KR20150142597A - 웨이퍼 가공 방법 - Google Patents

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wafer
adhesive film
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semiconductor wafer
line
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마사루 나카무라
기미타케 만토쿠
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 분할 예정 라인을 따라 분할되거나, 또는 분할 예정 라인을 따라 파단 기점이 형성된 웨이퍼의 이면에 장착한 다이 본딩용의 접착 필름을 개개로 분할된 반도체 디바이스 칩을 따라 파단하고, 파단할 때에 미세하게 파쇄된 접착 필름이 반도체 디바이스 칩의 표면에 직접 부착되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
표면에 복수의 분할 예정 라인이 격자형으로 형성되어 있고, 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스 칩이 형성된 웨이퍼 가공 방법으로서, 분할 예정 라인을 따라 분할되거나, 또는 분할 예정 라인을 따라 파단 기점이 형성된 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 장착하고, 접착 필름측에 다이싱 테이프를 접착하여 다이싱 테이프의 외주부를 환형의 프레임에 의해 지지하는 웨이퍼 지지 공정과, 다이싱 테이프를 확장시켜 접착 필름을 개개의 디바이스 칩을 따라 파단하는 접착 필름 파단 공정을 포함하고, 접착 필름 파단 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼의 표면, 또는 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름의 외주부, 혹은 웨이퍼의 표면 및 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름의 외주부에 수용성 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 실시한다.

Description

웨이퍼 가공 방법{WAFER MACHINING METHOD}
본 발명은 표면에 격자형으로 형성된 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스 칩으로 분할하고, 각 디바이스 칩의 이면에 다이 본딩용의 접착 필름을 장착하는 웨이퍼 가공 방법에 관한 것이다.
예컨대, 반도체 디바이스 칩 제조 프로세스에 있어서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 형성된 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성하고, 상기 디바이스가 형성된 각 영역을 분할 예정 라인을 따라 분할함으로써 개개의 반도체 디바이스 칩을 제조하고 있다. 반도체 웨이퍼를 분할하는 분할 장치로서는 일반적으로 다이싱 장치가 이용되고 있으며, 이 다이싱 장치는 두께가 20 ㎛~30 ㎛ 정도인 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 절삭한다. 이렇게 해서 분할된 반도체 디바이스 칩은, 패키징되어 휴대 전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 널리 이용되고 있다.
반도체 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 방법으로서, 소위 선(先) 다이싱법(Dicing Before Grinding)이라고 불리는 분할 기술이 실용화되어 있다. 이 선 다이싱법은, 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 스트리트를 따라 소정의 깊이(반도체 디바이스 칩의 마무리 두께에 상당하는 깊이)의 절삭홈을 형성하고, 그 후, 표면에 절삭홈이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 상기 이면에 절삭홈을 표출시켜 개개의 반도체 디바이스 칩으로 분할하는 기술이며, 반도체 디바이스 칩의 두께를 50 ㎛ 이하로 가공하는 것이 가능하다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
또한, 반도체 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 방법으로서, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 이용하여, 분할해야 할 영역의 내부에 집광점을 위치시켜 펄스 레이저 광선을 조사(照射)하는 내부 가공이라고 불리는 레이저 가공 방법도 실용화되어 있다. 이 내부 가공이라고 불리는 레이저 가공 방법을 이용한 분할 방법은, 웨이퍼의 이면측으로부터 내부에 집광점을 맞춰 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하여, 웨이퍼의 내부에 분할 예정 라인을 따라 개질층을 연속적으로 형성하고, 이 개질층이 형성됨으로써 강도가 저하된 분할 예정 라인을 따라 외력을 가함으로써, 웨이퍼를 파단하여 분할하는 기술이다(예컨대, 특허문헌 2 참조).
전술한 바와 같이 개개로 분할된 반도체 디바이스 칩은, 그 이면에 폴리이미드계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 등으로 형성된 두께 20 ㎛~40 ㎛의 다이어태치 필름(DAF)이라고 불리는 다이 본딩용의 접착 필름이 장착되고, 이 접착 필름을 통해 반도체 디바이스 칩을 지지하는 다이 본딩 프레임에 가열 용착함으로써 본딩된다.
그런데, 전술한 각 분할 방법에서는 다이 본딩용의 접착 필름을 반도체 웨이퍼의 이면에 장착한 상태에서 전술한 웨이퍼의 이면 연삭이나 웨이퍼의 이면측으로부터 레이저 광선을 조사할 수 없기 때문에, 개개의 반도체 디바이스 칩으로 분할된 반도체 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착 필름을 장착하고, 접착 필름측을 다이싱 테이프에 접착하며, 상기 다이싱 테이프를 확장시킴으로써 접착 필름을 개개로 분할된 반도체 디바이스 칩을 따라 파단하는 기술이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 3, 특허문헌 4 참조).
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2003-7648호 공보 특허문헌 2 : 일본 특허 제3408805호 공보 특허문헌 3 : 일본 특허 공개 제2005-223282호 공보 특허문헌 4 : 일본 특허 공개 제2008-235650호 공보
그러나, 개개의 디바이스 칩으로 분할된 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 장착하고, 다이싱 테이프를 접착하며, 상기 다이싱 테이프를 확장시킴으로써 접착 필름을 개개의 디바이스 칩을 따라 파단하면, 접착 필름은 웨이퍼보다 약간 크게 형성되어 있기 때문에 접착 필름의 외주부가 미세하게 파쇄되어서 비산하여, 디바이스 칩의 표면에 부착된다고 하는 문제가 있다.
또한, 미세하게 파쇄된 접착 필름이 반도체 디바이스 칩의 표면에 노출된 전극에 부착되면, 와이어 본딩의 방해가 되어, 도통(導通) 불량을 일으켜 디바이스 칩의 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 분할 예정 라인을 따라 분할되거나, 또는 분할 예정 라인을 따라 파단 기점이 형성된 웨이퍼의 이면에 장착한 다이 본딩용의 접착 필름을 개개로 분할된 반도체 디바이스 칩을 따라 파단하고, 파단할 때에 미세하게 파쇄된 접착 필름이 반도체 디바이스 칩의 표면에 직접 부착되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 가공 방법을 제공하는 것이다.
상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 의하면, 표면에 복수의 분할 예정 라인이 격자형으로 형성되어 있고, 상기 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스 칩이 형성된 웨이퍼를, 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스 칩으로 분할하며, 각 디바이스 칩의 이면에 다이 본딩용의 접착 필름을 장착하는 웨이퍼 가공 방법으로서,
분할 예정 라인을 따라 분할되거나, 또는 분할 예정 라인을 따라 파단 기점이 형성된 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 장착하고, 접착 필름측에 다이싱 테이프를 접착하여 다이싱 테이프의 외주부를 환형의 프레임에 의해 지지하는 웨이퍼 지지 공정과,
다이싱 테이프를 확장시켜 접착 필름을 개개의 디바이스 칩을 따라 파단하는 접착 필름 파단 공정을 포함하고,
상기 접착 필름 파단 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼의 표면, 또는 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름의 외주부, 혹은 웨이퍼의 표면 및 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름의 외주부에 수용성 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법이 제공된다.
상기 접착 필름 파단 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼의 표면측으로부터 분할 예정 라인을 따라 디바이스 칩의 마무리 두께에 상당하는 깊이의 분할홈을 형성하는 분할홈 형성 공정과, 이 분할홈 형성 공정이 실시된 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 접착하는 보호 부재 접착 공정과, 이 보호 부재 접착 공정이 실시된 웨이퍼의 이면을 연삭하여 이면에 상기 분할홈을 표출시켜, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 이면 연삭 공정을 실시한다.
상기 보호막 형성 공정은, 상기 분할홈 형성 공정과 보호 부재 접착 공정 사이에 실시한다.
상기 웨이퍼 지지 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 웨이퍼의 이면으로부터 내부에 집광점을 위치시켜 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 웨이퍼의 내부에 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 실시한다.
상기 접착 필름 파단 공정을 실시한 후에, 보호막에 세정수를 공급하여 보호막을 씻어 내는 보호막 세정 공정을 실시한다.
본 발명에서의 웨이퍼 가공 방법은, 분할 예정 라인을 따라 분할되거나, 또는 분할 예정 라인을 따라 파단 기점이 형성된 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 장착하고, 접착 필름측에 다이싱 테이프를 접착하여 다이싱 테이프의 외주부를 환형의 프레임에 의해 지지하는 웨이퍼 지지 공정과, 다이싱 테이프를 확장시켜 접착 필름을 개개의 디바이스 칩을 따라 파단하는 접착 필름 파단 공정을 포함하고, 접착 필름 파단 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼의 표면, 또는 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름의 외주부, 혹은 웨이퍼의 표면 및 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름의 외주부에 수용성 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 실시하기 때문에, 웨이퍼의 표면에 보호막을 형성한 경우에는, 접착 필름 파단 공정에 있어서 파쇄된 접착 필름의 외주부의 일부가 디바이스 칩의 표면에 피복된 보호막의 표면에 부착되어, 파쇄된 접착 필름의 외주부의 일부가 디바이스 칩의 표면에 직접 부착되는 일은 없다. 따라서, 디바이스 칩의 표면에 피복된 보호막을 제거함으로써, 부착된 접착 필름의 외주부의 일부도 제거되기 때문에 디바이스 칩의 품질을 저하시키는 일은 없다.
또한, 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나와 있는 접착 필름의 외주부에 보호막을 형성한 경우에는, 외주부가 파쇄되어도 비산하는 일은 없다. 따라서, 파쇄된 접착 필름의 외주부의 일부가 디바이스 칩의 표면에 부착되는 일은 없다.
또한, 웨이퍼의 표면 및 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름의 외주부에 보호막을 형성한 경우에는, 상기한 두 작용 효과를 모두 얻을 수 있다.
따라서, 디바이스 칩의 표면에 노출된 전극에 파쇄된 접착 필름의 일부가 부착되는 일이 없고, 와이어 본딩의 방해가 되어, 도통 불량을 일으켜 디바이스 칩의 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 해소된다.
도 1은 반도체 웨이퍼의 사시도이다.
도 2는 분할홈 형성 공정을 도시한 설명도이다.
도 3은 보호 부재 접착 공정을 도시한 설명도이다.
도 4는 이면 연삭 공정을 도시한 설명도이다.
도 5는 웨이퍼 지지 공정의 제1 실시형태를 도시한 설명도이다.
도 6은 웨이퍼 지지 공정의 제2 실시형태를 도시한 설명도이다.
도 7은 개질층 형성 공정을 실시하기 위한 레이저 가공 장치의 주요부 사시도이다.
도 8은 개질층 형성 공정을 도시한 설명도이다.
도 9는 웨이퍼 지지 공정의 제3 실시형태를 도시한 설명도이다.
도 10은 웨이퍼 지지 공정의 제4 실시형태를 도시한 설명도이다.
도 11은 보호막 형성 공정의 제1 실시형태를 도시한 설명도이다.
도 12는 보호막 형성 공정의 제2 실시형태를 도시한 설명도이다.
도 13은 보호막 형성 공정의 제3 실시형태를 도시한 설명도이다.
도 14는 접착 필름 파단 공정을 실시하기 위한 테이프 확장 장치의 사시도이다.
도 15는 접착 필름 파단 공정의 제1 실시형태를 도시한 설명도이다.
도 16은 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에 있어서의 접착 필름 파단 공정의 제2 실시형태를 도시한 설명도이다.
도 17은 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에 있어서의 보호막 세정 공정을 도시한 설명도이다.
이하, 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법의 적합한 실시형태에 대해, 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1에는, 반도체 웨이퍼(2)의 사시도가 도시되어 있다. 도 1에 도시한 반도체 웨이퍼(2)는, 예컨대 두께가 500 ㎛인 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있으며, 표면(2a)에는 복수의 분할 예정 라인(21)이 격자형으로 형성되어 있다. 그리고, 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a)에는, 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(21)에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(22)가 형성되어 있다. 이하, 이 반도체 웨이퍼(2)를 분할 예정 라인(21)을 따라 개개의 디바이스 칩(22)으로 분할하고, 각 디바이스 칩(22)의 이면에 다이 본딩용의 접착 필름을 장착하는 웨이퍼 가공 방법에 대해 설명한다.
먼저, 반도체 웨이퍼(2)를 소위 선 다이싱법에 의해 개개의 디바이스 칩(22)으로 분할하는 방법에 대해 설명한다.
반도체 웨이퍼(2)를 소위 선 다이싱법에 의해 개개의 디바이스 칩(22)으로 분할하기 위해서는, 먼저 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 형성된 분할 예정 라인(21)을 따라 소정 깊이(각 디바이스 칩의 마무리 두께에 상당하는 깊이)의 분할홈을 형성한다(분할홈 형성 공정). 이 분할홈 형성 공정은, 본 실시형태에서는 도 2의 (a)에 도시한 절삭 장치(3)를 이용하여 실시한다. 도 2의 (a)에 도시한 절삭 장치(3)는, 피가공물을 유지하는 척 테이블(31)과, 이 척 테이블(31)에 유지된 피가공물을 절삭하는 절삭 수단(32)과, 이 척 테이블(31)에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(33)을 구비한다. 척 테이블(31)은, 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있으며, 도시하지 않은 절삭 이송 기구에 의해 도 2의 (a)에 있어서 화살표 X로 나타내는 절삭 이송 방향으로 이동되고, 도시하지 않은 인덱싱 이송 기구에 의해 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향으로 이동되도록 되어 있다.
상기 절삭 수단(32)은, 실질적으로 수평으로 배치된 스핀들 하우징(321)과, 이 스핀들 하우징(321)에 회전 가능하게 지지된 회전 스핀들(322)과, 이 회전 스핀들(322)의 선단부에 장착된 절삭 블레이드(323)를 포함하고, 회전 스핀들(322)이 스핀들 하우징(321) 내에 배치된 도시하지 않은 서보 모터에 의해 화살표 322a로 나타내는 방향으로 회전되도록 되어 있다. 한편, 절삭 블레이드(323)의 두께는, 본 실시형태에서는 30 ㎛로 설정되어 있다. 상기 촬상 수단(33)은, 스핀들 하우징(321)의 선단부에 장착되어 있고, 피가공물을 조명하는 조명 수단과, 이 조명 수단에 의해 조명된 영역을 포착하는 광학계와, 이 광학계에 의해 포착된 상을 촬상하는 촬상 소자(CCD) 등을 구비하고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않은 제어 수단에 보낸다.
전술한 절삭 장치(3)를 이용하여 분할홈 형성 공정을 실시하기 위해서는, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이 척 테이블(31) 상에 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)측을 배치하고, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동함으로써 반도체 웨이퍼(2)를 척 테이블(31) 상에 유지한다. 따라서, 척 테이블(31)에 유지된 반도체 웨이퍼(2)는, 표면(2a)이 상측이 된다. 이렇게 해서, 반도체 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(31)은, 도시하지 않은 절삭 이송 기구에 의해 촬상 수단(33) 바로 아래에 위치하게 된다.
척 테이블(31)이 촬상 수단(33) 바로 아래에 위치하게 되면, 촬상 수단(33) 및 도시하지 않은 제어 수단에 의해 반도체 웨이퍼(2)의 분할 예정 라인(21)을 따라 분할홈을 형성해야 할 절삭 영역을 검출하는 얼라인먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상 수단(33) 및 도시하지 않은 제어 수단은, 반도체 웨이퍼(2)의 제1 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(21)과, 절삭 블레이드(323)와의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여, 절삭 영역의 얼라인먼트를 수행한다(얼라인먼트 공정). 또한, 반도체 웨이퍼(2)에 형성되어 있는 상기 제1 방향에 대해 직각으로 연장되는 분할 예정 라인(21)에 대해서도, 마찬가지로 절삭 영역의 얼라인먼트가 수행된다.
이상과 같이 하여 척 테이블(31) 상에 유지되어 있는 반도체 웨이퍼(2)의 절삭 영역을 검출하는 얼라인먼트가 행해졌다면, 반도체 웨이퍼(2)를 유지한 척 테이블(31)을 절삭 영역의 절삭 개시 위치로 이동시킨다. 그리고, 절삭 블레이드(323)를 도 2의 (a)에 있어서 화살표 322a로 나타내는 방향으로 회전시키면서 하방으로 이동시켜 절입 이송을 실시한다. 이 절입 이송 위치는, 절삭 블레이드(323)의 외주 가장자리가 반도체 웨이퍼(2)의 표면으로부터 디바이스 칩의 마무리 두께에 상당하는 깊이 위치(예컨대, 50 ㎛)로 설정되어 있다. 이렇게 해서, 절삭 블레이드(323)의 절입 이송을 실시했다면, 절삭 블레이드(323)를 회전시키면서 척 테이블(31)을 도 2의 (a)에 있어서 화살표 X로 나타내는 방향으로 절삭 이송함으로써, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이 분할 예정 라인(21)을 따라 폭이 30 ㎛이며 디바이스 칩의 마무리 두께에 상당하는 깊이(예컨대, 50 ㎛)의 분할홈(210)이 형성된다(분할홈 형성 공정).
전술한 분할홈 형성 공정을 실시했다면, 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 보호 부재를 접착하는 보호 부재 접착 공정을 실시한다. 즉, 도 3에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 보호 부재로서의 보호 테이프(4)를 접착한다. 한편, 보호 테이프(4)는, 본 실시형태에서는 두께가 100 ㎛인 폴리염화비닐(PVC)로 이루어지는 시트형 기재의 표면에 아크릴 수지계의 풀이 두께 5 ㎛ 정도 도포되어 있다.
상기 보호 부재 접착 공정을 실시했다면, 반도체 웨이퍼(2)의 이면을 연삭수를 공급하면서 연삭하여 소정의 두께로 형성하고, 이면에 상기 분할홈을 표출시켜, 반도체 웨이퍼(2)를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 이면 연삭 공정을 실시한다. 이 이면 연삭 공정은 도 4의 (a)에 도시한 연삭 장치(5)를 이용하여 실시한다. 도 4의 (a)에 도시한 연삭 장치(5)는, 피가공물을 유지하는 유지 수단으로서의 척 테이블(51)과, 이 척 테이블(51)에 유지된 피가공물을 연삭하는 연삭 수단(52)을 구비한다. 척 테이블(51)은, 상면에 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있으며, 도시 생략된 회전 구동 기구에 의해 도 4의 (a)에 있어서 화살표 A로 나타내는 방향으로 회전된다. 연삭 수단(52)은 스핀들 하우징(531)과, 이 스핀들 하우징(531)에 회전 가능하게 지지되어 도시하지 않은 회전 구동 기구에 의해 회전되는 회전 스핀들(532)과, 이 회전 스핀들(532)의 하단에 장착된 마운터(533)와, 이 마운터(533)의 하면에 부착된 연삭 휠(534)을 구비한다. 이 연삭 휠(534)은, 원환형의 베이스(535)와, 이 베이스(535)의 하면에 환형으로 장착된 연삭 지석(536)으로 이루어져 있으며, 베이스(535)가 마운터(533)의 하면에 체결 볼트(537)에 의해 부착되어 있다. 한편, 전술한 연삭 장치(5)를 구성하는 회전 스핀들(532)에는 축심을 따라 형성된 연삭수 공급 통로가 형성되어 있고, 상기 연삭수 공급 통로를 통해 연삭수를 연삭 지석(536)에 의한 연삭 영역에 공급하도록 되어 있다.
전술한 연삭 장치(5)를 이용하여 상기 이면 연삭 공정을 실시하기 위해서는, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이 척 테이블(51)의 상면(유지면)에 반도체 웨이퍼(2)의 표면에 접착되어 있는 보호 테이프(4)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않은 흡인 수단에 의해 척 테이블(51) 상에 반도체 웨이퍼(2)를 보호 테이프(4)를 통하여 흡착 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척 테이블(51) 상에 유지된 반도체 웨이퍼(2)는, 이면(2b)이 상측이 된다. 이와 같이 척 테이블(51) 상에 반도체 웨이퍼(2)를 보호 테이프(4)를 통하여 흡인 유지했다면, 척 테이블(51)을 도 4의 (a)에 있어서 화살표 A로 나타내는 방향으로 예컨대 300 rpm으로 회전시키면서, 연삭 수단(52)의 연삭 휠(534)을 도 4의 (a)에 있어서 화살표 B로 나타내는 방향으로 예컨대 6000 rpm으로 회전시키고, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이 연삭 지석(536)을 피가공면인 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 접촉시키며, 연삭 휠(534)을 화살표 C로 나타내는 바와 같이 예컨대 1 ㎛/초의 연삭 이송 속도로 하방[척 테이블(51)의 유지면에 대해 수직인 방향]으로 소정량 연삭 이송한다. 그리고, 분할홈(210)이 표출될 때까지 연삭함으로써, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)는 개개의 디바이스 칩(22)으로 분할된다. 한편, 분할된 복수의 디바이스 칩(22)은, 그 표면에 보호 테이프(4)가 접착되어 있기 때문에, 뿔뿔이 흩어지지 않고 반도체 웨이퍼(2)의 형태가 유지되어 있다.
다음으로, 상기 이면 연삭 공정이 실시된 반도체 웨이퍼(2)의 이면에 접착 필름을 장착하고, 접착 필름측에 다이싱 테이프를 접착하여 상기 다이싱 테이프의 외주부를 환형의 프레임에 의해 지지하는 웨이퍼 지지 공정을 실시한다. 이 웨이퍼 지지 공정에서의 실시형태에 있어서는, 도 5의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 접착 필름(6)을 장착한다(접착 필름 장착 공정). 한편, 접착 필름(6)은, 반도체 웨이퍼(2)의 이면 전면(全面)에 확실하게 장착하기 위해서, 반도체 웨이퍼(2)보다 약간 크게 형성되어 있다. 이렇게 해서 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 접착 필름(6)을 장착했다면, 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이 접착 필름(6)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)의 접착 필름(6)측을 환형의 프레임(F)에 장착된 신장 가능한 다이싱 테이프(T)에 접착한다. 그리고, 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 접착되어 있는 보호 테이프(4)를 박리한다(보호 부재 박리 공정). 한편, 도 5의 (a) 내지 (c)에 도시한 실시형태에서는, 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 접착 필름(6)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)의 접착 필름(6)측을 접착하는 예를 나타내었으나, 접착 필름(6)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)의 접착 필름(6)측에 다이싱 테이프(T)를 접착하고, 다이싱 테이프(T)의 외주부를 환형의 프레임(F)에 동시에 장착해도 좋다.
전술한 웨이퍼 지지 공정의 다른 실시형태에 대해, 도 6을 참조하여 설명한다.
도 6에 도시한 실시형태는, 다이싱 테이프(T)의 표면에 미리 접착 필름(6)이 접착된 접착 필름이 부착된 다이싱 테이프를 사용한다. 즉, 도 6의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이 환형의 프레임(F)의 내측 개구부를 덮도록 외주부가 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 접착된 접착 필름(6)에, 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 장착한다. 이와 같이 접착 필름이 부착된 다이싱 테이프를 사용하는 경우에는, 다이싱 테이프(T)의 표면에 접착된 접착 필름(6)에 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 장착함으로써, 접착 필름(6)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)가 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 의해 지지된다. 한편, 다이싱 테이프(T)의 표면에 미리 접착되어 있는 접착 필름(6)도, 반도체 웨이퍼(2)의 이면 전면에 확실하게 장착하기 위해서, 반도체 웨이퍼(2)보다 약간 크게 형성되어 있다. 그리고, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 접착되어 있는 보호 테이프(4)를 박리한다(보호 부재 박리 공정). 한편, 도 6의 (a) 및 (b)에 도시한 실시형태에서는, 환형의 프레임(F)에 외주부가 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 접착된 접착 필름(6)에 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 장착하는 예를 나타내었으나, 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 다이싱 테이프(T)에 접착된 접착 필름(6)을 장착하고, 다이싱 테이프(T)의 외주부를 환형의 프레임(F)에 동시에 장착해도 좋다.
다음으로, 반도체 웨이퍼(2)에 분할 예정 라인(21)을 따라 파단 기점을 형성하는 실시형태에 대해 설명한다. 이 파단 기점을 형성하는 실시형태는, 반도체 웨이퍼(2)에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 반도체 웨이퍼(2)의 이면으로부터 내부에 집광점을 위치시켜 분할 예정 라인(21)을 따라 조사하여, 반도체 웨이퍼(10)의 내부에 분할 예정 라인(21)을 따라 파단 기점이 되는 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 실시한다. 이 개질층 형성 공정은, 도 7에 도시한 레이저 가공 장치(7)를 이용하여 실시한다. 도 7에 도시한 레이저 가공 장치(7)는, 피가공물을 유지하는 척 테이블(71)과, 이 척 테이블(71) 상에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(72)과, 척 테이블(71) 상에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(73)을 구비한다. 척 테이블(71)은, 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있으며, 도시하지 않은 이동 기구에 의해 도 7에 있어서 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향 및 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향으로 이동되도록 되어 있다.
상기 레이저 광선 조사 수단(72)은, 실질적으로 수평으로 배치된 원통 형상의 케이싱(721)의 선단에 장착된 집광기(722)로부터 펄스 레이저 광선을 조사한다. 또한, 상기 레이저 광선 조사 수단(72)을 구성하는 케이싱(721)의 선단부에 장착된 촬상 수단(73)은, 본 실시형태에서는 가시 광선에 의해 촬상하는 통상의 촬상 소자(CCD) 외에, 피가공물에 적외선을 조사하는 적외선 조명 수단과, 이 적외선 조명 수단에 의해 조사된 적외선을 포착하는 광학계와, 이 광학계에 의해 포착된 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 촬상 소자(적외선 CCD) 등으로 구성되어 있고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않은 제어 수단에 보낸다.
전술한 레이저 가공 장치(7)를 이용하여 실시하는 개질층 형성 공정에 대해, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다.
이 개질층 형성 공정은, 먼저 전술한 도 7에 도시한 레이저 가공 장치(7)의 척 테이블(71) 상에 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않은 흡인 수단에 의해 척 테이블(71) 상에 반도체 웨이퍼(2)를 흡착 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척 테이블(71) 상에 유지된 반도체 웨이퍼(2)는, 이면(2b)이 상측이 된다. 이렇게 해서, 반도체 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(71)은, 도시하지 않은 가공 이송 수단에 의해 촬상 수단(73) 바로 아래에 위치하게 된다.
척 테이블(71)이 촬상 수단(73) 바로 아래에 위치하게 되면, 촬상 수단(73) 및 도시하지 않은 제어 수단에 의해 반도체 웨이퍼(2)의 레이저 가공해야 할 가공 영역을 검출하는 얼라인먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상 수단(73) 및 도시하지 않은 제어 수단은, 반도체 웨이퍼(2)의 제1 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(21)과, 분할 예정 라인(21)을 따라 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(72)의 집광기(722)와의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트를 수행한다. 또한, 반도체 웨이퍼(2)에 형성되어 있는 상기 제1 방향에 대해 직교하는 제2 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(21)에 대해서도, 마찬가지로 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트가 수행된다. 이때, 반도체 웨이퍼(2)의 분할 예정 라인(21)이 형성되어 있는 표면(2a)은 하측에 위치하고 있으나, 촬상 수단(73)이 전술한 바와 같이 적외선 조명 수단과 적외선을 포착하는 광학계 및 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 촬상 소자(적외선 CCD) 등으로 구성된 촬상 수단을 구비하고 있기 때문에, 이면(2b)으로부터 투과하여 분할 예정 라인(21)을 촬상할 수 있다.
이상과 같이 하여 척 테이블(71) 상에 유지되어 있는 반도체 웨이퍼(2)에 형성되어 있는 분할 예정 라인(21)을 검출하고, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트가 행해졌다면, 도 8의 (a)에서 도시한 바와 같이 척 테이블(71)을 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(72)의 집광기(722)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시켜, 소정의 분할 예정 라인(21)의 일단[도 8의 (a)에 있어서 좌단]을 레이저 광선 조사 수단(72)의 집광기(722) 바로 아래에 위치시킨다. 다음으로, 집광기(722)로부터 조사되는 펄스 레이저 광선의 집광점(P)을 반도체 웨이퍼(2)의 두께 방향 중간부에 위치시킨다. 그리고, 집광기(722)로부터 실리콘 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하면서 척 테이블(71)을 도 8의 (a)에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 소정의 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 도 8의 (b)에서 도시한 바와 같이 레이저 광선 조사 수단(72)의 집광기(722)의 조사 위치가 분할 예정 라인(21)의 타단의 위치에 도달했다면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지하고, 척 테이블(71)의 이동을 정지한다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(2)의 내부에는, 분할 예정 라인(21)을 따라 개질층(23)이 형성된다.
한편, 상기 개질층 형성 공정에서의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.
광원 : YAG 펄스 레이저
파장 : 1064 ㎚
반복 주파수 : 100 ㎑
평균 출력 : 0.3 W
집광 스폿 직경 : φ1 ㎛
가공 이송 속도 : 100 ㎜/초
전술한 바와 같이 소정의 분할 예정 라인(21)을 따라 상기 개질층 형성 공정을 실시했다면, 척 테이블(71)을 화살표 Y로 나타내는 방향으로 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 분할 예정 라인(21)의 간격만큼 인덱싱 이송하여(인덱싱 이송 공정), 상기 개질층 형성 공정을 수행한다. 이렇게 해서 제1 방향으로 형성된 모든 분할 예정 라인(21)을 따라 상기 개질층 형성 공정을 실시했다면, 척 테이블(51)을 90도 회동시켜, 상기 제1 방향으로 형성된 분할 예정 라인(21)에 대해 직교하는 제2 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(21)을 따라 상기 개질층 형성 공정을 실행한다.
다음으로, 상기 개질층 형성 공정이 실시된 반도체 웨이퍼(2)의 이면에 접착 필름을 장착하고, 접착 필름측에 다이싱 테이프를 접착하여 상기 다이싱 테이프의 외주부를 환형의 프레임에 의해 지지하는 웨이퍼 지지 공정을 실시한다. 이 웨이퍼 지지 공정에서의 실시형태에 있어서는, 도 9의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 접착 필름(6)을 장착한다(접착 필름 장착 공정). 한편, 접착 필름(6)은, 반도체 웨이퍼(2)의 이면 전면에 확실하게 장착하기 위해서, 반도체 웨이퍼(2)보다 약간 크게 형성되어 있다. 이렇게 해서 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 접착 필름(6)을 장착했다면, 도 9의 (c)에 도시한 바와 같이 접착 필름(6)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)의 접착 필름(6)측을 환형의 프레임(F)에 장착된 신장 가능한 다이싱 테이프(T)에 접착한다. 한편, 도 9의 (a) 내지 (c)에 도시한 실시형태에서는, 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 접착 필름(6)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)의 접착 필름(6)측을 접착하는 예를 나타내었으나, 접착 필름(6)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)의 접착 필름(6)측에 다이싱 테이프(T)를 접착하고, 다이싱 테이프(T)의 외주부를 환형의 프레임(F)에 동시에 장착해도 좋다.
전술한 웨이퍼 지지 공정의 다른 실시형태에 대해, 도 10을 참조하여 설명한다.
도 10에 도시한 실시형태는, 다이싱 테이프(T)의 표면에 미리 접착 필름(6)이 접착된 접착 필름이 부착된 다이싱 테이프를 사용한다. 즉, 도 10의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이 환형의 프레임(F)의 내측 개구부를 덮도록 외주부가 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 접착된 접착 필름(6)에, 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 장착한다. 이와 같이 접착 필름이 부착된 다이싱 테이프를 사용하는 경우에는, 다이싱 테이프(T)의 표면에 접착된 접착 필름(6)에 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 장착함으로써, 접착 필름(6)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)가 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 의해 지지된다. 한편, 다이싱 테이프(T)의 표면에 미리 접착되어 있는 접착 필름(6)도, 반도체 웨이퍼(2)의 이면 전면에 확실하게 장착하기 위해서, 반도체 웨이퍼(2)보다 약간 크게 형성되어 있다. 전술한 도 10의 (a) 및 (b)에 도시한 실시형태에서는, 환형의 프레임(F)에 외주부가 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 접착된 접착 필름(6)에 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 장착하는 예를 나타내었으나, 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 다이싱 테이프(T)에 접착된 접착 필름(6)을 장착하고, 다이싱 테이프(T)의 외주부를 환형의 프레임(F)에 동시에 장착해도 좋다.
다음으로, 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a), 또는 반도체 웨이퍼(2)의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름(6)의 외주부, 혹은 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a) 및 반도체 웨이퍼(2)의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름(6)의 외주부에 수용성 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 실시한다. 이 보호막 형성 공정의 실시형태에 대해, 도 11 내지 도 13을 참조하여 설명한다.
도 11에 도시한 제1 실시형태는, 전술한 웨이퍼 지지 공정이 실시된 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 수용성 수지를 도포하여 보호막(8)을 형성한다. 이 보호막(8)을 형성하는 수용성 수지로서는, 폴리비닐알코올(PVA), 수용성 페놀 수지, 아크릴계 수용성 수지 등을 이용할 수 있다. 한편, 제1 실시형태에서의 보호막 형성 공정은, 상기 분할홈 형성 공정과 보호 부재 접착 공정 사이에 실시해도 좋다. 또한, 제1 실시형태에서의 보호막 형성 공정은, 상기 개질층 형성 공정과 웨이퍼 지지 공정 사이에 실시해도 좋다.
도 12에 도시한 제2 실시형태는, 전술한 웨이퍼 지지 공정이 실시된 반도체 웨이퍼(2)의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름(6)의 외주부(61)에 수용성 수지를 도포하여 보호막(8)을 형성한다.
도 13에 도시한 제3 실시형태는, 전술한 웨이퍼 지지 공정이 실시된 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a) 및 반도체 웨이퍼(2)의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름(6)의 외주부(61)에 수용성 수지를 도포하여 보호막(8)을 형성한다.
이상과 같이 하여 보호막 형성 공정을 실시했다면, 다이싱 테이프(T)를 확장시킴으로써 접착 필름(6)을 개개의 디바이스 칩(22)을 따라 파단하는 접착 필름 파단 공정을 실시한다. 이 접착 필름 파단 공정은, 도 14에 도시한 테이프 확장 장치(9)를 이용하여 실시한다. 도 14에 도시한 테이프 확장 장치(9)는, 상기 환형의 프레임(F)을 유지하는 프레임 유지 수단(91)과, 이 프레임 유지 수단(91)에 유지된 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)를 확장시키는 테이프 확장 수단(92)을 구비한다. 프레임 유지 수단(91)은, 환형의 프레임 유지 부재(911)와, 이 프레임 유지 부재(911)의 외주에 배치된 고정 수단으로서의 복수의 클램프(912)로 이루어져 있다. 프레임 유지 부재(911)의 상면은 환형의 프레임(F)을 배치하는 배치면(911a)을 형성하고 있고, 이 배치면(911a) 상에 환형의 프레임(F)이 배치된다. 그리고, 배치면(911a) 상에 배치된 환형의 프레임(F)은, 클램프(912)에 의해 프레임 유지 부재(911)에 고정된다. 이와 같이 구성된 프레임 유지 수단(91)은, 테이프 확장 수단(92)에 의해 상하 방향으로 진퇴 가능하게 지지되어 있다.
테이프 확장 수단(92)은, 상기 환형의 프레임 유지 부재(911)의 내측에 배치되는 확장 드럼(921)을 구비한다. 이 확장 드럼(921)은, 환형의 프레임(F)의 내경보다 작고 상기 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 접착되는 반도체 웨이퍼(2)의 외경보다 큰 내경 및 외경을 갖고 있다. 또한, 확장 드럼(921)은, 하단에 지지 플랜지(922)를 구비한다. 본 실시형태에서의 테이프 확장 수단(92)은, 상기 환형의 프레임 유지 부재(911)를 상하 방향으로 진퇴 가능한 지지 수단(923)을 구비한다. 이 지지 수단(923)은, 상기 지지 플랜지(922) 상에 배치된 복수의 에어 실린더(923a)로 이루어져 있고, 그 피스톤 로드(923b)가 상기 환형의 프레임 유지 부재(911)의 하면에 연결된다. 이와 같이 복수의 에어 실린더(923a)로 이루어지는 지지 수단(923)은, 도 15의 (a)에 도시한 바와 같이 환형의 프레임 유지 부재(911)를 배치면(911a)이 확장 드럼(921)의 상단과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치와, 도 15의 (b)에 도시한 바와 같이 확장 드럼(921)의 상단보다 소정량 하방의 확장 위치 사이를 상하 방향으로 이동시킨다.
이상과 같이 구성된 테이프 확장 장치(9)를 이용하여 실시하는 접착 필름 파단 공정의 제1 실시형태에 대해 도 15를 참조하여 설명한다.
도 15에 도시한 제1 실시형태는, 상기 도 11에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 수용성 수지를 도포하여 보호막(8)을 형성한 것에 대해 실시한다. 즉, 반도체 웨이퍼(2)가 접착되어 있는 다이싱 테이프(T)가 장착된 환형의 프레임(F)을, 도 15의 (a)에 도시한 바와 같이 프레임 유지 수단(91)을 구성하는 프레임 유지 부재(911)의 배치면(911a) 상에 배치하고, 클램프(912)에 의해 프레임 유지 부재(911)에 고정한다(프레임 유지 공정). 이때, 프레임 유지 부재(911)는 도 15의 (a)에 도시한 기준 위치에 위치되어 있다.
다음으로, 테이프 확장 수단(92)을 구성하는 지지 수단(923)으로서의 복수의 에어 실린더(923a)를 작동하여, 환형의 프레임 유지 부재(911)를 도 15의 (b)에 도시한 확장 위치로 하강시킨다. 따라서, 프레임 유지 부재(911)의 배치면(911a) 상에 고정되어 있는 환형의 프레임(F)도 하강하기 때문에, 도 15의 (b)에 도시한 바와 같이 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)는 확장 드럼(921)의 상단 가장자리에 접하여 확장시켜진다(테이프 확장 공정). 이 때문에, 다이싱 테이프(T)에 접착 필름(6)을 통해 접착되어 있는 반도체 웨이퍼(2)[분할 예정 라인(21)을 따라 분할되어 있음]는, 디바이스 칩(22) 사이에 간극(s)이 형성된다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(2)의 이면에 장착된 접착 필름(6)은, 각 디바이스 칩(22)을 따라 파단되어 분리된다. 한편, 다이싱 테이프(T)에 접착 필름(6)을 통해 접착되어 있는 반도체 웨이퍼(2)가 상기 개질층 형성 공정이 실시된 반도체 웨이퍼인 경우에는, 다이싱 테이프(T)의 확장에 의해 반도체 웨이퍼(2)에 접착 필름(6)을 통하여 장력이 작용하기 때문에, 반도체 웨이퍼(2)는 분할 예정 라인(21)을 따라 형성된 개질층(23)(도 8 내지 도 9 참조)이 파단 기점이 되어 개개의 디바이스 칩(22)으로 분할되고, 반도체 웨이퍼(2)의 이면에 장착된 접착 필름(6)이 각 디바이스 칩(22)을 따라 파단되어 분리된다. 이렇게 해서 접착 필름(6)이 각 디바이스 칩(22)을 따라 파단될 때에, 도 15의 (b)에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)의 외주 가장자리로부터 비어져 나와 있는 접착 필름(6)의 외주부(61)의 일부(61a)가 파쇄되어서 비산하여, 디바이스 칩(22)의 표면측으로 낙하하지만, 디바이스 칩(22)의 표면에는 보호막(8)이 피복되어 있기 때문에, 파쇄된 접착 필름(6)의 외주부(61)의 일부(61a)는 디바이스 칩(22)의 표면에 피복된 보호막(8)의 표면에 부착되어, 파쇄된 접착 필름(6)의 외주부(61)의 일부(61a)가 디바이스 칩(22)의 표면에 직접 부착되는 일은 없다. 따라서, 디바이스 칩(22)의 표면에 피복된 보호막(8)을 제거함으로써, 부착된 접착 필름(6)의 외주부(61)의 일부(61a)도 제거되기 때문에 디바이스 칩(22)의 품질을 저하시키는 일은 없다.
다음으로, 상기 테이프 확장 장치(9)를 이용하여 실시하는 접착 필름 파단 공정의 제2 실시형태에 대해 도 16을 참조하여 설명한다.
도 16에 도시한 제2 실시형태는, 도 12에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름(6)의 외주부(61)에 수용성 수지를 도포하여 보호막(8)을 형성한 것에 대해 실시한다. 즉, 반도체 웨이퍼(2)가 접착되어 있는 다이싱 테이프(T)가 장착된 환형의 프레임(F)을, 도 16의 (a)에 도시한 바와 같이 프레임 유지 수단(91)을 구성하는 프레임 유지 부재(911)의 배치면(911a) 상에 배치하고, 클램프(912)에 의해 프레임 유지 부재(911)에 고정한다(프레임 유지 공정). 다음으로, 테이프 확장 수단(92)을 구성하는 지지 수단(923)으로서의 복수의 에어 실린더(923a)를 작동하여, 환형의 프레임 유지 부재(911)를 도 16의 (b)에 도시한 확장 위치로 하강시킨다. 따라서, 프레임 유지 부재(911)의 배치면(911a) 상에 고정되어 있는 환형의 프레임(F)도 하강하기 때문에, 도 16의 (b)에 도시한 바와 같이 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)는 확장 드럼(921)의 상단 가장자리에 접하여 확장시켜진다(테이프 확장 공정). 이 때문에, 다이싱 테이프(T)에 접착 필름(6)을 통해 접착되어 있는 반도체 웨이퍼(2)[분할 예정 라인(21)을 따라 분할되어 있음]는, 디바이스 칩(22) 사이에 간극(s)이 형성된다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(2)의 이면에 장착된 접착 필름(6)은, 각 디바이스 칩(22)을 따라 파단되어 분리된다. 한편, 다이싱 테이프(T)에 접착 필름(6)을 통해 접착되어 있는 반도체 웨이퍼(2)가 상기 개질층 형성 공정이 실시된 반도체 웨이퍼인 경우에는, 다이싱 테이프(T)의 확장에 의해 반도체 웨이퍼(2)에 접착 필름(6)을 통해 장력이 작용하기 때문에, 반도체 웨이퍼(2)는 분할 예정 라인(21)을 따라 형성된 개질층(23)(도 8 내지 도 9 참조)이 파단 기점이 되어 개개의 디바이스 칩(22)으로 분할되고, 반도체 웨이퍼(2)의 이면에 장착된 접착 필름(6)이 각 디바이스 칩(22)을 따라 파단되어 분리된다. 이렇게 해서 접착 필름(6)이 각 디바이스 칩(22)을 따라 파단되지만, 반도체 웨이퍼(2)의 외주 가장자리로부터 비어져 나와 있는 접착 필름(6)의 외주부(61)에는 보호막(8)이 피복되어 있기 때문에, 외주부(61)가 파쇄되어도 비산하는 일은 없다. 따라서, 파쇄된 접착 필름(6)의 외주부(61)의 일부가 디바이스 칩(22)의 표면에 부착되는 일은 없다.
한편, 도 13에 도시한 바와 같이 전술한 웨이퍼 지지 공정이 실시된 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a) 및 반도체 웨이퍼(2)의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름(6)의 외주부(61)에 수용성 수지를 도포하여 보호막(8)을 형성한 것에 대해 상기 접착 필름 파단 공정을 실시한 경우에는, 도 16에 도시한 접착 필름 파단 공정의 제2 실시형태와 동일한 작용 효과가 얻어지며, 비산한 어떠한 물질이 존재해도 도 15에 도시한 접착 필름 파단 공정의 제1 실시형태와 마찬가지로 보호막(8)의 표면에 부착되어, 비산한 어떠한 물질이 디바이스 칩(22)의 표면에 직접 부착되는 일은 없다. 따라서, 디바이스 칩(22)의 표면에 피복된 보호막(8)을 제거함으로써, 부착된 물질도 제거되기 때문에 디바이스 칩(22)의 품질을 저하시키는 일은 없다.
전술한 접착 필름 파단 공정을 실시했다면, 개개의 디바이스 칩(22)의 표면에 세정액을 공급하여 보호막(8)을 제거하는 보호막 제거 공정을 실시한다. 이 보호막 제거 공정은, 상기 접착 필름 파단 공정을 실시한 도 15의 (b)[또는 도 16의 (b)]에 도시한 상태로부터 도 17의 (a)에 도시한 바와 같이 테이프 확장 장치(9)를 세정수 공급 노즐(10) 바로 아래에 위치시키고, 세정수 공급 노즐(10)로부터 세정액으로서의 세정수를 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 접착되어 있는 개개의 디바이스 칩(22)의 표면에 피복된 보호막(8)의 표면에 공급한다. 그 결과, 도 17의 (b)에 도시한 바와 같이 보호막(8)은 수용성 수지로 이루어져 있기 때문에 세정수에 의해 용이하게 제거되고, 보호막(8)의 표면에 부착된 접착 필름(6)의 일부도 제거된다. 따라서, 디바이스 칩(22)의 표면에 접착 필름(6)의 외주부(61)의 일부가 부착되는 일이 없기 때문에, 디바이스 칩(22)의 품질을 저하시키는 일은 없다.
이상과 같이 하여 보호막 제거 공정을 실시했다면, 이면에 접착 필름(6)이 장착된 디바이스 칩(22)을 다이싱 테이프(T)로부터 박리하여 픽업하는 픽업 공정으로 반송(搬送)된다.
2 : 반도체 웨이퍼 21 : 분할 예정 라인
22 : 디바이스(디바이스 칩) 23 : 개질층
210 : 분할홈 3 : 절삭 장치
31 : 절삭 장치의 척 테이블 32 : 절삭 수단
323 : 절삭 블레이드 4 : 보호 테이프
5 : 연삭 장치 51 : 연삭 장치의 척 테이블
52 : 연삭 수단 534 : 연삭 휠
6 : 접착 필름 7 : 레이저 가공 장치
71 : 레이저 가공 장치의 척 테이블 72 : 레이저 광선 조사 수단
722 : 집광기 8 : 보호막
9 : 테이프 확장 장치 91 : 프레임 유지 수단
92 : 테이프 확장 수단 10 : 세정수 공급 노즐
F : 환형의 프레임 T : 다이싱 테이프

Claims (5)

  1. 표면에 복수의 분할 예정 라인이 격자형으로 형성되어 있고, 상기 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 디바이스 칩이 형성된 웨이퍼를, 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스 칩으로 분할하며, 각 디바이스 칩의 이면에 다이 본딩용의 접착 필름을 장착하는 웨이퍼 가공 방법으로서,
    분할 예정 라인을 따라 분할되거나, 또는 분할 예정 라인을 따라 파단 기점이 형성된 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 장착하고, 접착 필름측에 다이싱 테이프를 접착하여 다이싱 테이프의 외주부를 환형의 프레임에 의해 지지하는 웨이퍼 지지 공정과,
    다이싱 테이프를 확장시켜 접착 필름을 개개의 디바이스 칩을 따라 파단하는 접착 필름 파단 공정
    을 포함하고, 상기 접착 필름 파단 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼의 표면, 또는 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름의 외주부, 혹은 웨이퍼의 표면 및 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 접착 필름의 외주부에 수용성 수지를 피복하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접착 필름 파단 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼의 표면측으로부터 분할 예정 라인을 따라 디바이스 칩의 마무리 두께에 상당하는 깊이의 분할홈을 형성하는 분할홈 형성 공정과, 이 분할홈 형성 공정이 실시된 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 접착하는 보호 부재 접착 공정과, 이 보호 부재 접착 공정이 실시된 웨이퍼의 이면을 연삭하여 이면에 상기 분할홈을 표출시켜, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 이면 연삭 공정을 포함하는 것인 웨이퍼 가공 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 보호막 형성 공정은, 상기 분할홈 형성 공정과 상기 보호 부재 접착 공정 사이에 실시하는 것인 웨이퍼 가공 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 웨이퍼의 이면으로부터 내부에 집광점을 위치시켜 분할 예정 라인을 따라 조사(照射)하여, 웨이퍼의 내부에 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 포함하는 것인 웨이퍼 가공 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접착 필름 파단 공정을 실시한 후에, 보호막에 세정수를 공급하여 보호막을 씻어 내는 보호막 세정 공정을 실시하는 것인 웨이퍼 가공 방법.
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