JP2008263070A - デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】デバイスの品質を低下させることなく裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着したデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ2の裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレード421bにより切削しデバイスの仕上がり厚さより薄い未切削部を表面側に残して切削溝を形成する工程と、ウエーハの裏面をデバイスの仕上がり厚さになるまで研削し裏面に切削溝を残存させる工程と、ウエーハの裏面に接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、接着フィルムが装着されたウエーハの接着フィルム側をダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し未切削部を切断してウエーハを個々のデバイスに分割するとともに接着フィルムを切削するウエーハ切断工程と、ダイシングテープを拡張して接着フィルムをデバイス毎に分離する接着フィルム分離工程とを含む。
【選択図】図7
【解決手段】ウエーハ2の裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレード421bにより切削しデバイスの仕上がり厚さより薄い未切削部を表面側に残して切削溝を形成する工程と、ウエーハの裏面をデバイスの仕上がり厚さになるまで研削し裏面に切削溝を残存させる工程と、ウエーハの裏面に接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、接着フィルムが装着されたウエーハの接着フィルム側をダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し未切削部を切断してウエーハを個々のデバイスに分割するとともに接着フィルムを切削するウエーハ切断工程と、ダイシングテープを拡張して接着フィルムをデバイス毎に分離する接着フィルム分離工程とを含む。
【選択図】図7
Description
本発明は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法に関する。
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート(分割予定ライン)によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域を分割予定ラインに沿って分割することにより個々のデバイスを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置は厚さが40μm程度の切削ブレードによって半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切削する。このようにして分割されたデバイスは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
個々に分割されたデバイスは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ70〜80μmのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介してデバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに沿って切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断することにより、裏面に接着フィルムが装着されたデバイスを形成している。(例えば、特許文献1参照。)
特開2000−182995号公報
しかるに、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断して個々のデバイスに分割すると、デバイスの裏面に欠けが発生するという問題がある。
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄いデバイスが要求されている。より薄くデバイスを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って所定の深さ(デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ)の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々のデバイスに分割する技術であり、デバイスの裏面に欠けが発生することなくデバイスの厚さを100μm以下に加工することが可能である。
しかるに、上述した先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々のデバイスに分割する場合には、半導体ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もって半導体ウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって製作されたデバイスをダイボンディングフレームにボンディングする際には、デバイスとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。
このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、各デバイス間の間隙に露出された接着フィルムの部分をカッターで切断するようにした半導体デバイスの製造方法、および上記各デバイス間の間隙に露出された接着フィルムの部分に、デバイスの表面側から上記間隙を通してレーザー光線を照射し、接着フィルムの上記間隙に露出された部分を除去するようにした半導体デバイスの製造方法が提案されている。(例えば、特許文献2参照。)
特開2002−118081号公報
而して、先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々のデバイスに分割する場合に半導体ウエーハの裏面を分割溝が表出するまで研削すると、個々に分割されたデバイスが動き、直線状に切削された分割溝が歪んでしまう。このため、分割溝に挿入したカッターを歪んだ分割溝に沿って相対移動することは困難であり、また、歪んだ分割溝に沿ってレーザー光線を照射することは困難である。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、デバイスの品質を低下させることなく裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着したデバイスの製造方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法であって、
ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し、デバイスの仕上がり厚さより薄い未切削部を表面側に残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの裏面をデバイスの仕上がり厚さになるまで研削し、裏面に該切削溝を残存させる裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
該接着フィルムが装着されたウエーハの該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープの表面に該接着フィルムを介して貼着されたウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し、該未切削部を切断してウエーハを個々のデバイスに分割するとともに該接着フィルムを切削するウエーハ切断工程と、
該ウエーハ切断工程を実施した後、該ダイシングテープを拡張して該接着フィルムをデバイス毎に分離する接着フィルム分離工程と、を含む、
ことを特徴とするデバイスの製造方法が提供される。
ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し、デバイスの仕上がり厚さより薄い未切削部を表面側に残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの裏面をデバイスの仕上がり厚さになるまで研削し、裏面に該切削溝を残存させる裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
該接着フィルムが装着されたウエーハの該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープの表面に該接着フィルムを介して貼着されたウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し、該未切削部を切断してウエーハを個々のデバイスに分割するとともに該接着フィルムを切削するウエーハ切断工程と、
該ウエーハ切断工程を実施した後、該ダイシングテープを拡張して該接着フィルムをデバイス毎に分離する接着フィルム分離工程と、を含む、
ことを特徴とするデバイスの製造方法が提供される。
上記ウエーハ切断工程において切削する切削ブレードの厚みは、上記切削溝形成工程において切削する切削ブレードの厚みより薄く設定されていることが望ましい。そして、上記ウエーハ切断工程においては接着フィルムを完全切断する。
本発明によれば、ウエーハ切断工程を実施する際には、ウエーハの表面側には未切削部が残存しているので、切削溝は直線状に維持されるため、切削ブレードにより切削溝に沿って切削することができる。また、ウエーハ切断工程においては、切削ブレードによって切削される領域におけるウエーハの裏面には上記切削溝形成工程において既に切削溝が形成されているので、切断されたデバイスの裏面に欠けが発生することはない。特に、ウエーハ切断工程を実施する切削ブレードの厚みが上記切削溝形成工程を実施した切削ブレードの厚みより薄い場合には、切断するデバイスの裏面周辺に切削ブレードが接触しないので、デバイスの裏面に欠けが発生ことを確実に防止することができる。
以下、本発明によるデバイスの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ2は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面2aには複数の分割予定ライン21が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ2の表面2aには、格子状に形成された複数の分割予定ライン21によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス22が形成されている。
上述した半導体ウエーハ2を分割予定ライン21に沿って分割し個々のデバイスを製造するには、図2に示すように先ず半導体ウエーハ2の表面2a(デバイス22が形成されている面)に、保護テープ3を貼着する(保護テープ貼着工程)。なお、保護テープ3は、図示の実施形態においては厚さが150μmのポリオレフィンシートが用いられている。
上記保護テープ貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ2の裏面側から分割予定ライン21に沿って切削し、デバイス22の仕上がり厚さより薄い未切削部を表面側に残して切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。この切削溝形成工程は、図3の(a)に示す切削装置4を用いて実施する。図3の(a)に示す切削装置4は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル41と、切削ブレード421aを備えた切削手段42と、撮像手段43を具備している。なお、切削ブレード421aは、図示の実施形態においては厚みが50μmのものを用いる。また、撮像手段43は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されている。
このように構成された切削装置4を用いて切削溝形成工程を実施するには、チャックテーブル41上に半導体ウエーハ2の保護テープ3側を載置する。従って、チャックテーブル41に保持された半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。次に、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ2をチャックテーブル41上に保護テープ3を介して吸引保持する。このようにして、半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸引保持したチャックテーブル41は、図示しない切削送り機構によって撮像手段43の直下に位置付けられる。
チャックテーブル41が撮像手段43の直下に位置付けられると、撮像手段43および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ2の切削溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段43および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ2の所定方向に形成されている分割予定ライン21と、切削ブレード421aとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する(アライメント工程)。また、半導体ウエーハ2に形成されている上記所定方向に対して直角に延びる分割予定ライン21に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ2の分割予定ライン21が形成されている表面2aは下側に位置しているが、撮像手段43が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、裏面2bから透かして分割予定ライン21を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル41上に保持されている半導体ウエーハ2の切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ2を保持したチャックテーブル41を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード421aを図3の(a)において矢印42aで示す方向に回転しつつ下方に移動して所定量の切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード421aの外周縁が半導体ウエーハ2の表面(下面)からデバイスの仕上がり厚さ(例えば、100μm)より表面側に至る位置(例えば、裏面(上面)から620μmの深さ位置)に設定されている。このようにして、切削ブレード421aの切り込み送りを実施したならば、切削ブレード421aを例えば40000rpmの回転速度で回転しつつチャックテーブル41を図3の(a)において矢印Xで示す方向に例えば50mm/秒の切削送り速度で切削送りする。この結果、図3の(b)に示すように分割予定ライン21に沿って裏面2bから深さが620μmの切削溝210が形成される。従って、半導体ウエーハ2の表面2a側には、厚さが80μmの未切削部211が残存することになる。この切削溝形成工程を半導体ウエーハ2に形成された全ての分割予定ライン21に沿って実施する。
上述した切削溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ2の裏面をデバイスの仕上がり厚さ(例えば、100μm)になるまで研削する。この裏面研削工程は、図示の実施形態においては図4の(a)に示す研削装置5によって実施する。図4の(a)に示す研削装置5は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル51と、研削砥石52を備えた研削手段53とを具備している。このように構成された研削装置5によって上記裏面研削工程実施するには、チャックテーブル51上に半導体ウエーハ2の保護テープ3側を載置する。従って、チャックテーブル51に保持された半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。そして、チャックテーブル51を矢印51aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削手段53の研削砥石52を52aで示す方向に例えば6000rpmで回転せしめて半導体ウエーハ2の裏面2bに接触することにより、半導体ウエーハ2の厚さがデバイスの仕上がり厚さである例えば、100μmになるまで研削する。この結果、半導体ウエーハ2の裏面2bには、図4の(b)および図4の(c)に示すように第1の切削溝210が20μmの深さで残存する。このように半導体ウエーハ2の裏面2bを研削することにより、上記切削溝形成工程の際に第1の切削溝210の両側の裏面付近に発生した欠け(チッピング)が除去される。
次に、上述した裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ2の裏面2bに、ダイボンディング用の接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程を実施する。即ち、図5の(a)および(b)に示すように接着フィルム6を半導体ウエーハ2の裏面2bに装着する。このとき、80〜200°Cの温度で加熱しつつ接着フィルム6を半導体ウエーハ2の裏面2bに押圧して貼着する。
上述したように接着フィルム装着工程を実施したならば、図6に示すように接着フィルム6が装着された半導体ウエーハ2の接着フィルム6側を、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。そして、半導体ウエーハ2の表面2aに貼着されている保護テープ3を剥離する(保護テープ剥離工程)。なお、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する場合には、上述した裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ2の裏面2bに、ダイシングテープの表面に貼着された接着フィルムを装着する。そして、上記保護テープ剥離工程を実施する。
次に、ダイシングテープTの表面に接着フィルム6を介して貼着された半導体ウエーハ2の表面側から分割予定ライン21に沿って切削し、上記未切削部211を切断して半導体ウエーハ2を個々のデバイス22に分割するとともに接着フィルム6を切削するウエーハ切断工程を実施する。このウエーハ切断工程は、図7の(a)に示すように上記図3の(a)に示す切削装置4と同様の切削装置を用いて実施することができる。このとき、切削ブレード421bは、上記切削溝形成工程において用いた切削ブレード421aの厚み(50μm)より薄い厚み(20μm)のものを用いる。ウエーハ切断工程を実施するには、図7の(a)に示すように切削装置4のチャックテーブル41上に上述したウエーハ支持工程において半導体ウエーハ2が貼着されたダイシングテープTを載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ2をチャックテーブル41上に保持する。従って、チャックテーブル41保持された半導体ウエーハ2は、表面2aが上側となる。なお、図7の(a)においてはダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル41に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル41は、図示しない切削送り機構によって撮像手段43の直下に位置付けられる。
チャックテーブル41が撮像手段43の直下に位置付けられると、上記切削溝形成工程と同様に撮像手段43および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ2の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段43および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ2の所定方向に形成されている分割予定ライン21と、切削ブレード421bとの位置合わせを行う。
以上のようにしてチャックテーブル41上に保持されている半導体ウエーハ2に形成されている分割予定ライン21を検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ2を保持したチャックテーブル41を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード421bを図7の(a)において矢印42bで示す方向に回転しつつ下方に移動して所定量の切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード421bの外周縁が少なくとも半導体ウエーハ2の裏面2bに装着された接着フィルム6に達する位置、好ましくは切削ブレード421bの外周縁がダイシングテープTに達する位置に設定されている。このようにして、切削ブレード421bの切り込み送りを実施したならば、切削ブレード421bを例えば40000rpmの回転速度で回転しつつチャックテーブル41を図7の(a)において矢印Xで示す方向に例えば50mm/秒の切削送り速度で切削送りする。この結果、半導体ウエーハ2には図7の(b)または図7の(c)に示すように上記切削溝形成工程によって形成された切削溝210と対応する未切削部211が切断される。そして、切削ブレード421bの外周縁が半導体ウエーハ2の裏面2bに装着された接着フィルム6に達する位置に設定されている場合は、図7の(b)に示すように接着フィルム6が一部切削される。また、切削ブレード421bの外周縁がダイシングテープTに達する位置に設定されている場合には、図7の(c)に示すように接着フィルム6が完全切断される。
このように、ウエーハ切断工程を実施する際には、半導体ウエーハ2の表面2a側には未切削部211が残存しているので、切削溝210は直線状に維持されるため、切削ブレード421bにより切削溝210に沿って切削することができる。また、ウエーハ切断工程においては、切削ブレード421bによって切削される領域における半導体ウエーハ2の裏面2b(下面)には上記切削溝形成工程において既に切削溝210が形成されているので、切断されたデバイスの裏面に欠けが発生することはない。特に、ウエーハ切断工程を実施する切削ブレード421bの厚みが上記切削溝形成工程を実施した切削ブレード421aの厚みより薄い場合には、切断するデバイス22の裏面周辺に切削ブレード421bが接触しないので、デバイスの裏面に欠けが発生ことを確実に防止することができる。
上述したようにウエーハ切断工程を実施したならば、ダイシングテープTを拡張して接着フィルム6をデバイス毎に分離する接着フィルム分離工程を実施する。この接着フィルム分離工程は、図示の実施形態においては図8に示すテープ拡張装置7を用いて実施する。図8に示すテープ拡張装置7は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段71と、該フレーム保持手段71に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段72を具備している。フレーム保持手段71は、環状のフレーム保持部材711と、該フレーム保持部材711の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ712とからなっている。フレーム保持部材711の上面は環状のフレームFを載置する載置面711aを形成しており、この載置面711a上に環状のフレーム4が載置される。そして、載置面711a上に載置された環状のフレーム4は、クランプ712によってフレーム保持部材711に固定される。このように構成されたフレーム保持手段71は、テープ拡張手段72によって上下方向に進退可能に支持されている。
テープ拡張手段72は、上記環状のフレーム保持部材711の内側に配設される拡張ドラム721を具備している。この拡張ドラム721は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されるウエーハ2の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム721は、下端に支持フランジ722を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段72は、上記環状のフレーム保持部材711を上下方向に進退可能な支持手段73を具備している。この支持手段73は、上記支持フランジ722上に配設された複数のエアシリンダ731からなっており、そのピストンロッド732が上記環状のフレーム保持部材711の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ731からなる支持手段73は、環状のフレーム保持部材711を載置面711aが拡張ドラム721の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム721の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ731からなる支持手段73は、拡張ドラム721とフレーム保持部材711とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。
以上のように構成されたテープ拡張装置7を用いて実施する接着フィルム分離工程について図9を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ2(分割予定ライン21に沿って個々のデバイス22に分割されている)の接着フィルム6側が貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを、図9の(a)に示すようにフレーム保持手段71を構成するフレーム保持部材711の載置面711a上に載置し、クランプ712によってフレーム保持部材711に固定する。このとき、フレーム保持部材711は図9の(a)に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段72を構成する支持手段73としての複数のエアシリンダ731を作動して、環状のフレーム保持部材711を図9の(b)に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材711の載置面711a上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図9の(b)に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム721の上端縁に接して拡張せしめられる(テープ拡張工程)。この結果、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム6は放射状に引張力が作用する。このように接着フィルム6に放射状に引張力が作用すると、半導体ウエーハ2は分割予定ライン21に沿って個々のデバイス22に分割されているので、個々のデバイス22間が広がり、間隔Sが形成される。このため、接着フィルム6には引張力が作用するので、接着フィルム6は上記ウエーハ切断工程において完全切断されていない場合でも、切削ブレード421bによって一部が切削された切削溝を基点として破断され、デバイス22毎に分離される。また、接着フィルム6が上記ウエーハ切断工程において完全切断されている場合には、上記テープ拡張工程によって個々のデバイス22間に間隔Sが形成されることにより、接着フィルム6はデバイス22毎に確実に分離される。
上述したように接着フィルム分離工程を実施したならば、図9の(b)に示すようにピックアップ手段のピックアップコレット8によって個々の分割されたデバイス22(裏面に接着フィルム6が装着されている)を吸着し、ダイシングテープTから剥離することにより、図10に示すように裏面に接着フィルム6が貼着されたデバイス22をピックアップすることができる(ピックアップ工程)。このピックアップ工程においては、上述したように接着フィルム6が装着された個々のデバイス22間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス22と接触することなく容易にピックアップすることができる。
2:半導体ウエーハ
21:分割予定ライン
22:デバイス
3:保護テープ
4:切削装置
41:切削装置のチャックテーブル
42:切削手段
421a:切削ブレード
421b:切削ブレード
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削砥石
53:研削手段
6:接着フィルム
7:テープ拡張装置
71:フレーム保持手段
711:フレーム保持部材
712:クランプ
72:テープ拡張手段
721:拡張ドラム
73:支持手段
731:エアシリンダ
732:ピストンロッド
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
21:分割予定ライン
22:デバイス
3:保護テープ
4:切削装置
41:切削装置のチャックテーブル
42:切削手段
421a:切削ブレード
421b:切削ブレード
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削砥石
53:研削手段
6:接着フィルム
7:テープ拡張装置
71:フレーム保持手段
711:フレーム保持部材
712:クランプ
72:テープ拡張手段
721:拡張ドラム
73:支持手段
731:エアシリンダ
732:ピストンロッド
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (3)
- 表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法であって、
ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し、デバイスの仕上がり厚さより薄い未切削部を表面側に残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの裏面をデバイスの仕上がり厚さになるまで研削し、裏面に該切削溝を残存させる裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
該接着フィルムが装着されたウエーハの該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープの表面に該接着フィルムを介して貼着されたウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し、該未切削部を切断してウエーハを個々のデバイスに分割するとともに該接着フィルムを切削するウエーハ切断工程と、
該ウエーハ切断工程を実施した後、該ダイシングテープを拡張して該接着フィルムをデバイス毎に分離する接着フィルム分離工程と、を含む、
ことを特徴とするデバイスの製造方法。 - 該ウエーハ切断工程において切削する切削ブレードの厚みは、該切削溝形成工程において切削する切削ブレードの厚みより薄く設定されている、請求項1記載のデバイスの製造方法。
- 該ウエーハ切断工程においては、該接着フィルムを完全切断する、請求項2記載のデバイスの製造方法。
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