JPH03241856A - ダイシング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体ウェハをチップに分割するダイシング方法に関し
。

ウェハの切断後に生ずる背面欠けの発生を減少させて、
デバイスの信頼性と製造歩留を向上させることを目的と
し。

１）ウェハ（２）を該ウェハ（２）の表面に形成された
分割線に沿って切断して個々のチップ（２Ａ）に分割す
るに際し、該ウェハ（２）が分割されないようにして縦
及び横方向の分割線の一部に切断線（Ｘ）　、　（Ｙ）
を入れ、該ウェハ（２）の背面に現れた該切断線（Ｘ）
。

（Ｙ）を基準に位置合わせして、該ウェハ（２）の分割
線が背面に射影する線に沿って、該ウェハ（２）の背面
より厚さ方向の途中まで切断する背面ハーフカットを行
う工程と、該ウェハ（２）の背面に粘着テープ（７）を
貼り付けて、該ウェハ（２）の表面の分割線に沿って該
ウェハ（２）を切断する工程とを有するように構成する
。

２）前記背面ハーフカットを行う工程において。

該ウェハの横、縦方向の周辺不良域（２Ｘ）　、　（２
Ｙ）を直交する分割線（ｘ）　、　（ｙ）に沿って除去
して、該分割線（ｘ）　、　（ｙ）を背面ハーフカット
の位置合わせの基準とするように構成する。

３）前記ウェハ（２）を切断する工程の後に、該粘着テ
ープ（７）を貼り付けた該ウェハ（２）を加熱するよう
に構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体ウェハをチップに分割するダイシング方
法に関する。

近年５半導体デバイスの高集積化とともに、高信頼性が
要求されている。このためにウェハのダイシング工程に
おけるウェハの破片を除去する必要がある。

本発明はこの目的に対処したダイシング方法として利用
できる。

〔従来の技術〕

従来のダイシング工程は、粘着テープにウェハ背面を貼
り付け９回転するダイシングブレードで粘着テープの一
部まで切断するようにしてウェハをフルカットし１分割
された個々のチップをピックアップしトレイに並べてい
た。

チップをピックアップする際、切断溝の中に溜まったウ
ェハの破片（ウェハ背面の欠け）が飛び出したり、また
後程のアセンブリ工程でウェハ背面に被着された金属膜
によりつながっていた破片がチップから脱落して、チッ
プ表面に付着してアセンブリ工程でのワイヤ間短絡やパ
ッド間短絡の原因となっていた。

第３図（ａ）、　（ｂ）は従来例によるダイシング方法
を説明する断面図である。

第３図（ａ）において、ウェハ２の背面を粘着テープ１
に貼り付はダイシングブレード３でテープを２０〜３０
μｍ程度切り込み、ウェハ２をフルカットしてチップ２
Ａに分割していた。

フルカットの際に、チップ背面に欠けが発生していた。

第３図（ｂ）において、ピックアツプ針４を粘着テープ
１の下側より突き上げ、チップ２Ａをピックアップする
。

第４図は従来例工程により発生したウェハ背面の閉じた
ヒどの様子を示す模式断面図である。

図において、ウェハ背面に金属膜が被着されている場合
はこのようなヒビが発生して金属膜で閉じ込められて、
アセンブリ工程において破片が脱落することが多い。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のダイシング工程では、チップ背面の欠けの発生を
減少させることはできないため、前記のように１次の問
題が起こっていた。

■　発生した欠けは隣のチップ表面等に付着していた。

これがチップ表面の傷や短絡の問題を起こしていた。

■　また、チップ背面に金属膜が被着されている場合は
、欠けが金属膜によりチップより分離されずに、アセン
ブリ工程で脱落して前記のような問題を引き起こす。

本発明はダイシング工程において、ウェハのフルカット
後に生ずる背面欠けの発生を減少させて。

その結果としてデバイスの信頼性と製造歩留を向上させ
ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕 上記課題の解決は、ウェハ（２）を該ウェハ（２）の表
面に形成された分割線に沿って切断して個々のチップ（
２Ａ）に分割するに際し、該ウェハ（２）が分割されな
いようにして縦及び横方向の分割線の一部に切断線（Ｘ
）　、　（Ｙ）を入れ、該ウェハ（２）の背面に現れた
該切断線（Ｘ）　、　（Ｙ）を基準に位置合わせして、
該ウェハ（２）の分割線が背面に射影する線に沿って。

該ウェハ（２）の背面より厚さ方向の途中まで切断する
背面ハーフカットを行う工程と、該ウェハ（２）の背面
に粘着テープ（７）を貼り付けて、該ウェハ（２）の表
面の分割線に沿って該ウェハ（２）を切断する工程とを
有するダイシング方法。

あるいは、前記背面ハーフカットを行う工程において、
該ウェハの横、縦方向の周辺不良域（２Ｘ）。

（２Ｙ）を直交する分割線（ｘ）　、　（ｙ）に沿って
除去して、該分割線（ｘ）　、　（ｙ）を背面ハーフカ
ットの位置合わせの基準とするダイシング方法。

あるいは、前記ウェハ（２）を切断する工程の後に。

該粘着テープ（７）を貼り付けた該ウェハ（２）を加熱
することを特徴とするダイシング方法により達成される
。

〔作用〕

本発明は先ずウェハ表面からウェハが分割されないよう
に縦、横の分割線（スクライブライン）の一部だけフル
カットしてこの切断線を、あるいは縦、横のウェハ周辺
不良域を除去した境界の分割線を位置合わせ基準にして
、ウェハ背面における分割線を射影する部分をハーフカ
ットすることにより、ウェハを表面からフルカットして
チップに分割する際に発生する背面欠けを防止するよう
にしたものである。

さらにウェハ背面のハーフカット幅をウェハ表面から行
うフルカット幅より大きくすれば、発生する破片が溜る
余裕空間（ハーフカットにより生じた空間）を形威し一
層効果がある。

また、背面のハーフカットの際、ウェハ背面に金属膜が
被着されている場合はこの金属膜も一緒にカットして除
去することにより、前記の閉じたヒビをなくすることが
できる。

さらに本発明は、フルカット後に、粘着テープを貼り付
けたウェハを加熱することにより９発生した破片をテー
プに接着させて除去するようにした。

〔実施例〕

第１図（ａ）〜（ｄ）は第１発明の一実施例を説明する
平面図と断面図である。

第１図（ａ）はウェハの平面図で、先ず、ウェハ２のス
クライブラインの横、縦各１本、ｘ、ｙをウェハの直径
より短く中央部のみフルカットする。

第１図中）はこの工程の断面図で、粘着テープ（ＵＶテ
ープ：紫外線を照射することにより硬化し接着力をなく
して剥離できるテープ）１にウェハ２を貼り付け、ダイ
シングブレード３でカットする。

次に、ＵＶテープ１をウェハ２より剥離し、ウェハ２を
洗浄、乾燥する。

第１図（Ｃ）において、素子面保護テープ５にウェハ表
面を貼り付け、前記切断線Ｘ、Ｙを基準に位置合わせし
てスクライブラインに相当するラインに沿ってウェハ背
面より背面カット用ブレード６でハーフカットする。

図のＡはスクライブラインの幅、Ｂは背面ハーフカット
幅で、Ａより大きめにする。

ウェハ背面に金属層が被着されている際は、背面ハーフ
カットの際に金属膜を含んでカットするようにする。

素子面保護テープ５は９例えば、グラインダ用テープを
用いる。

第１図（ｄ）において、素子面保護テープ５をウェハ２
より剥離し、ウェハ２を水洗、乾燥してウェハ２を別の
ＵＶテープ７に貼り付け、ダイシングブレード３により
ＵＶテープ７まで切り込みフルカットを行う。

この後は、従来例のようにチップのピックアップを行う
。

第２図（ａ）〜（ロ）は第２．第３発明の一実施例を説
明する平面図と断面図である。

第２図（ａ）において、粘着テープ（ＵＶテープ）１を
貼り付けたフレーム８に素子面（表面）を上にしたウェ
ハ２を貼り付ける。

ウェハの横、縦方向の周辺不良域２Ｘ、　２ＹをＸ。

ｙの分割線に沿って除去して１分割線ｘ、ｙを背面ハー
フカットの位置合わせの基準とする。

第２図（Ｃ）において、ウェハの周辺不良域２Ｘ、　２
ＹをＸ、ｙの分割線に沿ってフルカットし、Ｕｖを照射
して不良域２Ｘ、　２Ｙを除去する。

素子面保護テープ５を貼り付けたフレーム９に背面を上
にしてウェハ２を貼り付ける。

前記分割線ｘ、ｙを背面ハーフカットの位置合わせの基
準として、ウェハ表面の分割線を背面に射影した線上を
ハーフカットする。

次に、素子面保護テープ５をウェハ２より剥離し、ウェ
ハ２を水洗、乾燥する。

第２図（ｄ）は背面ハーフカット後の、ウェハ２の断面
図である。

図のＡはスクライブラインの幅、Ｂは背面ハーフカット
幅で、Ａより大きめにする。

これは２表面スクライブ時の位置合わせ精度を考慮して
、背面ハーフカットに使用するブレードの幅はフルカッ
ト用のそれの５〜６倍のものを使用するとよい。

第２図（ｅ）において、ＵＶテープ７を張り付けたフレ
ーム１０に素子面を上にしたウェハ２を貼り付けて分割
線のフルカットを行う。

第２図（ｆ）はフルカット後のウェハの断面図である。

１１はフルカット後のウェハの破片を示す。

第２図（ｇ）において、フルカット後のウェハの破片１
１を除去するために、ＵＶテープ７を貼り付けたままウ
ェハ２を炉内に入れ、温度７５〜８０°Ｃで１５〜２０
分間程度加熱して、　ＵＶテープ７を柔らかにして粘着
性を高めて、ウェハの破片１１を接着させた後ＵＶテー
プ７をウェハ２より剥離するようにする。

第２図（５）は、加熱終了後ＵＶテープ７を剥がした後
の個々に分割さたチップ２Ａの断面図である。

〔発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、ダイシング工程に
おいて、ウェハのフルカット後に生ずる背面欠けの発生
を減少でき、デバイスの信頼性と製造歩留を向上させる
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は第１発明の一実施例を説明する
平面図と断面図。 第２図（ａ）〜（ロ）は第２．第３発明の一実施例を説
明する平面図と断面図である。 第３図（ａ）、　（ｂ）は従来例によるダイシング方法
を説明する断面図。 第４図は従来例工程により発生したウェハ背面の閉じた
ヒどの様子を示す模式断面図である。 図において。 ｌは粘着テープで、　ＵＶテープ。 ２はウェハ。 ３はダイシングブレード。 ４はピックアツプ針。 ５は素子面保護テープ。 ６は背面カット用ブレード。 ７は粘着テープで、　ＵＶテープ。 ８．９．１０はフレーム。 １１は破片。 Ｘ、　Ｙは位置合わせ基準の分割線。 ２Ｘ、　２Ｙは横、Ｎ方向の周辺不良域。 ｘ、ｙは位置合わせ基準の分割線 ｖ−Ｊｌづｅ８月の実施例 第　１　図 第２．　ｇｆＩＪ３魔明の実於伊Ｊ Ｔ１２　図（堂の２） 第２、祐３発明の芙力色例 第２図（ぞの１） 従来例の断面図 ｖＪ　３　図 閉じたヒビと示す断面図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ウェハ（２）を該ウェハ（２）の表面に形成された
   分割線に沿って切断して個々のチップ（２Ａ）に分割す
   るに際し、 該ウェハ（２）が分割されないようにして縦及び横方向
   の分割線の一部に切断線（Ｘ）、（Ｙ）を入れ、該ウェ
   ハ（２）の背面に現れた該切断線（Ｘ）、（Ｙ）を基準
   に位置合わせして、該ウェハ（２）の分割線が背面に射
   影する線に沿って、該ウェハ（２）の背面より厚さ方向
   の途中まで切断する背面ハーフカットを行う工程と、 該ウェハ（２）の背面に粘着テープ（７）を貼り付けて
   、該ウェハ（２）の表面の分割線に沿って該ウェハ（２
   ）を切断する工程とを有することを特徴とするダイシン
   グ方法。 ２）前記背面ハーフカットを行う工程において、該ウェ
   ハの横、縦方向の周辺不良域（２Ｘ）、（２Ｙ）を直交
   する分割線（ｘ）、（ｙ）に沿って除去して、該分割線
   （ｘ）、（ｙ）を背面ハーフカットの位置合わせの基準
   とすることを特徴とする請求項１記載のダイシング方法
   。 ３）前記ウェハ（２）を切断する工程の後に、該粘着テ
   ープ（７）を貼り付けた該ウェハ（２）を加熱すること
   を特徴とする請求項１又は２記載のダイシング方法。