JP2006245209A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウエーハ2を個々の半導体チップに分割し、半導体チップの裏面に接着フィルムを6装着する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハ2の表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝23を形成する分割溝形成工程と、裏面を研削して裏面に分割溝23を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、半導体ウエーハ2の裏面に接着フィルム6を貼着する接着フィルム貼着工程と、接着フィルム6に裏面側から分割溝23に沿ってレーザー光線を照射722し接着フィルム6に分割溝23に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程と、接着フィルムに張力を付与し接着フィルムを変質領域に沿って破断する接着フィルム破断工程とを含む。
【選択図】図6
Description
半導体ウエーハの表面から該ストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に貼着された該接着フィルムに半導体ウエーハの裏面側から該分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、該接着フィルムに該分割溝に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程と、
該接着フィルムに張力を付与し該接着フィルムを該変質領域に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含み、
該レーザー加工工程において接着フィルムに変質領域を形成するレーザー光線のエネルギーは、該接着フィルムを熔融して変質させるが該接着フィルムを溶断しない値に設定されている、
ことを特徴とする半導体チップの製造方法が提供される。
レーザー加工工程は、先ず図6に示すように上記接着フィルム貼着工程においてダイシングテープ62の表面に装着された接着フィルム6に裏面2bが貼着された半導体ウエーハ2を、保護部材4側をチャックテーブル71に載置し吸引保持する。従って、半導体ウエーハ2の裏面2bに貼着された接着フィルム6を装着したダイシングテープ62は、上側となる。なお、図6においては、ダイシングテープ62が装着された環状の支持ダイシングフレーム61を省いて示しているが、ダイシングフレーム61はチャックテーブル71に配設された適宜のダイシングフレーム保持手段に保持されている。
レーザー光線の種類 :固体レーザー(YVO4レーザー、YAGレーザー)
波長 :355nm
発振方法 :パルス発振
パルス幅 :12ns
繰り返し周波数 :10〜100kHz
1パルス当たりのエネルギー :接着フィルムの厚さ20μmに対して0.03〜0.05mJ
平均出力 :0.3〜4W
集光スポット径 :φ9.2μm
加工送り速度 :100〜300mm/秒
なお、上述したレーザー加工工程における加工条件ではパルスレーザー光線の集光スポットを円形にした例を示したが、パルスレーザー光線の集光スポットは楕円形にすることが望ましい。即ち、集光スポットを楕円形にすることにより、パルスレーザー光線のスポットが重合する割合を拡大することができ、連続した変質領域60を形成することができる。
上述したようにダイシングフレーム61に装着された伸長可能なダイシングテープ62の上面に支持された複数個の半導体チップ20(裏面に貼着された接着フィルム6側がダイシングテープ62の上面に貼着されている)は、図10および図11の(a)に示すようにダイシングフレーム61が円筒状のベース81の載置面811上に載置され、クランプ84によってベース81に固定される。次に、図11の(b)に示すように上記ダイシングテープ62における複数個の半導体チップ20が存在する領域621を支持した拡張手段82の拡張部材821を図示しない昇降手段によって図11(a)の基準位置から上方の図11の(b)に示す拡張位置まで移動する。この結果、伸長可能なダイシングテープ62は拡張されるので、ダイシングテープ62に貼着されている接着フィルム6には張力が作用し、接着フィルム6は強度が低下せしめられた変質領域60に沿って破断される。そして、ダイシングテープ62と半導体チップ20に装着されている接着フィルム6aとの間にズレが生じ密着性が低下するため、破断された接着フィルム6aを貼着した半導体チップ20がダイシングテープ62から容易に離脱できる状態となるとともに、個々の半導体チップ20および該半導体チップ20に貼着された接着フィルム6a間には隙間は形成される。
上述した第1の実施形態においては、ダイシングテープ62の表面に予め接着フィルム6が貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用した例を示したが、第2の実施形態はダイシングテープ62と接着フィルム6が別個に形成されているものを使用した例である。従って、第2の実施形態においても上述した第1の実施形態における接着フィルム貼着工程以外は上述した各工程と実質的に同一である。
本発明による半導体チップの製造方法の第2の実施形態は、上述した分割溝形成工程と保護部材貼着工程および分割溝表出工程を実施した後に、個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハ2の裏面2bに接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程を実施する。即ち、図13の(a)、(b)に示すように接着フィルム6を個々の半導体チップに分離された半導体2の裏面2bに貼着する。このとき、80〜200°Cの温度で加熱しつつ接着フィルム6を半導体ウエーハ2の裏面2bに押圧して貼着する。なお、接着フィルム6は、上記第1の実施形態と同様に厚さが25μmのポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂によって形成されている。
20:半導体チップ
21:ストリート
22:デバイス
23:分割溝
3:切削装置
31:切削装置のチャックテーブル
32:切削手段
4:保護部材
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削手段
521:研削砥石
20:半導体チップ
6:接着フィルム
61:ダイシングフレーム
62:ダイシングテープ
7:レーザー加工装置
71:レーザー加工装置チャックテーブル
72:レーザー光線照射手段
722:パルスレーザー光線発振手段
723:伝送光学系
724:集光器
73:撮像手段
8:ピックアップ装置
81:円筒状のベース
82:拡張手段
83:紫外線照射
9:ピックアップコレット
Claims (2)
- 表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、
半導体ウエーハの表面から該ストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に貼着された該接着フィルムに半導体ウエーハの裏面側から該分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、該接着フィルムに該分割溝に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程と、
該接着フィルムに張力を付与し該接着フィルムを該変質領域に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含み、
該レーザー加工工程において接着フィルムに変質領域を形成するレーザー光線のエネルギーは、該接着フィルムを熔融して変質させるが該接着フィルムを溶断しない値に設定されている、
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。 - 該レーザー加工工程において照射するレーザー光線は、波長が355nmのパルスレーザー光線であり、その1パルス当たりのエネルギーが接着フィルムの厚さ20μmに対して0.03〜0.05mJに設定されている、請求項1記載の半導体チップの製造方法。
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