JP2019197806A - 被加工物の加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】デバイスに与えるダメージを抑制しながらもＤＡＦをデバイスチップ毎に分割することができる被加工物の加工方法を提供すること。【解決手段】被加工物の加工方法は、表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物を個々のデバイスに分割する方法である。被加工物の加工方法は、分割予定ラインに沿って分割溝が形成されかつ裏面にＤＡＦが貼着された被加工物の表面側を保持テーブルに保持する保持ステップＳＴ４と、保持テーブルに保持された被加工物の分割予定ラインを検出し、裏面に貼着されたＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、検出した分割予定ラインに基づいて、レーザー光線を照射して、ＤＡＦに改質層を形成するＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５と、分割溝の幅を拡張して、ＤＡＦを各デバイスチップ毎に分割するＤＡＦ分割ステップＳＴ６とを備える。【選択図】図３

Description

本発明は、被加工物の加工方法に関する。

半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等の被加工物を個々のデバイスチップに分割した後、デバイスチップを基板等に固定するためにＤＡＦ（Die Attach Film）が用いられてきた。ＤＡＦを用いた被加工物の加工方法は、分割予定ラインに沿って内部に改質層が形成された被加工物の裏面にＤＡＦとエキスパンドシートを貼着した後に、エキスパンドシートを拡張して、被加工物を個々のデバイスチップに分割するとともに、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割する。この加工方法は、加工条件によっては、ＤＡＦが完全に分割されずに、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割できない虞があった。

そこで、本願の出願人は、被加工物の表面側からレーザー光線を照射して、被加工物の内部とＤＡＦの内部との双方に改質層を形成する加工方法（例えば、特許文献１参照）を提案している。

特開２０１１−０７７４２９号公報

しかしながら、特許文献１に示された加工方法は、被加工物の表面側からレーザー光線を照射して、被加工物の内部とＤＡＦの内部との双方に改質層を形成するために、特に、ＤＡＦの内部に改質層を形成する際に、レーザー光線がデバイスに照射されてしまい、デバイスにダメージを与える恐れがあった。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスに与えるダメージを抑制しながらもＤＡＦをデバイスチップ毎に分割することができる被加工物の加工方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物の加工方法は、表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、分割予定ラインに沿って分割溝が形成されかつ裏面にＤＡＦが貼着された被加工物の表面側を保持テーブルに保持する保持ステップと、該保持テーブルに保持された該被加工物の分割予定ラインを検出し、裏面に貼着された該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、検出した分割予定ラインに基づいて、該レーザー光線を照射して、該ＤＡＦに改質層を形成するＤＡＦ改質層形成ステップと、該分割溝の幅を拡張して、該ＤＡＦを各デバイスチップに分割するＤＡＦ分割ステップと、を備えることを特徴とする。

本発明の被加工物の加工方法は、表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、該分割予定ラインに沿って切削ブレードでデバイスチップの仕上げ厚みに至る溝を形成する切削溝形成ステップと、該切削溝形成ステップの実施後に、該被加工物を裏面から該仕上げ厚みまで研削するとともに該被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップと、該裏面研削ステップの実施後に、ＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップと、ＤＡＦ貼着ステップの実施後に、該ＤＡＦの内部に該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、該被加工物の該裏面側から該レーザー光線を該ＤＡＦに照射し改質層を形成するＤＡＦ改質層形成ステップと、該ＤＡＦ改質層形成ステップの実施後に、該ＤＡＦを拡張して該ＤＡＦを該デバイスチップ毎に破断するＤＡＦ分割ステップと、を備えることを特徴とする。

前記被加工物の加工方法において、該ＤＡＦ改質層形成ステップにおいて、該改質層は該分割予定ラインに対応する領域に形成されても良い。

前記被加工物の加工方法において、該ＤＡＦはエキスパンドテープに積層された粘着性部材であり、該ＤＡＦ改質層形成ステップでは、該エキスパンドテープ越しにレーザー光線を照射し、該ＤＡＦ分割ステップでは該エキスパンドテープを拡張することで該ＤＡＦを破断しても良い。

本発明は、デバイスに与えるダメージを抑制しながらもＤＡＦをデバイスチップ毎に分割することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。 図２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法により製造されるデバイスチップを示す斜視図である。 図３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。 図４は、図３に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップを示す斜視図である。 図５は、図３に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップ後の被加工物の斜視図である。 図６は、図５中のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、図３に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。 図８は、図３に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップを示す斜視図である。 図９は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップを示す斜視図である。 図１０は、図９中のＸ線−Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。 図１２は、図３に示された被加工物の加工方法の保持ステップを一部断面で示す側面図である。 図１３は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップを一部断面で示す側面図である。 図１４は、図１３中のＸＩＶ部を拡大して示す図である。 図１５は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップ中の被加工物の一部の平面図である。 図１６は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ分割ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。 図１７は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ分割ステップにおいて、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。 図１８は、実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法により製造されるデバイスチップを示す斜視図である。図３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。

実施形態１に係る被加工物の加工方法は、図１に示す被加工物１の加工方法である。実施形態１では、被加工物１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基材２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。被加工物１は、図１に示すように、基材２の表面３の複数の分割予定ライン４によって区画された領域にそれぞれデバイス５が形成されている。デバイス５は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサである。

実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１を図２に示す個々のデバイスチップ７に分割する方法である。デバイスチップ７は、図２に示すように、仕上げ厚み８まで薄化された基材２と、基材２の表面３に形成されたデバイス５とを含む。被加工物の加工方法は、図３に示すように、切削溝形成ステップＳＴ１と、裏面研削ステップＳＴ２と、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３と、保持ステップＳＴ４と、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５と、ＤＡＦ分割ステップＳＴ６とを備える。

（切削溝形成ステップ）
図４は、図３に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップを示す斜視図である。図５は、図３に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップ後の被加工物の斜視図である。図６は、図５中のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。

切削溝形成ステップＳＴ１は、分割予定ライン４に沿って切削ブレード３１でデバイスチップ７の仕上げ厚み８に至る溝９を形成するステップである。切削溝形成ステップＳＴ１では、切削装置３０が図示しないチャックテーブルに被加工物１の裏面６を吸引保持し、図示しない撮像ユニットで被加工物１の表面３を撮像して、切削ユニット３２の切削ブレード３１と被加工物１の分割予定ライン４との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。

切削溝形成ステップＳＴ１では、図４に示すように、切削装置３０が、アライメント結果に基づいて分割予定ライン４に沿って被加工物１と切削ブレード３１とを相対的に移動させながら切削ブレード３１を仕上げ厚み８より若干深く被加工物１に切り込ませて、分割予定ライン４に仕上げ厚み８に至る溝９を形成する。切削溝形成ステップＳＴ１では、図５に示すように、切削装置３０が、全ての分割予定ライン４に溝９を形成すると、切削を終了して、チャックテーブルの被加工物１の吸引保持を解除する。なお、実施形態１において、切削溝形成ステップＳＴ１では、図６に示す表面３からの深さ９１が仕上げ厚み８と等しい溝９を被加工物１の各分割予定ライン４に形成する。被加工物の加工方法は、切削溝形成ステップＳＴ１後、裏面研削ステップＳＴ２に進む。

（裏面研削ステップ）
図７は、図３に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。図８は、図３に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップを示す斜視図である。

裏面研削ステップＳＴ２は、切削溝形成ステップＳＴ１の実施後に、被加工物１を裏面６から仕上げ厚み８まで研削するとともに、被加工物１をデバイスチップ７に分割するステップである。裏面研削ステップＳＴ２では、図７に示すように、被加工物１の表面３と保護部材１０の粘着層とを対向させた後、被加工物１の表面３に保護部材１０を貼着する。なお、実施形態１では、保護部材１０は、可撓性を有する合成樹脂から構成された基材層と、基材層上に積層されかつ被加工物１の表面３に貼着する粘着層とを備える。また、実施形態１では、保護部材１０は、被加工物１と外径が等しい円板状に形成されている。

裏面研削ステップＳＴ２では、図８に示すように、研削装置４０が保持テーブル４１に保護部材１０を介して被加工物１の表面３を吸引保持し、保持テーブル４１を軸心回りに回転させつつ研削ユニット４２の研削砥石４３を軸心回りに回転させて被加工物１の裏面６に接触させて、裏面６を研削する。裏面研削ステップＳＴ２では、研削装置４０が仕上げ厚み８まで被加工物１を研削して薄化する。裏面研削ステップＳＴ２では、被加工物１に表面３側から深さ９１が仕上げ厚み８に等しい溝９が形成されているので、研削装置４０が被加工物１を仕上げ厚み８まで薄化すると、図８に示すように。裏面６側に溝９が露出して、被加工物１が個々のデバイスチップ７に分割される。なお、溝９は、裏面６側に露出して、被加工物１を個々のデバイスチップ７に分割すると、分割溝９−１となる。被加工物の加工方法は、裏面研削ステップＳＴ２後、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３に進む。

（ＤＡＦ貼着ステップ）
図９は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップを示す斜視図である。図１０は、図１０は、図９中のＸ線−Ｘ線に沿う断面図である。図１１は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。

ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３は、裏面研削ステップＳＴ２の実施後に、被加工物１の裏面６にＤＡＦ（Die Attach Film）２０を貼着するステップである。ＤＡＦ２０は、個々に分割されたデバイスチップ７を印刷配線板等の固定対象の部材（デバイスチップ７が固定される部材をいう）に固定するための接着フィルムであり、実施形態１では、粘着性を有する合成樹脂で構成される粘着性部材のみで構成されている。即ち、実施形態１では、ＤＡＦ２０は、粘着材部材である。

また、実施形態１において、ＤＡＦ２０は、被加工物１よりも大径な円板状に形成され、かつ、図９及び図１０に示すように、エキスパンドテープ２１の粘着層に貼着されて、エキスパンドテープ２１に積層されている。エキスパンドテープ２１は、伸縮性を有する合成樹脂から構成された基材層と、基材層上に積層されかつＤＡＦ２０を貼着した粘着層とを備える。実施形態１において、エキスパンドテープ２１の粘着層は、紫外線が照射されると硬化する紫外線硬化型の樹脂で構成されている。また、実施形態１では、エキスパンドテープ２１は、ＤＡＦ２０よりも大径な円板状に形成され、中央部にＤＡＦ２０を配置している。

実施形態１において、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３では、図９に示すように、周知のマウンタがＤＡＦ２０を貼着したエキスパンドテープ２１を裏面研削ステップＳＴ２後の被加工物１の裏面６と、リング状でかつ内径がＤＡＦ２０よりも大径な環状フレーム２２とに対向させる。ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３では、マウンタが、図１１に示すように、ＤＡＦ２０を被加工物１の裏面６に貼着するとともに、エキスパンドテープ２１の外縁部を環状フレーム２２に貼着する。ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３では、裏面６にＤＡＦ２０が貼着された被加工物１を環状フレーム２２の開口２３内に支持する。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３後、保持ステップＳＴ４に進む。

（保持ステップ）
図１２は、図３に示された被加工物の加工方法の保持ステップを一部断面で示す側面図である。保持ステップＳＴ４は、分割予定ライン４に沿って分割溝９−１が形成されかつ裏面６にＤＡＦ２０が貼着された被加工物１の表面３側をレーザー加工装置５０の保持テーブル５１に保持するステップである。

保持ステップＳＴ４では、図１２に示すように、レーザー加工装置５０が保持テーブル５１に保護部材１０を介して被加工物１の表面３を吸引保持し、クランプ部５２で環状フレーム２２をクランプする。このように、保持ステップＳＴ４は、エキスパンドテープ２１を上方に向けた状態で、保持テーブル５１に被加工物１を保持する。被加工物の加工方法は、保持ステップＳＴ４後、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５に進む。

（ＤＡＦ改質層形成ステップ）
図１３は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップを一部断面で示す側面図である。図１４は、図１３中のＸＩＶ部を拡大して示す図である。図１５は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップ中の被加工物の一部の平面図である。

ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３の実施後に、ＤＡＦ２０の内部にＤＡＦ２０が透過性を有する波長の図１３に示すレーザー光線１００の焦点１０１を設定して、被加工物１の裏面６側からレーザー光線１００をＤＡＦ２０に照射しＤＡＦ２０の内部に改質層２７を形成するステップである。実施形態１において、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５では、レーザー加工装置５０が図示しない赤外線カメラで被加工物１の裏面６側を撮像して、保持テーブル４１に保持された被加工物１の分割予定ライン４をエキスパンドテープ２１及びＤＡＦ２０越しに検出し、レーザー光線１００を照射するレーザー光線照射ユニット５３と被加工物１の分割予定ライン４との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。

実施形態１において、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５では、レーザー加工装置５０が、裏面６に貼着されたＤＡＦ２０が透過性を有する波長のレーザー光線１００の焦点１０１をＤＡＦ２０の内部に設定する。実施形態１において、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５では、図１３及び図１４に示すように、アライメント時に検出した分割予定ライン４の位置に基づいて、分割予定ライン４に沿って被加工物１とレーザー光線照射ユニット５３とを相対的に移動させながら被加工物１の裏面６側からエキスパンドテープ２１越しにパルス状のレーザー光線１００を分割予定ライン４に沿って所定の繰り返し周波数でＤＡＦ２０に照射する。

実施形態１において、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５では、図１５に示すように、レーザー加工装置５０が、ＤＡＦ２０の内部の分割予定ライン４に対応する領域である分割予定ライン４に厚み方向に重なる位置に、分割予定ライン４に沿った改質層２７を形成する。即ち、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５において、改質層２７は、分割予定ライン４に対応する領域に形成される。また、実施形態１では、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５では、レーザー加工装置５０が、分割予定ライン４の幅方向の中央でかつ分割溝９−１に重なる位置に改質層２７を形成する。なお、ＤＡＦ２０の内部に形成される改質層２７は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。実施形態１では、改質層２７の機械的な強度は、周囲の機械的な強度よりも低い。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５後、ＤＡＦ分割ステップＳＴ６に進む。

（ＤＡＦ分割ステップ）
図１６は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ分割ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。図１７は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ分割ステップにおいて、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。

ＤＡＦ分割ステップＳＴ６は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５の実施後に、ＤＡＦ２０を拡張して、互いに隣り合うデバイスチップ７の間隔を広げるとともにＤＡＦ２０を各デバイスチップ７に破断するステップである。実施形態１において、ＤＡＦ分割ステップＳＴ６では、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５後の被加工物１の表面３から保護部材１０を剥がし、図１６に示すように、表面３側を上方に向けた状態で、拡張装置６０が環状フレーム２２をクランプ部６１で挟み込んで固定する。このとき、図１６に示すように、拡張装置６０は、円筒状の拡張ドラム６２をエキスパンドテープ２１の被加工物１と環状フレーム２２との間の領域２４に当接させておく。拡張ドラム６２は、環状フレーム２２の内径より小さく被加工物１及びＤＡＦ２０の外径より大きい内径および外径を有し、クランプ部６１により固定される環状フレーム２２と同軸となる位置に配置される。

実施形態１において、ＤＡＦ分割ステップＳＴ６では、図１７に示すように、拡張装置６０がクランプ部６１を下降させる。すると、エキスパンドテープ２１が拡張ドラム６２に当接しているために、エキスパンドテープ２１が面方向に拡張される。ＤＡＦ分割ステップＳＴ６では、拡張の結果、エキスパンドテープ２１は、放射状の引張力が作用する。このように被加工物１の裏面６側にＤＡＦ２０を介して貼着されたエキスパンドテープ２１に放射状に引張力が作用すると、被加工物１は、裏面研削ステップＳＴ２において個々のデバイスチップ７に分割されているので、図１７に示すように、分割溝９−１の幅が拡張されて、デバイスチップ７間の間隔が広げられる。

また、実施形態１において、ＤＡＦ分割ステップＳＴ６では、拡張装置６０は、エキスパンドテープ２１に放射状に引張力を作用させて、エキスパンドテープ２１及び被加工物１に貼着されたＤＡＦ２０を拡張するとともに、分割溝９−１の幅を拡張する。ＤＡＦ２０が、分割予定ライン４と厚み方向に重なる位置に分割予定ライン４に沿った改質層２７が形成されている。このために、ＤＡＦ分割ステップＳＴ６では、拡張装置６０は、図１６に示すように、分割予定ライン４に沿って形成された改質層２７を基点として、ＤＡＦ２０を個々のデバイスチップ７毎に分割する。こうして、ＤＡＦ分割ステップＳＴ６は、エキスパンドテープ２１を拡張することで、分割溝９−１の幅を拡張して、ＤＡＦ２０をデバイスチップ７毎に分割（破断）する。隣り合うもの同士の間隔が広げられたデバイスチップ７は、ＤＡＦ２０とともに、ピックアップ装置によりエキスパンドテープ２１から取り外される。なお、実施形態１において、エキスパンドテープ２１は、デバイスチップ７がＤＡＦ２０とともに取り外される前に、粘着層に紫外線が照射されて、粘着層が硬化される。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ分割ステップＳＴ６を実施後、終了する。

実施形態１に係る被加工物の加工方法は、保持ステップＳＴ４において被加工物１の表面３側を保持テーブル５１に保持し、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５において、被加工物１の裏面６に貼着されたＤＡＦ２０にレーザー光線１００を照射する。その結果、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１の表面３に形成されたデバイス５に照射されるレーザー光線１００の光量を抑制することができ、デバイス５に与えるダメージを抑制することができる。

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５において、被加工物１の裏面６に貼着されたＤＡＦ２０にエキスパンドテープ２１越しにレーザー光線１００を照射する。その結果、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１の表面３に形成されたデバイス５に照射されるレーザー光線１００の光量を抑制することができ、デバイス５に与えるダメージを抑制することができる。

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５において、ＤＡＦ２０の分割予定ライン４と厚み方向に重なる位置に分割予定ライン４に沿った改質層２７を形成し、ＤＡＦ分割ステップＳＴ６において、改質層２７を起点にＤＡＦ２０を分割する。その結果、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ２０をデバイスチップ７毎に分割することができる。よって、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、デバイス５に与えるダメージを抑制しながらもＤＡＦ２０をデバイスチップ７毎に分割することができるという効果を奏する。

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、デバイス５に照射されるレーザー光線１００の光量を抑制することができ、デバイス５に与えるダメージを抑制できるので、デバイス５がＣＣＤやＣＭＯＳ等のイメージセンサである場合に特に有効である。

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１の裏面６に貼着されたＤＡＦ２０にレーザー光線１００を照射するので、改質層が形成済の接着テープを貼着する際に形成済の改質層を分割予定ライン４に位置合わせする必要が生じない。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。前述した実施形態１に係る被加工物の加工方法は、切削溝形成ステップＳＴ１と、裏面研削ステップＳＴ２と、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３と、保持ステップＳＴ４と、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５と、ＤＡＦ分割ステップＳＴ６とを備えている。しかしながら、本発明の被加工物の加工方法は、図１８に示すように、保持ステップＳＴ４と、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５と、ＤＡＦ分割ステップＳＴ６とを備えていれば良い。なお、図１８は、実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５において、ＤＡＦ２０の分割予定ライン４と厚み方向に重なる位置に分割予定ライン４に沿った改質層２７を形成している。しかしながら、本発明は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５において、ＤＡＦ２０の内部に所定の間隔（等間隔でも良く、等間隔でなくても良い）で、ＤＡＦ２０の平面視における全体に改質層２７を形成しても良い。

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３において、エキスパンドテープ２１に積層されたＤＡＦ２０を被加工物１の裏面６に貼着し、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５において、エキスパンドテープ２１越しにＤＡＦ２０にレーザー光線１００を照射している。しかしながら、本発明では、被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３において、ＤＡＦ２０のみを被加工物１の裏面６に貼着し、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ５において、ＤＡＦ２０に直接レーザー光線１００を照射して改質層２７を形成した後に、ＤＡＦ２０にエキスパンドテープ２１を貼着しても良い。

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法では、ＤＡＦ２０は、粘着性を有する粘着性部材のみで構成されているが、本発明では、粘着材部材と、粘着性を有しない合成樹脂からなりかつ粘着性部材を積層した基材層とを備えて構成されても良い。

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、保持ステップＳＴ４の前に保護部材１０を剥がすことなく、保護部材１０を介して被加工物１の表面３を保持テーブル５１に保持している。しかしながら、本発明では、被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３において、環状フレーム２２の開口２３に被加工物１を支持した後、保護部材１０を剥がしても良い。この場合、被加工物の加工方法は、保持ステップＳＴ４において、保持テーブル５１上に通気性を有する保護シートを重ね、保護シートを介して被加工物１の表面３を保持テーブル５１に保持するのが望ましい。

１ 被加工物
３ 表面
４ 分割予定ライン
５ デバイス
６ 裏面
７ デバイスチップ
８ 仕上げ厚み
９ 溝
９−１ 分割溝
１０ 保護部材
２０ ＤＡＦ
２１ エキスパンドテープ
２７ 改質層
４１ 保持テーブル
５１ 保持テーブル
１００ レーザー光線
１０１ 焦点
ＳＴ１ 切削溝形成ステップ
ＳＴ２ 裏面研削ステップ
ＳＴ３ ＤＡＦ貼着ステップ
ＳＴ４ 保持ステップ
ＳＴ５ ＤＡＦ改質層形成ステップ
ＳＴ６ ＤＡＦ分割ステップ

Claims (4)

1. 表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、
   分割予定ラインに沿って分割溝が形成されかつ裏面にＤＡＦが貼着された被加工物の表面側を保持テーブルに保持する保持ステップと、
   該保持テーブルに保持された該被加工物の分割予定ラインを検出し、裏面に貼着された該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、検出した分割予定ラインに基づいて、該レーザー光線を照射して、該ＤＡＦに改質層を形成するＤＡＦ改質層形成ステップと、
   該分割溝の幅を拡張して、該ＤＡＦを各デバイスチップに分割するＤＡＦ分割ステップと、
   を備える被加工物の加工方法。
2. 表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、
   該分割予定ラインに沿って切削ブレードでデバイスチップの仕上げ厚みに至る溝を形成する切削溝形成ステップと、
   該切削溝形成ステップの実施後に、該被加工物を裏面から該仕上げ厚みまで研削するとともに該被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップと、
   該裏面研削ステップの実施後に、ＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップと、
   ＤＡＦ貼着ステップの実施後に、該ＤＡＦの内部に該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、該被加工物の該裏面側から該レーザー光線を該ＤＡＦに照射し改質層を形成するＤＡＦ改質層形成ステップと、
   該ＤＡＦ改質層形成ステップの実施後に、 該ＤＡＦを拡張して該ＤＡＦを該デバイスチップ毎に破断するＤＡＦ分割ステップと、
   を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
3. 該ＤＡＦ改質層形成ステップにおいて、
   該改質層は該分割予定ラインに対応する領域に形成されることを特徴とする、
   請求項１又は請求項２に記載の被加工物の加工方法。
4. 該ＤＡＦはエキスパンドテープに積層された粘着性部材であり、
   該ＤＡＦ改質層形成ステップでは、
   該エキスパンドテープ越しにレーザー光線を照射し、
   該ＤＡＦ分割ステップでは該エキスパンドテープを拡張することで該ＤＡＦを破断することを特徴とする、請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の被加工物の加工方法。

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