KR100675001B1 - 웨이퍼 다이싱 방법 및 그 방법을 이용하여 제조된 다이 - Google Patents

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Abstract

단면의 크랙 및 칩핑이 완화된 웨이퍼 다이싱 방법 및 그 방법을 이용하여 제조된 다이를 제공한다. 그 다이싱 방법은 이면 연마된 웨이퍼 이면에 다이 접착 필름(die attach film:DAF)을 접착하는 단계; DAF와 함께 웨이퍼 이면을 소정 깊이로 소잉(sawing)하는 단계; 내부 하부 면이 테이프로 막힌 링 마운트(ring mount)에 웨이퍼의 이면방향으로 웨이퍼를 접착하는 단계; 및 링 마운트의 테이프를 통해 웨이퍼에 응력을 가하여 웨이퍼를 각각의 다이(die)로 분리하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 의해 제조된 다이는 자연스럽게 접착제 방지턱이 형성되며, DAF와 함께 다이 본딩에 이용될 수 있다.

Description

웨이퍼 다이싱 방법 및 그 방법을 이용하여 제조된 다이{Method of dicing wafer and die being fabricated using the same method}
도 1a ~ 1e는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼를 다이싱하는 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 2는 도 1e의 A 부분을 확대하여 보여주는 단면도이다.
도 3a 및 3b는 웨이퍼에 응력을 가하는 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 웨이퍼 다이싱 방법에 의해 제조된 다이를 보여주는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
100:웨이퍼.......................100a:이면 연마된 웨이퍼
100b:소잉된 웨이퍼..........110:상면 라미네이트 테이프
120,140:링 마운트................122,142:링 마운트의 테이프
124,144:링 마운트의 스테인리스 스틸 링
130:DAF..........................130a:소잉된 DAF
200:다이.........................210:단차 또는 접착제 방지턱
300:개별 DAF
본 발명은 반도체 소자 제조 방법 및 그 소자에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 다이싱 방법(wafer dicing method) 및 그 방법에 의해 제조된 다이(die)에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼 다이싱 공정이란 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 제조 공정으로 불리는 전(前) 공전과 어셈블리(assembly) 공정으로 불리는 후(後) 공정 사이에 위치하는 공정으로서, 다수의 반도체 칩 또는 다이가 형성된 웨이퍼를 절단하여 개개의 다이로 분리시키는 공정을 말한다.
일반적인 웨이퍼 다이싱 공정은 고속으로 회전하는 블레이드(blade)를 이용하거나 특정 에너지를 가진 레이저를 이용하여 웨이퍼 상에 형성된 다이 사이의 절단선(scribe line)을 따라 절단을 수행하게 된다.
200 ㎛ 이하의 얇은(thin) 웨이퍼를 낱개의 다이로 소잉(sawing)하는 기존의 블레이드를 이용한 방법은 과도한 에지 크랙(edge crack), 칩핑(chipping) 및 단면 크랙을 유발하여 다이의 파괴 강도(fracture strength), 즉 다이가 깨짐에 버티는 힘을 저하시킨다. 그에 따라, 조그만 외부 충격에 의해서도 다이가 쉽게 깨어지게 된다. 블레이드 이용에 따른 웨이퍼의 에지 크랙 등은 웨이퍼와 블레이드가 기계적으로 접촉함에 따라 발생하는 진동, 마찰열 등에 기인한다.
다이의 파괴 강도를 강화하기 위해서 절삭 면의 손상(damage)을 최소화하여야 하는데, 이를 위해 블레이드의 두께를 얇게 하거나 절삭속도를 줄이는 방법이 제안되고 있다. 그러나 블레이드 두께의 감소는 한계가 있으며, 절삭속도의 감소는 양산성의 저하를 가져오는 단점을 가진다.
한편, 다른 방법으로 DBG(dicing before grinding), 즉 웨이퍼의 이면 연마(back grinding) 전에 블레이드에 의한 다이싱을 실시하여 웨이퍼에 충격을 상대적으로 적게 주는 방법이 제안되고 있으나, 현재 일반적으로 적용되고 있는 다이 접착 필름(die attach film:DAF) 공정을 적용하기 힘들다는 제약이 있으며, 또한 이면 연마 후 링 마운트(ring mount) 내에서 다이가 정확한 위치(position)를 유지하기 어려운 문제점을 갖는다. 여기서 링 마운트는 일반적으로 다이싱된 웨이퍼를 지지하는 장치로서, 내부 하부 면이 테이프로 막혀있는 원형의 스테인리스 스틸(stainless steal)의 링으로 이루어진 반도체 장비이다.
레이저를 이용한 웨이퍼 다이싱 방법은 상대적으로 높은 양산성 및 절단면의 낮은 손상으로 인해 각광을 받고 있다. 레이저를 이용한 웨이퍼 다이싱 방법은 광원의 종류에 따라 절삭 원리에 차이가 있다.
적외선 광원을 이용한 방법은 국부영역에 고출력의 레이저를 조사하여 웨이퍼를 급속으로 용융/기화시켜 절삭을 유도한다. 그러나 웨이퍼가 용융될 정도로 고온의 레이저가 조사되는 관계로 HAZ(heat affected zone), 즉 직접적으로 레이저가 조사되는 부분과 그 인근 영역에 손상이 심해 단면 손상이 비교적 크게 나타나게 된다. 이를 극복하기 위해 물을 동시에 사출(water jet)시키면서 레이저를 조사하는 방법이 제안되고 있다. 이 방법에서 물은 레이저의 웨이브 가이드(waveguide) 역할을 하며, 용융/기화와 동시에 물에 의한 냉각이 유도되어 고온에 의한 손상이 최소로 된다. 그러나, 공정상 양산성, 정밀성 및 제작 비용 등에 있어서 많은 제약이 뒤따른다.
자외선 광원을 이용하는 방법은 웨이퍼 내의 실리콘 원자들의 본딩 에너지에 준하는 양자 에너지를 갖는 광원을 채택하여 저출력으로 절삭을 유도하는 원리를 갖는다. 적외선의 경우보다 HAZ가 작고 내부 조직의 손상이 적으나 상대적으로 양산성이 떨어지고 파면의 거칠기(roughness)가 취약한 단점을 가진다. 자외선 광원을 이용하는 또 다른 방법으로 자외선 광원을 웨이퍼 내부 일정 부분에 초점 조사하여 내부 일정 부분을 절삭한 후, 웨이퍼를 링 마운트에 올려놓고 웨이퍼에 응력을 가해 절단을 유도하는 깨짐 제어(fracture controlled) 방법이 있다. 그러나 깨짐 제어 방법은 자외선 광원의 정확한 초점 조사 제어에 있어서 어느 정도의 한계를 가진다.
한편, 레이저 절삭 방법은 광원의 종류에 상관없이 국부적으로 고온에 웨이퍼가 노출됨에 따라 웨이퍼에 접착되어 있는 DAF의 일부가 용융되어 웨이퍼 이면에 눌어붙게 되고, 다이 픽업(pick up) 시에 잘 떨어지지 않아 다이의 깨짐을 발생하게 하는 심각한 문제를 가진다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 절단면의 손상을 최소화하면서도 DAF의 적용이 원활한 웨이퍼 다이싱 방법 및 그 방법을 이용하여 제조된 다이를 제공하는 데에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 이면 연마된 웨이퍼 이면에 다이 접착 필름(die attach film:DAF)을 접착하는 단계; 상기 DAF와 함께 웨이퍼 이면을 소정 깊이로 소잉(sawing)하는 단계; 내부 하부 면이 테이프로 막힌 링 마운트(ring mount)에 상기 웨이퍼의 이면방향으로 웨이퍼를 접착하는 단계; 및 상기 링 마운트의 테이프를 통해 상기 웨이퍼에 응력을 가하여 웨이퍼를 각각의 다이(die)로 분리하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 다이싱(dicing) 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 DAF의 접착은 단일 DAF용 테이프를 직접 접착하거나 DAF용 테이프 및 라미네이트 테이프의 2겹 테이프를 접착한 후 UV(ultraviolet) 조사 공정을 적용하여 라미네이트 테이프는 제거함으로써 수행할 수 있다. 상기 소잉에 사용되는 장비는 블레이드가 적절하며, 상기 웨이퍼에 응력은 상기 링 마운트의 테이프에 인장력을 가함으로써 가할 수 있다. 이때 웨이퍼에 응력과 및 소잉의 깊이는 웨이퍼의 파괴인성치(fracture toughness) KIC 또는 응력확대계수(stress intensity factor) KI 와의 관계에서 정량적으로 결정될 수 있다.
본 발명은 또한 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 상기 웨이퍼 다이싱 방법에 의하여 제조되고, 상기 소잉에 의하여 비절삭 부분과 절삭 부분 간에 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 다이를 제공한다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 다이는 상기 소잉에 의해 비절삭 부분과 절삭 부분에 단차가 존재하고 그 단차는 차후 다이를 PCB(printed circuit board) 등에 다이 본딩할 때 액상 접착제가 다이의 상면으로 침범하는 것을 막는 접착제 방지턱의 기능을 할 수 있다.
또한, 본 발명의 다이는 블레이드를 이용하여 형성됨으로써, 하부 면으로 DAF가 눌어붙지 않기 때문에, DAF와 함께 다이를 PCB 등에 다이 본딩할 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 설명에서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 상부에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 구성 요소의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 구성 요소가 개재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 구성 요소의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 생략되거나 과장되었고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 한편, 사용되는 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.
도 1a ~ 1e는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼를 다이싱하는 방법을 보여주는 단면도들이다. 본 실시예는 웨이퍼 이면을 소잉한 후 웨이퍼에 인장력을 가하여 다이싱하는 소잉 및 깨짐 제어 방법 함께 채용한다.
도 1a를 참조하면, 웨이퍼(100) 상면의 액티브 영역을 보호하기 위하여 테이프(110)를 부착한다. 테이프(110)는 일반적으로 라미네이트(laminate) 필름 또는 테이프로 불리는 테이프를 이용하는데, 공정 진행 후 웨이퍼(100)와 분리가 용이하도록 UV 조사 공정을 이용할 수 있는 UV 테이프가 바람직하다. 테이프(110) 접착 공정은 차후 공정인 이면 연마 공정에서 액티브 영역이 형성되어 있는 웨이퍼(100) 상면을 보호하기 위해 수행되나, 웨이퍼 상면을 보호할 수 있는 다른 수단이 있는 경우에는 그 수단으로 대체 할 수 있음은 물론이다.
도 1b를 참조하면, 테이프(110) 접착 공정 후에 이면 연마 공정에 의해 웨이퍼의 이면(화살표들 방향으로)을 일정 부분 제거하게 된다. 여기서 웨이퍼의 이면은 액티브 영역이 형성되어 있는 상면에 대향되는 반대편 면을 말한다. 이러한 이면 연마공정은 웨이퍼 이면의 불필요한 막을 제거하여 웨이퍼의 두께를 최소화하는 공정이다. 현재 200㎛ 이하의 얇은 웨이퍼 제조를 위한 필수 공정이기도 하다. 이면 연마 후 웨이퍼(110a)에 포함된 다이가 실질적으로 반도체 칩을 형성하는 다이가 된다.
도 1c를 참조하면, 이면 연마 공정 후 웨이퍼(100a) 상면의 라미네이트 테이프(110) 상부로 링 마운트(120)를 접착하여 웨이퍼(100a)를 고정시킨 후, 웨이퍼(100a) 이면에 다이 접착 필름(130,die attach film:DAF)을 접착시킨다. 링 마운트(120)는 웨이퍼(100a)보다 넓은 스테인리스 링(124) 및 내부 하부 면을 막는 테이프(122)를 포함한다. 링 마운트(120)의 테이프(122)에 웨이퍼(100a) 상면의 라미네이트 테이프(110)를 접착하여 웨이퍼(100a)를 고정시키게 된다. 링 마운트(120)의 테이프(122) 역시 라미네이트 테이프이고 웨이퍼(100a) 상면의 라미네이트 테이프(110)와 접착이 용이하게 형성된다. 한편, 웨이퍼(100a) 상면의 라미네이트 테이프(110)를 제거하고 링 마운트(120)의 테이프(122)에 웨이퍼(100a)를 바로 접착 고정시키는 것도 가능하다.
웨이퍼(100a) 이면에 접착시키는 DAF(130)는 웨이퍼 상면을 보호하는 라미네이트 테이프와 유사하나, 그 두께에서 차이가 있다. 이러한 차이는 사용 목적상의 차이에서 기인한다. DAF 또는 DAF 테이프는 종래 다이를 PCB(printed circuit board) 등에 다이 본딩할 때 액상 접착제에 의해 다이 상면이 오염되는 것을 방지하기 위해 도입된 테이프로서, 액상 접착제 대신에 직접 다이를 PCB 등에 접착시키기 위한 목적으로 웨이퍼 이면으로 접착되고 다이싱할 때 다이와 함께 절삭되는 테이프이다. 따라서, 일반적으로 웨이퍼 상면 보호용 테이프보다는 얇다.
DAF(130)의 접착은 독자적인 DAF용 테이프를 이용하여 이면 연마 공정에서의 라미네이트 테이프 접착 공정과 유사한 공정으로 수행하거나, 일반적으로 많이 이용되는 UV 테이프, 즉 DAF용 테이프 및 라미네이트 테이프의 2 겹으로 된 테이프를 웨이퍼 이면으로 접착시킨 후 UV 조사 공정을 통해 라미네이트 테이프만을 분리 제거시키는 방법으로 수행한다.
도 1d를 참조하면, DAF(130)의 접착 후, DAF(130)와 함께 웨이퍼(100a)의 이면을 소잉한다. 소잉에 의해 DAF(130a)는 각 다이에 대응하는 부분으로 분리된다. 웨이퍼(100b)는 이면 일부분만이 소잉된 상태이므로 완전히 분리된 상태는 아니다. 소잉은 블레이드 또는 DAF의 눌러 붙는 현상을 배제할 수 있는 절삭 방법을 이용하여 수행되며, 소잉에 의해 절삭되는 웨이퍼 이면의 깊이(a)는 응력확대계수(stress intensity factor)에 의해 결정되게 된다. 응력 확대계수에 대한 설명은 도 2에 대한 설명에서 좀더 상세히 기술한다.
도 1e를 참조하면, 소잉 후 웨이퍼(100b) 상부의 라미네이트 테이프(110)와 링 마운트(120)를 제거하고 링 마운트(140)를 웨이퍼(100b) 이면의 DAF(130a)에 접착시킨다. 이때의 링 마운트(140)는 웨이퍼 상면으로 접착시켰던 링 마운트(120)와 동일하다. 링 마운트(140) 접착 후 웨이퍼(100b)에 응력(화살표)을 가해 웨이퍼(100b)를 각 다이로 다이싱한다. 웨이퍼(100b)에 응력을 가하는 방법은 링 마운트(140)의 테이프(142)에 인장력을 가함으로써 이루어진다. 그에 대한 설명은 도 3a 및 3b의 설명에서 좀더 상세히 기술한다.
본 실시예에는 웨이퍼 이면으로 DAF를 접착 후 소잉에 의해 웨이퍼 이면을 일정 깊이로 절삭 후 웨이퍼에 응력을 가하여 다이싱하는 소잉 및 깨짐 제어 방법을 함께 채용함으로써, 종래 다이싱 방법에서 발생하는 절단면의 칩핑 및 크랙 등을 상당히 완화시킬 수 있다. 또한, 레이저를 이용하지 않기 때문에 다이에 DAF를 그대로 채용할 수 있다.
도 2는 도 1e의 A 부분을 확대하여 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 웨이퍼(100b) 및 웨이퍼(100b) 하부로 DAF(130a) 및 링 마운트의 테이프(142)가 도시된다. 웨이퍼(100b)는 이면에서 소정 깊이(a)로 소잉되어 있고 소잉된 부분에 응력(화살표)이 가해져 웨이퍼(100b) 상면으로 크랙이 생겨 각 다이로 쪼개지게 된다. 소잉 깊이 및 가해지는 응력은 응력강도계수 또는 응력확대계수라고 하는 KI 의 식에 의해 결정되게 된다. 응력확대계수는 파괴역학에서 쓰여지는 파괴변수로서 소잉된 웨이퍼(100b)에 적용하는 경우 다음과 같은 식으로 표현될 수 있다.
KI = σ(πa)1/2 ....................식(1)
여기서 σ은 웨이퍼에 가해지는 응력을 나타내며, a는 웨이퍼 이면의 소잉 깊이, 즉 초기 균열을 나타낸다.
한편, 재료의 실제적인 물성치인 파괴인성치(facture toughness) KIC 와 응력확대계수와의 관계가 식으로 표현될 수 있는데, 웨이퍼와 같은 실리콘의 경우 다음과 관계가 성립함을 알 수 있다.
KI ≒ KIC .............................식(2)
식(2)을 통해 응력강도계수가 파괴인성치에 이를 경우 갑작스런 취성 파괴가 유도됨을 알 수 있고, 따라서 식(1)을 통해 다이를 분리하기 위한 웨이퍼의 소잉 깊이 및 가해야 하는 응력을 결정할 수 있다. 여기서, 가해지는 응력이 소잉 깊이보다 응력확대계수에 더 큰 영향을 미침을 알 수 있다. 그러나 웨이퍼에 균일하게 가할 수 있는 응력 및 소잉에 의한 절삭 불량을 최소로 할 수 있는 깊이를 함께 고려하려 두 인자값은 적절히 선택되어야 한다.
도 3a 및 3b는 웨이퍼에 응력을 가하는 방법을 보여주는 단면도들이다. 여기서 웨이퍼는 도 1e에서의 소잉된 웨이퍼이다.
도 3a를 참조하면, 웨이퍼(100b) 및 DAF(130a)가 접착되어 있는 링 마운트(140)의 테이프(142)에 인장력을 가함으로써 웨이퍼(100b)에 응력을 가할 수 있는데, 그 한 가지 방법은 링 마운트(140)의 링(144)을 외곽(화살표)으로 늘리는 방법이다. 그에 따라 테이프(142)에 인장력이 가해지고 테이프(142)에 붙은 웨이퍼(100b)에 응력이 가해지게 된다.
도 3b를 참조하면, 테이프(142)에 인장력을 가하는 다른 방법은 테이프(142) 를 상하 방향으로 당기는 방법이다. 테이프(142) 휘어지면서 그에 따라 웨이퍼(100b)에 응력이 가해지게 된다. 테이프(142)를 상하 방향으로 당기는 방법은 링 마운트(140) 하부로 밀폐된 장치를 형성하여 진공흡입하거나 공기를 불어 넣는 방식으로 수행할 수 있다. 한편, 테이프를 상하 방향으로 당기는 방법과 함께 도 3a에서의 링(144)을 외곽으로 늘리는 방법이 병행될 수도 있다.
도 3a 및 3b에서의 방법뿐만 아니라 웨이퍼에 응력을 가하는 다양한 방법들이 본 실시예에서 이용될 수 있음은 물론이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 다이싱 방법에 의해 제조된 다이의 단면을 보여주는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 다이(200)는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 다이싱 방법을 통해 형성되며 하부로 개별 DAF(300)가 접착되어 있다. 다이(200)는 소잉에 의해 절삭된 부분과 비절삭된 부분과의 단차(210)가 존재한다. 이러한 단차(210)는 차후 다이(200)를 PCB 등에 다이 본딩할 때 액상 접착제가 다이 상면을 침범하는 것을 차단하는 접착제 방지턱(210,die adhesive dam)의 기능을 한다. 종래 액상 접착제의 침범을 방지하기 위해 다이 상면으로 인위적으로 접착제 방지턱을 형성하였지만, 본 실시예의 다이는 소잉 방법을 적용하여 형성됨으로써, 자연스럽게 접착제 방지턱(210)이 형성된다.
본 실시예의 다이(200)는 하부 면에 접착된 DAF(300)와 함께 PCB 등의 다이 본딩에 이용되므로, 차후 DAF(300)만으로 다이 본딩을 형성하게 되는 공정이 시행될 때 상대적으로 유리하다. 또한, 소잉 및 깨짐 제어 방법을 이용하여 형성됨으로 써, 절단면에 크랙이나 칩핑 등이 현저히 감소되어 다이의 파괴 강도가 향상된다.
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 웨이퍼 다이싱 방법은 소잉 및 깨짐 제어 방법을 함께 적용함으로써, 절단면의 크랙 및 칩핑 등을 감소시켜 다이의 파괴 강도, 즉 깨짐에 견디는 힘을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 다이싱 방법으로 제조된 다이는 소잉을 통해 접착제 방지턱이 자연스럽게 형성됨으로써, 다이 상면에 인위적으로 접착제 방지턱을 형성할 필요가 없다.

Claims (18)

  1. 이면 연마된 웨이퍼 이면에 다이 접착 필름(die attach film:DAF)을 접착하는 단계;
    상기 DAF와 함께 웨이퍼 이면을 소정 깊이로 소잉(sawing)하는 단계;
    내부 하부 면이 테이프로 막힌 링 마운트(ring mount)에 상기 웨이퍼의 이면방향으로 웨이퍼를 접착하는 단계; 및
    상기 링 마운트의 테이프를 통해 상기 웨이퍼에 응력을 가하여 웨이퍼를 각각의 다이(die)로 분리하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 다이싱(dicing) 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 연마된 웨이퍼의 상면은 라미네이트 테이프(laminate tape)로 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 DAF를 접착하는 단계에서,
    상기 라미네이트 테이프 상면으로 상기 링 마운트를 접착하여 상기 웨이퍼를 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 라미네이트 테이프 및 링 마운트는,
    상기 소잉 단계 이후에 제거되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 응력은 상기 링 마운트의 테이프에 인장력을 가함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 테이프에 가해진 인장력은, 상기 테이프를 외곽 방향으로 늘리거나 상기 테이프를 상면 또는 하면으로 잡아당겨 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  7. 제1 항 또는 제3 항에 있어서,
    상기 링 마운트의 테이프는 UV(ultraviolet) 조사 공정을 이용하여 제거할 수 있는 UV 테이프인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 DAF의 접착은, 단일 DAF용 테이프를 접착하거나, DAF용 테이프 및 라미네이트 테이프의 2 겹 테이프를 접착한 후 UV 조사 공정을 통해 라미네이트 테이프를 제거하여 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 소잉 단계에서의 상기 소정 깊이 및 다이 분리 단계에서 가해지는 응력은 상기 소잉된 웨이퍼의 파괴역학 인자인 응력확대계수(stress intensity factor) KI에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 KI 는,
    KI = σ(πa)1/ 2 로 나타나며,
    상기 σ는 상기 테이프를 통해서 웨이퍼에 가해지는 응력이고, 상기 a는 상기 소정 깊이이며,
    상기 KI 에 웨이퍼의 고유 파괴인성치(fracture toughness) KIC 를 적용하여 상기 σ 및 a를 결정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 다이싱 단계에서 분리된 각각의 다이는,
    상기 소잉에 의한 절삭부분에 접착제 방지턱(die adhesive dam)이 형성되고,
    상기 방지턱은 상기 다이를 다이 본딩할 때 사용되는 접착제가 상기 다이의 상면으로 침범되는 것을 방지하는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 다이싱 단계에서 분리된 각각의 다이는,
    상기 다이 이면에 접착된 DAF와 함께 다이 본딩에 이용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 소잉은 블레이드(blade) 또는 상기 웨이퍼에 DAF가 눌러 붙는 현상을 배제할 수 있는 절삭방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱 방법.
  14. 제1 항에 방법에 의하여 제조되고,
    상기 소잉에 의하여 비절삭 부분과 절삭 부분 간에 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 다이.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 단차는
    상기 다이를 다이 본딩할 때 사용되는 접착제가 상기 다이의 상면으로 침범되는 것을 방지하는 접착제 방지턱(die adhesive dam) 역할을 하는 것을 특징으로 하는 다이.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 소정 깊이 및 응력은 상기 소잉된 웨이퍼의 파괴역학 인자인 응력확대계수(stress intensity factor) KI에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 다이.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 KI 는,
    KI = σ(πa)1/ 2 로 나타나며,
    상기 σ는 상기 테이프를 통해서 웨이퍼에 가해지는 응력이고, 상기 a는 상기 소정 깊이이며,
    상기 KI 에 웨이퍼의 파괴인성치(fracture toughness) KIC 가 적용되어 상기 σ 및 a가 결정되는 것을 특징으로 하는 다이.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 다이는,
    상기 다이 이면으로 접착된 DAF와 함께 다이 본딩에 이용되는 것을 특징으로 하는 다이.
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