JP2008235398A - デバイスの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】厚さが１００μm以下の薄いウエーハであっても破損させることなく裏面に接着フィルムを装着した個々に分割されたデバイスを製造することができるデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】厚さが１００μm以下のウエーハ２を分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイス２２の製造方法であって、裏面に接着フィルムを装着したウエーハ接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープＴの表面に貼着する工程と、ダイシングテープに接着フィルム側を貼着したウエーハの分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、ウエーハを接着フィルム共々個々のデバイスに分割する工程と、ダイシングテープを拡張して分割された各デバイス間の隙間を広げ、裏面に接着フィルムが装着されているデバイスをダイシングテープからピックアップする工程とを含む。
【選択図】図７

Description

本発明は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法に関する。
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域を分割予定ラインに沿って分割することにより個々のデバイスを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置は厚さが４０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切削する。このようにして分割されたデバイスは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
個々に分割されたデバイスは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ７０〜８０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介してデバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに沿って切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断することにより、裏面に接着フィルムが装着されたデバイスを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
特開２０００−１８２９９５号公報
而して、ウエーハの厚さが１００μm以下と薄くなると、ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着して切削ブレードにより切削すると、切断されたデバイスが接着フィルム上で踊り高速回転する切削ブレードの衝撃によって破損するという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、厚さが１００μm以下の薄いウエーハであっても破損させることなく裏面に接着フィルムを装着した個々に分割されたデバイスを製造することができるデバイスの製造方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成された厚さが１００μm以下のウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、該デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法であって、
ウエーハの裏面に接着フィルムを装着するとともに該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープに該接着フィルム側を貼着したウエーハの分割予定ラインに沿ってウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハを個々のデバイスに分割するとともに該接着フィルムを切断するレーザー加工工程と、
該レーザー加工工程を実施した後に、該ダイシングテープを拡張して個々に分割された各デバイス間の隙間を広げ、裏面に該接着フィルムが装着されているデバイスを該ダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
上記レーザー加工工程は、接着フィルムを一部の切り残し部を残存させて不完全切断することが望ましい。
また、上記レーザー加工工程は、波長が３７０nm以下のパルスレーザー光線を照射する。
上記レーザー加工工程において接着フィルムを一部の切り残し部を残存させて不完全切断した場合には、上記ピックアップ工程においては接着フィルムを冷却し伸縮性を低下させてダイシングテープを拡張することが望ましい。
本発明によれば、ダイシングテープに接着フィルム側を貼着したウエーハの分割予定ラインに沿ってウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハを個々のデバイスに分割するとともに接着フィルムを切断するレーザー加工工程においては、ウエーハを切削装置によって切断するもののように分割されたデバイスに高速回転する切削ブレードが接触しないので、デバイスが接着フィルム上を踊ることはないため、ウエーハの厚さが１００μm以下であってもデバイスが損傷することはない。
以下、本発明によるウエーハに貼着された接着フィルムの破断方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１には、ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが８０μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａには複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ２の表面２aには、格子状に形成された複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。
上述した半導体ウエーハ２の裏面２bには、図２の(a)および(b)に示すようにダイボンディング用の接着フィルム３が装着される（接着フィルム装着工程）。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム３を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着する。なお、接着フィルム３は、図示の実施形態においてはエポキシ系樹脂からなり、その厚さが８０μmに形成されている。
接着フィルム装着工程を実施したならば、図３の(a)および(b)に示すように環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に半導体ウエーハ２の接着フィルム３側を貼着する（ウエーハ支持工程）。なお、上記ダイシングテープTは、図示の実施形態においては厚さが８０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面に、アクリル樹脂系の粘着層が厚さが５μｍ程度塗布されている。
上述した接着フィルム装着工程およびウエーハ支持工程の他の実施形態について、図４を参照して説明する。
図４に示す実施形態は、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する。即ち、図４の（ａ）および（ｂ）に示すように環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム３を、半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着する。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム３を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着する。なお、接着フィルム付きのダイシングテープは、株式会社リンテック社製の接着フィルム付きのダイシングテープ（ＬＥ５０００）を用いることができる。
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、ダイシングテープに接着フィルム側を貼着したウエーハの分割予定ラインに沿ってウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハを個々のデバイスに分割するとともに接着フィルムを切断するレーザー加工工程を実施する。このレーザー加工工程は、図５に示すレーザー加工装置５を用いて実施する。図５に示すレーザー加工装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と、チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。チャックテーブル５１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図５において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング５２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器５２２が装着されている。レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部に装着された撮像手段５３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置５を用いて上記図３および図４に示すようにダイシングテープTに接着フィルム３側を貼着したウエーハ２を、分割予定ライン２１に沿ってデバイス毎に分割するとともに接着フィルム３を切断するレーザー加工工程について、図５乃至図７を参照して説明する。
先ず上述した図５に示すレーザー加工装置５のチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２の接着フィルム３側が貼着されたダイシングテープTを載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する。なお、図５においてはダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル５１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１は、図示しない移動機構によって撮像手段５３の直下に位置付けられる。
チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、分割予定ライン２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２に形成されている分割予定ライン２１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図６で示すようにチャックテーブル５１をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２１の一端（図６において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の直下に位置付ける。そして、集光器５２２からシリコンウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を図６において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（レーザー加工工程）。そして、レーザー光線照射手段５２の集光器５２２の照射位置が分割予定ライン２１の他端（図６において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。なお、シリコンウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線としては、波長が３７０nm以下の紫外光のパルスレーザー光線が望ましく、特に波長が２６６nmのパルスレーザー光線は吸収性が良好でシリコンウエーハおよび接着フィルムを効率よく切断できる。
なお、上記レーザー加工工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源 ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長 ：２６６ｎｍ
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
平均出力 ：４W
集光スポット ：楕円形：長軸２００μm、短軸１０μm
加工送り速度 ：１５０ｍｍ／秒
上記加工条件においては１回の加工工程で４０μm程度のレーザー加工溝が形成されるので、上記レーザー加工工程を２回繰り返し実行することにより半導体ウエーハ２が切断して分割され、更に上記レーザー加工工程を１回行うことにより接着フィルム３に７０μm程度のレーザー加工溝を形成することができる。この結果、図７に示すように半導体ウエーハ２および接着フィルム３に分割予定ライン２１に沿ってレーザー加工溝２１０が形成され、ウエーハ２がデバイス２２毎に分割するとともに接着フィルム３が一部の切り残し部３１を残存させて不完全切断される。なお、切り残し部３１の厚さtは、図示の実施形態においては１０μmとなる。この残し部３１の厚さtは、２０μm以下であることが望ましい。このようにレーザー加工工程においては、接着フィルム３が一部の切り残し部３１を残存させて不完全切断されるので、接着フィルム３がダイシングテープTに癒着することがない。なお、上記レーザー加工工程においては、接着フィルム３を完全切断してもよい。このレーザー加工工程においては、ウエーハを切削装置によって切断するもののように分割されたデバイス２２に高速回転する切削ブレードが接触しないので、デバイス２２が接着フィルム３上を踊ることはないため、半導体ウエーハ２の厚さが１００μm以下であってもデバイス２２が損傷することはない。
上述したレーザー工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に実施する。
以上のようにしてレーザー加工工程を実施したら、ダイシングテープを拡張して個々に分割された各デバイス間の隙間を広げ、裏面に該接着フィルムが装着されているデバイスを該ダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程を実施する。このピックアップ工程は、図８に示すピックアップ装置を用いて実施される。図８に示すピックアップ装置６は、基台６１と、該基台６１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された第１のテーブル６２と、該第１のテーブル６２上に矢印Ｙと直交する矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第２のテーブル６３を具備している。基台６１は矩形状に形成され、その両側部上面には矢印Ｙで示す方向に２本の案内レール６１１、６１２が互いに平行に配設されている。なお、２本の案内レールのうち一方の案内レール６１１には、その上面に断面がＶ字状の案内溝６１１aが形成されている。
上記第１のテーブル６２は、中央部に矩形状の開口６２１を備えた窓枠状に形成されている。この第１のテーブル６２の一方の側部下面には、上記基台６１に設けられた一方の案内レール６１１に形成されている案内溝６１１aに摺動可能に嵌合する被案内レール６２２が設けられている。また第１のテーブル６２の両側部上面には上記被案内レール６２２と直交する方向に２本の案内レール６２３、６２４が互いに平行に配設されている。なお、２本の案内レールのうち一方案内レール６２３には、その上面に断面がＶ字状の案内溝６２３aが形成されている。このように構成された第１のテーブル６２は、被案内レール６２２を基台６１に設けられた一方の案内レール６１１に形成された案内溝６１１aに嵌合するとともに、他方の側部下面を基台６１に設けられた他方の案内レール６１２上に載置される。図示の実施形態におけるピックアップ装置６は、第１のテーブル６２を基台６１に設けられた案内レール６１１、６１２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動する第１の移動手段６４を具備している。
上記第２のテーブル６３は矩形状に形成され、一方の側部下面には上記第１のテーブル６２に設けられた一方の案内レール６２３に形成されている案内溝６２３aに摺動可能に嵌合する被案内レール６３２が設けられている。このように構成された第２のテーブル６３は、被案内レール６３２を第１のテーブル６２に設けられた一方の案内レール６２３に形成されている案内溝６２３aに嵌合するとともに、他方の側部下面を第１のテーブル６２に設けられた他方の案内レール６２４上に載置される。図示の実施形態におけるピックアップ装置６は、第２のテーブル６３を第１のテーブル６２に設けられた案内レール６２３、６２４に沿って矢印Ｘで示す方向に移動する第２の移動手段６５を具備している。
図示の実施形態におけるピックアップ装置６は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段６６と、該フレーム保持手段６６に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段６７を具備している。フレーム保持手段６６は、環状のフレーム保持部材６６１と、該フレーム保持部材６６１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６６２とからなっている。フレーム保持部材６６１の上面は環状のフレームFを載置する載置面６６１aを形成しており、この載置面６６１a上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面６６１a上に載置された環状のフレームFは、クランプ６６２によってフレーム保持部材６６１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段６６は、第２のテーブル６３の上方に配設され、後述するテープ拡張手段６７によって上下方向に進退可能に支持されている。
テープ拡張手段６７は、上記環状のフレーム保持部材６６１の内側に配設される拡張ドラム６７０を具備している。この拡張ドラム６７０は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム６７０は、下端部に上記第２のテーブル６３に設けられた穴(図示せず)の内周面に回動可能に嵌合する装着部を備えているとともに、該装着部の上側外周面には径方向に突出して形成された支持フランジ６７１を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段６７は、上記環状のフレーム保持部材６６１を上下方向に進退可能な支持手段６７２を具備している。この支持手段６７２は、上記支持フランジ６７１上に配設された複数のエアシリンダ６７３からなっており、そのピストンロッド６７４が上記環状のフレーム保持部材６６１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ６７３からなる支持手段６７２は、図８および図９の(a)に示すように環状のフレーム保持部材６６１を載置面６６１aが拡張ドラム６７０の上端と略同一高さとなる基準位置と、図９の(b)に示すように環状のフレーム保持部材６６１を載置面６６１aが拡張ドラム６７０の上端から図において所定量下方の拡張位置に選択的に移動せしめる。
図示の実施形態におけるピックアップ装置６は、図８に示すように上記拡張ドラム６７０およびフレーム保持部材６６１を回動せしめる回動手段６８を具備している。この回動手段６８は、上記第２のテーブル６３に配設されたパルスモータ６８１と、該パルスモータ６８１の回転軸に装着されたプーリ６８２と、該プーリ６８２と拡張ドラム６７０の支持フランジ６７１とに捲回された無端ベルト６８３とからなっている。このように構成された回動手段６８は、パルスモータ６８１を駆動することにより、プーリ６８２および無端ベルト６８３を介して拡張ドラム６７０を回動せしめる。
図示の実施形態におけるピックアップ装置６は、上記環状のフレーム保持部材６６１に保持された環状のフレームＦにダイシングテープＴを介して支持されている半導体ウエーハ２の個々に分割されたデバイス２２を検出するための検出手段７を具備している。検出手段７は、基台６１に配設されたＬ字状の支持柱７１に取り付けられている。この検出手段７は、光学系および撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、上記環状のフレーム保持部材６６１に保持された環状のフレームＦにダイシングテープＴを介して支持されている半導体ウエーハ２の個々に分割されたデバイス２２を撮像し、これを電気信号に変換して図示しない制御手段に送る。
また、図示の実施形態におけるピックアップ装置６は、個々に分割されたデバイス２２をダイシングテープTからピックアップするピックアップ手段８を具備している。このピックアップ手段８は、基台６１に配設された旋回アーム８１と、該旋回アーム８１の先端に装着されたピックアップコレット８２とからなっており、旋回アーム８１が図示しない駆動手段によって旋回せしめられる。なお、旋回アーム８１は上下動可能に構成されており、先端に装着されたピックアップコレット８２は、ダイシングテープTに貼着されている個々に分割されたデバイス２２をピックアップすることができる。
図示の実施形態におけるピックアップ装置６は以上のように構成されており、このピックアップ装置６を用いて実施するピックアップ工程について、主に図９および図１０を参照して説明する。
上述したレーザー加工工程が実施され裏面に接着フィルム３が装着された個々のデバイス２２をダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFを図９の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６６を構成するフレーム保持部材６６１の載置面６６１a上に載置し、クランプ６６２によってフレーム保持部材６６１に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材６６１は図９の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。
図９の（ａ）に示すように基準位置に位置付けられているフレーム保持部材６６１に、裏面に接着フィルム３が装着された個々のデバイス２２をダイシングテープTを介して支持した環状のフレーム４を固定したならば、テープ拡張手段６７を構成する支持手段６７２としての複数のエアシリンダ６７３を作動して、環状のフレーム保持部材６６１を図９の（ｂ）に示す拡張位置まで下降せしめる。従って、フレーム保持部材６６１の載置面６６１a上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図９の（b）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム６７０の上端縁に当接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム３には放射状に引張力が作用するので、接着フィルム３は上記レーザー加工工程において個々のデバイス２２に沿って完全切断されていない場合には、このテープ拡張工程を実施することによって個々のデバイス２２に沿って完全切断される。そして、接着フィルム３が装着された個々のデバイス２２間の隙間Sが広げられる。
なお、上記テープ拡張工程において接着フィルム３が完全切断されていない場合には、上記切り残し部３１が２０μm以下であれば、接着フィルム３を各デバイス２２の外周縁に沿って容易に破断することができる。また、接着フィルム３が完全切断されていない場合には、テープ拡張工程における環状のフレーム保持部材６１１の移動速度は、５０mm／秒以上であることが望ましい。更に、接着フィルム３が完全切断されていない場合には、テープ拡張工程においては、上述したように接着フィルム３を１０℃以下に冷却し伸縮性を低下せしめて実施することが望ましい。
上述したようにテープ拡張工程を実施したならば、第１の移動手段６４および第２の移動手段６５を作動して第１のテーブル６２を矢印Ｙで示す方向（図８参照）に移動するとともに、第２のテーブル６３を矢印Ｘで示す方向（図８参照）に移動し、フレーム保持部材６６１に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに接着フィルム３を介して貼着されている個々のデバイス２２を検出手段７の直下に位置付ける。そして、検出手段７を作動し個々のデバイス２２間の隙間が矢印Ｙで示す方向または矢印Ｘで示す方向と一致するかを確認する。もし、個々のデバイス２２間の隙間が矢印Ｙで示す方向または矢印Ｘで示す方向とズレているならば、回動手段６８を作動しフレーム保持手段６６を回動して一致させる。次に、第１のテーブル６２を矢印Ｙで示す方向（図８参照）に移動するとともに、第２のテーブル６３を矢印Ｘで示す方向（図８参照）に移動しつつ、図１０に示すようにピックアップ手段８を作動しピックアップコレット８２によって所定位置に位置付けられたデバイス２２（裏面に接着フィルム３が装着されている）を吸着し、ダイシングテープTから剥離してピックアップ（ピックアップ工程）し、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。このピックアップ工程においては、上述したように接着フィルム６が装着された個々のデバイス２２間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス２２と接触することなく容易にピックアップすることができる。従って、デバイス２２の厚さが１００μm以下であっても接触により破損することなく確実にピックアップすることができる。
ウエーハとしての半導体ウエーハを示す斜視図。 本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム装着工程を示す説明図。 本発明によるデバイスの製造方法におけるウエーハ支持工程を示す斜視図。 本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム装着工程およびウエーハ支持工程の他の実施形態を示す説明図。 本発明によるデバイスの製造方法におけるレーザー加工工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 図５に示すレーザー加工装置を用いて本発明によるデバイスの製造方法におけるレーザー加工工程を実施する状態を示す説明図。 図６に示すレーザー加工工程が実施された半導体ウエーハの拡大断面図。 本発明によるデバイスの製造方法におけるピックアップ工程を実施するためのピックアップ装置の斜視図。 本発明によるデバイスの製造方法におけるピックアップ工程におけるテープ拡張工程を示す説明図。 本発明によるデバイスの製造方法におけるピックアップ工程の説明図。
符号の説明
２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
４０：ダイシングテープ
５：レーザー加工装置
５１：レーザー加工装置のチャックテーブル
５２：レーザー光線照射手段
５２２：集光器
６：ピックアップ拡張装置
６１：基台
６２：第１のテーブル
６３：第２のテーブル
６４：第１の移動手段
６５：第２の移動手段
６６：フレーム保持手段
６７：テープ拡張手段
６８：回動手段
７：検出手段
８：ピックアップ手段
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ

Claims (4)

  1. 表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成された厚さが１００μm以下のウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、該デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法であって、
    ウエーハの裏面に接着フィルムを装着するとともに該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
    該ダイシングテープに該接着フィルム側を貼着したウエーハの分割予定ラインに沿ってウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハを個々のデバイスに分割するとともに該接着フィルムを切断するレーザー加工工程と、
    該レーザー加工工程を実施した後に、該ダイシングテープを拡張して個々に分割された各デバイス間の隙間を広げ、裏面に該接着フィルムが装着されているデバイスを該ダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程と、を含む、
    ことを特徴とするデバイスの製造方法。
  2. 該レーザー加工工程は、接着フィルムを一部の切り残し部を残存させて不完全切断する、請求項１記載のデバイスの製造方法。
  3. 該レーザー加工工程は、波長が３７０nm以下のパルスレーザー光線を照射する、請求項１又は２記載のデバイスの製造方法。
  4. 該ピックアップ工程においては、該接着フィルムを冷却し伸縮性を低下させて該ダイシングテープを拡張する、請求項２記載のデバイスの製造方法。
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