts vorliegen. Zum Beispiel kann das Haftmittel in der Form eines doppelseitig mit Haftmittel beschichteten Bands vorliegen. In diesem Fall wird eine Haftmittelschicht an einer Seite des doppelseitig mit Haftmittel beschichteten Bands an der Platte 20 angehaftet, während eine Haftmittelschicht an der anderen Seite eine Haftmitteloberfläche bildet, deren Haftkraft verringert wird, wenn ein äußerer Auslöseimpuls auf diese aufgebracht wird, und trägt die letztere Haftmittelschicht zum Anbringen an dem Bauelementwafer 10 bei. Es ist ausreichend, dass das Haftmittel eine Haftkraft aufweist, die verringert wird, wenn ein äußerer Auslöseimpuls auf dieses aufgebracht wird, ungeachtet der Art des äußeren Auslöseimpulses. Zum Beispiel kann ein Haftmittel verwendet werden, dessen Haftkraft durch Erwärmen verringert wird. Falls der äußere Auslöseimpuls nicht Bestrahlung mit UV-Strahlen ist, muss die Platte 20 nicht aus einem UV-durchlässigen Material ausgebildet sein.
  • In einem solchen Fall kann die Platte 20 deshalb zum Beispiel aus Silizium ausgebildet sein.
  • Ein Aufbau kann verwendet werden, bei dem eine Chipbindeschicht (DAF: Chipanbringschicht) an der Rückseite 102 des Bauelementwafers 10 nach dem Schleifschritt angebracht wird und der Bauelementwafer 10 zusammen mit der DAF in dem Zerteilungsschritt geteilt wird.
  • Es reicht aus, dass die in dem Zerteilungsschritt ausgebildeten Nuten 55 mit einer solchen Tiefe ausgebildet werden, dass der Bauelementwafer 10 vollständig geschnitten und in die mehreren Chips 15 geteilt werden kann. Die Nuten 55 können in die Platte 20 vordringen oder nur in das Haftmittel 31 vordringen. Wenn die Nuten 55 nicht in die Platte 20 vordringen, kann die Platte 20 wiederverwendet werden, was im Hinblick auf verringerte Kosten vorzuziehen ist. Wenn das Haftmittel 31 mit einer großen Beschichtungsdicke ausgebildet ist, ist es möglich, in einfacher Weise ein Schneiden in die Platte 20 zu verhindern, während ein vollständiges Schneiden des Bauelementwafers 10 verwirklicht wird.
  • Das Verfahren zum Teilen des Bauelementwafers 10 in dem Zerteilungsschritt ist nicht auf das Verfahren zum Schneiden mit der Schneidklinge 52 und das Verfahren zum Aufbringen des Laserstrahls 63 beschränkt, sondern es können auch andere Verfahren verwendet werden, wie zum Beispiel ein Verfahren zum Plasmaätzen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen, werden deshalb durch die Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2003-243483 [0002]

Claims (3)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines Bauelementwafers, der Bauelemente aufweist, die jeweils in Bereichen, die durch mehrere sich schneidende Trennlinien abgeteilt sind, an einer Vorderseite desselben ausgebildet sind, wobei das Verfahren umfasst: einen Plattenanbringschritt zum Anbringen einer Platte an der Vorderseite des Bauelementwafers durch ein Haftmittel; einen Schleifschritt zum Halten des Bauelementwafers mit einem Haltetisch durch die Platte, so dass eine Rückseite des Bauelementwafers freigelegt wird, und zum Schleifen der freigelegten Rückseite des Bauelementwafers durch ein Schleifmittel, um die Dicke des Bauelementwafers auf eine vorgegebene Dicke zu verringern; einen Zerteilungsschritt zum Zerteilen des Bauelementwafers entlang der Trennlinien von der Rückseite des Bauelementwafers aus, um so mehrere Chips auszubilden, nachdem der Schleifschritt durchgeführt wurde; und einen Aufnehmschritt zum einzelnen Aufnehmen der Chips von der Platte, nachdem der Zerteilungsschritt durchgeführt wurde.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Haftmittel ein Haftmittel mit einer Haftkraft ist, die verringert wird, wenn ein äußerer Auslöseimpuls auf dieses aufgebracht wird, und in dem Aufnehmschritt die Chips aufgenommen werden, nachdem der äußere Auslöseimpuls auf das Haftmittel aufgebracht wurde.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem in dem Aufnehmschritt ein erster der Chips durch Aufbringen des äußeren Auslöseimpulses auf den Bereich des Haftmittels, der dem ersten der Chips entspricht, aufgenommen wird und danach ein zweiter der Chips, der als nächstes aufgenommen werden soll, durch Aufbringen des äußeren Auslöseimpulses auf den Bereich des Haftmittels, der dem zweiten der Chips entspricht, aufgenommen wird.
DE102014226050.7A 2013-12-17 2014-12-16 Bauelementwafer-Bearbeitungsverfahren Withdrawn DE102014226050A1 (de)

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